Spin flop and crystalline anisotropic magnetoresistance in CuMnAs
最近的研究工作表明，由于两种物理机制：Neel阶自旋轨道矩和各向异性磁电阻，一些反铁磁材料中的磁序可以被电学操纵和检测。虽然这些观察开辟了机会，使用反铁磁体的磁存储设备，需要不同的物理表征方法，以更好地理解这些机制。在这里，我们报告了磁场诱导的反铁磁Neel矢量在外延四重态CuMnAs薄膜的旋转。利用软x射线磁性线性二向色谱，x射线光电子显微镜，积分磁测量和磁输运方法，我们证明自旋翻转和连续自旋重取向的反铁磁薄膜单轴和双轴磁各向异性，分别。通过对材料的磁化强度和磁电阻随磁场变化的测量，得到了材料的各向异性磁电阻系数、磁晶各向异性、自旋翻转场和交换场等关键参数。
2021-06-21 cond-mat.mtrl-sci
$C_{3}$-Symmetry-induced Antisymmetric Planar Hall effect and Magnetoresistance in Single-Crystalline Ferromagnets
National Laboratory of Solid State Microstructures, Jiangsu Provincial Key Laboratory for Nanotechnology, Jiangsu Physical Science Research Center, Institute of atom manufacturing, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures and Department of Physics, Nanjing University（南京大学固体微结构物理国家重点实验室、江苏省纳米技术重点实验室、江苏省物理科学研究数据中心、原子制造研究所、先进微结构协同创新中心以及物理学院）
该研究在具有C3对称性和垂直磁各向异性的单晶Co30Pt70薄膜中发现反向对称的平面霍尔效应和磁电阻，揭示了传统AMR与反向galvanomagnetic响应的联系。
2025-11-26 cond-mat.mtrl-sci
Origin of perpendicular magneto-crystalline anisotropy in L10-FeNi under tetragonal distortion
采用第一性原理密度泛函方法研究了L10有序FeNi合金中垂直磁晶各向异性的起源。我们发现，L10-FeNi的垂直MCA主要来自组成的Fe原子，这与最近的测量的Fe轨道磁矩的各向异性的L10-FeNi的X-射线磁性圆二色性是一致的。对自旋轨道相互作用的二阶微扰分析表明，占据的多数自旋带和未占据的少数自旋带之间的自旋翻转激发对垂直MCA有相当大的贡献，少数自旋带中的自旋守恒项也是如此.此外，MCA能量随着面内晶格参数减小（增加轴比c/a）而增加。MCA能量的增加可以归因于由于在压缩面内畸变下费米能级周围的Fe d（xy）和d（x2-y2）轨道分量的调制而导致的自旋翻转项的进一步增强。
2012-10-05 cond-mat.mtrl-sci
Complex ferromagnetic state and magnetocaloric effect in single crystalline Nd_{0.7}Sr_{0.3}MnO_{3}
通过测量磁场诱导的绝热温度变化研究了Nd_{0.7} Sr_{0.3} MnO_{3}单晶的磁热效应。为了理解这种不寻常的磁热效应，我们调用报告的{55}^Mn自旋回波核磁共振，电子磁共振和偏振拉曼散射测量Nd_{0.7} Sr_{0.3} MnO_{3}。我们发现，这种效果是一种表现形式的双交换机制和相关性之间的竞争所产生的耦合自旋和晶格的自由度，从而导致在一个复杂的铁磁状态。研究了Nd_{0.7} Sr_{0.3} MnO_{3}在居里温度附近的临界行为，研究了耦合自由度的影响.我们发现，在低场的一个复杂的行为，其中的过渡的顺序不能被固定，并在高场的二阶行为。
2007-06-12 cond-mat.mtrl-sci
On the anisotropies of magnetization and electronic transport of magnetic Weyl semimetal Co3Sn2S2
Co_3Sn_2S_2是一种具有kagome晶格的准二维体系，是近年来发现的磁性Weyl半金属。本文研究了Co_3Sn_2S_2的磁化各向异性和输运性质。高场测量揭示了巨磁晶各向异性，在2 K时，面外饱和场为0.9 kOe，面内饱和场为230 kOe，磁晶各向异性系数Ku高达8.3 * 10^5 J m-3，这表明，在kagome晶格上，0.29 μB/Co的小磁矩从c轴到ab平面的取向是极其困难的。霍尔电导率的面外角依赖性进一步揭示了Berry曲率和铁磁性的强各向异性，并且两者的矢量方向总是相互平行。对于面内情况，I平行a和I垂直a情况下的纵向和横向测量表明，kagome晶格上的输运是各向同性的。这些结果为磁性Weyl半金属Co 3Sn 2S 2的磁化和输运行为提供了必要的理解。
2020-02-10 cond-mat.mtrl-sci
Off-diagonal magnetoimpedance in field-annealed Co-based amorphous ribbons
在磁场退火的CoFeSiB非晶薄带的非对角磁阻抗测量在低频范围内使用拾取线圈缠绕在样品周围。观察到非对角阻抗的场依赖性的不对称双峰行为。这种不对称性是由于在带材表面形成了硬磁晶相。实验结果解释的表面阻抗张量。它被认为是由一个内部的非晶区和表面结晶层的带状。通过一个有效的偏置场来描述晶相和非晶相之间的耦合。计算的依赖性和实验数据之间的定性协议被证明。所得结果对弱磁场传感器的研制有一定的参考价值。
2005-12-14 cond-mat.mtrl-sci
Lithographically and electrically controlled strain effects on anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As
已经证明，（Ga，Mn）As中的磁晶各向异性对小至10^-4的晶格应变敏感，并且可以通过生长期间的晶格参数工程、通过生长后光刻以及通过将（Ga，Mn）As样品与压电换能器结合来控制应变。在这项工作中，我们表明，类似的效果中观察到的各向异性磁电阻（AMR）的晶体组件。光刻或电诱导的应变变化可以产生大于晶体AMR的晶体AMR分量，并且是未处理的（Ga，Mn）As材料的总AMR的显著部分。在这些实验中，我们还观察到新的高阶项的现象学AMR表达式，并发现应变变化效应可以发挥重要作用的微磁和磁输运特性的（Ga，Mn）As横向纳米收缩。
2008-02-27 cond-mat.mtrl-sci
Charge-spin current conversion in high quality epitaxial Fe/Pt systems: isotropic spin Hall angle along different in-plane crystalline directions
我们报道了MgO[001]//Fe（6 nm）/MgO（7 nm）和MgO[001]//Fe（6 nm）/Pt（6 nm）的分子束外延生长，并表明通过自旋轨道铁磁共振（SO-FMR）的完整表征允许通过经典的FMR研究确定磁各向异性。测得外延Fe/Pt界面的自旋混合电导为（1.5 +- 0.5）x10^19 m^2，并估计了不同面内晶向的有效自旋霍尔角（SHA）。发现SHA在所有方向上都是相同的。当考虑到足够高的激励频率以实现均匀的磁化旋进时，Fe/Pt中外延Pt的有效自旋霍尔角为0.051 ± 0.005。我们讨论了确定这些相关自旋电子学参数的适当条件。
2018-10-30 cond-mat.mtrl-sci
Anomalous magnetotransport in the single-crystalline half-Heusler antiferromagnet ErPdSb
Institute of Low Temperature and Structure Research, Polish Academy of Sciences（波兰科学院低温与结构研究所）
单晶半Heusler反铁磁体ErPdSb在低温下表现出异常磁输运特性，包括负磁阻、霍尔电导率异常贡献及费米面可能重构。
2026-03-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
F+ Center Exchange Mechanism and Magneto Crystalline Anisotropy in Ni doped 3C-SiC
我们报告的实验证据支持在室温铁磁性Ni掺杂3C-SiC。居里温度> 350 K。变温电子顺磁共振（EPR）研究表明，Ni的价态为2+，具有环境对称性。XRD和拉曼峰的明显位移证实了Ni在主体晶格中的掺入。由于掺杂导致的空位$V_{\mathrm{Si}}$、$V_{\mathrm{C}}$的数目和自由电子的数目的变化与系统的磁化强度的变化一致。建立了铁磁有序度与F ~+中心交换机制的直接关系。各向异性常数的温度变化使用接近饱和定律（LAS）确定。结果表明，有效磁各向异性常数随温度的升高而减小。退火样品的EPR谱线宽度随温度的降低而增加，而积分强度随温度的降低而减小。这可能是由于Si $_{x}$ Ni $_{1-x}$ C中轨道角动量的不完全猝灭。除此之外，在立方晶场中，诸如Ni的快速弛豫杂质的轨道简并没有被完全去除。这导致线宽随着温度的升高而减小。
2021-10-25 cond-mat.mtrl-sci
A model for asymmetric giant magnetoimpedance in field-annealed amorphous ribbons
建立了非晶薄带非对称巨磁阻抗效应的唯象模型。的GMI响应上的表面结晶层的效果描述在一个有效的偏置场出现由于结晶层和非晶相之间的耦合。结果表明，存在的偏置场的变化急剧的巨磁阻抗分布。在低频下，畴壁运动导致GMI响应的阶跃变化。在高频下，畴壁运动被阻尼，巨磁阻抗分布呈现不对称的双峰行为。计算的依赖性被证明是在一个定性的协议与实验研究结果的非对称巨磁阻抗场退火钴基非晶带。
2005-02-14 cond-mat.mtrl-sci
Anisotropic magneto-crystalline coupling of the skyrmion lattice in MnSi
利用磁场-角分辨超声共振谱研究了手征磁体MnSi中晶格和Skyrmion晶格（SKX）之间磁晶耦合的各向异性性质。当磁场与[011]晶向平行时，弹性模量和衰减发生突变。这些观察结果被解释在一个唯象的金斯堡-朗道理论，确定开关的SKX取向的各向异性磁晶耦合电位的结果。我们的论文为与未来自旋电子应用相关的磁晶耦合势的本质提供了新的见解。
2018-04-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other cond-mat.quant-gas
Observation of Low Temperature Magneto-Mechanic Effects in Crystalline Resonant Phonon Cavities
我们观察到毫开尔文温度下超高品质因数晶体石英体声波谐振器中的磁效应。研究揭示了声共振频率的磁滞回线、跳变和记忆效应的存在。这些环路作为对外部磁场的响应而出现，并且对于线宽约为$25$ mHz的模式跨越几个赫兹范围，其构成60阶线宽的频移。这种效应是宽带的，但在非线性效应和损耗都受到两级系统限制的较高频率处变得更强。这表明所观察到的效应是由于耦合到机械模式的自旋系综的铁磁相。在超低损耗状态下观察到的机械和自旋自由度之间的耦合为新兴的量子混合系统带来了新的可能性。
2020-01-21 cond-mat.mtrl-sci physics.ins-det quant-ph
L1$_0$ stacked binaries as candidates for hard magnets: FePt, MnAl and MnGa
探索了一种新的堆叠二元磁体以增强磁晶各向异性的策略。该策略用于通过研究FePt/MnGa和FePt/MnAl堆叠来寻找硬磁体。这些双星的选择是出于这样一个事实，即他们已经拥有大的磁晶各向异性。这些材料的几种可能的替代结构进行了探索，以减少由于其高成本的Pt的量。
2015-04-29 cond-mat.mtrl-sci
Magnetocaloric properties of single-crystalline Eu$_5$In$_2$Sb$_6$
本文研究单晶 Eu$_5$In$_2$Sb$_6$ 在不同磁场取向下的磁热效应，揭示其正常、逆及旋转 MCE，并量化了相变附近的熵变与相对制冷功率。
2024-08-19 cond-mat.mtrl-sci
Investigation of Hopping Conduction and Its Impact on the Subthreshold and Transition Region Transport in Oxide Semiconductor Transistors by Magneto-Transport Measurements
National Key Laboratory of Advanced Micro and Nano Manufacture Technology and School of Information Science and Electronic Engineering, Shanghai Jiao Tong University（上海交通大学信息科学与电子工程学院）；School of Integrated Circuits, Huazhong University of Science and Technology（华中科技大学集成电路学院）
本研究通过磁输运测量揭示晶体In2O3相比非晶IZO具有更低的亚带隙态密度和更小的局域化半径，从而增强载流子迁移率并降低供电电压，表明结构无序性对氧化物半导体晶体管亚阈值和过渡区运行至关重要。
2026-09-24 cond-mat.mtrl-sci
Anisotropic magnetoelastic coupling in single-crystalline CeFeAsO as seen via high-resolution x-ray diffraction
单晶同步辐射X射线衍射研究CeFeAsO揭示了沿或垂直于面内反铁磁（AFM）波矢的电荷相关长度在低温下的强各向异性，表明了各向异性的二维磁弹性耦合。高分辨率的设置允许清楚地监测每一个孪生域凭借它们之间的有限失配角，遵循序参量。此外，我们发现，在平面内的相关性，以上的正交（O）-tetraorbic（T）的转变，是短于那些在每个域中的AFM相，表明在平面内的晶格常数的分布。这有力地表明，以上的结构O-T转变的阶段实际上是T与强烈的O-T的波动，可能是由自旋波动引起的。
2014-07-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Interplay between chemical order and magnetic properties in L1$_0$ FeNi (tetrataenite): A First-Principles Study
我们使用基于第一性原理的计算来研究$L1_0$ FeNi的化学有序和磁性之间的相互作用。特别是，我们调查如何偏离完美的化学顺序影响的顺磁和铁磁状态之间的能量差，以及重要的磁晶各向异性能。我们的计算表明，磁性顺序的化学有序-无序转变温度的强烈影响，相反，一个强烈的增强的磁性转变温度的化学顺序。最有趣的是，我们的结果表明，磁各向异性不会显着降低，只要从完美的顺序偏差不是太大。此外，我们发现，在某些情况下，轻微的无序可以导致更高的各向异性比完全有序的结构。我们进一步分析了磁晶各向异性和轨道磁矩各向异性之间的相关性，这允许研究局部化学环境对这两个量的影响，可能使磁晶各向异性相对于化学顺序和化学计量组成的进一步优化。
2022-06-13 cond-mat.mtrl-sci
The influence of anti-site defects and stacking faults on the magneto crystalline anisotropy of FePt
我们提出了密度泛函理论（DFT）计算的磁各向异性能（MAE）的FePt，这是非常感兴趣的磁纪录应用。我们的数据，和大多数以前计算的结果完美有序的晶体，预测的MAE为$\sim 3.0$毫电子伏每公式单位，这是显着大于实验测量值。通过引入不同浓度的堆垛层错（SF）和反位缺陷（ASD）来分析无序的影响，我们能够使计算与实验数据相一致，并表明即使是低浓度的ASD也能够大大降低FePt的MAE。研究无规相位近似（ACDFT-RPA）中绝热连接耗散波动定理内的精确交换和电子相关的影响，揭示了对MAE的影响显着较小。因此，无序的影响，更具体地说，ASD，是解释FePt的常见DFT计算与实验测量偏差的关键因素。
2017-03-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Strain control of magnetic anisotropy in (Ga,Mn)As microbars
我们提出了一个实验和理论研究的磁晶各向异性的酒吧光刻成（Ga，Mn）作为外延层下生长的压缩晶格应变的阵列。用高分辨X射线衍射方法研究了（Ga，Mn）As微棒的结构特性。实验数据，表现出较强的应变松弛效应，是在良好的协议与有限元模拟。SQUID磁化测量进行研究的控制磁各向异性（Ga，Mn）As的光刻诱导的应变弛豫的微棒。基于（Ga，Mn）As铁磁自旋轨道耦合能带结构的平均场动力学交换模型，对各向异性进行了微观理论模拟.基于实验数据和理论模型之间的总体协议，我们得出结论，微图案化诱导的各向异性的磁晶，自旋轨道耦合的起源。
2010-07-16 cond-mat.mtrl-sci
Complex single-site magnetism and magnetotransport in single-crystalline Gd$_{2}$AlSi$_{3}$
本研究针对单晶Gd₂AlSi₃开展系统表征，证实其I4₁/amd空间群结构，发现单Gd格点下存在两个连续反铁磁相变及磁各向异性主导的方向依赖输运，为Gd基金属间化合物的场诱导斯格明子行为提供解释依据。
2025-06-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
High-Field Properties of Single-Crystalline Cavo3
在18 T以下的磁场中，用磁阻测量法和磁化强度测量法研究了钙钛矿型CaVO_3单晶的磁性能。在2K时，磁电阻为正，当H/a时，磁电阻最大值为Dr（18 T）/r（0）= 16.5%。磁化强度在2K时表现出平滑的增加，达到M（18 T）= 0.03、0.05、0.17mB/f. u的值。分别为H//a、H//b和H//c。在M（H）中发现的这种各向异性与观察到的Dr（H//a）> Dr（H//b）> Dr（H//c）一致。这些结果可以解释在CaVO 3的场依赖的散射机制。
2002-02-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Morphology and magneto-transport in exfoliated graphene on ultrathin crystalline \b{eta}-Si3N4(0001)/Si(111)
我们首次报道了石墨烯在\b{eta} -Si_3 N_4（0001）/Si（111）上的转移实验研究。我们的工作提供了一个全面的定量理解的物理学的Si 3 N4作为栅极电介质的石墨烯为基础的设备。在超高真空（UHV）条件下，在Si（111）衬底上生长了Si 3 N4薄膜，并用扫描隧道显微镜（STM）对其进行了研究。随后，通过基于聚合物的转移技术将石墨烯薄片沉积在其顶部上，并且由石墨烯薄片制造霍尔条器件。在器件制造之后，再次采用STM来研究在UHV条件下的石墨烯薄片，并且显示表面质量被保持。在低温下在磁场中进行的电输运测量揭示了石墨烯通道中载流子类型和密度的背栅调制，并显示了弱局部化的发生。在这些实验条件下，没有检测到背栅和石墨烯沟道之间的漏电流。
2020-04-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Unusual non saturating Giant Magneto-resistance in single crystalline Bi2Te3 topological insulator
报道了拓扑绝缘体Bi 2 Te 3的合成、结构细节和电输运性质。采用高温（950 ℃）熔体和缓慢冷却（2 ℃/小时）的方法获得了Bi_2 Te_3单晶样品。得到的晶体是有光泽的，一片（几厘米）并且是亮银色的。Bi_2Te_3晶体具有良好的[00 l]取向。对粉碎的晶体进行的粉末XRD图案显示Bi 2 Te 3以R3 m对称性结晶，其中a = b = 4.3866（2）A，c = 30.4978（13）A和γ = 120度。Bi位置在Wyckoff位置6c处被细化为（0，0，0.4038（9）），Te在Wyckoff位置3a处为（0，0，0），在6c处为（0，0，0.2039（8））。环境压力和低温（下至2K）电输运测量显示金属行为。在磁场下的磁输运测量表明，在2.5K和50 KOe磁场下，非饱和磁阻（MR）高达250%。总之，简短的交流清楚地表明，Bi_2 Te_3拓扑绝缘体在低于10 K的低温下表现出非饱和的大的正MR。在室温下可以看到非饱和MR，尽管幅度大大降低。值得一提的是，这些晶体本质上是块状的，因此异常MR显然是固有性质，而不是由于如对于纳米线或纳米线的薄膜所报道的尺寸效应。
2017-01-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Dielectric anomalies and magnetodielectric coupling behavior of single crystalline Ca3Co2O6, a geometrically frustrated magnetic spin-chain system
研究了自旋链系统Ca_3Co_2 O_6单晶在25 K以下经历几何阻挫反铁磁有序时的介电行为与温度和磁场（H）的关系，并与磁化强度（M）行为进行了比较。结果为该化合物中各向异性磁介电（MDE）耦合提供了证据。交流磁化率表现出很强的频率依赖性的H平行与变化的这一功能与外部直流磁场的应用。没有功能的交流磁化率可以观察到H垂直c，从而提供了强各向异性的自旋玻璃行为的证据。有趣的是，尽管存在MDE耦合，但对于两个结晶方向（E平行c和E垂直c，其中E是电场），电介质中的强频率依赖性都存在，H的影响可以忽略不计。这一结果似乎表明电偶极子和自旋玻璃的不同动力学，尽管它们彼此耦合。此外，有趣的是，在某些温度下，在MDE的高（磁场）值的三分之一处也存在一个台阶，跟踪M（H）中的类似台阶。这项工作也证实了以下不寻常的功能报告的多晶体，当沿c轴测量。当电场沿自旋链（晶体学c方向）施加时，介电常数在50-130 K附近呈现宽峰;然而，对于垂直取向，该特征基本上不存在。这一发现支持的作用，初期自旋链有序诱导磁介电耦合。当沿着自旋链施加磁场时，无论施加的电场的方向如何，都存在磁电相共存的特征。
2016-03-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Two-dimensional quantum transport of multivalley (111) surface state in topological crystalline insulator SnTe thin films
研究了（111）取向SnTe单晶薄膜的磁输运特性。采用分子束外延技术在BaF2衬底上外延生长了SnTe（111）薄膜。通过优化薄膜的生长条件和厚度，可以降低体载流子密度，使表面输运检测成为可能。在磁导测量中，观察到了零磁场附近的尖点特征，这是由于拓扑表面态输运的弱反定域效应造成的。对这种负MC的详细分析揭示了有助于表面输运的输运通道的数量减少，表明SnTe（111）表面上的狄拉克谷之间存在强耦合，这是TCI的多通道结构中输运的特征。
2015-08-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magneto-optical anisotropies of 2D antiferromagnetic MPX$_3$ from first principles
本研究基于第一性原理探究二维反铁磁MPX$_3$的磁光各向异性，揭示了其激子结合能、带边跃迁等性质对自旋方向的依赖规律，并提出了实现自旋能谷极化的策略。
2023-08-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Room temperature control of axial and basal antiferromagnetic anisotropies using strain
本研究通过施加应变在室温下调控a-Fe2O3的反铁磁各向异性，实现对齐磁态并保留拓扑纹理，为自旋电子学器件提供新机制。
2025-10-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magnetic and electrical transport properties of the single-crystalline half-Heusler antiferromagnet DyNiSb
Institute of Low Temperature and Structure Research, Polish Academy of Sciences（波兰科学院低温结构研究所）
研究发现单晶DyNiSb在低温下表现出两个磁相变温度，且具有金属导电性，与多晶样品不同，同时揭示了磁场诱导的费米面重构现象。
2026-03-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Six-fold in-plane magnetic anisotropy in Co-implanted ZnO (0001)
用铁磁共振（FMR）技术研究了不同Co注入剂量下生长在单晶Al_2 O_3（11-20）衬底上的ZnO（0001）薄膜的磁各向异性。铁磁共振数据表明，易轴和难轴具有60度的周期性在膜平面，在协议的ZnO薄膜的六角结构。这六倍的面内磁各向异性，这是第一次在ZnO基稀磁半导体中观察到的，归因于在ZnO结构中的Zn位点上的钴的替代，并且清楚地表明在单晶ZnO薄膜中的替代钴离子之间的长程铁磁有序。
2010-04-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Low-field behavior of an XY pyrochlore antiferromagnet: emergent clock anisotropies
以$\rm Er_2Ti_2O_7$为动力，研究了$XY$烧绿石反铁磁体的有限场性质。除了在零场中存在的波动诱导的六重各向异性之外，外部磁场还诱导作为其取向的函数的两重、三重和六重时钟项的组合，从而提供丰富且可控的磁热力学。对于$\rm Er_2Ti_2O_7$，我们预测了一个新的相变${\bf H}\parallel [001]$。还发现${\bf H}\parallel [111]$的折返跃迁。我们将这些结果扩展到整个家庭的$XY$烧绿石反铁磁体，并表明，存在和不同取向的低场跃迁的数量可以用于定位一个给定的材料中的参数空间的各向异性烧绿石。低温经典蒙特卡罗模拟证实和说明这些分析预测。
2016-03-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Magnetic-Field Induced Semimetal in Topological Crystalline Insulator Thin Films
研究了拓扑晶体绝缘体（TCI）薄膜在外电磁场作用下的电磁特性。TCI薄膜是一种以镜像陈数为指标的拓扑绝缘体。结果表明，在面内磁场作用下，随着一对具有相反手征的无隙锥的出现，带隙闭合。一对无间隙点具有相反的涡数。这是一个回忆的一对外尔锥在三维外尔半金属。因此，我们提出了一个磁场诱导的半金属-半导体转变的二维材料。这是一种巨磁阻效应，其电阻率受磁场控制。我们发现，外加电场使无带隙点发生位移，并使费米速度沿面内磁场的方向重整化。
2014-10-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Fundamentals of crystalline Hopf insulators
三维晶体霍普夫绝缘体是酉Wigner-Dyson类的一般成员，它可以打破所有的整体离散对称和点群对称。在布里渊区的任意二维平面上，在第一陈数不存在的情况下，得到了Hopf不变量$N_H \in \mathbb{Z}$。但在存在陈数$N_H \in \mathbb{Z}_{2q}$的情况下，其中$q$是布里渊区$xy$、$yz$和$xz$平面的陈数的最大公约数。$N_H$如何影响各向同性磁电系数的拓扑量子化？我们用Witten效应的计算来回答这个问题。此外，我们构建了$N$带紧束缚模型的霍普夫绝缘体，并证明了其拓扑稳定性对频谱平坦。
2023-01-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
