Insulator-Metal Phase Diagram of the Optimally Doped Manganites from the Disordered Holstein-Double Exchange Model
本文研究了具有替代无序的三维Holstein-Double Exchange模型。利用一种新的蒙特卡罗方法，我们建立了干净模型的相图，然后集中在不同的电子-声子耦合和无序在固定的电子密度的影响。我们展示了如何外在的无序控制晶格极化子效应和自旋波动的相互作用，并导致广泛变化的制度在运输。我们的铁磁T_c和金属-绝缘体转变的无序依赖性的结果承担直接比较的“最佳掺杂”，x=0.3-0.4，锰氧化物的数据。我们强调在这些材料中的一个关键效应的无序诱导极化子形成，组织成一个简单的“全球相位”的各种数据，并作出一些实验预测。
2006-01-23 cond-mat.str-el
Magnetic field induced Coulomb blockade in small disordered delta-doped heterostructures
在低密度下，由于无序和屏蔽效应，δ掺杂异质结构中被限制在两个维度的电子可以将自己排列成自洽的液滴。我们用这个观察表明，在低温下，应该有电阻振荡在低密度的二维电子气作为门电压的函数，这是大大增强的磁场。这些振荡是小样品固有的，并在较大样品中在低温下让位于可变范围跳跃电阻率。我们把我们的分析的背景下，最近的实验中，类似的物理效应已经讨论了从维格纳晶体或电荷密度波图片的角度来看。
2007-10-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Optical and Hall conductivities of a thermally disordered two-dimensional spin-density wave: two-particle response in the pseudogap regime of electron-doped high-$T_c$ superconductors
我们计算了二维金属的纵向（$σ_{xx}$）和霍尔（$σ_{xy}$）的光学电导率的热无序反铁磁性使用的近似李，赖斯和安德森的自我能量的推广。电导率计算从久保公式，与当前的顶点函数在满足沃德恒等式的保守近似处理。为了获得有限的DC极限，我们引入唯象杂质散射，与弛豫时间$τ$。$σ_{xx}(Ω)$满足$f$求和规则。对于自旋关联函数$χ(\mathbf{q})\propto δ(\mathbf{q}-\mathbf{Q})$的无限峰值，我们恢复了有序态平均场理论中电导率的表达式。当自旋关联长度$ξ$较大但有限时，$σ_{xx}$和$σ_{xy}$都表现出长程有序态的特征行为。对于$Ω\lesssim 1/τ$，计算遇到困难。这些困难可以追溯到Lee-Rice-Anderson近似中对极低能量密度状态的不准确处理。$σ_{xx}(Ω)$和$σ_{xy}(Ω)$的结果与电子掺杂铜氧化物的数据定性一致，当$Ω>1/τ$。
2010-11-14 cond-mat.str-el
Nuclear Magnetic Resonance Reveals Disordered Level-Crossing Physics in the Bose-Glass Regime of the Br-doped Ni(Cl$_{1-x}$Br$_x$)$_2$-4SC(NH$_2$)$_2$ Compound at a High Magnetic Field
通过对Br键掺杂DTN化合物Ni（Cl（1-x）Br_x）_2 -4SC（NH_2）_2（DTNX）的核磁共振（NMR）1/T_1弛豫速率的测量，发现其高磁场“玻色-玻璃”区的低能自旋动力学受一个强自旋涨落峰的支配，该峰位于H ~* = 13.6T，几乎与掺杂无关.从它的温度和场的依赖性，我们得出结论，这对应于一个水平交叉的能级有关的掺杂诱导的杂质状态。从附近的自旋掺杂Br的本地NMR信号的观察使我们能够充分表征这种杂质状态。因此，我们量化了微观理论模型，为更好地理解DTNX中的玻色玻璃物理铺平了道路，正如相关的理论研究所揭示的那样[M。Dupont，S. Capponi和N. Laflorencie，Phys. Rev. Lett. 118，067204（2017），arXiv：1610.05136]。
2017-02-10 cond-mat.str-el
Strong charge ordering above room temperature in B-site disordered electron-doped manganite SrMn0.875Mo0.125O3-δ
在83 - 637 K温度范围内对无稀土B位无序电子掺杂锰氧化物SrMn_（0.875）. Mo_（0.125）O_（3-δ）进行了低温和高温电子衍射和X射线衍射研究。这些研究揭示了强电荷有序（CO）在室温下发生在一个伪四方扭曲的钙钛矿相与空间群Pmmm。沿[-110]的8.95倍的非积分调制矢量表示电荷密度波型调制。具有钙钛矿结构Pmmm的CO相在355 K发生一级相变，转变为电荷无序立方相。支持温度依赖的测量电阻和磁化强度显示了金属绝缘体和反铁磁的转变跨越355 K与广泛的滞后范围从150 K到365 K。分析了c/a < 1的基本钙钛矿晶格的赝四方性以及二维调制的电荷有序区的出现是由于3dx 2/3dy 2型和3dx 2-y 2型轨道有序的两种CO相的共存。
2015-03-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electron-Doped Sr2IrO4-delta (0 <= delta <= 0.04): Evolution of a Disordered Jeff = 1/2 Mott Insulator into an Exotic Metallic State
化学计量比的Sr 2 IrO 4是由强自旋轨道耦合驱动的铁磁Jeff = 1/2莫特绝缘体。在δ < 0.04的Sr 2 IrO 4-δ单晶中引入非常稀的氧空位，导致晶格参数的显著变化，并在TMI = 105 K时发生绝缘体-金属转变。δ ~ 0.04的低温金属态的高度各向异性电阻率表现出异常的特性，其特征在于非欧姆行为和在T* = 52 K时电阻率的突然电流诱导转变，这将非线性I-V特性中的电阻切换分为两个区域。这种新颖的行为说明了一种奇特的基态，并构成了一种新的范例，其中电阻率通过低水平电流密度~ 10 mA/cm 2（与较高的自旋扭矩电流~ 107-108 A/cm 2相比）或磁感应~ 0.1-1.0 T来操纵。
2010-08-27 cond-mat.str-el
Evolution of Neel order and localized spin moment in the doped two-dimensional Hubbard model
在二维哈伯德模型中研究了掺杂空穴的跳跃对Neel序的影响。半经典交错矩计算求解鞍点方程来自路径积分形式主义。Schwinger玻色子平均场论考虑了量子涨落的影响。我们认为在高温超导体中，与快速抑制Neel有序相比，掺杂空穴的跳跃对抑制Neel有序是无效的。Neel序破坏后，量子无序相开始出现。在量子无序相中取强耦合极限，得到一个无自旋费米子和玻色子但无规范场相互作用的模型。
2003-12-29 cond-mat.str-el
New disordered anyon phase of doped graphene zigzag nanoribbon
采用哈伯德模型处理电子在密度矩阵重整化群中的相互作用，并采用Hartree-Fock方法研究了低掺杂下无序锯齿形纳米带的相互作用.插入相互作用的无序之字形纳米粒子中的额外电子分裂成任意子。此外，分数电荷形成了一个新的无序任意子相位与高度扭曲的边缘自旋密度波，包含许多本地磁矩驻留在锯齿形边缘，从而显示自旋-电荷分离和强非本地相关的相对锯齿形边缘之间。我们提出了以下新的预言，这些预言可以在实验上得到验证：（1）在低掺杂和弱无序区，隧穿态密度中的软能隙被能隙中的一个尖峰所取代，并伴有两个尖峰。位于锯齿形边缘的边界上的$e^-/2$部分电荷是这些峰的原因。(2)我们发现，随着掺杂浓度的增加，带隙中间峰消失。这些峰的检测强烈支持存在$e-/2$部分电荷。掺杂的锯齿形带还可以表现出不寻常的传输、磁性和边缘间隧穿性质。
2022-08-26 cond-mat.str-el hep-th quant-ph
Nanoscale ferromagnetism in non-magnetic doped semiconductors
虽然在稀磁半导体如Ga_（1-x）Mn_（x）As中可以观察到相对高温下的铁磁性，但没有磁性离子的杂质半导体还没有显示出铁磁性的证据。使用一个广义的无序哈伯德模型设计来表征半导体中的类氢中心，我们发现，这样的系统也可能表现出铁磁基态，至少在纳米尺度上。这是最清楚地发现，在一个制度无法进入散装系统，但可达到量子点以及异质结构。我们提出的数值计算结果表明，在晶格和位置无序系统的高自旋基态的发生。我们研究如何磁相位的影响，真正的杂质半导体的特性，如位置的障碍和电子空穴的不对称性。
2007-05-25 cond-mat.str-el
Valence-bond theory of highly disordered quantum antiferromagnets
基于量子反铁磁体共振价键理论的无序推广，提出了一种描述绝缘杂质半导体磁性的大N变分方法.这种方法捕获所有的定性，甚至定量的预测强无序重整化群的方法在整个实验相关的温度范围。最后，通过将问题映射到硬球流体上，我们可以提供一个本质上精确的解析解，而无需任何可调参数。
2009-07-31 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Pseudogap in a crystalline insulator doped by disordered metals
本研究在无序碱金属掺杂的黑磷界面观察到由共振散射引起的能带重整化与赝能隙，其大小随掺杂剂种类变化，为理解相关晶体绝缘体的异常谱提供了线索。
2025-07-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetodipolar interaction and quasiparticles delocalization in disordered quantum magnets
众所周知，无序量子磁体通常在带隙相位中具有局域元激发。在这里，我们表明，长程磁偶极相互作用可以导致准粒子离域在三维的情况下，类似于先前描述的无序固体中的局部振动模式的现象。利用类重整化群的思想，发现平均本征模占据数与系统尺寸成比例，这也导致了系统的亚扩散动力学性质。
2022-03-23 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
A Real Space Description of Field Induced Melting in the Charge Ordered Manganites: II. the Disordered Case
利用Monte-Carlo方法研究了半掺杂锰氧化物中A位无序对磁场诱导电荷序（CO）熔化的影响。即使没有外加场，强A位无序也会破坏CO。在中度无序，零场CO状态的生存，但有几个有趣的功能，在其领域的响应。我们的空间分辨的结果跟踪由于混乱和解释不寻常的依赖带宽和无序的熔化尺度的场熔化过渡的扩大。结合我们的同伴文件在清洁系统中的电荷秩序的场熔化，我们提供了一个统一的理解CO熔化所有半掺杂锰氧化物。
2014-10-21 cond-mat.str-el
Comment on "Magnetic Percolation and the Phase Diagram of the disordered RKKY model"
本文对最近发表的论文《磁逾渗与无序RKKY模型的相图》进行了评述。“D.J. Priour和S. Das Sarma，Phys Rev Lett. { \bf 97}，127201（2006）; cond-mat/0606532）
2006-09-25 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Topological delocalization against Anderson localization observed in Bi-doped PbSb2Te4 disordered topological insulator
本文通过输运测量发现，在Pb(Bi1-xSbx)2Te4拓扑绝缘体中，体电子态发生Anderson局域化，而拓扑表面态保持高迁移率并表现出量子振荡，证实了拓扑表面态对抗强无序的离域性质。
2025-04-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetic properties of strongly disordered electronic systems
我们提出了一个统一的，全球性的观点，强烈无序的电子系统的磁性，特别强调的情况下，基态是金属。我们回顾了无序费米液体状态对局部磁矩形成的不稳定性的论点，并认为它们的奇异低温热力学是量子相变到金属自旋玻璃的“量子格里菲斯”前体;因此，局部磁矩的形成与金属-绝缘体转变没有直接关系。我们还回顾了无序费米液体到金属自旋玻璃转变的平均场论理论，并描述了量子临界点附近高温下"非费米液体“行为的分离区。注意到与杂质半导体和重费米子化合物的实验结果的关系。
1997-05-16 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Metal-Insulator Transitions in Interacting Disordered Systems
简要回顾了三维杂质半导体中的金属-绝缘体转变，重点是“临界指数之谜”;以及新的实验发现，表明在稀的二维系统中可能出现意想不到的金属-绝缘体转变，如硅MOSFET和GaAs/AlGaAs异质结构。
2000-08-30 cond-mat.str-el
Application of Kondo-lattice theory to Mott-Hubbard metal-insulator crossover in disordered cuprate-oxide superconductors
本文应用近藤格点理论研究了准二维格点上t-J模型中局域矩磁性与巡游电子磁性的交叉。近藤温度T_K被定义为局域量子自旋涨落的特征温度或能量标度。当T_N >> T_K（T_N为N \eel温度）时的磁性为局域磁矩磁性，而当T_N << T_K时的磁性为巡游电子磁性。近藤温度，这也给出了一个衡量的磁矩的淬火强度，是重整化的超交换相互作用的福克项。由于重整化依赖于准粒子的寿命宽度γ，γ越小，T_K越大，T_N可以由无序控制。电子掺杂和空穴掺杂的铜氧化物的T_N的不对称性主要是由无序引起的，如果我们能制备出无序度相近的空穴掺杂和电子掺杂的铜氧化物，那么T_N的不对称性就必须恢复到几乎对称的状态。由于近藤晶格中的有效无序被磁场增强，所以在表现出大磁阻的铜氧化物中，反铁磁有序必须被磁场诱导。
2004-07-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Critical transport in weakly disordered semiconductors and semimetals
受Weyl半金属和弱杂质半导体的启发，我们研究了具有幂律准粒子色散$ξ_{\bf k}\propto k^α$的弱无序半导体中的输运。我们表明，在$2α$尺寸短相关的障碍经历对数重整化从所有的能量在频带中。我们研究的情况下，一般尺寸$d$使用的renormalisation组，控制的$\varepsilon=2α-d$ -扩展。在临界尺寸以上，传导表现出局域化-离域相变或急剧的交叉（取决于哈密顿量的对称性）作为无序强度的函数。我们利用这种分析来计算Weyl半金属和弱杂质半导体的低温电导率附近和低于临界无序点。
2015-04-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el
The essential role of magnetic frustration in the phase diagrams of doped cobaltites
掺杂的钙钛矿钴酸盐（例如，La $_{1-x}$、Sr $_x$、CoO $_3$）由于其自旋态物理、电子不均匀性和绝缘体-金属转变而被广泛研究。铁磁相互作用的自旋态极化子出现在低$x$在这些化合物的相图，最终产生远程铁磁性。然而，长程铁磁性（$x \approx 0.18$）的出现相对于极化子逾渗（$x \approx 0.05$）大大延迟，这产生了令人不安的不一致性。在这里，蒙特卡罗模拟的无序的经典自旋模型被用来建立，以前被忽略的磁挫折是负责这种效果，使磁相图的忠实再现。
2021-05-13 cond-mat.dis-nn cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Search for Ferromagnetism in doped semiconductors in the absence of transition metal ions
与掺杂有过渡金属磁性元素的半导体（其在低于~ 100 K的温度下变成铁磁性）相反，掺杂有非磁性离子的半导体（例如掺杂有磷的硅）在低至毫开尔文温度下没有显示出铁磁性的证据。这是尽管这样的事实，即对于低密度的系统，预计将很好地模拟的哈伯德模型，这是预测有一个铁磁基态在T=0的2-或3-维的二分晶格在半填充附近的强相关性的限制。我们研究了低密度半导体中由类氢中心形成的杂质带，并表明它是由广义哈伯德模型描述的，该模型除了具有强的电子-电子相互作用和无序性外，还具有固有的电子-空穴不对称性。借助平均场方法以及精确对角化的集群周围的半填充，我们可以建立一个铁磁基态的存在，至少在纳米尺度上，这是更强大的比发现在标准的哈伯德模型。这种铁磁性在体系统无法达到的区域中最明显，但在量子点和2D异质结构中可以达到。我们提出了广泛的数值计算结果表明，在周期性和位置无序的2D系统中发生的高自旋基态的小系统。我们考虑了真实杂质半导体的性质，如位置无序和电子-空穴不对称性，如何影响小的二维系统的基态自旋。我们还讨论了这一工作与稀磁半导体如Ga_（1-x）Mn_（x）As的关系，它们虽然是无序的，但在相对较高的温度下显示出铁磁性。
2009-07-21 cond-mat.str-el
Dynamical Mean-Field Solution for a Model of Metal-Insulator Transitions in Moderately Doped Manganites
我们建议，一个特定的空间配置的晶格位置，积极有利于{ \it 3+}或{ \it 4+}锰离子在中度掺杂锰氧化物构成了一个空间随机的两个能级系统。这种效应导致了金属-绝缘体转变的机制，该机制似乎与安德森转变和莫特-哈伯德转变都不同。相应地，提出了一个无序Kondo晶格模型，其动力学平均场解与实验结果符合得较好。
1999-10-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Correlation-driven chiral superconductivity and chiral spin order in doped kagome lattice
采用变分集团方法研究了1/6空穴掺杂可果美晶格中哈伯德模型的电子不稳定性。1/6空穴掺杂的独特之处在于费米能级处于冯霍夫奇点，费米面具有完美的嵌套。在这种情况下，通常实现密度波。然而，我们在这里证明，手征$d_{x^{2}-y^{2}}+id_{xy}$超导态是最有利的，当一个小的Hubbard相互作用U（U<3.0 t）时，和一个标量手征自旋序实现大U（U> 5.0 t）。在它们之间，提出了自旋无序绝缘态。
2011-10-30 cond-mat.str-el
Ginzburg-Landau functional for nearly antiferromagnetic perfect and disordered Kondo lattices
研究了近藤效应与反铁磁和自旋玻璃有序化之间的相互作用。Ginzburg-Landau方程是由三模表象（近藤屏蔽、反铁磁关联和自旋液体关联）中的微观有效作用量导出的。利用定域自旋算符的Popov-Fedotov表示解决了定域约束问题。结果表明，Kondo屏蔽增强了自旋液体交叉的趋势，抑制了理想Kondo晶格中的反铁磁有序和掺杂Kondo晶格中的自旋玻璃有序.构造了修正的Doniach图，讨论了超越平均场近似的可能性。
2001-06-28 cond-mat.str-el
Electronic and magnetic states in doped LaCoO_3
用数值精确对角化方法研究了掺杂钙钛矿型钴酸盐（La，Sr）CoO_3中Co_2 O_{11}团簇的电子态和磁性.对于现实的参数值，它表明，高自旋态和中间自旋态共存的单空穴掺杂团簇由于强的p-d混合。计算中得到的掺杂钴酸盐的磁状态解释了各种实验结果。
1998-09-05 cond-mat.str-el
Fluctuation-Exchange Study of Antiferromagnetism in Electron-Doped Cuprate Superconductors with Disorder
在哈伯德模型的基础上，我们将涨落交换（FLEX）方法推广到研究电子掺杂铜氧化物超导体中反铁磁（AF）相的性质。此外，通过将散射的影响，由于无序掺杂原子的FLEX形式主义，我们的数值计算结果表明，反铁磁转变温度，由于自旋涨落的赝能隙的起始温度，费米面附近的单个粒子的谱密度，以及在AF相的交错磁化作为电子掺杂的函数可以一致地解释实验测量。
2006-05-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Quantum oscillations in electron doped high temperature superconductors
空穴掺杂高温超导体中的量子振荡现象在目前的主流观点中是很难理解的。一个新兴的想法是，一个假定的正常基态，这似乎是一个费米液体与重建费米表面。振荡是由于朗道能级的形成。最近，在电子掺杂的铜酸盐$\mathrm{Nd_{2-x}Ce_{x}CuO_{4}}$中发现了相同的振荡，处于最佳到过掺杂的状态。虽然这些电子掺杂的非化学计量材料自然更加无序，但它们显著地补充了空穴掺杂的铜氧化物。在这里，我们提供了一个解释这些意见的角度来看，密度波使用一个强大的传输矩阵方法来计算的电导作为一个函数的磁场。
2010-08-31 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Field-induced transition between magnetically disordered and ordered phases in underdoped La(2-x)SrxCuO4
我们报道了在轻微欠掺杂La（2-x）SrxCuO4（x = 0.144）中观察到的磁场诱导的磁无序相和有序相之间的转变。静态无公度自旋密度波秩序诱导以上的临界场约为3 T，通过弹性中子散射测量。我们的结果使我们能够限制的位置上的相图的量子临界点。
2005-06-16 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Role of non-magnetic disorder in a doped U(1) spin liquid
最近我们研究了非磁性无序对U（1）自旋液体（$U1SL$）稳定性的作用[cond-mat/0407151; Phys. Rev. B（R）accepted]。在本论文中，我们研究了非磁性无序对掺杂$U1SL$的影响。在最近的研究[cond-mat/0408236]中，我们已经表明，掺杂的$U1SL$在超导相中由于holon凝聚而显示出非受限的大量自旋子激发。我们发现大质量自旋子被非磁性无序俘获。由于局域自旋的存在，非磁无序变成了磁无序。
2004-09-16 cond-mat.str-el
Bose-Glass Phases in Disordered Quantum Magnets
在具有反铁磁海森堡交换的无序自旋系统中，进入和离开磁场诱导有序相的跃迁通过一个独特的区域。利用量子蒙特卡罗模拟研究了零温行为，确定这些中间区域为玻色玻璃相。场致三重子的局域化导致了有限的可压缩性，从而导致无序相中的玻璃化。
2005-05-24 cond-mat.str-el
Magnetization driven metal - insulator transition in strongly disordered Ge:Mn magnetic semiconductors
本文报道了温度和磁场驱动的Ge：Mn磁性半导体的金属-绝缘体转变，伴随着磁有序化，磁电阻达到几千个磁单位，以及磁场对反常霍尔效应的抑制。磁电阻等温线服从一个普遍的标度律与一个单一的标度参数取决于温度和制造。我们认为，强磁无序导致载流子的本地化，是Ge：Mn合金的异常性能的起源。
2009-03-31 cond-mat.str-el
Influence of magnetic interaction between impurity and impurity-liberated spins on the magnetism in the doped Haldane chain compounds PbNi${}_{2-x${A}${}_{x}$V${}_{2}$O${}_{8}$ (A = Mg, Co)
采用宏观直流磁化率和局域电子自旋共振（ESR）技术，对非磁性（Mg ${}^{2+}$）和磁性（Co ${}^{2+}$）掺杂的PbNi ${}_{2}$ V ${}_{2}$ O ${}_{8}$化合物的杂质感生磁性进行了全面研究.杂质释放自旋之间的磁耦合估计从低温ESR信号的线宽在Mg掺杂样品。此外，在磁性钴掺杂剂的情况下，杂质-宿主磁交换从Co诱导的贡献的顺磁相的线宽进行评价。实验观察到的严重加宽的ESR线的磁性掺杂的化合物相对于掺杂的钴是由于快速自旋晶格弛豫的Co ${}^{2+}$离子，这导致在一个的温度依赖性的诱导线宽的dieleck-type。从ESR分析得到的交换参数提供了一个令人满意的解释所观察到的低温磁化掺杂样品。
2005-06-02 cond-mat.str-el
Enhancement of magnetic order in the incommensurate phase of Mg-doped CuGeO$_{3}$
本文给出了Mg掺杂CuGeO $_{3}$在高磁场下的弹性中子散射结果。对于低镁浓度，自旋Peierls相存在，我们发现一个增强的长程反铁磁序的结构无公度相诱导的高磁场。在无公度相，内尔温度随着磁场的增加而增加，导致在低温下磁布拉格峰强度的增加。我们还发现，即使在高磁场下，由于孤子的形成，结构是不公度的，但磁布拉格峰仍然保持公度。我们解释这些结果的孤子形成在高磁场有效地作为掺杂杂质。我们的结果指出，一个强无序的基态与反铁磁秩序局部周围的杂质网站。
2004-08-02 cond-mat.str-el
Magnetic Properties and Phase Diagram of Li-doped La(2)CuO(4): Common Magnetic Response of Hole-doped CuO2 Planes
虽然La（2）Cu（1-x）Li（x）O（4）[Li-LCO]在许多方面不同于La（2-x）Sr（x）CuO（4）[Sr-LCO]（例如，不存在金属输运、高Tc超导性和无公度反铁磁关联），已知某些磁性非常相似。本文建立了Li-LCO（0 <= x <= 0.07）的详细体磁相图，发现它与轻掺杂Sr-LCO的体磁相图几乎相同，从而将该相图的普遍性推广到空穴掺杂但非超导的铜酸盐。
2003-01-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic Griffiths Phase in the Te - Doped Semiconductor FeSb$_{2}$
我们报告出现的电子格里菲思相（EGP）的杂质半导体FeSb $_{2}$，预测无序绝缘体与随机本地化的时刻在附近的金属-绝缘体转变（MIT）。Fe（Sb $_{1-x}$ Te $_{x}$）$_{2}$单晶的磁性、输运和热力学测量显示出无序诱导的非费米液体行为的特征和强电子相关性的威尔逊比。EGP状态被发现在金属边界上，在绝缘状态（$x = 0$）和长距离但弱的磁序（$x \geq 0.075$）之间。
2016-04-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Coexistence of antiferromagnetism and dimerization in a disordered spin-Peierls model: exact results
考虑了一个无序自旋-佩尔斯系统模型，其中畴壁随机分布为电报噪声。为了实现XX自旋链中的无序，我们精确地计算了态密度以及几个热力学量。由此产生的物理行为应该是定性不变的，即使是XXZ链，直到各向同性XXX点。对于弱无序，除了一个高能量区的纯自旋Peierls系统的行为被恢复，有一个交叉到一个低能量区奇异的热力学性质和增强的反铁磁波动。这些制度进行了分析的帮助下，准确的结果，并确定相关的能量尺度。我们讨论了这种无序实现掺杂的无机自旋Peierls化合物CuGeO $_3$的可能相关性。
1997-01-21 cond-mat.str-el
The Magnetic Origin of the Coherent Order Parameter in Hole-Doped Cuprates
讨论了空穴掺杂铜氧化物的相图。通过检查最近的一些非弹性中子散射数据上得到的空穴掺杂的铜氧化物，我们得出结论，在空穴掺杂的铜氧化物的相干间隙最有可能的磁起源和规模与Tc，平均为2Delta/kTc = 5.4。
1999-07-16 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Large N expansion for frustrated and doped quantum antiferromagnets
本文研究了基于辛（Sp（N））对称性的大N展开方法。在大N极限下，确定了正方晶格自旋S的量子反铁磁系统（J_1-J_2-J_3模型）在第一、第二和第三近邻反铁磁耦合作用下的相图，并讨论了有限N下量子无序相涨落的影响.除了具有长程磁序的相外，还发现了两类无序相：（i）与无阻挫系统中的相类似的态，具有相称的、共线的自旋关联、自旋子的禁闭以及由2S（mod 4）或2S（mod 2）值控制的自旋-Peierls或价键-固体有序;（ii）具有无公度、共面自旋关联和无约束玻色子自旋-1/2自旋子激发的态。讨论了在大S上“从无序中有序”的出现.本文还给出了在N=无穷大和零温下t-J模型中超导性的初步结果。
2004-02-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic Reconstructions in B-site Doped Manganites
B位掺杂剂的磁性性质控制B位掺杂的锰氧化物RE $_{1-x}$ AE $_{x}$ Mn $_{1-η}$ B $_η$ O $_3$中的磁相。在相同的参考锰氧化物中掺杂不同的B位等价掺杂剂，导致低温下不同的磁相，这不能用价态变化方案来解释。本文采用二维双轨道双交换模型，研究了半填充$x=0.50$条件下，Ce CO OO I锰氧化物中的三价B位掺杂对Mn位磁相互作用的影响.我们发现，由于修改后的双交换和超交换相互作用的B位掺杂剂周围的磁性重建控制在B位掺杂锰氧化物的相竞争。
2015-12-24 cond-mat.str-el
Absence of static magnetic order in lightly-doped Ti1-xScxOCl down to 1.7 K
在许多准一维系统中已经观察到杂质诱导的磁序，包括掺杂的自旋Peierls系统CuGeO 3的变体。TiOCl是另一个准一维量子磁体与自旋Peierls基态，和该系统的磁性Ti网站可以掺杂非磁性Sc。要调查在这个系统中的非磁性杂质的作用，我们已经进行了零场和纵向场muSR实验多晶Ti 1-xScxOCl样品与x = 0，0.01，和0.03。我们证实了TiOCl具有非磁性的基态，并且我们在低至1.7 K的轻掺杂Sc样品中没有发现自旋冻结或磁有序的证据。相反，我们的研究结果表明，这些系统保持非磁性的x = 0.03 Sc掺杂水平。
2011-01-13 cond-mat.str-el
Inhomogeneous Ferromagnetism and Unconventional Charge Dynamics in Disordered Double Exchange Magnets
我们用自旋自由度自洽生成的有效哈密顿量求解了双交换模型中的任意置换无序。磁性通过经典的Monte Carlo方法进行了研究，而有效交换$D_{ij}$通过求解无序费米子问题进行了计算，并随着温度的升高进行了重整化自洽。我们提出了准确的结果上的导电性，磁电阻，光学响应和“实空间”结构的非均匀铁磁态，并比较我们的结果与无序La_{1-x} Sr_xMnO_3中的电荷动力学。大尺寸，${\cal O} (10^3)$，在我们的方法中访问允许一个完整的，控制计算的无序强相互作用的问题。
2003-05-15 cond-mat.str-el
Direct imaging of lattice strain-induced stripe phases in an optimally-doped manganite
在没有淬火无序的锰氧化物薄膜中，我们分别通过高分辨率扫描隧道显微镜/光谱（STM/STS）显示了高于和低于居里温度（Tc）的绝缘和金属条纹形式的织构。这些条纹的形成涉及竞争的轨道和电荷顺序，并且是由长程晶格应变介导的重叠电子波函数的结果。与普遍的看法相反，电子均匀条纹相强调了晶格应变在引起电荷密度调制和阻止序参量之间的串扰方面的功效，否则，该串扰以轨道有序绝缘相和轨道无序金属相的形式不均匀地演变。
2006-05-30 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Respective influences of pair breaking and phase fluctuations in disordered high Tc superconductors
电子辐照已被用来引入点缺陷在一个控制的方式在CuO 2平面的欠掺杂和最佳掺杂的YBCO。这种技术使我们能够执行非常准确的测量Tc和残余电阻率在很宽的范围内的缺陷含量xd下降到Tc=0。Tc的下降并不遵循从对破缺理论预期的变化。Tc和过渡宽度与xd的演变强调了相位波动的重要性，至少对于高度损坏的制度。这些结果为铜酸盐相图上缺陷诱导Tc降低的演化提出了新的问题
2003-01-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic quantum oscillations in doped antiferromagnetic insulators
在任意方向的外磁场中，对二维反铁磁绝缘体中电子（空穴）的能谱进行了量子化。发现了de Haas-van Alphen（dHvA）或Shubnikov-de Haas（SdH）磁振荡振幅与磁化方向的面内方位角和面外方向的极角的特殊关系，该关系可作为掺杂Mott-Hubbard、自旋密度波（SDW）和常规带结构绝缘体中反铁磁序的灵敏探针.
2008-03-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Novel dynamic scaling regime in hole-doped La2CuO4
只有3%的空穴掺杂的Li是足以抑制长程三维（3D）反铁磁秩序在La 2CuO 4。用冷中子能谱法测量了La_2Cu_（0.94）Li_（0.06）O_4单晶的动态磁结构因子S（ω，q），研究了T << J时这种二维自旋液态的自旋动力学. S（omega，q）在（pi，pi）处急剧达到峰值，并从omega/T标度跨越约50 K到以恒定能量标度为特征的新型低温区。讨论了二维反铁磁自旋液体从量子临界态到量子无序态的可能交叉。
2003-07-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
An Intermediate Phase at the Metal-Insulator Boundary in a Magnetically Doped Two-Dimensional Electron System
磁掺杂（Cd，Mn）Te二维量子阱的磁输运研究揭示了一个明显的金属-绝缘体转变，以及一个异常的中间相只是在其金属侧。这个阶段的特点是庞磁电阻的现象，这是分配给电子流体的相分离和相关的铁磁泡的出现。
2006-06-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Technique for Magnetic Susceptibility Determination in the High Doped Semiconductors by Electron Spin Resonance
研究了高杂质半导体磁化率的测定方法。描述了一种基于具有戴森形状的吸收线的导数的正部分的双重积分并且考虑到皮肤层的深度的过程。并以高浓度掺砷锗样品为例进行了分析，其结果与绝缘体金属相变相对应。
2013-01-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Sharp magnetization step across the ferromagnetic to antiferromagnetic transition in doped-CeFe$_2$ alloys
当温度低于5 K时，在不同掺杂CeFe $_2$合金中，观察到了非常尖锐的磁化阶跃。在较高的温度范围（T $>$ 5 K），这种转变是相当顺利的性质。与最近在锰氧化物巨磁电阻和磁热材料Gd $_5$ Ge $_4$中观察到的类似行为相比，我们认为这种磁化阶跃是无序影响的一级相变的一个普遍特征。
2005-05-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
