Zeeman Field-Tuned Transitions for Surface Chern Insulators
拓扑晶体绝缘体的镜像对称表面具有偶数个狄拉克表面态。一个表面塞曼场一般间隙这些国家导致一个量子化的异常霍尔效应。改变塞曼场的方向，诱导不同的表面绝缘态之间的跃迁，其中任何两个陈数在-4和4之间。在晶体框架中，相边界发生在场取向上，场取向是在球体上具有（111）类法线的大圆。
2013-09-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Structural, magnetic and insulator-to-metal transitions under pressure in the GaV4S8 Mott insulator: A rich phase diagram up to 14.7 GPa
除了其有前途的应用潜力，GaV 4S 8显示出非常有趣的物理性质与温度和磁场。这些特性可以通过施加静水压力来调整，以揭示和理解这些材料的物理特性。压力不仅诱导绝缘体到金属的转变，但它也有一个有趣的影响，结构和磁性的转变。在压力下使用AC量热法，电容和电阻率测量的组合，我们确定的结构和磁性转变与压力的演变，从而建立的T-P相图GaV 4S 8。为了检测绝缘体到金属的过渡，我们使用光学电导率和直流电阻率测量，我们遵循压力下的莫特间隙的演变。结构转变温度随压力的增加而增加，并且在6 GPa以上出现第二转变，表明可能存在具有非常小间隙的新相。令人惊讶的是，压力对铁磁转变的影响非常微弱，甚至非常接近于在14 GPa左右发生的IMT，这意味着金属状态也可能是磁性的。
2020-03-13 cond-mat.str-el
Solitons in the Crossover between Band Insulator and Mott Insulator: Application to TTF-Chloranil under Pressure
基于相位哈密顿量，发现一维带状绝缘体与莫特绝缘体的交叉区存在两种类型的孤子。这两个孤子都有分数电荷，但自旋不同，分别为零和1/2。所得结果与Kanoda等对TTF-四氯对苯醌加压实验结果一致。
2015-11-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Pressure induced valence and metal-insulator transitions in the Falicov-Kimball model with nonlocal hybridization
我们提出了一个简单的，但非常现实的，模型的压力引起的混合价系的价态和金属-绝缘体转变的描述。它是基于扩展的Falicov-Kimball模型，并假设控制这些跃迁的关键相互作用是定域$f$和巡游$d$电子之间的非定域杂化。考虑到，此外，~参数化之间的外部压力和$d$ - $f$杂化（实验事实），该模型是能够描述，至少定性地，以及由外部压力驱动的一些稀土系统，如钐$_6$实验观察到的金属-绝缘体转变。
2018-10-17 cond-mat.str-el
Pressure-resistant intermediate valence in Kondo insulator SmB6
共振X射线发射光谱（RXES）被用来确定的f-电子占据的压力依赖性在近藤绝缘体SmB 6。所施加的压力降低了f-占有率，但令人惊讶的是，该材料在高达至少35 GPa的压力下保持了显著的二价特征。因此，电阻激活能隙的闭合和磁序的开始不是由整数价态的稳定驱动的。在整个压力范围内，该材料保持非常稳定的中间价，原则上可以支持非平凡的能带结构。
2016-03-07 cond-mat.str-el
Pressure-induced metallization and structural phase transition of the Mott-Hubbard insulator TiOBr
我们研究了低维Mott-Hubbard绝缘体TiOBr的压力依赖的光学响应的透射率和反射率的测量在红外和可见光频率范围内。观察到的透射率高于临界压力和反射率的伴随增加的抑制，这表明压力诱导的金属化的TiOBr。TiOBr在高压下的金属相确认的存在下延伸到远红外范围的额外的激发。压力诱导金属化符合结构相变，根据压力下的X射线粉末衍射实验的结果。
2007-10-22 cond-mat.str-el
Anisotropic uniaxial pressure response of the Mott insulator Ca2RuO4
通过电阻率和磁化强度的测量研究了面内单轴压力对反铁磁莫特绝缘体Ca_2RuO_4的影响。我们成功地诱导铁磁金属相在较低的临界压力比静水压力，表明平面内单轴压力下的RuO6八面体的扁平变形更容易释放。我们还发现了一个惊人的面内各向异性的压力响应中的各种磁相：虽然磁化强度单调增加的压力斜方主轴，沿面内斜方主轴的磁化强度表现出特殊的压力依赖性。这种特殊的依赖性可以解释沿正交的a和b轴的单轴压力效应之间的质的差异，以及由孪晶畴结构的存在。
2013-10-28 cond-mat.str-el
Pressure induced Superconductor-Insulator transition in the spinel compound CuRh2S4
我们进行了电阻率测量在CuRh $_{2}$ S $_{4}$下的准流体静压力高达8.0 GPa，并发现压力诱导的超导体-绝缘体（SI）的转变。最初，随着压力的增加，超导转变温度$T_c$从环境压力下的4.7 K增加到4.0 GPa下的6.4 K，但在更高的压力下降低。随着进一步的压缩，超导性CuRh $_{2}$ S $_{4}$突然消失在一个临界压力$P_{\rm SI}$之间的5.0和5.6 GPa，当它成为绝缘体。
2003-06-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
From Mott insulator to ferromagnetic metal: a pressure study of Ca$_{2}$RuO$_{4}$
研究表明，莫特绝缘体Ca $_{2}$ RuO $_{4}$在0.5GPa下发生金属-绝缘体相变：在300 K下，从顺磁性绝缘体到顺磁性准二维金属;在$T \leq$ 12 K下，从反铁磁性绝缘体到铁磁性、高度各向异性的三维金属. %我们比较了金属状态的结构相关的p波超导体Sr $_{2}$ RuO $_{4}$，并讨论了结构扭曲的重要性，预计强烈耦合到压力。
2002-03-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pressure-induced deconfinement of the charge transport in the quasi-one-dimensional Mott insulator (TMTTF)_2AsF_6
本文研究了（TMTTF）_2AsF_6在三个光轴上的室温红外反射率随压力的变化关系。这种各向异性有机化合物由沿a方向轨道重叠的分子堆叠组成;由于电子相关性，该系统是准一维莫特绝缘体，电荷间隙Δ_p = 70 meV。随着外部压力的增加，间隙逐渐减小，并伴随着沿堆叠方向的Drude贡献的开始。在垂直b'方向上，当压力大于2GPa时，观察到类Drude光学响应。这一行为可以用一维莫特绝缘体中电子的退禁闭来解释，即当链间转移积分t_b约等于电荷带隙能的一半时，发生绝缘体-金属跃迁。我们估计了t_b和Luttinger液体参数K_ρ随压力的变化。
2006-08-10 cond-mat.str-el
Pressure and magnetic-field effects on metal-insulator transitions of bulk and domain-wall states in pyrochlore iridates
本文研究了辉绿石型$R_2$ Ir $_2$ O $_7$的临界金属-绝缘体现象，其中电子关联强度和磁组态系统地受稀土离子平均半径（$R$ =Nd $_{1-x}$ Pr $_{x}$和Sm $_{y}$ Nd $_{1-y}$）、外压和磁场的控制。金属-绝缘体转变体是由增加$x$或调谐外部压力，表明有效的电子相关是负责过渡。金属态介于\SNIO（$y$ =0.7-0.9）的顺磁绝缘相和反铁磁有序绝缘相之间，类似于一阶Mott跃迁。此外，金属到绝缘体的交叉观察（周围$y$ =0.7）的绝缘体中的磁畴壁上的电荷传输。磁场的应用还驱动\NPIO的金属-绝缘体转变，其中可能实现各种奇异拓扑量子态。
2015-07-17 cond-mat.str-el
Pressure-induced insulator-metal transition in two-dimensional Mott insulator NiPS3
采用电阻（R）和X射线衍射（XRD）测量方法，在准单轴条件下原位研究了层状磁性镍磷三硫化物NiPS 3的压致绝缘体-金属转变（IMT）。这种缓慢的转变发生在35 GPa。传输测量表明，在最低测量温度（~ 2 K）下没有超导性的证据。这里提出的结构结果不同于早期的原位工作，样品进行不同的压力状态，这表明在NiPS 3的相稳定性字段是高度依赖于应变。有人建议，仔细控制的应变是必不可少的，当研究层状范德华固体的电子和磁性。
2021-08-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Pressure-Driven Valence Increase and Metallization in Kondo Insulator Ce$_3$Bi$_4$Pt$_3$
我们报告的结果，高压X射线衍射，X射线吸收，和电输运测量近藤绝缘体Ce $_3$ Bi $_4$ Pt $_3$高达42 GPa，在任何铈基KI的研究中达到的最高压力。我们观察到一个平滑的减少量和运动向中间Ce价与压力，这两个点增加电子相关性。尽管如此，温度相关的电阻数据显示抑制的相互作用驱动的环境压力绝缘基态。我们还讨论了这些结果的预测拓扑KI状态的潜在后果。
2019-10-08 cond-mat.str-el
Pressure Tuning of an Ionic Insulator into a Heavy Electron Metal: An Infrared Study of YbS
在20 GPa压力下测量了YbS的光学电导率[ $σ(ω)$ ]。低于8 GPa时，$σ(ω)$较低，因为YbS是具有完全占据的4 $f$态和未占据的导带（$c$）之间的能隙的绝缘体。然而，在8 GPa以上，$σ(ω)$急剧增加，由于重载流子和特征红外峰而产生Drude分量。结果表明，增加的压力已经引起的能量重叠和杂化之间的$c$带和4 $f$状态，从而驱动初始离子和绝缘的YbS成相关的金属与重载流子。
2009-12-16 cond-mat.str-el
Metal-insulator and magnetic collapse transitions in FeO at high pressure: predictions of the LDA+U method
LDA + U总能量的准确性通过预测岩盐结构的FeO的高压行为来测试，包括金属-绝缘体和磁性转变，状态方程和晶格应变，作为库仑排斥U的函数。当U = 4.6 eV、6.0 eV和8.0 eV时，发现了两个自洽解，一个具有菱面体电子对称性，一个具有单斜电子对称性，当U = 4.6 eV时，单斜电子对称性在100 GPa下比菱面体电子对称性更稳定，导致绝缘体-金属转变.随着U的增加，金属化发生在更高的压力下。尽管绝缘体-金属转变，高自旋磁性状态持续到压力大于300 GPa的U > 0。与LDA和GGA方法相比，LDA + U方法也给出了与基态性质实验的改进的一致性。
2002-02-13 cond-mat.str-el
Magnetization, thermoelectric, and pressure studies of the magnetic field-induced metal to insulator transition in tau phase organic conductors
我们研究了磁场诱导的金属-绝缘体转变的τ相有机导体，这发生在35 T以上，低于14 K，通过磁化，热电，和压力依赖的传输方法。我们的研究结果表明，转变是一个整体的热力学过程中，磁场依赖的间隙打开后进入绝缘状态。我们认为，过渡涉及磁场诱导的电子结构的变化。
2004-06-23 cond-mat.str-el
Observation of insulator-metal transition in EuNiO$_{3}$ under high pressure
电荷转移反铁磁（T $_{N}$ =220 K）绝缘体EuNiO $_{3}$在常压下经历T $_{MI}$ =463 K的温度诱导金属绝缘体MI转变。我们分别用电阻测量、同步辐射的${151}^$ Eu核共振散射和X射线衍射研究了压力（p~20 GPa）对EuNiO $_{3}$的电子、磁性和结构性质的影响。随着压力的增加，我们发现在p $_{c}$ =5.8 GPa的过渡从绝缘状态到金属状态，而正交结构保持不变，直到20 GPa。结果被解释在一个逐渐增加的电子带宽随着压力的增加，这导致在关闭的电荷转移间隙。进一步表明，压力诱导金属态具有较低的T $_{N}$（T $_{N}$ ~120 K，9.4 GPa），在9.4 ~ 14.4 GPa之间消失。
2005-04-12 cond-mat.str-el
Ultrafast Carrier Dynamics in VO$_2$ across the Pressure-Induced Insulator-to-Metal Transition
我们利用近红外泵浦和中红外探测光谱研究了加压VO $_2$的超快电子响应。即使在压力诱导的金属态中也观察到明显的泵浦-探测信号和泵浦阈值行为，显示出明显的局部电子态。我们的结果是一致的带宽控制的莫特-哈伯德过渡的情况。
2017-08-29 cond-mat.str-el
Pressure and alloying effects on the metal to insulator transition in NiS{2-x}Se{x} studied by infrared spectroscopy
用红外反射率研究了电荷转移NiS{2-x}Se{x}化合物的金属-绝缘体转变。通过对纯NiS 2（晶格收缩）和Se合金化（晶格膨胀）施加压力进行的测量表明，在这两种情况下都获得了异常的金属状态。我们发现，光学结果是不兼容的线性硒合金与压力标度关系先前建立通过运输，从而指出了两个过渡的实质上不同的微观起源。
2009-07-22 cond-mat.str-el
Superconductor-insulator transition induced by pressure within the X-boson approach
在$ U = \infty $极限下，考虑f-电子间的近邻吸引作用，计算了周期性Anderson模型（PAM）的压力诱导超导相图.我们分析了化学势的作用相比，几个图的f-带态密度，我们还发现了一个超导体-绝缘体的转变时，由压力引起的化学势穿过杂化间隙。
2020-09-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Orbital Selective Pressure-Driven Metal-Insulator Transition in FeO from Dynamical Mean-Field Theory
本文首次报道了LDA+DMFT（局域密度近似与动态平均场论相结合的方法）在常压和高压下对FeO顺磁相的磁性和光谱性质的计算结果。在常压（AP）下，计算结果表明FeO是Mott绝缘体，具有高自旋态的Fe 3 $d$ -壳层.计算的谱函数与实验PES和IPES数据符合得很好。计算成功地再现了高压下实验观察到的金属-绝缘体相变。与MnO和Fe $_2$ O $_3$（$d^5$构型）相比，其中金属-绝缘体转变伴随着高自旋到低自旋转变，在FeO（$d^6$构型）中，磁矩$\sqrt{<μ_z^2>}$的平均值在AP处的绝缘相中和在HP处的金属相中几乎相同，与X射线光谱数据（Phys.Rev.Lett. { \bf 83}，4101（1999））。金属-绝缘体跃迁是轨道选择性的，只有$t_{2g}$轨道表现出强相关金属的典型光谱函数（非常明显的哈伯德带和窄的准粒子峰），而$e_g$状态保持绝缘。
2010-07-27 cond-mat.str-el
Pressure-Induced Confined Metal from the Mott Insulator Sr3Ir2O7
自旋轨道莫特绝缘体Sr 3 Ir 2 O 7提供了一个迷人的游乐场，探索绝缘体-金属过渡驱动的交织的电荷，自旋和晶格自由度。在这里，我们报告的高压电阻和共振非弹性X射线散射测量单晶Sr 3 Ir 2 O 7高达63 - 65 GPa在300 K。该材料在59.5 GPa下成为受限金属，在ab平面中显示金属性，但沿c轴显示绝缘行为。这种不寻常的现象类似于铜氧化物超导体中的奇异金属相。由于在X射线测量中没有自旋轨道或库仑相互作用崩溃的迹象，这种新型的绝缘体金属转变可能是由附近压力下的一阶结构变化驱动的。我们的发现指出了一种合成功能材料的新方法。
2016-05-24 cond-mat.str-el
Pressure dependence of phase transitions in the quasi one-dimensional metal-insulator transition system beta-Na1/3V2O5
用磁化率和电阻率测量方法研究了准一维钒氧化物$β$ -Na $_{1/3}$ V $_2$ O $_5$的相变与压力的关系。各种转变温度的压力依赖性是完全不同的。在T=240 K的过渡，以前报道，并归因于Na网站上的顺序，和第二个过渡在$T \approx 222$ K，这里首次报道，并归因于进一步增加的顺序Na网站，几乎是独立的压力。另一方面，金属-绝缘体（MI）转变在$T_{MI}=130$ K移动到较低的温度，而磁转变在$T_N=24$ K移动到较高的温度随着压力的增加。我们讨论了不同的压力依赖性的$T_{MI}$和$T_N$在增加链间耦合和MI过渡Peierls型。
2002-03-11 cond-mat.str-el
Gate-tuned Superconductor-Insulator transition in (Li,Fe)OHFeSe
反铁磁（AFM）绝缘体-超导体转变一直是非常规超导体物理研究的热点。在高Tc铜氧化物超导体中掺杂载流子，可以诱导原子力显微镜观察到的莫特绝缘体与超导体之间的量子相变。对于表征最好的有机超导体k-（BEDT-TTF）2X（X=阴离子），AFM绝缘体和超导体之间的一级转变可以通过外加压力或化学压力来调节。此外，超导状态可以直接从AFM绝缘体通过在Cs3 C60中施加压力来开发。这些相图的相似之处暗示了一个普遍的机制，在靠近AFM绝缘体的非常规超导性。然而，铁基高温超导体中的超导电性是通过掺杂载流子从AFM坏金属演变而来的，迄今为止还没有观察到超导体-绝缘体转变。在这里，我们报告了一个从超导体到绝缘体的一阶过渡与强电荷掺杂诱导的离子门控在薄片的单晶（Li，Fe）OHFeSe。的Tc不断增强与电子掺杂的离子门高达43 K的最大Tc，和一个惊人的超导体-绝缘体转变发生在最佳掺杂的最高Tc的边缘。绘制了具有超导体-绝缘体相变的温度门控电压相图，表明超导体-绝缘体相变是非常规超导的共同特征。这些结果有助于揭示铁基超导的物理基础以及高温超导的普遍机制。我们的发现还表明，栅极控制的强电荷掺杂使得以超越传统方法的方式探索新的物质状态成为可能。
2015-03-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pressure-driven metal-insulator transition in BiFeO$_3$ from Dynamical Mean-Field Theory
采用广义梯度修正局域密度近似和动态平均场论相结合的方法研究了BiFeO $_3$在压力作用下的金属-绝缘体相变.我们的顺磁计算被发现是在协议与实验相图：BiFeO 3在环境和高压下的磁性和光谱性质的计算三个实验晶体结构$R3c$，$Pbnm$和$Pm\bar{3}m$。在环境压力下，在$R3c$相，得到的绝缘间隙为1.2 eV，与其实验值吻合得很好。$R3c$和$Pbnm$相都具有与高自旋（HS）到低自旋（LS）转变同时发生的金属-绝缘体转变。$Pbnm$相的临界压力为25-33 GPa，与实验观察结果吻合得很好。高压和高温$Pm\bar{3}m$相表现出实验观察到的金属行为，以及在我们的计算中所考虑的压力的整个范围内，并在33 GPa下经历LS状态，其中实验观察到$Pbnm$到$Pm\bar{3}m$转变。对$Pbnm$结构进行的反铁磁GGA+DMFT计算结果表明，在43 GPa的临界压力下，MIT和HS-LS跃迁同时发生，与实验数据一致.
2015-03-03 cond-mat.str-el
Hysteretic behavior at the collapse of the metal-insulator transition in BaVS$_3$
电阻率作为温度，压力和磁场的函数，在高纯度和低纯度的BaVS $_3$单晶接近的临界压力值$p_{cr}$ $\approx$ 2 GPa，与零温度绝缘体到金属（MI）的转变。在1.8-2.0 GPa范围内，MI转变低于$\approx$ 20 K，可以观察到MI相边界在增加压力时突然塌陷，并且在固定压力下，磁场诱导绝缘体到金属转变。在高质量的样品中，这些特征伴随着作为温度和磁场的函数的所有测量的物理量的滞后。我们将这些观察结果归因于MI和磁相边界的交叉时，增加压力。
2007-12-20 cond-mat.str-el
Pressure induced suppression of the singlet insulator phase in BaVS$_3$: infrared optical study
本文研究了BaVS $_3$在常压和静水压力下的金属-绝缘体（MI）转变，其频率范围为$p=26 $ cm $^{-1}$ .由光学反射率确定的电荷间隙被增强，$Δ_{ch}(p)/k_BT_{MI}(p)\sim 12$。该比率与压力无关，表明转变的特征不沿$p-T$相边界变化。在高于临界压力$p_{cr}\sim20$ kbar时，在整个温度范围内记录金属光谱，正如从相图形状所预期的那样。我们的研究结果排除了在任何压力下$T_{MI}$以上的赝能隙的开放。$T_{MI}$以下的电荷间隙的一个异常强的温度依赖性被观察到，导致在一个$Δ_{ch}(T)$强烈偏离平均场的结构序参数的变化。
2003-11-17 cond-mat.str-el
Insulator to Metal Transition under High Pressure in FeNb$_3$Se$_{10}$
本研究通过压力调控发现非磁性 FeNb$_3$Se$_{10}$ 在约 3.0 GPa 时发生绝缘体—金属转变，更高压力下电阻率对温度和压力均不敏感，且结构至少维持至 4.4 GPa。
2024-09-10 cond-mat.str-el
Field-tuned ferroquadrupolar quantum phase transition in the insulator TmVO$_{4}$
我们报告的低温热容量，磁热效应和中子衍射测量的结果TmVO $_{4}$，绝缘体，经历了连续的铁四极相变与局部部分填充$4f$轨道的铥（Tm $^{3+}$）离子。铁四极跃迁是伊辛向列性的一种实现，可以使用沿着四极晶格的$c$轴取向的磁场来调谐到量子临界点，该磁场充当伊辛-伊辛序的有效横向场。在小磁场下，热相变可以很好地描述使用一个半经典的平均场处理的横向场伊辛模型。然而，在更高的磁场中，更接近场调谐的量子相变，由于量子涨落，观察到与这种半经典行为的细微偏差。虽然相变是由本地$4f$自由度驱动的，晶格仍然发挥着至关重要的作用，无论是在调解本地四极子之间的相互作用，并在确定临界标度指数，即使相变本身可以通过平均场来描述。特别是，双线性耦合的声学声子的序参量改变了空间和时间的波动，前者在一个根本的方式，导致不同的临界行为的磁横向场伊辛模型相比，通常情况下的磁横向场伊辛模型。我们的研究结果建立TmVO $_{4}$作为模型材料，和电子向列性作为一个范例，在绝缘体的量子临界。
2021-11-02 cond-mat.str-el
Two pressure-induced transitions in TiOCl: Mott insulator to anisotropic metal
利用Car-Parrinello分子动力学方法研究了低维多轨道莫特绝缘体TiOCl在压力下的行为.我们表明，该系统经历{ \it两}连续相变，首先在$P_\text{c}$从莫特绝缘体的金属相在$ab$平面与强烈的钛钛二聚沿$b$。在压力$P'_\text{c} > P_\text{c}$下，二聚作用消失，系统表现为均匀的金属。这种第二次跃迁还没有在实验上报道过。我们发现，在$P_\text{c}$的绝缘体到金属的转变是由带宽的扩大，而不是结构的变化或减少晶场分裂，它显示了重新分配的电子占据内的$t_{2g}$频带。我们计算的压力依赖的晶格参数与实验观察一致，并讨论了在高压下晶体对称性变化的现有争议。
2008-08-31 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electronic properties and the nature of metal-insulator transition in NdNiO3 prepared at ambient oxygen pressure
报道了在常压氧压条件下制备的NdNiO_3的电子性质。在192 K下观察到的金属-绝缘体转变温度，但低温状态被发现是绝缘性较低相比，在高氧气压力下制备的NdNiO 3。电阻率、Seebeck系数和热导率在金属-绝缘体转变点以下表现出较大的滞后效应。金属态有效质量（m ~* ~ 8 me）较大，表明3d带的窄性。在低温（T = 2 - 20 K）下的导电由载流子的可变范围跳跃控制。
2017-04-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Kondo Insulator to Semimetal Transformation Tuned by Spin-Orbit Coupling
近藤绝缘体中拓扑非平凡电子态的最新理论研究指出了自旋轨道耦合（SOC）对稳定这些态的重要性。然而，系统的实验研究，调整SOC参数$λ_{\rm{SOC}}$在近藤绝缘体仍然难以捉摸。主要原因是（化学）压力或掺杂的变化强烈影响近藤耦合$J_{\text{K}}$和化学势$μ$ -这两个决定材料基态的基本参数-因此可能的$λ_{\rm{SOC}}$调谐效应仍然未被注意到。在这里，我们提出了成功的替代系列Ce $_3$ Bi $_4$（Pt $_{1-x}$ Pd $_x$）$_3$（$0 \le x \le 1$）的原型（非中心对称）近藤绝缘体Ce $_3$ Bi $_4$ Pt $_3$的生长。Pt-Pd取代是等结构、等电子和等大小的，因此可能使$J_{\text{K}}$和$μ$基本上保持不变。相比之下，$5d$元素Pt和$4d$元素Pd之间的大质量差导致$λ_{\rm{SOC}}$的大差异，因此$λ_{\rm{SOC}}$是系列中的主要调谐参数。令人惊讶的是，随着增加$x$（减少$λ_{\rm{SOC}}$），我们观察到近藤绝缘体半金属过渡，表现出前所未有的激烈的影响SOC。完全取代的终端化合物Ce $_3$ Bi $_4$ Pd $_3$显示最近预测的Weyl近藤半金属的热力学特征。
2017-06-16 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition and local-moment collapse in FeO under pressure
我们采用\emph{ab initio}能带结构方法和动力学平均场论相结合的方法来确定高温高压下顺磁性FeO的电子结构和相稳定性。我们的研究结果揭示了当压缩晶格体积超过73 GPa时，FeO的B1晶体结构中的高自旋到低自旋的转变。自旋态转变伴随着轨道选择性莫特金属-绝缘体转变（MIT）。发现在MIT处晶格体积坍缩约8.5%，这意味着电子自由度和晶格自由度之间存在复杂的相互作用。我们的结果的电子结构和晶格性质是在总体上与实验数据吻合得很好。
2015-05-21 cond-mat.str-el
Pressure suppression of the excitonic insulator state in Ta2NiSe5 observed by optical conductivity
层状硫属化合物Ta_2NiSe_5作为激子绝缘体（EI）的强有力候选者，最近引起了人们的极大兴趣。由于EI的物理性质被认为敏感地依赖于外部压力，因此澄清Ta 2NiSe 5中微观电子态的压力演化是重要的。本文报道了在高压至10 GPa和低温至8 K下测量的Ta_2NiSe_5的光学电导率[s（w）]。在环境压力下冷却时，s（w）产生约0.17 eV的能隙和在0.38 eV处的显著激子峰，如文献中已经报道的。随着压力的增加，能隙变窄，激子峰变宽。在Ps~3 GPa的结构转变之上，能隙变得部分填充，表明在EI态被压力抑制之后，Ta 2NiSe 5是半金属。在较高的压力下，s（w）表现出没有能隙的金属特性。详细的压力演化的s（w），并讨论了激子关联与压力的减弱。
2022-08-25 cond-mat.str-el
Universal scaling near band-tuned metal-insulator phase transitions
本研究基于久保形式论构建带调谐金属-绝缘体相变理论，揭示其电阻率标度行为与临界化学势处的幂律发散，解释易被误判的“假绝缘体”区域，并定量阐释高温金属的Mooij关联。
2023-07-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Pressure-induced metal-insulator transition in LaMnO3 is not of Mott-Hubbard type
采用局域密度近似结合静态和动态平均场论（LDA+U和LDA+DMFT）的计算表明，室温下在32 GPa下观察到的顺磁性LaMnO 3的金属-绝缘体转变不是Mott-Hubbard转变，而是由多数自旋eg带的轨道分裂引起的.对于LaMnO 3在低于32 GPa的压力下绝缘，需要就地库仑排斥和Jahn-Teller畸变。
2006-05-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Pressure-induced concomitant topological and metal-insulator quantum phase transitions in Ce$_3$Pd$_3$Bi$_4$
采用动态平均场论结合密度泛函理论，系统研究了Ce $_3$、Pd $_3$、Bi $_4$在18 K ~ 290 K温度范围内不同晶胞体积下的电子性质和磁化率.通过外推到零温，发现Ce $_3$ Pd $_3$ Bi $_4$在常压下的基态是一种相关的半金属，这是由于杂化不足造成的.在施加压力时，杂交强度增加，并在有限的温度下观察到一个交叉近藤绝缘体。近藤单线态形成的特征温度信号，以及与$f$ -电子离域-定域变化相关的特征温度，同时在0.992 $V_0$的临界体积附近消失，表明这种金属-绝缘体转变可能与量子临界点相关。最后，威尔逊环计算表明近藤绝缘侧是拓扑平凡的，因此拓扑转变也发生在量子临界点。
2022-02-07 cond-mat.str-el
Transition of a prestine Mott insulator to a correlated Fermi liquid: Pressure-dependent optical investigations of a quantum spin liquid
对二维有机量子自旋液体$β^{\prime}$-EtMe $_3$ Sb [Pd（dmit）$_2$] $_2$的系统的压力和温度依赖的红外研究揭示了莫特绝缘体-金属转变的电子和晶格演化。不断增加的流体静压力抑制绝缘的基态; $p>0.6$~GPa，德鲁德类组件的发展表明在费米能级的相干准粒子的外观。在Mott跃迁附近，不仅电子态迅速变化，而且振动模式在频率和Fano常数上都出现了跳跃，表明晶格与电子之间存在强耦合。在0.6GPa以上，面内光学响应的各向异性发生反转。研究结果进行了详细讨论，并总结在相图包括不同的实验方法。
2019-01-31 cond-mat.str-el
Memory in strain-tuned insulator-metal-insulator sequence of transitions after photoexcitation in the Mott material V2O3
本研究通过跨越9个数量级的时间分辨X射线衍射，发现V2O3薄膜光激发后金属-绝缘体转变时间因记忆效应变化5个数量级，遵循极度拉伸指数衰减，揭示了转变势垒的异质性。
2025-09-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Pressure effect and Superconductivity in $β$-Bi$_4$I$_4$ Topological Insulator
本文详细研究了准一维拓扑绝缘体的$β$ -Bi $_4$ I $_4$的输运系数.电阻率，热电功率，热导率和霍尔系数的测量是一致的，在低温下的电荷密度波顺序的可能外观。电子和空穴都有助于$β$/$_4$中的传导，并且由于温度依赖的载流子密度和迁移率，载流子的主要类型随温度而变化。电阻率和Seebeck系数的测量静水压力下高达2 GPa的电荷密度波的顺序，以更高的温度表明在环境压力下强烈的一维字符的移位。令人惊讶的是，在高于10 GPa的4.0 K下，在$β$ $_4$ I $_4$中诱导超导性，当压力增加到20 GPa时，该温度略微降低.经压力处理的样品的化学表征表明，$β$ -Bi $_4$ I $_4$在压力下发生非晶化，并排除了在室温条件下分解成Bi和Bi I $_3$的可能性。
2017-02-15 cond-mat.str-el
Pressure-induced metal-insulator and spin-state transition in low-valence layered nickelates
从头计算预测，在零温度下的金属-绝缘体转变发生在La $_4$ Ni $_3$ O $_8$在中等压力下作为压力诱导的自旋态转变的结果。已经观察到在105 K在环境压力下从低温高自旋状态到高温低自旋状态的自旋状态转变随着压力的施加而向较低温度转移。从我们的计算中，我们发现，较小的晶胞体积有利于金属低自旋态，它变得更稳定，在5 GPa。类似的物理现象应该发生在相关化合物La $_3$ Ni $_2$ O $_6$中，但在不同的能量尺度上，这可能解释了为什么在这种材料中没有观察到跃迁。
2011-06-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Pressure-induced transition from a Mott insulator to a ferromagnetic Weyl metal in La2O3Fe2Se2
该研究结合高压输运、XRD与第一性原理计算，发现La2O3Fe2Se2在约37 GPa下无结构相变地由反铁磁Mott绝缘体转为具有六对近Fermi能级Weyl点的铁磁Weyl金属。
2023-04-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Pressure dependent relaxation in the photo-excited Mott insulator ETF2TCNQ: Influence of hopping and correlations on quasiparticle recombination rates
测量了一维莫特绝缘体ET-F2 TCNQ中光激发准粒子的飞秒弛豫随外压的变化，并利用外压对电子结构进行了调谐.通过拟合的静态光学性质和测量飞秒衰减时间在每个压力值，我们关联的弛豫速率与电子带宽t和上的位间相关能V的弛豫时间与微观参数的缩放是不同的金属和半导体。Mott-Hubbard激子的局域化和离域化之间的竞争决定了衰变的效率，如通过基于时间依赖的扩展Hubbard哈密顿量的解的拟合所暴露的。
2015-02-23 cond-mat.str-el
Mechanism of the insulator-to-metal transition and superconductivity in the spin liquid candidate NaYbSe$_2$ under pressure
最近报道了量子自旋液体候选物NaYbSe $_2$在压力下表现出Mott转变。在高压金属相中观察到了超导性，这就提出了关于它与低压量子自旋液体基态的关系的问题。本文将密度泛函理论和动力学平均场理论相结合，探讨了高压下绝缘体-金属转变和超导性的基本机制，并建立了高压下电子相的全貌。我们的研究结果表明，NaYbSe $_2$是一个电荷转移绝缘体在环境压力。然而，当压力增加时，系统首先进入半金属状态，伴随着与共存的局域Yb- $4f$矩的非相干近藤散射，然后变成重费米子金属。在这两者之间，可能存在一个离域量子临界点，该临界点是导致观察到的具有线性$T$电阻率的非费米液体区域的原因。因此，绝缘体到金属的转变是一个两阶段的过程。超导性出现在重费米子相与良好嵌套的Yb-4 $f$费米表面，表明自旋波动可能在库珀配对中发挥作用。因此，NaYbSe $_2$可能是第三种Yb基重费米子超导体，其$T_c$比大多数重费米子超导体都“高”$T_c$。
2021-08-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Emergence of charge degrees of freedom under high pressure in an organic dimer-Mott insulator $β^{\prime}$-(BEDT-TTF)$_2$ICl$_2$
为了研究高压下具有超导电性的反铁磁二聚体-Mott（DM）绝缘体$β^{\prime}$ -（BEDT-TTF）$_2$ ICl $_2$的电子结构的演化，我们测量了高压下的偏振红外光谱.在环境压力下，两个特征频带内和interdimer电荷转移已被观察到的IR光谱，支持这种盐是一个典型的半填充DM绝缘体在环境压力下。然而，随着压力的增加，intradimer电荷转移激发转移到低得多的能量，表明有效的电子状态的变化，从半填充到3/4填充的结果，削弱二聚化。这意味着系统在高压下接近电荷有序状态，其中电荷自由度成为一个重要因素。结果表明，二聚体内部的电荷涨落在高温超导中起着重要的作用。
2015-08-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pressure-induced superconductivity in topological insulator Ge2Bi2Te5 and the evolution with Mn doping
Anhui University（安徽大学）；Renmin University of China（中国人民大学）；ShanghaiTech University（上海科技大学）；Beijing University of Posts and Telecommunications（北京邮电大学）
本研究通过高压诱导Ge2Bi2Te5中出现超导性，并揭示Mn掺杂对其超导性和磁性竞争的影响。
2026-01-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Nearly room temperature ferromagnetism in pressure-induced correlated metallic state of van der Waals insulator CrGeTe$_3$
二维vanderWaals（vdW）材料中库仑排斥、自旋轨道耦合和Hund耦合能等不同能量尺度之间的复杂相互作用产生了新的新兴物理状态。例如，vdW电荷转移绝缘体CrGeTe $_3$中的铁磁性提供了一个有前途的平台，以使用几层厚的材料同时操纵潜在器件实现的磁和电特性。在这里，我们展示了一个连续调谐的磁和电性能的CrGeTe $_3$单晶使用压力。随着压力的施加，CrGeTe $_3$从室温下居里温度为$T_{\rm{C}} \sim $ 66 K的FM绝缘体转变为相关的2D费米金属，$T_{\rm{C}}$超过$\sim$ 250 K。值得注意的是，在绝缘体-金属转变（IMT）中没有伴随的结构畸变表明，电子基态的压力引起的修改是由电子相关驱动的，这提供了vdW材料中带宽控制IMT的罕见示例。
2021-07-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Pressure-Driven Orbital Selective Insulator to Metal Transition and Spin State Crossover in Cubic CoO
采用密度泛函理论结合动力学平均场论方法研究了CoO在高压下的金属-绝缘体和自旋态转变.计算结果表明，CoO的金属-绝缘体相变是一种典型的轨道选择性Mott相变，Co 3d壳层的$t_{2g}$轨道在60 GPa附近首先变为金属态，而$e_g$轨道在170 GPa之前仍保持绝缘态.对Co 3d壳层自旋态的进一步研究表明，在中压区，Co 3d壳层的高自旋态是Mott相的主要稳定态，而从该相到完全金属态的转变是由Co $^{2+}$离子的高自旋到低自旋的转变驱动的.我们的结果与最近的运输和高压下的X射线发射实验符合得很好。
2011-12-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Pressure-Tuned Collapse of the Mott-Like State in Ca_{n+1}Ru_nO_{3n+1} (n=1,2): Raman Spectroscopic Studies
本文报道了Ca_3Ru_2O_7（T_N=56 K）和Ca_2RuO_4（T_N=110 K）Mott相的压致坍塌的Raman散射研究。这些材料中声子和双磁振子激发的压力依赖性表明：（i）在P ~* ~ 55 kbar（Ca_3Ru_2O_7）和P ~* ~ 5-10 kbar（Ca_2RuO_4）以上，反铁磁绝缘相的压力诱导崩塌，反映了Ru-O八面体畸变对稳定反铁磁绝缘相的重要性;（ii）在Ca_2RuO_4的临界压力以上存在AF相关性的证据，表明AF绝缘体和铁磁金属相存在相分离。
2002-08-02 cond-mat.str-el
Pressure-Induced Simultaneous Metal-Insulator and Structural-Phase Transitions in LiH: a Quasiparticle Study
采用局域密度近似（LDA）和全电子GW近似（GW）方法，预测了氢化锂在压力作用下发生约1%体积崩塌的金属-绝缘体相变（MIT）和结构相变. LDA错误地预测MIT发生在结构相变之前。作为副产品，它示出，只有使用的广义梯度近似与零点振动一起产生的平衡晶格参数，体积模量，和状态方程，与实验结果非常吻合。
2003-02-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Pressure induced Insulator-Metal transition in LaMnO$_3$
绝缘体到金属转变（IMT）的最新观察[I. Loa等，PRL 87，125501（2001）]在纯LaMnO $_3$中在32 GPa和室温下，远高于Neel温度（145 K）和低于Jahn-Teller转变温度（780 K），为研究轨道自由度对化学计量材料中电子结构的作用开辟了道路。在本文中，我们集中我们的注意力在轨道方面的绝缘体到金属过渡。我们使用的模型哈密顿的$e_g$轨道的Mn，其中包括在现场库仑排斥$U$，跳跃$t$，其与压力的依赖性。为了包括在一个适当的方式，由主导的电子-电子相互作用引起的强关联，我们引入辅助场（从属玻色子，SB）的低能态的描述。我们使用O-Mn距离（$d$）依赖性的$t$和压力- $d$的关系从实验数据来描述的电子结构随压力的演变。我们的研究结果证实并透明的结论在以前的从头计算：库仑能量的列入是必要的，并构成了一个重要的因素，提高这些化合物的轨道极化。
2007-06-01 cond-mat.str-el
Superconductivity on the localization threshold and magnetic-field-tuned superconductor-insulator transition in TiN films
介绍了超薄超导TiN薄膜电阻的温度和磁场相关测量。零场电阻的温度依赖性的分析表明一个潜在的绝缘行为，当考虑到Aslamasov-Larkin波动的贡献。这证明了超导相和绝缘相共存以及从一个直接过渡到另一个的可能性。磁场数据的标度行为与二维超导体中由量子相位涨落驱动的超导体-绝缘体转变（SIT）相一致。分析了SIT高场侧等磁电阻数据的温度依赖性，并证实了绝缘相的存在。在高磁场下，发现了从绝缘相到金属相的转变，其中电阻的零温渐近值等于h/e ^2。
2004-09-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pressure-Tuned Point-Contact Spectroscopy of URu2Si2 from Hidden Order to Antiferromagnetic States: Similarity of the Fermi Surface Gapping
我们报告的软点接触光谱研究URu2Si2在隐藏顺序（HO）和大力矩反铁磁（LMAF）的状态访问的压力。在环境压力下的HO状态下，光谱显示出两个非对称的峰周围的费米能量出现低于隐藏的顺序温度T_{HO}。在较高压力下的LMAF态中，光谱与HO态中的光谱非常相似，表明HO和LMAF态中存在类似的费米表面间隙，并为解开令人困惑的HO态提供了新的线索。
2011-12-23 cond-mat.str-el
Magnetically Tuned Metal-Insulator Transition in LaAlO$_3$/SrTiO$_3$ Nanowire Arrays
本文在 LaAlO$_3$/SrTiO$_3$ 界面构建可调耦合的纳米线阵列，发现磁调谐金属-绝缘体转变，并提出耦合双线最小模型解释其机制，为关联材料奇异行为的类比量子模拟提供平台。
2025-01-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
