Electronic crystals: an experimental overview
本文综述了电子自发形成超结构的静态和动态性质。这种电子晶体的代表是无机和有机低维材料中的电荷密度波和自旋密度波。特别注意的是这些超结构的钉扎和滑动的集体效应，以及在低温下的玻璃性质。分析了有机材料中由于相关效应而产生的电荷有序和电荷分离现象。实验下的磁场，更具体地说，场致电荷密度波进行了讨论。介观和纳米结构的电荷密度波的性质也进行了评论。
2013-07-03 cond-mat.str-el
Electronic Properties of BaPtP with a Noncentrosymmetric Cubic Crystal Structure
我们报告的合成，电子性质，和电子结构的LaIrSi型BaPtP与非中心对称的立方晶体结构。多晶样品的电阻率和热容数据表明BaPtP是一种金属，这进一步得到了第一性原理计算的支持。BaPtP的多晶样品由于超导转变而在0.2K以下显示出零电阻率。第一性原理计算结果表明，BaPtP在费米能级附近的自旋劈裂较大。这些结果表明，BaPtP可能表现出有趣的物理性质所造成的Pt原子中的5d电子的强自旋轨道耦合。
2019-11-06 cond-mat.str-el
Effects of Crystalline Electronic Field and Onsite Interorbital Interaction in Yb-based Quasicrystal and Approximant Crystal
为了深入了解最近在准晶体Yb $_{15}$ Al $_{34}$ Au $_{51}$和近似晶体（AC）Yb $_{14}$ Al $_{35}$ Au $_{51}$中发现的一种新的量子临界现象，我们讨论了在AC中Yb处的晶体电场（CEF）的性质，并表明由于Al/Au混合位的存在，在每个Yb位上会出现不均匀的CEF能级.然后通过在Yb的4f和5d轨道之间引入库仑排斥，构造了AC上电子态的极小模型。基态的数值计算表明，Yb价态的晶格常数依赖性很好地解释了最近通过在准晶和AC中Al和Au元素的系统替代所做的测量，其中准晶Yb $_{15}$ Al $_{34}$ Au $_{51}$正好位于Yb价态开始剧烈变化的点处。我们的计算令人信服地表明，这确实是证据，该材料是位于量子临界点的Yb-价跃迁。
2018-04-13 cond-mat.str-el
Spin-charge interplay in electronic liquid crystals: fluctuating spin stripe driven by charge nematic
我们研究电子液晶态中电荷和自旋有序之间的相互作用，特别强调在最近的中子散射实验\cite{Hinkov2008, Haug2009}中观察到的自旋条纹波动现象。基于一个唯象模型，我们提出，在$_2$ $_{6+y}$的动态结构因子中，在波矢$_3$附近形成与温度相关的无公度非弹性峰的背后确实存在电荷有序.我们加强这一主张，提供了一个令人信服的适合的实验数据，不能复制的其他一些订购的可能性。
2010-04-23 cond-mat.str-el
Quantum criticality and the formation of a putative electronic liquid crystal in Sr3Ru2O7
我们提出了一个简短的回顾Sr3Ru2O7的物理性质，在磁场调谐的量子临界点的方法被切断的形成一个新的阶段与传输特性一致的电子液晶。我们的目标是总结导致得出这一结论的物理学，描述关键实验并讨论已采用的理论方法。在整个评论中，我们还试图强调尚未理解的观察，并讨论未来需要通过实验和理论来解决的挑战。
2012-05-22 cond-mat.str-el
Inverse Melting of an Electronic Liquid Crystal
逆熔化是指一种罕见的热力学现象，其中固体在冷却时熔化成液体，这种转变只有在有序（固体）相比无序（液体）相具有更多熵时才会发生，并且到目前为止只在少数系统中观察到。在这里，我们报告的第一个实验观察到的反熔融的电子液晶顺序掺锶镧镍酸盐，化合物同构的超导铜酸盐，空穴掺杂浓度为1/3。利用X射线散射，我们证明了各向同性的电荷调制驱动到七阶的波动自旋，并显示出逆熔化过渡。使用唯象朗道理论，我们表明，这种逆熔化转变是由于层间耦合的电荷和自旋订单。这一发现指出了层间关联在系统中的重要性，并为研究强关联电子系统中电子液晶相的复杂性质提供了一个新的视角，可能包括Cu基和Fe基高温超导体。
2014-10-25 cond-mat.str-el
Crystal growth, characterization and electronic band structure of TiSeS
本文研究了TiSeS单晶的生长与表征，结合DFT计算与ARPES实验发现其具有与TiSe2相似的能带结构但电子和空穴口袋更小，输运测量显示金属态且无CDW证据。
2023-02-13 cond-mat.str-el
Ultrafast switching to a stable hidden topologically protected quantum state in an electronic crystal
如果一个失去平衡的系统可以被诱导沿着一条轨迹到达一个在正常平衡条件下无法到达或甚至不存在的状态，那么就可能产生具有新颖和不寻常性质的隐藏态。在这里，我们报告的发现，一个隐藏的（H）拓扑保护的电子状态在层状二硫属化物1 T-TaS 2晶体达到的结果，由一个单一的35 fs的激光脉冲引起的淬火。H态的性质明显不同于系统的任何其他状态：它表现出电阻的大幅度下降，强烈修改的单粒子和集体模式光谱以及光学反射率的显着变化。特别重要和不寻常的是，H状态在任意长的时间内是稳定的，直到施加激光脉冲、电流或热擦除过程，使其恢复到热力学基态。主要观察到的事件可以再现的动力学模型描述的光激发的电子和空穴转换成电子有序的晶体，从而将一个莫特绝缘体的导电H状态。它的长期稳定性来自于电子晶体中周期数的拓扑保护。
2014-04-07 cond-mat.str-el
Electronic Liquid Crystal Phases in Strongly Correlated Systems
在这堂课中，我将讨论相关电子系统中的电子液晶（ELC）相，这些相是什么以及它们在什么环境中出现。我将回顾在各种系统中这些相的最强有力的实验证据：磁场中的二维电子气，双层材料Sr $_3$ Ru $_2$ O $_7$（也在磁场中），以及铜氧化物超导体（以及最近的磷属元素化物材料）中的一系列现象，这些现象可以用ELC相来最简单地理解。最后，我们将回顾这些阶段的理论，重点是有效场论的描述和一些已知的机制，可能会导致这些阶段在特定的模型。
2012-12-21 cond-mat.str-el
Temperature dependence of electronic and magnetic properties of (DOEO)$_4$[HgBr$_4$]TCE single crystals
用磁法研究了有机电荷转移盐（DOEO）$_4$ [HgBr $_4$ ]TCE的电子和磁性随温度的变化关系。电子输运性质揭示了三个不同的阶段，这与不同的磁耦合现象。在低温绝缘相（T<70 K），在Néel温度T $_N$ =40 K以下，两个磁矩不同位置之间的反铁磁耦合导致反铁磁有序。在70-120 K温度范围内，（DOEO）$_4$ [HgBr $_4$ ]TCE表现出类金属性质，随着温度的进一步升高，由于载流子的巡游特性丧失和跳跃电导率增加，它变成了一种坏金属。
2014-11-11 cond-mat.str-el
X-ray scattering study of pyrochlore iridates: crystal structure, electronic and magnetic excitations
利用共振弹性X射线散射、X射线粉末衍射和共振非弹性X射线散射（RIXS）研究了焦绿石铱酸盐Eu 2 Ir 2 O 7和Pr 2 Ir 2 O 7的结构、电子和磁性。Eu 2 Ir 2 O 7的结构参数已被检查作为温度和施加的压力的函数，特别强调的电子和磁相变已被报道的相图的区域。我们没有发现任何证据的晶体对称性的变化范围内的温度（~6至300 K）和压力（~0.1至17 GPa）的研究。我们还研究了电子和磁激发的Eu_2Ir_2O_7和Pr_2Ir_2O_7单晶样品使用高分辨率Ir L_3边RIXS。尽管有非常不同的基态性质，我们发现这些材料表现出定性相似的激发光谱，与晶体场激发在~3-5 eV，自旋轨道激发在~0.5-1 eV，和广泛的低激发低于~0.15 eV。在Eu 2 Ir 2 O 7中，我们观察到高阻尼的磁激发在~45 meV，这显示出显着的动量依赖性。我们比较这些结果与最近的动力学结构因子计算。
2015-10-27 cond-mat.str-el
Crystal field splitting and correlation effect on the electronic structure of A2IrO3
用共振非弹性X射线散射（RIXS）方法研究了蜂窝晶格铱酸盐Na_2IrO_3和Li_2IrO_3的电子结构.在高分辨率RIXS光谱中解决了晶场分裂d-d激发。特别是，由于非立方晶场的分裂，来自分裂的j_eff=3/2的状态，是远远小于典型的自旋轨道能量标度的虹膜酸盐，验证了适用性的j_eff物理A2 IrO 3。我们还发现激子增强的粒子-空穴激发间隙约0.4 eV，表明最近邻库仑相互作用可能是大的。这些发现表明，Na 2 IrO 3和Li 2 IrO 3都可以被描述为自旋轨道莫特绝缘体，类似于方形晶格的铱酸盐Sr 2 IrO 4。
2012-09-24 cond-mat.str-el
Single crystal structural study of the charge ordered phase of Pr0.6Ca0.4MnO3: electronic localization beyond the atomic level
在R1/2D 1/2 MnO 3锰氧化物（R：稀土，D：二价阳离子）中，Tco处的结构相变通常被解释为由协同的Jahn-Teller效应和库仑排斥力驱动的伴随电荷和轨道有序（CO/OO）过程。完整的晶体结构细化，从中子衍射实验低于Tco的Pr0.6Ca0.4MnO3单晶，给我们一个模型的位移原子相对于高温（HT）相，失效的标准模型的基础上的CO/OO图片。另一种观点是，相变和Tco处的电荷局域化来自铁磁Mn-Mn对的空间有序凝聚，其中Mn原子保持中间价态。
2001-11-16 cond-mat.str-el
Electronic structure and physical properties of EuAuAs single crystal
高品质的EuAuAs单晶体的研究通过粉末X射线衍射，磁化强度，磁化率，热容，电阻率和磁阻测量。该化合物以ZrSiBe型（空间群$P6_3/mmc$）的六方结构结晶。由于二价Eu离子的磁矩，在低于6 K时，它具有反铁磁性。电阻率表现出金属行为下降到40 K，随后在低温下急剧增加。的磁输运等温线显示出一个明显的变磁性与磁化数据一致的过渡。在\textit{ab initio}电子能带结构计算中证实了\mbox{EuAuAs}的反铁磁基态。最值得注意的是，计算揭示了没有自旋轨道耦合的节线和包含自旋轨道耦合的狄拉克点的存在。在有效时间反演和反演对称性下的\textit{Z} $_2$不变量使该系统成为非平凡的拓扑材料。我们的研究结果，结合实验分析，使EuAuAs的一个合理的候选人的反铁磁拓扑线半金属。
2022-08-22 cond-mat.str-el
Electronic and magnetic properties of small one-dimensional Wigner crystals from an ab initio approach
Univ Toulouse（图卢兹大学）；CNRS（法国国家科学研究中心）；LPT（理论物理实验室）；European Theoretical Spectroscopy Facility (ETSF)（欧洲理论光谱设施）；LCPQ（量子化学与物理实验室）
该研究针对碳纳米管中少电子维格纳晶体的实验观测，采用从头算方法结合全组态相互作用，计算小型一维维格纳晶体的电子分布与交换耦合常数，结果与文献高度吻合。
2026-07-30 cond-mat.str-el
Role of orbital selectivity on crystal structures and electronic states in BiMnO$_3$ and LaMnO$_3$ perovskites
相关的氧化物，如BiMnO $_3$和LaMnO $_3$，显示出复杂的电子相关性和晶体结构的相互作用，表现出多个一阶相变，一些没有明确的序参量。这种温度依赖性的电子结构的相互作用在附近的莫特转变的定量理论描述仍然是一个挑战。在这里，我们解决这个问题，同时考虑结构和电子自由度，在自洽的密度泛函理论与嵌入式动态平均场论。我们的研究结果表明，存在的新的电子状态，其特征在于共存的绝缘，半金属和金属轨道。这种状态与共振X射线散射一致。我们还表明，电子熵起着决定性的作用，在电子和结构相变。通过自洽确定的电子状态和相应的晶体结构，我们表明，这些阶段的温度演化可以从第一性原理定量解释，从而证明了预测能力的理论方法的结构和电子性能。
2022-12-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Crystal growth and electronic properties of a 3D Rashba material, BiTeI, with adjusted carrier concentrations
3D Rashba材料可以成为自旋相关新现象的主要参与者，从金属极端（非常规超导性）到传输中间体（自旋霍尔效应）再到新的绝缘变体（3D拓扑绝缘态）。作为这种3D Rashba材料的基础和应用研究的重要支柱，这项研究建立了候选化合物BiTeI的相当大的单晶的生长，并调整了载流子浓度。采用三种技术（标准垂直布里奇曼、改进的水平布里奇曼和蒸气传输），并通过所选技术成功地生长了具有从金属到绝缘的根本不同的电子状态的BiTeI晶体（> 1 * 1 * 0.2 mm 3）。通过相对论第一性原理计算，得到了BiTeI晶体中载流子浓度的三维Rashba电子态，包括费米面拓扑.
2013-03-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Melting of electronic and excitonic crystals in 2D semiconductor moiré patterns: a perspective from the Lindemann criterion
该研究利用Lindemann判据分析二维半导体莫尔图案中电子/激子晶体的熔化机制，明确二维屏蔽、莫尔限制对晶体形成的作用，并估算出其熔化临界温度范围为几十开尔文至100开尔文以上。
2023-10-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Ultrafast filling of an electronic pseudogap in an incommensurate crystal
利用角分辨和时间分辨光电子能谱研究了准周期晶体（LaS）1.196（VS 2）。电子态的色散与计算的无公度畸变的VS 2平板的能带结构定性一致。尽管如此，光谱显示温度依赖的赝能隙，而不是准粒子交叉。在50 K的突然光激发诱导的电子赝能隙的部分填充内小于80 fs。电子能量在可比较的时间尺度上流入晶格模式。我们把这个令人惊讶的短时间尺度归因于一个非常强的电子-声子耦合的无公度失真。这一结果为非周期结构和准晶中的电子局域化提供了理论依据。
2013-01-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electronic liquid crystal state in the high-temperature superconductor YBCO(6.45)
最近在毫开尔文温度下半导体异质结构和金属氧化物的输运实验中发现了具有与常规液晶相匹配的对称性的电子相。本文报道了高温超导体YBa_2Cu_3 O_（6. 45）在冷却到~150 K以下时，自旋系统的一维无公度调制的自发发生，而在2 K以上时，静态磁序消失.这种调制与温度和掺杂的演变平行的电阻率的面内各向异性，表明在很宽的温度范围内是稳定的电子相变。结果表明，软自旋涨落是一个微观途径，电子液晶，并在欠掺杂铜酸盐的高温超导性可以共存的有序。
2008-07-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic and structural properties of crystalline and amorphous (TaNbHfTiZr)C from first principles
高熵材料因其力学、化学和电学性质而引起人们极大的兴趣。本文采用密度泛函理论（DFT）对（TaNbHfTiZr）C（一种碳化物型高电子显微镜）的晶相和非晶相进行了分析。我们发现，松弛的晶格体积的非晶相是较大的，而它的体积模量是较低的，比它的结晶对应。两个相都是金属的，所有过渡金属对接近费米能级的态密度（DOS）的贡献类似，其中Ti和Nb给出了成比例的最大状态贡献。我们证实，尽管其结构非常复杂，2x2x2超晶胞是足够大的可靠模拟所提出的机械和电子性能的DFT。
2022-08-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Phonons of electronic crystals in two-dimensional semiconductor moiré patterns
本研究理论分析了二维半导体莫尔图案中三类电子晶体的声子特性，揭示了条纹晶体的稳定性差异、手性声子的产生条件及机制，为手性声子与拓扑声子器件研究提供新平台。
2023-04-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Doping evolution of the electronic specific heat coefficient in slightly-doped La2-xSrxCuO4 single crystals
详细的掺杂依赖的电子比热系数γ的La 2-xSrxCuO 4（LSCO）的单晶在轻微掺杂制度进行了研究。我们发现，γ系统地增加与掺杂，而且，即使在反铁磁（AF）制度的样品，γ已经获得有限的值，并与x的增长。这表明有限的电子态密度（DOS）是在AF机制中产生的，其中输运在低温下显示出强烈的局域化，这意味着该系统不是一个具有明显间隙的真正绝缘体，即使它仍然保持长程AF秩序。
2008-08-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic phonon-induced magnetism in moiré Mott-Wigner crystals
Sun Yat-Sen University (Zhuhai Campus)（中山大学（珠海校区））；Sun Yat-Sen University (Guangzhou Campus)（中山大学（广州校区））
研究莫尔 Mott - Wigner 晶体中磁性的产生，发现电子声子可诱导磁性，基于 Berry 相效应和谷 - 轨道耦合，低于临界温度会自发磁化，还提出用光激发手性电子声子调控磁性的方法。
2026-07-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Metallic ground state and glassy transport in single crystalline URh$_2$Ge$_2$: Enhancement of disorder effects in a strongly correlated electron system
本文详细研究了中等无序重费米子系统URh $_2$ Ge $_2$的电子输运性质。对于这种材料，我们发现在一个单一的晶体化合物的玻璃态电子输运。我们推导出的电导率的温度依赖性，并建立通过光学电导率和霍尔效应测量的金属性。电子输运性质的整体行为非常类似于金属玻璃，在低温下额外的轻微自旋无序的贡献。我们认为，这种玻璃态的电子行为在晶体化合物中反映了增强的无序效应的结果，强的电子相关。
2004-11-17 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Band-Gap-Dependent Electronic Compressibility of Carbon Nanotubes in the Wigner Crystal Regime
电子可压缩性，即基态能量对总电子数的二阶导数，是揭示系统相互作用强度的可测量的量，并且可以用于表征被称为维格纳晶体的电子的有序晶格。在这里，我们测量单个悬浮超净碳纳米管在低密度维格纳晶体制度的电子可压缩性。使用低温量子输运测量，我们确定的压缩性作为一个函数的载流子数在不同的带隙的纳米管。我们观察到两个定性不同的趋势，可压缩性与载流子数，这两个都可以解释使用的理论模型的维格纳晶体，占的带隙和所经历的载流子的限制电位。我们提取的相互作用强度作为单个纳米管的载流子数的函数，并表明，可压缩性可以用来区分强，弱相互作用制度。
2019-12-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Crystalline and electronic structure of single-layer TaS$_2$
在Au（111）衬底上外延生长单层TaS $_2$。所得的二维晶体采用1H多晶型物。电子结构由角分辨光电子能谱确定，并发现与密度泛函理论计算非常一致。发现单层TaS $_2$是强n型掺杂的，载流子浓度为每晶胞0.3（1）个额外电子。扫描隧道显微镜在4.7K以下没有观察到超导或电荷密度波态。
2016-06-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Electronic Correlations in Oligo-acene and -thiophene Organic Molecular Crystals
从第一性原理计算，我们确定了两个孔的低聚物并苯和噻吩分子在晶体中的库仑相互作用，作为低聚物长度的函数。在空穴的存在下的分子几何形状的松弛被发现是小的。相比之下，围绕带电低聚物的分子的电子极化将空穴之间的裸库仑排斥力降低了大约两倍。在所有情况下，有效的空穴-空穴排斥远大于计算的价带宽，这意味着在高掺杂水平的这些有机半导体的性质是由电子-电子相关性。
2004-10-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Computational study of antiferromagnetic and mixed-valent diamagnetic phase of AgF2: crystal, electronic and phonon structure and p-T phase diagram
本文首次采用基于密度泛函理论的方法、声子直接方法和准谐波近似方法，对鲜为人知的反铁磁AgF_2的混合价态AgIAgIIIF_4 β型的晶体结构、电子结构、晶格动力学和热力学稳定性进行了研究，并与已知的反铁磁AgIIF_2 α型进行了比较.计算状态方程，体模量，电子态密度，电子和声子能带结构，包括分析的光学活性模式和p T相图的α/β系统。这项研究表明，α在其存在的所有温度和压力下都优于β，但同时β在更宽的压力范围内动态稳定。β相的讨论在更广泛的背景下同构三元金属氟化物和isolectronic氧化物，包括NaCuO 2，参考化合物的存在的CuIII物种在高温oxocuprate超导体。
2020-08-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electronic Phonons in a Moiré Electron Crystal
Nanyang Technological University（南洋理工大学）；Sun Yat-Sen University (Zhuhai Campus)（中山大学（珠海校区））；Nanjing University of Aeronautics and Astronautics（南京航空航天大学）；École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)（洛桑联邦理工学院）；National Institute for Materials Science（物质材料研究机构）；University of Science and Technology of China（中国科学技术大学）；Sun Yat-Sen University (Guangzhou Campus)（中山大学（广州校区））
研究通过光散射测量在WS₂/WSe₂莫尔超晶格的莫特绝缘体和条纹相中观测到电子声子，揭示了相关电子系统的集体振动特性。
2025-12-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Multiband electronic transport in $α$-Yb$_{1-x}$Sr$_{x}$AlB$_{4}$ [x = 0, 0.19(3)] single crystals
我们报道了$α$ -Yb AlB、$_{4}$和$α$ -Yb $_{0.81(2)}$ Sr $_{0.19(3)}$ AlB $_{4}$中多带电子输运的证据.通过霍尔效应测量，两种化合物的多带输运在10 K以下显示出自身，而各向异性磁基态在$α$ $_{0.81(2)}$ Sr $_{0.19(3)}$ AlB $_{4}$中在3 K以下设定。我们的研究结果表明，Sr $^{2+}$取代提高电导率，但不改变重费米子杂化诱导的带的准粒子质量。
2016-08-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electronic phase diagram of LixCoO2 revisited with potentiostatically de-intercalated single crystals
用恒电位脱嵌单晶样品重新研究了LixCoO 2的电子相图。发现并分离出x ~ 0.87、0.72、0.53、0.50、0.43和0.33的稳定相用于物理性质研究。在10 K以下和200 K以下x分别为0.87和0.50的磁化率测量结果表明，样品中存在A型和链状反铁磁有序结构，与NaxCoO 2体系中的结果相似。同步辐射X射线劳厄衍射结果表明，在室温下，电子稳定相Li0.72CoO2没有Li空位超晶格有序.在x ~ 0.46-0.78的粉末样品中经常发现的~ 175 K附近的特殊磁异常不能通过这种单晶恒电位方法分离出来，这支持了先前提出的解释，即具有显著的热滞后和老化特性的表面稳定相。
2012-01-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Hydrodynamics of plastic deformations in electronic crystals
本文构建了描述电子晶体塑性形变的流体动力学框架，揭示了位错增殖导致电导率解除钉扎直至晶体熔化，并发现阻尼-衰减关系在塑性存在下仍对钉扎引起的相位弛豫成立。
2022-11-03 cond-mat.soft cond-mat.str-el hep-th
A Low Temperature Nonlinear Optical Rotational Anisotropy Spectrometer for the Determination of Crystallographic and Electronic Symmetries
来自晶体材料的非线性光学产生可以揭示其晶格结构和潜在的有序电子相的对称性，因此可以被利用作为基于衍射的散射探针的补充技术。虽然这项技术已成功地用于研究晶格和磁性结构的系统，如半导体表面，多铁性晶体，磁性薄膜和多层，具有挑战性的技术要求，阻止了其应用到过多的复杂的电子相发现在强关联电子系统。这些要求包括在微米长度尺度下探测小块单晶的能力、对整个非线性光学磁化率张量的灵敏度的需要、倾斜光入射反射几何形状和入射光频率可调谐性等。由于需要极端的样品环境，例如超低温、高磁场或高压，这些测量进一步复杂化。在这篇综述中，我们提出了一种新的实验结构，使用旋转光散射平面，满足所有上述要求。我们证明了我们的计划的有效性，通过使用光学二次和三次谐波产生的一个小批量的Sr $_2$ IrO $_4$单晶的微米尺度的面上的对称性测量。
2014-06-17 cond-mat.str-el physics.optics
Spin dynamics, electronic and thermal transport properties of two-dimensional CrPS4 single crystal
2-用化学气相输运法生长了二维CrPS 4单晶。通过室温X射线衍射、电阻率\r{ho}（T）、比热容CP（T）和电子自旋响应（ESR）测试，研究了该材料的晶体学、磁性、电子输运和热输运性质。CrPS 4晶体结晶成单斜结构。电阻率\r{ho}（T）显示出半导体行为，其中能隙Ea=0.166 eV。反铁磁（AFM）转变温度约为TN=36 K。沿c轴观察到由外加磁场引起的自旋翻转。讨论了CrPS_4单晶的磁相图。在TN处提取的磁熵约为10.8J/mol K，这与Cr ~（3+）离子S = 3/2时的理论值Rln（2S + 1）一致。根据平均场论，对TN以上磁化率进行拟合，得到层内和层间相互作用对应的磁交换常数J_1和J_c分别为0.143和-0.955 meV，与ESR测量结果一致。借助应变调节磁性，单层CrPS 4可能是开发二维磁性半导体的一个有希望的候选者。
2016-02-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electronic crystals and quasicrystals in semiconductor quantum wells: an AI-powered discovery
Massachusetts Institute of Technology（麻省理工学院）
本研究利用人工智能方法发现半导体量子井中的电子准晶体新相，揭示了金属和晶体相的电荷分布特性。
2026-10-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el quant-ph
A `checkerboard' electronic crystal state in lightly hole-doped Ca_{2-x}Na_{x}CuO_{2}Cl_{2}
空穴掺杂铜氧化物的相图显示在零温度下存在四种不同的电子相。其中常见的有莫特绝缘体、高转变温度超导体和金属相。第四阶段，ofunknown身份，发生在轻掺杂沿零温度约束的“pseudogap”制度。该政权富含奇特的电子现象，促使人们提出许多建议，认为它包含某种形式的隐藏电子秩序。在这里，我们提出了低温电子结构成像研究的轻空穴掺杂氧化铜：Ca_{2-x} Na_{x} CuO_{2} Cl_{2}。隧道光谱（在能量|E| >100 meV）显示电子提取概率大大超过那些注入，如预期的掺杂莫特绝缘体。然而，对于<100 meV的|E|，光谱表现出以E=0为中心的V形能隙。在这个间隙内的状态进行强烈的空间调制，与四个CuO_{2} -unit-cell正方形棋盘的空间相关性，独立于能量。复杂的原子尺度电子结构变化也存在于棋盘中。这些数据是一致的一个意想不到的晶体电子状态，可能是隐藏的电子秩序，存在于零温度赝能隙制度的Ca_{2-x} Na_{x} CuO_{2} Cl_{2}。
2004-09-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Interplay of electronic structure and unusual development in crystal structure of YbAuIn and Yb$_{3}$AuGe$_{2}$In$_{3}$
采用密度泛函理论（DFT）的第一性原理计算方法研究了Yb AuIn和Yb $_{3}$ AuGe $_{2}$ In $_{3}$的电子结构与六方晶胞参数之间的关系.计算结果表明，YbAuIn是一个中间价体系，Yb 4 \textit{f}态钉扎在费米能级上，而Yb $_{3}$ AuGe $_{2}$ In $_{3}$更接近整数价，Yb 4 \textit{f}态全部被占据.在LaAuIn和LuAuIn类似物上进行的结构弛豫揭示了在Yb中的\textit{c}参数的扩展$_{3}$ AuGe $_{2}$在$_{3}$中可归因于与中间价Yb相比二价Yb的尺寸更大。
2015-02-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Novel electronic structure induced by a highly strained oxide interface with incommensurate crystal fields
用角分辨光电子能谱研究了错配氧化物Bi $_{2}$ Ba $_{1.3}$ K $_{0.6}$ Co $_{2.1}$ O $_{y}$，它由岩盐结构的[Bi O/BaO]层和六方CoO $_{2}$层交替组成.首次揭示了这种高应变氧化物界面的详细电子结构。我们发现，在两个无公度的晶场作用下，电子被限制在界面的两侧，并从另一侧受到晶场的umklapp散射。此外，岩盐层上的高应变提高了其化学势，并诱导大的电荷转移到CoO $_{2}$层。此外，还发现了一种新的界面效应，即界面上电子-声子相互作用的增强。这些电子性质的发现为设计未来的功能氧化物界面奠定了基础。
2008-06-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Bulk crystal growth and electronic characterization of the 3D Dirac Semimetal Na3Bi
用熔融Na助熔剂生长出了具有大（001）面的高质量六角片状Na 3Bi晶体。通过低温扫描隧道显微镜（STM）和角度分辨光电子能谱（ARPES）分析新鲜切割的晶体，允许表征三维（3D）狄拉克半金属（TDS）行为和观察拓扑表面状态。朗道能级（LL）被观察到，能量-动量关系表现出线性色散关系，特征的3D TDS性质的Na 3Bi。在Na_3Bi晶体的输运测量中，首次观察到了线性磁电阻和Shubnikov-de Haas（SdH）量子振荡。
2015-02-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Sharp Tunneling Resonance from the Vibrations of an Electronic Wigner Crystal
光电发射和隧道光谱测量单个电子可以添加到电子系统或从电子系统移除的能量。在这样的光谱中观察到的特征揭示了电子耦合到固体和单个分子中的离子的振动模式。在这里，我们报告发现一个尖锐的共振隧穿光谱的二维电子系统。它的行为表明它起源于振动模式，不涉及离子运动，而是由电子本身的空间有序振动引起的。在极低温度和高磁场下的二维电子系统中，电子可以凝聚成各种量子霍尔相，也可以排列成高度有序的维格纳晶格。电子的这种空间有序相通常是电绝缘的和精细的，并且已经证明用常规方法探测非常具有挑战性。使用一个独特的脉冲隧穿方法能够探测电子隧穿到绝缘相，我们观察到一个尖锐的峰值依赖于能量和其他参数，适合维格纳晶体的振动模型。结构的显着的清晰度提供了强有力的证据，存在一个维格纳晶体与长的相关长度。
2017-02-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Electronic structure and correlations in pristine and potassium doped Cu-Phthalocyanine molecular crystals
我们研究了酞菁铜（CuPc）晶体的电子结构的变化，这是由于插入钾。这是通过这些分子晶体的电子结构的{ \it ab initio} LSDA和LSDA+U计算完成的。原始的CuPc被发现是一个绝缘体与本地磁矩和Pc衍生的价带的宽度为0.32 eV。在插层化合物$\rm K_2CuPc$中，由钾引入的额外电子完全转移到Pc环的$e_g$态。一个分子的低自旋状态的结果，但保留，局部磁矩的铜离子。的$e_g$水平的简并分裂的晶体场，猝灭的轨道简并，并引起110 meV的带分裂。分子电子库仑相互作用增强这种分裂在$\rm K_2CuPc$的电荷间隙为1.4 eV。导带的带宽为0.56 eV，这对于分子固体来说是惊人的大。这与实验观察一致，即具有额外的钾掺杂的系统$\rm K_{2.75}{CuPc}$是金属，因为异常大的带宽与大量的载流子浓度相结合，对局域化和极化子形成起作用，同时强烈地促进载流子的离域。
2006-09-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Crystal and electronic structure of the room temperature organometallic ferrimagnet V(TCNE)$_2$. Analysis of numerical DoS and magnetic properties as related to orbital and spin-Hamiltonian models
我们提出了一个详细的分析，我们的晶体和电子结构的一般组成V（TCNE）$_{x}$与$% x\approx 2$的室温有机金属亚铁磁体的数值研究的结果。LSDA+ $U$研究的结果表明，实验确定的结构符合磁性测量，因此可以作为整个M（TCNE）$_{2}$系列有机金属磁体的原型结构。的数值研究和磁性实验的结果解释使用模型哈密顿提出这里。这使我们能够获得估计的临界温度在三维和二维制度，并给出一个解释的行为可能同构V（TCNE）$_{2}$和Fe（TCNE）$_{2}$物种的差异。
2010-02-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Observation of an electronic microemulsion phase emerging from a quantum crystal-to-liquid transition
本研究通过低温光谱观察MoSe2单层中电子维格纳晶体与液体间的微乳液相，发现其以激子反射率等异常为标志，确立为独特电子相，揭示强关联电子态物理。
2023-12-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Combined single crystal polarized XAFS and XRD at high pressure: probing the interplay between lattice distortions and electronic order at multiple length scales in high $T_c$ cuprates
一些最奇特的材料特性来自于具有短相关长度（~10-500 μ m）的电子态，这表明局部结构对称性可能在它们的行为中起着相关的作用。在这里，我们讨论了在高压下结合使用偏振x射线吸收精细结构和x射线衍射作为一种强大的方法来调整和探测在多个长度尺度的结构和电子订单。除了解决一些与这些实验相关的技术挑战，我们说明了这种方法与铜氧化物La $_{1.875}$ Ba $_{0.125}$ CuO $_4$，其中电子顺序的压力的响应只能通过探测在相关的长度尺度的结构中获得的结果。
2016-06-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electronic Transport in a Topological Semimetal WTe2 Single Crystal
本文研究了拓扑半金属WTe_2单晶在12 ~ 200 K温度范围内，磁场高达9 T时的电阻率、磁阻率和霍尔效应。研究发现，在低温下，无磁场时的电阻率和有磁场时的电导率均呈现二次温度依赖关系，这显然与各种散射机制的贡献有关。单带和双带模型被用来分析数据的霍尔效应和磁阻。这些结果表明电子-空穴补偿，电子载流子略微占优势。
2023-02-01 cond-mat.other cond-mat.str-el
Tunable electronic anisotropy in single-crystal A2Cr3As3 (A = K, Rb) quasi-one-dimensional superconductors
采用自熔法成功地生长了A2 Cr 3As 3（A = K，Rb）单晶，并通过结构、输运和热力学测量技术对其进行了研究。两种物质的超导态性质相似，K2 Cr 3As 3和Rb 2Cr 3As 3的临界温度分别为6.1 K和4.8 K。然而，Rb 2Cr 3As 3中强的正常态电子各向异性的出现表明，A2 Cr 3As 3结构中的链间距与一个独特的电子调谐参数相耦合，该参数随着碱金属离子尺寸的增大而增大，而一维[（Cr 3As 3）^{2-}]_{ \infty }链结构本身基本保持不变.随着电导率和磁电阻（MR）的显着增强，一个强的各向异性的外观在MR的Rb 2Cr 3As 3是一致的拟议准一维字符的能带结构和它的演变与碱金属物种在这个新的家庭的超导体。
2015-06-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
In-plane electronic anisotropy of underdoped "122" Fe-arsenide superconductors revealed by measurements of detwinned single crystals
铁砷化物超导体的母相具有反铁磁基态。值得注意的是，内尔转变之前或伴随着结构转变，打破了高温晶格的四重对称性。借用软凝聚态物理领域的语言，这种破缺的离散旋转对称性被广泛称为伊辛相变相变。了解这种效应的起源是一个完整的理论描述的超导性发生在这个家庭的化合物，激励理论和实验研究的超导转变和相关的面内各向异性的关键组成部分。在这里，我们回顾了最近的实验进展，确定内在的面内电子各向异性所揭示的电阻率，反射率和ARPES测量的退孪晶单晶的欠掺杂砷化铁超导体的“122”家庭的化合物。
2011-06-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Discovery of an electronic crystal in a cuprate Mott insulator
氧化铜高温超导体普遍表现出多种形式的电子有序相，这些相破坏了CuO 2平面的固有平移对称性。这些有序和超导基态之间的相互作用，以及它们是如何通过掺杂莫特绝缘体而产生的，对于解码高温超导机制至关重要。多年来，在欠掺杂的铜酸盐中，发现了各种形式的电子液晶相，包括电荷/自旋条纹和无公度电荷密度波（CDW），它们出现在相关的金属基态中。早期的理论研究还预测了在非常轻掺杂的CuO 2平面的绝缘极限中出现库仑受挫的“电荷晶体”相。在这里，我们使用共振X射线散射，电子输运，和μ子自旋旋转测量，以充分解决电子和磁性的基态和搜索非常轻的空穴掺杂的铜氧化物从RBa 2Cu 3 O 7-d家庭（RBCO; R：Y或稀土）的电荷顺序的签名。从RBCO电影的X射线散射数据揭示了打破平移对称性更普遍比以前已知的，延伸到莫特极限。该电荷晶体状态的有序矢量与欠掺杂RBCO的电荷密度波线性相关，表明随着空穴掺杂的增加，前者是后者的前体。最重要的是，RBCO中的电荷和自旋序的共存表明，这种电子的自旋断裂状态是常见的CuO 2平面中的非常轻的掺杂制度。这些发现弥合了莫特绝缘状态和欠掺杂金属状态之间的差距，并强调了库仑受挫的电子相分离在所有铜酸盐中的突出作用。
2022-03-16 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Effect of oxygen content on the transport properties and magnetoresistance in [Ca$_{2}$CoO$_{3-δ}$]$_{0.62}$[CoO$_{2}$] single crystals
研究了不同退火条件下[Ca $_{2}$ CoO $_{3-δ}$ ] $_{0.62}$ [CoO $_{2}$ ]单晶的输运性质。$ρ_{ab}(T)$具有电阻率最小值，并且对应于该最小值的温度随着氧含量的损失而增加，指示自旋密度波（SDW）的增强。在所有的单晶[Ca $_{2}$ CoO $_{3-δ}$ ] $_{0.62}$ [CoO $_{2}$ ]中都观察到了大的负磁电阻（MR），而在氧退火样品中观察到了磁场驱动的绝缘体-金属（IM）转变。这些结果表明，铁磁相关的系统中的氧含量增强。此外，在氧气氛中退火的单晶中观察到了低温场诱导的热激活电阻。
2004-12-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Thickness dependence of electronic and crystal structures in VO$_2$ ultrathin films: suppression of the collaborative Mott-Peierls transition
通过${in~situ}$光电子能谱研究了在TiO $_2$（001）衬底上相干生长的尺寸可控VO $_2$薄膜的电子结构和晶体结构的变化。在纳米结构薄膜中，带状Peierls转变和Mott转变的不稳定性之间的平衡被控制为厚度的函数。VO $_2$厚膜中温度驱动的金属-绝缘体转变相关的特征光谱变化保持在1.5 nm（大致对应于沿[001]方向的五个V原子），而小于1.0 nm的VO $_2$膜表现出绝缘性质而没有V-V二聚化。这些结果表明，Mott不稳定性和带状Peierls不稳定性之间的微妙平衡在几个纳米尺度上受到了尺寸交叉效应和限制效应的调制，从而导致了PDMAVO $_2$薄膜复杂的电子相图.
2020-05-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Crystal and electronic structure of a quasi-two-dimensional semiconductor Mg$_3$Si$_2$Te$_6$
报道了Si基三元半导体Mg $_3$ Si $_2$ Te $_6$的合成和表征，该半导体具有准二维结构，其中Mg离子将三角形的Mg $_2$ Si $_2$ Te $_6$层隔开.通过紫外-可见吸收光谱和密度泛函理论计算研究了配合物的电子结构。实验确定的直接带隙为1.39 eV，与密度泛函理论计算的值一致。结果表明，Mg $_3$ Si $_2$ Te $_6$是一种带隙较窄的直接带隙半导体，是一种潜在的红外光电子器件的候选材料。
2022-07-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electronic Glasses
简要介绍了电子量子晶体（维格纳晶体）和相关的无序弹性系统的物理和处理方法。
2004-03-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Electronic Crystal Phases in the Presence of Non-Uniform Berry Curvature and Tunable Berry Flux: The $λ_N$-Jellium model
University of Toronto（多伦多大学）；Harvard University（哈佛大学）；The University of Manchester（曼彻斯特大学）
本文提出λ_N-吉尔模型，研究非均匀伯瑞曲率和可调伯瑞通量对电子晶体相的影响，揭示了异常霍尔晶体和卤素威金晶体的形成机制及能量优势。
2025-09-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
