Hall resistivity of granular metals
计算了大隧穿电导$g_{T}\gg 1$下颗粒体系的霍尔电导率$\sig_{xy}$和电阻率$ρ_{xy}$。我们表明，在库仑相互作用的情况下，霍尔电阻率既不依赖于隧道电导，也不依赖于晶粒内的无序，并给出了由经典公式$ρ_{xy}=H/(n^* e c)$，其中$n^*$不同于晶粒内的载流子密度$n$的数值系数由晶粒的形状。库仑相互作用在$\Ga \lesssim T \lesssim \min(g_T E_c,\ETh)$范围内产生对$ρ_{xy}$的对数温度$T$修正，其中$\Ga$是隧道逃逸率，$E_c$是充电能量，$\ETh$是晶粒的无磁能量。
2006-09-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Hall Transport in Granular Metals and Effects of Coulomb Interactions
本文提出了大隧穿电导下颗粒系统的霍尔效应理论$g_{T}\gg 1$。霍尔传输基本上是由晶粒内的电子动力学，这是我们发现使用久保公式和图解技术，可以描述由非零扩散模式内的晶粒。我们表明，在没有库仑相互作用的霍尔电阻率$ρ_{xy}$既不依赖于隧道电导，也不对晶粒内的无序，并给出了由经典公式$ρ_{xy}=H/(n^* e c)$，其中$n^*$不同的晶粒内的载流子密度$n$由一个数值系数确定的形状的晶粒和颗粒晶格的类型。进一步，我们通过计算一级修正的方法研究了库仑相互作用的影响，发现：（1）在很宽的温度范围内，$1/g_T$超过隧穿逃逸率$\Ga$，霍尔电阻率$ρ_{xy}$和电导率$\sig_{xy}$在$T$修正中都是对数的，这是局域的，在均匀无序金属中是不存在的;（ii）与$T\ll\Ga$相关的对$\sig_{xy}$的大尺度"Altshuler-Aronov“修正消失，与均匀无序金属理论一致。
2007-06-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Nano-Hall sensors with granular Co-C
我们分析了霍尔传感器的性能与不同的Co-C比率，直接沉积在纳米结构的形式，使用$Co_2(CO)_8$气体分子，通过聚焦电子或离子束诱导沉积。由于这些颗粒线中增强的晶粒间散射，相对于纯Co，非凡霍尔效应可以增加两个数量级，直到$1 Ω/T$的电流灵敏度。我们发现，在室温下的最佳磁场分辨率为60%和70%之间的Co比率，并优于$1 μT/Hz^{1/2}$。对于$200 \times 200 nm^2$的传感器的有效区域，在热噪声频率范围内，即在100 kHz以上，室温磁通量分辨率为$ϕ_{min} = 2\times10^{-5}ϕ_0$。
2009-08-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Transition from insulating to a non-insulating temperature dependence of the conductivity in granular metals
我们考虑在不太低的温度下，在一个颗粒状的正常金属的相互作用。假设所有的弱局域化效应被抑制的温度，我们取代了初始的哈密顿量由适当的功能的阶段和研究的可能性相变依赖于隧道电导$g$。它表明，对于任何尺寸，而在小$g$的电导率随温度呈指数衰减，其温度依赖性是对数在大$g.$得到的公式与现有的实验进行了比较，发现一个很好的协议。
2002-04-12 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Variable range cotunneling and conductivity of a granular metal
Efros-Shklovskii定律的颗粒状金属的导电性被解释为一个可变范围cotunneling过程的结果。远距离共振晶粒之间的共隧穿在低T << T_c时主要是弹性的，而它是非弹性的（即，在T > T_c的条件下，电子-空穴对在中间非共振晶粒串上产生。在后一种情况下，相应的E-S温度T_ES略微（在热力学上）依赖于T。这两种情况下的磁电阻是不同的：当T远低于T_c时，磁电阻可能是相对较强的负的，而当T>T_c时，由于非弹性过程破坏了干涉，磁电阻被抑制。
2005-02-19 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Charging of highly resistive granular metal films
我们用扫描开尔文探针显微镜技术监测高阻颗粒状薄膜的充电过程。样品连接到两个引线，并通过绝缘体层与栅电极分离。当施加栅极电压时，电荷从引线进入并在样品上重新排列。我们发现非常缓慢的过程与特征充电时间指数分布在很宽的范围内的值，导致在对数松弛平衡。在栅极电压被切断之后，系统再次缓慢地弛豫到新的平衡。这些结果不能用扩散模型来解释，但大多数可以用跳跃渗滤模型来理解，其中局域化长度比典型的位置分离短。该技术是非常有前途的高阻系统中的缓慢现象的研究，并将能够估计这些系统的电导时，直接宏观测量技术不够灵敏。
2017-05-04 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
The granularity effect in amorphous InGaZnO$_4$ films prepared by rf sputtering method
系统地研究了射频溅射法制备的两个系列非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜的电导率和霍尔系数的温度特性。两个系列的薄膜厚度分别为$\sim$ 700 nm和$\sim$ 25 nm。对于每种膜，电导率随着温度从300 K降低到$T_{\rm max}$而增加，其中$T_{\rm max}$是电导率达到其最大值时的温度。低于$T_{\rm max}$，电导率随温度降低而降低。在低温区，电导率和霍尔系数均与$\ln T$成线性关系。电导率和霍尔系数的$\ln T$行为不能用传统的电子-电子相互作用理论来解释，但由于颗粒的存在，可以用现有的电子-电子理论来定量描述。结合薄膜的扫描电子显微镜图像，我们认为相邻a-IGZO颗粒之间的边界可以使薄膜不均匀，并在电子输运过程中起重要作用。
2016-06-03 cond-mat.mes-hall
Granular Effect on Electron Conduction in Discontinuous Metal Films
我们重新分析了多兰和Osheroff的开创性工作[物理。$\textbf{43}$，721（1979）]，其报道了高电阻率薄膜金属条的异常低温传导。我们认为，所观察到的电阻随温度降低的对数增加，在3 nm厚的Au-Pd条归因于不连续的金属膜中的电子传导的粒度效应。这种再分析进一步支持我们的测量导电铅$_x$（SiO $_2$）$_{1-x}$纳米颗粒膜，其中$x$是铅的体积分数。
2022-09-28 cond-mat.mes-hall
Logarithmic singularities and quantum oscillations in magnetically doped topological insulators
本文报道了用分子束外延生长的磁掺杂（Bi，Sb）$_2$ Te $_3$薄膜的磁输运特性。在霍耳巴器件中，纵向和反常霍耳电阻对温度和偏置电压都有对数依赖关系。无序和电子-电子相互作用的相互作用被发现定量地解释所观察到的对数奇异性，是在这些样品中占主导地位的散射机制。亚微米尺度的器件在高磁场下表现出与偏置电压相关的有趣的量子振荡。所观察到的量子振荡可以归因于体和表面输运。
2018-04-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Quantum Hall Ferromagnetism in a Two-Dimensional Electron System
近自旋简并二维电子系统的实验揭示了分数量子霍尔效应区域中不寻常的滞后和弛豫输运。自旋极化（填充分数$ν= 1/3$）和自旋非极化（$ν= 2/5$）状态之间的过渡伴随着一系列复杂的磁滞回线，让人想起一个经典的铁磁体。与磁滞相关，磁阻可以随时间以显著的持久性增长或衰减，并且不会饱和。与已建立的弛豫模型相反，弛豫速率随着温度的降低而表现出反常的发散。这些结果表明，存在一个复杂的磁畴动态的新的二维铁磁性。
2000-11-06 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Anomalous Hall Effect in Ferromagnetic Semiconductors in the Hopping Transport Regime
我们提出了一个理论的反常霍尔效应（AHE）在铁磁（Ga，Mn）As的制度时，导电是由于声子辅助跳跃的局域态之间的杂质带的空穴。我们表明，在这个系统中的异常霍尔电导率的微观起源可以归因于一个阶段，一个洞的收益时，跳跃周围的闭环路径中存在的自旋轨道相互作用和背景磁化的本地化Mn时刻。映射到一个随机电阻网络的问题，我们推导出的宏观反常霍尔电导率$σ_{xy}^{AH}$的解析表达式。我们发现，$σ_{xy}^{AH}$是成比例的状态$\varrho(ε)$的密度的一阶导数，因此可以预期改变符号作为杂质带填充的函数。我们还表明，$σ_{xy}^{AH}$依赖于温度的纵向电导率$σ_{xx}$在对数精度。
2003-07-30 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Transport properties of granular metals at low temperatures
我们研究了颗粒金属系统中的输运在大的隧道电导之间的晶粒，$g_T\gg 1$。我们表明，在低温下，$T\leq g_Tδ$，其中$δ$是在一个晶粒中的单个平均能级间距，相干电子运动在大的距离占主导地位的物理，相反的高温（$T>g_Tδ$）的行为，电导率是由晶粒尺寸的顺序的尺度控制。一维和二维颗粒金属的电导率，在低温区，以相同的方式在均匀的无序金属，随着温度的降低而衰减，从而指示绝缘行为。然而，即使在这种温度下，颗粒结构仍然很重要，并且短距离对电导率有额外的贡献。由于这种贡献，三维中的金属-绝缘体转变发生在隧道电导值$g_T^C=(1/6π)\ln (E_C/δ)$处，其中$E_C$是孤立晶粒的充电能量，而不是通常预期的$g_T^C\propto 1$。计算了由于电子-电子相互作用对颗粒金属态密度的修正。我们的结果与高$T_c$铜氧化物超导体的电阻率的对数依赖性相比较，表明这些材料可能具有颗粒结构。
2003-04-19 cond-mat.mes-hall
Dielectric sensing by charging energy modulation in a nano-granular metal
在过去的几年中，已经开发了几种使用通过聚焦电子束诱导沉积制备的纳米结构的传感概念。介绍了基于纳米颗粒铂碳结构（Pt（C））的超小型化软磁Co磁敏霍尔传感器、应变和力敏霍尔传感器的研究工作。最近，纳米颗粒Pt（C）结构通过电导调制检测吸附物水层的存在的能力被证明。对于磁和应变传感，传感效应的基本物理机制已经被详细分析，现在已经很好地理解。这是不是吸附层诱导的电导调制效应的情况下。在这里，我们提供了一个理论框架，允许观察到的水感效应的半定量的理解。我们展示了如何在纳米颗粒金属中的库仑充电能量的近界面重整化的介电屏蔽的可极化吸附层导致电导调制。该模型可以解释在水吸附实验中观察到的电导调制，也可以应用于理解由纳米颗粒Pt（C）顶部的铁电薄膜的近界面介电异常引起的类似效应。我们的研究结果提供了一个途径，优化的纳米颗粒层结构，适用于广泛的介电或局部电位传感应用。
2014-04-14 cond-mat.mes-hall
Electrical transport properties of thick and thin Ta-doped SnO$_2$ films
采用射频溅射法制备了高电导率、高透光率的Ta掺杂SnO $_2$薄膜，并研究了其电输运性质。所有薄膜的电输运性质均表现出简并半导体（金属）特性。对于在纯氩中沉积的厚膜（$t\sim 1\,μ\rm{m}$，其中$t$为厚度），仅用电子-声子散射不能解释其电阻率随温度的变化，应考虑电子-声子散射和电子-杂质散射的干涉效应。对于$t\lesssim 36$纳米薄膜，从$\sim$ 100 K到液氦温度，电导率和霍尔系数都与温度的对数（$\ln T$）呈线性关系. $\ln T$的电导率和霍尔系数的行为不能用Altshuler-Aronov型电子-电子相互作用效应来解释，但可以用粒度存在时的电子-电子相互作用效应来定量解释。我们的结果不仅为电子-声子-杂质干涉效应的理论结果提供了强有力的支持，而且也证实了强耦合区颗粒金属中电荷输运理论预测的正确性.
2022-01-20 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Unusual field and temperature dependence of Hall effect in graphene
我们计算了经典的霍尔电导率和迁移率的未掺杂和掺杂（或在栅极电压）的石墨烯作为温度，磁场，和载流子浓度的函数。载流子与缺陷和声学声子的碰撞被考虑在内。霍尔电阻率随温度几乎呈线性变化。在弱磁场中，电阻率和迁移率的磁场依赖性是反常的。在电阻率中存在来自场的平方根贡献。低掺杂时，霍尔迁移率随电场的变化呈几何发散。
2006-11-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Density of quasiparticle states for a two-dimensional disordered system: Metallic, insulating, and critical behavior in the class D thermal quantum Hall effect
本文用数值方法研究了时间反转和自旋旋转对称性均破缺的二维无序超导体的准粒子态密度$\varrho(E)$。作为这类系统（对称类D）的通用单粒子描述，我们使用Cho-Fisher版本的网络模型。这有三个阶段：热绝缘体，热金属和量子化热霍尔导体。在热金属中，我们发现$\varrho(E)$的对数发散为$E\to 0$，正如从西格玛模型计算预测的那样。有限尺寸效应导致叠加振荡，正如随机矩阵理论所预期的那样。在热绝缘体和量子化热霍尔导体中，我们发现$\varrho(E)$在E=0处是有限的。在这些阶段之间的平台过渡，$\varrho(E)$减少到零的$|E|$减少，与结果$\varrho(E) \sim |E|\ln(1/|E|)$来自随机质量狄拉克费米子的计算。
2007-06-20 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Interaction effects and the metallic phase in p-SiGe
磁电阻的结果，提出了p-SiGe样品的金属侧的B=0的金属-绝缘体过渡。这些结果不能在弱相互作用二维系统的量子修正的标准理论框架内理解。特别是没有观察到对数依赖于温度，在低场，无论是纵向或霍尔磁电阻率，尽管在弱局部化效应的磁阻证据。此外，霍尔系数表现出很强的对数依赖于字段。结果更好地解释了重整化群理论和反常的霍尔效应与强自旋轨道耦合的背景自旋织构的存在下。
2000-11-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Dissipationless Anomalous Hall Current in $Fe_{100-x}(SiO_2)_x$ Films
无耗散反常霍尔电流的观测是证实反常霍尔效应内在起源的实验证据之一。为了研究铁中反常霍尔效应的起源，采用共溅射法制备了Fe $_{100-x}$（SiO $_{2}$）$_{x}$颗粒膜，其体积分数为SiO $_{2}$ 0 \le x \le 40.51.霍尔和纵向磁电阻测量温度范围5至350 K的磁场高达5特斯拉。当x从0增加到40.51时，异常霍尔电阻率和纵向电阻率分别增加约4和3个数量级。分析结果表明，所有样品的归一化反常霍尔电导率都是一个常数，这是铁中存在无耗散反常霍尔电流的证据。
2010-04-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Low temperature transport in granular metals
我们研究了在大隧穿电导下颗粒金属系统中的输运。我们表明，在低温下，$T\leq g_Tδ$，其中$δ$是在一个晶粒中的单个平均能级间距，相干电子运动在大的距离占主导地位的物理，相反的高温（$T > g_T δ$）的行为，电导率是由晶粒尺寸的顺序的尺度控制。一维和二维颗粒金属的电导率，在低温区，以相同的方式在均匀的无序金属，随着温度的降低而衰减，从而指示绝缘行为。然而，即使在这种温度下，颗粒结构仍然很重要，并且短距离对电导率有额外的贡献。由于这种贡献，三维中的金属-绝缘体转变发生在隧道电导值$g_T^C=(1/6π)\ln (E_C/δ)$处，其中$E_C$是孤立晶粒的充电能量，而不是通常预期的$g_T^C \propto 1$。计算了由于电子-电子相互作用对颗粒金属态密度的修正。我们的研究结果与高$T_c$铜氧化物超导体的电阻率的对数依赖性相比较，表明这些材料可能具有颗粒结构。
2004-06-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Universal Hall coefficient correction in strongly coupled Cr-SiO$_2$ nanogranular metals
系统研究了Cr体积分数$x$ $\simeq$为0.67和0.72的Cr-$_x$（SiO-$_2$）$_{1-x}$纳米颗粒膜的微结构和电输运特性。透射电子显微镜图像和元素分布表明，薄膜是非常不均匀的：一些Cr颗粒直接连接到其他颗粒，而一些尺寸为$\sim$ 1至$\sim$ 3 nm的Cr颗粒分散在SiOPDMATHABMN介质基体中。对于每个膜，霍尔系数$R_H$随温度的自然对数线性变化，即，高于$\sim$ 60\，K的$ΔR_H$ $\propto$ $\ln T$在$\sim$ 60\，K处饱和，并且在低于$\sim$ 60\，K处保持饱和值。霍尔系数的温度依赖性可以用最近的颗粒金属理论来解释，并且起源于电子通过金属颗粒的\emph{virtual diffusion}。对于电导率$σ$，从$\sim$ 50到2 μ K观察到稳健的$Δσ$ $\propto$ $\sqrt{T}$定律。电导率的行为源于“Altshuler-Aronov”校正，其对霍尔系数的影响在薄膜中不存在。
2019-02-25 cond-mat.mes-hall
Spin polarization induced by an electric field in the presence of weak localization effects
我们评估的自旋极化（Edelstein或逆自旋伽伐尼效应）和自旋霍尔电流所引起的外加电场包括弱局域化修正的二维电子气。我们发现，弱局域化效应产生对数修正的自旋极化电导率相关的自旋极化和电场和自旋霍尔角相关的自旋和电荷电流。自旋极化电导率和自旋霍尔角的重正化结合起来，产生一个零校正的总自旋霍尔电导率所需的一个确切的身份。最后对实验观测提出了建议。
2015-07-10 cond-mat.mes-hall
Quantum Hall Effect induced by electron-electron interaction in disordered GaAs layers with 3D spectrum
结果表明，在重掺杂n型GaAs外延层中观察到的量子霍尔效应是由电子-电子相互作用引起的，其厚度（50-140 nm）大于传导电子的平均自由程（15-30 nm），因而具有三维单粒子谱。最薄样品的霍耳电阻Rxy在小激活能Ea = 0.4K处有一个宽平台。不同样品的横向电导G_xx的不同极小值表现出普遍的温度依赖性（在很大的重新标度温度T/T_0范围内为对数），这使人联想到相干扩散输运中的电子-电子相互作用效应。
1998-10-19 cond-mat.mes-hall
Fluctuation contribution to Spin Hall Effect in Superconductors
理论上研究了超导涨落对二维和三维电子气中非本征自旋霍尔效应以及具有Rashba型自旋轨道相互作用的二维电子气中本征自旋霍尔效应的贡献。在二维系统中，Aslamazov-Larkin项、态密度项和Maki-Thompson项在$ε=(T- T_{\mathrm{c}})/T_{\mathrm{c}} \rightarrow +0$极限下都具有对数发散$\lnε$，但在二维系统中，除了在非本征自旋霍尔效应中的Maki-Thompson项与$(ε-γ_φ)^{-1}\lnε$成正比，并有一个截止点$γ_φ$.我们发现，涨落对非本征自旋霍尔效应的影响与正常态下的相反，而对本征自旋霍尔效应的影响与正常态下的相同.
2022-05-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Hall viscosity and conductivity of two-dimensional chiral superconductors
我们计算了非相对论二维手征超导体的霍尔粘度和电导率，其中费米子由于短程吸引势而配对，例如$p+\mathrm{i}p$配对，并通过长程排斥库仑力相互作用。对于对数库仑势，霍尔粘度张量包含的贡献是奇异的低动量，编码的外部剪切应变引起的压力修正。由于这一贡献，霍尔粘度不能提取霍尔电导率，尽管伽利略对称性。对于混合维手征超导体，库仑势随距离的倒数衰减，我们发现了一种介于本征二维超导体和超流体之间的中间行为。这些结果是用有效场和微观场论得到的。
2020-06-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Crossover of electron-electron interaction effect in Sn-doped indium oxide films
系统地研究了一系列Sn掺杂氧化铟（ITO）薄膜的结构和电输运性质，薄膜厚度为$t$ 5 ~ $\sim$ 53 nm.扫描电镜和X射线衍射结果表明，$t\lesssim 16.8$，nm薄膜为多晶，而$t\gtrsim 26.7$，nm薄膜为沿[100]方向外延生长。对于外延薄膜，低温下的薄层电导$σ_\square$的温度行为受Altshirt和Aronov电子-电子相互作用（EEI）效应的控制，霍尔系数$ΔR_H/R_H$的相对变化与薄层电阻$ΔR_\square/R_\square$的相对变化之比为$\approx$ 2，这与Altshirt和Aronov EEI理论定量一致，在其他体系中很少观察到.对于这些多晶薄膜，在几十K以下，薄膜的薄层电导和霍尔系数都随温度的对数呈线性变化，这可以用颗粒金属的EEI理论很好地描述。通过比较$σ_\square(T)$数据与EEI理论在颗粒金属中的预测，我们提取了每种薄膜的晶间隧穿电导。研究发现，当隧穿电导小于单个氧化铟锡（ITO）颗粒的电导时，ITO薄膜在输运性质上表现出颗粒金属的特征，反之，ITO薄膜表现出均匀无序导体的输运性质。我们的研究结果表明，电输运测量不仅可以揭示潜在的电荷传输特性的薄膜，但也是一个强大的工具，以检测微妙的均匀性的薄膜。
2015-03-05 cond-mat.mes-hall
Coulomb blockade and quantum tunnelling in the low-conductivity phase of granular metals
我们研究了库仑相互作用和晶粒间的量子隧穿在一个阵列中的金属颗粒使用的相位功能的方法的温度$T$远低于充电能量$E_{c}$的单个颗粒还大相比，在晶粒中的能级间距。当晶粒间隧穿电导为$g\gg1$时，$d$维的电导率$σ$随温度呈幂函数下降（$σ/σ_{0}\sim1-\frac{1}{2πgd}\ln(gE_{c}/T)$），而对于$g\to0$，电导率表现为简单的激活行为（$σ\sim \exp(-E_c/T)$）.我们发现，裸隧穿电导$g \gtrsim 1$，参数$γ\equiv g(1-2/(gπ)\ln(gE_{c}/T))$决定充电和隧穿效应之间的竞争。在足够低的温度下，在制度$1\gtrsim γ\gg 1/\sqrt{βE_{c}}$，电荷之间共享有限数量的$N=\sqrt{(E_{c}/T)/\ln(π/2γz)}$的颗粒，我们发现一个软激活行为的导电性，$σ\sim z^{-1}\exp(-2\sqrt{(E_{c}/T)\ln(π/2γz)})$，其中$z$是有效的协调数的一个晶粒。
2004-06-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Magnon topology and thermal Hall effect in trimerized triangular lattice antiferromagnet
在二维磁学中，非平凡磁振子带拓扑及其相应的响应已被广泛研究。然而，三角晶格反铁磁体（TLAF），最著名的阻挫二维磁体，受到较少的关注比密切相关的Kagome系统，因为在伞基态的未扭曲的TLAF的自旋手征抵消。本文利用线性化自旋波理论研究了在外加垂直磁场作用下，具有（反）三聚畸变的TLAF的能带拓扑和热霍尔效应（THE）。我们发现，在这种情况下，自旋手征抵消被删除，从而产生非平凡的磁振子带拓扑结构和有限的THE。此外，磁振子带表现出由磁场调谐的带拓扑转变。我们证明，这种转变是伴随着对数发散的热霍尔电导率的一阶导数。最后，我们检查上述后果通过计算的六方晶系锰氧化物YMnO $_3$，众所周知，有反三聚的THE。
2019-08-20 cond-mat.mes-hall
Magnetoresistance of composite fermions at ν=1/2
我们研究了在$ν=1/2$附近的对角电阻率和霍尔电阻率的温度依赖性。磁阻被发现是积极的，几乎与温度无关：温度进入电阻率作为对数校正。与此同时，没有发现对霍尔电阻率的可测量的修正，这两个结果都不能在复合费米子的平均场论中用传统的低场相互作用理论来解释。有迹象表明，复合费米子与规范场涨落的相互作用可能使理论和实验相一致。
1997-04-05 cond-mat.mes-hall
Kondo effect in the helical edge liquid of the quantum spin Hall state
随着碲化汞量子阱中量子自旋霍尔（QSH）效应的观测，一个重要的问题是了解杂质对QSH区输运的影响。利用线性响应和重整化群方法，计算了磁性杂质存在下QSH绝缘体的边缘电导随温度的变化。在高温下，近藤和/或两粒子散射引起对数温度依赖性。在低温下，对于弱库仑相互作用的边缘液体的电导恢复到不寻常的幂律特性的“本地螺旋液体”的幺正性，而强相互作用运输收益弱隧穿通过杂质，只有一半的电子电荷转移在每个隧穿事件。
2009-06-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Anomalous Nernst and Thermal Hall Effects in Tilted Weyl Semimetals
本文研究了在动量空间中具有两个相互分离的外尔节点的倾斜外尔半金属的线性化低能模型中的反常能斯特效应和热霍尔效应。对于反转对称倾斜，我们给出了两个相反的限制解析表达式：对于一个小的倾斜，对应于I型外尔半金属，能斯特电导率是有限的，独立的费米能级，而对于一个大的倾斜，对应于II型外尔半金属，它获得了贡献依赖于费米能量的几何。这一结果与非倾斜情况形成鲜明对比，在非倾斜情况下，线性模型中的能斯特响应为零。霍尔热导率类似地获得费米表面贡献，其添加到费米能级独立的零倾斜结果，并且在II型相的半填充处被抑制为倾斜参数的一个。在反转破坏倾斜的情况下，在两个外尔锥中具有相等模量的倾斜矢量，所有费米表面对两个异常响应的贡献被抵消，导致能斯特电导率为零。我们讨论了两种可能的实验设置，代表开放和封闭的热电电路。
2017-11-21 cond-mat.mes-hall hep-th
