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arXiv 1012.2379cond-mat.mtrl-sci
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对“双层石墨烯-BN异质结构中的可调谐带隙”一文的评论

Comment on "Tunable Band Gaps in Bilayer Graphene-BN Heterostructures"

J. Slawinska, I. Zasada, P. Kosinski, Z. Klusek

摘要:

我们采用紧束缚和密度泛函方法研究了h-BN/graphene/h-BN ABC叠层体系的电子性质。我们评论Ramasubramaniam等人(arxiv:1011.2489)的最近工作,他们的结果似乎与我们最近的计算不一致。详细的分析证实了我们以前的结论。

英文摘要:

We study the electronic properties of h-BN/graphene/h-BN ABC-stacked trilayer systems using tight binding and DFT methods. We comment on the recent work of Ramasubramaniam et al. (arxiv:1011.2489) whose results seem to be in disagreement with our recent calculations. Detailed analysis reaffirms our previous conclusions.

机构、总结、中文摘要均由AI分析而来,可能存在错误,请以论文正文为准。

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