Possibility of local pair existence in optimally doped SmFeAsO(1-x) in pseudogap regime
本文报道了由GaAs基超导体SmFeAsO（0.85）（临界温度T_c = 55 K）的电阻率实验得到的赝能隙Δ的分析结果。而具体的依赖性Δ *（T）与两个代表性的温度，然后在约120 K的最小值进行了观察。在T_s = 147 K以下，对应于SmFeAsO的结构转变，Δ *（T）线性下降到T_AFM = 133 K。这最后一个特点可能是由于反铁磁（AFM）有序的铁自旋。据信，所发现的行为可以解释的Machida，Nokura，和松原（MNM）理论开发的AFM超导体。
2010-12-06 cond-mat.supr-con
Vortex dynamics and irreversibility line in optimally doped SmFeAsO$_{0.8}$F$_{0.2}$ from ac susceptibility and magnetization measurements
对最佳掺杂的SmFeAsO $_{0.8}$ F $_{0.2}$超导体进行了交流磁化率和静态磁化强度的测量。绘制了超导态的场-温度相图，特别导出了磁通线点阵的特征。在热激活磁通蠕动的框架下，推导了晶粒内脱钉能与磁场强度的关系，揭示了高场区晶粒内脱钉能与1/H的关系.外推的晶粒内的临界电流密度在零温度和零磁场的限制，显示出一个显着的高值$J_{c0}(0) \sim 2 \cdot 10^{7}$ A/cm $^{2}$，这表明该材料是相当有趣的潜在的未来技术应用。
2011-02-07 cond-mat.supr-con
Effective Ex-Situ Fabrication of F-Doped SmFeAsO Wire for High Transport Critical Current Density
本文介绍了用非原位粉末-管技术制备SmFeAsO_（1-x）Fx（Sm-1111）超导线材的方法。Sm-1111粉末和由SmF 3、砷化钐和砷化铁组成的粘合剂用于合成超导芯。虽然Sm-1111的F含量在非原位制造过程中减少，但粘合剂通过充分补充F含量进行补偿，从而防止超导转变温度的降低和超导体积分数的收缩。因此，在含粘结剂的Sm-1111超导线材中，在4.2K时，传输临界电流密度达到最高值~ 4kA/cm ~ 2。
2011-06-29 cond-mat.supr-con
Field Dependent Superfluid Density in the Optimally Doped SmFeAsO_(1-x)F_y Superconductor
采用转矩磁测量、SQUID磁测量和μ子自旋转动相结合的方法研究了最佳掺杂SmFeAsO_（1-x）F_y的面内磁穿透深度与磁场的关系。从这些技术获得的结果表明，所有的超流密度的显着下降，作为字段增加到1.4 T。这种行为进行了分析，在一个两带模型与自洽导出耦合的差距，其中的超流密度相关的较大的差距是字段独立的和超流密度相关的较小的差距是强烈抑制与增加的字段。
2010-09-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic ordering of the RE lattice in REFeAsO: the odd case of Sm. A specific heat investigation in high magnetic field
本文研究了SmFeAsO多晶样品在磁场高达35 T的条件下低温比热反常（零场TN=5.4K）的演化。异常仍然非常尖锐，高达16 T，并在更高的领域变得圆润，温度变化不大。掺杂（超导）SmFeAsO_（0.85）F_（0.15）样品在16 T下表现出类似的行为。未掺杂SmFeAsO的临界场dBc/dT的初始斜率为160 T/K，掺杂SmFeAsO_（0.85）F_（0.15）的临界场dBc/dT的初始斜率为70 T/K，Bc（T）定义在比热异常的峰值处。对外加磁场的不敏感性是Sm所特有的，而在CeFeAsO中没有观察到，CeFeAsO的异常以dBc/dT=5.7T/K的初始斜率移动。我们认为，SmFeAsO（F）提出了一个前所未有的情况下，在反铁磁转变的自旋重新取向。
2009-09-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Low temperature specific heat of the hole-doped Ba_{0.6}K_{0.4}Fe_2As_2 single crystals and electron-doped SmFeAsO_{0.9}F_{0.1} samples
测量了GaAs基超导单晶Ba $_{0.6}$ K $_{0.4}$ Fe $_2$ As $_2$和高压合成多晶样品SmFeAsO $_{0.9}$ F $_{0.1}$的低温比热。发现Ba $_{0.6}$ K $_{0.4}$ Fe $_2$ As $_2$中尖锐的SH异常$ΔC/T|_{T_c}$达到了意想不到的高值98 mJ/mol K $^2$，比SmFeAsO $_{0.9}$ F $_{0.1}$（$6\sim8$ mJ/mol K $^2$）样品大一个数量级，这表明FeAs-122比FeAs-1111具有非常高的正常态准粒子态密度。此外，我们还发现Ba $_{0.6}$ K $_{0.4}$ Fe $_2$ As $_2$的电子SH系数$γ_e(T)$与温度关系很弱，在低温区几乎与磁场成线性关系，这可能表明空穴掺杂的FeAs-122体系中含有一个具有完整超导带隙的主导组分，尽管我们不能排除具有各向异性或节点间隙的小部件的可能性。详细的分析表明，Ba $_{0.6}$ K $_{0.4}$ Fe $_2$ As $_2$的$γ_e(T)$不能用s波对称的单能隙拟合，这可能是由于多能隙效应.这些结果表明，空穴掺杂的Ba $_{0.6}$ K $_{0.4}$ Fe $_2$ As $_2$和F掺杂的LnFeAsO（Ln =稀土元素）体系的超导态性质存在明显的差异，我们…
2008-12-05 cond-mat.supr-con
Fluctuation conductivity and pseudogap in optimally doped SmFeAsO(1-x)
本文报道了由电阻率实验得到的铁基超导体SmFeAsO_（0.85）（Tc = 55 K）的涨落电导率（FLC）和赝能隙（D ~*）的分析结果。在FLC分析中发现了铜酸盐典型的明显的2D-3D（MT-AL）交叉，但随后发现了增强的MT涨落贡献。而具体的D*（T）的依赖性与两个代表性的温度，然后在约125 K的最小值。在Ts = 147 K以下，对应于SDW排序，D*（T）线性下降到TAF = 133 K。这最后一个特点可能是由于反铁磁（AF）订购的FeAs飞机。据信，所发现的行为与铁基化合物的特定电子构型密切相关
2010-02-11 cond-mat.other cond-mat.supr-con
Magnetic properties of undoped and 15%F doped SmFeAsO compounds
本文介绍并讨论了SmFeAsO和SmFeAs（O_（0.85）F_（0.15））样品的磁性。SmFeAsO的摩尔磁化率在140 K附近出现一个局部峰，这是由于Fe-As层中Fe磁矩的长程反铁磁有序化所致。这个特征已经用不同的技术观察到，并且经常归因于自旋密度波（SDW）的开始。在TN约6 K的另一个峰，我们归因于反铁磁有序的Sm离子亚晶格的建立，观察到。此外，温度无关的信号（泡利顺磁性，朗道和核心抗磁性…）也存在于该样品的磁性行为中。在SmFeAs（O_（0.85）F_（0.15））中，Fe-As面内的反铁磁有序被抑制，在T = 52 K时出现超导电性，而Sm离子的反铁磁有序在低温下持续存在，导致超导有序和磁有序共存和竞争。以上的转变温度，在扣除Sm离子亚晶格的顺磁贡献和温度无关的贡献的实验磁化率数据，居里-外斯行为的Fe观察到，与磁矩的1.4玻尔磁子。
2008-07-10 cond-mat.supr-con
Effects of isoelectronic Ru substitution at the Fe site on the energy gaps of optimally F-doped SmFeAsO
利用点接触Andreev反射光谱研究了Fe位等电子Ru取代对最佳F掺杂SmFeAsO能隙的影响。结果表明，SmFe_{1-x} Ru_{x} AsO_{0.85} F_{0.15}体系至少在x=0.50时保持多能隙特征，能隙振幅Δ 1和Δ 2与局域临界温度TcA几乎成线性关系.间隙比2 Δ_1/（kB Tc）仅在Tc > 30 K时保持近似恒定，但当Tc进一步降低时急剧增加。这种趋势似乎是共同的许多铁基超导体，无论他们的家庭。基于能带结构和投影在不同能带上的态密度的第一原理计算，我们表明，这种趋势，以及间隙的Tc依赖性和Ru掺杂后Tc的降低，可以在有效的三带Eliashberg模型内解释为由于在有限温度下超流密度的抑制，反过来，改变了特征自旋涨落能量的温度依赖性。
2013-01-16 cond-mat.supr-con
Anisotropic Phase Diagram and Superconducting Fluctuations in SmFeAsO0.85F0.15
我们报告的比热测定的各向异性相图的最佳掺杂SmFeAsO 1-xFx的单晶。在零场下，最佳掺杂化合物的C/T值出现明显的尖点异常，在Tc = 49.5K时ΔC/Tc = 24 mJ/molK ~ 2。在沿c轴施加的磁场中，我们发现了明显的超导涨落引起的比热异常的展宽和抑制，这可以用三维最低朗道标度来描述，其上临界场斜率为-3.5 T/K，各向异性为Γ = 8。ΔC/Tc很小，索末菲系数γ ~ 8 mJ/molK ~ 2，表明SmFeAsO_（1-x）Fx具有较低的态密度和较强的耦合。
2011-01-31 cond-mat.supr-con
Two-gap and paramagnetic pair-breaking effects on upper critical field of SmFeAsO$_{0.85}$ and SmFeAsO$_{0.8}$F$_{0.2}$ single crystals
通过测量低静磁场和高达60 T的脉冲磁场下SmFeAsO $_{0.85}$和掺氟SmFeAsO $_{0.8}$ F $_{0.2}$单晶的电阻转变，研究了上临界场[ $H_{c2}(T)$ ]的温度依赖性.两种晶体都表明，在超导转变温度以下，$H_{c2}(T)$沿c轴[ $H_{c2}^c(T)$ ]和沿$ab$ -平面方向[ $H_{c2}^{ab}(T)$ ]分别随温度降低呈现线性和次线性增加.在两个方向上的$H_{c2}(T)$的偏离传统的一个间隙Werthamer-Helfand-Hohenberg理论预测在低温下。一个两个间隙的性质和顺磁对断裂效应被证明是负责$H_{c2}^c$和$H_{c2}^{ab}$的温度依赖性行为，分别。
2009-08-11 cond-mat.supr-con
Magnetotransport and thermal properties characterization of 55 K superconductor SmFeAsO0.85F0.15
研究了FeAs基SmFeAsO和SmFeAsO_（0.85）F_（0.15）的结构/微结构与磁热输运性质之间的关系。室温粉末X射线衍射（XRD）数据的Rietveld分析表明，两种样品都是单相的，在F掺杂的化合物中含有非常少量的稀土杂质。电子显微镜研究表明，化合物具有层状的形态和结构，单个晶粒被无定形层包围。平均晶界厚度约为5 nm。在T = 150 K时，无F材料具有磁性，并出现Fe自旋密度波（SDW）有序结构。掺F化合物（SmFeAsO 0.85F 0.15）在Tc（R=0，H=0）~ 55 K范围内表现出超导电性，当磁场（H）为13 kOe时，其超导性降低到42 K。超导转变也证实了直流磁化和交流磁化率测量。使用Bean临界态模型计算的晶粒内临界电流密度（Jc）在零场（H=0）下5 K时约为5.26 x 10^4 A/cm 2。观察到热激活磁通流能量（U/KB）对外加磁场的依赖关系。在不同幅度的AC驱动场的AC磁化率测量证实了超导化合物的颗粒性质。已经确认SmFeAsO_（0.85）F_（0.15）样品在150 K的Fe（SDW）和55 K的超导电性也得到了比热[Cp（T）]测量的证实。非超导样品在4.5K和超导样品在3.5K分别出现反铁磁Sm阶，且后者的熵变比前者明显减小。本文对非超导SmFeAsO和55 K超导SmFeAsO_（0.85）F_（0.15）样品进行了全面的物…
2013-09-25 cond-mat.supr-con
Transition Temperature and Upper Critical Field in SmFeAsO1-xFx Synthesized at Low Heating Temperatures
低温合成是提高超导性能的一种很有前途和潜在有效的方法。我们报告的SmFeAsO 1-xFx的标称x含量变化在一个很宽的范围内的x = 0-0.35在900 ℃合成的多晶样品的制造。该合成温度比常规合成温度低约300 ℃。不同F掺杂样品的晶格参数和转变温度（Tc）的变化表明，晶胞体积（V）的减小似乎是Tc升高到57.8K的主要原因。磁电阻测量表明，上临界场斜率（dHc 2/dT）随着F浓度的增加而增加，直到x = 0.2，其中它达到对应于10埃的相干长度的最大值-8 T/K。在更高的F掺杂水平下，dHc 2/dT和低场Jc降低;然而，在0.5T以上，Jc具有几乎相同的值。与以前的报道相比，本合成路线与低的合成温度和常见的FeF 2作为F的来源是更有效地在引入F到SmFeAsO系统，从而导致改善系统的超导性能。此外，这种新的样品制备方法还减少了固态反应过程中F的蒸发以及坩埚与超导体之间的反应等不必要的问题。
2013-03-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Superconducting Mechanism through direct and redox layer doping in Pnictides
通过在FeAs超导层和REO电荷库层中直接掺杂，讨论了磷属元素化物的超导电性机制。未掺杂的SmFeAsO是电中性的自旋密度波（SDW）化合物，在150 K以下具有磁有序性。超导FeAs层在Fe位掺杂Co和Ni，而REO层在O位掺杂F。在SmFeAsO通过Co的电子掺杂的结果在超导电性与转变温度（Tc）的最大值高达15 K，而F掺杂的结果在Tc高达47 K的SmFeAsO。所有这些REFe/Co/NiAsO/F化合物都是与ZrCuSiAs结构同构的。样品为四方晶系，空间群为P4/nmm。Tc随不同掺杂路线的变化表明了超导电性的结构和发生机制的多样性。氧化还原层掺杂比直接掺杂FeAs超导层更有效。
2012-11-20 cond-mat.supr-con
Optimization of superconducting properties of F-doped SmFeAsO by cubic anvil high-pressure technique
本研究利用立方压机高压装置优化F掺杂SmFeAsO的合成条件，发现原位工艺在4 GPa和1400°C下能显著提升转变温度和临界电流密度，但少量杂质相无法完全消除。
2025-08-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con physics.app-ph
AC susceptibility investigation of vortex dynamics in nearly-optimally doped REFeAsO$_{1-x}$F$_{x}$ superconductors (RE = La, Ce, Sm)
在接近最佳掺杂的LaFeAsO $_{0.9}$ F $_{0.1}$和CeFeAsO $_{0.92}$ F $_{0.08}$超导体中进行AC磁化率和静态磁化测量，补充了关于SmFeAsO $_{0.8}$ F $_{0.2}$的早期结果[Phys. Rev. { \bf B 83}，174514（2011）]。的磁场-温度相图的混合超导状态绘制的三种材料，显示一个相当大的减少时，增加$T_{c}$的范围内的应用领域（$H \leq 5$ T）的液相。这一结果表明，SmFeAsO $_{0.8}$ F $_{0.2}$是最有趣的化合物中的研究，在可能的应用。所有样品的晶粒内脱钉能量$U_{0}$的场依赖性表现出一个共同的趋势，具有典型的交叉场值（2500 Oe $\lesssim H_{cr} \lesssim 5000$ Oe）分离区域，其中单个和集体脱钉过程在工作。在一个简单的双流体图片稍微各向异性材料的数据分析允许估计零温度穿透深度$λ_{ab}(0)$和三种材料的各向异性参数$γ$。最后，一个相当大的抑制超流密度推导出在$s^{\pm}$两个间隙的情况下。
2011-12-30 cond-mat.supr-con
Theory of fluctuation conductivity from interband pairing in pnictide superconductors
我们推导出的有效作用超导涨落的四带模型的pnictides，讨论了一个单一的临界模式的出现了一个占主导地位的带间配对机制。然后，我们应用我们的模型来计算二维和分层三维系统的次导电性，并将我们的结果与SmFeAsOF中最近的电阻率测量结果进行比较
2009-06-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Thermal properties of SmFeAs(O1-xFx) as probe of the interplay between electrons and phonons
对SmFeAsO、SmFeAs（O_（0.93）F_（0.07））和SmFeAs（O_（0.85）F_（0.15））样品的热性能进行了比较研究。比热和热导率表明，在未掺杂的SmFeAsO的自旋密度波（SDW）低于TSDW 135 K有序的明确证据。在低水平的F-掺杂，SmFeAs（O0.93F0.07），SDW订购被抑制和超导功能尚未在比热和热导率的最佳发展。在最佳F掺杂水平下，SmFeAs（O_（0.85）F_（0.15））的超导转变异常非常明显。通过对掺杂和未掺杂样品的对比分析，我们得出结论：尽管F掺杂确实改变了电子基态，但它并没有实质性地改变声子和电子参数，如声子模、Sommerfeld系数、电-声子耦合。热导率曲线的分析提供了SDW和超导能隙的评估，表明声子可以适当地探测电子基态的特征。
2008-09-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Theory of Thermal Conductivity in High-Tc Superconductors below Tc: Comparison between Hole-Doped and Electron-Doped Systems
在空穴掺杂的高Tc超导体中，热导率在低于Tc时急剧增加，这被认为是节点间隙的标志。相比之下，热导率的这种相干峰在电子掺杂的化合物中是不可见的，这可以指示诸如（d+is）波状态的全带隙状态。为了解决这一问题，我们在哈伯德模型中采用波动交换（FLEX）近似研究了热导率，预言了d波节态在空穴掺杂和电子掺杂的化合物中均能实现.两种化合物的热导率的对比行为源于热/冷点结构的差异。一般情况下，只有当冷斑存在于节线上时，线结超导体的热导率才会出现显著的相干峰。
2007-05-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Far-infrared and submillimeter-wave conductivity in electron-doped cuprate La_{2-x}Ce_xCuO_4
在电子掺杂的铜氧化物La_{2-x} Ce_xCuO_4（x = 0.081）中进行了远红外和亚毫米波电导率实验（欠掺杂区，T_c = 25 K）。在超导状态下的吸收的发病率是逐渐的频率，是不一致的各向同性的s波间隙。相反，在零频率处观察到一个窄的准粒子峰，在有限频率处观察到第二个峰，这是d波超导体电导率的清晰指纹。远红外电导率峰可归因于4 Δ_0或2 Δ_0 + Δ_spin，其中Δ_spin是自旋波动的共振频率。在低于T_c时，红外电导率和准粒子散射率的抑制与空穴掺杂铜氧化物的结果定性相似。
2002-12-17 cond-mat.supr-con
Unusual Metallic Conductivity of Underdoped and Optimally Doped Cuprates: Evidence for Competing Fermi-Liquid and Pairing Pseudogap Effects
我们提出了一个可能的方案，新的金属导电性的欠掺杂和最佳掺杂的铜酸盐。载流子被假定为大的极化子，在交叉温度$T^{\ast}$以下形成费米液体和类库珀对。我们使用玻尔兹曼方程计算自陷载流子的电导率和电阻率$ρ$作为温度和掺杂的函数的不同的铜酸盐。我们发现，在$ρ(T)$低于$T^{\ast}$的各种异常所造成的竞争费米液体和BCS的前体配对效应。我们的结果$ρ$符合现有的实验和表征高$T_c$铜酸盐与中间耦合。
2004-12-24 cond-mat.supr-con
Terahertz conductivity spectroscopy of Co-doped BaFe$_2$As$_2$ Thin Film
研究了Co掺杂BaFe $_2$ As $_2$外延薄膜在THz波段的复电导率谱。在正常状态下，复电导率表现出Drude型的频率依赖性，而在超导状态下，复电导率的频率依赖性变为典型的超导材料的频率依赖性。我们估计了绝对零度下的磁穿透深度为710 nm，超导能隙能量为2.8 meV，这被认为是在M点附近的电子型费米面处打开的超导能隙。我们成功地利用电磁方法获得了铁基超导体的低能基元激发，而无需调用Kramers-Kronig变换。
2010-05-26 cond-mat.supr-con
AC and DC Conductivity Anisotropies in Lightly Doped La(2-x)Sr(x)CuO(4)
轻掺杂La（2-x）Sr（x）CuO（4）低温正交相的交流和直流电导各向异性归因于Sr离子俘获掺杂空穴而产生的旋转对称破缺的局域杂质态。两个最低能量的类p波态被斜方性分裂，部分充满空穴。这在AC电导率中留下了独特的印记，其显示出两种不同的红外连续吸收能量。此外，存在两个独立的通道跳跃电导率，相关的两个正交方向，定量地解释了所观察到的低温各向异性直流电导率。
2008-06-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Absence of nodes in the energy gap of the high-temperature electron-doped Pr1.85Ce0.15CuO4-y superconductor using thermal conductivity and specific heat measurements
对电子掺杂Pr_（1.85）Ce_（0.15）CuO_（4-y）的热导率和比热进行了数据分析。零场热导率和比热的最佳电子掺杂系统只能解释一个nodeless间隙对称性。磁场对涡旋态电子比热的依赖性与s波理论定量一致。我们的定量数据分析提供了大量的证据，在最佳的电子掺杂的铜氧化物的无节点的间隙对称性。
2010-03-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
On the optical conductivity of Electron-Doped Cuprates I: Mott Physics
本文分析了电子掺杂铜氧化物的掺杂和温度效应。动能与掺杂的变化示出暗示的材料是近似的空穴掺杂材料的强相关。的光谱是适合准粒子散射模型，而该模型适合的光学数据，总的不一致与光电发射数据被发现，这意味着存在一个大的，强烈的掺杂依赖朗道参数。
2004-11-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The role of electron-vibron interaction and local pairing in conductivity and superconductivity of alkali-doped fullerides. The route to a room-temperature superconductor
研究了三重简并最低未占分子轨道（LUMO）上电子局域配对系统中电子-振子相互作用（与Jahn-Teller声子相互作用）与库仑排斥之间的竞争.电子-振子相互作用从根本上改变了碱金属掺杂的富勒烯AnC 60的导电性和磁性，它应该是反铁磁莫特绝缘体：我们发现，n= 1，2和A=K，Rb的材料是导体，但不是超导体; n=3和A=K，Rb的材料是导体（低温超导体），但A=Cs时，常压下为莫特绝缘体; n= 2，4时，常压下为超导莫特绝缘体。我们证明了这些材料的超导性、导电性和绝缘性具有共同的性质。基于碱掺杂的富勒烯，我们提出了一个假设的材料具有显着更高的临界温度使用的超导模型与外部对电位制定的工作K. V. Grigorishin物理Lett。A 381 3089（2017）.
2017-09-24 cond-mat.supr-con
Universal intrinsic doping behavior of in-plane dc conductivity for hole-doped high-temperature cuprate superconductors
理解空穴掺杂高温铜氧化物超导体（HTCSs）的正常态输运性质是一项具有挑战性的任务，被广泛认为是揭示高温超导配对机制的关键步骤之一。在这里，我们提出了一个真正的内在和普遍的掺杂依赖于所有欠掺杂HTCS的面内直流电导率。面内直流电导率归一化到最佳掺杂时的掺杂依赖性可以由简单的指数公式表示。由高分辨率激光角度分辨光电子能谱导出的超导态节点费米速度的平方的掺杂行为合理地遵循普遍的本征掺杂行为。我们的研究结果表明，无论是在正常状态和超导状态，放置一个真正的普遍和严格的约束HTCS高温超导机制的低能量准粒子的共性。
2011-05-25 cond-mat.supr-con
Role of Umklapp Processes in Conductivity of Doped Two-Leg Ladders
最近的电导率测量上进行的空穴掺杂的双腿梯形材料$\mathrm{Sr_{14-x}Ca_xCu_{24}O_{41}}$揭示了一个近似线性的幂律制度的c轴直流电阻率作为温度的函数$x=11$。在这项工作中，我们采用玻色子模型认为umklapp过程负责这一功能和高光谱权重的光学电导率发生在有限频率德鲁德峰。包括淬火无序在我们的模型允许我们重现实验电导率和电阻率曲线在很宽的能量范围。我们还指出了umklapp过程在单链中的效果和在两条腿的阶梯之间的差异。
2002-04-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Multiple nodeless superconducting gaps in optimally-doped SrTi$_{1-x}$Nb$_{x}$O$_{3}$
我们首次研究了超导SrTi $_{1-x}$ Nb $_{x}$ O $_{3}$的热导率，充分掺杂到接近其最大临界温度。由比热跃变确定的体临界温度发生在比电阻T $_{c}$低得多的温度。热导率，占主导地位的电子的贡献，偏离其正常状态的幅度在散装T $_{c}$，以下的Bardeen-Rickayzen-Tewordt（BRT）的行为，预计由Bogoliubov激发的热传输。在非常低的温度下T-线性项的缺乏排除了节准粒子的存在。另一方面，热传导率的场依赖性指向至少两个不同的超导间隙的存在。最佳掺杂的钛酸锶是一种多能隙无结超导体。
2014-09-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The infrared Hall conductivity in optimally-doped BSCCO
报道了最佳掺杂的BiPDMATHABMN SrPDMATHABMN CaCu $_2$ O $_{8+δ}$单晶正常态霍尔输运在900 ~ 1100 cm $^{-1}$中红外和84 cm $^{-1}$远红外的频率依赖性和35 ~ 330 K温度依赖性。结果表明，在霍尔电导率$σ_{xy}$，这与更复杂的扩展Drude行为的纵向电导率$σ_{xx}$的立场。中红外霍尔散射率随温度线性增加，在T=0时具有200 cm $^{-1}$的小的正投影截距。相比之下，纵向散射率大得多，并表现出非常小的温度依赖性。$σ_{xy}$的频谱权重被抑制到频带值的0.09倍，而$σ_{xx}$的频谱权重是频带值的0.33倍。这些不同的行为是一致的计算的基础上的波动交换相互作用时，包括当前的顶点校正。
2006-11-01 cond-mat.supr-con
Low temperature thermal conductivity of Zn-doped YBCO: evidence for impurity-induced electronic bound states
在低温（0.15 < T <0.8K）下，研究了不同Zn掺杂浓度的YBCO晶体的热导率。少量的Zn引起低温热导率的非线性分量的急剧下降。此外，线性分量的大小（通过将数据外推到T=0获得）被发现取决于Zn浓度。在初始降低之后，与对电导率的电子贡献相关联的这个线性项随着Zn掺杂的增加而增加。这样的增加是一致的低能量激发的引入由Zn杂质预期的$d_{x^2-y^2}$超导状态相比，各向异性的s波间隙。结果进行了比较，可用的理论模型的定量预测。
1996-04-22 cond-mat.supr-con supr-con
Thermal Hall conductivity of electron-doped cuprates
对空穴掺杂铜氧化物的霍尔热导率的测量表明，声子在磁场中获得手征性，无论是在赝能隙相还是在莫特绝缘体态。其微观机制尚不清楚。一些理论的建议正在考虑，包括斜散射的声子的各种缺陷，耦合的声子自旋，和一个状态的回路电流秩序与适当的对称性，但更多的实验信息是需要约束的理论方案。在这里，我们介绍了我们对电子掺杂铜氧化物Nd $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$和Pr $_{2-x}$ Ce $_x$ CuO $_4$中霍尔热导率$κ_{\rm {xy}}$的研究，对于整个相图的掺杂，从绝缘反铁磁相中的$x$ = 0，直到$x$ = 0.17，在高于最佳掺杂的金属相中。我们观察到一个大的负霍尔热导率在所有的掺杂，在这两种材料。由于垂直于CuO $_2$平面的热传导由声子主导，因此我们在电子掺杂的铜氧化物中观察到的该方向热流的大的霍尔热导率也必须归因于声子，如在空穴掺杂的铜氧化物中。与垂直于CuO $_2$平面的热流测量证实，声子是负责这个热霍尔信号，在空穴掺杂的铜酸盐。然而，在电子掺杂的铜氧化物中，手性程度（以$|κ_{\rm {xy}}$/$κ_{\rm {xx}} |$的比率测量，其中$κ_{\rm {xx}}$是纵向热导率）大得多。我们讨论了各种因素，可能涉及的机制，赋予手征铜酸盐中的声子，包括短程自旋相关。
2022-03-01 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Thermal conductivity of Al-doped MgB2: Impurity scattering and the validity of the Wiedemann-Franz law
本文报道了Mg{1-y}Al{y} B_2（y=0.02和0.07）在温度0.5 ~ 50 K，外加磁场0 ~ 70 kOe范围内沿六方晶系结构基面的热导率K（T，H）的数据。Al取代Mg导致通过电子准粒子的热传输大幅减少。的K（T，H）的数据的分析意味着，Al杂质挑起的带内散射率的增强，几乎相等的大小为两个西格玛和π带的电子激发。这与从碳取代硼的材料的类似数据集得出的结论相反，并且其中主要是σ带的带内散射率增强。我们完整的数据集，包括纯MgB 2的低温热导率的测量结果，证实了纯和掺杂MgB 2的Wiedemann-Franz定律的有效性。
2006-11-17 cond-mat.supr-con
Thermal conductivity in the doped two-leg ladder antiferromagnet Sr$_{14-x}$Ca$_{x}$Cu$_{24}$O$_{41}$
在t-J模型内，研究了掺杂双腿梯形材料Sr $_{14-x}$ Ca $_{x}$ Cu $_{24}$ O $_{41}$在低温高压下出现超导性的掺杂区的热输运.热导率$κ_{c}(ω)$的能量依赖性显示出低能峰，而热导率$κ_{c}(T)$的温度依赖性的特征在于宽带。特别是，$κ_{c}(T)$单调增加，在低温$T<0.05J$的温度增加，并在温度范围$0.05J<T<0.1J$是弱的温度依赖性，然后降低的温度$T>0.1J$，在定性与实验一致。我们的结果还表明，虽然缀饰的空穴和自旋都对热导率有贡献，但在Sr $_{14-x}$ Ca $_{x}$ Cu $_{24}$ O $_{41}$中，缀饰的自旋对热导率的贡献占主导地位.
2005-01-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Peculiar roles of spins in the thermal conductivity of pure and doped La_{2}CuO_{4}: Comparison with CuGeO_{3}
测量了纯La_{2}、1%空穴掺杂和1% Zn掺杂CuO_{4}单晶的面内和面外热导率（κ_{ab}和κ_{c}）。讨论了磁振子和自旋条纹在热输运中的作用。与CuGeO_{3}中的热输运相比，它显示出与La_{2} CuO_{4}相似的κ（T）行为，这给了我们一个教训，即热输运如何探测自旋基态的差异。
2003-04-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Temperature- and magnetic-field-dependent thermal conductivity of pure and Zn-doped Bi_{2}Sr_{2}CaCu_{2}O_{8+δ} single crystals
测量了Bi-2212在纯晶体和Zn掺杂晶体中的热导率κ随温度和磁场的变化。还在相同的样品上测量面内电阻率。利用这些数据，我们对纯晶体和掺锌晶体的杂质散射率Γ作了粗略的估计。我们的测量表明，在我们的大部分Bi-2212晶体中没有观察到κ（H）曲线中的“平台”，包括迄今为止最干净的晶体之一。对纯样品和掺Zn样品的τ的估计值使我们能够将κ（H）数据与现有的d波超导体在磁场下的准粒子热输运理论进行比较。我们的分析表明，适当地包含准粒子涡旋散射，预计将发挥关键作用的特殊行为的κ（H），是重要的定量理解的QP热输运中存在的旋涡。
2000-04-10 cond-mat.supr-con
Phonon thermal conductivity in doped $\rm\bf La_2CuO_4$: Relevant scattering mechanisms
给出了$\rm La_{1.8-x}Eu_{0.2}Sr_xCuO_4$（$0\leq x\leq0.2$）单晶的面内和面外热导率测量结果。温度依赖性的最典型特征是在低温下的显著声子峰和在$T_{LT}$处的阶跃异常，即，在过渡到低温四方相（LTT-相），这逐渐减少增加Sr含量。这些发现与$\rm La_{2-x}Sr_xCuO_4$和$\rm La_2NiO_4$的热导率的比较清楚地表明，在$\rm La_{2-x}Sr_xCuO_4$中，声子散射的最有效机制是杂质散射（掺杂剂），以及与低温正交相（LTO相）中的晶格不稳定性相关的软声子的散射。没有证据表明条纹关联在抑制$\rm La_{2-x}Sr_xCuO_4$热导率中的声子峰方面起主要作用。
2003-11-25 cond-mat.supr-con
The role of electron-vibron interaction and local pairing in conductivity and superconductivity of alkali-doped fullerides
研究了在3重简并最低未占分子轨道（LUMO）上电子局域配对的系统中电子-振子相互作用（与Jahn-Teller声子相互作用）与库仑排斥之间的竞争.地铁。-振动相互作用和局部配对从根本上改变了碱金属掺杂富勒烯$\texttt{A}_{n}\texttt{C}_{60}$的导电性和磁性，这将是反铁磁莫特绝缘体：我们已经表明，材料与$n=1,5$和$\texttt{A}=\texttt{K},\texttt{Rb}$是导体，但不是超导体; $n=3$和$\texttt{A}=\texttt{K},\texttt{Rb}$是导体和超导体在低温下，但与$\texttt{A}=\texttt{Cs}$，他们是Mott-Jahn-Teller绝缘体在常压下; $n=2,4$是绝缘莫特绝缘体。因此这些材料的超导性、导电性和绝缘性具有共同的性质。利用这种方法，我们得到了$\texttt{A}_{3}\texttt{C}_{60}$的相图解析，这是本地配对，el.-振动相互作用，库仑相关性和小半径极化子的形成。
2019-05-11 cond-mat.supr-con
Two-fluid model analysis of the terahertz conductivity of YBaCuO samples: optimally doped, underdoped and overdoped cases
针对最优、欠、过掺杂的YBaCuO系列样品，利用时域太赫兹光谱测量其复电导率，通过双流体模型拟合临界温度以下光谱，揭示了散射率、超流分数等参数的温度行为及电导率低频峰值的成因。
2024-11-28 cond-mat.supr-con
Possible Sign-Reversing s-Wave Superconductivity in Co-Doped BaFe2As2 Proved by Thermal Transport Measurements
在低至0.1 K和高至7 T的磁场下对Co掺杂BaFe_2As_2单晶进行了热输运测量。在Tc以下的热导率和Hall热导率都出现了明显的峰值反常，这表明准粒子平均自由程的增强，此外，热导率中还发现了相当大的剩余T-线性项，这可能是由于杂质对破缺引起的超导能隙中有限的准粒子态密度所致.我们的研究结果支持配对对称性与理论预测的符号反转s波状态兼容。
2009-06-02 cond-mat.supr-con
Thermal Conductivity of Pr_{1.3-x}La_{0.7}Ce_xCuO_4 Single Crystals and Signatures of Stripes in an Electron-Doped Cuprate
最近的研究表明，各向异性声子热输运行为是La_{2-x} Sr_xCuO_4（LSCO）中条纹形成的一个很好的探针[X. F. Sun { \it等人}，B { \bf 67}，104503（2003）]。利用该探针，我们研究了电子掺杂的铜酸盐Pr_{1.3-x} La_{0.7} Ce_xCuO_4（PLCCO），发现其具有与LSCO中相同的特征。此外，轻掺杂PLCCO的面内电阻率ρ ab在Néel有序态表现出金属性（dρ ab/dT > 0），迁移率与LSCO相当.讨论了这些与LSCO相同的特殊性质，表明在电子掺杂的铜酸盐中存在条纹。
2003-12-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The conductivity and the magnetization around Tc in optimally-doped YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-δ}$ revisited: quantitative analysis in terms of fluctuating superconducting pairs
我们首先提出了详细的测量周围的超导转变温度，$T_c$，面内电导率，磁导率和磁化强度，包括低和中等的磁场制度，在一个高品质的单晶和薄膜的原型最佳掺杂的YBa $_2$铜$_3$ O $_{7-δ}$（OPT Y-123），其中的不均匀性的影响最小化的舍入行为。然后，它提出了一个比较这些实验数据与现象学的金斯堡-朗道（GL）的方法，考虑到不可避免的贡献的波动对，唯一的理论方案，目前允许在定量水平上分析这些波动。这些分析表明，测量到的舍入效应周围$T_c$可以解释定量和一致的GL方案，即使到舍入起始温度，如果考虑到量子局域化，与超导波函数的收缩。我们的研究结果的赝能隙物理的最佳掺杂铜氧化物的影响进行了讨论。
2019-04-01 cond-mat.supr-con
Strong correlation effects and optical conductivity in electron doped cuprates
我们证明，铜酸盐各种光谱中归因于强相关效应的大多数特征都是通过计算结合自旋和电荷波动影响的自能来捕获的。计算了电子掺杂铜氧化物从半填充到过掺杂的全掺杂范围内的自能。的光谱函数揭示了四个子带，两个广泛分裂的非相干带代表分裂哈伯德带的残余，和两个额外的相干，自旋和电荷打扮的间隙带分裂的自旋密度波，崩溃的过掺杂制度。的非相干功能坚持高掺杂，产生剩余的莫特间隙的光谱，而在间隙状态之间的转换导致在中红外的赝间隙功能。
2008-07-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Heat capacity measurements on FeAs-based compounds: a thermodynamic probe of electronic and magnetic states
本文报道了SmFeAsO $_{1-x}$ F $_x$、NdFeAsO、LaFeAsO $_{1-x}$ F $_x$和LiFeAs的热容测量结果。对于SmFeAsO $_{1-x}$ F $_x$，x接近0.1，我们使用3 He测量来证明熵从TN处的峰转移到先前未识别的~2 K特征，该特征随着掺杂的增加而生长。我们的Sm样品上的结果进行了比较，类似的掺杂La样品，以阐明在0，23，和56 meV的Sm 3+离子的晶体场能级，导致肖特基异常，也表明，有一个显着增加的索末菲系数$γ$当La被Sm或Nd取代。晶格贡献的超导oxypnictides的热容被发现变化可以忽略不计的化学取代。我们还提出了一个热容测量的LiFeAs显示在Tc的功能，这是显着四舍五入，远小于BCS值。
2008-11-15 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
An investigation of the in-plane dc fluctuation conductivity of optimally doped and overdoped cuprates: implication and origin of the pseudogap
在传统的超导体中，对涨落的大小主要由Tc和超导（SC）相干长度决定。在具有强结构和电子各向异性的系统中，层间分离s起着重要作用。在铜氧化物中，赝能隙（PG）的相关性诱导的温度依赖的电阻率下降。当从上面接近Tc时，电阻率的这种下降被认为是i）增加到或ii）平滑地加入到由短寿命的库珀对引起的过导电性引起的电阻率。区分这两种可能性是很重要的，因为它们与PG的起源密切相关。可以合理地假设，如果第一种情况是正确的，那么PG具有非SC起源，而第二种情况，如果发现成立，则将前体配对与PG相关性联系起来。研究了两种空穴含量（p）相近的c轴取向的Y_（0.95）Ca_（0.05）Ba_2Cu_3 O_（7-d）薄膜的面内波动电导率，最佳掺杂时p = 0.165，过掺杂时p = 0.184。空穴含量固定在这些值，使得PG仅在接近Tc的温度下影响电阻率数据。在平均场高斯-金兹伯格-朗道（MFGGL）框架下对亚导电性Δσab（T）的分析揭示了最佳掺杂（OPD）和轻微过掺杂（SOD）化合物的不同特征。由于SOD样品的库珀对波动导致的过量电导率可以用MFGGL形式合理地描述。另一方面，OPD化合物的过量电导率不能通过具有合理参数集的MFGGL形式主义来解释。OPD样本的Δσab（T）有显著增加，似乎来自PG的存在。这些发现表明PG的非配对起源。
2015-01-08 cond-mat.supr-con
Superfluid density and two-component conductivity in hole-doped cuprates
虽然赝能隙主导了空穴掺杂铜氧化物的相图，将低掺杂的反铁磁母体绝缘体连接到高掺杂的奇异金属，但其起源和与超导性的关系仍然未知。为了继续下去，需要完全理解单个空穴-最初位于莫特态-如何变得移动并最终在超导圆顶的末端演变为相干准粒子。为了影响这一发展，我们检查最近的运输和光谱研究的空穴掺杂铜酸盐在其相图。在这个过程中，我们强调了一组经验之间的超流密度和空穴掺杂的铜酸盐的某些正常状态的属性，提供了新的见解出现的金属性的CuO_2平面内的超导态的鲁棒性的影响。我们得出结论认为，整体行为是最好的理解，在两个不同的载流流体，其中只有一个占主导地位的超导冷凝物，并在赝能隙端点以下的临界空穴浓度p^ \ast缺口。
2022-11-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Signatures of non-monotonic d-wave gap in electron-doped cuprates
我们解决的问题，是否在电子掺杂的铜酸盐低于$T_c$的光学电导率和拉曼散射的数据支持的想法，在这些材料中的$d-$波隙沿费米面是非单调的。我们计算了弹性散射的电导率和喇曼强度，发现非单调的间隙引起了光学和喇曼响应函数中的几个特定特征。我们认为，所有这些功能都存在于Nd $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_4$和Pr $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_4$化合物的实验数据。
2007-09-26 cond-mat.supr-con
Optical conductivity of Ba0.6 K0.4 Fe2 As2 : The effect of in-plane and out-of-plane doping in the superconducting gap
我们测量了一个Tc = 39.1K的近最佳掺杂的（Ba，K）Fe_2As_2单晶的面内电导率。当进入超导状态时，低于~20 meV的光学电导率消失，强烈表明完全带隙系统。BCS类拟合需要两个不同的各向同性间隙来描述这种材料的光学响应。的间隙和穿透深度的温度依赖性建议一个强大的带间耦合，但没有杂质散射诱导的对断裂存在。这与在最佳掺杂的Ba（Fe，Co）2As2中观察到的大的残余电导率形成对比，并且强烈支持这些化合物的s（+/-）带隙对称性。
2015-01-08 cond-mat.supr-con
Heat transport of electron-doped Cobaltates
在t-J模型下，基于费米子自旋理论研究了电子掺杂钴酸盐的热输运。结果表明，热导率随温度变化的特征在于位于有限温度处的低温峰。热导率在低温T $<$ 0.1 $J$下随着温度的升高而单调增加，然后在较高温度T $>$ 0.1 $J$下随着温度的升高而降低，与从Na $_{x}$ CoO $_{2}$观察到的实验结果定性一致。
2006-07-03 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
d_{3z^2-r^2} Orbital in high-Tc cuprates: Excitonic spectrum, metal-insulator phase diagram, optical conductivity and orbital character of doped holes
采用单位点动力学平均场近似求解了一个高Tc铜氧化物超导体模型，该模型包括铜上的d_{x^2-y^2}和d_{3z^2-r^2}轨道以及相应的氧态.考虑了T（具有顶端氧）和T'（不具有顶端氧）晶体结构。在这两个阶段中，包含的d_{3z^2-r^2}轨道被发现扩大的范围内的电荷转移绝缘相的稳定性。对于相同的电荷转移能量和相互作用强度，T'相被发现是不太强的相关比T相。对于这两种结构，d-d激子被发现在电荷转移间隙。然而，对于所有物理相关的掺杂，费米面被发现只有一个片和d_{3z^2-r^2}的混合到基态波函数仍然可以忽略不计（<5%）。包含额外的轨道被发现不能解决计算和观察到的绝缘状态下的电导率之间的差异。
2011-07-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Thermal Hall conductivity of electron-doped cuprates: Electrons and phonons
Université de Sherbrooke（舍布鲁克大学）；Univ. Grenoble Alpes（格勒诺布尔阿尔卑斯大学）；Univ. Toulouse（图卢兹大学）；INSA-T（图卢兹国立应用科学学院）；École Polytechnique（巴黎综合理工学院）；Institut Polytechnique de Paris（巴黎理工学院）；Stanford University（斯坦福大学）；SLAC National Accelerator Laboratory（斯坦福线性加速器中心）
研究发现电子掺杂铜氧化物中声子和电子对热霍尔电导率的贡献大小相近但符号相反，表明反铁磁相关性可能在产生声子热霍尔效应中起作用。
2025-10-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Interlayer Conductivity in the Superconductor Tl-Ba-Cu-O: Energetics and Energy Scales
本文报道了Tl-Ba-Cu-O（Tl-2201）晶体c轴电动力学的红外光谱研究。求和规则分析揭示了谱权重的变化，可以解释为超导转变时的动能变化。在最佳掺杂的晶体中，表现出非相干的正常态响应，动能在T < Tc时降低，但在过掺杂的样品中没有发现显著的变化，其在T > Tc时具有更相干的电导率。
1999-05-12 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pseudogap state in slightly doped by aluminium and praseodymium YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-δ}$ single crystals with a given topology of plane defects
本文研究了具有预定孪晶界拓扑结构的轻掺Al和Pr的YBaCuO单晶的基平面电导率。分析样品的过剩电导率在很宽的温度范围内表现出类似于$Δσ\sim(1-T/T^*)\exp(Δ_{ab}^*/T)$的依赖性$T_f<T<T^*$，其中$T^*$可以表示为超导转变的平均场温度。用BCS-BEC交叉理论模型可以很好地描述赝能隙的温度依赖性。
2008-12-08 cond-mat.other cond-mat.supr-con
Optical Conductivity $σ(ω)$ and Resistivity $ρ_{dc}$ of a Hole Doped Spin-Fermion Model for Cuprates
研究了铜酸盐自旋-费米子模型的电导率和Drude重量随电子密度和温度的变化。该模型在空穴掺杂时发展出条纹和稳健的D波配对关联，并且它具有可以数值模拟而没有符号问题的优点。可以获得静态和动态信息。在这项工作中，有可能在0.01 t和0.1 t之间的低温下（跳跃幅度$t \sim 0.5 eV$在50 K和500 K之间）分析高达12 × 12的位点簇。随着温度的降低，光谱权重从高频转移到低频，与实验观察到的行为一致。改变空穴密度，Drude权重在模型的最佳掺杂处具有最大值，即，在配对相关性更强的密度下。还观察到，德鲁德重量的倒数，大致成比例的电阻率，在最佳掺杂的温度线性下降，它是突然减少时，强大的配对相关发展进一步降低温度。电导率的行为和一般形式与铜酸盐的实验结果符合得很好。我们的研究结果也建立了自旋-费米子模型的铜酸盐作为一个合理的替代t-J模型，这是更难以准确地研究。
2002-05-09 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
