Superconducting state in the metastable binary bismuthide Rh3Bi14 single crystals
本文详细报道了亚稳态Rh_3Bi_（14）单晶在超导态和正常态下的磁性、输运和热力学性质。我们发现，Rh3Bi 14是近各向同性的，弱到中等耦合BCS超导体，而超导Tc = 2.94 K以上的电子电阻率主要是由声子散射的大单元格中的孔隙填充的Bi原子。超导性受到填充晶体结构中空隙的原子性质的强烈影响。
2012-07-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Influence of Mg Deficiency on the Superconductivity in MgB2 Thin Films Grown by using HPCVD
采用混合物理化学气相沉积法制备了MgB2薄膜，研究了Mg元素的缺乏对薄膜真空退火的影响。在本研究中使用的高品质的MgB2薄膜生长在c切Al2O3衬底上具有不同的超导转变温度（Tc）为40.2和41 K。当退火温度从200 ℃升高到800 ℃时，MgB_2薄膜中Mg的含量系统地降低，但Tc在0.12K内没有变化，直到退火温度达到700 ℃。而在800 ℃退火30 min的MgB2薄膜，没有观察到超导性，电阻率随温度的变化表现为半导性。我们还发现，随着退火温度的升高，剩余电阻率比下降。
2007-09-13 cond-mat.supr-con
Crystal Structure of 200 K-Superconducting Phase of Sulfur Hydride System
本文报道了最近发现的高温超导相氢化硫的晶体结构，它的最高临界温度Tc超过200 K。对于理解高超导电性的机制，其晶体结构的信息是非常必要的。在此我们进行了高压下的电阻和同步辐射X射线衍射的同时测量，清楚地揭示了H2S分解为H3S，其晶体结构在超导相中具有体心立方对称性。
2015-09-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Identification of the crystal structures of two superconducting phases for potassium-doped picene
通过第一性原理计算和X射线衍射模拟，我们对钾掺杂的picene的多个超导相进行了系统的研究[Nature { \bf 464} 76，2010]。优化的晶格参数，形成能，和模拟的X-射线衍射光谱的组合表明，超导相的转变温度（T $_c$）为7 K对应于电荷掺杂的K $_2$ picene，这是半导体的0.1 eV的能隙，而T $_c$ =18 K的超导相对应于金属K $_3$ picene。K $_2$ picene和K $_3$ picene不同的晶体结构和电子结构为钾掺杂picene中的两个超导相提供了合理的解释。
2014-07-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Single crystal of superconducting SmFeAsO1-xFy grown at high pressure
用六面顶砧高压技术，在30 kbar的压力和1350-1450 ℃的温度下，从NaCl/KCl助熔剂中生长出了尺寸达120 μ m的SmFeAsO_（1-x）Fy单晶。所获得的单晶的超导转变温度在45和53 K之间变化。所获得的晶体的特征在于在低磁场中的全抗磁响应和在高磁场中的高临界电流密度。对单晶进行了结构细化。在1 bar Ar压力下的差热分析研究表明SmFeAsO 1-xFy在1302 C下分解。
2008-09-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Effect of Li-deficiency impurities on the electron-overdoped LiFeAs superconductor
我们使用传输，非弹性中子散射，角分辨光电子能谱实验证明，化学计量比的LiFeAs是一个本质上的电子过掺杂超导体类似的电子过掺杂的NaFe 1-xTxAs和BaFe 2-xTxAs 2（T = Co，Ni）。此外，我们表明，虽然输运性质的化学计量比的超导LiFeAs和锂缺乏非超导Li 1-xFeAs是不同的，它们的电子和磁性是相当相似的。因此，非超导Li 1-xFeAs也处于电子过掺杂状态，其中FeAs八面体附近的小Li缺陷可以通过杂质散射效应显著抑制超导电性。
2012-08-04 cond-mat.supr-con
Crystal growth and characterization of MgB2: Relation between structure and superconducting properties
本文讨论了Mg-B-N体系中高温高压下MgB_2的合成和晶体生长的一些重要方面，包括可重复生长的P-T条件的优化、液相在此过程中的作用、晶体尺寸与温度的关系以及生长不稳定性对单晶形貌的影响。在晶格常数和缺陷浓度略有不同的单晶上进行了大量的实验，揭示了Mg缺陷和晶格应变对MgB_2超导性能（Tc，J_c，剩余电阻率比，各向异性等）的可能影响。
2002-07-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Crystal Size Improvement of Bi-based Superconducting Whiskers under Stress-controlled Condition
采用应力控制的非晶前驱体，我们成功地生长了大尺寸的$Bi_{2}$ $Sr_{2}$ $Ca_{\textit{n}-1}$ $Cu_{\textit{n}}$ $O_{\textit{y}}$（Bi基）高转变温度超导晶须。特别是，在1 GPa造粒获得的高的压缩应力下，晶须的晶体尺寸显着增强到9.5 mm长（生长期：96小时），这是2.4倍，比传统的非晶前体的方法。此外，通过使用应力控制的前体，获得的Bi基晶须的数量也增加了1.8倍。
2019-11-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Highly crystalline superconducting MgB2 nanowires formed by electrodeposition
超导纳米线可以通过高通量的化学途径合成，并且作为超导器件的低耗散材料具有很大的前景。然而，由于缺乏足够的方法将纳米线安装到给定的电子电路中，超导纳米线的适用性受到了限制。最大的障碍之一是将金属端子连接到超导纳米线以建立电接触。克服这一困难的一种有吸引力的方法是直接在金属端子上合成超导纳米线，使得纳米线与金属表面电接触。在这里，我们证明，这可以通过在熔融盐中的电沉积来实现。39-K超导体二硼化镁（MgB 2）以高度结晶的纳米线形式电沉积到金属表面。MgB 2纳米线实现了与金属表面的广泛电接触。二硼化镁纳米线携带高密度的超电流，可以与大块材料相媲美。这种方法的MgB 2纳米线的电沉积提供了一个解决方案的主要挑战之一，阻止超导纳米线的实际应用。
2009-06-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Transition of stoichiometricSr2VO3FeAs to a superconducting state at 37.2 K
制备了转变温度为37.2K的Sr_4V_2O_6Fe_2As_2超导体。它具有层状结构，空间群为p4/nmm，晶格常数a = 3.9296A，c = 15.6732A。所观察到的大的抗磁化信号和零电阻证明了体超导性。在不同的磁场下测量了电阻转变的展宽，发现了一个较高的上临界场。结果还表明，一个大的涡流液体区域，反映了系统的高各向异性。霍尔效应测量显示，在这种材料中的主要类电子载流子。该体系的超导电性可能是由氧的缺乏或钒的多价态引起的。
2009-08-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
The effect of Zn substitution on the state of oxygen deficiency and hole concentration in Y1-xCaxBa2(Cu1-yZny)3O7-d
我们研究了Zn替代对一系列高质量c轴取向薄膜和多晶Y1-xCaxBa 2（Cu 1-yZny）3 O 7-delta化合物的空穴含量p和氧缺陷d的影响。p由室温热电势S[290 K]确定。当在给定的温度和氧分压下退火时，对于所有的样品，用Zn观察到S[290 K]的小但系统的变化。从电阻率的温度导数的分析，drho/dT，在300 K，这几乎与p线性变化，与样品的组成无关，和热重分析（TGA），我们已经发现，在相同的条件下退火使Zn取代的化合物比无Zn的化合物更缺氧。
2006-01-25 cond-mat.supr-con
Anisotropic superconducting properties of aligned MgB2 crystallites
已经制备了定向MgB 2微晶的样品，首次允许直接鉴定上临界场各向异性Hc 2 ^{ab}/Hc 2 ^{c}= xi_{ab} / xi_{c} ~ 1.73;其中xi_{o,ab} ~ 70 A，xi_{o,c} ~ 40 A，以及质量各向异性比m_{ab} / m_{c} ~ 0.3。鉴别出铁磁性背景信号，可能与原材料纯度相关。
2001-05-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Growth and Characterization of Superconducting Bulk Crystal [(SnSe)$_{1+δ}$]$_m$(NbSe$_2$) Misfit Layer Compounds
本文利用CsCl/KCl助熔剂首次生长出m=12的[(SnSe)$_{1+δ}$]$_m$(NbSe$_2$)失配层状晶体，并通过透射电镜确认其交替层状结构，发现超导转变温度随SnSe层数增加而降低，超导维度趋于二维化。
2024-01-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Raman evidence for coupling of superconducting quasi-particles with a phonon and crystal field excitation in superconductor Ce0.6Y0.4FeAsO0.8F0.2
本文报道了超导体Ce_（0.6）Y_（0.4）FeAsO_（0.8）F_（0.2）在4K ~ 300 K范围内的非弹性光散射实验，覆盖了超导转变温度Tc ~ 48.6K。观察到与Ce/Y振动相关的150 cm-1附近的A1 g声子模的超导诱导声子重整化的强有力证据，反映在异常红移和低于Tc的线宽减小中。排除该模与超导能隙的耦合，零温下的超导能隙（2）估计为~ 20 meV，即比值为~ 5，表明Ce_（0.6）Y_（0.4）FeAsO_（0.8）F_（0.2）属于强耦合超导体。此外，Ce ~（3+）晶场激发的430 cm ~（-1）附近的模在低于Tc时线宽也出现异常增大，表明晶场激发与超导准粒子之间存在强耦合。我们对两个高频模（S9和S10）的观测证明了Fe ~（2+）dxz/yz轨道的非简并性质，表明了这些体系中的电子向列性。
2013-10-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Josephson-vortex-flow terahertz emission in layered high-$T_c$ superconducting single crystals
我们报告成功的太赫兹发射（0.6 $\sim$ 1 THz），这是连续的和可调的频率和功率，通过驱动约瑟夫森涡旋共振与集体常设约瑟夫森等离子体模式激发堆叠的Bi $_2$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_{8+x}$本征约瑟夫森结。采用Shapiro阶跃检测来确认太赫兹波发射。我们的研究结果为开发长期寻求的固态太赫兹波发射器件提供了强大的可行性。
2006-10-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Single crystals of LnFeAsO1-xFx (Ln=La, Pr, Nd, Sm, Gd) and Ba1-xRbxFe2As2: growth, structure and superconducting properties
本文综述了我们对LnFeAsO_（1-x）Fx（Ln=La，Pr，Nd，Sm，Gd）和Ba_（1-x）Rb_xFe_2As_2单晶的研究。本文采用高压技术生长了LnFeAsO_（1-x）Fx晶体，而Ba_（1-x）Rb_xFe_2As_2晶体则采用石英坩埚法生长。单晶被用于电输运、结构、磁矩和光谱研究。晶体结构的研究证实了高结构的完美性，并显示在超导LnFeAsO 1-xFx晶体中的（O，F）位置的小于完全占据。LnFeAsO 1-xFx晶体的电阻率测量显示在高磁场中转变的显著加宽，而Ba 1 xRbxFe 2As 2中的电阻转变简单地向较低温度移动。两种化合物的临界电流密度相对较高，在15 K和7 T下超过2 × 109 A/m2。用转矩磁力仪在LnFeAsO_（1-x）Fx晶体上测得的磁穿透深度的各向异性与温度有关，且明显大于上临界场的各向异性。Ba 1-xRbxFe 2As 2晶体的各向异性在电子学上显著较小。点接触Andreev反射光谱表明在LnFeAsO_（1-x）Fx中存在两个能隙。扫描隧道能谱显示除了超导能隙之外，在高能量（~20 meV）下也有一些特征。
2009-02-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Anisotropy of superconducting single crystal SmFeAsO_(0.8)F_(0.2) studied by torque magnetometry
本文用转矩磁力仪研究了Tc =45（1）K的氧铌酸盐超导体SmFeAsO_（0.8）F_（0.2）单晶。通过高压立方砧技术生长质量约0.1 μ g的晶体。使用高灵敏度的压阻式扭矩传感器使得研究这些微小晶体的各向异性磁特性成为可能。各向异性参数与场无关，但随温度变化很大，从T=T_c时的8到T= 0.4T_c时的23。这种不寻常的行为标志着非常规的超导性。
2009-01-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Flux free growth of superconducting FeSe single crystals
本文首次报道了用一种简便、通用的高温熔体慢冷法无助熔剂生长FeSe超导单晶。在这样获得的晶体片的表面上的室温XRD显示β-FeSe四方晶相的单一101面。通过粉碎部分晶体块获得的块体粉末XRD显示出大部分的四方晶相和少量的FeSe六方晶相。详细的HRTEM图像以及SAED（选区电子衍射）显示了多数和少数FeSe相的丰度。输运（RT）和磁化（MT）在低于10 K时都表现出超导性。有趣的是，这些晶体的磁化强度信号是由少数磁性相的磁性占主导地位，因此在4K的等温磁化强度（MH）被认为是铁磁性（FM）的。在磁场下的输运（R-T）测量表明，超导起始温度低于12 K，在9 K时R = 0（Tc）。超导转变温度（Tc）随外加磁场的增加而降低，在7特斯拉时约为6 K，dTc/dH为0.4K/特斯拉，当Rn = 90%、50%和10%时，Hc 2值分别约为50特斯拉、30特斯拉和20特斯拉。采用热激活磁通流（TAFF）模型计算了FeSe单晶的激活能，发现激活能随磁场的增加而减小。
2017-01-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
High-pressure effects on superconducting properties and crystal structure of Bi-based layered superconductor La2O2Bi3Ag0.6Sn0.4S6
通过电阻和磁化率测量研究了压力对具有四层导电层的Bi系层状超导体La_2O_2Bi_3Ag_（0.6）Sn_（0.4）S_6超导性能的影响。在SPring-8上使用同步加速器X射线衍射检查压力下的晶体结构。在低压区，压力诱导了相变温度Tc为~ 4.5 K的体相超导，这是由于四面体结构的压缩引起的面内化学压力效应实现的。在6.4GPa以上的高压区，观察到结构对称性降低，并观察到Tc ~ 8 K的超导转变。我们的研究结果表明，在Bi系超导体的两层型和四层型导电层的Tc的必要因素可能是共同的。
2020-11-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Crystal structures, magnetic and superconducting properties of the RuSr_2NdCu_2O_x and RuSr_2GdCu_2O_y compounds
本文报道了RuSr_2GdCu_2O_y和RuSr_2NdCu_2O_x钙钛矿材料的磁化强度和磁化率测量结果。发现RuSr_2GdCu_2O_y化合物在T_c =135 K时发生磁转变，随后在T_c =35 K时发生超导转变。RuSr_2NdCu_2O_x材料既没有超导性也没有磁转变。XRD测试表明，在RuSr_2NdCu_2O_x中，Nd离子有很高的取代Sr离子的倾向。讨论了这一现象与RuSr_2NdCu_2O_x中无超导电性的关系。
2001-10-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Growth, structure analysis and anisotropic superconducting properties of MgB2 single crystals
本文报道了在Mg-B-N体系中高压下生长不同形状的亚毫米MgB_2单晶。使用单晶X射线衍射分析的结构精修给出晶格参数a=3.0851（5）A和c=3.5201（5）A，具有小的可靠性因子（Rw =0.025，R=0.018），这使得我们能够分析傅立叶和傅立叶差分图。这些图清楚地显示了B-B键的Bsp 2轨道和共价性。磁化强度（DTc =0.6K）和电阻率（DTc <0.3K）的测量都得到了T_c =38.1-38.3K的尖锐超导转变。与磁场施加平行和垂直的Mg和B片的电阻率测量揭示了该化合物的各向异性的性质，上临界场各向异性比约为2.7。
2001-07-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
The conductance of superconducting-normal hybrid structures
讨论了正常超导混合结构的直流电导。结果表明，由于Bogoliubov-DeGennes（BDG）方程不守恒电荷，其应用程序创建一个Landauer型的方法的NSN系统的电导是有问题的。我们'修补'这一不足，计算电导从久保公式的环配置（对于这种几何形状的BDG方程的解决方案保存电荷）。我们表明，在一个正常的金属超导段的存在下，可能{ \em减少}的复合结构的整体电导。这种降低增强了NS复合材料变得绝缘的趋势。
2008-07-25 cond-mat.supr-con
Multiband Semimetallic Electronic Structure of Superconducting Ta2PdSe5
我们报告的电子结构和相关性质的超导体Ta2PdSe 5确定从密度泛函计算。费米表面有两个不连续的片，都来自主要的硫属p态的带。这是一个有波纹孔的圆柱体和一个较重的复杂形状的电子片.这种薄片含有0.048个空穴，每个分子式单位含有补偿数量的电子，使这种材料成为半金属超导体。结果支持双带超导的存在，虽然注意到比热的差异。这种差异进行了讨论，作为一个可能的后果，钯缺乏样品。
2015-04-06 cond-mat.supr-con
Crystal Structure of Superconducting 1/1 Cubic Au-Ge-Yb Approximant with Tsai-Type Cluster
我们报道了单相样品的超导晶体近似Au64.0Ge22.0Yb14.0的合成，并提出了一个结构模型，通过Rietveld分析的X射线衍射数据。
2015-01-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Flux free growth of large FeSe1/2Te1/2 superconducting single crystals by an easy high temperature melt and slow cooling method
我们报告成功的磁通自由超导FeSe_（1/2）Te_（1/2）大单晶生长的典型尺寸高达几厘米。交流和直流磁场测量结果表明，超导转变温度（Tc）值约为11.5K，等温MH表现出典型的II型超导行为。通过测量超导区的低场等温磁化强度，得到了在0 K时的下临界磁场，其值大于200 Oe。
2015-09-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Landau theory of superconducting phases in T_h crystals
本文考虑T_h晶体中多超导相的相变朗道理论。找到了所有可能的单超导序参量相变序列，这些结果适用于PrOs_4Sb_（12）。
2004-08-06 cond-mat.supr-con
Growth and superconducting anisotropies of F-substituted LaOBiSe2 single crystals
用CsCl助熔剂生长了掺F的LaOBiSe_2单晶。所获得的单晶显示出尺寸为约1.0平方毫米的板状形状。生长的晶体的c轴晶格常数被确定为14.114（3）Ω。单晶的超导临界温度约为3.5 K。用上临界场和有效质量模型分别确定了超导各向异性为49和24。
2014-06-04 cond-mat.supr-con
Superconducting properties of ultrathin Bi2Sr2CaCu2O8+x single crystals
我们使用Ar离子铣削薄Bi 2212单晶下降到几个纳米或一到两个（CuO 2）2层。随着厚度的减小，超导转变温度逐渐降低到零，面内电阻率增大到大的值，表明超导体-绝缘体转变的存在，在Bi 2212单晶。
2005-07-05 cond-mat.supr-con
Effect of the wire width on the intrinsic detection efficiency of superconducting-nanowire single-photon detectors
对不同宽度的TaN和NbN超导纳米线的本征单光子探测效率进行了深入的光谱研究，结果表明，在近红外波段，探测效率的实验截止很可能是由于可用于电流传输的库珀对的局部缺陷造成的.对于这两种材料的倒数截止波长的规模与线的宽度，而缩放因子定量同意热点检测模型。与涡流辅助检测方案的实验数据的比较表明，这些模型预测的截止波长上的线宽的依赖性更强。
2013-03-19 cond-mat.supr-con
Synthesis, crystal growth and superconducting properties of Fe-Se system
在真空密封的石英管中，采用多晶材料，以I2为载气，通过气体输运反应生长了FeSex单晶。获得了尺寸为0.1 ~ 0.5mm的六方棱柱、四方棱柱、平面正方形和六方小面的晶体。FeSex单晶的电子输运和磁性测量表明，超导转变T_c的起始温度可达24 K。
2009-11-06 cond-mat.supr-con
Growth of superconducting Sm(O,F)BiS2 single crystals
用KI-KCl助熔剂成功地生长了Sm（O，F）BiS_2超导单晶。所得单晶为扁平状，尺寸为500 μ m。使用X射线衍射和X射线光谱获得所获得的单晶的结构和组成。得到的Sm（O，F）BiS2单晶的晶格常数被评价为a = 3.9672（4）A和c = 13.417（6）A，而它们的F/（O + F）摩尔比约为0.17。得到的Sm（O，F）BiS2单晶的超导转变温度为4.8K。这与文献报道的Sm（O，F）BiS_2在2K以上没有超导转变不同。得到的Sm（O，F）BiS2单晶的上临界场和有效质量模型的超导各向异性分别约为26和10。
2019-11-06 cond-mat.supr-con
Growth and superconducting properties of F-substituted ROBiS2 (R = La, Ce, Nd) single crystals
用CsCl/KCl助熔剂成功地生长了不同F掺杂浓度的ROBiS_2（R = La，Ce，Nd）超导单晶。所有获得的单晶具有板状形状，具有尺寸为1-2 mm的发育良好的ab平面。通过电子探针显微分析，在所获得的单晶中未检测到Cs、K和Cl的助熔剂成分。F取代的LaOBiS 2和CeOBiS 2的生长单晶在约3 K下显示超导性，而F取代的NdOBiS 2的Tc表现出约5 K。根据有效质量模型，F取代LaOBiS_2和NdOBiS_2单晶的超导各向异性为30-45，而F取代CeOBiS_2单晶的超导各向异性为13-21。F-取代的CeOBiS 2单晶在约7 K时表现出磁有序性，在低于约3 K时明显与超导性共存。
2013-10-07 cond-mat.supr-con
High-pressure study of superconducting and non-superconducting single crystals of the same nominal composition Rb0.8Fe2Se2
两个单晶样品具有相同的标称组成的Rb 0.8Fe2Se2通过略有不同的前体路线在相同的热处理条件下制备的在环境和高压下进行了研究。一个样品被发现超导的Tc为~31 K，没有先前报道的磁导率驼峰，另一个被意外地发现是一个窄隙半导体。虽然高压数据可以理解为掺杂的压力诱导变化，但详细的掺杂对超导性的影响尚未确定。
2011-10-27 cond-mat.supr-con
Single-crystal superconducting nanowires of NbSe$_2$ fabricated by reactive plasma etching
我们提出了单晶NbSe $_2$纳米线的制备和测量。这些纳米线是在NbSe $_2$的可剥离（$\lesssim10\text{ nm}$）薄片上制备的，所述薄片使用结合电子束光刻和反应性等离子体蚀刻的工艺从块状单晶机械剥离。使用Ti/Au制备与纳米线的电接触。我们的技术，克服了以前开发的方法用于制造超导纳米线的几个限制，也允许制备具有所需几何形状的复杂超导纳米结构。首次测量了宽度低至30 nm、横截面积低至270 nm的单个超导单晶纳米线的电流-电压特性$^2$。
2013-12-23 cond-mat.supr-con
Growth and superconducting properties of Cd-doped La(O,F)BiS2 single crystals
采用CsCl/KCl助熔剂生长了Cd掺杂La（O，F）BiS 2单晶。生长的晶体具有板状形状，在发育良好的ab平面中具有约1-2 mm的正方形尺寸。采用单晶X射线衍射和电子探针显微分析技术成功地表征了晶体中的镉掺杂。La（O，F）BiS 2的超导电性随着Cd的掺杂而逐渐被抑制。La（O_（0.54）F_（0.46））（Bi_（0.92）Cd_（0.08））S_2的零电阻超导转变温度为2.3K。Cd的掺杂并没有改变超导各向异性这么多，虽然相当大的抑制Tc。
2017-05-30 cond-mat.supr-con
Single crystal MgB2 with anisotropic superconducting properties
具有高Tc（39 K）的二硼化镁MgB_2超导体的发现提出了一些具有挑战性的问题：这种新的超导体是否类似于高温铜酸盐超导体（HTS）或低温金属超导体;哪种超导机制，声子介导的BCS或空穴超导机制或其他新的奇异机制可以解释这种超导性;以及它的应用前景如何。为了澄清上述问题，迫切需要使用单晶样品的实验。在这里，我们首次成功获得了这种新型MgB 2超导电性的单晶，并对其进行了电阻和磁化强度测量。他们的实验表明，电子和磁性取决于晶体学方向。结果表明，MgB_2单晶超导体具有各向异性的超导特性，为MgB_2单晶超导体的超导机理及其应用研究提供了科学依据。
2001-05-14 cond-mat.supr-con
Flux-free growth of large superconducting crystal of FeSe by traveling-solvent floating-zone technique
本文首次报道了一种基于移动溶剂浮区法生长大尺寸、成分均匀的FeSe超导晶体的无助熔剂生长方法。用这种方法制备的晶体样品的尺寸可达15 × 6 × 2 mm ~ 3，远远大于以前报道的所有尺寸，晶体的主相沿四方晶系（101）面具有单一的择优取向。X射线衍射分析确定主相为超导四元\b{eta} -FeSe。通过交流磁化率和电子输运测量，确定了超导转变温度（TC）为9.4 K。观察到约97%的几乎完美的抗磁屏蔽，表明晶体样品中的体超导性。
2014-10-11 cond-mat.supr-con
Disorder effects on the superconducting properties of BaFe$_{1.8}$Co$_{0.2}$As$_2$ single crystals
超导BaFe $_{1.8}$ Co $_{0.2}$ As $_2$单晶在裂变反应堆中暴露于中子辐照。引入的缺陷降低超导转变温度（约0.3 K）和上临界场各向异性（例如，在22 K下从2.8到2.5），并将临界电流密度提高约3倍。在其他超导材料的类似实验中讨论了这些变化。
2009-07-17 cond-mat.supr-con
Two Superconducting Transitions in Single Crystal La$_{2-x}$Ba$_x$CuO$_4$
我们利用空间分辨输运技术研究了La $_{2-x}$ Ba $_x$ CuO $_4$单晶的超导性质。我们发现一个新的超导转变温度$T_{cs}$与ab平面表面区域，这是相当高的体积$T_c$。该效应在具有强自旋-电荷条纹相关性的电荷载流子掺杂$x$的区域中是显著的，达到$T_{cs}=36$ K或1.64 $T_c$。
2016-12-18 cond-mat.supr-con
Growth and anisotropy evaluation of NbBiCh$_3$ (Ch = S, Se) misfit-layered superconducting single crystals
采用CsCl/KCl助熔剂首次成功地生长了NbBiCh $_3$（Ch = S，Se）错配层状超导单晶。所获得的晶体具有平行于c-平面的良好发育的习性，典型的宽度为1-2 mm，厚度为10-40 μ m。由Nb 0.9 Bi 1.2 S3的标称组成获得的NbBiS $_3$单晶的零电阻率超导转变温度为0.31 K，由化学计量组成（NbBiSe $_3$）生长的NbBiSe $_3$单晶的零电阻率超导转变温度值为2.3 K。电阻率和磁化率在约3 K时急剧下降，表明NbBiSe $_3$可能具有超导转变温度。生长的NbBiS $_3$和NbBiSe $_3$单晶的正常态各向异性值分别为2.2-2.4和1.5-1.6。
2020-08-21 cond-mat.supr-con
Superconducting photonic crystals
采用平面波展开法对一种新型超导光子晶体的能带结构进行了数值计算。分析了由无限长平行超导圆柱阵列组成的二维光子晶体的态密度和光子带隙宽度与填充因子的关系。
2006-01-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Strong coupling of an Er3+ doped YAlO3 crystal to a superconducting resonator
量子存储器是量子计算机和量子通信网络的组成部分。当然，这样的存储器被嵌入到混合量子架构中，这必须满足快速门、长相干时间和长距离通信的要求。掺铒晶体非常适合作为超导电路的微波量子存储器，并可额外接入1.55 μm左右的光通信C波段。在这里，我们报告电路QED实验与Er 3+：YAlO3晶体和超导集总元件谐振器的强耦合。主晶体的低磁各向异性允许在与超导电路兼容的相对低的磁场下获得强耦合状态。此外，在晶体中检测到Ce 3+杂质，其也显示出强耦合。
2014-02-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
High-pressure growth of fluorine-free SmFeAsO$_{1-x}$ superconducting single crystals
用自熔法在3.3 GPa和1350-1450 $^\circ$ C温度下生长了无氟掺杂的SmFeAsO $_{1-x}$超导单晶。获得横向尺寸为几个~ 150 $μ$ μ m的板状单晶。单晶在53.5K左右发生超导转变，转变宽度仅为0.5K。同步辐射X射线衍射图案和高角度环形暗场扫描透射电子显微镜图像指向具有良好定义的层状四元结构的晶体的高质量。用电子探针X射线微区分析法测定了晶体的化学组成。
2008-11-12 cond-mat.supr-con
Growth and characterization of R(O,F)BiS2 (R = La, Ce, Pr, Nd) superconducting single crystals
用CsCl/KCl助熔剂生长了不同F浓度的R（O，F）BiS 2（R：La，Ce，Pr，Nd）超导单晶。所获得的1-2 mm尺寸的单晶具有板状形状并且可沿ab平面分裂。晶体结构为四方晶系，空间群为P4/nmm（#129）。生长的单晶在3-5 K左右表现出超导性。超导转变温度随R元素离子半径的减小而升高。根据有效质量模型，R（O，F）BiS_2单晶的超导各向异性为30-60，而Ce（O，F）BiS_2单晶的超导各向异性为13-21。Pr（O，F）BiS_2单晶在平行于ab面的磁场作用下的c轴输运测量揭示了由约瑟夫森涡旋流引起的“锁定”状态。此外，Ce（O，F）BiS 2单晶在5-7 K的温度范围内表现出磁有序性，在低于约3 K的温度下，磁有序性显然与超导性共存。
2015-11-01 cond-mat.supr-con
In-plane and transverse superconducting fluctuation diamagnetism in the presence of charge-density waves in 2H-NbSe2 single crystals
测量了2 H-NbSe_2单晶超导转变以上的涨落抗磁性。这种化合物的中等单轴各向异性，以及一些实验改进，允许测量两个主要结晶方向的超导波动效应。这些结果表明，FD上的非局部电动力学效应是高度各向异性的，他们也放弃了可能的贡献FD来自电荷密度波（CDW）出现低于$Tcdw > Tc在2 H-NbSe 2，在协议的唯象估计。
2007-04-19 cond-mat.supr-con
Fluorine solubility and superconducting properties of Sm(O,F)BiS$_2$ single crystals
用KI-KCl助熔剂生长了不同名义氟含量的Sm（O，F）BiS_2超导单晶。F在Sm（O，F）BiS 2单晶中O位的固溶极限约小于20at%。Sm（O，F）BiS 2单晶的F浓度几乎不受名义F含量的控制。这表明存在本征稳定相。在5 K左右显示出超导性。零电阻率的超导转变温度随着标称F含量的增加而增加，在O位小于70原子%的范围内，尽管F浓度和c轴晶格常数相似。
2021-06-18 cond-mat.supr-con
Isotropic superconducting state and high critical currents in Fe1+yTe1-xSx single crystals
本文报道了Fe_{1+y} Te_{1-x} S_{x}的单晶生长和超导性质的研究。在所有铁基超导体中，我们证明了最小的上临界场各向异性，γ = H_{c2} ^{//c}/ H_{c2} ^{//a}，对于Fe_{1.09} Te_{0.89} S_{0.11}，在T=0.65 T_{C}时γ值达到1.05，同时仍然保持大的上临界场值。
2009-07-21 cond-mat.supr-con
Structural Analysis and Superconducting Properties of F-Substituted NdOBiS2 Single Crystals
用CsCl/KCl助熔剂生长了掺F的NdOBiS_2超导单晶。这是BiS 2基超导体单晶生长的第一个例子。所获得的单晶具有尺寸为1-2 mm的板状形状和发育良好的ab平面。通过单晶X射线衍射分析确定生长的晶体的晶体结构为四氢呋喃空间群P4/nmm（#129），其中a = 3.996（3）A和c = 13.464（6）A。生长的晶体的化学式约为Nd 0.98（0.06）O 0.7（0.1）F 0.3（0.1）Bi 0.98（0.04）S2，并且通过电子探针微量分析在生长的晶体中未检测到Cs、K和Cl。生长的晶体具有约5 K的临界温度。由有效质量模型和上临界场估算出单晶的超导各向异性约为30。
2013-09-25 cond-mat.supr-con
Fluctuation diamagnetism around the superconducting transition in a cuprate crystal with a reduced Meissner fraction
超导转变周围的磁化强度被测量在Tl $_{0.5}$ Pb $_{0.5}$ Sr $_2$ CaCu $_2$ O $_7$晶体中，该晶体受到其有效超导体积分数的相当大的减少（$\sim$ 55%）的影响，但仍然具有相对尖锐的低场迈斯纳转变，该行为可能归因于结构不均匀性的存在。考虑到迈斯纳分数中的这些不均匀性，观察到的抗磁性仍然可以用传统的带有库珀对和涡旋涨落的金兹伯格-朗道方法来解释，始终在超导跃迁之上和之下。
2008-02-26 cond-mat.supr-con
Observation of anisotropic diamagnetism above the superconducting transition in iron-pnictide Ba_(1-x)K_xFe2As2 single crystals due to thermodynamic fluctuations
对高质量Ba_（1-x）K_xFe_2As_2单晶进行了高分辨磁化强度测量，确定了热激活库珀对在超导转变以上引起的抗磁性。这些数据，获得与磁场施加沿和横向晶体ab层，实验表明，铁磷属元素化物的超导转变可以解释在一个唯象的水平上的高斯金兹伯格-朗道三维各向异性超导体的方法。
2011-03-25 cond-mat.supr-con
Superconductivity induced by Mg deficiency in non-centrosymmetric phosphide Mg$_2$Rh$_3$P
对可能表现出不寻常的物理性质和非常规超导性的非中心对称超导体的研究已经产生了具有Al $_2$ Mo $_3$ C型结构的非中心对称磷化物Mg $_2$ Rh $_3$ P的合成。虽然化学计量的Mg $_2$ Rh $_3$ P在高于2K的温度下不表现出超导性，但我们发现，约5at.%的Mg缺乏是由于在2K以上的温度下，Mg $_2$ Rh $_3$ P在3.9K诱导的超导电性。物理性质如晶格参数a = 0.70881 nm，索末菲常数$γ_n$ = 5.36 mJ mol $^{-1}$ K $^{-2}$，比热跳$Δ$ C $_{el}$ / $γ_n$ Tc = 0.72，电子-声子耦合常数$λ$ $_{e-p}$ = 0.58，上临界场H $_{c2}$（0）= 24.3 kOe，测量了Mg $_{2-δ}$ Rh $_3$ P（$δ$ $\sim$ 0.1）超导体的dTc/dP = -0.34 K/GPa。能带结构计算表明，在高能物理学中不存在的奇异费米子存在于Mg $_2$ Rh $_3$ P中。由于Mg、Rh和P是Al $_2$ Mo $_3$ C型化合物每个晶位上使用的第一元素，Mg $_2$ Rh $_3$ P的发现可能会指导寻找新的相关材料。
2019-10-15 cond-mat.supr-con
Superconducting phase diagram of Sb and Se substitution in CeOBiS2 single crystals
本研究通过CsCl/KCl助熔剂成功生长Sb和Se取代的CeOBiS2单晶，系统探究了取代对超导性的影响，绘制了0.3 K以上的超导相图，并揭示了超导与非超导之间的非线性边界。
2024-04-23 cond-mat.supr-con
Superconducting Transition and Phase Diagram of Single Crystal MgB2
由磁化强度、磁输运和第一单晶比热测量确定了MgB_2的超导相图。确定了零温面内相干长度为8nm。超导各向异性从Tc附近的2左右增加到22 K时的4.5以上。对H||临界电流中的显著峰值效应出现在上临界场。表面超导态的证据是H||这可能解释了各向异性的报告值的广泛传播。
2002-03-27 cond-mat.supr-con
Growth and angular dependent resistivity of Nb2Pd0.73S5.7 superconducting single crystals fiber
本文报道了用慢冷固相反应法生长Nb_2 Pd_（0.73）S_（5.7）超导单晶光纤。超导转变温度（Tc ~ 6.5K）由磁化强度和输运测量确定。本文对用常规方法（取两个超导参数之比）和标度法测定超导各向异性进行了比较研究。在Ginzburg-Landau理论框架内定义的标度方法被应用于角相关电阻率测量以估计各向异性。发现来自缩放方法的接近Tc的Γ值为~ 2.5，与常规方法（~2.2）相比略高。此外，各向异性随温度的变化表明它是一种多带超导体。
2015-07-09 cond-mat.supr-con
