Doping Asymmetry of a 3-orbital CuO$_2$ Hubbard Model
虽然空穴和电子掺杂的铜氧化物都可以表现出$d_{x^2-y^2}$波超导性，但已知掺杂载流子的局部分布显著不同，掺杂空穴主要在O位点上，而掺杂电子在Cu位点上。在这里，我们报告的CuO $_2$晶格的三轨道模型的密度矩阵重整化计算的结果。除了不对称的依赖性的内单元格占用的铜和O的空穴和电子掺杂，我们发现重要的差异，在较长范围的自旋和电荷的相关性。正如预期的那样，对场响应具有$d_{x^2-y^2}$样结构的空穴和电子掺杂系统。
2015-03-05 cond-mat.str-el
Fermi surface and pseudogap in electron-doped cuprates
光谱功能的t-t '-J模型内的电子掺杂的铜氧化物相关的数值评估。掺杂后费米面由口袋状发展为大的费米面。在节点方向上的相应的赝能隙是很好地解决在低掺杂和消失在中间掺杂。它的存在是强烈的温度依赖性，因此连接到较长范围的反铁磁相关。包括双有效带和光学电导率的特征与电子掺杂铜氧化物的实验一致，而不调用Mott-Hubbard间隙的关闭。
2007-02-27 cond-mat.str-el
Infrared Hall effect in underdoped and optimally doped LSCO
报道了一系列La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$样品的中红外磁光性质的研究，样品的空穴掺杂水平从严重欠掺杂（$x=0.03$）到最佳掺杂（$x=0.15$）。法拉第旋转和圆二色性是在8特斯拉的磁场和30 - 300 K的温度范围内测量的。红外霍尔角的掺杂和温度依赖性被发现在一个简单的Drude模型内被理解。当空穴掺杂水平从最佳掺杂降低时，观察到霍尔频率的显著增加，这与赝隙模型相比。
2005-10-31 cond-mat.str-el
Pseudogaps and their Interplay with Magnetic Excitations in the doped 2D Hubbard Model
量子蒙特卡罗模拟的基础上的二维哈伯德模型，其中包括从下到过掺杂制度的掺杂范围，我们发现，单粒子光谱重量$A (\vec k,ω)$定性再现的动量（$d_{x^2-y^2}$ -对称性）和掺杂依赖性的赝隙中发现的光电发射实验。自旋响应$χ_{s} (\vec q,ω)$的剧烈掺杂依赖性在欠掺杂区域中在$\vec q (\approx(π,π))$和$ω$中都是尖锐的，但在其他情况下是广泛的和无结构的，将反铁磁序的残余物识别为赝能隙及其随掺杂的演变背后的驱动机制。
1997-01-16 cond-mat.str-el
Paramagnetic to ferromagnetic phase transition in lightly Fe-doped Cr$_2$B
Cr $_2$ B表现出与温度无关的顺磁性。我们通过用Fe取代少于$3\,\%$的Cr原子来诱导铁磁性。通过最低的Fe掺杂水平，观察到Curie-Weiss行为;通过$5\,\%$ Fe掺杂，$Θ_{CW}$从$0.5\,\%$ Fe掺杂的Cr $_2$ B的$-20\,$ K变为约50 K的正值。铁磁性T $_C$是8 K的$2.5\,\%$ Fe掺杂和线性增加到46 K的$5\,\%$掺杂，我们推断，发生量子相变附近的$2.0\,\%$ Fe水平。在中间掺杂水平的磁波动反映在线性电阻和异常的热容量在低温下。原子尺度的成像和化学分析表明，Fe掺杂剂是随机分布的。
2014-06-17 cond-mat.str-el
Effect of carrier doping on the formation and collapse of magnetic polarons in lightly hole-doped La_{1-x}Sr_xCoO_3
研究了在空穴掺杂0.002<x<0.1范围内，钴基钙钛矿La{1-x}Sr_xCoO_3的纳米尺度电子和磁性不均匀性与掺杂的关系。利用单晶非弹性中子散射和磁化强度测量，我们表明，轻掺杂系统表现出自旋态极化子形式的磁电相分离。由于相邻极化子形成的Co^{3+}离子的竞争铁磁相关性，较高的空穴掺杂导致自旋态极化子的衰减，有利于较大尺度的磁性团簇。目前的数据给出了该系统中两种磁电子相分离的证据：（i）x<0.05，由铁磁内极化子相互作用主导;（ii）x>0.05，由Co^{3+}-Co^{3+}团簇内相互作用主导。我们的结论与最近提出的钴钙钛矿中的相分离模型非常一致[He等人，欧罗巴Lett. 87，27006（2009）]。
2010-12-27 cond-mat.str-el
Doping dependence of chemical potential and entropy in hole- and electron-doped high-Tc cuprates
我们用t-t '-t''-J模型研究了空穴和电子掺杂铜氧化物的热力学性质。我们发现，化学势表现出不同的掺杂依赖性之间的空穴和电子掺杂。最近的实验数据的化学势的位移再现，除了轻欠掺杂区的条纹和/或电荷的不均匀性，预计是重要的孔掺杂。熵也被计算为载流子浓度的函数。结果表明，电子掺杂体系的熵小于空穴掺杂体系的熵。这与强反铁磁短程相关，在电子掺杂系统中生存。
2003-03-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconducting stripes in the hole-doped three-band Hubbard model
本文通过大规模二维张量网络计算研究空穴掺杂三带Hubbard模型，发现周期4条纹及其与d波超导的共存，并揭示1/8掺杂附近超导与非超导条纹及配对密度波态的竞争。
2023-11-28 cond-mat.str-el
Pseudogap and electronic structure of electron-doped Sr$_2$IrO$_4$
我们提出了一个理论研究的相关性的影响的电子结构的莫特绝缘体Sr $_2$ IrO $_4$电子掺杂。发现掺杂后Mott能隙迅速崩塌，电子结构在低掺杂水平下表现出强烈的动量-空间差异：费米面由以$(π/2,π/2)$为中心的口袋组成，而赝能隙在$(π,0)$附近打开.它的物理起源被证明是与短程自旋相关。赝隙关闭后，增加掺杂，但分化制度的特点是沿费米表面的光谱强度的调制持续到更高的掺杂水平。这些结果，在细胞动力学平均场论框架内得到的，讨论比较最近的光电子实验和整体良好的协议被发现。
2018-01-26 cond-mat.str-el
Momentum dependent relaxation rate and pseudogap in doped magnetic insulators
在平面t-t '-J模型中，采用有限温度下的精确对角化方法，结合扭曲边界条件下的平均，计算了空穴掺杂铜氧化物的光谱函数和相应的自能.结果表明，在低掺杂和t '<0时，费米面在波腹区被截断，而自能显示出弱的依赖于k和掺杂的反常弛豫速率|''（k，ω）|~ a+b| ω|对于ω<0，与最近的ARPES结果一致，和洛伦兹形式的赝能隙生成分量。后者在低掺杂下非常明显，并且强烈依赖于k和t '。
2006-08-14 cond-mat.str-el
Indications of incommensurate spin fluctuations in doped triangular antiferromagnets
在t-J模型下研究了掺杂三角形反铁磁体的无公度自旋涨落。结果表明，半填充附近的公度峰分裂成六个不公度峰在欠掺杂和最佳掺杂制度。在较低的掺杂浓度下，随着空穴浓度的增加，不可逆性增加，在较高的掺杂浓度下，不可逆性达到饱和。虽然不公度几乎与能量无关，但这些不公度峰的权重随着能量和温度而减小。
2003-04-24 cond-mat.str-el
Hubbard Fermi surface in the doped paramagnetic insulator
本文采用有限温度量子蒙特卡罗模拟方法，对二维哈伯德模型的掺杂顺磁绝缘体的电子结构进行了研究。在整个过程中，我们使用中等高温T= 0.33 t，其中自旋相关长度已经下降到< 1.5晶格间距，并研究了能带结构与空穴掺杂的演变。掺杂的效果可以最好地描述为化学势刚性移动到较低的哈伯德带，伴随着一些光谱权重的转移。对于<20%的空穴掺杂，违反了Luttinger定理，并且从“准粒子带”的费米能级交叉推断出的费米表面体积显示出与Hubbard I和相关近似所预测的相似的拓扑结构和掺杂依赖性。
1999-02-01 cond-mat.str-el
Evolution of electronic structure of Ru-doped single-crystal iridiates, Sr$_2$Ir$_{1-x}$Ru$_x$O$_4$
我们研究了Ru掺杂的单晶5 $d$铱酸盐，Sr $_2$ Ir $_{1-x}$ Ru $_x$ O $_{4}$，在三个不同的掺杂浓度（$x =$ 0.07和0.10）使用光谱。未掺杂的原始化合物（Sr $_2$ IrO $_{4}$）被称为新型$J_{eff}$ = 1/2 Mott绝缘体。值得注意的是，所有三个样品的光学电导率谱表现出绝缘行为，虽然我们观察到弱德鲁德组分的光学电导率谱下降到最低温度30 K。从德鲁德组分估计的Ru掺杂的iridiates的电荷载流子密度显着小于从标称Ru掺杂浓度估计的预期值。在这里，我们提供了温度和掺杂依赖的Ru掺杂的铱酸盐的电子结构的演变。我们希望我们的研究结果将有助于理解有趣的Ru掺杂依赖的性质5 $d$铱酸盐Sr $_2$ IrO $_{4}$。
2021-10-02 cond-mat.str-el
Doping induced spinless collective excitations of charge 2e in doped Mott insulators
基于掺杂莫特绝缘体的哈伯德模型描述，我们证明了在非超导态下，由于掺杂，必然存在电荷$2e$和能量$U-2μ$的无自旋集体激发，能量峰值在动量$(π/a,π/a)$。这种集体激发是由电子对关联引起的。它的存在与近似SU（2）粒子-空穴对称性的破缺有关，由此构造了新激发的有效场论。
2000-10-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Absence of Edge Localized Moments in the Doped Spin-Peierls System CuGe$_{1-x}$Si$_{x}$O$_3$
本文报道了在CuGe $_{1-x}$ Si $_{x}$ O $_3$自旋Peierls系统中，在掺杂中心附近观察到的Cu的核四极共振（NQR）.该信号在Cu NQR谱中表现为卫星，并且具有抑制的核自旋-晶格弛豫速率，这表明掺杂中心附近的单重态相关而不是增强的磁相关。还观察到没有相邻Si的Cu核的信号损失。我们得出结论，从这些观察，掺杂引起的时刻是不是在附近的掺杂中心，而是远离它。
2001-12-17 cond-mat.str-el
Doping dependence of the electron-doped cuprate superconductors from the antiferromagnetic properties of the Hubbard model
利用Kotliar-Ruckenstein从玻色子方法研究了电子掺杂铜氧化物超导体的$t$ - $t'$-$t''$ - $U$模型的反铁磁性质.由于包含自旋涨落的AF阶随掺杂的降低比Hartree-Fock理论中获得的快得多。在中间{ \it常数} $U$下，计算的光谱强度的掺杂演变令人满意地再现了实验结果，而不需要如前所述的强烈掺杂依赖的$U$。这可能会调和在最近的研究中提出的光电发射和光电导率的差异。
2005-07-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Normal-state charge dynamics in doped BaFe2As2: Roles of doping and necessary ingredients for superconductivity
我们对掺杂BaFe_2As_2的面内电阻率和光谱进行了比较研究，并研究了电荷动力学的掺杂演化。对于BaFe2As2，电荷动力学在高温下是不相干的。电子（Co）和等价（P）掺杂到BaFe_2As_2中增加了系统的相干性，并将非相干电荷动力学转变为高度相干的。另一方面，对于空穴（K）掺杂，电荷动力学保持不相干。它被发现在任何类型的掺杂，超导性与高转变温度出现时，正常状态的电荷动力学保持不相干，当与相干通道相关的电阻率表现出主导的温度线性依赖性。
2013-08-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping evolution of the electronic specific heat coefficient in slightly-doped La2-xSrxCuO4 single crystals
详细的掺杂依赖的电子比热系数γ的La 2-xSrxCuO 4（LSCO）的单晶在轻微掺杂制度进行了研究。我们发现，γ系统地增加与掺杂，而且，即使在反铁磁（AF）制度的样品，γ已经获得有限的值，并与x的增长。这表明有限的电子态密度（DOS）是在AF机制中产生的，其中输运在低温下显示出强烈的局域化，这意味着该系统不是一个具有明显间隙的真正绝缘体，即使它仍然保持长程AF秩序。
2008-08-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The effect of Cr impurity to superconductivity in electron-doped BaFe2-xNixAs2
利用输运和磁化强度测量研究了Cr掺杂对电子掺杂BaFe_（2-x）Ni_xAs_2铁磷属化合物超导相图的影响。原则上，向电子掺杂的BaFe 2-xNixAs 2中添加Cr应等同于空穴掺杂的效果。然而，我们发现Cr掺杂通过杂质效应抑制超导电性，而在100 K以上不影响正常态电阻率。我们建立了Cr掺杂BaFe_（2-x）-yNi_xCryAs_2铁磷属元素化合物的相图，证明了Cr掺杂近最佳超导电性恢复了被超导电性抑制的长程反铁磁有序。
2014-09-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping and energy evolution of spin dynamics in the electron-doped cuprate superconductor Pr$_{0.88}$LaCe$_{0.12}$CuO$_{4-δ}$
基于动能驱动的超导机制，研究了电子掺杂铜氧化物超导体Pr $_{0.88}$ LaCe $_{0.12}$ CuO $_{4-δ}$在超导态的掺杂和磁激发的能量演化.结果表明，在低能区存在一个宽的公度散射峰，共振能位于该公度散射峰的范围内。这种低能量的公度散射在高能量下向外分散成连续的环状非公度散射。该理论还预测了一个圆顶形的掺杂依赖的共振能量。
2008-02-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity in electron-doped cuprates: Gap shape change and symmetry crossover with doping
在一个模型中研究了电子掺杂铜氧化物的超导电性的Kohn-Luttinger机制。超导相的序参量的对称性被确定为费米面的几何形状的函数连同电子-空穴磁化率的结构。发现在较大的掺杂范围内，仍保持d_{x^2-y^2}波。间隙各向异性的形状随着掺杂而演变，最大间隙远离（pi，0），与最近的实验很好地一致。随着最大值的位移增加，发现到d_{xy}对称性的交叉。
2003-11-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Landau theory of metal-insulator transition in VO$_\text{2}$ doped with metal ions
金属离子掺杂可以有效地调节$\mathrm{VO}_2$的金属-绝缘体转变温度。实验发现，五价和六价离子的掺杂显着降低转变温度，而三价离子的掺杂提高转变温度，并诱导中间相。基于我们以前建立的$\mathrm{VO}_2$金属-绝缘体相变的相场模型，考虑掺杂对电子关联和晶格结构的影响，推导了金属离子掺杂$\mathrm{VO}_2$的朗道势。金属离子掺杂对晶格结构的影响是占在一个唯象的方式。利用Landau势，计算了不同金属离子掺杂的$\mathrm{VO}_2$的温度-掺杂浓度-相图，并与实验结果相吻合，对不同金属离子掺杂的不同行为提供了解释。该唯象理论可以提供其它金属离子掺杂的$\mathrm{VO}_2$相图的估计。
2020-01-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Doping dependence of ordered phases and emergent quasiparticles in the doped Hubbard-Holstein model
本文采用量子蒙特卡罗模拟方法对正方晶格上的单带Hubbard-Holstein模型进行了研究，研究了在莫特绝缘体（MI）和Peierls绝缘体（PI）中掺杂空穴时准粒子的产生.在大的哈伯德相互作用$U$和小的相对电子-声子耦合强度$λ$的MI制度被迅速抑制掺杂后，通过绘制光谱权重从上哈伯德带和移动的下哈伯德带向费米能级，导致在费米能级处出现准粒子的金属状态。另一方面，大$λ$和小$U$处的PI状态持续到相对高的掺杂水平。我们研究了掺杂对$d$波超导磁化率的影响，发现在$U$和$λ$的中间值范围内，它随温度的降低而增加.
2017-09-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anomalous doping evolution of nodal dispersion revealed by in-situ ARPES on continuously doped cuprates
利用原位角分辨光电子能谱研究了高温超导体Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+x}$连续掺杂表面结色散的系统掺杂演化.我们发现，节点色散有三个部分分开的两个扭结，位于~10 meV和大约70 meV，分别。这三个段具有不同的带速和不同的掺杂依赖性。特别是，高能量段的速度随着掺杂水平的降低而单调增加，甚至可以超过裸带速度。我们建议，电子分馏是一个可能的原因，这种异常的节点色散，甚至可能发挥关键作用，在理解的奇特性质的铜酸盐。
2019-07-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Point contact spectroscopy of the electron-doped cuprate superconductor Pr{2-x}Ce{x}CuO4: The dependence of conductance-voltage spectra on cerium doping, barrier strength and magnetic field
本文给出了电子掺杂的铜酸盐超导体Pr{2-x}Ce{x} CuO_4（PCCO）与正常金属点接触结的电导-电压（G-V）数据。我们观察到一个零偏置电导峰（ZBCP）的下掺杂的组合物的铜酸盐（x=0.13），这是一致的d-波配对对称。对于最佳掺杂（x=0.15）和过掺杂（x=0.17）的PCCO，我们发现G-V特性表明存在无节点的序参量。我们通过获得不同势垒强度的点接触光谱数据和作为磁场的函数来进一步研究这一点。
2003-03-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electron-hole asymmetry in Co- and Mn-doped SrFe2As2
研究了电子和空穴掺杂SrFe_2As_2单晶的相图，在Fe位采用Co和Mn替代。我们发现，自旋密度波态被抑制的两种掺杂剂，但超导相出现只有Co（电子）掺杂，而不是Mn（空穴）掺杂。Mn掺杂的超导电性的缺失与在Sr位点处具有K取代的空穴掺杂系统形成鲜明对比。明显的结构变化，特别是Mn掺杂增加的Fe-As距离对于具有磁性和半导体基态是重要的，如第一性原理计算所证实的。在Fe位掺杂的SrFe_2As_2中电子空穴对称性的缺失表明，高Tc超导性的发生对结构修饰而不是电荷掺杂敏感。
2010-04-05 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Charge carrier correlation in the electron-doped t-J model
本文研究了电子掺杂高温超导体的t-t“-t”-J模型。一个，两个和四个载流子的模型求解32位晶格使用精确对角化。我们的研究结果表明，在掺杂水平高达x=0.125的模型具有强大的反铁磁相关。当掺杂有一个载流子时，基态具有动量（\pm π，0）和（0，\pm π）。在进一步掺杂时，载流子是未结合的，并且动量分布函数可以从单载流子基态的动量分布函数构造。费米面类似于单个载流子基态动量处的小口袋，这是轻掺杂反铁磁体的预期结果。这一特征在掺杂到我们实现的最大掺杂水平时仍然存在。因此，我们没有观察到费米表面改变形状的掺杂水平高达0.125。
2006-02-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The charge asymmetry in superconductivity of hole- and electron-doped cuprates
在t-t '-J模型下，基于动能驱动的超导机制，研究了空穴和电子掺杂铜氧化物超导中的电荷不对称性。结果表明，电子掺杂铜氧化物在较窄的掺杂范围内表现出超导电性，其超导转变温度与空穴掺杂铜氧化物具有相同的掺杂控制行为。然而，在电子掺杂的铜氧化物的最佳掺杂的最高可实现的超导转变温度是远远低于空穴掺杂的情况下，由于电子-空穴的不对称性。
2005-04-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Hole superconductivity in the electron-doped superconductor PCCO
我们测量了电子掺杂超导体Pr_{2-x} Ce_xCuO_4的电阻率和霍尔角随掺杂和温度的变化。温度为100 K < T <300 K时的电阻率Rho_xx对电子最为敏感。它的温度行为在很宽的掺杂范围内与掺杂无关，甚至对非超导样品也是如此。另一方面，横向电阻率rho_xy或霍尔角θ_H（其中cot（θ_H）= rho_xx/rho_xy）对空穴和电子都敏感。它的温度依赖性受到掺杂的强烈影响，并且cot（theta_H）可以用于识别最佳掺杂（最大Tc），甚至远高于临界温度。这些结果表明，在电子掺杂的铜氧化物中，空穴是超导电性的主要来源。
2007-06-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity in doped two-leg ladder cuprates
基于动能驱动的超导机制，在t-J梯形模型下，研究了掺杂双腿梯形铜氧化物中具有修正d波对称性的超导电性.结果表明，自旋液体基态的半填充演变成超导基态掺杂。与平面铜氧化物超导体的超导转变温度的掺杂依赖性类似，在欠掺杂区，掺杂双脚梯形铜氧化物的超导转变温度随掺杂的增加而增加，在最佳掺杂区达到最大值，然后在过掺杂区降低.
2006-05-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
On the optical conductivity of Electron-Doped Cuprates I: Mott Physics
本文分析了电子掺杂铜氧化物的掺杂和温度效应。动能与掺杂的变化示出暗示的材料是近似的空穴掺杂材料的强相关。的光谱是适合准粒子散射模型，而该模型适合的光学数据，总的不一致与光电发射数据被发现，这意味着存在一个大的，强烈的掺杂依赖朗道参数。
2004-11-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Differentiation of electron doping and oxygen reduction in electron-doped cuprates
Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo（东京大学固体离子体研究所）；Department of Engineering and Applied Sciences, Sophia University（上智大学理工学部）；Department of Applied Physics, Tohoku University（东北大学应用物理系）；UVSOR Synchrotron Facility, Institute for Molecular Science（分子科学研究所UVSOR同步辐射设施）
研究通过碱金属掺杂和角分辨光电子能谱监测电子掺杂铜氧化物的电子结构变化，发现杂质氧原子对伪间隙形成有显著贡献。
2026-04-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping effects on electronic states in electron-doped FeSe: Impact of self-energy and vertex corrections
重电子掺杂（e掺杂）FeSe中高$T_{\rm c}$超导电性的配对胶（pairingglue）是一个重要的未解决的问题。在这里，我们专注于重掺杂的大块超导体Li $_{1-x}$ Fe $_x$ OHFeSe（$T_{\rm c} \sim 40$ K）。我们建立了一个超越刚性带近似的多轨道模型，并考虑了顶点修正（VC）和自能，分析了自旋和轨道涨落。在没有电子掺杂（$x=0$）的情况下，VC在FeSe中再现了无磁性的铁轨道有序，当空穴袋在$x \sim 0.03$处消失时，轨道有序迅速消失。随着$x$的进一步增加，自旋涨落保持很小，而轨道涨落由于VC而随着$x$逐渐增加。自能负反馈是解释实验相图的关键。由于顶点和自能校正，轨道波动介导的$s_{++}$波状态出现在一个宽的掺杂范围内，与实验一致。
2020-11-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Systematic changes of the electronic structure of the diluted ferromagnetic oxide Li-doped Ni$_{1-x}$Fe$_x$O with hole doping
利用光电子能谱（PES）和X射线吸收谱（XAS）研究了Li掺杂Ni $_{1-x}$ Fe $_x$ O的电子结构. Ni $2p$芯能级的PES和XAS谱没有被Li掺杂改变。相反，Fe $^{3+}$强度相对于Fe $^{2+}$强度随着Li掺杂而增加。而Fe $^{3+}$的增加只是掺杂Li含量的$\sim 5%$，表明大部分掺杂空穴进入O $2p$和/或电荷转移组态Ni $3d^8\underline{L}$。随着Li含量的增加，Fe的3d偏态密度和价带顶附近的主价带发射增加，这与电导率的增加是一致的。基于这些发现，束缚磁极化子的渗流被认为是铁磁行为的起源。
2007-11-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Topological Excitations in Doped Spin Ladders
基于描述移动自旋和背景自旋相互作用的有效哈密顿量，研究了掺杂自旋梯的低能磁激发。螺旋系数对阶梯平面内的波动以及平面外的计算方面的掺杂浓度，腿数和相互作用强度的阶梯。计算了螺旋相的掺杂范围，并讨论了其与自旋能隙结构的关系。螺旋有序可以在一定的掺杂下增强现有的反铁磁有序，或者在很低的空穴密度下降低它。对于奇腿梯，通过螺旋和背景自旋的耦合，在一定的窄掺杂范围内形成自旋能隙成为可能。奇梯带隙模掺杂范围的计算结果与已有的数值计算结果吻合较好。
1999-08-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity and topological Fermi surface transitions in electron-doped cuprates near optimal doping
我们讨论的费米面（FS）的拓扑结构的演变与掺杂的电子掺杂铜氧化物的一个带哈伯德哈密顿量的框架内，反铁磁性和超导性被假定为共存于一个统一的阶段。在轻掺杂绝缘体中，FS由围绕$(π,0)$点的电子袋组成。FS拓扑结构的第一个变化发生在最佳掺杂区域，当一个额外的空穴袋出现在节点。拓扑结构的第二个变化发生在过掺杂区（$\sim18%$），其中反铁磁性消失，并形成大的以$(π,π)$为中心的金属FS。这两个拓扑转变的证据是在最近的霍尔效应和渗透深度实验Pr $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4-δ}$（PCCO）和一些光谱测量Nd $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4-δ}$（NCCO）。
2007-11-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Weak phase separation and the pseudogap in the electron-doped cuprates
利用变分集团微扰理论方法研究了电子和空穴掺杂铜氧化物模型中从反铁磁体到超导体的量子跃迁。在这两种情况下，我们的研究结果表明，在低掺杂的混合反铁磁超导相和纯超导相在较大的掺杂之间的相分离的趋势。然而，在电子掺杂的情况下，相分离的能量尺度比空穴掺杂小一个数量级。我们认为，这可以解释不同的赝能隙和超导过渡尺度的空穴和电子掺杂材料。
2005-08-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping and temperature dependence of electron spectrum and quasiparticle dispersion in doped bilayer cuprates
在t-t '-J模型下，考虑双层相互作用，讨论了正常态下掺杂双层铜氧化物中的电子能谱和准粒子色散。结果表明，双层相互作用将双层掺杂铜酸盐的电子能谱分裂为$(π,0)$点附近的成键和反键分量。成键和反键成分之间的区别是必不可少的，这导致两个主要的平坦带周围的$(π,0)$点低于费米能。与掺杂的单层铜氧化物类似，掺杂的双层铜氧化物中的最低能态位于$(π/2,π/2)$点。我们的研究结果还表明，在掺杂的双层铜氧化物的电子结构的惊人的行为是有趣的双层之间的相互作用，以及电子准粒子和集体磁激发之间的强耦合。
2007-03-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Optimal doping and entropic origin of giant thermopower in doped Mott insulators
这篇论文已被作者撤回，因为结果是不正确的，由于使用的杂质求解器，在大的相互作用强度和以上的半填充失败。这首先导致了新的杂质求解器的开发（arXiv：1202.5814或Phys.Rev. B 86，085133（2012）），其次导致了具有不同结论的热电势结果的完全修订。因此，提交了一篇关于热电的新论文（arXiv：1209.4349），并撤回了目前的论文。
2012-09-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Topological (Sliced) Doping of a 3D Peierls System: Predicted Structure of Doped BaBiO3
当空穴浓度小于0.4时，Ba_（1-x）K_xBiO_3为非金属。在x=0时，纯BaBiO 3是Peierls绝缘体。非常稀的空穴在Peierls序参量中产生双极化点缺陷。在这里，我们发现，赖斯-斯奈登版本的佩尔斯理论预测，更集中的空穴应形成堆垛层错（二维拓扑缺陷，称为片）的佩尔斯序参量。然而，远程库仑相互作用，离开了赖斯-斯奈登模型，不稳定的切片有利于点双极化子在低浓度下，留下一个窗口附近的30%掺杂的切片状态是勉强稳定的。
2002-06-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Functional renormalization group study of superconductivity in doped Sr$_2$IrO$_4$
利用重整化群研究了掺杂Sr $_2$ IrO $_4$的超导电性。在电子掺杂的情况下，发现在一个狭窄的掺杂区的$d^*_{x^2-y^2}$波超导相。这种配对是由单个导带内的自旋涨落驱动的。相比之下，对于空穴掺杂，建立了$s^*_{\pm}$波相位，由两个导带内和跨两个导带的自旋波动触发。在所有情况下，配对函数中都有相当的单线态和三线态分量。Hund规则耦合降低（增强）电子（空穴）掺杂的超导电性。我们的结果意味着空穴掺杂更有希望实现更高的转变温度。实验前景进行了讨论。
2014-04-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Thermal conductivity suppression in uranium-doped thorium dioxide due to phonon resonant scattering
在这项工作中，二氧化钍（ThO $_2$，氧化钍）与低水平的替代铀（U）掺杂的热输运性质进行了探讨。我们观察到强烈的迹象，共振声子散射，声子和电子自由度之间的相互作用，除了常见的“杂质”散射由于质量和原子间力常数的差异，这种掺杂诱导。在水热合成的空间变化掺铀浓度的掺铀氧化钍单晶中研究了6%、9%和16%的掺铀浓度。在此晶体中，具有相对均匀的掺杂的等浓度区域位于局部热导率测量使用热反射技术。在77--300~K的温度范围内测量的热导率曲线与分析Klemens-Callaway热导率模型的预测进行比较，以确定不同声子散射机制的影响。在低温下，在这些掺杂水平的高度抑制的热导率表明，声子共振散射在U掺杂氧化钍的热导率降低中起着重要的作用。
2023-03-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Fermi Surface Evolution in an Electron-Doped High-Tc Superconductor Revealed by Magnetic Quantum Oscillations
本文报道了用磁阻量子振荡方法直接探测电子掺杂超导体Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$在不同掺杂水平下的费米面。我们的数据揭示了一个急剧的质的变化，费米表面拓扑结构，由于在电子系统中的平移对称性破缺发生在一个临界掺杂水平显着超过最佳掺杂。这一结果意味着，$(π/a,π/a)$有序，已知存在于低掺杂水平，生存到过掺杂的超导制度。
2009-08-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Interplay of superconductivity and spin density wave order in doped graphene
我们研究了掺杂到3/8或5/8填充（Van Hove掺杂）的石墨烯中超导性和自旋密度波序之间的相互作用。在这个掺杂水平，该系统是已知的表现出弱耦合不稳定性手性d + id超导性和单轴自旋密度波。在van Hove掺杂处，超导不稳定性最强，并且在最高Tc处出现，但稍微远离van Hove掺杂，自旋密度波可能首先出现。我们调查是否在一些较低的温度超导性和自旋密度波共存。我们推导出描述两个序参量相互作用的Landau-Ginzburg泛函。我们的计算表明，超导性和自旋密度波序并不共存，而是被一级跃迁分开，无论是作为掺杂的函数还是作为T的函数。
2012-07-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anisotropic softening of collective charge modes in the vicinity of critical doping in a doped Mott insulator
动量分辨非弹性共振X射线散射被用来映射电子掺杂的莫特绝缘体类Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$中的电荷激发在大范围的能量、动量和掺杂水平上的演化。随着掺杂诱导的AFM-SC（反铁磁-超导）转变的接近，我们观察到一个各向异性软化的集体电荷模式在一个大的能量尺度上沿伽马（π，π）-方向，而模式表现出展宽（$\sim$ 1 eV）与相对较小的软化沿伽马（π，0）相对于父莫特绝缘体（x=0）。我们的研究表明，一个系统的崩溃的间隙一致的情况下，该系统均匀掺杂电子，即使软化的模式涉及一个异常大的能量尺度。
2007-04-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
High-energy spin and charge excitations in electron-doped copper oxide superconductors
电子（自旋和电荷）激发随载流子掺杂的演化是层状铜氧化物超导体中一个极其重要的问题，但关于电子和空穴掺杂之间的不对称性的认识仍然是不完整的。在这里，我们结合X射线和中子非弹性散射测量跟踪电子掺杂材料中的自旋和电荷激发的掺杂依赖性。铜L3共振非弹性X射线散射光谱表明，磁激发转移到更高的能量掺杂后。它们的色散在磁区中心附近变得更陡，并与电荷激发深度混合，表明电子在掺杂金属状态下获得高度巡回特性。此外，以上的磁激发，一个额外的分散功能，观察到附近的Γ点，我们把它归因于粒子空穴电荷激发。这些属性是在鲜明的对比，最近观察到的空穴掺杂的化合物，即使在高掺杂水平的更本地化的自旋激发（顺磁子）。
2014-03-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Structural, magnetic and transport properties in the Cu-doped manganites La0.85Te0.15Mn1-xCuxO3 (0 \leq x \leq 0.20)
研究了Mn位Cu掺杂对电子掺杂锰氧化物La_（0.85）Te_（0.15）Mn_（1-x）Cu_xO_3的结构、磁性和输运性质的影响。通过对结构参数变化的分析，提出掺铜锰氧化物中铜离子的价态为+2价。所有样品都经历了顺磁-铁磁（PM-FM）相变。随着Cu掺杂量的增加，居里温度降低，相变变宽，而低温下的磁化强度随着x \leq 0.15的增加而增加。绝缘体-金属（I-M）转变随着Cu掺杂含量的增加而向较低温度移动，并且当x > 0.1时消失。此外，当Cu掺杂量x = 0.1时，未掺杂样品中双峰状r（T）曲线中的高温电阻率r峰被完全抑制，r（T）曲线在低于0.1的低温下仅显示单一的I-M转变。根据Cu掺杂引起的磁交换相互作用的变化对结果进行了讨论。
2004-09-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Intrinsic electron-doping in nominal "non-doped" superconducting (La,Y)$_2$CuO$_4$ thin films grown by dc magnetron sputtering
采用直流磁控溅射和真空原位退火的方法成功地制备了超导标称“非掺杂”$La_{1.85}Y_{0.15}CuO_4$（LYCO）薄膜。在具有高纯C轴取向T '型结构的LYCO薄膜中，最佳的$T_{C0}$超过13 K。在正常状态下，T '-LYCO薄膜的电阻率与温度的准二次关系、负霍耳系数以及氧含量的影响与典型的Ce掺杂T'-214铜氧化物十分相似，表明T '-LYCO具有n型铜氧化物的电子掺杂性质，而不是以前提出的能带超导体。载流子被认为是由缺氧引起的。
2006-11-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Enhanced Superconductivity up to 43 K by P/Sb Doping of Ca1-xLaxFeAs2
通过电阻率ρ和磁化强度M的电导测量，研究了等价掺杂对新型112型铁砷化物Ca_（1-x）La_xFeAs_2超导转变温度Tc的影响。P或Sb掺杂强烈地提高了Tc：P掺杂的Ca 0.84La 0.16FeAs 2和Sb掺杂的Ca 0.85La 0.15FeAs 2分别表现出41和43 K的Tc，而没有P/Sb的Ca 0.85La 0.15FeAs 2表现出35 K的Tc。这些结果为进一步提高稀土掺杂Ca-Fe-As体系的Tc提供了线索。
2014-01-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The Effect of Ni and Zn Doping in Bi2212 from Tunneling Measurements. The MCS model of the High-Tc Superconductivity in hole-doped cuprates
我们使用Ni和Zn杂质掺杂到Bi 2212中来测试先前提出的MS（磁性极化子-自旋子）模型。我们提出了纯的，Ni和Zn掺杂的Bi 2212单晶低于Tc的电子隧穿光谱，使用断裂结技术。我们发现，磁性（Ni）和Cu（Zn）杂质掺杂到CuO 2平面的影响Tc和状态的密度在Bi 2212，但它不同。为了解释这些数据，我们必须修改MS模型。因此，我们提出了一个磁耦合条纹（MCS）模型。在MCS模型中，只有一种超导性-沿着带电条纹的自旋超导性。自旋子超导的相干态是由带电条纹运动激发的磁振子建立的。因此，在MCS模型中，超导有两种机制：沿带电条纹和垂直于条纹。
1999-02-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Evidence for a quantum phase transition in the electron-doped cuprate Pr2-xCexCuO4+d from Hall and resistivity measurements
本文报道了电子掺杂高Tc超导体Pr_（2-x）Ce_xCuO_（4 +d）取向薄膜的霍尔系数、相对湿度和ab面电阻率随掺杂和温度的变化关系。b（r= r 0 +AT^b）和R_sub_H（在350 mK）的掺杂依赖性表明在x=0.165附近的临界掺杂处存在量子相变。
2004-08-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Phonons in potassium doped graphene: the effects of electron-phonon interactions, dimensionality and ad-atom ordering
石墨烯声子测量作为电子掺杂的函数，通过添加钾吸附原子。在低掺杂状态下，面内碳G峰随着掺杂的增加而变硬和变窄，类似于经由场效应掺杂的石墨烯中所见的趋势。在高掺杂下，超出场效应可达到的那些，G峰强烈软化和加宽。这被解释为声子自能的动态非绝热重整化。在轻掺杂和重掺杂制度之间的掺杂，我们发现一个强大的不均匀相，其中钾覆盖被隔离成高密度和低密度的区域。1-4层石墨烯的声子能量、线宽和可调谐性非常相似，但与掺杂的块状石墨显著不同。
2011-11-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Local Magnetic Inhomogeneities in Lightly Doped BaFe$_2$As$_2$
我们报告$^{75}$ As NMR测量BaFe $_2$ As $_2$掺杂Ni。像Co一样，Ni掺杂抑制反铁磁和结构相变，并且对于足够大的Ni掺杂产生超导性。自旋晶格弛豫速率在$T_N$处发散，具有与局部矩的3D排序一致的临界指数。在有序状态下，光谱随着掺杂而迅速不均匀地加宽。我们提取的有序矩的平均大小作为掺杂的函数，并表明，在该模型中，该命令保持相称，但在掺杂剂附近的局部振幅变化充分解释了我们的观察。
2010-08-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Visualizing the evolution from the Mott insulator to a charge ordered insulator in lightly doped cuprates
高温铜氧化物超导体中的一个中心问题是电荷掺杂后母体莫特绝缘体的命运。在这里，我们使用扫描隧道显微镜调查的本地电子结构的轻掺杂铜酸盐在反铁磁绝缘制度。我们发现，掺杂的电荷诱导的光谱重量转移从高能量的哈伯德带的低能量的间隙状态。随着掺杂浓度的增加，费米能级出现V型态密度抑制，并伴随着棋盘电荷序的出现。新的STM观点揭示了这里是铜酸盐首先成为一个电荷有序的绝缘体掺杂。随后，进一步掺杂，费米面和高温超导性生长出来。
2015-08-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
