Transformation of hexagonal Lu to cubic LuH$_{2+x}$ single-crystalline films
针对单晶立方Lu-H化合物合成空白，本研究通过Lu单晶薄膜氢气后退火制备出高纯度LuH$_{2+x}$单晶薄膜，发现其呈紫红色绝缘性，为探索Lu-H体系提供新路径。
2023-08-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Two successive field-induced spin-flop transitions in single-crystalline CaCo$_{2}$As$_{2}$
CaCo $_{2}$作为一种ThCr $_{2}$ Si $_{2}$结构化合物，在\emph{T$_{N}$} = 76 K时发生反铁磁转变，磁矩平行于\emph{c}轴排列.电子输运测量表明，与铁磷属元素化物的母体化合物相比，CaCo $_{2}$ As $_{2}$中导电载流子与磁序之间的耦合要弱得多.沿\emph{c}轴方向施加磁场，在其磁态中诱导两个连续的自旋翻转跃迁。在10 K下，\emph{\textbf{H}$\parallel$c}和\emph{\textbf{H}$\parallel$ab}的磁化饱和行为表明，沿\emph{c}方向的反铁磁耦合很弱。层间反铁磁耦合常数\emph{J$_{c}$}估计约为2 meV。
2012-04-08 cond-mat.str-el
Metallic ground state and glassy transport in single crystalline URh$_2$Ge$_2$: Enhancement of disorder effects in a strongly correlated electron system
本文详细研究了中等无序重费米子系统URh $_2$ Ge $_2$的电子输运性质。对于这种材料，我们发现在一个单一的晶体化合物的玻璃态电子输运。我们推导出的电导率的温度依赖性，并建立通过光学电导率和霍尔效应测量的金属性。电子输运性质的整体行为非常类似于金属玻璃，在低温下额外的轻微自旋无序的贡献。我们认为，这种玻璃态的电子行为在晶体化合物中反映了增强的无序效应的结果，强的电子相关。
2004-11-17 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Magnetic Anisotropy in Single Crystalline CeAu$_{2}$In$_{4}$
用高温溶液法生长了LaAu $_{2}$ In $_{4}$和CeAu $_{2}$ In $_{4}$单晶，并报道了CeAu $_{2}$ In $_{4}$的各向异性磁行为。该化合物以正交晶系结构结晶，空间群为\textit {Pnma}。LaAu $_{2}$ In $_{4}$表现出Pauli顺磁行为。CeAu $_{2}$ In $_{4}$在1.8 K以下不有序。CeAu $_{2}$ In $_{4}$的易磁化轴沿[010]方向。在晶体电场模型的基础上对磁化数据进行了分析。
2009-06-25 cond-mat.str-el
The influence of crystalline electric field on the magnetic properties of CeCd3X3 (X = P and As)
CeCdPDMATHABMM PPDMATHABMM和CeCdPDMATHABMM作为$_3$化合物采用六方ScAlPDMATHABMM CPDMATHABMM型结构，其中磁性Ce离子在低于$T_\text{N} \sim$ 0.42 K的三角晶格有序反铁磁性.它们的结晶电场（CEF）的水平计划已被确定通过拟合磁化率曲线，磁化等温线，并在比热肖特基异常。计算结果，包括CEF激发，塞曼分裂，和分子场，与实验数据符合得很好。CEF模型，与Ce $^{3+}$离子在三角对称，解释了强易平面磁各向异性，已被观察到在这个家庭的材料。CEF参数的详细检查表明，四阶CEF参数$B_{4}^{3}$负责强CEF诱导的磁晶各向异性，具有大的$ab$ -平面矩和小的$c$ -轴矩。我们的CEF分析的可靠性进行了评估，通过比较目前的研究与早期报告的CeCd $_{3}$作为$_{3}$。对于CeCd $_{3}X_{3}$（$X$ = P和As）化合物，小于40%的$R\ln(2)$磁熵被$T_\text{N}$恢复，并且在外斯温度$θ_{p}$下实现完全$R\ln(2)$熵。虽然观察到的磁熵是让人想起离域4 $f$ -电子磁性与显着的近藤屏蔽，这些化合物的电阻率遵循典型的金属行为。热电功率的测量进一步验证了CeCd $_{3}X_{3}$中不存在近藤贡献。
2023-02-23 cond-mat.str-el
Structural, electronic, magnetic, and thermal properties of single-crystalline UNi0.5Sb2
采用中子衍射、磁化率（χ）、比热（Cp）、热电势（S）、热导率（κ）、线性热膨胀（ΔL/L）和电阻率（ρ）等测量方法，研究了Sb助熔剂法生长的反铁磁（AFM）化合物UNi 0. 5Sb 2（TN \approx 161 K）的性质。中子衍射结果表明，该化合物为四元P_（42）/nmc结构，25 K时的U矩为\approx 1.85 \pm 0.12 μB/U-ion。除了在TN下观察到的体特性特征之外，在χ、S、ρ和ΔL/L的测量中还观察到以40和85 K附近为中心的另外两个滞后特征。发现静水压力以\approx 0.76 K/kbar的速率升高TN，同时抑制两个低温特征。这些功能的费米表面和杂交效应的背景下进行了讨论。
2011-10-11 cond-mat.str-el
Magnetically Ordered State and Crystalline-Electric-Field Effects in SmBe$_{13}$
通过电阻率（$ρ$）、比热（$C$）和磁化强度（$M$）的测量，研究了具有NaZn $_{13}$型立方结构的单晶SmBe $_{13}$的物理性质. $ρ$的温度（$T$）依赖性显示正常的金属行为，而没有显示Kondo-ln $T$行为，表明该体系中的弱杂化效应。对$C$的温度依赖性的分析表明，该化合物的Sm离子为三价，晶体电场（CEF）基态为$Γ_8$四重态，第一激发态为$Γ_7$双峰态，能级为$\sim$ 90 K.平均场计算的基础上建议的CEF水平计划可以合理地再现的$T$依赖的磁化率（$χ$）低于$\sim$ 70 K。这些结果在顺磁状态下强烈表明，4 $f$电子很好地定位与Sm $^{3+}$配置。在低温下，4个$f$电子在$T_{\rm M}$ $\sim$ 8.3 K下经历磁序，其中$χ$（$T$）显示出反铁磁的尖点异常。从平均场计算得到的正Curie-Weiss温度和构造的多区磁相图出发，通过与其他具有螺旋磁有序的同构MBe $_{13}$化合物的比较，讨论了SmBe $_{13}$低于$T_{\rm M}$的磁结构.
2017-06-13 cond-mat.str-el
Crystal-field effects in the mixed-valence compounds Yb2M3Ga9 (M= Rh, Ir)
对中价化合物Yb_2Rh_3Ga_9和Yb_2Ir_3Ga_9单晶进行了磁化率、热容和电阻率测量。这些测量揭示了一个大的各向异性，显然是由于结晶电场（CEF）和近藤效应之间的相互作用。磁化率的温度依赖性可以使用包括CEF的安德森杂质模型在基于非交叉近似的方法内建模。
2005-02-23 cond-mat.str-el
Study of low-energy magnetic excitations in single-crystalline CeIn3 by inelastic neutron scattering
对重费米子化合物CeIn $_{3}$的单晶进行了Néel温度以下和以上的非弹性中子散射实验，$T_N$。在反铁磁有序相，定义良好的自旋波激发的带宽为2毫电子伏的观察。自旋波与准弹性（QE）近藤型自旋涨落和$T_N$下方的加宽晶场（CF）激发共存。高于$T_N$，只有QE和CF激发持续存在，具有弱的温度依赖性。
2003-02-24 cond-mat.str-el
Thermal Conductivity of the Spin Peierls Compound CuGeO_3
在磁场高达16 T的条件下测量了Spin-Peierls（SP）化合物CuGeO_3的热导率。在SP转变之上，由于自旋激发的热传输在22 K附近引起峰值，而在转变之下，自旋激发迅速减弱，热传输由声子主导;然而，声子的主要散射过程是自旋激发，这在热导率中在约5.5 K处表现出不寻常的峰值。当磁场超过12.5 T时，该低温峰值被强烈抑制。
1998-05-08 cond-mat.str-el
Crystalline symmetry-protected non-trivial topology in prototype compound BaAl$_4$
BaAl $_4$原型晶体结构是所有结构类型中数量最多的，并且是包括著名的ThCr $_2$ Si $_2$家族的各种子结构的构建块，该家族具有高温超导性和许多磁性和强关联电子系统。MA $_4$族材料（M=Sr、Ba、Eu; A=Al、Ga、In）本身呈现出一组有趣的基态，包括电荷和自旋序，但在很大程度上被认为是不感兴趣的金属。利用电子结构计算、对称性分析和拓扑量子化学技术，我们预测了典型化合物BaAl $_4$具有非平凡拓扑结构的三维狄拉克光谱和可能穿过布里渊区的节线，其中一对半-具有沿$k_z$方向的线性色散和沿$k_x/k_y$方向的二次色散的狄拉克点位于具有$C_{4v}$点的旋转轴上群对称电输运测量揭示了一个非常大的，不饱和的正磁阻BaAl $_4$的存在下，尽管未补偿的能带结构，和量子振荡和角度分辨光电子能谱测量证实预测的多带半金属结构与口袋的狄拉克孔和范霍夫奇异性（VHS）的理论预测非常一致。因此，我们提出BaAl $_4$作为一种新的拓扑半金属，铸造其原型状态成为一个新的角色，作为一个庞大的新的拓扑材料阵列的积木。
2020-07-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Thermal expansion of the spin-1/2 Heisenberg-chain compound Cu(C$_4$H$_4$N$_2$)(NO$_3$)$_2$
含有代表具有弱磁耦合常数的简单模型自旋系统的磁性子系统的化合物是测试接近量子相变的一般行为的理论预测的理想候选者。本文测量了自旋1/2链化合物二硝酸吡嗪铜Cu（C $_4$ H $_4$ N $_2$）（NO $_3$）$_2$的热膨胀和磁致伸缩。特别令人感兴趣的是低温热膨胀接近饱和场$H_c \simeq 13.9 \mathrm{T}$，它定义了一个量子相变从无带隙的Luttinger液体状态的完全饱和状态与有限的激发间隙。我们观察到不同基态的热膨胀的符号变化，并且在量子临界点$H_c$处，低温膨胀接近$1/\sqrt{T}$发散。因此，我们的数据非常符合预期的量子临界行为。
2009-07-02 cond-mat.str-el
Magnetic properties of single-crystalline CeCuGa3
研究了CeCuGa_3单晶的磁性。该化合物形成由Cu-Ga层分隔的稀土平面组成的四元BaAl 4型结构。如果Cu-Ga位无序减少，则CeCuGa 3采用相关的类似四重BaNiSn 3型结构，其中Ce离子被不同的Cu和Ga层包围并且反转对称性丧失。在文献中，关于CeCuGa 3的磁序的相互矛盾的报道已经发表。具有中心对称结构变体的单晶表现出低于约的铁磁有序。4K，具有强的平面各向异性。转变温度以上的磁性行为可以很好地理解的4f洪德规则的基态多重态的Ce离子的晶体场分裂。
2012-04-19 cond-mat.str-el
Crystalline Electric Field and Kondo Effect in SmOs4Sb12
我们在脉冲磁场下的超声结果表明，填充方钴矿化合物SmO_PDMATHABMM $_{12}$具有$Γ_{67}$四重晶体电场基态。这一事实表明，$Γ_{67}$四重态的多极自由度在这种材料的不寻常的物理性质中起着重要的作用。另一方面，低于$\approx$ 20 T的弹性响应不能使用本地化的4 $f$ -电子模型来解释，该模型不考虑近藤效应或铁磁有序。分析结果表明，在低磁场下，存在Kondo屏蔽态，而在20 T以上的高磁场下，即使在低温下，这种屏蔽态也被抑制.
2016-03-30 cond-mat.str-el
Thermal expansion of the quasi two-dimensional magnetic layered compound BaNi$_{2}$V$_{2}$O$_{8}$ under magnetic fields along c-axis
利用高分辨热膨胀研究了准二维磁性BaNi $_{2}$ V $_{2}$ O $_{8}$在沿c轴方向施加的高达10 T的磁场中的热膨胀。在10 T时，观察到三维反铁磁有序温度$T_N$略微增加约1%. $T_N$的正压和负压依赖性分别从沿$a$ -和$c$ -轴施加的压力的热膨胀$α(T)$推断。
2006-06-07 cond-mat.str-el
Thermal Conductivity and Specific Heat of the Spin-Ice Compound Dy$_2$Ti$_2$O$_7$: Experimental Evidence for Monopole Heat Transport
自旋冰化合物Dy $_2$ Ti $_2$ O $_7$中的基元激发可以描述为在由磁性Dy离子形成的烧绿石晶格内独立传播的磁单极子。我们研究了B的热导率κ（B）与磁场的关系||[001]并观察到源自磁激发的磁热传输的明显证据。磁贡献κ mag与磁场有很强的相关性，并与磁化强度M（B）有关。由κ mag与磁比热之比得到的扩散系数在低于1K时大大增强，表明自旋冰态的自旋激发具有高的迁移率.
2012-05-25 cond-mat.str-el
Glasslike vs. crystalline thermal conductivity in carrier-tuned Ba8Ga16X30 clathrates (X = Ge, Sn)
通过对Ba_8Ga_（16）X_（30）（X = Ge，Sn）包合物的单晶X射线衍射、热导率k（T）和比热Cp（T）的研究，解决了目前在某些晶体材料中观察到的类玻璃热导率起源的争论。这些晶体显示出完全不同的低温k（T）行为，这取决于它们的载流子是电子还是空穴，在前一种情况下显示出通常的结晶峰，而在后一种情况下显示出异常的玻璃状平台。相比之下，Cp（T）高于4 K和一般的结构性质基本上是不敏感的载波调谐。我们分析了这些综合结果的框架内的隧道/共振/瑞利散射模型，并得出结论，从晶体到类玻璃k（T）的演变是伴随着增加的有效密度的隧道态和共振散射水平，而这些贡献都不能单独占观察到的变化在整个温度范围内。这表明，决定结晶或玻璃状行为的最相关因素是客体振动模式和具有不同载流子的骨架之间的耦合强度。
2006-06-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Thermal conductivity across the metal-insulator transition in single crystalline hyperkagome Na$_{3+x}$Ir$_3$O$_8$
超kagome反铁磁体Na $_{4}$ Ir $_3$ O $_8$代表了实现三维量子自旋液体的第一个真正的候选者。它也可以被掺杂到金属状态，从而提供了一个难得的机会，探索相关的，受抑的磁铁中的金属-绝缘体转变的性质。在这里，我们报告的热力学和运输测量金属和弱绝缘单晶下降到150 mK。而在金属样品的声子热导率（$κ^{ph}$）几乎是在边界散射制度，在绝缘样品中，我们发现一个很大的减少$κ^{ph}$在一个非常宽的温度范围。这一结果可以归因于声子的散射纳米级的无序或关闭的无隙磁激发，在低温比热。本工作突出了Na $_{3+x}$ Ir $_3$ O $_8$中金属-绝缘体转变的特殊性，并证明了在强自旋-轨道耦合存在下晶格自由度和自旋自由度之间耦合的重要性。
2014-10-31 cond-mat.str-el
Purely antiferromagnetic frustrated Heisenberg model in spin ladder compound BaFe$_2$Se$_3$
本研究通过非弹性中子散射结合理论模拟，证实BaFe$_2$Se$_3$的磁行为可由纯反铁磁阻挫Heisenberg模型描述，为理解其多铁性及相关体系的磁不稳定性提供了新视角。
2023-07-12 cond-mat.str-el
Direct observation of Fe spin reorientation in single crystalline YbFe6Ge6
我们已经生长的YbFe6Ge6和LuFe6Ge6的单晶，其特征在于通过低场磁化率，场依赖磁化，电阻率和热容测量的各向异性行为。Yb+3价态通过LIII XANES测量确认。YbFe6Ge6晶体在约63 K时表现出Fe自旋的场依赖性的突然重定向，这是RFe6Ge6家族（R =稀土）中的独特效应，其中Fe离子在高于450 K的Neel温度下反铁磁排列，并且R离子的磁性似乎独立地表现。这种不寻常的行为的有序Fe时刻在这个化合物的可能起源进行了讨论。
2005-09-28 cond-mat.str-el
Comment on "Low-temperature phonon thermal conductivity of single-crystalline Nd_{2}CuO_{4}: Effects of sample size and surface roughness" by Li et al.
在这篇评论中，我们表明Li { \it et al.}（Phys. Rev. B { \bf 77}，134501（2008））不支持高T_c铜酸盐在低温下的声子镜面反射，因为对于Nd_{2} CuO_{4}和YBa_{2} Cu_{3} O_{6.0}单晶两者，从其热导率数据计算的声子平均自由程\ell远小于高于\sim 100 mK的平均样品宽度。
2009-04-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic structure studies on single crystalline Nd2PdSi3, an exotic Nd-based intermetallic: Evidence for Nd 4f hybridization
在R_2PdSi_3系列中，Nd_2PdSi_3是一种反常化合物，因为它表现出与该家族中其他成员不同的铁磁有序。磁有序温度也异常高相比，预期值为Nd基系统，假设4f本地化。本文采用高分辨光电子能谱和从头算能带结构计算研究了Nd_2 PdSi_3单晶的电子结构。得到的有效电子相关强度为6 eV的理论结果与实验价带谱相印证。虽然有显着的Pd 4d-Nd 4f杂化，附近的费米能级的状态被发现是由杂化Nd 4f-Si 3 p态占主导地位。钕的3d芯能级光谱具有多种特征，表现出强烈的末态效应，这是由于电子关联、电荷转移和集体激发。这些结果作为一个罕见的示范杂交的Nd 4 $f$状态与导电电子可能负责该化合物的exoticity。
2019-09-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Tuning the crystalline electric field and magnetic anisotropy along the CeCuBi$_{2-x}$Sb$_{x}$ series
我们用X射线粉末衍射、磁化强度、电阻率、热容和非弹性中子散射（INS）研究了金属间化合物CeCuBi $_{2-x}$ Sb $_{x}$的物理性质。这些化合物均为四方晶系，空间群为$P4/nmm$，反铁磁转变温度为3.6 ~ 16 K。值得注意的是，易磁化轴沿系列变化，这是密切相关的四晶电场（CEF）参数的变化。这种演变进行了分析，使用平均场模型，其中包括各向异性的最近邻相互作用和tetraphericCEF哈密顿量。CEF参数通过将磁化率数据与由INS测量给出的约束进行拟合来获得。最后，我们讨论了如何CEF的演变可以影响近藤物理和在这个家庭的超导状态的搜索。
2020-10-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Thermalization and Possible Signatures of Quantum Chaos in Complex Crystalline Materials
复杂的绝缘体和强关联电子系统托管在类似的复杂的晶体结构的热扩散率数据的分析表明，量子混沌是一个很好的描述热化过程中，这些系统，特别是在高温制度的许多声子带和它们的相互作用占主导地位的热输运。在这里，我们观察到，这些系统的扩散热输运是由一个通用的普朗克时间尺度$τ\sim \hbar/k_BT$，和一个独特的速度$v_E$。具体地说，$v_E \approx v_{ph} $用于复杂绝缘体，而$v_{ph} \lesssim v_E \ll v_{F}$用于强关联巡回电子（$v_{ph}$和$v_F$分别是声子和电子的速度）。对于复杂的相关电子系统，我们进一步表明，电荷扩散率，同时也达到普朗克弛豫约束，主要是由费米速度的电子，因此表明，它是唯一的热（能量）扩散率，描述混沌扩散。
2020-01-11 cond-mat.str-el hep-th
Crystalline electric fields and the magnetic ground state of the novel Heusler intermetallic YbRh$_{2}$Pb
合成了一种新的具有畸变Heusler结构的金属间化合物YbRh $_{2}$ Pb。我们提出了一个研究的磁性，热，和输运性质。热容量的测量结果表明，YbRh $_{2}$铅订单磁低于T $_{N}$ =0.57 K从顺磁状态与大量的晶体电场分裂。磁场使基态进一步分裂，导致YbRh $_{2}$ Pb中的磁序被抑制。
2007-09-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Spin thermal conductivity of the Haldane chain compound Y2BaNiO5
我们测量了自旋S=1的链状化合物Y_2BaNiO_5的热导率。通过对热输运各向异性的分析，可以确定自旋介导的热导率κ s沿链方向的分布。计算得到的自旋相关能量扩散常数D_E（T）在120 K附近出现一个宽峰。在接近室温时，D_E（T）接近理论预测的高温值，而磁性杂质对自旋激发的散射似乎是低温时κ_s的主要限制因素。
2006-08-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Giant crystal-electric-field effect and complex magnetic behavior in single-crystalline CeRh3Si2
通过X射线衍射、磁化率、磁化强度、电阻率以及在宽温度和磁场范围内进行的比热测量研究了单晶CeRh 3Si 2。此外，在室温下的电子结构的化合物进行了研究，铈芯水平的X射线光电子能谱（XPS）。的物理性质进行了分析，在晶体电场和比较的从头算能带结构计算的结果内进行的密度泛函理论的方法。发现该化合物以ErRh 3Si 2型（空间群Imma-No. 74，Pearson符号：oI 24）的正交晶胞结晶，晶格参数为：a = 7.1330（14）A，b = 9.7340（19）A，和c = 5.6040（11）A。磁性和XPS数据的分析表明，存在着良好的本地化磁矩的三价铈离子。所有的物理性质被发现是高度各向异性的研究在整个温度范围内，并受到异常强大的晶体电场的4f 1地面多重峰的整体分裂超过5700 K。反铁磁序的铈磁矩在TN = 4.70（1）K和随后的自旋重排在Tt = 4.48（1）K表现出明显的异常的温度特性的所有研究的物理性质，并表现出复杂的演变中的外部磁场。一个试探性的磁性B-T相图，B平行于b轴的易磁化方向，显示了非常复杂的磁行为的CeRh 3Si 2，类似于最近报道的同构化合物CeIr 3Si 2。电子能带结构的计算证实了反铁磁有序的铈磁矩和很好地再现了实验XPS价带谱。
2010-04-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other cond-mat.str-el
Large spin-orbit splitting and weakly-anisotropic superconductivity revealed with single-crystalline noncentrosymmetric CaIrSi3
我们报告正常和超导性质的Rashba型非中心对称化合物CaIrSi 3，使用单晶样品与近100%的超导体积分数。硬X射线光电子能谱所揭示的电子态密度可以用相对论第一原理能带计算得到很好的解释。这表明强的自旋轨道相互作用确实影响了该化合物的电子态。所得的H-T相图仅显示出约10%的各向异性，表明超导性质几乎是三维的。然而，观察到强烈的各向异性的涡旋钉扎。
2012-11-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
A Single-Crystalline, Epitaxial SrTiO3 Thin-Film Transistor
我们在此报告的制造和表征的薄膜晶体管（TFT），使用单晶，外延SrTiO 3膜，这是生长的脉冲激光沉积技术，然后在氧气气氛中的热退火处理。虽然多晶外延SrTiO 3薄膜上的TFT（沉积态）表现出差的晶体管特性，退火的单晶SrTiO 3 TFT表现出与体单晶SrTiO 3 FET的晶体管特性相当的晶体管特性：开/关电流比>10^5，亚阈值摆幅~2.1 V/十倍，场效应迁移率约为0.8 cm^2/Vs。这表明了适当的热退火处理外延SrTiO 3薄膜的有效性。
2009-12-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
A transition from antiferromagnetism to spin-glass freezing in single crystalline, Dy2PdSi3
我们报告低温（1.8-15 K）交流磁化率和等温剩磁行为的单晶形式的Dy 2 PdSi 3，结晶在一个AlB 2衍生的六方结构，两个方向。结果证实了两个磁转变的存在，一个在8 K，另一个在2.5 K，从以前的直流磁化研究推断，表明2.5 K的转变是自旋玻璃样，与一个有趣的敏感性的应用程序的外部直流磁场。因此，随着温度的降低，这种化合物似乎经历了从反铁磁性到自旋玻璃冻结的转变。
2004-12-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetic anomalies in single crystalline ErPd2Si2
考虑到某些有趣的功能，在以前报道的166铒穆斯堡尔效应和中子衍射数据的ErPd 2Si 2的多晶形式的ThCr 2Si 2型四晶结构结晶，我们进行了磁性测量（1.8至300 K）的单晶形式的这种化合物。我们观察到显着的各向异性的磁化强度的绝对值（表明易轴是c轴），以及由于在低温下的磁化率（chi）与温度（T）的曲线图中的磁排序的功能。chi（T）数据表明，在4.8K时，样品中存在一个赝低维磁序，而在较低温度（3.8K）时，样品中存在一个三维反铁磁序.在chi（T）数据中的一个新发现是，对于H//<110>，而不是H//<001>，在8-20 K范围内存在宽肩，表明在5 K以上也存在磁相关，这可能与以前报道的慢弛豫主导的穆斯堡尔谱有关。有趣的是，电阻率的温度系数被发现是各向同性的，没有功能，由于磁有序可以检测到在低温下的电阻率数据，这是由于磁Brillioun-zone边界间隙效应。结果揭示了该化合物磁性的复杂本质。
2007-12-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anisotropic magnetization and resistivity of single crystalline RNi1-xBi2+-y (R = La-Nd, Sm, Gd-Dy)
通过测量RNi_（1-x）Bi_（2+）-y（R = La-Nd，Sm，Gd-Dy）单晶的化学计量比和温度依赖的磁化率、磁化强度和电阻率，对RNi_（1-x）Bi_（2+）-y单晶进行了详细的研究。该系列形成部分Ni占位以及可变Bi占位。当R = Ce-Nd，Sm，Gd-Dy时，RNi_（1-x）Bi_（2 +-y）化合物在低温下表现出类局域磁矩行为和有序反铁磁性质。测定了RNi_（1-x）Bi_（2+）-y（R = Ce-Nd，Sm，Gd-Dy）的各向异性和反铁磁有序温度。虽然从这个家庭的晶体样品表现出少数，第二相超导在低温下与Ni-Bi和Bi污染，没有证据表明体超导已被观察到。
2012-10-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Field-dependent thermal transport in the Haldane chain compound NENP
本文研究了自旋S=1的链状材料Ni（C2H8N2）2NO2（ClO4）（NENP）的磁场依赖的热输运.所测得的热导率被发现是非常敏感的自旋激发光谱的场诱导的变化。用准粒子模型分析了磁场对总热导率的贡献，得到了与温度和动量无关的平均自由程，这意味着尽管存在微小的链间耦合，准粒子的运动实际上是三维的.
2008-04-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Low-temperature thermal conductivity of BaFe2As2: Parent compound of iron-arsenide superconductors
我们报告低温热导率下降到40 mK的反铁磁体BaFe $_2$作为$_{2}$，这是最近发现的铁基超导体的母体化合物。在低于4 K的温度范围内，热导率$κ$可用公式$κ$ = $aT$ + $bT^{2.22}$来描述.我们把“$aT$”项归因于电子贡献，发现它在$T$ $\to$ 0 K极限下满足Wiedemann-Franz定律，而其余的热导率$\sim$ $T^{2.22}$归因于声子电导率。一个小的影响，由磁场的热导率高达8 T的是很好地占所观察到的磁阻。这一结果与先前从非弹性中子散射测量中推断的完全能隙磁振子谱一致。
2009-06-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
A comparative study of HoSn1.1Ge0.9 and DySn1.1Ge0.9 compounds using magnetic, magneto-thermal and magneto-transport measurements
用不同的实验探针研究了HoSn_（1.1）Ge_（0.9）和DySn_（1.1）Ge_（0.9）多晶化合物。这两种化合物都是反铁磁性的，在低温下表现出变磁转变。HoSn 1.1Ge 0.9的磁热效应和磁电阻随磁场的变化具有明显的符号变化，这归因于变磁转变。DySn1.1Ge0.9显示出典型的反铁磁体的特征，证明了由磁化，MCE和MR数据。119 Sn穆斯堡尔谱研究显示在低温下超精细分裂，与磁化数据一致。热电功率和电阻率测量揭示了这些化合物中的金属行为。磁，磁热和磁阻数据清楚地表明，反铁磁耦合DySn1.1Ge0.9是强于HoSn1.1Ge0.9。
2014-11-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Crystalline electric fields and the ground state of Ce$_{3}$Rh$_{4}$Pb$_{13}$
我们成功地合成了一种新的金属间化合物Ce $_{3}$ Rh $_{4}$ Pb $_{13}$的单晶。磁化率测量表明，Ce的时刻是高度本地化的，尽管电阻率的金属特性。热容测量表明，立方晶体电场升降机的六倍简并的Ce $^{3+}$基态，与四重态分离约60 K的双重基态。低温下热容随磁场的变化表明，在0.35K以上，双峰进一步分裂，但没有发现磁序的迹象。
2006-11-30 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Reply to "Comment on `Low-temperature phonon thermal conductivity of single-crystalline Nd$_2$CuO$_4$: Effects of sample size and surface roughness' " by Sun et al
在他们对我们在Nd $_2$ CuO $_4$ \cite{Li}中的声子热输运研究的评论\cite{Sun}中，Sun和Ando估计低温下的声子平均自由程大约是我们研究中使用的单晶宽度的一半，由此他们认为声子散射不能由样品边界控制。在这里，我们表明，他们使用的比热数据Nd $_2$ CuO $_4$，其中包含一个大的磁贡献，在低温下，很难可靠地提取，导致低估的平均自由程的一个因素相比，估计的基础上的比热数据的非磁性同构类似物Pr $_2$ CuO $_4$。这消除了Sun和Ando提出的明显矛盾。
2009-04-13 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Antiferromagnetism and crystalline-electric field excitations in tetragonal NaCeO2
我们研究了四氢呋喃、$I4_1/amd$、NaCeO $_2$的晶体结构、磁性和晶间电场。在该化合物中，Ce $^{3+}$离子形成通过反铁磁相互作用（$Θ_{CW} = -7.69$ K）耦合的四方形拉长的金刚石晶格，该反铁磁相互作用的磁性顺序低于$T_N = 3.18$ K。用非弹性中子散射方法研究了Ce-$^{3+}$-$J = 5/2$晶体-电场分裂多重态，并将其参数化为具有混合$|m_z \rangle$特征的$J_{eff} = 1/2$基态双重态.中子粉末衍射数据揭示了$A$型反铁磁性的开始，其中$μ=0.57(2)$ $μ_B$矩沿$c$轴排列。磁性结构与在具有有效交换值$J_1 > 4 J_2$和$J_1 > 0$的细长金刚石晶格上的受挫海森堡$J_1$-$J_2$模型的预期一致。
2020-12-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Valence state of Sm in single crystalline EuO thin films
钐有两种稳定的价态，2+和3+，它们共存于许多化合物中，形成空间均匀的中间价态。我们研究了钐的价态时，纳入一个单一的结晶在一个$fcc$ -结构类似的中间价SmO的EuO薄膜，但具有较大的晶格常数。由于增加的晶格间距，预期更大的Sm $^{2+}$离子的稳定化。令人惊讶的是，钐纳入Sm $_{\mathrm{x}}$ Eu $_{\mathrm{1-x}}$ O薄膜显示出主要是三价字符，通过X-射线光电子能谱学和磁力测量确定。我们推测，Eu O晶格中的O $^{2-}$离子有足够的空间进行局部移动，从而减小了Sm-O距离，稳定了Sm $^{3+}$的价态。
2017-04-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
