Electronic Compressibility of Magic-Angle Graphene Superlattices
我们首次报道了魔角扭曲双层石墨烯的电子可压缩性测量。的可压缩性与载流子密度的演变提供了深入的相互作用驱动的基态，还没有访问在以前的运输和隧道研究。从电容测量，我们确定作为载流子密度的函数的化学势，并找到在莫尔晶格的分数填充的能隙的宽度。在电子掺杂的制度，我们观察到出乎意料的大差距在四分之一和半填充和强电子空穴不对称性。此外，我们测量了一个$\mathord{\sim}35\,\textrm{meV}$迷你带宽，比大多数理论估计宽得多。最后，我们探讨了量子霍尔制度的场依赖性，并观察到显着差异，从运输测量。
2019-07-24 cond-mat.mes-hall
Electronic compressibility of layer polarized bilayer graphene
我们报告的双栅双层石墨烯的电容研究。测量的电容允许我们探测电子压缩性作为载流子密度、温度和施加的垂直电位移D的函数。随着D的增加而引起带隙，在电荷中性处的可压缩性最小值变得更深，但仍然有限，这表明在能隙内存在局域态。随温度变化的电容测量表明，压缩性是敏感的本征带隙。对于大的位移，一个额外的峰值出现在作为密度的函数的压缩性，对应于1维范霍夫奇点（vHs）的存在下，在带边所产生的四次双层石墨烯能带结构。对于D > 0，仅观察到电子的附加峰，而D < 0，仅观察到空穴的峰。这种不对称性可以用有限的层间分离来理解，并且可以用作层极化的直接探针。
2012-02-27 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Shubnikov-de Haas oscillations of high mobility holes in monolayer and bilayer WSe$_2$: Landau level degeneracy, effective mass, and negative compressibility
我们研究了单层和双层WSe $_2$中高迁移率空穴的磁输运性质，它们在高磁场中表现出良好的Shubnikov-de Haas（SdH）振荡和量子霍尔态（QHS）.在单层和双层WSe $_2$中，SdH振荡和QHS主要发生在均匀的填充因子下，表现出两倍的朗道能级简并。对双层WSe $_2$中的SdH振荡进行了傅里叶变换分析，发现存在两个位于顶层或底层的子带，以及负的可压缩性.从SdH振荡的温度依赖性，我们确定了$0.45m_{0}$的单和双层WSe $_2$的空穴有效质量。
2016-02-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Negative electronic compressibility in charge islands in twisted bilayer graphene
本文利用扭转双层石墨烯中自然形成的电荷岛，通过库仑振荡测量电容，在相关绝缘态和能带绝缘态附近观测到负电子压缩性，并验证其与载流子间距成正比，最终归因于维格纳晶化。
2024-03-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Compressibility of graphene
我们发展了一个理论的可压缩性和量子电容的无序单层和双层石墨烯，包括全双曲线能带结构和带隙在后一种情况下。我们包括在我们的理论，这是特别重要的狄拉克点附近的载流子密度的无序的影响。我们占这种无序统计使用两种不同的平均程序：首先通过平均的载流子密度直接，然后通过平均的状态密度，以产生一个有效的载流子密度。我们还比较了这两个模型的结果与实验数据，并做到这一点，我们引入了一个模型的层间筛选预测的大小之间的带隙的低能导带和价带的任意栅极电位施加到两层的双层石墨烯。我们发现，这两种模型的无序给无隙系统的定性正确的结果，但当有一个带隙在电荷中性，平均态密度是不正确的，不同意与实验数据。
2011-03-08 cond-mat.mes-hall
Negative Compressibility in Graphene-terminated Black Phosphorus Heterostructures
在二维电子系统中，由多体效应产生的负可压缩性可以增强栅极电容。我们观察到电容增强在一个新出现的二维层状材料，原子薄的黑磷（BP）。用具有少层石墨烯作为终端的六方氮化硼片封装BP确保了超净异质结构界面，使我们能够在低空穴载流子浓度下观察到负压缩性。在德拜屏蔽的框架下，利用栅电极中面内电荷和镜像电荷之间的库仑关联解释了负压缩性。
2015-10-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Single layer graphene with electronic properties as gated bilayer
我们证明，单层石墨烯表现出双层的电子结构时，它连接到两个门控双层。门控双层的能隙特性在单层中被诱导，并且它持续分离双层的距离高达20 nm。最重要的是，我们报告的外观拓扑保护的无隙状态本地化在一个单一的石墨烯层时，遥远的双层不同的堆叠顺序。一维电流在单层石墨烯中的拓扑状态下流动，这一发现表明石墨烯在纳米电子学中的新开发。
2019-06-24 cond-mat.mes-hall
Electronic compressibility of graphene: The case of vanishing electron correlations and the role of chirality
最近令人惊讶的发现是，在单层石墨烯中实验测量的电子可压缩性可以仅根据动能来描述[J.Martin等人，Nat.Phys.4，144（2008）]在理论上被解释为无质量狄拉克电子的线性能量色散和手性的直接结果。对于双层石墨烯，我们表明，从电子相关性的可压缩性的贡献恢复。我们将这种差异归因于两种材料的低能能带结构的动量依赖性。
2009-08-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Bilayer graphene inclusions in rotational-stacked multilayer epitaxial graphene
在SiC的C-终止表面上生长的多层外延石墨烯中的附加组分，其表现出AB-堆叠的石墨烯双层的特征电子性质，在该材料的磁光响应中被识别。我们表明，这些夹杂物代表了一个明确的平台，准确的磁谱未扰动的石墨烯双层。
2011-01-23 cond-mat.mes-hall
Nanoindentation of a circular sheet of bilayer graphene
采用分子动力学模拟研究了双层石墨烯的纳米压痕。我们比较了我们的模拟结果与弹性理论的基础上的非线性Föppl-Hencky方程与刚性边界条件。比较了双层石墨烯和单层石墨烯的力偏转值。双层石墨烯的杨氏模量估计为0.8TPa，其接近于石墨的值。此外，在低温下在中心载荷下的几乎平坦的双层膜与室温下的膜相比具有小14 $%$的杨氏模量。
2011-05-12 cond-mat.mes-hall
Influence of Disorder on Electron-Hole Pair Condensation in Graphene Bilayers
石墨烯双层可以凝聚成具有支持无耗散逆流超电流的自发层间相位相干性的状态。在这里，我们解决的石墨烯双层平均场和Kosterlitz无临界温度的无序的影响，并报告一个简单的标准对凝聚的生存。
2008-08-08 cond-mat.mes-hall
Resistance noise in electrically biased bilayer graphene
我们证明了双层石墨烯中的低频电阻波动或噪声与其能带结构密切相关，并且当导带和价带之间的间隙为零时显示出最小值。利用双栅双层石墨烯器件，我们独立地调节了零禁带和电荷中性点，这为研究双层石墨烯的低能能带结构、电荷局域化和屏蔽特性提供了一种通用的机制.
2008-12-16 cond-mat.mes-hall
Magnetoelectric effect in bilayer graphene controlled by valley-isospin density
我们发现，双层石墨烯表现出磁电效应，形式上类似于那些常见的带绝缘体与打破反转和时间反转对称性。双层石墨烯表现出的磁电响应具有三个不寻常的特征：（i）与大多数其他磁电介质不同，双层石墨烯是导体，（ii）双层石墨烯具有非量子化的磁电耦合，即使其电子结构不破坏宇称和时间反转对称性，以及（iii）双层石墨烯中的磁电耦合的大小由谷-同位旋密度确定，谷-同位旋密度可以通过实验来操纵。这最后一个属性也使一个纯粹的电子测量谷-同位旋密度。虽然我们的理论论证使用双层石墨烯作为例子，但它们通常适用于具有类似对称性的任何材料。
2014-08-25 cond-mat.mes-hall
Strong terahertz response in bilayer graphene nanoribbons
我们发现，存在一类石墨烯结构（双层石墨烯纳米带的子类），其在太赫兹（THz）和远红外（FIR）制度中具有异常强的光学响应。太赫兹/FIR有源双层带的峰值电导比石墨烯片中观察到的$e^2/4\hbar$的通用电导高大约两个数量级。太赫兹/FIR有源子类的标准是在$Γ$点附近具有一维无质量狄拉克费米子能量色散的双层石墨烯纳米结构。我们的研究结果克服了阻碍石墨烯在电子和光子学中潜在应用的重大障碍。
2009-05-26 cond-mat.mes-hall
Quantum Manipulation of Valleys in Bilayer Graphene: Theory and Applications
研究了双层石墨烯中谷的量子操纵。我们建立了一个有效的薛定谔模型，并确定了两个谷操纵的关键机制-能带结构翘曲和广义谷轨道相互作用。具体来说，我们在双层石墨烯中实现谷量子位/FET，作为构建基于谷的量子/经典信息处理的前瞻性量子器件。
2013-02-06 cond-mat.mes-hall
Engineering of Chern number of topological bands in bilayer graphene by in-plane magnetic field and electrical bias
本研究基于双层石墨烯完整哈密顿量，证明通过面内磁场与电偏压可实现相变并调控四个能带的陈数，为二维材料拓扑现象研究提供新思路。
2024-05-17 cond-mat.mes-hall
Landau Levels of Bilayer Graphene in a WSe$_2$/Bilayer Graphene van der Waals Heterostructure
在两种不同的范德华材料之间形成的异质结构使每个组分中不存在的相互作用和功能成为可能。在这项工作中，我们表明，附近的一个原子薄的WSe $_2$片显着影响的能量的双分子层石墨烯的低朗道能级的破坏，可能是由于筛选。我们提出了一个系统的研究磁场和电位移场的朗道能级间隙的填充因子$ν$ = 1，2，3，并比较BN封装的原始双层石墨烯。在WSe $_2$ /双层石墨烯异质结构中，N = 0和1轨道波函数之间的交换主导的能量分裂显著增强，这导致在填充因子$ν$ = 0处的修改的相图和在$ν$ = 1和3处的更大的能隙。另一方面，在$ν$ = 2处的交换增强的自旋能隙减小了大约两倍。我们的研究结果表明，一种可能的方式来工程量子霍尔现象通过范德华异质结构。
2019-11-04 cond-mat.mes-hall
Twisted bilayer graphene with Kekule distortion: isolated flat band
具有魔角的扭曲双层石墨烯由于在费米能级处存在孤立的平带而表现出强相关的电子性质。我们研究了扭曲双层石墨烯与基板上的两个层。衬底诱导每个石墨烯层Kekul $\acute{e}$畸变。用连续狄拉克费米子模型和紧束缚模型研究了系统。这两种研究都得出了类似的结论，即可能出现超窄带宽的孤立平坦带。
2019-07-28 cond-mat.mes-hall
Quantizing momentum transport in bilayer graphene
超净双层石墨烯中的动量输运以粘性输运为特征。在量子化磁场时，动量流通过回旋加速器轨道的导引中心。在这项研究中，我们推导出量子霍尔粘度的双层石墨烯，这是下一个拓扑特征后，量子霍尔效应。这可以在非局部磁阻测量中检测到，非局部磁阻测量随磁阻的量化步骤而变化。
2019-09-20 cond-mat.mes-hall
The effect of bilayer domains on electronic transport properties of epitaxial graphene on SiC
对在碳化硅上的纯单层外延石墨烯（SiC/G）上制造的霍尔条器件的磁输运测量显示出载流子浓度和迁移率在晶片尺寸维度上的非常紧密的分布。相比之下，含有双层石墨烯域的SiC/G器件显示出与双层含量的量相关的电子性质的变化。
2015-02-06 cond-mat.mes-hall
Replay to "Comment on 'Screening in gated bilayer graphene' "
我们讨论了双层石墨烯带隙随栅压和掺杂的变化规律。与Kuzmenko等人[Phys. Rev. B \textbf{80}，165406（2009）]获得的实验数据的比较证明了良好的一致性。
2010-11-25 cond-mat.mes-hall
Raman spectroscopic determination of the length, strength, compressibility, Debye temperature, elasticity, and force constant of the C-C bond in graphene
从键弛豫和振动的角度来看，我们已经调和了石墨烯的拉曼位移的刺激下的层数，单轴应变，压力和温度的响应的长度和强度的代表性的键的整个标本施加的刺激。理论上的统一表明：（i）由于层数减少而引起的拉曼位移的相反趋势表明，G峰位移主要由一对原子的振动决定，而D峰和2D峰位移则涉及特定原子的z近邻;（ii）拉伸应变引起的声子软化和声子带分裂是由于C3 v键几何对C2 v单-轴向键伸长;（iii）声子的热软化源自键膨胀和弱化;以及（iv）声子的压力硬化源自键压缩和加工硬化。测量结果的再现已经导致了关于拉曼频率偏移的参考频率、石墨烯中C-C键的长度、能量、力常数、德拜温度、可压缩性、弹性模量的定量信息，这对于理解石墨烯的不寻常行为具有重要的工具意义。
2011-09-19 cond-mat.mes-hall
Electron Tunneling in Monolayer and Bilayer Graphene
利用全紧束缚模型研究了单层和双层石墨烯晶格中电子隧穿势垒的行为。重点讨论了共振隧穿特性和谷间散射几率。结果表明，单层和双层石墨烯的垂直入射透射概率表现出不同的性质。计算结果表明，石墨烯体系中的谷电子可以通过改变外电势的结构参数来检测、产生和控制。
2008-08-22 cond-mat.mes-hall
Electron-optical phonon coupling in suspended bilayer graphene
利用电输运实验和散粒噪声测温技术研究了悬浮双层石墨烯中的电子-声子传热速率。与通过三体超碰撞散射具有热流的单层石墨烯相反，我们发现双层石墨烯中的规则电子-光学声子散射在电子能量$ \gtrsim 0.15$ eV处提供主导散射过程。我们确定这些双层石墨烯的固有热流过程的强度，并找到良好的协议与理论估计时，考虑到区域边缘和区域中心的光学声子。
2014-09-22 cond-mat.mes-hall
Topological Zero-Line Modes in Folded Bilayer Graphene
我们从理论上研究了一个折叠的双层石墨烯结构作为一个实验上可实现的平台，以产生一维拓扑零线模式。我们证明了折叠的双层石墨烯下的外部栅极电位，使可调的拓扑导电沟道中形成的折叠区域，和垂直的磁场可以用来提高外部杂质存在时的导电。我们还通过实验表明，我们提出的折叠双层石墨烯结构可以以可控的方式制造。我们提出的系统通过考虑平面双层石墨烯（即，精确操纵双层石墨烯上的垂直和横向栅极之间的对准），通过利用栅极诱导的拓扑导电沟道，在设计实际低功率电子器件中提出了新的策略。
2018-09-11 cond-mat.mes-hall
Electronic transport of bilayer graphene with asymmetry line defects
在本文中，我们研究了具有（不对称）线缺陷的双层石墨烯的量子特性。在线缺陷周围发现了局域态。因此，在双层石墨烯的某一层上的线缺陷可以导致电传输通道。通过沿缺陷方向施加偏压，利用Landauer-Büttiker理论计算了含缺陷双层石墨烯的电导率，并与完整双层石墨烯的电导率进行了比较，结果表明沟道对电导率有显著影响.这种一维线电通道具有在纳米工程中应用的潜力。
2016-03-30 cond-mat.mes-hall
Electronic properties of graphene-based bilayer systems
本文综述了双层石墨烯体系电子性质的理论和实验研究。讨论了三种类型的双层堆叠：AA，AB和扭曲的双层石墨烯。本文综述了单电子性质、静电场和磁场效应、双层介观体系、自旋轨道耦合、直流输运和光学响应、自发对称性破坏和其他相互作用效应。材料的选择旨在向读者介绍双层石墨烯理论和实验研究中最常见的研究课题。
2016-10-23 cond-mat.mes-hall
Raman spectra of misoriented bilayer graphene
我们比较了单层石墨烯与双层石墨烯的拉曼散射光谱的主要特征，其中两层石墨烯是任意取向错误的。的2D带的配置文件是非常相似的，只有一个组件，相反的四个相称的Bernal双层。这些结果与最近的理论计算结果一致，并指出单层石墨烯和错取向双层石墨烯的电子结构的相似性。另一个新的方面是，2D频率对激光激发能的依赖性在后两种系统中是不同的。
2008-05-05 cond-mat.mes-hall
Weiss oscillations in the magnetoconductivity of modulated graphene bilayer
我们提出了一个双层石墨烯的磁导率外斯振荡的理论研究。研究了双层石墨烯在垂直磁场和单向弱电调制作用下的磁导率张量的$σ_{yy}$分量，证明了该体系具有Weiss振荡.我们发现，Weiss振荡的双层石墨烯的磁导率的增强和更强大的温度相比，在传统的二维电子气系统，而他们是不那么强大的温度相比，单层石墨烯。此外，我们还发现了由于石墨烯中准粒子的手性性质，$π$和$2π$在磁导振荡中与单层石墨烯和传统2DEG系统相比的相位差.
2008-04-29 cond-mat.mes-hall
Electromagnetic response and pseudo-zero-mode Landau levels of bilayer graphene in a magnetic field
研究了双层石墨烯在磁场中的电磁响应，并与单层石墨烯的电磁响应进行了比较。这两种类型的石墨烯在介电和屏蔽特性方面在质量上非常相似，特别是那些来自真空波动的特性，但双层的影响通常要大得多。零（能量）模式朗道能级的存在是石墨烯特有的特征。在双层膜中，与单层膜不同，零模能级的影响变得可见，甚至在密度响应中占主导地位，因为外部可控的带隙发展。指出双层石墨烯的准零模能级分裂是由面内电场或注入电流控制的。此外，还建立了双层石墨烯的低能有效规范理论。
2008-04-23 cond-mat.mes-hall
Spin-orbit coupling in a graphene bilayer and in graphite
采用紧束缚模型和原子内LS耦合研究了双层石墨烯和石墨中的内禀自旋轨道相互作用。双层石墨烯和石墨中的自旋-轨道相互作用比单层石墨烯中的相互作用大约一个数量级，这是由于层间跳跃混合了π和σ带。它们的值在0.1 - 1 K的范围内。自旋-轨道耦合在双层石墨烯中打开了一个间隙，并且它也产生了两个边缘模式。在正交石墨中，自旋轨道耦合最大，为1-4K，没有反转中心。
2010-03-08 cond-mat.mes-hall
Half Metallic Bilayer Graphene
电荷中性双层石墨烯具有带隙的基态，如传输实验所证明的。分层反铁磁自旋密度波（LAF）态是一种可能的基态，其中顶层和底层的自旋具有相同的幅度和相反的方向。我们提出，在垂直于石墨烯平面的电场中，轻电荷的双层石墨烯可能是半金属，这是由于LAF态中的反转和粒子-空穴对称性破缺。我们明确地表明，通过使用平均场论的双层石墨烯的2层哈伯德模型。
2013-03-06 cond-mat.mes-hall
Pseudospin valve in bilayer graphene: towards graphene-based pseudospintronics
我们提出了一个非磁性的，基于赝自旋的自旋阀的版本，其中在相邻区域的石墨烯双层的赝自旋极化由外部门控制。数值计算表明这种器件具有较大的开关比。这一发现为赝自旋电子学的实现提供了希望：一种基于赝自旋操纵的电子学形式，类似于自旋电子学应用中对物理自旋的控制。
2009-06-18 cond-mat.mes-hall
Minimal conductivity in bilayer graphene
使用Landauer公式方法，证明了在双层石墨烯中实验发现的$e^{2}/h$级的最小电导率是其本征性质。对于理想晶体的情况，电导率变为等于$e^{2}/2h$/谷/自旋。考虑双层石墨烯中的零温散粒散粒噪声，计算了Fano因子。其值$1-2/π$接近于先前对于单层石墨烯发现的值的1/3。
2006-06-23 cond-mat.mes-hall
Transmission through a biased graphene bilayer barrier
我们研究了在层间施加偏压的情况下，通过石墨烯双层的电子传输。我们考虑不同的几何形状，涉及单层和双层之间的界面和两个双层之间。所施加的偏压打开一个相当大的差距内的双层势垒区的光谱，从而导致大的变化，由所施加的偏压控制的传输概率和电子电导。
2007-11-26 cond-mat.mes-hall
Charge detection in a bilayer graphene quantum dot
我们展示了一个双层石墨烯量子点与集成的电荷检测器的测量。焦点在于使得能够利用位于岛直径约为100 nm的双层石墨烯量子点旁边约35 nm处的30 nm宽的双层石墨烯纳米颗粒进行电荷检测。纳米粒子中的局部共振可以成功地用于检测点中的单个充电事件，即使在量子点库仑峰不能通过常规技术测量的情况下。
2011-10-26 cond-mat.mes-hall
Energy levels of monolayer -- AA-stacked bilayer graphene quantum dots
本文研究了由单层石墨烯的圆形量子点和无限单层石墨烯的圆形量子点组成的混合系统的能谱电子性质。我们建立了相关的能级和波函数使用连续介质模型和锯齿形边界条件在石墨烯单层-双层界面的分析结果。我们研究了垂直磁场、量子点半径和电场对这两种混合量子点的影响。我们将我们的结果与以前发表的工作进行比较，并探索这种混合系统量子点的潜在用途。
2021-07-29 cond-mat.mes-hall
Tuning anti-Klein to Klein tunneling in bilayer graphene
我们发现，在有间隙的双层石墨烯，准粒子隧穿和相应的Berry相可以控制，使其表现出单层石墨烯的功能，如克莱因隧道。Berry相位由基于双层石墨烯的高质量Fabry-Pérot干涉仪检测。通过提高电荷载流子的费米能级，我们发现在带隙双层石墨烯中，Berry相可以从$2π$连续调谐到$0.68π$，与原始双层石墨烯中$2π$的恒定Berry相相反。特别地，我们观察到$π$的Berry相，其为单层石墨烯的标准值。随着Berry相的减小，正入射时载流子的相应传输概率清楚地表明了从反Klein隧穿到近乎完美的Klein隧穿的转变。
2018-02-12 cond-mat.mes-hall
Comment on "Dielectric screening and plasmons in AA-stacked bilayer graphene"
在这篇评论中，我们指出了题为“AA堆叠双层石墨烯中的介电屏蔽和等离子体激元”的论文中的一些方程和结果是不正确的。此外，我们提出了我们的结果，这似乎是更正确的。
2014-10-17 cond-mat.mes-hall
Tunneling Plasmonics in Bilayer Graphene
我们报告了由于相邻石墨烯层之间的电子隧穿等离子体效应的实验签名。在亚纳米分离下，这样的层可以形成具有Bernal堆叠的强耦合双层石墨烯或具有随机堆叠顺序的弱耦合双层石墨烯。由于层间隧穿的影响在前一种情况下占主导地位，但在后者可以忽略不计。我们通过红外纳米成像发现，与单层和双层石墨烯相比，双层石墨烯支持具有更高限制程度的等离子体，这是层间隧穿的直接结果。此外，我们能够通过在宽电压范围内的门控关闭双层石墨烯中的等离子体激元。理论模型表明，这种等离子体激元关闭区域直接与双层石墨烯的带隙绝缘状态有关：这是层间隧穿的另一个含义。我们的工作揭示了双层石墨烯中的基本等离子体性质，并提出了在石墨烯少层中实现新型等离子体功能的可能性。
2015-08-31 cond-mat.mes-hall
Band topology and quantum spin Hall effect in bilayer graphene
我们考虑双层石墨烯在自旋轨道耦合的存在下，评估其作为拓扑绝缘体的行为。计算并比较了单层和双层石墨烯能带的第一陈数$n$。它示出，对于一个给定的谷和自旋，$n$在双层是加倍相对于单层。这意味着双层石墨烯将具有单层石墨烯的两倍多的边缘状态，我们通过数值计算和分析在扶手椅终止表面的情况下证实了这一点。双层石墨烯是一种弱拓扑绝缘体，其表面光谱在自旋混合扰动下容易发生能隙开放。我们还评估了在各种扰动下双层石墨烯的相关拓扑体态的稳定性。最后，我们考虑一个中间的情况下，只有一个两层的自旋轨道耦合，并发现，虽然个别山谷有非平凡的陈数，频谱作为一个整体是没有缺口，所以系统不是一个拓扑绝缘体。
2010-07-28 cond-mat.mes-hall
Optical and magneto-optical far-infrared properties of bilayer graphene
我们分析了双层石墨烯的光谱特征，确定在这种材料中的低能量和分裂带对的形成。结果表明，在强磁场作用下，双层石墨烯的朗道能级间吸收谱在远红外波段比单层材料的朗道能级间吸收谱更为密集，其最低能量峰的偏振依赖性可以用来测试双层材料在量子霍尔效应下的基态形式.
2007-05-02 cond-mat.mes-hall
Electron Transport Properties of Bilayer Graphene
利用第一性原理和Monte Carlo模拟方法研究了双层石墨烯中的电子输运特性。虽然发现双层中的固有特性比单层石墨烯中的固有特性差得多，具有显著降低的迁移率和饱和速度，但计算还揭示了诸如衬底和杂质的外在因素的主导影响。因此，两种石墨烯形式之间的差异在现实环境中更加柔和，尽管双层中的速度场特性基本上保持较低。当双层石墨烯受到层间偏压时，能量色散的变化导致导带底部的电子散射更强。的迁移率显着降低所产生的带隙的大小，而饱和速度在很大程度上保持不受影响。
2011-09-06 cond-mat.mes-hall
Optotwistronic of bilayer graphene
我们研究了扭曲双层石墨烯的非线性光学响应。我们讨论的贡献的Berry相位的非线性反转对称性被打破时，从而强调带和真实的空间几何形状之间的相互作用，和非线性响应。我们还强调了极端非线性光学的特性：伪装谐波的产生。这种效应出现在扭曲的双层石墨烯在相对中等的场强，因为大大减少了带宽。我们的发现有助于理解几何和光学性质之间的联系，以及扭曲双层石墨烯的极端非线性光学机制
2022-07-10 cond-mat.mes-hall
Transmission through a boundary between monolayer and bilayer graphene
在有效质量模型下，研究了锯齿型和扶手椅型两种边界条件下单层和双层石墨烯之间的电子传输。由于双层石墨烯中存在倏逝波，因此行进模式彼此良好连接。通过边界的透射强烈地依赖于入射角，并且在K点和K'点之间的依赖性相反，导致透射波的谷偏振。
2010-08-26 cond-mat.mes-hall
Stacking Textures and Singularities in Bilayer Graphene
我们研究了双层石墨烯中一类全局光滑的空间变化的二维堆叠织构。我们发现，应变最小化堆叠模式连接不等效的基态与本地$AB$和$BA$层间登记是二维扭曲纹理的层间位移场。我们构建和显示双层石墨烯的这些拓扑堆叠纹理，检查它们的相互作用，并开发的组成规则，使我们能够代表其他更复杂的堆叠纹理，包括全球扭曲的石墨烯和扩展的一维畴壁。
2013-08-26 cond-mat.mes-hall
A semi-analytical model of Bilayer Graphene Field Effect Transistor
双层石墨烯具有可随垂直电场调节的能隙的非常有趣的性质。我们提出了一个双层石墨烯场效应晶体管的分析模型，适合探索的设计参数空间，并找到一个器件结构与有前途的性能方面的晶体管操作。我们的模型，基于有效质量近似和弹道输运假设，考虑到双层石墨烯可调间隙和自极化，并包括所有的带到带隧穿电流分量，这被证明是代表晶体管操作的主要限制，因为有限的可实现的能隙不足以获得大的Ion/Ioff比。
2009-09-25 cond-mat.mes-hall
Gate-controlled conductance through bilayer graphene ribbons
我们研究了单层纳米接触的偏压双层石墨烯片的电导。我们发现，通过双层带的传输强烈地依赖于两层之间施加的偏压和单层接触的相对位置。除了双层上的能隙的打开之外，偏压允许调节双层薄片上的电子密度，使得通过外部参数控制电子传输成为可能。
2010-08-19 cond-mat.mes-hall
A Stable Pfaffian State in Bilayer Graphene
在这里，我们表明，在传统的二维电子系统中的$\frac52$分数量子霍尔态提出的Pfalan状态可以很容易地实现在双层石墨烯中的朗道水平之一。在这种特殊的朗道能级上，Pfronan态的性质和稳定性强烈地依赖于磁场强度。随着磁场的增加，石墨烯系统表现出从不可压缩状态到可压缩状态的转变。在~10特斯拉的有限磁场下，双层石墨烯中的Pfiran态变得比常规电子系统中的对应物更稳定。
2011-04-11 cond-mat.mes-hall
Kondo effect near the Van Hove singularity in biased bilayer graphene
研究了磁性杂质吸附在双层石墨烯的一个碳平面上的情况。用平均场Kotliar-Ruckenstein从玻色子方法分析了带隙附近多体SU（2）和SU（4）共振的形成。讨论了范霍夫奇点附近掺杂的增强杂化和磁不稳定性对磁矩屏蔽的影响。
2012-06-20 cond-mat.mes-hall
Spectrum of pi electrons in bilayer graphene nanoribbons and nanotubes: an analytical approach
在紧束缚模型的框架下，我们对有限尺寸双层石墨烯的π电子进行了解析描述。这里考虑的双层结构的特点是由一个矩形的几何形状，并有一个有限的大小在一个或两个方向与扶手椅和扶手椅形的边缘。我们提供了一个精确的分析描述的Z字形和扶手椅型双层石墨烯纳米带和纳米管的π电子的光谱。我们分析了色散关系、态密度和电导量子化。
2011-01-18 cond-mat.mes-hall
Piezoelectricity in asymmetrically strained bilayer graphene
我们研究了相称的故障双层石墨烯的电子性质对角化的双层系统的单粒子哈密顿在一个完整的基础上的Bloch状态的各个石墨烯层。我们的新方法是非常普遍的，可以很容易地扩展到任何相称的石墨烯基异质结构。在这里，我们考虑三种情况：i）扭曲的双层石墨烯，ii）三轴应力施加到一层的双层石墨烯，以及iii）单轴应力施加到一层的双层石墨烯。我们表明，由此产生的超结构可以分为不同的类，这取决于扭转角或诱导应变的大小。不同的类通过层间耦合机制相互区分，导致了根本不同的低能物理。对于三轴和单轴应力的情况下，各个石墨烯层往往去耦，我们发现层之间的显着电荷转移。此外，这种压电效应可以通过施加垂直电场来调谐。最后，我们展示了我们的方法可以推广到多层系统。
2016-09-01 cond-mat.mes-hall
Topologically Protected Zero Modes in Twisted Bilayer Graphene
我们发现，扭曲的石墨烯双层可以揭示不寻常的拓扑性质在低能量下，作为一个结果的狄拉克点分裂。这些功能依赖于两层石墨烯之间的电子跳跃的对称性分析，我们推导出一个简化的有效的低能量哈密顿量，它捕获了扭曲的双层石墨烯的基本拓扑性质。相应的朗道能级显示出一种简并的零能模，这种模不能被强磁场提升。
2011-07-20 cond-mat.mes-hall
Electrical observation of a tunable band gap in bilayer graphene nanoribbons at room temperature
我们研究了室温下双层石墨烯纳米带的输运性质。该器件采用传统的CMOS兼容工艺制造。通过分析在电荷中性点的电阻作为垂直于石墨烯表面施加的电场的函数的依赖性，我们表明，在态密度的带隙打开，达到有效值约sim50 meV。这证明了双层石墨烯在常规CMOS环境中作为FET沟道材料的潜力。
2010-01-28 cond-mat.mes-hall
