Spin and charge distribution symmetry dependence of stripe phases in two-dimensional electron systems confined to wide quantum wells
在清洁的二维电子系统局限于宽GaAs量子阱中，其中两个电子子带被占用的测量揭示了一个意想不到的旋转的条纹相观察到在半填充朗道水平的取向。值得注意的是，重新取向是敏感的自旋的半满朗道能级和量子阱中的电荷分布的对称性。
2012-07-18 cond-mat.mes-hall
Current and field stimulated motion of domain wall in narrow permalloy stripe
在正在开发的新型低温电子器件中，包括移相器、巨磁阻开关、二极管、晶体管和存储单元，有些是基于混合超导体-普通金属或超导体-铁磁体薄膜。这些装置的控制是通过电压、光或磁场的脉冲来实现的。自旋极化电流可用于切换低温器件，如自旋电子器件。在超导层中，电流耗散较小，这将带来能量消耗的大幅降低。我们证明了在双层铌-坡莫合金带中，即使在低温下，当铌处于超导态时，电流也会使磁畴壁沿带移动。响应于电流脉冲的壁运动与仅由磁场脉冲引起的壁运动完全不同。这种效应可以用来创建一种新型的顺序切换的串行设备，因为非常高的值的壁速度，这激发了许多数量级的速度与磁场脉冲移动的壁。
2015-12-04 cond-mat.mes-hall
Density-induced reorientation of the stripe at half-filled high Landau levels
研究了半满高朗道能级二维电子系统中单向周期势对条纹态取向的影响。通过考虑具有两个电子子带的量子阱，发现在弱调制时条纹与外势平行，在强调制时条纹与外势正交。在中间范围内，随着电子密度的增加，条纹的取向从正交变为平行。这一结果解释了J. Zhu { \it et al}最近进行的实验，即通过增加电子密度，在半填充高朗道能级处的各向异性轴旋转$90^0$。它也支持的建议，条纹是钉扎的异质结的界面处的原生表面形态。
2004-04-03 cond-mat.mes-hall
Current-voltage characteristics in donor-acceptor systems: Implications of a spatially varying electric field
我们研究了一种分子器件的输运性质，该器件由供体和受体部分组成，位于两侧的两个电极之间。该设备被认为是一维的不同的现场能量和非平衡性质的计算使用Landauer的形式主义。电流-电压特性被发现是不对称的尖锐的负微分电阻在一个临界偏置一侧和非常小的电流在另一侧。负折射率的产生主要是由于偏置驱动的电子结构从一种绝缘相到另一种绝缘相的变化，通过一个高度离域的导电相。我们的模型可以被认为是最简单的解释在许多分子器件中观察到的实验电流-电压特性。
2005-10-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Voltage percolation thresholds evidenced in the electrical behaviour of different nanostructures
研究和讨论了三种纳米结构中的逾渗现象：前两种是纳米硅基系统，嵌入在非晶SiO2基质中的Si纳米点和由氧化纳米线网络形成的多孔硅，第三种是嵌入在非晶SiN中的多壁碳纳米管网络。在前两个系统上测量的电流-电压特性呈现具有相同形状的电压渗流阈值-电流的饱和平台区域，随后突然增加。在非晶SiN中嵌入的多壁碳纳米管网络上测得的电流-电压和电导-电压曲线呈现非周期性振荡，且与温度无关。这些振荡被解释为电压逾渗阈值。
2011-06-22 cond-mat.mes-hall
Spin wave non-reciprocity and beating in permalloy by time-resolved magneto-optical Kerr effect
利用时间分辨磁光克尔效应研究了坡莫合金带中自旋波模的传播特性。我们观察到的影响下，在时域中的电方脉冲激励的条纹的中心的拍频干涉图案。我们还探讨了自旋波传播与外部磁场的依赖性的非互易行为。空间依赖性研究表明，本地化的边缘模式自旋波具有较低的频率比自旋波在条纹的中心，由于在整个条纹的宽度变化的磁化矢量。
2014-10-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Origins of transverse voltages generated by applied thermal gradients and applied electric fields in ferrimagnetic-insulator/heavy-metal bilayers
我们比较了铁磁绝缘体/重金属双层（Tm 3Fe 5 O 12/W和Tm 3Fe 5 O 12/Pt）中的热梯度驱动横向电压与室温及以上温度下相应的电驱动横向电阻。我们发现，Tm 3Fe 5 O 12/W的热和电效应可以解释一个共同的自旋电流检测机制，自旋霍尔磁阻（SMR）的物理基础。然而，对于Tm 3Fe 5 O 12/Pt，电驱动的横向电压（平面霍尔信号/异常霍尔信号）的比率远大于相应的热梯度信号的比率，这一结果与单独基于SMR的机制的期望非常不同。我们将这种差异归因于Tm 3Fe 5 O 12/Pt界面处的邻近诱导磁性层。
2022-02-22 cond-mat.mes-hall
Microscopic study of electrical transport through individual molecules with metallic contacts: I. "Band" lineup, voltage drop and high-field transport
我们提出了第一个在一系列的微观研究通过单个分子与金属接触的电传输。我们认为分子的化学定义良好的原子团组成的“异质结构”，并分析这些原子团的电荷和电位响应的金属分子耦合和所施加的电场，这是使用基于第一性原理的自洽矩阵格林函数（SCMGF）方法建模引起的扰动方面的设备特性。作为第一个例子，我们研究了通过将两个基于苯的分子自由基-苯基二硫醇（PDT）和联苯二硫醇（BPD）-通过末端硫原子对称地连接到两个半无限金电极上形成的器件。
2003-03-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electric voltage generation by antiferromagnetic dynamics
我们从理论上证明了直流和交流电压的产生，由于自旋动力源于畴壁运动和磁共振，分别在两个亚晶格反铁磁体。我们的理论占的倾斜之间的亚晶格磁化，非绝热电子自旋动力学，和Rashba自旋轨道耦合，与亚晶格间电子动力学作为一个扰动处理。这项工作提出了一种新的方法来观察和探索反铁磁纹理的动力学，通过电气手段，在反铁磁自旋电子学，其中需要反铁磁体的操作和检测的新兴领域的一个重要方面。
2016-03-27 cond-mat.mes-hall
Electric Transport Properties in the 2D-MoS2
研究了单轴压力下不同层数2D-MoS2粉末样品的电输运特性，发现其电流-电压特性呈非线性并形成回滞环，且存在长期衰减现象，该现象可通过表面电荷积累极化模型解释。
2021-10-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Tunable lateral displacement and spin beam splitter for ballistic electrons in two-dimensional magnetic-electric nanostructures
该研究探究二维磁电纳米结构中弹道电子的横向位移特性，发现其正负可调，据此提出可在反平行磁化构型下完全分离不同自旋电子束的高效自旋分束器方案。
2025-01-14 cond-mat.mes-hall
Voltage-Controlled Magnon Transistor via Tunning Interfacial Exchange Coupling
由于磁振子（磁振子中自旋角动量的关键载流子）的电中性，磁振子晶体管可以通过电场有效地调节磁振子输运，这对于磁振子来说是期望的，磁振子晶体管的目的是提供对传统电子学的无焦耳热的替代。然而，也由于它们的电中性，磁振子不能直接与电场相互作用，因此难以直接通过电压来操纵磁振子输运。在这里，我们证明了一个栅极电压（$V_{\rm g}$）施加在金属/磁性绝缘体（NM/MI）的界面，弯曲的MI的能带，然后调制的可能性，在NM中的传导电子隧穿到MI可以因此增强或削弱在界面处的自旋磁振子转换效率。利用$V_{\rm g}$调制磁振子介导电流拖曳（MECD）效应，在Pt/$_{\rm 3}$ Fe $_{\rm 5}$ O $_{\rm 12}$（YIG）/Pt夹层结构中实现了压控磁振子晶体管。在300 K时，获得的效率（在$\pm V_{\rm g}$下MECD电压之间的变化率）达到10%/（MV/cm）。这种磁振子晶体管的原型提供了一种有效的方案来控制磁振子输运的栅极电压。
2023-01-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
In situ TEM investigation of oxygen migration as a key mechanism for resistive switching in Pr0.7Ca0.3MnO3
低温生长的Pr0.7Ca0.3MnO3（PCMO）薄膜在电场感应电阻开关（RS）中表现出良好的性能。为了了解Metal/PCMO/Metal器件中RS的微观机理，利用透射电子显微镜（TEM）观察了PCMO在外加电场作用下的结构演化。研究了在外加电场作用下生长态PCMO样品中调制条纹的演化。新产生的调制条纹逐渐消失。这些结果表明，氧离子迁移在RS中起着关键作用。
2011-11-01 cond-mat.mes-hall
Voltage-driven magnetization switching and spin pumping in Weyl semimetals
我们演示了磁性掺杂的外尔半金属中的电磁化翻转和自旋泵浦。Weyl半金属是一类新的拓扑半金属，由于手征反常，在电荷和磁化强度之间存在非平凡耦合。通过求解由Weyl半金属、绝缘体和金属组成的多层结构的Landau-Lifshitz-Gilbert方程，同时考虑电荷-磁化耦合，分析了磁化动力学。结果表明，磁化动力学可以由电压驱动。因此，可以利用脉冲电压实现磁化的切换，以及利用所施加的振荡电压实现进动运动。这种效应只需要一个短的电压脉冲，因此与传统的自旋转移力矩切换相比，在自旋电子器件中对我们来说可能更有效。
2016-04-12 cond-mat.mes-hall
Bias Voltage Driven Tunneling Magnetoresistance Polarity Reversal in 2D Stripy Antiferromagnet CrOCl
本研究通过双层与单层 CrOCl 隧道结实验，发现偏置电压可驱动磁电阻由正反转为负，并结合理论将其归因于反铁磁态的额外电偶极子。
2024-12-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Bias-Voltage-Induced Topological Phase Transition in Finite Size Quantum Spin Hall Systems in the Presence of a Transverse Electric Field
利用紧束缚BHZ模型和Landauer-Büttiker方法，研究了HgTe/CdTe量子阱中有限宽度带在有和无横向电场作用下的拓扑不变量.将认识到，临界电流改变量子阱带的拓扑不变量。这种拓扑相变是通过调节偏置电压而发生的，它取决于样品的宽度和栅极电压。考虑了外加横向电场对分离自旋上、自旋下能带结构、减小带隙以及调节普通自旋霍尔区和量子自旋霍尔区之间的拓扑相变的深刻影响。这说明横向电场放大了量子自旋霍尔区，导致量子阱带中的拓扑相变。我们的发现可能会立即清除自旋电子学领域的研究在自旋为基础的设备就业的一些实际方面。
2021-07-11 cond-mat.mes-hall
Investigation of gating effect in Si spin MOSFET
Si基自旋金属氧化物半导体场效应晶体管（自旋MOSFET）中的栅极电压施加调制自旋累积电压，其中电导率和漂移速度两者都被修改，同时保持恒定的电流。在高偏置电流下，负栅压下硅自旋MOSFET的自旋积累电压出现了前所未有的降低。为了支持我们的主张，电子偏置电流的自旋积累电压下的栅极电压的应用程序的依赖性进行了详细研究，并比较自旋漂移扩散模型，包括电导失配效应。我们证明了Si沟道中迁移率和自旋寿命的急剧下降是由于高偏置电流下的光学声子发射，从而降低了自旋积累电压。
2019-10-29 cond-mat.mes-hall physics.app-ph
Temperature dependence of the nonlocal voltage in an Fe/GaAs electrical spin injection device
在Fe/GaAs自旋注入器件中测量了非局域自旋电阻随温度的变化。对于未退火的样品，显示少数自旋注入，自旋电阻被观察到室温，并随温度以0.018\，K $^{-1}$的速率呈指数衰减。在440 K下的生长后退火增加了低温下的自旋信号，但衰减速率也增加到0.030 K $^{-1}$。从GaAs沟道中的扩散常数和自旋寿命的测量，我们得出结论，样品退火修改的自旋转移效率在注入和检测接触的温度依赖性。令人惊讶的是，自旋转移效率在表现出少数自旋注入的样品中增加。
2010-04-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electrical detection of spin pumping: dc voltage generated by ferromagnetic resonance at ferromagnet/nonmagnet contact
我们描述了在金属纳米结构中的自旋泵的电检测。在自旋泵效应中，旋进的铁磁体附着在正常金属上，充当自旋极化电流的泵，引起自旋积累。由此产生的自旋积累感应到铁磁体的自旋电流的回流，并产生直流电压，由于自旋依赖的铁磁体的电导率。这种电压的大小与正常金属的自旋弛豫性质成比例。通过使用铂作为接触材料，我们观察到，与理论一致，与使用铝的情况相比，电压显著降低。此外，整流之间的循环射频电流和铁磁体的磁化进动的影响进行了检查。最重要的是，我们表明，使用改进的布局设备的几何形状，这些影响可以最小化。
2008-09-23 cond-mat.mes-hall
Nonlinear response and two stable electrical conductivity levels measured in plasticized PVC thin film samples
使用专利的“A”型增塑剂制备的PVC膜的电导率是使用高精度自动化装置测量的，基于标准环塞，电压范围远小于击穿电压。连续的电压-电流测量允许考虑德贝弛豫过程，并清楚地区分特定的聚合物膜电导率的影响，连接连续的电流稳定行为和两个稳定的（长寿命）状态之间的过渡与几个数量级不同的电导率。观察到电阻水平的自发可逆和非破坏性转变。对于30 mkm聚合物膜，样品电阻的值被测量为等于：高-106欧姆和低-103欧姆。
2010-03-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Pure spin currents and associated electrical voltage
我们提出了一个推广的Landauer-Büttiker输运理论，研究了自旋轨道相互作用下的多端自旋输运。指出自旋-轨道相互作用的存在导致{ \it平衡自旋流}，因为在自旋-轨道相互作用存在时，自旋不是一个守恒量.此外，我们说明了理论，将其应用到一个三端Y形导体。结果表明，当其中一个端点为电势探针时，存在{ \it非平衡纯自旋电流}，而不存在n个伴随的电荷电流.它示出，这种纯自旋电流引起的电压降，可以测量，如果潜在的探针是铁磁性的。
2003-06-20 cond-mat.mes-hall
Hall Voltage with the Spin Hall Effect
自旋霍尔效应通常不导致充电霍尔电压。我们预测，在系统中的不均匀的电子密度在垂直于主电流流动的方向，自旋霍尔效应，而不是伴随着霍尔电压。与普通的霍尔效应，我们发现，这种霍尔电压是二次的纵向电场的参数范围很广的实验。我们还预测了自旋积累在散装和尖锐的峰值附近的边缘自旋霍尔诱导电荷积累。我们的结果可以很容易地进行实验测试，并允许在非磁性系统中的自旋霍尔效应的电测量，而无需注入自旋极化电子。
2007-03-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Anatomy of electrical signals and dc-voltage lineshape in spin torque ferromagnetic resonance
自旋矩铁磁共振（st-FMR）电探测法是目前测量重金属自旋霍尔角的一种常用方法。然而，在相同或不同的实验装置上对相同材料进行的各种合理分析产生了不同的自旋霍尔角，差异很大，表明我们目前对st-FMR的理解中缺少一些成分。在这里，我们进行了仔细的分析，在HM/铁磁体（HM/FM）双层膜的任意磁各向异性的ST-FMR的电信号。FM磁化由两个射频（rf）力驱动：由施加的rf电流产生的rf奥斯特场和由于自旋霍尔效应而从HM垂直流动到FM的自旋电流产生的所谓的rf自旋轨道扭矩。本文利用磁性材料动态磁化率矩阵的普遍形式，分析了各向异性磁电阻、反常霍尔效应和逆自旋霍尔效应产生的电信号，得到了磁电阻附近的直流电压线型。直流电压的角度依赖性给出了两个设置。提出了一种实验提取HM自旋霍尔角的方法。
2018-11-02 cond-mat.mes-hall
Orientation of hole quantum Hall nematic phases in an out-of-plane electric field
我们提出了在朗道水平填充因子$ν=5/2$在一个二维孔系统（2DHS）的各向异性电阻状态的观察，发生一定值的孔密度$p$和平均出平面电场$E_\perp$。2DHS是由未掺杂GaAs/AlGaAs量子阱中的电场效应引起的，其中前栅和背栅允许$p$和$E_\perp$的独立调谐，因此限制势的对称性。对于$p\approx2\times10^{11}$ ~cm $^{-2}$和$E_\perp \approx -2 \times10^{5}$ ~V/m，沿$\langle01\bar1\rangle$的磁电阻大大超过沿$\langle011\rangle$的磁电阻，表明形成了量子霍尔取向或“条纹”相.反转$E_\perp$的符号将条纹旋转$90^{\circ}$。我们认为这种行为可能是由于空穴朗道能级的混合以及Rashba和Dresselhaus自旋-轨道耦合效应的结合。
2019-05-14 cond-mat.mes-hall
Voltage generation by ferromagnetic resonance
铁磁体可以共振地吸收射频辐射，以维持围绕内部或施加的磁场的磁化的稳定进动。我们表明，在这些铁磁共振（FMR）的条件下，直流电压产生在正常的金属电接触的铁磁体自旋翻转散射。该机制允许磁化dyspot的容易的电检测。
2006-08-01 cond-mat.mes-hall
Counterflows in viscous electron-hole fluid
在超纯导体中，载流子在相对高的温度下的集体运动可以变成流体动力学的，使得电子传输可以类似于粘性流来描述。在受限的几何形状中（例如，在超高质量的纳米结构中），所得到的流动是类似于Poiquilille的。当受到强的外部磁场时，半金属中的电流被从样品的主体推向边缘。此外，我们表明，粘度和快速重组之间的相互作用导致逆流的出现。边缘电流具有非平凡的空间轮廓，并且由两个带状区域组成：外部条带承载外部电场方向上的大部分电流，而内部条带具有逆流。
2018-05-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.quant-gas cond-mat.stat-mech
Coulomb blockade based field-effect transistors exploiting stripe-shaped channel geometries of self-assembled metal nanoparticles
金属纳米颗粒为构建具有新功能和改进性能的基本电子器件提供了可能性。由于小体积和由此产生的低自电容，每个单个纳米颗粒表现出高充电能量。因此，在传输实验期间出现库仑能隙，该能隙可以通过电场移位，从而允许每当相邻粒子的能级匹配时进行电荷传输。因此，器件的状态在导通和非导通之间顺序地改变，而不是像半导体中那样从导通到夹断的仅仅一个转变。为了利用场效应晶体管的这种行为，有必要使用均匀的纳米颗粒有序阵列，由明确定义的隧道势垒分隔。在这项工作中，CoPt纳米粒子与窄尺寸分布的合成胶体化学。这些颗粒通过可扩展的Langmuir-Blodgett技术沉积在具有预图案化金电极的Si/SiO2衬底上，作为有序的均匀单层。所得到的纳米颗粒阵列限于长度和宽度可调的条带。在具有有限数量的导电路径的这种限定的沟道中，电流可以由栅极电压精确地控制。在150 K的温度下观察到明显的库仑振荡。使用这种系统作为场效应晶体管产生前所未有的振荡电流调制，开/关比约为70%。
2016-06-02 cond-mat.mes-hall physics.ins-det
Transduction between electrical energy and the heat in a carbon nanotube using a voltage-controlled doping
碳纳米管（CNT）的高电导率（~100 MegaSiemens/m）和塞贝克系数（Seebeck coefficient）>200 mkV/K使其在各种应用中具有吸引力。不幸的是，由于声子传输导致的高热导率~ 3000 W/（m*K）限制了它们在热和电之间转换能量的能力。在这里，我们表明，增加的载流子浓度不仅会导致增加的电导率和塞贝克系数，但也会导致显着抑制的热导率由于增强声子-电子碰撞。在CNT器件中观察到对应于有效电子温度变化~115 K的强转导效应，其中局部栅电极控制了相对端的电荷掺杂。热与电子子系统的能量之间的转换对应于令人印象深刻的品质因数冷ZT ~ 6和转换的功率密度P ~ 80 kW/cm ~ 2。
2016-11-09 cond-mat.mes-hall
Spin-Polaronic Effects in Electric Shuttling in a Single Molecule Transistor with Magnetic Leads
计算了自旋极化电子通过单能级可移动量子点在反平行磁化的磁引线之间隧穿的自旋力学器件的电流-电压特性。发现了新的交换和机电耦合诱导（自旋极化）效应决定了强非线性的电流-电压特性，在低电压区的电子输运中，电压依赖的和交换场诱导的量子点向源极的位移导致微分电导的非单调行为，证明了电场对自旋极化效应的提升.在高电压下，电子穿梭的开始导致电流和负微分电导的下降，这是由机械引起的隧道电阻率的增加和交换场引起的磁场中自旋翻转的抑制引起的。这些预测的自旋效应上的振荡频率的点和电子-电子相关的强度的依赖关系进行了讨论。
2020-03-02 cond-mat.mes-hall
AA-stacked bilayer graphene in an applied electric field: Tunable antiferromagnetism and coexisting exciton order parameter
我们研究了横向电场作用下AA堆叠双层石墨烯的电子性质。强的在位库仑排斥稳定了系统中的反铁磁有序。反铁磁序至少部分地被横向偏置电压抑制。面间库仑排斥和非零电压使激子序参量稳定。激子序参量与反铁磁性共存，对于偏置电压和相互作用常数的实际值，可以大到几十meV。横向偏压的施加可用于控制双层的输运性质。
2014-06-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Local density of states of two-dimensional electron systems under strong in-plane electric and perpendicular magnetic fields
计算了强磁场和电场交叉作用下二维电子系统的局域态密度。我们假设一个强的垂直磁场，在没有面内电场和碰撞加宽效应的情况下，导致朗道量子化和著名的奇异朗道态密度。单向面内电场导致朗道态密度的δ函数奇异性展宽。这导致有限高度和宽度的位置相关峰，其可以用能量本征函数表示。这些峰随着电场强度的增加而变宽，并且可能最终重叠，这表明如果考虑电子-杂质散射，朗道能级间散射的开始。我们提出了两个简单的模型的分析结果，并讨论其可能的相关性的整数量化霍尔效应的故障。此外，我们考虑一个更现实的模型，一个不可压缩的条纹分离两个可压缩的区域，其中几乎完美的屏蔽针相邻朗道水平的电化学电位。我们还讨论了外加电流对条纹区局域态密度的影响。
2011-05-10 cond-mat.mes-hall
Orthogonal electric control of the out-of-plane field-effect in two-dimensional ferroelectric alpha-In2Se3
调整晶体固体的电特性是材料科学和电子学的核心。通过外部电压产生电场效应是一种干净、连续和系统的方法。在这里，利用范德华力（vdW）铁电体alpha-In 2Se 3中独特的电偶极锁定，我们报告了一种建立电门控效应的新方法，其中面外方向的静电掺杂是由诱导和控制的。面内电压。利用垂直垂直vdW异质结的α-In_2Se_3和MoS_2，我们验证了一种具有显著和保持的开/关比的共面电压栅共面场效应晶体管（CP-FET）。我们的研究结果表明，前所未有的电控制的铁电性，这铺平了道路，将二维（2D）铁电集成到新的纳米电子器件具有广泛的应用。
2020-05-11 cond-mat.mes-hall
Combined electrical transport and capacitance spectroscopy of a ${\mathrm{MoS_2-LiNbO_3}}$ field effect transistor
我们测量了$\mathrm{MoS_2-LiNbO_3}$场效应晶体管的电流-电压（$V_\mathrm{GS}$）和电容-电压（$C$）特性。从测得的电容，我们计算出的电子表面密度，并表明，其栅电压的依赖关系如下的理论预测从二维自由电子模型。该模型允许我们在$V_\mathrm{GS}$的\emph{entire range}上拟合测量的$I_\mathrm{SD}$-$V_\mathrm{GS}$特性。结合这个实验结果与测量的电流-电压特性，我们确定了场效应迁移率作为栅极电压的函数。我们表明，对于我们的设备，这种改进的组合方法产生显着更小的值（超过4倍）的电子迁移率比传统的分析的电流-电压特性。
2017-01-02 cond-mat.mes-hall physics.app-ph
Noises in a two-channel charge Kondo model
Institute of Physics, Vietnam Academy of Science and Technology（越南科学技术院物理研究所）；Aix Marseille Université, Université de Toulon, CNRS, CPT（艾克斯马赛大学、土伦大学、法国国家科学研究中心、理论物理中心）；The Abdus Salam International Centre for Theoretical Physics（阿卜杜斯·萨拉姆国际理论物理中心）
研究双通道电荷Kondo电路中电和热电流的波动及其交叉相关性，揭示电压驱动和温度驱动噪声与门电压的关系，显示非费米液体行为及粒子-空穴对称性作用。
2025-11-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Skyrmion stripes in twisted double bilayer graphene
本文研究TDBG在半填充关联自旋极化态被掺杂后的演化，提出宽分数填充范围内存在部分谷极化、含斯格明子织构并自发破缺C3对称性的新型条纹基态。
2023-10-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
