Exciton Proliferation and Fate of the Topological Mott Insulator in a Twisted Bilayer Graphene Lattice Model
在强耦合极限下，在3/4填充的扭曲双层石墨烯（TBG）实空间有效模型中发现了具有自发时间反演对称性破缺和非零Chern数的拓扑莫特绝缘体（TMI）.然而，这种TMI状态的有限温度特性仍然是虚幻的。在本工作中，我们采用最先进的热张量网络和微扰场论方法，得到了有限$T$相图和TBG模型的动力学性质。相图包括在低$T$的量子反常霍尔和电荷密度波相位，以及将它们与高$T$对称相位分离的伊辛跃迁。由于激子-粒子空穴束缚态-的扩散，跃迁发生在比平均场估计显著降低的温度下。激子相伴随着独特的实验签名，如电荷压缩和光电导接近过渡。我们的工作解释了扩散激子的多电子态拓扑结构的涂抹，并打开了途径，在TBG和其他量子莫尔系统的有限温度状态的控制多体调查。
2022-05-25 cond-mat.str-el
Correlated disorder induced anomalous transport in magnetically doped topological insulators
研究了磁掺杂拓扑绝缘体（TI）薄膜在相关非磁无序下的输运性质。对于无序，我们选择一个随机相位的准周期势。我们将无序限制在一个中心区域，该区域耦合到干净的量子自旋霍尔绝缘体（QSHI）状态中的两个引线，并集中在二维中心区域中的准周期性的不同取向。在对角取向或纯纵向准周期性的情况下，我们发现不同的拓扑安德森绝缘体（TAI）阶段，量子反常霍尔绝缘体（QAHI），量子自旋陈氏绝缘体（QSCI），或QSHI阶段实现之前，安德森绝缘接管在大的无序强度。从扩展体状态的量子化运输被发现对角准周期性除了上述TAI阶段，也观察到的情况下的不相关的障碍。对于一个纯粹的横向取向的准周期性的新兴QSHI和QSCI阶段坚持任意强的无序势。这些拓扑相变（除了安德森绝缘体相），可以理解从一个自洽玻恩近似。
2022-07-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Kosterlitz-Thouless transition in disordered two-dimensional topological insulators
通过对量子自旋霍尔系统中无规电导$g$的标度分析，研究了无序驱动的金属-绝缘体跃迁。低于临界无序强度，电导是独立的样品大小$M$，临界离域电子状态的指示。计算得到的β函数$β=d\ln g/d\ln M$表明，金属-绝缘体相变是Kosterlitz-plasterless（KT）型的，其特征是局域电流的涡旋-反涡旋对的束缚和去束缚.类KT金属-绝缘体跃迁是量子自旋霍尔态的一个基本特征，与时间反演对称性无关。
2012-04-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Topological invariant in three-dimensional band insulators with disorder
三维拓扑绝缘体具有一个Z ~ 2值拓扑不变量，它由一个强指数和三个弱指数组成.在无序的情况下，只有强指数存在。本文将三维无序系统看作无限周期系统的超胞，研究其拓扑不变量。作为该方法的一个应用，我们证明了当引入足够强的无序到具有自旋轨道耦合的平凡绝缘体中时，强指数变得非平凡，实现了强拓扑Anderson绝缘体。我们还数值提取的间隙范围，并确定这个拓扑相的相边界，其中？结果表明，该方法与自洽玻恩近似（SCBA）和输运计算结果吻合较好。
2010-09-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Anderson localization and topological transition in Chern insulators
基于二分格分析了具有非平凡拓扑的二维无序系统的拓扑跃迁和局域演化。时间反演对称性破缺的陈氏绝缘体表现出非标准的行为，无序实现只选择性地分布在一个子晶格上。的陈数生存到一个更强的无序强度（一个数量级以上）比均匀分布的无序的情况下，在强无序的情况下，最终状态是金属。
2015-09-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Quantized charge transport in disordered Floquet topological insulators in the absence of Anderson localization
本研究通过数值模拟探究含时间无序的Floquet拓扑绝缘体，发现无安德森局域化时量子化电荷输运可与扩散体运动共存，揭示了输运的瞬态与长时间双区域特征及统一标度律。
2023-07-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Fate of spinons at the Mott point
最近在几个受抑的莫特绝缘体中观察到了无带隙自旋液体，其基本自旋激发--"自旋子"--让人想起简并费米系统。然而，它们在电荷波动开始扩散的莫特点的确切作用仍然存在争议和不清楚。在这里，我们提出了一个最简单的理论框架，对待新兴的自旋和电荷激发的动力学在同一个立足点，提供了一个新的物理图片莫特金属绝缘体过渡在半填充。我们确定了一个通用的正交机制，导致强阻尼的自旋，尽快莫特间隙关闭。我们的研究结果表明，自旋不应该在高温量子临界区莫特点以上发挥重要作用-在惊人的协议与所有可用的实验。
2016-09-21 cond-mat.str-el
Fate of gapless edge states in two-dimensional topological insulators with Hatsugai-Kohmoto interaction
本文研究无限程 Hatsugai–Kohmoto 相互作用下二维拓扑绝缘体的无隙边缘态，通过 Kane–Mele 与有自旋 Haldane 模型数值计算，证明任意有限 U 均打开电荷隙并揭示强关联相中的体–边对应。
2025-01-08 cond-mat.other cond-mat.str-el
Topological Anderson Insulator in Three Dimensions
无序，普遍存在于固体中，通常对物质有序状态的稳定性有害。在这封信中，我们证明，不仅是一个强大的拓扑绝缘体的物理鲁棒无序，但值得注意的是，在某些条件下，无序可以成为其存在的根本原因。我们表明，无序，当足够强，可以将一个普通的金属与强自旋轨道耦合到一个强大的拓扑'安德森'绝缘体，一个新的拓扑相的量子物质在三维空间。
2010-06-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
The fate of compound with AgF$_2$ plus AgO stoichiometry. A theoretical study
金属氟氧化物是一类具有丰富晶体结构和性质的化合物。在这里，我们预测，基于进化算法的方法，银$_2$的$_2$的晶体结构和选定的性能。该体系可视为AgF $_2$（即反铁磁电荷转移正U绝缘体）和AgO（即反铁磁负U绝缘体）的1：1加合物。我们分析了每个结构中银的氧化态，可能的磁相互作用以及能量稳定性。展望了利用多种合成方法合成感兴趣的多型体的前景。
2021-03-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Disorder effect on the Friedel oscillations in a one-dimensional Mott insulator
本文用DMRG方法数值计算了莫特绝缘体中一维无序导线的一边与量子点耦合时产生的Friedel振荡。通过研究无序对Friedel振荡衰减的影响，我们发现无序的影响随着相互作用强度的增加而减小。这种行为是相反的，最近报道的影响，在安德森绝缘体制度，无序导致更强的衰减的弗里德尔振荡。
2007-04-11 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Fate of higher-order topological insulator under Coulomb interaction
本文利用重整化群理论研究了长程库仑相互作用对三维二阶拓扑绝缘体（TI）的影响。我们发现，无论是分析方法和结论，在最近的信件物理。{ \bf 127}、176601（2021）不可靠。这封信有两个问题。首先，由RG流$m\rightarrow\infty$和$D\rightarrow0$描述的特征不能作为二阶TI到TI跃迁的判据，因为这个特征本质上不是由库仑相互作用引起的，而仅仅是由费米子作用的平凡功率计数贡献引起的。事实上，即使对于自由的二阶TI，也满足这个特性。第二，$B$的流程没有得到重视，这是非常重要的，应该认真研究。本文详细分析了库仑相互作用引起的模型参数对流动的修正。发现当初始库仑强度足够大时，$m$的符号发生变化，而$B$的符号保持不变;当初始库仑强度取较小值时，$m$的符号保持不变，而$B$的符号发生变化.这些结果表明，无论是在强库仑相互作用下还是在弱库仑相互作用下，二阶TI对平凡带绝缘体都是不稳定的。利用重整化群理论研究了二阶TI中无序散射的影响。根据Phys. Rev. Lett. { \bf 127}，176601（2021），弱无序驱动二阶TI到TI。然而，我们发现，二阶TI是强大的弱无序，因为弱无序不给二阶TI的定性修改。这一结果与最近基于其他方法的研究结果一致。研究了二阶TI中库仑相互作用和无序的相互作用。
2022-11-08 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Metal--Insulator Transitions in the Falicov--Kimball Model with Disorder
本文在动力学平均场论范围内，利用几何平均（"典型"）局域态密度，导出了具有局域无序的Falicov-Kimball模型的基态相图。识别了相关金属相、莫特绝缘体相和安德森绝缘体相。金属-绝缘体转变被发现是连续的。相互作用和无序相互竞争，稳定金属相，防止出现绝缘体之一。Mott和Anderson绝缘体被发现是连续连接的。
2004-12-21 cond-mat.str-el
Insulator-metal-insulator transition and selective spectral weight transfer in a disordered strongly correlated system
研究了具有对角合金无序的哈伯德模型在有限温度下的金属绝缘体相变。我们用无交叉近似求解动力学平均场论方程，用相干势近似处理无序。给出了不同关联强度$U$和无序度下的激发谱。当$U$增加时，在整数填充值处观察到两个连续的金属绝缘体转变。一个重要的光谱权重的选择性转移出现在掺杂。详细研究了温度对低能动力学的影响。
2005-12-29 cond-mat.str-el
Emergent Novel Metallic State in a Disordered 2D Mott Insulator
对于非相互作用的电子，增加的无序将金属驱动成无间隙的局部安德森绝缘体。虽然在三维中，过渡必须跨越无序的阈值，但在二维和更低的维度中，最小量的无序使金属不稳定。相互作用系统中金属-绝缘体转变的性质仍然没有得到解决。在这里，我们探讨的影响，在强关联莫特绝缘体不改变载流子浓度的无序。角分辨光电子能谱（ARPES）测量铜插层单晶的层状二硫属化物1 T-TaS 2揭示了新的离域状态的存在下，在莫特间隙。这是第一个实验实现了一种新的无序诱导金属，理论上预测存在于莫特绝缘体和安德森绝缘体之间。
2014-05-22 cond-mat.str-el
Fate of disorder-induced inhomogeneities in strongly correlated d-wave superconductors
我们分析了高温超导体中强关联和杂质的复杂相互作用，并表明在零温度下局部序参量的不均匀性的性质和程度与在简单的Hartree-Fock-Bogoliubov理论中得到的结果有很大的不同。虽然强电子排斥和无序都有助于电荷载流子群体中的纳米级不均匀性，但我们发现它们相互竞争，导致局部密度的相对平滑变化。我们的自洽计算修改的配对振幅的空间波动，通过抑制所有的双重占用内的Gutzwiller形式主义，并禁止形成不同的超导“岛”。相反，如果忽略强相关性，这种“孤岛”的存在控制着结果。Gutzwiller方法中的空间结构重组使这些超导体对杂质出奇地不敏感。这是说明了一个非常弱的超流刚度，非对角长程序和本地密度的状态衰减到一个大的无序强度。探索这种鲁棒性的起源，我们得出结论，潜在的单粒子正常状态以丰富的方式重塑，使得通过配对这些状态形成的超导体经历较弱但空间相关的有效无序。这样一条通往超导性的道路让人想起安德森定理。我们的研究结果捕捉到了铜酸盐的关键实验趋势。
2014-09-15 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Disorder- and correlation-driven metal-insulator transitions
在Anderson-哈伯德模型中，采用简单但一致的平均场方法，研究了由无序（Delta）和/或电子关联（U）驱动的金属-绝缘体相变.导出并讨论了T=0和有限温度下的Delta-U相图。
2004-06-16 cond-mat.str-el
A possible new phase of commensurate insulators with disorder: the Mott Glass
一个新的热力学相之间的竞争所产生的相称的潜力和相互作用的费米子或玻色子系统的无序的预测。它需要有限范围的相互作用。该相介于莫特绝缘体和安德森绝缘体之间，是不可压缩的，并且在导电性方面没有间隙。相应的相位也预测了相应的经典弹性系统的存在相关的障碍。
1999-03-22 cond-mat.str-el
Doping-dependent metal-insulator transition in a disordered Hubbard model
利用行列式量子蒙特卡罗方法研究了正方晶格上排斥哈伯德模型中无序和掺杂对金属-绝缘体相变的影响。首先，为了使我们的结果可靠，我们计算了各种参数，如温度，无序，现场相互作用和晶格尺寸的符号问题。我们发现，在跳跃元素的随机性的存在下，金属-绝缘体的转变发生，在不同的填充物的临界无序强度不同。我们还证明了掺杂是金属-绝缘体转变背后的驱动力。
2022-01-12 cond-mat.str-el
Combined effects of disorders and electron-electron interactions upon metal-insulator transition in 2D non-bipartite lattice
我们研究了二维非二分晶格中同时存在无序和电子相互作用时金属-绝缘体相变的特征。利用实空间重整化群方法和有限尺寸标度分析，我们发现无序系统从绝缘态过渡到金属态后，如果电子-电子相互作用进一步增加，它可以重新进入绝缘态。
2004-05-16 cond-mat.str-el
Fate of superconductivity in disordered Dirac and semi-Dirac semimetals
弱无序对普通金属超导电性的影响可以用Abrikosov-Gorkov图解法来描述。在这种方法中，顶点校正被忽略，因为不等式$k_F l \gg 1$，其中$k_F$是费米动量和$l$平均自由程，在具有大费米表面的普通金属中得到满足。在具有离散费米点的狄拉克半金属中，即使对于自$k_F \rightarrow 0$以来的任意弱无序，该不等式也可能被打破，因此顶点校正可能是重要的。我们将顶点修正引入超导能隙和无序散射率的自洽方程中，然后应用推广的方法研究了二维和三维Dirac半金属以及二维semi-Dirac半金属中随机化学势对$s$波超导性的影响.在干净的极限下，只有当对相互作用强度大于某个临界值时，这些材料才形成超导性。在系统中加入随机化学势，通过在费米能级产生有限的费米态密度来促进超导性。在三维狄拉克半金属中，临界吸引强度被弱无序降低，但仍然是有限的。在另外两种情况下，超导电性是由任意弱吸引引起的。包括顶点校正并没有改变这些定性的结果，实际上可以进一步促进弱吸引区的超导性。双层石墨烯的特殊之处在于，尽管存在费米点，但其零能量密度不为零。由于这种特殊的性质，超导电性总是受到随机化学势的轻微抑制，顶点修正的影响几乎可以忽略不计。
2019-05-16 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Particle-Hole Symmetry and the Effect of Disorder on the Mott-Hubbard Insulator
最近的实验强调，我们对固体中电子相关性和随机性的相互作用的理解仍然是不完整的。我们解决这个重要的问题，并证明粒子-空穴（ph）对称性起着至关重要的作用，在确定的影响，无序的运输和热力学性质的半满哈伯德哈密顿。我们发现，低温电导率随无序度的增加而降低时，保持pH对称性，并显示相反的行为，即电导率随无序度的增加，当pH对称性被打破。莫特绝缘间隙是不敏感的弱无序时，有PH对称性，而在其情况下，间隙随无序度的增加而减小。
2001-06-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Metal-Insulator Transitions in Interacting Disordered Systems
简要回顾了三维杂质半导体中的金属-绝缘体转变，重点是“临界指数之谜”;以及新的实验发现，表明在稀的二维系统中可能出现意想不到的金属-绝缘体转变，如硅MOSFET和GaAs/AlGaAs异质结构。
2000-08-30 cond-mat.str-el
Ferromagnetism and Kondo Insulator Behavior in the Disordered Periodic Anderson Model
在周期性Anderson模型下研究了二元合金无序对f电子材料铁磁相的影响。我们发现，在导带中的无序可以大大提高居里温度，由于本地f-矩的增加。这种效应可以用一个简单的理论分析来定性甚至定量地解释。还指出了非整数填充时合金近藤绝缘体的出现。
2008-01-25 cond-mat.str-el
Interacting lattice electrons with disorder in two dimensions: Numerical evidence for a metal-insulator transition with a universal critical conductivity
本文用量子蒙特卡罗模拟方法计算了无序情况下正方晶格上电子与局域排斥相互作用的直流电导率。我们提供了从Anderson绝缘体到相关无序金属的转变的证据，在该转变处临界直流电导率σ_{dc，crit} =（1.18 \pm 0.06）e^{2}/h.
2010-12-29 cond-mat.str-el
Competing Orders and Disorder-induced Insulator to Metal Transition in Manganites
无序对两个竞争相的影响，即，用蒙特卡罗模拟研究了铁磁金属和公度电荷/晶格有序绝缘体。无序抑制的电荷/晶格有序比铁磁顺序更强烈，驱动相称的绝缘体的铁磁金属附近的相界在纯的情况下。相反，在铁磁转变温度以上，无序使系统更绝缘，这可能导致增强的庞磁电阻，如在半掺杂或Cr取代的锰氧化物中观察到的。没有发现逾渗或团簇形成的迹象，并且仍然存在电荷/晶格波动，而不是向转变温度增强。
2003-07-11 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in the disordered Hubbard model of the Lieb lattice
利用行列式量子Monte Carlo方法，研究了Lieb晶格相互作用无序哈伯德模型中的金属-绝缘体相变，该系统的特征是中心位于费米能级的平带.通过选择合适的电子密度，保证了弱相互作用的符号问题，提高了结果的可靠性。研究发现，无序和原位库仑排斥作用产生有趣的效应，诱导金属-绝缘体转变，这是不可能的半填充的情况下。在热力学极限下，费米能级处的态密度仍然是有限的，这表明该系统是安德森绝缘体而不是莫特绝缘体。此外，这种掺杂系统是顺磁性的，不像半填充系统是亚铁磁性的。
2022-06-08 cond-mat.str-el
Ferromagnetism and Metal-Insulator Transition in the Disordered Hubbard Model
本文详细研究了在单能带哈伯德模型中存在二元合金无序时的顺磁-铁磁相变。发现无序度（两种合金离子的浓度$x$和$1-x$）对居里温度$T_{c}$的影响强烈依赖于电子密度$n$。而在高密度下，$n>x$，无序总是降低$T_c$，在低密度下，$n<x$，如果相互作用足够强，无序甚至可以降低\emph{enhance} $T_c$。在特定密度$n=x$（即，e.不一定在半填充时），无序诱导的带分裂和关联诱导的Mott跃迁之间的相互作用产生了一种新型的金属-绝缘体跃迁。
2002-10-14 cond-mat.str-el
Inducing metal-insulator transition via disorder in correlated kagome systems
Beijing Normal University（北京师范大学）
本研究采用行列式量子蒙特卡罗方法，探究关联 kagome 系统中跳跃无序对金属-绝缘体转变的影响，揭示无序与电子关联的协同作用可诱导电子局域化，为相关实验控制提供了可行见解。
2026-08-19 cond-mat.str-el
Inhomogeneous metallic phase upon disordering a two dimensional Mott insulator
我们发现，等电子无序破坏了光谱间隙在莫特-哈伯德绝缘体在2D导致，最出乎意料的是，一个新的金属相。该相在空间上是不均匀的，金属行为与反铁磁长程序共存。即使在纯系统中的莫特间隙比反铁磁交换大得多，光谱间隙被破坏局部的无序势是足够高的，以克服电子间的排斥，从而产生水坑的电荷波动增强的区域。随着无序度的增加，这些熔池扩展，并且伴随着费米能处的状态得到扩展，导致金属相。我们讨论了我们的实验结果的影响。
2003-08-13 cond-mat.str-el
Orbital Insulators and Orbital Order-disorder Induced Metal-Insulator Transition in Transition-Metal Oxides
采用集团自洽场方法，在强关联区研究了轨道有序对过渡金属氧化物金属-绝缘体相变的影响。在单粒子激发谱中发现了绝缘能隙对轨道序参量的明显依赖性。热涨落驱动轨道有序-无序转变，减小能隙，导致金属-绝缘体转变。自旋和轨道之间的相互作用导致轨道绝缘体中轨道极化的不寻常的温度依赖性，这可以在共振X射线散射强度中看到。
2007-09-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Fate of the false Mott-Hubbard transition in two dimensions
在无阻挫二维哈伯德模型中，研究了各种尺度下非局域电子关联对Mott-Hubbard金属-绝缘体相变的影响.结合动力学顶点近似、格点量子Monte-Carlo和变分团簇近似，我们证明了长程涨落下的散射，即，片状顺磁子，在弱到中等耦合处打开一个谱隙--与局部或短程磁矩的预形成无关。这就是为什么二维哈伯德模型在足够低的温度下对任何（有限）相互作用都是绝缘的，并且没有观察到莫特-哈伯德转变的原因。
2014-12-11 cond-mat.str-el
Insulator-Metal Phase Diagram of the Optimally Doped Manganites from the Disordered Holstein-Double Exchange Model
本文研究了具有替代无序的三维Holstein-Double Exchange模型。利用一种新的蒙特卡罗方法，我们建立了干净模型的相图，然后集中在不同的电子-声子耦合和无序在固定的电子密度的影响。我们展示了如何外在的无序控制晶格极化子效应和自旋波动的相互作用，并导致广泛变化的制度在运输。我们的铁磁T_c和金属-绝缘体转变的无序依赖性的结果承担直接比较的“最佳掺杂”，x=0.3-0.4，锰氧化物的数据。我们强调在这些材料中的一个关键效应的无序诱导极化子形成，组织成一个简单的“全球相位”的各种数据，并作出一些实验预测。
2006-01-23 cond-mat.str-el
Signatures of metal-insulator and topological phase transitions in the entanglement of one-dimensional disordered fermions
我们研究了一维无序费米子，它们要么经历金属-绝缘体跃迁，要么经历拓扑相变成为平凡的安德森绝缘体。我们专注于使用纠缠来阐明费米子的空间，动量和内部自由度是如何受到这种情况下的无序的影响。我们开发的纠缠工具，揭示了存在的金属状态的存在下的混乱，并进一步显示出明确的签名，即使在存在相互作用的相应的本地化过渡。在内部自由度与电子运动相耦合的系统中，拓扑相位会发展。我们将一个拓扑绝缘体模型置于不同类型的无序状态下，并讨论了即使在强无序状态下，系统的拓扑结构如何通过纠缠被捕获。
2014-03-24 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Fate of Dirac Points in a Vortex Superlattice
我们考虑了磁涡旋超晶格中蜂窝晶格上的非相互作用费米子。结果表明，取决于超晶格的周期性，间隙可以打开在零能量。我们推导出的间隙在小通量的限制，但主要的定性特征被发现是有效的任意通量的表达。这项研究提供了一个原始的例子，金属-绝缘体转变诱导的强调制磁场在石墨烯。同时，我们的结果直接适用于Kitaev的蜂窝模型在涡旋超晶格。
2011-10-19 cond-mat.str-el quant-ph
Physics of interface: Barrier with correlations and disorder sandwiched between two metallic planes
用非限制Hartree-Fock方法研究了金属-无序莫特绝缘体-金属异质结的半填充特性。相应的清洁系统已被证明是任何有限的现场相关的绝缘体。有趣的是，我们发现，引入明确的障碍诱导金属绝缘体转变在一个临界值的障碍。临界值对应于无序抵消现场相关性的影响的点。的波函数被发现离域增加无序，使系统金属。
2011-03-21 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in correlated two-dimensional systems with disorder
实验证据的金属-绝缘体转变（MIT）在二维（2D）的可能的普适性类进行了讨论。特别是，足够强的无序改变了过渡的性质。电荷动力学的全面研究也进行了审查，描述的证据表明，MIT在硅中的二维电子系统应被视为库仑玻璃的熔化。新的2D材料和准2D强关联系统，如铜酸盐的最新结果进行了比较。
2016-03-21 cond-mat.str-el
Metal-Insulator Transition in Disordered Two-Dimensional Electron Systems
本文提出了无序二维电子气中金属-绝缘体相变的理论。一个量子临界点，分离的金属相，这是稳定的电子相互作用，从绝缘相，其中无序占上风的电子相互作用，已被确定。量子临界点的存在导致在过渡的基础集体模式的状态密度的发散，导致热力学性质的行为临界过渡的接近。我们发现，电子-电子相互作用和无序的相互作用可以解释所观察到的传输特性和附近的金属-绝缘体转变的自旋磁化率的异常增强。
2005-11-12 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
An Origin of CMR: Competing Phases and Disorder-Induced Insulator-to-Metal Transition in Manganites
通过明确考虑双交换铁磁性和电荷有序绝缘体之间的相竞争，我们从理论上探讨了锰氧化物巨磁电阻的机制。我们发现，淬火无序通过选择性地破坏电荷有序态而引起多临界相图的剧烈变化。结果，在多临界区出现了无序诱导的绝缘体-金属相变的非平凡现象。相反，在转变温度以上，无序诱导高度绝缘状态，其中电荷有序波动大大增强。对比效应提供了一个巨大的磁电阻的机制的理解。所得到的方案进行了讨论，与其他理论的建议，如极化子理论，安德森局域化，多临界波动的情况下，和渗流的情况下进行比较。
2004-06-21 cond-mat.str-el
The Effect of Disorder in an Orbitally Ordered Jahn-Teller Insulator
利用最近发展起来的Monte-Carlo方法，研究了淬火无序存在时，$e_g$电子与Jahn-Teller畸变耦合的二维双带双交换模型.在没有无序的情况下，低温下的半填充系统是轨道有序的铁磁绝缘体，具有交错的Jahn-Teller扭曲模式。我们研究了有限的温度过渡到轨道无序相，并揭示了中间和强耦合系统之间的质的差异，包括热驱动的绝缘体金属交叉在前一种情况下。长程轨道秩序被抑制在无序的存在下，该系统显示出一种趋向于亚稳态的轨道无序的条状结构包围轨道有序域。
2006-09-28 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Annealed disorder, rare regions, and local moments: A novel mechanism for metal-insulator transitions
无序系统中的局部磁矩除了基本的淬火无序外，还可以用退火磁无序来描述。结果表明，在零温度下的非相互作用的电子系统，退火无序导致一个新的机制，和一个新的普遍性类，金属-绝缘体过渡。这种转变是由热力学密度敏感性的消失而不是由局部化效应驱动的。确定了二维附近的临界行为，并讨论了基本物理。
2000-08-03 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Metal-to-insulator transition and electron-hole puddle formation in disordered graphene nanoribbons
实验观察到的氢化石墨烯中的金属到绝缘体的转变，数值证实了实际尺寸的石墨烯样品和现实的杂质浓度。我们的紧束缚模型与替代无序的本征态证实了形成的电子-空穴-水坑的特征长度尺度与实验中发现的。这些熔池导致电荷不均匀性，并倾向于抑制安德森局域化。尽管如此，监测电荷载流子量子动力学和执行有限尺寸标度的局域态密度分布，我们发现了强有力的证据，在石墨烯纳米带中存在局域态与短程，但也相关的长程无序。
2011-12-17 cond-mat.str-el
Disorder effects in correlated topological insulators
利用精确对角化和量子Monte Carlo计算，我们研究了无序对二维拓扑绝缘体非相互作用和相互作用模型相图的影响。在我们研究的费米子符号无问题相互作用模型中，电子-电子相互作用被描述为就地排斥的Hubbard相互作用，无序通过单体跳跃算子被包括在内。在这两个非相互作用和相互作用的模型中，我们利用最近的进展，在高度精确的实空间的数值评估的拓扑不变量计算相边界，并在非相互作用的模型确定临界指数的过渡。我们发现不同的模型表现出不同的拓扑相的相互作用和无序的稳定性条件。我们提供了一个通用的分析理论，准确地预测这些趋势。
2016-08-23 cond-mat.str-el
The approach to a superconductor-to-Bose-insulator transition in disordered films
通过详细研究强无序薄膜中磁场调谐的超导体到绝缘体转变附近的标度，我们发现各种材料的结果可以被折叠到一个单一的相图上。数据显示两个明确的分支，一个弱无序和一个金属相，另一个强无序。沿着强无序分支，临界点处的电阻接近$R_Q = h/4e^2$，电阻的标度与量子渗流一致，因此与脏玻色子模型的预测一致。
2007-10-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superfluid--Insulator Transition in Strongly Disordered One-dimensional Systems
我们提出了一个渐近精确的重整化群理论的超流-绝缘体过渡的一维无序系统，重点是准确描述的Giamarchi-Schulz（瞬子-反瞬子）和弱链接（scratched-XY）的临界之间的相互作用。结合广泛的量子蒙特卡罗模拟的理论，使我们能够阐明新的一维无序玻色-哈伯德模型在单位填充的基态相图。
2016-01-22 cond-mat.dis-nn cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Anderson localization on the Falicov-Kimball model with Coulomb disorder
在Anderson-Falicov-Kimball模型中分析了库仑无序的作用。关联和无序电子系统的相图内的动力学平均场论应用于Bethe晶格，其中金属-绝缘体的转变导致的结构和库仑无序和相关性可以确定的计算。金属，莫特绝缘体，和安德森绝缘体相，以及它们之间的交叉在这个角度进行了研究。我们表明，库仑无序有一个相关的作用，在相变行为的系统是朝着绝缘体制度。
2014-02-13 cond-mat.str-el quant-ph
On holographic disorder-driven metal-insulator transitions
我们给出了一个无序驱动的金属-绝缘体相变的最小全息模型。它包括一个CFT与电荷部门和一个反作用打破部门，相互作用的最通用的方式所允许的对称性和动力学的一致性。在引力对偶中，它简化为一个大质量引力-麦克斯韦模型，在麦克斯韦和度量之间有新的直接耦合，当引力是大质量时，这是允许的。我们表明，一般来说，无序的影响是降低直流电导率。这种情况发生到这样的程度，即电导率不服从任何下限，并且在绝缘相中可以非常小。在某些情况下，大的无序极限产生梯度不稳定性，暗示调制相的形成。
2016-05-20 cond-mat.str-el hep-th
Vanadium dioxide : A Peierls-Mott insulator stable against disorder
在340 K时，V_2O_2发生了一级金属-绝缘体相变。在这项工作中，我们开发和进行最先进的线性标度DFT计算与非局部动力学平均场论细化。我们确定了一个复杂的机制，一个Peierls辅助的轨道选择莫特不稳定性，这是负责绝缘M $_1$阶段，而且生存一个中等程度的混乱。
2012-07-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Transport and spectroscopic signatures of a disorder-stabilized metal in two-dimensional frustrated Mott insulators
阻挫莫特绝缘体，如过渡金属二硫属化物提供了一个理想的平台，为实验实现外部调谐绝缘体-金属过渡。本文首次对二维阻挫莫特绝缘体中无序诱导的绝缘体-金属相变进行了非微扰数值研究。我们的方法是通用的，并捕捉到基本的物理莫特绝缘体金属过渡的几何阻挫晶格。为了具体起见，我们将我们的结果与铜（Cu）插层1 T-TaS 2的实验观察进行了比较。基于磁性，光谱，和运输签名，我们已经绘制出的热相图的铜插层1 T-TaS 2，并建立了在一个制度的适度无序强度这种材料主机的反铁磁金属。此外，该系统中的绝缘体-金属转变与磁关联的损失无关，从而产生两个量子临界点。新出现的非费米液态金属是由弹性准粒子控制的，即使在费米液体描述被打破后，这些准粒子仍然作为相关的低能激发存在。本文中讨论的传输和光谱特征预计将作为未来实验的重要基准，这类材料和相关的。
2022-06-13 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
