In-plane and interlayer magnetoresistance in FeSe
本文测量了FeSe的面内和层间磁电阻，发现面内磁电阻为正且随温度降低增大，层间磁电阻在低温下由负转正，并观察到层间相干峰，表明层间转移能量较大。
2025-10-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Interlayer hopping properties of electrons in layered metals
基于二能级系统中的自旋玻色子哈密顿量，提出了一种研究扩展态之间电子隧穿的形式。应用该方法分析了不同模型下层状金属中的离面隧穿。通过研究面内相互作用对费米能级附近电子层间隧穿的影响，建立了层内电子关联驱动的偏离费米液体行为与面外相干性之间的关系。响应函数，直接与实验数据进行比较。
2003-06-13 cond-mat.str-el
Stacking order and interlayer coupling tuning the properties of charge density waves in layered 1T-NbSe_2
层状过渡金属二硫族化合物1 T-NbSe_2是研究电荷密度波和Mott物理的理想材料。然而，对于CDW 1 T-NbSe_2中的层间耦合和堆垛序效应的研究还很少。采用密度泛函理论计算方法，系统地研究了单层和多层CDW 1 T-NbSe_2的电磁性质。结果表明，单层CDW 1 T-NbSe_2是具有\sqrt 13 \times \sqrt 13周期晶格调制的磁性绝缘体。而双层CDW 1 T-NbSe_2的磁性能与堆垛层序有关。该机制是理解的局部磁矩的变化，在每一个层之间由于自旋电荷转移。此外，由于层间自旋耦合，体CDW 1 T-NbSe_2在1 \times 1 \times 2超晶胞中打开了0.02 eV的带隙。我们还发现层状1 T-NbSe_2的电子结构对堆垛构型和维数有很强的依赖性。
2022-10-06 cond-mat.str-el
Interlayer magnetoresistance in an anisotropic pseudogap state
半经典计算了具有d波赝隙的准二维层状金属的层间磁电阻。作为磁场的强度和方向的函数的层间电阻率的表达式，赝隙的大小，温度，和散射率得到。我们发现，赝隙，通过引入低能量节准粒子轮廓，平滑依赖于场方向的方式特征的各向异性。因此，我们建议，层间电阻测量下的可变取向的强字段可以用来充分表征各向异性的赝间隙。一般的结果被施加到平行于导电层的磁场的情况下，使用模型的能带结构适合于过掺杂的T $\ell$ 2201。
2009-06-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetoresistance scaling in the layered cobaltate Ca3Co4O9
我们研究了失配钴酸盐Ca3Co4O9在60 K到2 K温度范围内电阻率和磁化强度随低温磁场的变化。测得的负磁电阻揭示了一个标度行为与磁化，这表明自旋相关的扩散机制。这种缩放也被发现是一致的阴影metalliclike传导在整个温度范围内。通过解释所观察到的运输交叉，这一结果揭示了一个新的光的性质的基本激发有关的运输。
2008-11-04 cond-mat.str-el
Longitudinal interlayer magnetoresistance in quasi-2D metals
当层间带宽$4t_{z}$小于朗道能级间距$\hbar ω_{c}$时，计算了强各向异性层状金属的纵向层间磁电阻$R_{zz}(B_{z})$.杂质散射在该区域中具有比在3D金属中强得多的影响，并且导致在间隔$\hbar ω_{c}>4t_{z}>>\sqrt{Γ_{0}\hbar ω_{c}}$中的线性纵向层间磁阻$R_{zz}\propto B_{z}$在较高场或较小$t_{z}$下变为平方根依赖性$R_{zz}\propto B_{z}^{1/2}$。交叉场允许将层间传递积分估计为$t_{z}\sim \sqrt{Γ_{0}\hbar ω_{c}}$。纵向层间磁电阻对温度升高和长程无序具有很强的鲁棒性，易于测量，为研究准二维化合物的电子结构提供了有用的工具。
2012-12-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Sensitivity of the interlayer magnetoresistance of layered metals to intralayer anisotropies
在过去的二十年中发现的许多最有趣和技术上最重要的电子材料都有两个共同的特征：层状晶体结构和电子之间的强相互作用。关于这种层状金属的两个最基本的问题涉及层内各向异性的起源和层间电荷传输的一致性。我们发现，角度相关的磁阻振荡（AMRO）是敏感的各向异性周围的层内费米表面。因此，AMRO可以成为层内各向异性的探针，与角分辨光电子能谱（ARPES）和扫描隧道显微镜（STM）相辅相成。然而，AMRO对层间输运的相干性不是很敏感。我们说明了这与最近AMRO实验上的过掺杂铜酸盐的比较。
2007-08-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Crossover from the weak to strong-field behavior of the longitudinal interlayer magnetoresistance in quasi-two-dimensional conductors
在自洽玻恩近似下，用解析和数值方法研究了纵向层间磁电阻$\bar{R}_{zz}(B_z) $的单调增长。我们表明，在弱磁场中的单调部分的$\bar{R}_{zz}(B_z)$几乎是恒定的，并开始增长，只有以上的交叉场$B_{c}$，当朗道能级（LL）变得孤立，即当LL分离变得大于LL加宽。在高场$B_{z}>>B_{c}$中，$\bar{R}_{zz}(B_{z}) \propto B_{z}^{1/2}$与以前的工作一致。
2014-12-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Comparison of coherent and weakly incoherent transport models for the interlayer magnetoresistance of layered Fermi liquids
本文计算了倾斜磁场中层状金属的层间磁电阻，给出了两种不同的层间输运模型。第一种模型涉及相干层间输运，并利用半经典或布洛赫-玻尔兹曼输运理论的结果。第二个模型涉及弱非相干层间输运，其中电子在隧穿进入下一层之前在一层内散射多次。结果是相关的角度依赖的磁阻振荡（AMRO）在准一维和准二维金属的实验解释。我们发现，除了当磁场几乎是平行的层的方向上的磁场的磁阻的依赖性是相同的两种模式。这一结果的一个重要含义是，一个三维费米面是不必要的观察Yamaji和Danner振荡看到准二维和准一维金属，分别。给出了AMRO最大值和最小值处的电阻与磁场和散射时间（以及温度）的关系的通用表达式。我们指出了三个显着的特点，相干层间输运：（i）拍频的准二维系统的磁振荡，（ii）在角度依赖的磁阻的峰值时，该字段是足够大的，平行的层，和（iii）交叉从线性到二次场依赖的磁阻时，该字段是平行的层。性质（i）和（ii）进行了比较与已发表的实验数据的范围内的准二维有机金属和Sr 2 RuO 4。
1999-09-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Spin-orbit-derived giant magnetoresistance in a layered magnetic semiconductor AgCrSe2
二维磁性材料由于其独特的功能，如磁相的电场控制和反常自旋霍尔效应，最近引起了极大的兴趣。对于这些非凡的功能，自旋轨道耦合（SOC）是必不可少的成分。在这里，我们报告了一个巨大的正磁电阻在层状磁性半导体AgCrSe 2，这是一个微妙的组合的SOC和塞曼型自旋分裂的表现。当载流子浓度接近临界值2.5 \times 10^18 cm^-3时，在施加垂直于导电层的磁场时，会出现约400%的相当大的正磁阻。基于磁Seebeck效应和第一性原理计算，非常规磁电阻的产生是由于SOC诱导的J = 3/2态的有效载流子质量增加，通过p-d耦合增强的塞曼分裂将其调谐到费米能级。这项研究展示了二维磁性半导体中SOC衍生的磁输运的一个新方面，为新的自旋电子功能铺平了道路。
2022-05-30 cond-mat.str-el
Quantum interference and weak localisation effects in the interlayer magnetoresistance of layered metals
层状金属层间导电性中的角度相关磁电阻振荡（AMRO）研究通常考虑半经典电子输运。我们考虑一个量子校正的半经典电导率，所产生的可以被描述为一个层间Cooperon。这取决于层内的无序势和层间无序势的相关性。我们将我们的结果与现有的实验数据进行比较，有机电荷转移盐的标准半经典运输图片内没有解释。特别是，我们的结果可能适用于已经看到的效果时，所施加的磁场几乎平行于导电层。我们预测存在一个峰值的电阻率作为字段方向接近的层的平面。即使在层间存在弱非相干输运时，也会出现峰值。
2008-04-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Magic angle effects in the interlayer magnetoresistance of quasi-one-dimensional metals due to interchain incoherence
准一维金属的磁电阻对磁场方向的依赖性在磁场倾斜到由材料结构尺寸决定的所谓魔角时表现出下降。目前还没有对这些魔角效应的公认解释。我们提出了一个可能的解释。我们的模型是基于这样的假设，即在第二个最导电的方向上的层内传输有一个小的贡献，从非相干电子。这种不相干性是由垂直于最导电（链）方向的动量的小不确定性来模拟的。我们的模型预测的魔角看到层间传输测量不同方向的字段。我们将我们的结果与其他模型的预测和实验进行比较。
2004-04-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
3D-2D crossover and phase shift of beats of quantum oscillations of interlayer magnetoresistance in quasi-2D metals
该研究在Kubo公式与自洽玻恩近似框架下，重新分析准二维金属层间电导率Shubnikov振荡拍频的相位，修正了相移预期值，解释了3D-2D交叉中的相位反转并预测强磁场下的振幅下降。
2024-05-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Coherent vs incoherent interlayer transport in layered metals
报道了两种准二维有机超导体的层间磁电阻随磁场、温度和角度的变化关系。对于$κ$ -（BEDT-TTF）$_2$ I $_3$，我们发现在$Θ= 90^\circ$（平行于层的场）处的角度依赖性磁阻中的良好分辨的峰。对于$β$“-（BEDT-TTF）$_2$ SF $_5$ CH $_2$ CF $_2$ SO $_3$，不存在层间输运的相干性质的这种明确证明。这和非金属行为的磁阻建议非相干准粒子运动后2D金属。
2002-03-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Angular magnetoresistance oscillations in quasi-one-dimensional organic conductors in the presence of a crystal superstructure
我们研究的晶体超结构，产生的取向有序的ReO 4和ClO 4阴离子在准一维有机导体（TMTSF）2 ReO 4和（TMTSF）2ClO 4，在这些材料中观察到的角磁阻振荡（AMRO）。由于阴离子有序化，布里渊区的折叠在远距离链之间产生有效的隧穿振幅。这些幅度导致层间电导率的多个峰值的磁场取向沿合理的结晶方向（Lebed魔角）。实验结果表明，（TMTSF）2 ReO 4和（TMTSF）2ClO 4中阴离子有序化的波矢不同，导致了Lebed角的奇偶性.当施加平行于层和垂直于链的强磁场并超过一定阈值时，折叠电子谱的不同分支之间的层间隧穿成为可能，并且层间电导率应急剧增加。这种效应可以用来探测（TMTSF）2ClO 4和（TMTSF）2 ReO 4中阴离子的有序间隙。还简要讨论了这种效应对kappa-（ET）_2Cu（NCS）_2的应用。
2008-10-02 cond-mat.str-el
Indications of coherence-incoherence crossover in layered transport
对于许多层状金属，层间电阻的温度依赖性具有与层内电阻不同的行为。为了更好地理解层间输运，我们考虑一个具体的模型，表现出这种行为。一个小极化子模型被用来说明如何层间输运层内准粒子的相干性。给出了电子谱函数、层间光学电导率和层间磁电阻的显式结果。所有这些量都有两个贡献：一个是相干的（在低温下占主导地位），一个是不相干的（在高温下占主导地位）。
2002-11-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Incoherent interlayer conductivity of layered systems
在各向异性系统中的最大非相干电导率$σ_{c,max}$的标准示出为$σ_{c,max} σ_{ab}=C (e^2/h)^2 n_{2D}$，其中$n_{2D}$是二维电子密度，和$C$是一阶的数值常数。建立了非相干区层状体系c轴层间电导率模型。c轴电导率的温度依赖性被导出为$σ_c (T) \sim T^α$，其中$α$由层间电压波动的有效强度确定。讨论了低频（或低电压）下抑制层间电导率的“赝隙”现象。
2001-11-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Exponential suppression of interlayer conductivity in very anisotropic quasi-two-dimensional compounds in high magnetic field
结果表明，在较强的磁场中，层间电子电导率受到库仑势垒的指数衰减，库仑势垒是由每个局域电子态周围极化子的形成引起的。建立了描述这种效应的理论模型，并计算了层间磁电阻的温度和磁场依赖性。所得结果与GaAs/AlGaAs异质结和强各向异性有机金属中的实验数据符合得很好。提出的理论允许使用层间磁电阻的实验来研究电子状态，由磁场和无序局域化。
2011-11-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Effect of nonuniform hole-content distribution within the interlayer pair-tunneling mechanism of layered HTSC
高$T_c$超导电性的层间对隧穿（ILT）机制能够预测（最佳）临界温度Tc对同系层状铜氧化物中层数n的依赖性。我们推广的平均场的程序来评估Tc内的扩展的面内哈伯德模型中存在的ILT，开发了一个双层复合物（n = 2）的情况下，n = 3，4不等超导层。作为掺杂的函数，我们展示了不同层之间的不均匀空穴含量分布如何影响Tc。特别地，取决于掺杂，超导性的开始可以由内层或外层决定。后者的结果可能与最近的实验数据的Tc作为压力的函数在Tl和Bi为基础的层状超导体。
2004-09-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The effect of an in-plane magnetic field on the interlayer transport of quasiparticles in layered superconductors
本文研究了平行于层状化合物的磁场作用下的准粒子c轴电导率。我们表明，在低温下，准粒子层间电导率强烈依赖于面内磁场的取向，如果激发间隙有节点上的费米面。因此，作为层中磁场取向的函数的角度相关的c轴（面外）磁阻的测量提供了关于费米表面上的超导能隙（或赝能隙）的动量依赖性的信息。洁净的、各向异性的层状超导体是探测费米面节点存在和位置的最佳候选材料。
1999-06-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Layered frustrated antiferromagnetic Heisenberg spin model: role of inplane frustration and interlayer coupling
本文对层状$J_{1}-J_{2}$反铁磁海森堡自旋模型进行了精确对角化研究，考察了层间反铁磁耦合$J_{\perp}$存在时，面内次近邻耦合$J_{2}$引起的阻挫效应.考虑了$(4\times 3)\oplus (4\times 3)$层状几何中的24个自旋的有限晶格，并使用Davidson迭代算法对角化所得到的哈密顿矩阵，以获得基态和一些低的激发态。由于需要大量的运行来对$J_{1}-J_{2}-J_{\perp}$参数空间进行采样，因此晶格尺寸（$24$自旋与$S_{z}^{tot}=0$子空间中的$2704156$的希尔伯特空间维度）保持相对较小。计算了不同自旋-自旋耦合参数下的类自旋能隙、Shannon熵、自旋-自旋关联、静态自旋结构因子、磁比热和磁化率。随着层间耦合的增加，系统被驱动到具有长程序的态，并且夹在Néel和共线有序态之间的量子顺磁无序态的间隔在面内阻挫参数的尺度上变窄。
2016-04-03 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Angle Dependent Magnetoresistance of the Layered Organic Superconductor κ-(ET)2Cu(NCS)2: Simulation and Experiment
本文研究了层状有机超导体κ-（ET）_2Cu（NCS）_2的两种不同同位素取代（氘代和未氘代）的磁电阻随角度的变化。这种材料中由准一维（Q1 D）和准二维（Q2 D）费米面引起的角相关磁电阻振荡（AMRO）经常被混淆。利用玻尔兹曼输运方程对AMRO进行了广泛的模拟，揭示了不同种类振荡之间的细微差异。没有显着差异，观察到来自量子振荡和AMRO的两种同位素取代的电子参数。测定了两种同位素取代的层间转移积分，观察到轻微差异，这可能是先前报道的负同位素效应的原因[1]。半经典模拟的成功表明，非费米液体效应是不需要解释在这个系统中的层间输运。
2003-12-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Highly anisotropic interlayer magnetoresistance in ZrSiS nodal-line Dirac semimetal
我们煽动的角度相关的磁电阻（AMR）的层状双线狄拉克半金属ZrSiS的面内和面外的电流方向。这种材料最近揭示了一种有趣的蝴蝶形平面AMR，但还没有很好地理解。我们的测量极性的平面外AMR显示了一个令人惊讶的不同的响应与明显的尖点状功能。当磁场在$a$ - $b$平面中取向时，尖点状各向异性达到最大值。此外，方位面外电流方向的AMR表现出非常强的四重$a$ - $b$平面各向异性。结合第一性原理计算的费米面与玻尔兹曼的半经典输运理论，我们再现并解释了所有的突出特点的不寻常的行为的面内和面外AMR。我们也能够澄清的起源强非饱和横向磁电阻作为不完善的电荷载流子补偿和开放轨道的影响。最后，结合我们的理论模型和实验数据，我们估算了在1.8 K下，我们的ZrSiS样品中$2.6\times10^{-14}$ ~s的平均弛豫时间和$15$ ~nm的平均自由程。
2019-04-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Persistence to high temperatures of interlayer coherence in an organic superconductor
研究了有机金属\cuscn的层间磁电阻$ρ_{zz}$，磁场高达45 T，温度$T$为0.5 K ~ 30 K。在$ρ_{zz}$中看到的平面内的字段，层间相干性的一个明确的签名，仍然$T$ s超过安德森标准的非相干传输的一个因素$\sim 30$。角度相关的磁阻振荡建模使用的方法的基础上的三维费米表面上的场致准粒子路径，产生的$T$依赖的散射率$τ^{-1}$。结果表明，$τ^{-1}$在费米面上变化不强烈，并且由于电子-电子散射，它具有$T^2$依赖性。
2006-10-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Polaron Coherence Condensation as the Mechanism for Colossal Magnetoresistance in Layered Manganites
双层锰氧化物La1.2Sr1.8Mn2O7的角分辨光电子能谱数据表明，在降低居里点以下的温度，一个连贯的极化金属基态出现非常迅速，定义明确的准粒子，跟踪非常好的电导率，符合宏观输运性质。我们的数据表明，导致绝缘体到金属的转变在La1.2Sr1.8Mn2O7的机制可以被看作是一个极化子相干凝聚过程与双交换相互作用。
2007-11-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Slow in-plane magnetoresistance oscillations in multiband quasi-two-dimensional metals
磁电阻慢振荡（SlO）是测量准二维金属电子结构参数的一种方便的方法。我们研究了将这种方法应用于多带导体的可能性，例如铁基高温超导材料。我们表明，SLO可以用来测量类似于单带金属的多带导体的层间转移积分。此外，SlO允许测量和比较有效质量或电子散射率在各个波段。
2015-11-10 cond-mat.str-el
Extremely Large Magnetoresistance in the Nonmagnetic Metal PdCoO2
在层状金属PdCoO 2中实现了极大的磁阻。尽管具有简单的准二维六边形费米表面的高导电金属行为，层间电阻达到35000%的沿[1-10]方向的场。此外，电阻的温度依赖性对于该场方向变为非金属，而对于沿[110]方向的场保持金属。磁场对简单费米面上层间相干性的严重各向异性破坏可归因于洛伦兹力驱动费米面上载流子的轨道运动，但迄今为止似乎在很大程度上被忽视了。
2013-08-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Violation of Kohler's rule by the magnetoresistance of a quasi-two-dimensional organic metal
研究了准二维金属$α$ -（BEDT-TTF）$_2$ KHg（SCN）$_4$的层间磁电阻。在0.5 ~ 10 K的温度范围内，对于高达10 T的磁场，磁电阻比零场电阻具有更强的温度依赖性。因此，科勒法则不适用于任何温度或场的范围。这意味着，磁电阻不能描述在一个单一的费米表面上的半经典输运与一个单一的散射时间。科勒规则的违反可能的解释被认为是，在半经典输运理论的框架内，并涉及非相干层间输运。所考虑的问题是类似的铜酸盐超导体的磁输运所提出的。
1998-03-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Exchange Splitting Mechanism of Negative Magnetoresistance in Layered Antiferromagnetic Semimetals
本文提出一种不依赖拓扑、缺陷或散射的新机制，通过交换劈裂解释层状反铁磁半金属中的负磁电阻，理论结果与实验定性一致。
2024-05-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Slow oscillations of in-plane magnetoresistance in strongly anisotropic quasi-two-dimensional rare-earth tritellurides
在稀土三碲化物中观察到了面内磁电阻的缓慢振荡，并被认为是确定各种强各向异性准二维化合物电子结构参数的有效工具。这些振荡并不起源于小的费米表面口袋，通常所揭示的Shubnikov-de-Haas振荡，但从纠缠的密切的频率，由于有限的层间转移积分$t_z$，这允许估计其值。对于TbTe $_3$和GdTe $_3$，我们得到估计$t_z\approx 1$ meV。
2015-04-23 cond-mat.str-el
Thermodynamics of layered Heisenberg magnets with arbitrary spin
本文给出了任意自旋量子数S的铁磁和反铁磁海森堡模型中长程有序和短程有序的自旋旋转不变格林函数理论。计算了居里温度T_C、Néel温度T_N、比热C_V、层内和层间关联长度等热力学量，探讨了层间耦合和S依赖性的影响。此外，对S>=1的有限二维晶格进行了精确对角化，发现两种方法的结果非常一致，对于准二维和各向同性的三维磁体，我们的理论与量子Monte Carlo和高温级数展开的数据符合得很好.通过与准二维S=1/2磁体的比较，我们得到了不等式T_N>T_C，当层间耦合足够小时，T_N<T_C。计算结果与准二维反铁磁体Zn_2VO（PO_4）_2（S=1/2）和La_2NiO_4（S=1）的实验结果进行了比较。
2009-03-06 cond-mat.str-el
Colossal Magnetoresistance without Mixed Valence in a Layered Phosphide Crystal
具有强磁阻响应的材料是自旋电子技术、磁传感器和硬盘驱动器的支柱。其中，具有混合价态和立方钙钛矿结构的锰氧化物由于其巨磁阻（CMR）而脱颖而出。双交换相互作用是锰酸盐中CMR的基础，从而当相邻Mn 3+和Mn 4+离子上的自旋平行时，电荷传输增强。先前为CMR寻找不同材料或机制的努力导致了小得多的影响。在这里，我们显示了一个巨大的CMR在低温下在EuCd2P2没有锰，氧，混合价态，或立方钙钛矿结构。EuCd_2P_2具有层状三角晶格，在11 K时呈现反铁磁有序。在EuCd 2 P2晶体生长的CMR（104%）的幅度的竞争对手的幅度在优化的锰酸盐薄膜。我们的磁化，运输和同步加速器X射线数据表明，强烈的磁场波动是造成这种现象的原因。在低温下实现CMR而没有杂价，导致了与反铁磁自旋电子学相关的材料和技术的新领域。
2021-01-30 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
An ordered stack of spin valves in a layered magnetoresistive perovskite
层状化合物La_（2 - 2）Sr_（1 + 2）Mn_（2 O_7）（x=0.3）是由双层金属MnO_2片组成，中间用绝缘材料隔开。该化合物在远低于三维磁有序温度TC=90 K的温度下表现出显着的各向异性磁电阻，除了TC周围的庞磁电阻。我们目前的中子衍射数据表明，这种材料的磁性结构的开关从反铁磁堆叠（铁磁有序）片在零场铁磁堆叠在1.5特斯拉的字段。这些数据是第一次收集到的任何锰氧化物作为一个功能的应用领域，正是因为磁电阻数据本身的收集。他们提供了一个自然的解释，低场磁电阻在有序相的自旋极化的磁性层之间的隧道效应，并建议该材料是一个散装堆栈的自旋阀设备。
1998-10-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Two-dimensional charge order in layered 2-1-4 perovskite oxides
采用蒙特卡罗模拟方法，以2-1-4层状钙钛矿结构作为层状钙钛矿氧化物中棋盘电荷有序现象的极小模型，对三维伊辛模型进行了模拟.由于层间阻挫，只有二维长程序出现沿c轴的有限相关长度。转变的临界指数作为层间耦合常数的函数连续变化。层间长程库仑相互作用呈指数衰减，即使在第二相邻层之间也可以忽略不计。相反，单斜畸变的一个tetraxine单位电池升降机的宏观简并诱导三维电荷有序。从这个观点出发，讨论了La $_{0.5}$ Sr $_{1.5}$ MnO $_4$中电荷序的维数。
2004-02-02 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Field-Induced Magnetic States in the Metallic Rare-Earth Layered Triangular Antiferromagnet TbAuAl$_4$Ge$_2$
具有$4f$ -电子的金属稀土镧系元素（$Ln$）中的磁阻挫对于产生具有高磁各向异性的有趣磁相是至关重要的，其中缠结的电荷和自旋自由度导致新颖的现象。在这里，我们报告的磁性，热力学和电输运性质的TbAuAl $_4$ Ge $_2$。Tb离子形成沿结晶$c$ -轴堆叠的二维三角形晶格层。磁相图揭示了在饱和前沿磁易$ab$面施加磁场时的多个近简并有序态。在这种配置中的磁阻表现出复杂的磁场依赖性，密切关注的磁化强度，而比热揭示了一个区域的高度增强的熵，这表明一个非平凡的自旋织构相的可能性。对于沿$c$轴（难磁化轴）施加的磁场，我们发现在很宽的磁场范围内的线性磁阻。我们比较了同结构的GdAuAl $_4$ Ge $_2$单晶的磁性能和磁电阻。这些结果确定TbAuAl $_4$ Ge $_2$作为复杂的量子自旋态的环境，并为更广泛的$Ln$ AuAl $_4$ Ge $_2$系列材料的进一步研究铺平了道路。
2022-06-27 cond-mat.str-el
Intrinsic Negative Magnetoresistance in Layered AFM Semimetals: the Case of EuSn$_2$As$_2$
本研究通过综合实验与理论方法，揭示了层状反铁磁半金属 EuSn$_2$As$_2$ 中负各向同性磁电阻的起源，提出交换劈裂与波函数限制机制，并用多实验数据验证。
2024-11-06 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Two-dimensional ferromagnetism with long-range interactions in the layered magnetic topological insulator MnBi2Te4
MnBi_2Te_4（MBT）是一种很有前途的范德瓦尔斯层状反铁磁（AF）拓扑绝缘体，它结合了拓扑非平凡的反Bi-Te带隙和Mn离子的铁磁（FM）层。本文利用非弹性中子散射（INS）方法研究了MBT中的磁相互作用。与以前的工作一致，我们发现AF层间交换耦合和单轴磁各向异性具有相当的强度，这支持允许在施加的磁场中获得不同的磁对称性的变磁转变。二维层内FM自旋波的建模需要引入长程和竞争的海森堡FM和AF相互作用，至少达到第七个最近邻，并具有异常阻尼，特别是在布里渊区边界附近。绝缘MBT的第一性原理计算发现，层间和层内磁相互作用都是长程的。我们讨论了体$n$型电荷载流子和化学无序在MBT磁性中的潜在作用。
2021-12-02 cond-mat.str-el
The anomalous Hall Effect and magnetoresistance in the layered ferromagnet Fe_{1/4}TaS_2: the inelastic regime
层状铁磁体Fe_{1/4} TaS_2中的大的磁各向异性导致在矫顽场处磁化$\bf M$的非常急剧的反转。我们利用这一特点来测量异常霍尔效应（AHE），专注于AHE电导率$σ^A_{xy}$在非弹性制度。在低温T（5-50 K）下，$σ^A_{xy}$与T无关，符合Berry相/Karplus-Luttinger理论。在50 K以上，我们提取了非弹性AHE电导率$σ^{in}_{xy}$，其比例为$Δρ$（电阻率$ρ$的T依赖部分）的平方。术语$σ^{in}_{xy}$阐明了AHE系数R_s（T）的T依赖性和符号反转。我们讨论了可能的普遍存在的$σ^{in}_{xy}$的铁磁体，并解释其缩放与$(Δρ)^2$的想法。磁电阻（MR）的测量揭示了丰富的模式的行为与T和场倾斜角。我们发现，两种机制，各向异性MR效应和磁振子的场抑制，占复杂的MR行为，包括蝴蝶结功能所造成的急剧逆转$\bf M$。
2007-08-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Topological Weyl magnons and thermal Hall effect in layered honeycomb ferromagnets
在这项工作中，我们研究的拓扑性质和磁振子霍尔效应的三维铁磁体在ABC堆叠蜂窝晶格，最近的非弹性中子散射研究的CrI $_3$的启发。结果表明，层间耦合$J_c$对磁振子能带结构和磁振子分支的陈数有显著的影响，而且层间耦合对ABC堆积的影响与其他作者采用的AA堆积有质的不同.最低磁振子带的非平凡陈数通过每个蜂窝层中的次近邻Dzyaloshinsky-Moriya相互作用而稳定，从而导致与石墨烯的电子Haldom模型中的跳跃项类似的跳跃项。然而，我们也发现了几个无间隙的Weyl点，分离的非等效陈氏绝缘相，调整的层间耦合$J_c$和第三邻居海森堡相互作用$J_3$的比例。我们进一步表明，磁振子带的拓扑性质导致非零的霍尔热导率，其符号和大小取决于$J_c$和层内耦合。由于层间耦合强度$J_c$可以通过向准2D材料（例如CrI $_3$）施加压力来容易地调谐，因此这提供了在实验中调谐磁振子热霍尔效应的潜在途径。
2021-09-21 cond-mat.str-el
Large Magnetoresistance Effects in $Ln$CoAsO with a Ferromagnetic-Antiferromagnetic Transition
在NdCoAsO和SmCoAsO的层状化合物中观察到了大的磁电阻（MR）效应，其中Co的铁磁有序巡回电子被$Ln^{3+}$的4个$f$ -电子夹在中间，低于铁磁-反铁磁转变（FAFT）温度$T_\mathrm{N}$，这与在其他FAFT化合物中观察到的相同.在SmCoAsO，大的MR效应也观察到居里温度$T_\mathrm{C}$，它被发现起源于另一个反铁磁相的存在下，在低磁场区域的铁磁相。
2011-12-07 cond-mat.str-el
Interlayer Hopping between Surface Mott Insulator and Bulk Band Insulator in layered 1T-TaS_{2}
本研究以层状1T-TaS₂为平台，采用HREELS和FTIR双重光谱方法区分其表面莫特绝缘态与体相带绝缘态，结合DMFT揭示温度诱导的层间跳跃对绝缘态演化的调控机制。
2025-01-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Surface Functional Renormalization Group for Layered Quantum Materials
Institute for Theoretical Physics and Astrophysics, Universität Würzburg（维尔茨堡大学理论与天体物理研究所）；Institut für Theorie der Statistischen Physik, RWTH Aachen University（亚琛工业大学统计物理理论研究所）；Max Planck Institute for the Structure and Dynamics of Matter, Center for Free Electron Laser Science（马普物质结构与动力学研究所自由电子激光科学中心）
本文扩展了二维功能重整化群，用于高效处理三维系统表面或界面的相互作用，探讨了表面二维Hubbard模型在引入SSH-like耦合后的强关联态演化。
2026-03-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Pair-Hopping Mechanism for Layered Superconductors
我们提出了一个可能的电荷涨落效应预期在层状超导材料。在多参考密度泛函理论中，超导层间约瑟夫森耦合的涨落通道包括由库仑排斥引起的层间对跳跃。当层间单电子隧穿过程在Kohn-Sham电子能带结构计算中不相关时，两体有效相互作用稳定了超导相。这种状态也被认为是体电子态中的价键固体。当层的充电效应与电子对跳跃相当时，隐藏的序参量与超导序参量共存。讨论了对跳跃机制有利的相关材料结构。
2009-09-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Periodic orbit resonances in layered metals in tilted magnetic fields
本文研究了层状费米液体在远离层法线倾斜的磁场中层间电导率的频率依赖性。对于准一维和准二维系统，当频率是磁场使电子在层内费米表面上振荡的频率的谐波时，就会发生共振。不同谐波共振的强度随场的方向显著变化。共振发生的相干和弱非相干层间输运，所以他们的观察并不意味着存在一个三维费米面。
1999-09-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Observation of Weak Kondo Effect and Angle Dependent Magnetoresistance in Layered Antiferromagnetic V$_5$S$_8$ Single Crystal
本研究在层状反铁磁V$_5$S$_8$单晶中观测到弱近藤效应，揭示其源于27 K奈耳温度以下插层V原子的反铁磁交换作用，同时发现该材料反铁磁态下强磁各向异性及角度依赖磁电阻的高度各向异性特征。
2023-02-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Interpreting Angle Dependent Magnetoresistance in Layered Materials: Application to Cuprates
铜酸盐金属的低温电子结构从过掺杂侧到欠掺杂侧的演变最近已经通过La $_{1.6-x}$ Nd $_{0.4}$ Sr $_x$ CuO $_4$中的角度相关磁阻（ADMR）实验来解决。结果表明，空穴掺杂$p = 0.24$和$p = 0.21$之间存在显著差异，它们位于中间体$p$的假定量子临界点的两侧。受此启发，我们在这里研究相关层状材料中的ADMR理论，特别注意角度相关准粒子权重$Z_{\mathbf{k}}$的作用。这种$Z_{\mathbf{k}}$有望表征铜酸盐材料的许多流行模型，特别是当掺杂不足时。此外，在弱层间跳跃的限制下，准粒子重量将影响ADMR实验中测量的$c$轴输运。我们表明，适当列入准粒子的重量不支持解释的数据方面的$(π, π)$自旋密度波有序状态，在协议缺乏直接证据，这种秩序。我们表明，一个简单的模型，费米面重新配置整个范霍夫点捕获$p = 0.21$和$p = 0.24$之间的许多显着差异。我们评论为什么这样一个模型可能是适当的解释ADMR数据，尽管有一个大的费米表面在$p = 0.21$，似乎在与其他证据相矛盾的小费米surafce在掺杂水平。
2022-02-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Universal negative magnetoresistance in antiferromagnetic metals caused by symmetry breaking of electron wave functions
针对多种反铁磁半金属中观测到的普适负磁阻效应缺乏理论解释的问题，提出基于二元T2对称性破缺的内禀机制，其计算结果与实验数据定性一致。
2025-11-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Density-of-states fluctuation-induced negative out-of-plane magnetoresistance in overdoped Bi-2212
利用考虑了层状超导体中传统s波配对态态的态密度贡献的涨落理论，分析了过掺杂Bi $_{1.6}$ Pb $_{0.4}$ Sr $_{2}$ CaCu $_{2}$ O $_{8+δ}$（Bi-2212）单晶的面内和面外磁电阻效应.该理论很好地再现了面外的结果，表明在超导转变温度$T_c$附近，大的负面外MR以及零场面外电阻率$ρ_{c}$的急剧增加是由于超导态DOS涨落效应引起的.另一方面，在没有DOS贡献的情况下更好地再现了面内结果（即，仅使用Aslamazov-Larkin（AL）的贡献），这可以用层状超导体的d波超导性来解释。
2015-04-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Wannier Center Analysis on Possible Three-Dimensional Topological Phases in α-Type Layered Organic Conductors
本研究基于Wannier电荷中心框架分析α型层状有机导体的三维拓扑相，明确了两类材料的拓扑态归属，解释了相关输运现象并修正了实验推测。
2025-10-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Magnetic quantum oscillations of in-plane Hall conductivity and magnetoresistance tensor in quasi-two-dimensional metals
本文建立准二维金属磁阻振荡理论，利用Kubo-Streda公式推导磁量子振荡与慢振荡的振幅和相位解析表达式，并讨论温度和不均匀性对振荡的平均化效应，为实验数据分析提供理论工具。
2024-06-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Conductivity of Layered Crystals
我们表明，各向异性介质的电阻各向异性是由相位相干长度的比例。在层间输运不相干的层状晶体中，面外相位相干长度是固定的并且与温度无关。这导致温度依赖的电阻各向异性和金属面内和非金属面外电导率的共存。我们的方法提供了一个高度非经典的制度，层状铜酸盐的特性的c-轴电导率的描述。
1999-07-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetotransport Properties of Epitaxial Films and Hall Bar Devices of the Correlated Layered Ruthenate Sr$_3$Ru$_2$O$_7$
本研究通过外延Sr$_3$Ru$_2$O$_7$薄膜及霍尔条器件，发现图案化可显著增强磁电阻（最高140%），并实现磁场方向控制的正负磁电阻切换，为关联钌酸盐器件物理提供新途径。
2024-03-18 cond-mat.str-el physics.app-ph
Electronic structure basis for the titanic magnetoresistance in WTe$_2$
用角分辨光电子能谱学研究了层状无磁二碲化钨超大磁电阻效应的电子结构基础。在费米能级上发现了大小大致相同的空穴和电子口袋，这表明载流子补偿应该被认为是这种效应的主要来源。该材料表现出高度各向异性，准一维费米表面，从显着的各向异性的磁阻如下。费米面随温度的变化被发现和高密度的状态带，可能会接管在更高的温度下的传导，并导致观察到的WTe $_2$的磁阻的导通行为被确定。
2014-07-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Universal Magnetoresistance Scaling in Layered Pd-based Multiband Metals Beyond Compensated Semimetal Regime
Institute of Science Tokyo（东京科学大学）；National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)（产业技术综合研究所）
该研究发现洁净多带金属中存在一类新的大磁阻材料，其磁阻遵循单参数标度，揭示了无序、迁移率与对称性的相互作用。
2026-08-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
