Spontaneous spin stripe dimerization in the doped t-J model
为了研究t-J模型中的自旋二聚化，我们考虑了通过参数δ引入自旋二聚化的扩展t-J-δ模型.在零掺杂时，二聚自旋液体在δ< δ_c = 0.3时不稳定。结果表明，掺杂稳定了二聚条纹相：δ c（x）随掺杂量x的增加而减小。在掺杂大于临界值x > x_c时，即使没有明显的二聚化，即在δ=0时，二聚化相也是稳定的。
1999-07-26 cond-mat.str-el
Protected percolation: a new universality class pertaining to heavily-doped quantum critical systems
我们提出的计算机模拟的结果，形成了一个新的普遍性类的类的分解系统。我们展示了这个新的类的临界指数的结果，推断从模拟的二维和三维晶格组成的高达10亿晶格网站。这些新的分离系统与标准分离系统的不同之处在于，一旦一个簇从跨越簇的晶格中脱离，它的位点就受到保护并且不能被移除。这种情况密切模仿的情况下，在重掺杂的量子临界系统中，孤立的磁性集群的保护（进一步）近藤筛选。我们的研究结果表明，保护渗流违反哈里斯准则，这产生了一个自然的解释，为什么量子相变的普适指数一直难以捉摸。
2020-08-19 cond-mat.str-el
Doping Asymmetry of a 3-orbital CuO$_2$ Hubbard Model
虽然空穴和电子掺杂的铜氧化物都可以表现出$d_{x^2-y^2}$波超导性，但已知掺杂载流子的局部分布显著不同，掺杂空穴主要在O位点上，而掺杂电子在Cu位点上。在这里，我们报告的CuO $_2$晶格的三轨道模型的密度矩阵重整化计算的结果。除了不对称的依赖性的内单元格占用的铜和O的空穴和电子掺杂，我们发现重要的差异，在较长范围的自旋和电荷的相关性。正如预期的那样，对场响应具有$d_{x^2-y^2}$样结构的空穴和电子掺杂系统。
2015-03-05 cond-mat.str-el
Fermi surface and pseudogap in electron-doped cuprates
光谱功能的t-t '-J模型内的电子掺杂的铜氧化物相关的数值评估。掺杂后费米面由口袋状发展为大的费米面。在节点方向上的相应的赝能隙是很好地解决在低掺杂和消失在中间掺杂。它的存在是强烈的温度依赖性，因此连接到较长范围的反铁磁相关。包括双有效带和光学电导率的特征与电子掺杂铜氧化物的实验一致，而不调用Mott-Hubbard间隙的关闭。
2007-02-27 cond-mat.str-el
Infrared Hall effect in underdoped and optimally doped LSCO
报道了一系列La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$样品的中红外磁光性质的研究，样品的空穴掺杂水平从严重欠掺杂（$x=0.03$）到最佳掺杂（$x=0.15$）。法拉第旋转和圆二色性是在8特斯拉的磁场和30 - 300 K的温度范围内测量的。红外霍尔角的掺杂和温度依赖性被发现在一个简单的Drude模型内被理解。当空穴掺杂水平从最佳掺杂降低时，观察到霍尔频率的显著增加，这与赝隙模型相比。
2005-10-31 cond-mat.str-el
Pseudogaps and their Interplay with Magnetic Excitations in the doped 2D Hubbard Model
量子蒙特卡罗模拟的基础上的二维哈伯德模型，其中包括从下到过掺杂制度的掺杂范围，我们发现，单粒子光谱重量$A (\vec k,ω)$定性再现的动量（$d_{x^2-y^2}$ -对称性）和掺杂依赖性的赝隙中发现的光电发射实验。自旋响应$χ_{s} (\vec q,ω)$的剧烈掺杂依赖性在欠掺杂区域中在$\vec q (\approx(π,π))$和$ω$中都是尖锐的，但在其他情况下是广泛的和无结构的，将反铁磁序的残余物识别为赝能隙及其随掺杂的演变背后的驱动机制。
1997-01-16 cond-mat.str-el
Paramagnetic to ferromagnetic phase transition in lightly Fe-doped Cr$_2$B
Cr $_2$ B表现出与温度无关的顺磁性。我们通过用Fe取代少于$3\,\%$的Cr原子来诱导铁磁性。通过最低的Fe掺杂水平，观察到Curie-Weiss行为;通过$5\,\%$ Fe掺杂，$Θ_{CW}$从$0.5\,\%$ Fe掺杂的Cr $_2$ B的$-20\,$ K变为约50 K的正值。铁磁性T $_C$是8 K的$2.5\,\%$ Fe掺杂和线性增加到46 K的$5\,\%$掺杂，我们推断，发生量子相变附近的$2.0\,\%$ Fe水平。在中间掺杂水平的磁波动反映在线性电阻和异常的热容量在低温下。原子尺度的成像和化学分析表明，Fe掺杂剂是随机分布的。
2014-06-17 cond-mat.str-el
Effect of carrier doping on the formation and collapse of magnetic polarons in lightly hole-doped La_{1-x}Sr_xCoO_3
研究了在空穴掺杂0.002<x<0.1范围内，钴基钙钛矿La{1-x}Sr_xCoO_3的纳米尺度电子和磁性不均匀性与掺杂的关系。利用单晶非弹性中子散射和磁化强度测量，我们表明，轻掺杂系统表现出自旋态极化子形式的磁电相分离。由于相邻极化子形成的Co^{3+}离子的竞争铁磁相关性，较高的空穴掺杂导致自旋态极化子的衰减，有利于较大尺度的磁性团簇。目前的数据给出了该系统中两种磁电子相分离的证据：（i）x<0.05，由铁磁内极化子相互作用主导;（ii）x>0.05，由Co^{3+}-Co^{3+}团簇内相互作用主导。我们的结论与最近提出的钴钙钛矿中的相分离模型非常一致[He等人，欧罗巴Lett. 87，27006（2009）]。
2010-12-27 cond-mat.str-el
Doping dependence of chemical potential and entropy in hole- and electron-doped high-Tc cuprates
我们用t-t '-t''-J模型研究了空穴和电子掺杂铜氧化物的热力学性质。我们发现，化学势表现出不同的掺杂依赖性之间的空穴和电子掺杂。最近的实验数据的化学势的位移再现，除了轻欠掺杂区的条纹和/或电荷的不均匀性，预计是重要的孔掺杂。熵也被计算为载流子浓度的函数。结果表明，电子掺杂体系的熵小于空穴掺杂体系的熵。这与强反铁磁短程相关，在电子掺杂系统中生存。
2003-03-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconducting stripes in the hole-doped three-band Hubbard model
本文通过大规模二维张量网络计算研究空穴掺杂三带Hubbard模型，发现周期4条纹及其与d波超导的共存，并揭示1/8掺杂附近超导与非超导条纹及配对密度波态的竞争。
2023-11-28 cond-mat.str-el
Pseudogap and electronic structure of electron-doped Sr$_2$IrO$_4$
我们提出了一个理论研究的相关性的影响的电子结构的莫特绝缘体Sr $_2$ IrO $_4$电子掺杂。发现掺杂后Mott能隙迅速崩塌，电子结构在低掺杂水平下表现出强烈的动量-空间差异：费米面由以$(π/2,π/2)$为中心的口袋组成，而赝能隙在$(π,0)$附近打开.它的物理起源被证明是与短程自旋相关。赝隙关闭后，增加掺杂，但分化制度的特点是沿费米表面的光谱强度的调制持续到更高的掺杂水平。这些结果，在细胞动力学平均场论框架内得到的，讨论比较最近的光电子实验和整体良好的协议被发现。
2018-01-26 cond-mat.str-el
Doping induced spinless collective excitations of charge 2e in doped Mott insulators
基于掺杂莫特绝缘体的哈伯德模型描述，我们证明了在非超导态下，由于掺杂，必然存在电荷$2e$和能量$U-2μ$的无自旋集体激发，能量峰值在动量$(π/a,π/a)$。这种集体激发是由电子对关联引起的。它的存在与近似SU（2）粒子-空穴对称性的破缺有关，由此构造了新激发的有效场论。
2000-10-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping dependence of the electron-doped cuprate superconductors from the antiferromagnetic properties of the Hubbard model
利用Kotliar-Ruckenstein从玻色子方法研究了电子掺杂铜氧化物超导体的$t$ - $t'$-$t''$ - $U$模型的反铁磁性质.由于包含自旋涨落的AF阶随掺杂的降低比Hartree-Fock理论中获得的快得多。在中间{ \it常数} $U$下，计算的光谱强度的掺杂演变令人满意地再现了实验结果，而不需要如前所述的强烈掺杂依赖的$U$。这可能会调和在最近的研究中提出的光电发射和光电导率的差异。
2005-07-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Quantum Phase transition under pressure in a heavily hydrogen-doped iron-based superconductor LaFeAsO
掺氢LaFeAsO是一种典型的铁基超导体。然而，它的相图超出了标准框架，其中超导（SC）相在载流子掺杂后跟随反铁磁（AF）相;相反，SC相夹在轻和重H掺杂制度中出现的两个AF相之间。我们在压力下进行了核磁共振（NMR）测量，重点是在重H掺杂制度的第二AF相。当压力为3.0 GPa时，第二AF相被强烈抑制，并且明显地转移到高度H掺杂的区域，从而出现“裸”量子临界点（QCP）。在QCP附近的顺磁状态下出现量子临界区，然而，AF临界涨落对SC相的影响仅限于QCP附近的窄掺杂区。最佳SC条件（$T_c \sim$ 48 K）不受AF波动的影响。
2017-10-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Unusual Charge Localization in Zn-doped and Heavily Underdoped YBa2Cu3O7-d at Low Temperatures
在磁场高达18 T的条件下，测量了Zn掺杂YBa_2Cu_3 O_（7-d）和重欠掺杂纯YBCO单晶的面内正常态电阻率。我们发现，正常态rho_ab的温度依赖性不服从log（1/T），在低温极限下不趋于发散。结果表明，YBCO正常态的"基态"是金属态.
1999-08-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Normal-state charge dynamics in doped BaFe2As2: Roles of doping and necessary ingredients for superconductivity
我们对掺杂BaFe_2As_2的面内电阻率和光谱进行了比较研究，并研究了电荷动力学的掺杂演化。对于BaFe2As2，电荷动力学在高温下是不相干的。电子（Co）和等价（P）掺杂到BaFe_2As_2中增加了系统的相干性，并将非相干电荷动力学转变为高度相干的。另一方面，对于空穴（K）掺杂，电荷动力学保持不相干。它被发现在任何类型的掺杂，超导性与高转变温度出现时，正常状态的电荷动力学保持不相干，当与相干通道相关的电阻率表现出主导的温度线性依赖性。
2013-08-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping evolution of the electronic specific heat coefficient in slightly-doped La2-xSrxCuO4 single crystals
详细的掺杂依赖的电子比热系数γ的La 2-xSrxCuO 4（LSCO）的单晶在轻微掺杂制度进行了研究。我们发现，γ系统地增加与掺杂，而且，即使在反铁磁（AF）制度的样品，γ已经获得有限的值，并与x的增长。这表明有限的电子态密度（DOS）是在AF机制中产生的，其中输运在低温下显示出强烈的局域化，这意味着该系统不是一个具有明显间隙的真正绝缘体，即使它仍然保持长程AF秩序。
2008-08-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The effect of Cr impurity to superconductivity in electron-doped BaFe2-xNixAs2
利用输运和磁化强度测量研究了Cr掺杂对电子掺杂BaFe_（2-x）Ni_xAs_2铁磷属化合物超导相图的影响。原则上，向电子掺杂的BaFe 2-xNixAs 2中添加Cr应等同于空穴掺杂的效果。然而，我们发现Cr掺杂通过杂质效应抑制超导电性，而在100 K以上不影响正常态电阻率。我们建立了Cr掺杂BaFe_（2-x）-yNi_xCryAs_2铁磷属元素化合物的相图，证明了Cr掺杂近最佳超导电性恢复了被超导电性抑制的长程反铁磁有序。
2014-09-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping and energy evolution of spin dynamics in the electron-doped cuprate superconductor Pr$_{0.88}$LaCe$_{0.12}$CuO$_{4-δ}$
基于动能驱动的超导机制，研究了电子掺杂铜氧化物超导体Pr $_{0.88}$ LaCe $_{0.12}$ CuO $_{4-δ}$在超导态的掺杂和磁激发的能量演化.结果表明，在低能区存在一个宽的公度散射峰，共振能位于该公度散射峰的范围内。这种低能量的公度散射在高能量下向外分散成连续的环状非公度散射。该理论还预测了一个圆顶形的掺杂依赖的共振能量。
2008-02-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity in electron-doped cuprates: Gap shape change and symmetry crossover with doping
在一个模型中研究了电子掺杂铜氧化物的超导电性的Kohn-Luttinger机制。超导相的序参量的对称性被确定为费米面的几何形状的函数连同电子-空穴磁化率的结构。发现在较大的掺杂范围内，仍保持d_{x^2-y^2}波。间隙各向异性的形状随着掺杂而演变，最大间隙远离（pi，0），与最近的实验很好地一致。随着最大值的位移增加，发现到d_{xy}对称性的交叉。
2003-11-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Landau theory of metal-insulator transition in VO$_\text{2}$ doped with metal ions
金属离子掺杂可以有效地调节$\mathrm{VO}_2$的金属-绝缘体转变温度。实验发现，五价和六价离子的掺杂显着降低转变温度，而三价离子的掺杂提高转变温度，并诱导中间相。基于我们以前建立的$\mathrm{VO}_2$金属-绝缘体相变的相场模型，考虑掺杂对电子关联和晶格结构的影响，推导了金属离子掺杂$\mathrm{VO}_2$的朗道势。金属离子掺杂对晶格结构的影响是占在一个唯象的方式。利用Landau势，计算了不同金属离子掺杂的$\mathrm{VO}_2$的温度-掺杂浓度-相图，并与实验结果相吻合，对不同金属离子掺杂的不同行为提供了解释。该唯象理论可以提供其它金属离子掺杂的$\mathrm{VO}_2$相图的估计。
2020-01-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Doping dependence of ordered phases and emergent quasiparticles in the doped Hubbard-Holstein model
本文采用量子蒙特卡罗模拟方法对正方晶格上的单带Hubbard-Holstein模型进行了研究，研究了在莫特绝缘体（MI）和Peierls绝缘体（PI）中掺杂空穴时准粒子的产生.在大的哈伯德相互作用$U$和小的相对电子-声子耦合强度$λ$的MI制度被迅速抑制掺杂后，通过绘制光谱权重从上哈伯德带和移动的下哈伯德带向费米能级，导致在费米能级处出现准粒子的金属状态。另一方面，大$λ$和小$U$处的PI状态持续到相对高的掺杂水平。我们研究了掺杂对$d$波超导磁化率的影响，发现在$U$和$λ$的中间值范围内，它随温度的降低而增加.
2017-09-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anomalous doping evolution of nodal dispersion revealed by in-situ ARPES on continuously doped cuprates
利用原位角分辨光电子能谱研究了高温超导体Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+x}$连续掺杂表面结色散的系统掺杂演化.我们发现，节点色散有三个部分分开的两个扭结，位于~10 meV和大约70 meV，分别。这三个段具有不同的带速和不同的掺杂依赖性。特别是，高能量段的速度随着掺杂水平的降低而单调增加，甚至可以超过裸带速度。我们建议，电子分馏是一个可能的原因，这种异常的节点色散，甚至可能发挥关键作用，在理解的奇特性质的铜酸盐。
2019-07-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Point contact spectroscopy of the electron-doped cuprate superconductor Pr{2-x}Ce{x}CuO4: The dependence of conductance-voltage spectra on cerium doping, barrier strength and magnetic field
本文给出了电子掺杂的铜酸盐超导体Pr{2-x}Ce{x} CuO_4（PCCO）与正常金属点接触结的电导-电压（G-V）数据。我们观察到一个零偏置电导峰（ZBCP）的下掺杂的组合物的铜酸盐（x=0.13），这是一致的d-波配对对称。对于最佳掺杂（x=0.15）和过掺杂（x=0.17）的PCCO，我们发现G-V特性表明存在无节点的序参量。我们通过获得不同势垒强度的点接触光谱数据和作为磁场的函数来进一步研究这一点。
2003-03-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electron-hole asymmetry in Co- and Mn-doped SrFe2As2
研究了电子和空穴掺杂SrFe_2As_2单晶的相图，在Fe位采用Co和Mn替代。我们发现，自旋密度波态被抑制的两种掺杂剂，但超导相出现只有Co（电子）掺杂，而不是Mn（空穴）掺杂。Mn掺杂的超导电性的缺失与在Sr位点处具有K取代的空穴掺杂系统形成鲜明对比。明显的结构变化，特别是Mn掺杂增加的Fe-As距离对于具有磁性和半导体基态是重要的，如第一性原理计算所证实的。在Fe位掺杂的SrFe_2As_2中电子空穴对称性的缺失表明，高Tc超导性的发生对结构修饰而不是电荷掺杂敏感。
2010-04-05 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Charge carrier correlation in the electron-doped t-J model
本文研究了电子掺杂高温超导体的t-t“-t”-J模型。一个，两个和四个载流子的模型求解32位晶格使用精确对角化。我们的研究结果表明，在掺杂水平高达x=0.125的模型具有强大的反铁磁相关。当掺杂有一个载流子时，基态具有动量（\pm π，0）和（0，\pm π）。在进一步掺杂时，载流子是未结合的，并且动量分布函数可以从单载流子基态的动量分布函数构造。费米面类似于单个载流子基态动量处的小口袋，这是轻掺杂反铁磁体的预期结果。这一特征在掺杂到我们实现的最大掺杂水平时仍然存在。因此，我们没有观察到费米表面改变形状的掺杂水平高达0.125。
2006-02-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The charge asymmetry in superconductivity of hole- and electron-doped cuprates
在t-t '-J模型下，基于动能驱动的超导机制，研究了空穴和电子掺杂铜氧化物超导中的电荷不对称性。结果表明，电子掺杂铜氧化物在较窄的掺杂范围内表现出超导电性，其超导转变温度与空穴掺杂铜氧化物具有相同的掺杂控制行为。然而，在电子掺杂的铜氧化物的最佳掺杂的最高可实现的超导转变温度是远远低于空穴掺杂的情况下，由于电子-空穴的不对称性。
2005-04-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Hole superconductivity in the electron-doped superconductor PCCO
我们测量了电子掺杂超导体Pr_{2-x} Ce_xCuO_4的电阻率和霍尔角随掺杂和温度的变化。温度为100 K < T <300 K时的电阻率Rho_xx对电子最为敏感。它的温度行为在很宽的掺杂范围内与掺杂无关，甚至对非超导样品也是如此。另一方面，横向电阻率rho_xy或霍尔角θ_H（其中cot（θ_H）= rho_xx/rho_xy）对空穴和电子都敏感。它的温度依赖性受到掺杂的强烈影响，并且cot（theta_H）可以用于识别最佳掺杂（最大Tc），甚至远高于临界温度。这些结果表明，在电子掺杂的铜氧化物中，空穴是超导电性的主要来源。
2007-06-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity in doped two-leg ladder cuprates
基于动能驱动的超导机制，在t-J梯形模型下，研究了掺杂双腿梯形铜氧化物中具有修正d波对称性的超导电性.结果表明，自旋液体基态的半填充演变成超导基态掺杂。与平面铜氧化物超导体的超导转变温度的掺杂依赖性类似，在欠掺杂区，掺杂双脚梯形铜氧化物的超导转变温度随掺杂的增加而增加，在最佳掺杂区达到最大值，然后在过掺杂区降低.
2006-05-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
On the optical conductivity of Electron-Doped Cuprates I: Mott Physics
本文分析了电子掺杂铜氧化物的掺杂和温度效应。动能与掺杂的变化示出暗示的材料是近似的空穴掺杂材料的强相关。的光谱是适合准粒子散射模型，而该模型适合的光学数据，总的不一致与光电发射数据被发现，这意味着存在一个大的，强烈的掺杂依赖朗道参数。
2004-11-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Consistent picture of the octet-nodal gap and its evolution with doping in heavily overdoped Ba$_{1-x}$K$_{x}$Fe$_{2}$As$_{2}$
基于自旋涨落机制研究了重掺杂Ba $_{1-x}$ K $_{x}$ Fe $_{2}$ As $_{2}$的对对称性.统一地解释了超导能隙的奇异八隅节点和最近实验观察到的带隙随掺杂的异常演化。由于费米能级接近于平带，我们证明了电子在费米面上的散射是导致自旋无公度涨落的主要原因，从而导致了费米面依赖的多能隙结构.此外，我们发现，$d$波配对状态将占上风的s波配对状态附近的Lifshitz转变点。
2014-09-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Differentiation of electron doping and oxygen reduction in electron-doped cuprates
Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo（东京大学固体离子体研究所）；Department of Engineering and Applied Sciences, Sophia University（上智大学理工学部）；Department of Applied Physics, Tohoku University（东北大学应用物理系）；UVSOR Synchrotron Facility, Institute for Molecular Science（分子科学研究所UVSOR同步辐射设施）
研究通过碱金属掺杂和角分辨光电子能谱监测电子掺杂铜氧化物的电子结构变化，发现杂质氧原子对伪间隙形成有显著贡献。
2026-04-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping effects on electronic states in electron-doped FeSe: Impact of self-energy and vertex corrections
重电子掺杂（e掺杂）FeSe中高$T_{\rm c}$超导电性的配对胶（pairingglue）是一个重要的未解决的问题。在这里，我们专注于重掺杂的大块超导体Li $_{1-x}$ Fe $_x$ OHFeSe（$T_{\rm c} \sim 40$ K）。我们建立了一个超越刚性带近似的多轨道模型，并考虑了顶点修正（VC）和自能，分析了自旋和轨道涨落。在没有电子掺杂（$x=0$）的情况下，VC在FeSe中再现了无磁性的铁轨道有序，当空穴袋在$x \sim 0.03$处消失时，轨道有序迅速消失。随着$x$的进一步增加，自旋涨落保持很小，而轨道涨落由于VC而随着$x$逐渐增加。自能负反馈是解释实验相图的关键。由于顶点和自能校正，轨道波动介导的$s_{++}$波状态出现在一个宽的掺杂范围内，与实验一致。
2020-11-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Systematic changes of the electronic structure of the diluted ferromagnetic oxide Li-doped Ni$_{1-x}$Fe$_x$O with hole doping
利用光电子能谱（PES）和X射线吸收谱（XAS）研究了Li掺杂Ni $_{1-x}$ Fe $_x$ O的电子结构. Ni $2p$芯能级的PES和XAS谱没有被Li掺杂改变。相反，Fe $^{3+}$强度相对于Fe $^{2+}$强度随着Li掺杂而增加。而Fe $^{3+}$的增加只是掺杂Li含量的$\sim 5%$，表明大部分掺杂空穴进入O $2p$和/或电荷转移组态Ni $3d^8\underline{L}$。随着Li含量的增加，Fe的3d偏态密度和价带顶附近的主价带发射增加，这与电导率的增加是一致的。基于这些发现，束缚磁极化子的渗流被认为是铁磁行为的起源。
2007-11-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Elastoresistivity of heavily hole doped 122 iron pnictides superconductors
重空穴掺杂的铁磷属元素化物超导体的向列性仍有争议。在RbFe $_2$ As $_2$及其姊妹化合物中，发现了相当大的磁涨落，甚至是远离磁不稳定性的磁级。本文报道了一系列等价掺杂和电子掺杂的KFe $_2$ As $_2$晶体的系统弹性电阻研究。我们发现所有晶体沿[110]方向冷却时的弹性电阻是发散的。弹性电阻率的振幅发散，如果K被替换为更大的离子，或者如果该系统被推向一个Lifshitz过渡。然而，我们得出结论，他们都不一定表明一个独立的临界点。相反，增加的向列性可以与另一种电子临界性相关联。特别是，我们提出了一种机制，如何弹性电阻率增强在Lifshitz过渡。
2022-05-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Topological Excitations in Doped Spin Ladders
基于描述移动自旋和背景自旋相互作用的有效哈密顿量，研究了掺杂自旋梯的低能磁激发。螺旋系数对阶梯平面内的波动以及平面外的计算方面的掺杂浓度，腿数和相互作用强度的阶梯。计算了螺旋相的掺杂范围，并讨论了其与自旋能隙结构的关系。螺旋有序可以在一定的掺杂下增强现有的反铁磁有序，或者在很低的空穴密度下降低它。对于奇腿梯，通过螺旋和背景自旋的耦合，在一定的窄掺杂范围内形成自旋能隙成为可能。奇梯带隙模掺杂范围的计算结果与已有的数值计算结果吻合较好。
1999-08-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity and topological Fermi surface transitions in electron-doped cuprates near optimal doping
我们讨论的费米面（FS）的拓扑结构的演变与掺杂的电子掺杂铜氧化物的一个带哈伯德哈密顿量的框架内，反铁磁性和超导性被假定为共存于一个统一的阶段。在轻掺杂绝缘体中，FS由围绕$(π,0)$点的电子袋组成。FS拓扑结构的第一个变化发生在最佳掺杂区域，当一个额外的空穴袋出现在节点。拓扑结构的第二个变化发生在过掺杂区（$\sim18%$），其中反铁磁性消失，并形成大的以$(π,π)$为中心的金属FS。这两个拓扑转变的证据是在最近的霍尔效应和渗透深度实验Pr $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4-δ}$（PCCO）和一些光谱测量Nd $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4-δ}$（NCCO）。
2007-11-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Weak phase separation and the pseudogap in the electron-doped cuprates
利用变分集团微扰理论方法研究了电子和空穴掺杂铜氧化物模型中从反铁磁体到超导体的量子跃迁。在这两种情况下，我们的研究结果表明，在低掺杂的混合反铁磁超导相和纯超导相在较大的掺杂之间的相分离的趋势。然而，在电子掺杂的情况下，相分离的能量尺度比空穴掺杂小一个数量级。我们认为，这可以解释不同的赝能隙和超导过渡尺度的空穴和电子掺杂材料。
2005-08-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping and temperature dependence of electron spectrum and quasiparticle dispersion in doped bilayer cuprates
在t-t '-J模型下，考虑双层相互作用，讨论了正常态下掺杂双层铜氧化物中的电子能谱和准粒子色散。结果表明，双层相互作用将双层掺杂铜酸盐的电子能谱分裂为$(π,0)$点附近的成键和反键分量。成键和反键成分之间的区别是必不可少的，这导致两个主要的平坦带周围的$(π,0)$点低于费米能。与掺杂的单层铜氧化物类似，掺杂的双层铜氧化物中的最低能态位于$(π/2,π/2)$点。我们的研究结果还表明，在掺杂的双层铜氧化物的电子结构的惊人的行为是有趣的双层之间的相互作用，以及电子准粒子和集体磁激发之间的强耦合。
2007-03-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Optimal doping and entropic origin of giant thermopower in doped Mott insulators
这篇论文已被作者撤回，因为结果是不正确的，由于使用的杂质求解器，在大的相互作用强度和以上的半填充失败。这首先导致了新的杂质求解器的开发（arXiv：1202.5814或Phys.Rev. B 86，085133（2012）），其次导致了具有不同结论的热电势结果的完全修订。因此，提交了一篇关于热电的新论文（arXiv：1209.4349），并撤回了目前的论文。
2012-09-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electronic structure of heavily electron-doped BaFe$_{1.7}$Co$_{0.3}$As$_2$ studied by angle-resolved photoemission
我们对重电子掺杂非超导BaFe $_{1.7}$ Co $_{0.3}$ As $_2$进行了高分辨角分辨光电子能谱研究。我们发现在空穴掺杂的超导体Ba $_{0.6}$ K $_{0.4}$ Fe $_2$ As $_2$中观察到的两个空穴费米面口袋在该化合物中不存在或非常小，而在M点处的两个电子口袋由于Co替代的电子掺杂而显著膨胀。非SC和SC样品的费米面的比较表明，通过反铁磁波矢连接的空穴和电子口袋的共存是实现铁基超导体的超导性机制的必要条件。
2009-03-05 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Photoluminescence Spectroscopy of many-body Effects in Heavily Doped Al$_x$Ga$_{1-x}$As
利用光致发光（PL）谱研究了Al/$_x$/Ga $_{1-x}$ As中重掺杂引起的带隙变窄（BGN）和费米边奇异性（FES）等多体效应.随着电子浓度的增加，带间跃迁能量向低能方向移动，PL谱中的类FES特征增强。我们表明，FES类功能是一个非单调的函数的温度和激发强度。我们的数据使我们建议，一个小的浓度的非平衡孔是需要提高的FES样功能的PL光谱。
2004-06-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Topological (Sliced) Doping of a 3D Peierls System: Predicted Structure of Doped BaBiO3
当空穴浓度小于0.4时，Ba_（1-x）K_xBiO_3为非金属。在x=0时，纯BaBiO 3是Peierls绝缘体。非常稀的空穴在Peierls序参量中产生双极化点缺陷。在这里，我们发现，赖斯-斯奈登版本的佩尔斯理论预测，更集中的空穴应形成堆垛层错（二维拓扑缺陷，称为片）的佩尔斯序参量。然而，远程库仑相互作用，离开了赖斯-斯奈登模型，不稳定的切片有利于点双极化子在低浓度下，留下一个窗口附近的30%掺杂的切片状态是勉强稳定的。
2002-06-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Functional renormalization group study of superconductivity in doped Sr$_2$IrO$_4$
利用重整化群研究了掺杂Sr $_2$ IrO $_4$的超导电性。在电子掺杂的情况下，发现在一个狭窄的掺杂区的$d^*_{x^2-y^2}$波超导相。这种配对是由单个导带内的自旋涨落驱动的。相比之下，对于空穴掺杂，建立了$s^*_{\pm}$波相位，由两个导带内和跨两个导带的自旋波动触发。在所有情况下，配对函数中都有相当的单线态和三线态分量。Hund规则耦合降低（增强）电子（空穴）掺杂的超导电性。我们的结果意味着空穴掺杂更有希望实现更高的转变温度。实验前景进行了讨论。
2014-04-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Spin Configuration and Scattering Rates on the Heavily Electron-doped Surface of Topological Insulator Bi$_2$Se$_3$
用自旋和角分辨光电子能谱研究了Bi $_2$ Se $_3$的重电子掺杂表面。在掺杂时，电子占据拓扑表面状态之上的一系列{ \bf k}分裂状态对。{ \bf k}分裂源于大的自旋-轨道耦合，并导致Rashba型行为，通过自旋分析在这里明确地证明了这一点。最低层的Rashba二重态和相邻的拓扑表面态的自旋螺旋度以左-右-左的顺序交替。这种自旋配置设置约束带间散射通道打开电子掺杂。散射率的详细分析表明，带内散射占主导地位，最大的影响来自费米面的翘曲。
2012-04-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Thermal conductivity suppression in uranium-doped thorium dioxide due to phonon resonant scattering
在这项工作中，二氧化钍（ThO $_2$，氧化钍）与低水平的替代铀（U）掺杂的热输运性质进行了探讨。我们观察到强烈的迹象，共振声子散射，声子和电子自由度之间的相互作用，除了常见的“杂质”散射由于质量和原子间力常数的差异，这种掺杂诱导。在水热合成的空间变化掺铀浓度的掺铀氧化钍单晶中研究了6%、9%和16%的掺铀浓度。在此晶体中，具有相对均匀的掺杂的等浓度区域位于局部热导率测量使用热反射技术。在77--300~K的温度范围内测量的热导率曲线与分析Klemens-Callaway热导率模型的预测进行比较，以确定不同声子散射机制的影响。在低温下，在这些掺杂水平的高度抑制的热导率表明，声子共振散射在U掺杂氧化钍的热导率降低中起着重要的作用。
2023-03-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Fermi Surface Evolution in an Electron-Doped High-Tc Superconductor Revealed by Magnetic Quantum Oscillations
本文报道了用磁阻量子振荡方法直接探测电子掺杂超导体Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$在不同掺杂水平下的费米面。我们的数据揭示了一个急剧的质的变化，费米表面拓扑结构，由于在电子系统中的平移对称性破缺发生在一个临界掺杂水平显着超过最佳掺杂。这一结果意味着，$(π/a,π/a)$有序，已知存在于低掺杂水平，生存到过掺杂的超导制度。
2009-08-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Interplay of superconductivity and spin density wave order in doped graphene
我们研究了掺杂到3/8或5/8填充（Van Hove掺杂）的石墨烯中超导性和自旋密度波序之间的相互作用。在这个掺杂水平，该系统是已知的表现出弱耦合不稳定性手性d + id超导性和单轴自旋密度波。在van Hove掺杂处，超导不稳定性最强，并且在最高Tc处出现，但稍微远离van Hove掺杂，自旋密度波可能首先出现。我们调查是否在一些较低的温度超导性和自旋密度波共存。我们推导出描述两个序参量相互作用的Landau-Ginzburg泛函。我们的计算表明，超导性和自旋密度波序并不共存，而是被一级跃迁分开，无论是作为掺杂的函数还是作为T的函数。
2012-07-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anisotropic softening of collective charge modes in the vicinity of critical doping in a doped Mott insulator
动量分辨非弹性共振X射线散射被用来映射电子掺杂的莫特绝缘体类Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$中的电荷激发在大范围的能量、动量和掺杂水平上的演化。随着掺杂诱导的AFM-SC（反铁磁-超导）转变的接近，我们观察到一个各向异性软化的集体电荷模式在一个大的能量尺度上沿伽马（π，π）-方向，而模式表现出展宽（$\sim$ 1 eV）与相对较小的软化沿伽马（π，0）相对于父莫特绝缘体（x=0）。我们的研究表明，一个系统的崩溃的间隙一致的情况下，该系统均匀掺杂电子，即使软化的模式涉及一个异常大的能量尺度。
2007-04-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
High-energy spin and charge excitations in electron-doped copper oxide superconductors
电子（自旋和电荷）激发随载流子掺杂的演化是层状铜氧化物超导体中一个极其重要的问题，但关于电子和空穴掺杂之间的不对称性的认识仍然是不完整的。在这里，我们结合X射线和中子非弹性散射测量跟踪电子掺杂材料中的自旋和电荷激发的掺杂依赖性。铜L3共振非弹性X射线散射光谱表明，磁激发转移到更高的能量掺杂后。它们的色散在磁区中心附近变得更陡，并与电荷激发深度混合，表明电子在掺杂金属状态下获得高度巡回特性。此外，以上的磁激发，一个额外的分散功能，观察到附近的Γ点，我们把它归因于粒子空穴电荷激发。这些属性是在鲜明的对比，最近观察到的空穴掺杂的化合物，即使在高掺杂水平的更本地化的自旋激发（顺磁子）。
2014-03-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic origin of high-energy kink structure in heavily electron-doped Li$_{1+x}$FeAs
我们报道了用三维角分辨光电子能谱观察到的重电子掺杂非超导Li $_{1+x}$ FeAs的高能扭结结构的起源。在布里渊区中心的$d_{xy}$轨道强烈重整化，表明更强的电子相关性，超过化学计量比的LiFeAs，尽管事实上，所有频带的轨道特征保持不变。在$d_{yz}$能带上发现了两种类型的扭折结构：在20 meV的结合能处的各向同性扭折和仅在（110）方向上观察到的位于100 meV处的另一种扭折。较高能量的扭结被认为是源于磁相互作用，因为峰值能量与自旋激发的能量一致。
2013-01-31 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Structural, magnetic and transport properties in the Cu-doped manganites La0.85Te0.15Mn1-xCuxO3 (0 \leq x \leq 0.20)
研究了Mn位Cu掺杂对电子掺杂锰氧化物La_（0.85）Te_（0.15）Mn_（1-x）Cu_xO_3的结构、磁性和输运性质的影响。通过对结构参数变化的分析，提出掺铜锰氧化物中铜离子的价态为+2价。所有样品都经历了顺磁-铁磁（PM-FM）相变。随着Cu掺杂量的增加，居里温度降低，相变变宽，而低温下的磁化强度随着x \leq 0.15的增加而增加。绝缘体-金属（I-M）转变随着Cu掺杂含量的增加而向较低温度移动，并且当x > 0.1时消失。此外，当Cu掺杂量x = 0.1时，未掺杂样品中双峰状r（T）曲线中的高温电阻率r峰被完全抑制，r（T）曲线在低于0.1的低温下仅显示单一的I-M转变。根据Cu掺杂引起的磁交换相互作用的变化对结果进行了讨论。
2004-09-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Intrinsic electron-doping in nominal "non-doped" superconducting (La,Y)$_2$CuO$_4$ thin films grown by dc magnetron sputtering
采用直流磁控溅射和真空原位退火的方法成功地制备了超导标称“非掺杂”$La_{1.85}Y_{0.15}CuO_4$（LYCO）薄膜。在具有高纯C轴取向T '型结构的LYCO薄膜中，最佳的$T_{C0}$超过13 K。在正常状态下，T '-LYCO薄膜的电阻率与温度的准二次关系、负霍耳系数以及氧含量的影响与典型的Ce掺杂T'-214铜氧化物十分相似，表明T '-LYCO具有n型铜氧化物的电子掺杂性质，而不是以前提出的能带超导体。载流子被认为是由缺氧引起的。
2006-11-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Charge order driven by multiple-Q spin fluctuations in heavily electron-doped iron selenide superconductors
本文利用扫描隧道显微镜在Fe位缺陷抑制超导的重电子掺杂铁硒化物中发现短程棋盘状电荷序，并通过模拟证明其由多Q自旋密度波驱动，揭示了竞争序的存在及电荷序探测自旋涨落的潜力。
2023-04-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
