While it is well-known that the electron-electron (\emph{ee}) interaction cannot affect the resistivity of a Galilean-invariant Fermi liquid (FL), the reverse statement is not necessarily true: the resistivity of a non-Galilean-invariant FL does not necessarily follow a T^2 behavior. The T^2 behavior is guaranteed only if Umklapp processes are allowed; however, if the Fermi surface (FS) is small or the electron-electron interaction is of a very long range, Umklapps are suppressed. In this case, a T^2 term can result only from a combined--but distinct from quantum-interference corrections-- effect of the electron-impurity and \emph{ee} interactions. Whether the T^2 term is present depends on 1) dimensionality (two dimensions (2D) vs three dimensions (3D)), 2) topology (simply- vs multiply-connected), and 3) shape (convex vs concave) of the FS. In particular, the T^2 term is absent for any quadratic (but not necessarily isotropic) spectrum both in 2D and 3D. The T^2 term is also absent for a convex and simply-connected but otherwise arbitrarily anisotropic FS in 2D. The origin of this nullification is approximate integrability of the electron motion on a 2D FS, where the energy and momentum conservation laws do not allow for current relaxation to leading --second--order in T/E_F (E_F is the Fermi energy). If the T^2 term is nullified by the conservation law, the first non-zero term behaves as T^4. The same applies to a quantum-critical metal in the vicinity of a Pomeranchuk instability, with a proviso that the leading (first non-zero) term in the resistivity scales as T^{\frac{D+2}{3}} (T^{\frac{D+8}{3}}). We discuss a number of situations when integrability is weakly broken, e.g., by inter-plane hopping in a quasi-2D metal or by warping of the FS as in the surface states of Bi_2Te_3 family of topological insulators.
Resistivity of a non-Galilean--invariant Fermi Liquid near Pomeranchuk Quantum Criticality
分析了金属在波梅兰丘克量子相变（QPT）附近电子-电子相互作用对电阻率的影响。我们表明，Umklapp过程是不有效的QPT附近，必须考虑相互作用和无序获得有限的和T依赖的电阻率。通过功率计数，在Z=3 QPT附近，在低T下对剩余电阻率的校正标度为Δ T ^{（D+2）/3}。然而，我们表明，A=0的简单连接，凸费米面在2D中，由于隐藏的可积性的电子运动。我们认为，在一个两带（s-d）模型中，A >0，并提出这个模型作为所观察到的T^{（D+2）/3}行为的解释。
Reply to "Comment on "Galilean invariance at quantum Hall edge""
受J.Höller和N.阅读[Phys. Rev. B 93，197401（2016）]，我们重新审视了伽利略不变量子霍尔流体边界上的手性Luttinger液体的问题。在校正线性响应计算后，在我们的论文[Phys. Rev. B 91，195409（2015）]中构建的模型中导出的纵向电导率的实部与评论中发现的结果一致，即由线性势限制的非相互作用费米子。我们也撤回我们以前的猜想，纵向电导率包含一个普遍的贡献所确定的“转变”，并提供参数证明其非普遍的性质。
T-square resistivity without Umklapp scattering in dilute metallic Bi$_2$O$_2$Se
由于电子-电子散射，费米液体的电阻率呈现二次温度（$T$）依赖性。对于这种碰撞衰减电荷电流，有两种已知的机制：带间散射（由Baber识别）和Umklapp事件。然而，发现稀释的金属钛酸锶（STO）在不存在这两种机制中的任一种的情况下显示出$T^2$电阻率。软声子的存在及其作为散射中心的可能作用引起了人们的怀疑，即STO中的$T$平方电阻率不是由于e-e散射引起的。在这里，我们提出的情况下，Bi $_2$ O $_2$ Se，层状半导体与硬声子，这成为一个稀释的金属掺杂后，一个小的单组分费米表面。它显示$T$平方电阻率远低于简并温度，其中既不是Umklapp也不是带间散射是可以想象的。我们观察到$T^2$电阻率的前因子与费米能量之间存在普遍的缩放关系，这是Kadowaki-Woods图对稀释金属的扩展。我们的结果意味着缺乏一个令人满意的理论基础的e-e驱动的$T$平方电阻率在费米液体中的普遍性。
Many-body effects on the resistivity of a multiorbital system beyond Landau's Fermi-liquid theory
我回顾了朗道的费米液体（FL）理论之外的多轨道系统的电阻率的多体效应。Landau的FL理论成功地描述了某些关联电子系统在低温下的电子性质。然而，偏离FL中的温度依赖性的行为，非FL样行为，出现在磁量子临界点附近。这表明了朗道FL理论之外的多体效应的重要性。这些效应在多轨道系统中的理解很少，虽然他们的理解是重要的，以推断普遍存在的相关电子系统的属性和多轨道系统的特性。为了改善这种情况，我制定了一个多轨道哈伯德模型的电阻率使用扩展的Eliashberg理论，并采用这种方法的准二维顺磁单分子的面内电阻率结合涨落交换近似，包括由自能和Maki-Thompson项所产生的电流顶点修正。远离和接近反铁磁量子临界点的结果再现了在Sr $_{2}$ Ru O $_{4}$和Sr $_{2}$ Ru $_{0.075}$ Ti $_{0.025}$ O $_{4}$中观察到的温度依赖性。我强调的重要性，不仅是动量和温度依赖性的准粒子的阻尼，但它的轨道依赖性在讨论相关电子系统的电阻率。
Fermi-Liquid $T^2$ Resistivity: Dynamical Mean-Field Theory Meets Experiment
Flatiron Institute（平顿研究所）；University of Cologne（科隆大学）；Stony Brook University（石溪大学）；Massachusetts Institute of Technology（麻省理工学院）；Collège de France（法兰西学院）；École Polytechnique（巴黎综合理工学院）；CNRS（法国国家科学研究中心）
Fermi-liquid versus non-Fermi-liquid/'strange-metal' fits to the electrical resistivity in the quantum critical magnetic regime of an unconventional superconductor
Institute for Materials Research, Tohoku University（东北大学材料研究所）；Institute for Quantum Materials and Technologies, Karlsruhe Institute of Technology（卡尔斯鲁厄理工学院量子材料与技术研究所）；Univ. Grenoble Alpes, CEA, Grenoble INP, IRIG, PHELIQS（格勒诺布尔阿尔卑斯大学，法国原子能和替代能源委员会，格勒诺布尔国立理工学院，IRIG，PHELIQS）
Importance of Fermi Surface Topology for In-Plane Resistivity Anisotropy in Hole- and Electron-Doped Ba(Fe$_{1-x}$TM$_{x}$)$_2$As$_2$ (TM=Cr, Mn and Co)
Density-density propagator for one-dimensional interacting spinless fermions with non-linear dispersion and calculation of the Coulomb drag resistivity
Magnetic-field induced resistivity minimum with in-plane linear magnetoresistance of the Fermi liquid in SrTiO3-x single crystals
本文报道了SrTiO_（3-x）单晶中低温费米液体的新型磁输运性质。经典的限制占主导地位的磁输运性质的磁场垂直于样品表面，因此出现一个磁场感生电阻率最小值。而在垂直于电流方向的平面磁场下，从小磁场（<0.5T）开始，出现线性磁阻效应。横向磁共振的大的各向异性揭示了由于SrTiO 3-x单晶从表面到内部的大的氧空位浓度梯度引起的强的表面层间散射。此外，我们的线性磁电阻很可能是由于氧空位和氧空位团簇的不均匀性引起的，这为Abrikosov [A. A. Abrikosov，Phys.Rev.B58，2788（1998）]。
Multipolar Fermi Surface Deformations in Sr$_2$RuO$_4$ Probed by Resistivity and Sound Attenuation: A Window into Electron Viscosity and the Collision Operator
Theory for Non-Fermi Liquid Temperature Dependence in Resistivity of Ce_xLa_{1-x} Cu_{5.62} Au_{0.38} (x=0.02-0.10) on the Local Quantum Valence Criticality of Ce Impurities
Quantum-Critical, Spin-Fluctuation-driven Residual Resistivity and Emergent Universal Correlations in the Fermi-Liquid Regime of Heavy-Fermion Superconductors
Instituto de Física, Universidade Federal do Rio de Janeiro（里约热内卢联邦大学物理研究所）
