Nodal metallic behavior of lightly-doped La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_4$
用角分辨光电子能谱研究了轻掺杂La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$的“绝缘”自旋玻璃/斜条纹相。在d波超导能隙的节点方向上观察到一个与费米能级交叉的准粒子峰，形成费米面的“弧”，这与最近观察到的轻掺杂材料的高温金属输运行为一致。节点QP的光谱权重随着空穴掺杂而平滑地增加，对应于欠掺杂和轻掺杂区域中载流子数的$n \sim x$行为。
2003-07-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Impurity susceptibility and the fate of spin-flop transitions in lightly-doped La(2)CuO(4)
我们研究了当纵向磁场作用于轻空穴掺杂La（2）CuO（4）时，两步自旋翻转转变和自旋重取向的发生.我们发现对于大的和强烈的挫败杂质，例如La（2-x）Sr（x）CuO（4）中的Sr，纵向磁化率的巨大增强抑制了中间翻转，并且自旋的重新取向是平滑和连续的。相反，对于较小且弱令人沮丧的杂质，例如La（2）CuO（4+y）中的O，会发生不连续的自旋重取向（两步自旋翻转转变）。此外，我们表明，对于La（2-x）Sr（x）CuO（4）的磁振子间隙的场依赖性从性质上不同于La（2）CuO（4）的情况下，预测与拉曼光谱或中子散射验证。
2007-02-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
AC and DC Conductivity Anisotropies in Lightly Doped La(2-x)Sr(x)CuO(4)
轻掺杂La（2-x）Sr（x）CuO（4）低温正交相的交流和直流电导各向异性归因于Sr离子俘获掺杂空穴而产生的旋转对称破缺的局域杂质态。两个最低能量的类p波态被斜方性分裂，部分充满空穴。这在AC电导率中留下了独特的印记，其显示出两种不同的红外连续吸收能量。此外，存在两个独立的通道跳跃电导率，相关的两个正交方向，定量地解释了所观察到的低温各向异性直流电导率。
2008-06-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anisotropic Magnetoresistance in Lightly Doped La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}: Impact of Anti-Phase Domain Boundaries on the Electron Transport
详细研究了轻掺杂反铁磁La_{1.99} Sr_{0.01} CuO_{4}中的磁阻行为，其中由于自旋倾斜产生的弱铁磁矩，反铁磁（AF）畴结构可以被磁场控制.磁共振行为表明CuO_2晶面确实存在反相AF畴界，电荷被限制在其中，形成反相条纹。数据表明，高磁场将反相条纹转变为同相条纹，并且后者似乎比前者提供更好的传导，这挑战了条纹的反相特性促进电荷运动的概念。
2003-05-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Memory Effects in the Charge Response of Lightly Doped La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}
利用几种实验方案研究了单晶La_{1.97} Sr_{0.03} CuO_{4}在低温T下的面内磁电阻（MR）。在T远低于自旋-玻璃化转变温度时，MR变为正的，并表现出几种玻璃化特征，如历史依赖性、记忆性和滞后性。这些观察结果与先前报道的面外电阻的行为定性相似。结果表明，在MR的记忆效应有关的玻璃化的掺杂空穴的动力学的发病。
2011-12-29 cond-mat.str-el
Non-Gaussian Noise in the In-Plane Transport of Lightly Doped La_{2-x}Sr_{x}CuO_4: Evidence for a Collective State of Charge Clusters
对自旋玻璃相深处的高质量La_{1.97} Sr_{0.03} CuO_{4}单晶的面内电阻噪声的研究揭示了非高斯性的开始和噪声对面内磁场的不敏感性。结果表明，随着温度T -> 0. 05 ℃，电荷动力学变得越来越慢，并具有相关性。高阶噪声统计的分析提供了证据的存在的集体基态的电荷团簇，这似乎是共存的电荷贫反铁磁畴，冻结在这样的低T。
2011-06-02 cond-mat.str-el
History dependent magnetoresistance in lightly doped La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4} thin films
在磁场B ~ 9 T范围内，测量了分子束外延生长的原子级光滑La_{2-x} Sr_{x} CuO_{4}薄膜的面内磁电阻（MR）。x=0.03和x=0.05的薄膜是绝缘的，在T<4K时出现正磁电阻。正磁共振显示玻璃状特征，包括历史依赖性和记忆，对所有的取向的B。结果表明，这种行为，这反映了玻璃化的掺杂空穴的动力学中的发病，是一个强大的绝缘状态的功能。
2011-12-30 cond-mat.str-el
Negative Hopping Magnetoresistance and Dimensional Crossover in Lightly Doped Cuprate Superconductors
我们发现，由于La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$的弱铁磁性，外磁场导致二维$\to$三维的面内输运的维度交叉。交叉的结果在增加的孔的本地化长度，因此在一个戏剧性的负磁阻在可变范围跳跃制度。这一机制定量地解释了La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$的Néel相的负磁电阻的令人困惑的实验数据。
2007-12-14 cond-mat.str-el
A computational approach to a doped antiferromagnet: correlations between two spin-polarons in the lightly doped CuO$_2$ plane
我们扩展了最近在物理学评论快报中介绍的方法。106 036401（2011）研究了准二维CuO 2层中两个自旋极化子之间的相关性。低能量波函数的两个掺杂孔引入半填充的CuO 2平面与32个铜和64个氧的网站明确计算使用一个高效而准确的截断计划来模拟反铁磁背景。能量学和波函数表明，电荷形成三自旋极化子，自旋由围绕三自旋极化子核的扰动携带。低能带是由动能和有利于d（x^2-y^2）态的局部吸引势之间的竞争产生的。最后，我们指出的功能，预计将是强大的大型系统。
2011-09-13 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic phase separation in lightly-doped La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_4$
研究了极轻掺杂La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$（$x<$ 0.02）中空穴浓度对磁关联的影响，结果表明在低温下存在三维反铁磁（AF）长程有序相和自旋玻璃相.发现在共存区中的自旋玻璃相也表现出与La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$（0.02 $\le x\le$ 0.055）中的纯自旋玻璃相一样的对角自旋调制。在$x\sim$ 0.02以下，对角线条纹结构与$x\sim$ 0.02中的对角线条纹结构相同，其体积分数几乎与空穴浓度成正比，这表明掺杂空穴发生电子相分离，从而形成空穴浓度为$h_c\sim$ 0.02的一些区域和$h_c\sim$ 0的其余区域。这一结果还表明，AF和自旋玻璃相之间的过渡约PDMATHAMT =0.02是一级。
2002-01-16 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Comment on "High-Spin Polaron in Lightly Doped CuO$_2$ Planes"
在最近的一封信（物理学。106，036401（2011）），Lau等人通过对由32个CuO $_2$晶胞组成的簇进行精确对角化，研究了含有Cu $d$和O $2p$轨道的有效模型中的单孔问题。在反铁磁（AFM）背景下的全量子涨落条件下，他们发现自旋为3/2的极化子解在布里渊区（BZ）的某个区域成为能量最低的解，而在其他模型或近似中没有得到类似的解。在这篇评论中，我们想指出的是，这种高自旋极化子的解决方案已经发现，在我们以前的信（物理评论快报。91，057001，（2003）），并且Lau等人描述的许多特征事实上已经在我们的信中看到。
2011-08-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Quasi-isotropic orbital magnetoresistance in lightly doped SrTiO$_{3}$
平行于电流的磁场不会在载流子上产生洛伦兹力。因此，轨道纵向磁阻是意料之外的。本文报道了在轻掺杂SrTiO $_{3-x}$中观察到的与电流和磁场的相对取向无关的大的非饱和磁电阻。我们表明，这种准各向同性的磁阻可以解释，如果沿所有方向的载流子迁移率平滑地随磁场。当偶极相关长度大于载流子之间的距离时，这种反常状态仅限于低浓度。我们确定回旋运动的电子在一个潜在的景观定制的极域准各向同性轨道磁阻的摇篮。这一结果对理论提出了挑战，可能是轻掺杂量子电材料的一个普遍特征。
2021-01-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Thermal conductivity of lightly Sr- and Zn-doped La$_2$CuO$_4$ single crystals
测量了轻掺杂La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$和La $_2$ Cu $_{1-y}$ Zn $_y$ O $_4$单晶（$x$或$y$ = 0 - 0.04）在2 - 300 K的ab平面和c轴热导率（$κ_{ab}$和$κ_c$）。结果发现，低温声子峰（在20 - 25 K）显着抑制后，Sr或Zn掺杂，即使在非常低的掺杂，虽然其精确的掺杂依赖性显示出有趣的差异之间的Sr和Zn掺杂剂，或$ab$平面和c轴之间。最值得注意的是，在$κ_c$的声子峰减少更快地与Sr掺杂比与Zn掺杂，而在$κ_{ab}$的声子峰抑制显示出相反的趋势。本文讨论了在轻掺杂LSCO中声子被条纹散射在声子热输运阻尼中的重要作用，其中用中子散射观察到了静态自旋条纹。我们还给出了La $_{1.28}$ Nd $_{0.6}$ Sr $_{0.12}$ CuO $_4$和La $_{1.68}$ Eu $_{0.2}$ Sr $_{0.12}$ CuO $_4$单晶的$κ_{ab}$和$κ_c$数据，与轻掺杂晶体的数据进行比较，讨论条纹的作用。在高温下，磁振子峰（即，发现在$κ_{ab}(T)$中由Néel温度附近的自旋热输运引起的峰）对于Zn掺杂是相当稳健的，而仅掺杂1%的Sr时该峰完全消失。
2003-01-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
A `checkerboard' electronic crystal state in lightly hole-doped Ca_{2-x}Na_{x}CuO_{2}Cl_{2}
空穴掺杂铜氧化物的相图显示在零温度下存在四种不同的电子相。其中常见的有莫特绝缘体、高转变温度超导体和金属相。第四阶段，ofunknown身份，发生在轻掺杂沿零温度约束的“pseudogap”制度。该政权富含奇特的电子现象，促使人们提出许多建议，认为它包含某种形式的隐藏电子秩序。在这里，我们提出了低温电子结构成像研究的轻空穴掺杂氧化铜：Ca_{2-x} Na_{x} CuO_{2} Cl_{2}。隧道光谱（在能量|E| >100 meV）显示电子提取概率大大超过那些注入，如预期的掺杂莫特绝缘体。然而，对于<100 meV的|E|，光谱表现出以E=0为中心的V形能隙。在这个间隙内的状态进行强烈的空间调制，与四个CuO_{2} -unit-cell正方形棋盘的空间相关性，独立于能量。复杂的原子尺度电子结构变化也存在于棋盘中。这些数据是一致的一个意想不到的晶体电子状态，可能是隐藏的电子秩序，存在于零温度赝能隙制度的Ca_{2-x} Na_{x} CuO_{2} Cl_{2}。
2004-09-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
c-Axis Transport and Resistivity Anisotropy of Lightly- to Moderately-Doped La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4} Single Crystals: Implications on the Charge Transport Mechanism
测量了高质量La_{2-x} Sr_{x} CuO_{4}（LSCO）单晶在轻掺杂到中等掺杂区域（x = 0.01到0.10）的面内和面外电阻率（ρ_{ab}和ρ_{c}），并确定了电阻率各向异性。在所研究的所有样品中，各向异性比ρ c/ρ ab随温度的降低而迅速增大，而在非超导样品中，强烈的局域化效应使ρ c/ρ ab在低温下减小。最值得注意的是，在中等温度（100 - 300 K）下，ρ c/ρ ab几乎完全与非超导区（x = 0.01 - 0.05）的掺杂无关，这表明使c轴跳跃率重正化的电荷限制机制在x = 0.01时起作用。讨论了ρ_{c}/ρ_{ab}的这种显著的x无关性与空穴形成富空穴区的自组织网络的观点是一致的，这也解释了轻掺杂区中空穴的异常金属面内输运。此外，x > 0.05的数据表明，超导电性的出现与c轴耦合的增加有关。
2002-03-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Spin dynamics in lightly doped La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_4$: Relaxation function within the $t - J$ model
在考虑空穴子系统以及电子和反铁磁关联的情况下，给出了掺杂二维$S=1/2$ Heisenberg反铁磁（AF）系统在顺磁态下的弛豫函数理论.在$t-J$模型中推导了松弛形函数四阶频率矩的表达式。该演示服从旋转对称的自旋相关函数，是有效的所有波矢量通过布里渊区。自旋扩散的弛豫速率的贡献进行评估，并显示出在无载流子和掺杂反铁磁体中发挥重要作用，与精确的对角化计算一致。在低温下，对平面$^{63}$ Cu的核自旋-晶格弛豫速率$^{63}(1/T_1)$的主要贡献来自AF涨落，而对平面$^{17}$ O的$^{17}(1/T_1)$的贡献来自$(π,π)$附近的波矢和小的$q \sim 0$ .结果表明，该理论能够解释无载流子LaPDMATHABMUCuOPDMATHABMV和掺杂$_{2-x}$ SrPDMATHABMXCuOPDMATHABMV化合物顺磁态下$^{63}(1/T_1)$随温度和掺杂的实验数据的主要特征.
2004-01-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Fully Gapped Single-Particle Excitations in the Lightly Doped Cuprates
用角分辨光电子能谱研究了轻掺杂铜氧化物的低能激发。在整个布里渊区上测量有限间隙，包括沿d_{x^2 - y^2}节线。观察到这种效应对于许多铜酸盐的正常状态是通用的，包括空穴掺杂的La_{2-x} Sr_{x} CuO_{4}和Ca_{2-x} Na_{x} CuO_{2} Cl_{2}和电子掺杂的Nd_{2-x} Ce_{x} CuO_{4}。在所有化合物中，随着载流子掺杂的增加，间隙似乎关闭。我们考虑了各种情况来解释我们的结果，包括化学无序，电子不均匀性和竞争相的可能影响。
2003-12-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
AC Hopping Magnetotransport Across the Spin Flop Transition in Lightly Doped La_2CuO_4
低掺杂时绝缘La_{2} CuO_4中存在的弱铁磁性导致自旋翻转转变，并在强外磁场中导致空穴的横向（面间）跳跃。这导致用于平面内传输的维度交叉2D $\to$ 3D，这又导致空穴的局部化长度的增加和导电性的增加。我们从理论上证明，作为这种机制的结果，在自旋翻转过渡的面内交流跳跃电导率的频率依赖的跳跃发生。我们预测的值和频率依赖的跳跃。对这种效应的实验研究将为人们对轻掺杂绝缘La_{2-x} Sr_xCuO_4的新认识提供重要的证实。
2007-07-13 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Cu NMR study of lightly doped La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_4$
本文利用单晶 Cu NMR 研究轻掺杂 La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_4$，发现 Sr 浓度超过 5% 时发生从不连通金属岛到颗粒金属的连通性转变，揭示纳米尺度电子相分离在超导首次出现的掺杂区域普遍存在。
2025-02-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Energy-dependent crossover from anisotropic to isotropic magnetic dispersion in lightly-doped La1.96Sr0.04CuO4
对轻掺杂La $_{1.96}$ Sr $_{0.04}$ CuO $_{4}$进行了非弹性中子散射实验，发现低温下存在对角非公度自旋关联.我们以前报道过，这种晶体，与一个单一的斜方晶域，表现出“沙漏”分散在低能量[物理评论快报。101，197001（2008）]。在本文中，我们详细调查的能量演化的磁激发高达65毫电子伏。结果发现，在低能量的各向异性激发，仅沿自旋调制方向分散，交叉到各向同性，圆锥形的分散体，类似于在母体化合物La $_2$ CuO $_{4}$的自旋波。从两重到完全对称的变化跨越沙漏的腰部再现的行为首先在欠掺杂的YBa $_2$ Cu $_3$ O $_{6+x}$的研究中确定。我们讨论了这些结果的意义。
2013-02-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
"Spin-Flop" Transition and Anisotropic Magnetoresistance in Pr_{1.3-x}La_{0.7}Ce_{x}CuO_{4}: Unexpectedly Strong Spin-Charge Coupling in Electron-Doped Cuprates
我们使用运输和中子散射测量表明，磁场诱导的过渡从非共线共线的自旋排列在相邻的CuO_{2}平面的轻电子掺杂Pr_{1.3-x} La_{0.7} Ce_{x} CuO_{4}（x=0.01）晶体的影响显着的面内和面外电阻率。在高场共线状态下，磁阻（MR）不会饱和，但表现出有趣的四重对称角度依赖性，从B//[100]处的正向振荡到B//[110]处的负向。观察到的MR超过30%，在低温下诱导的适度修改的自旋结构表明一个意想不到的强自旋-电荷耦合在电子掺杂的铜酸盐。
2004-04-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Persistent Fermi Pockets and Robust Electron Pairing in Lightly Doped CuO$_2$ Planes of Cuprate Superconductors
Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences（中国科学院物理研究所凝聚态物理国家实验室）；University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学）；Max Planck Institute for Solid State Research（马克斯·普朗克固体研究研究所）；Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences（中国科学院理化技术研究所）；Songshan Lake Materials Laboratory（松山湖材料实验室）；Beijing Academy of Quantum Information Sciences（北京量子信息科学研究院）
研究通过高分辨率激光角分辨光电子能谱揭示了铜酸盐超导体中CuO₂平面的内在电子结构，发现低掺杂下费米口袋的突变转变及超导能隙的鲁棒配对机制。
2026-04-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
A spatial interpretation of emerging superconductivity in lightly doped cuprates
最近由Kohleman等人通过扫描隧道显微镜观察到的包括交替的“空穴丰富”和“空穴贫乏”阶梯的域的形成，轻孔掺杂的铜酸盐，被解释在一个有吸引力的机制，有利于存在掺杂的孔位于每个氧原子的一侧上的Cu网站。这种机制导致交替的空穴丰富和空穴贫乏的阶梯的几何图案的周期性等于4倍的晶格间距在CuO平面中，如实验观察到的。引用这篇文章：G. Deutscher，P. G. de Gennes，C. R. Physique 8（2007）.
2008-04-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic Properties and Phase Diagram of Li-doped La(2)CuO(4): Common Magnetic Response of Hole-doped CuO2 Planes
虽然La（2）Cu（1-x）Li（x）O（4）[Li-LCO]在许多方面不同于La（2-x）Sr（x）CuO（4）[Sr-LCO]（例如，不存在金属输运、高Tc超导性和无公度反铁磁关联），已知某些磁性非常相似。本文建立了Li-LCO（0 <= x <= 0.07）的详细体磁相图，发现它与轻掺杂Sr-LCO的体磁相图几乎相同，从而将该相图的普遍性推广到空穴掺杂但非超导的铜酸盐。
2003-01-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping evolution of the electronic structure in the single-layer cuprates Bi$_2$Sr$_{2-x}$La$_x$CuO$_{6+δ}$: Comparison with other single-layer cuprates
我们已经进行了角分辨光电子能谱和芯层X射线光电子能谱研究的单层铜酸盐Bi $_2$ Sr $_{2-x}$ La $_x$ CuO $_{6+δ}$（Bi 2201），并揭示了掺杂的电子结构的演变从轻掺杂到最佳掺杂区域。我们已经观察到的色散准粒子带的形成，费米“弧”的费米面的演变和化学势的移动与空穴掺杂在其他铜酸盐。Bi 2201中的掺杂演变类似于Ca $_{2-x}$ Na $_{x}$ CuO $_{2}$ Cl $_2$（Na-CCOC）中的掺杂演变，其中已经观察到朝向母绝缘体的较低哈伯德带的快速化学势偏移，但是与La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4}$（LSCO）中的掺杂演变完全不同，其中化学势不偏移，而色散带和费米弧/表面已经在轻掺杂区中的费米能级周围形成。利用紧束缚拟合定量分析了费米面形状和能带色散，推导出的次近邻跳跃积分$t'$也证实了与Na-CCOC的相似性和与LSCO的不同.
2008-03-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Orbital polaron lattice formation in lightly doped La1-xSrxMnO3
通过在La_（7/8）Sr_（1/8）MnO_3上Mn K边的共振X射线散射，我们发现在该化合物的金属-绝缘体转变处存在一个轨道极化子晶格（OPL）.这种轨道重排一致地解释了在低温下铁磁和绝缘性质的意外共存，平行于MnO 2平面的晶格结构的四倍，以及观察到的极化和方位角依赖性。OPL是强烈的轨道-空穴相互作用的明显表现，这对庞磁电阻效应和掺杂锰氧化物起着至关重要的作用。
2005-08-05 cond-mat.str-el
Single-parameter scaling in the magnetoresistance of optimally doped La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_4$
我们表明，最近的磁阻数据薄膜La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_4$（LSCO）在强磁场（$B$）服从单参数标度的形式MR $(B,T)=f(μ_H(T)B)$，其中$μ_H^{-1}(T)\sim T^α$（$1\leα\le2$），从$T=180$ K，直到$T\sim20$ K，在这一点上的单参数标度崩溃。MR的函数形式不同于在最佳掺杂的铁超导体BaFe ${}_2$（As ${}_{1-x}$ P ${}_x$）${}_2$中发现的温度和磁场的简单二次到线性正交组合。此外，低温偏离的MR在LSCO从其高温标度律导致我们得出结论，MR曲线崩溃是不是量子临界标度的结果。我们研究了经典的有效介质理论（EMT）以前用于获得正交电阻率依赖于场和温度的金属与$T$ -线性零场电阻率。看来，这种标度形式的结果，只有一个二元的，随机分布的金属成分。更一般地说，我们发现一个低温，高场区域的电阻率是同时$T$和$B$线性时，存在多个金属成分。我们的研究结果表明，如果介观无序相关的奇异金属材料的磁阻，二进制分布模型，这似乎是相关的铁pnictides是不同的，从更广泛的连续分布相关的铜酸盐。使用后者，我们检查了经典有效介质理论的适用性，在LSCO的MR和比较计算MR曲线与实验数据。
2019-05-07 cond-mat.str-el
Anomalous broadening of the spin-flop transition in the reentrant spin-glass phase of La$_{2-x}$Sr$_x$CuO$_4$ ($x=0.018$)
测量了轻掺杂La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$（$x=0.018$）单晶的磁化强度。在垂直于CuOPDMATHABMQ平面的磁场下，在空穴掺杂的反铁磁有序态中清楚地观察到自旋翻转转变。在低于25 K的自旋玻璃相中，自旋翻转转变变得宽，但与转变相关的磁化曲线中的阶跃在最低温度下保持有限。我们表明，在这份报告中，在低温下，均匀的反铁磁秩序被打乱的重新分布的孔，和周围的$x=0.018$的局部空穴浓度的空间方差增加。
2002-09-18 cond-mat.str-el
ESR study in lightly doped La_(1-x)Sr_(x)MnO_(3)
本文首次对Sr浓度x < 0.2的La_（1-x）Sr_xMnO_3单晶进行了系统的ESR研究。这种化合物的丰富的相图主要由Mn^（3+）的扬-泰勒效应所控制，这是一个与巨磁电阻现象有关的实际问题。由Mn^（3+）和Mn^（4+）产生的ESR信号直接探测了随着Sr浓度的增加Jahn-Teller畸变的抑制，并揭示了所有特征的结构和磁性相变。
1999-08-06 cond-mat.str-el
Unusual magnetic susceptibility anisotropy in untwinned La_{2-x}Sr_xCuO_4 single crystals in the lightly-doped region
本文研究了在轻掺杂区（x=0-0.03）仔细去孪晶的La_{2-x} Sr_{x} CuO_4单晶的磁化率。这种各向异性被发现后，长期反铁磁（AF）秩序被破坏的空穴掺杂，这表明掺杂的孔打破AF秩序到域中的自旋对齐基本上保持完整。事实证明，在低温下发生的自旋冻结也是明显的各向异性，这意味着“自旋玻璃”特征也受到畴结构的控制。
2001-05-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Strong correlations and the anisotropy of acceptor states in insulating La(2-x)Sr(x)CuO(4)
我们使用格林函数的形式主义来讨论的作用，强关联的受主态掺杂到一个二维的Mott-Hubbard反铁磁绝缘体的空间结构。当在嵌套波矢量${\bf Q}=(π,π)$处掺杂载流子之间的散射足够强以产生动量依赖的散射率$Γ_{\bf k}$时，相应的受主态变为空间各向异性。作为一个例子，我们计算了一个简单形式的$Γ_{\bf k}$的受体态束缚到一个有吸引力的二维狄拉克δ势的空间结构。然后，我们讨论了这种空间各向异性的作用，以了解在轻掺杂的La（2-x）Sr（x）CuO（4）的低温输运数据和光电子能谱之间的明显差异。
2010-12-15 cond-mat.str-el
Magnetic-field induced superconductor-antiferromagnet transition in lightly doped RBa_2Cu_3O_{6+x} (R = Lu, Y) crystals
利用铜氧化物的c轴电阻率和磁阻对自旋有序的显著敏感性，阐明了掺杂诱导RBa_2Cu_3 O_{6+x}（R = Lu，Y）单晶从反铁磁（AF）绝缘体到超导（SC）金属的转变。所建立的相图表明AF和SC区域明显重叠：与La_{2-x} Sr_xCuO_4相比，O_{6+x}的超导电性在长程AF有序被空穴掺杂完全破坏之前就开始了。对低T_c<15-20 K的超导晶体的磁阻测量清楚地显示了磁场诱导的超导抑制和长程AF态的恢复。仍然需要理解的是，AF秩序是否实际上在SC状态下持续存在，或者只是在超导性被抑制时恢复，以及在前一种情况下，反铁磁性和超导性是否存在于纳米级分离的相中，或者在原子尺度上共存。
2008-10-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetotransport evidence of irreversible spin reorientation in the collinear antiferromagnetic state of underdoped $\mathrm{Nd}_{2-x}\mathrm{Ce}_x\mathrm{CuO}_4$
我们利用电子掺杂铜氧化物$\mathrm{Nd}_{2-x}\mathrm{Ce}_x\mathrm{CuO}_4$中强的自旋-电荷耦合，通过磁输运测量来探测其自旋系统的变化。我们提出了一个详细的研究，在欠掺杂的单晶这种化合物，包括非超导，$0.05\,\leq x\,\leq 0.115$，和超导，$0.12\,\leq x\,\leq 0.13$，组合物的平面外的磁阻。特别关注的是放在CuO $_2$层的平面上的场取向的磁阻的依赖性。除了扭结在非共线和共线反铁磁配置之间的场诱导的过渡，一个尖锐的不可逆的功能被发现在高场制度的所有样品的角度相关的磁阻，在周围的Cu-O-Cu方向的磁场取向。所获得的行为可以解释在共线反铁磁状态内的Cu $^{2+}$自旋的场诱导重取向。因此，它被认为是一个明确的指示，远程磁秩序。
2018-02-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Distinct doping dependences of the pseudogap and superconducting gap La$_{2-x}$Sr$_{x}$CuO$_4$ cuprate superconductors
我们对轻掺杂到重掺杂的La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_4$和氧掺杂的La $_2$ CuO $_{4.10}$进行了随温度变化的角积分光电发射研究。我们发现，无论是大小$Δ$ * 的（小）pseudogap和温度\textit{T} *，在该pseudogap是开放的空穴浓度的降低而增加，与以前的研究一致。另一方面，超导能隙$Δ_{sc}$被发现保持小的空穴浓度。如果超导能隙只在节点（0，0）-（$π,π$）方向的费米弧上打开，而赝能隙在$\sim$（$π$，0）方向打开，则可以解释上述结果。
2007-04-16 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anisotropy of the in-plane angular magnetoresistance of electron-doed Sr1-xLaxCuO2 thin films
在欠掺杂的Ln 2-xCexCuO 4（Ln = Nd，Pr，.）甚至对于存在超导性的掺杂水平，也观察到族。我们已经在不同的电子掺杂铜酸盐家族Sr 1-xLaxCuO 2中寻找类似的性质，Sr 1-xLaxCuO 2由Sr/La原子分离的CuO 2平面组成，并且不受磁性稀土离子的可能影响。我们报告在正常状态下的欠掺杂，超导，c轴取向，外延Sr 1-xLaxCuO 2薄膜的面内磁阻测量。这种探针是敏感的自旋安排，我们发现，在平面内的磁阻，这是负的，不饱和的T，表现出角度依赖性时，测量旋转磁场内的CuO 2平面。分析揭示了四倍和两倍角振荡的叠加。这两个都随着场的增加和降低而增加幅度，并且出现在温度以下，该温度随着掺杂水平的降低而变高。我们的研究结果表明，这些磁电阻振荡，也观察到的Ln 2-xCexCuO 4（Ln = Nd，Pr，.）族，并归因于AF签名，是，没有歧义，CuO 2平面的属性。此外，这些振荡变化与掺杂在一个不寻常的方式相比，以前的结果：四倍振荡基本上是存在于更多的欠掺杂的样品，而只有两倍的振荡是可见的欠掺杂的。这一有趣的观察结果似乎是随着掺杂水平的增加而自旋稀释的结果。
2010-04-23 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Chemical potential shift in lightly-doped to overdoped Bi$_2$Sr$_2$Ca$_{1-x}${\it R}$_{x}$Cu$_2$O$_{8+y}$ ({\it R} = Pr, Er)
本文用芯能级光电子能谱的精确测量方法研究了高温超导体Bi $_2$ Sr $_2$ Ca $_{1-x}$ { \it R} $_{x}$ Cu $_2$ O $_{8+y}$（{ \it R} = Pr，Er）中空穴浓度从0.025变化到0.17/Cu的化学势移动。结果表明，在欠掺杂区，位移变慢，与La $_{2-x}$ Sr $_{x}$ CuO $_{4}$（LSCO）的情况相同，但这种效应比LSCO的要弱得多。掺杂的二维Hubbard模型的数值结果可以较好地解释本系统中观察到的位移，并表明空穴掺杂引起的电子结构的变化受条纹波动的影响小于LSCO。
2002-03-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Unveiling phase diagram of the lightly doped high-Tc cuprate superconductors with disorder removed
本研究利用ARPES和量子振荡测量，探究了具有极低无序度的6层铜氧化物内部CuO$_2$平面，发现低于1%的极低掺杂即可使Mott绝缘态转变为具有长寿命准粒子的金属态，并在4%时观察到超导-金属相变。
2023-07-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Colossal magnetoresistance over a wide temperature range in Eu0.99La0.01TiO3
我们报道了在轻掺杂反铁磁顺电EuTiO 3中发生的大磁阻效应。稀土钛酸盐（RTiO 3氧化物）的磁电阻的报告是非常罕见的，因为它们在低温下是高度绝缘的。EuTiO_3在2.5 K时为绝缘体，La ~（3+）掺杂1%可使其电阻率降低5个数量级以上。结果表明，Eu0.99La0.01TiO3在T= 5.43 K以下呈反铁磁性，在较宽的温度范围内表现出较大的磁电阻。在2.5 K时，H = 6 kOe时的磁电阻为-42%，H = 7 T时的磁电阻增加到-75%.即使在比尼尔温度高十倍的50 K下，磁电阻也非常显着（H = 7 T时为-20%）。结果表明，Eu ~（2+）离子的4f自旋与Ti-3d带的掺杂电子通过f-d相互作用发生强交换耦合，场致4f自旋涨落的抑制降低了3d电子的自旋无序散射.鉴于我们的研究结果，这将是有趣的研究其他稀土钛酸盐的磁电阻。
2016-12-29 cond-mat.str-el
Discovery of an electronic crystal in a cuprate Mott insulator
氧化铜高温超导体普遍表现出多种形式的电子有序相，这些相破坏了CuO 2平面的固有平移对称性。这些有序和超导基态之间的相互作用，以及它们是如何通过掺杂莫特绝缘体而产生的，对于解码高温超导机制至关重要。多年来，在欠掺杂的铜酸盐中，发现了各种形式的电子液晶相，包括电荷/自旋条纹和无公度电荷密度波（CDW），它们出现在相关的金属基态中。早期的理论研究还预测了在非常轻掺杂的CuO 2平面的绝缘极限中出现库仑受挫的“电荷晶体”相。在这里，我们使用共振X射线散射，电子输运，和μ子自旋旋转测量，以充分解决电子和磁性的基态和搜索非常轻的空穴掺杂的铜氧化物从RBa 2Cu 3 O 7-d家庭（RBCO; R：Y或稀土）的电荷顺序的签名。从RBCO电影的X射线散射数据揭示了打破平移对称性更普遍比以前已知的，延伸到莫特极限。该电荷晶体状态的有序矢量与欠掺杂RBCO的电荷密度波线性相关，表明随着空穴掺杂的增加，前者是后者的前体。最重要的是，RBCO中的电荷和自旋序的共存表明，这种电子的自旋断裂状态是常见的CuO 2平面中的非常轻的掺杂制度。这些发现弥合了莫特绝缘状态和欠掺杂金属状态之间的差距，并强调了库仑受挫的电子相分离在所有铜酸盐中的突出作用。
2022-03-16 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Linear magnetoresistance with a universal energy scale in a strong-coupling superconductor
最近发现的非饱和线性磁阻在几个相关电子系统的量子临界点附近，揭示了一个有趣的相互作用之间的线性磁阻和零场线性温度电阻率。这些研究表明量子临界性对所观察到的线性磁电阻的可能作用。在这里，我们报告了我们发现的非饱和，线性磁电阻在Mo $_8$ Ga $_{41}$，一个几乎各向同性的强电子-声子耦合超导体与线性的温度电阻率从转变温度到$\sim$ 55 K。如果两个量都用能量单位来测量，那么电阻率在电场中的增长与在温度中的增长是相当的。我们的数据集是非常相似的磁阻数据的最佳掺杂的La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$，尽管明显不同的晶体和电子结构，和明显缺乏量子临界物理在Mo $_8$ Ga $_{41}$。提出了一个新的经验标度公式，该公式能够反映Mo $_8$ Ga $_{41}$以及La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$的低温磁电阻数据的关键特征。
2020-10-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Giant Anisotropy of Magnetoresistance and "Spin Valve" effect in Antiferromagnetic $Nd_{2-x}Ce_xCuO_{4}$
研究了轻掺杂AF $Nd_{2-x}Ce_xCuO_{4}$在$CuO_2$面内的各向异性磁电阻和旋转磁场磁化强度。在低于5 K的低温下观察到MR中的\emph{A giant anisotropy}。通过改变$CuO_2$平面内的B方向，c轴电阻率可以调节一个数量级，并且发现面外磁电阻和面内磁电阻之间存在标度关系，提出了“自旋阀”效应来理解面外磁电阻的巨大各向异性以及标度参数随外场的演化.研究发现，强磁场下Nd $^{3+}$层的场致自旋翻转是理解巨各向异性的关键。这些结果表明，电荷和自旋之间的一种新的纠缠主导了底层物理。
2009-03-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Effective action, magnetic excitations and quantum fluctuations in lightly doped single layer cuprates
我们考虑零温下扩展的二维$t-t'-t''-J$模型。模型的参数对应于空穴掺杂。利用低掺杂的有效作用量，我们证明了该系统可以1）保持长程共线反铁磁有序，2）导致自旋螺旋态（静态或动态），3）导致相分离不稳定性。结果表明，在对应于单层铜氧化物La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$的有效作用参数下，实现了自旋螺旋基态.我们推导出磁激发的性质，并计算量子涨落。量子涨落破坏了临界掺杂$x_c\approx 0.11$处的静态自旋螺旋。这是量子相变到自旋液体状态（动态自旋螺旋）的点。相对于动态螺旋的方向，状态仍然是双简并的，所以这是一个“定向向列线”。超导对存在于整个相图中，对量子相变不敏感。我们还比较了计算的中子散射谱与实验数据。
2007-11-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Low-temperature heat transport of Nd_{2-x}Ce_{x}CuO_{4} single crystals
研究了Ce掺杂对Nd_{2-x} Ce_{x} CuO_{4}（NCCO）在低温（低至0.3 K）和磁场（高至14 T）下的热导率（κ）的影响.结果表明，随着Ce的掺杂，电子热导率增加，同时，a轴场引起的与Nd^{3+}子晶格自旋翻转和自旋极化以及Cu^{2+}子晶格自旋翻转相关的κ（H）变化逐渐消失.这显然是由于电子掺杂和反铁磁序的破坏。在x = 0.14和0.18的超导NCCO中，虽然电子热导率与H // c有相当大的场依赖性，但声子的顺磁散射仍然在热输运中起主导作用，这与许多其他铜氧化物不同。在轻掺杂样品（x = 0.03和0.06）中，H // c的低T κ（H）等温线呈现阶梯状异常，可能与自旋/电荷条纹有关。
2014-07-29 cond-mat.str-el
High-field Hall resistivity and magnetoresistance in electron-doped Pr_2-xCe_xCuO_{4-δ}
我们报道了电子掺杂Pr $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4-δ}$薄膜在高达58 T的磁场中的电阻率和霍尔效应测量结果。与空穴掺杂的铜氧化物相比，我们发现在最佳掺杂和过掺杂的薄膜中，霍尔电阻率在高场下具有令人惊讶的非线性磁场依赖性。我们还观察到一个交叉从二次线性场依赖性的正磁阻过掺杂薄膜。自旋密度波诱导的费米面重构模型可以定性地解释霍尔效应和磁电阻效应。
2007-07-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Correlation between $T_c$ and anisotropic scattering in Tl$_2$Ba$_2$CuO$_{6+δ}$
角相关的磁阻测量被用来确定的各向同性和各向异性组件的运输散射率在过掺杂的T1 $_2$ Ba $_2$ CuO $_{6+δ}$的范围内的$T_c$值在15 K和35 K之间。发现各向异性散射项的大小与$T_c$成线性比例，建立了超导和正常态物理之间的联系。与角分辨光电子能谱的结果比较表明，输运和准粒子寿命是不同的。
2007-08-15 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
$^{139}$La-NMR study of spin-dynamics coupled with hole mobility in $T$*-type La$_{0.86}$Eu$_{0.86}$Sr$_{0.28}$CuO$_{4-δ}$
在$T$ * 型铜氧化物与五个氧配位，很少有人知道的自旋相关性和掺杂载流子之间的关系。我们对烧结态（AS）和氧化退火态（OA）的多晶$T$ * 型La $_{0.86}$ Eu $_{0.86}$ S $_{0.28}$ CuO $_4$（LESCO）进行了$^{139}$ La-核磁共振（NMR）和电阻率测量，以研究其磁性和超导（SC）性质。冷却后，AS LESCO的NMR谱在低于3 K时变宽，在该温度下核自旋-晶格弛豫速率$1/T_1$呈现最大值，从而指示静态磁性的出现。$1/T_1$在3 K ~ 20 K之间的温度依赖性与电阻率的温度依赖性相似，表现出半导体化行为。此外，输运能隙和自旋动力学估计的能量尺度被发现是可比的。这些结果表明掺杂载流子的迁移率和低能自旋动力学之间存在密切联系，如轻掺杂$T$型La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$所报道的。在OA SC样品中，我们证实了在10 K以上不存在磁序和Korringa关系。因此，在$x$ = 0.28的$T$ * 型LESCO中，通过氧化退火，与空穴耦合的磁性状态急剧地转变为弱关联金属状态。
2021-10-24 cond-mat.str-el
Strong energy-momentum dispersion of phonon-dressed carriers in the lightly doped band insulator SrTiO$_3$
利用角分辨光电子能谱（ARPES）研究掺杂绝缘体中的电子-声子（el-ph）耦合效应取得了很大进展，为低掺杂铜氧化物中el-ph相互作用的主导作用提供了证据。由于这些研究仅限于掺杂的莫特绝缘体，因此出现了一个重要的问题，即如何将其与掺杂的带状绝缘体进行比较，其中类似的el-ph耦合应该在起作用。典型的情况是钙钛矿SrTiO $_3$（STO），众所周知其在低温下的巨大介电常数为10000，超过La $_2$ CuO $_4$ 500倍。基于这一事实，有人认为掺杂的STO应该是典型的双极化子超导体。在这里，我们报告了轻掺杂SrTiO $_3$的高质量表面的ARPES研究。与轻掺杂的莫特绝缘体相比，我们发现只有适度的电子-声子耦合的特征：与具有$λ'\sim0.3$的低频光学声子相关的色散异常和整体带宽重整化，表明整体$λ'\sim0.7$来自高频声子。此外，我们没有发现明显的签名的大赝隙或小极化子现象。这些研究结果表明，一个大的介电常数本身是不是一个很好的指示el-ph耦合和突出的掺杂莫特绝缘体的el-ph耦合的异常强烈的影响。
2010-02-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic Breakdown in the electron-doped cuprate superconductor Nd$_{2-x}$Ce$_x$CuO$_4$: the reconstructed Fermi surface survives in the strongly overdoped regime
本文报道了电子过掺杂铜氧化物超导体Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$中的半经典角度相关磁电阻振荡（AMRO）和Shubnikov-de Haas效应。我们的数据提供了令人信服的证据磁击穿系统。这表明，一个重建的多连接费米表面持续存在，至少在强磁场，直到超导制度的最高掺杂水平。结果表明，在电子掺杂铜氧化物超导体中，平移对称破缺与超导配对之间存在着密切的联系。
2010-11-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Stripe structure, spectral feature and soliton gap in high Tc cuprates
我们表明，轻掺杂的La_{2-x} Sr_{x} CuO_{4}可以描述的条纹磁结构或孤子图片。利用这种孤子物理，阐明了最近中子观测到的斜向（x=0.05）到垂直（x >= 0.06）条纹跃迁与伴随的金属-绝缘体跃迁之间的内在联系。通过与其它单层系统（La_{2-x} Sr_{x} NiO_{4}和（La，Nd）_{2-x} Sr_{x} CuO_{4}）的比较，研究了反铁磁相与条纹相之间未识别的过渡线的相图、调制周期与掺杂的关系、中红外吸收的起源。这种新型的准粒子和空穴完全负责金属导电和最终的超导性。
1998-12-25 cond-mat.str-el
Manifestations of the Charged Stripes in the Magnetoresistance of Heavily Underdoped YBa_2Cu_3O_{6+x}
研究了重欠掺杂反铁磁YBa_2Cu_3 O_{6+x}的面内和面外磁电阻（MR），揭示了各种显著的特征.面内MR在ab平面内旋转磁场H时表现出类似“d波”的各向异性。随着温度降低到20-25 K以下，系统获得存储器：将晶体暴露于磁场导致持久的面内电阻率各向异性。我们假设CuO_2平面包含一个容纳掺杂空穴的发达的条纹阵列，并且MR与条纹的场致拓扑有序性有关，就可以解释这些特征。
1999-10-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetoresistance and Hall effect in e-doped superconducting SrLaCuO thin films
我们用射频溅射法在x = 0.12的KTaO 3衬底上外延生长了c轴取向的SrxLa 1-xCuO 2薄膜。用原位氧还原法制备了一系列Tc（R=0）高达26 K的超导薄膜。这些样品的ab平面中的传输测量已经进行。我们报告的原始结果的温度依赖性的霍尔效应和各向异性磁电阻（T > Tc）。我们讨论了上临界场和各向异性的大小，霍尔效应，它提出了两种类型的载体，正常状态的磁阻，负平行磁场，自旋散射的可能签名的存在指示的符号的变化。这些属性进行比较的空穴掺杂的铜酸盐，如BiSr（La）CuO具有可比的Tc。
2008-11-24 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Neutron Scattering Studies of Spin-Phonon Hybridization and Superconducting Spin-Gaps in High Temperature Superconductor $La_{2-x}(Sr,Ba)_{x}CuO_{4}$
我们目前的战斗时间的中子散射测量单晶的$La_{2-x}Ba_{x}CuO_{4}$（LBCO）与0 $\leq$ x $\leq$ 0.095和$La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}$（LSCO）与x = 0.08和0.11。该掺杂范围跨越与高温铜氧化物超导性相关的相图的大部分，范围从绝缘的三维（3D）相称的长程反铁磁有序（对于x $\leq$ 0.02）到二维（2D）不相称的反铁磁与超导性共存（对于x $\geq$ 0.05）。轻掺杂LBCO（x = 0.035）的先前工作表明，与高色散自旋激发和准二维光学声子的低能交叉相一致的非弹性散射的明显共振增强。目前的工作扩展了这些测量的相图，并显示这种增强是一个共同的特点，这个家庭的分层量子磁体。此外，我们表明，低温，低能量的磁谱权重是大得多的样品与非超导基态相对于任何超导基态的样品。自旋间隙，抑制低能量磁谱权重作为降低温度的函数，观察到超导LBCO和LSCO样品，与以前的观察超导LSCO一致。
2015-09-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Tracking anisotropic scattering in overdoped Tl$_2$Ba$_2$CuO$_{6+δ}$ above 100 K
本文介绍了新的极角相关的磁电阻（ADMR）测量过掺杂的铜氧化物T1 $_2$ Ba $_2$ CuO $_{6+δ}$在扩大范围内的温度和方位角。这些详细的测量再次确认了在更有限的温度范围内和在一个单一的方位角取向，特别是描绘的平面内散射率到各向同性和各向异性组件的早期数据的分析。这些新的测量还揭示了散射率的温度和动量依赖性的额外特征，包括$T^2$组分中的各向异性以及高达100 K的$T$ -线性和$T^2$组分的保存。由此产生的形式的散射率的地方严格限制任何即将到来的理论框架的发展正常状态的高温超导铜酸盐的电荷响应。
2009-05-15 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anomalous normal state magnetotransport in an electron-doped cuprate
我们报告的磁阻和霍尔角测量的电子掺杂的铜酸盐La $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$在很宽的范围内从$x = 0.08 - 0.17$的掺杂。在100 K以上，我们发现一个非常规的$\sim H^{3/2}$磁场依赖性的磁电阻观察到的所有样品内掺杂的超导圆顶。此外，测得的磁阻违反科勒规则。鉴于这种异常磁阻在高温超导圆顶上方的普遍存在，我们推测这种行为的起源与在高温下相同的宽参数范围内观察到的不寻常的$ρ\sim T^2$电阻率有关。我们还发现了一个强的掺杂依赖性的霍尔角与非常规的温度依赖性的$\cot θ_H \sim T^{4}$（$T^{2.5}$）的样品掺杂低于（以上）的费米表面重构掺杂$x_{\text{FSR}} = 0.14$。
2020-10-19 cond-mat.str-el
