Hall effect in the extremely large magnetoresistance semimetal WTe$_2$
系统地测量了超大磁电阻半金属WTe $_2$的霍尔效应。通过仔细拟合霍尔电阻率的两个带模型，电子和空穴型载流子的载流子密度和迁移率的温度依赖性进行了测定。在低于$\sim$ 160 K时，我们观察到空穴密度的突然增加，这可能与先前的光电子能谱研究所报道的温度诱导的Lifshitz转变有关.此外，在低于50 ° K时，电子密度发生更显著的降低，从而在低温下产生相当的电子和空穴密度。我们的观测表明，在50~K以下，电子结构可能发生变化，这可能是电子-空穴"补偿“的直接驱动力，也可能是极大的磁电阻效应。数值模拟表明，这种材料不太可能是一个完美的补偿系统。
2015-11-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Quasilinear quantum magnetoresistance in pressure-induced nonsymmorphic superconductor CrAs
在传统金属中，电子轨迹在磁场下的改变会产生在低场下呈二次变化的磁电阻，然后在高场下费米表面上的闭合轨道饱和。偏离传统的行为，例如观察到的线性磁阻，或非饱和磁阻，已被归因于外来电子散射机制。近年来，在电子-电子关联相对较弱的狄拉克材料中观察到了线性磁电阻效应。强关联螺旋磁CrAs在压力下发生量子相变，成为超导体.在磁不稳定性附近，我们观察到一个大的和非饱和的准线性磁电阻从上临界场到14 T在低温下。我们表明，准线性磁电阻产生于一个复杂的相互作用之间的非平凡带交叉保护的非对称晶体对称性和强磁场波动
2016-12-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
The extremely large magnetoresistance in the Candidate Type-II Weyl semimetal MoTe2
利用角相关磁阻（MR）、霍尔效应（Hall effect）、温度相关磁热电功率（TEP）S（T）测量和第一性原理计算研究了正交相MoTe 2（Td-MoTe 2）的电子性质。对Td-MoTe_2晶体的研究发现：（1）采用εθ=（sin ~ 2 θ+γ-2 cos ~ 2 θ）~（1/2）的标度方法，其中θ为磁场与晶体c轴的夹角，γ为质量各向异性。出乎意料的是，在Td-MoTe 2中观察到γ低至1.9的电子3D特征;（2）在T~150 K和T~60 K附近，可能存在Lifshitz转变和随后的电子结构变化，这一点得到了TEP温度依赖性斜率变化的证据的支持，从霍尔电阻率中提取的载流子密度和从MR测量中获得的γ的起始温度。Td-MoTe 2中极大的MR效应可能源于电子-空穴补偿和电子袋上特殊的轨道织构的结合，电子结构的计算支持了这一点。我们的结果可以提供一个通用的各向异性MR的标度关系，并有助于认识在其他系统，如外尔半金属和狄拉克的MR效应的起源。
2017-06-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Extremely large magnetoresistance and Kohler's rule in PdSn4: a complete study of thermodynamic, transport and band structure properties
最近发现的材料PtSn $_4$已知表现出极大的磁阻（XMR），其也在表面上表现出狄拉克弧节点。PdSn $_4$与PtSn $_4$具有相同的电子数。我们报告的高品质的PdSn $_4$单晶的物理性质，包括比热，温度和磁场依赖的电阻率和磁化强度，和电子能带结构的角度分辨光电子能谱（ARPES）获得的性质。我们观察到PdSn $_4$具有与PtSn $_4$在性质上相似的物理性质，但也发现了明显的差异。重要的是，PtSn $_4$的狄拉克弧节点表面态对于PdSn $_4$是有缺口的。通过比较这些类似的化合物，我们解决了PdSn $_4$和PtSn $_4$中极大的磁阻的起源;基于对磁电阻$ρ(H,T)$的详细分析，我们得出结论，载流子补偿和狄拉克弧节点表面状态都不是极大的磁阻的主要原因。另一方面，我们发现，令人惊讶的柯勒规则缩放的magnetoresistance，它描述了一个自相似性的字段引起的轨道电子运动跨越不同的长度尺度，并推导出一个简单的电子响应的金属施加在一个磁场是服从在整个范围内的温度和场强，我们探索。
2017-10-31 cond-mat.str-el
Negative Magnetoresistance in Topological Semimetals of Transition-Metal Dipnictides with Nontrivial Z2 Indices
外磁场$B$与外电场$E$共线时，由Adler-Bell-Jackiw反常引起的负磁电阻（NMR）被认为是Weyl半金属最显著的量子特征.本文报道了中心对称过渡金属双镍族化合物MPn $_{2}$（M=Nb和Ta; Pn=As和Sb）的普适NMR谱，其中Weyl费米子的存在可以被明确地排除。利用温度依赖的磁电阻，霍尔和热电系数的能斯特和塞贝克效应，我们确定的出现的NMR现象在MPn $_{2}$是符合的Lifshitz转变，对应于形成独特的电子-空穴-电子（$e$ - $h$ - $e$）口袋沿$I-L-I'$方向。第一性原理计算表明，沿$I-L-I'$线，过渡金属的$d_{xy}$和$d_{x^{2}-y^{2}}$轨道形成带交叉的倾斜节环，远低于费米能级。强的自旋-轨道耦合使所有交叉点都能隙，并产生特征性的$e$-$h$ - $e$结构，使MPn $_{2}$成为$\mathbb{Z}_2$指数为[0;（111）]的拓扑半金属。通过排除体相态的弱局域化贡献，我们得出结论：MPn $_{2}$中的普适NMR可能具有拓扑表面态的奇异起源，这种奇异起源与非平凡表面上相反的自旋-动量锁定成对出现.
2016-03-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electronic structure basis for the titanic magnetoresistance in WTe$_2$
用角分辨光电子能谱学研究了层状无磁二碲化钨超大磁电阻效应的电子结构基础。在费米能级上发现了大小大致相同的空穴和电子口袋，这表明载流子补偿应该被认为是这种效应的主要来源。该材料表现出高度各向异性，准一维费米表面，从显着的各向异性的磁阻如下。费米面随温度的变化被发现和高密度的状态带，可能会接管在更高的温度下的传导，并导致观察到的WTe $_2$的磁阻的导通行为被确定。
2014-07-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Observation of Open-Orbit Fermi Surface Topology in Extremely Large Magnetoresistance Semimetal MoAs$_2$
近年来，随着能带理论和样品生长技术的发展，过渡金属双镍族化合物$TmPn_2$（$Tm$ = Ta，Nb; $Pn$ = P，As，Sb）中的超大磁电阻（XMR）半金属系列得到了扩展，但对它们的电子结构和XMR起源的实验研究仍然缺乏。在这里，使用角分辨光电子能谱结合第一性原理计算和磁输运测量，我们进行了全面的调查钼砷$_2$，这是同构的$TmPn_2$家庭，也具有二次XMR。我们解析出一个清晰的能带结构，与理论预测一致。有趣的是，明确观察到的费米面（FS）由在三维布里渊区中沿[100]和[001]方向延伸的开轨道拓扑结构主导。通过体宇称分析，我们进一步揭示了MoAs $_2$的平凡拓扑性质.基于这些结果，我们研究了其他半金属中提出的XMR机制，并最终将MoAs $_2$中二次XMR的起源归因于具有占主导地位的开轨道拓扑结构的FS上的载流子运动，创新性地理解了半金属中的二次XMR。
2017-11-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Extremely large non-saturating magnetoresistance and ultrahigh mobility due to topological surface states in metallic Bi2Te3 topological insulator
本文研究了Bi_2 Te_3单晶在高、低体载流子浓度下的弱反局域化效应。在低载流子密度下，WAL曲线与磁场的法向分量成比例，表明拓扑表面状态在磁导率中占主导地位。在高载流子密度下，WAL曲线既不随外加场也不随其法向分量而缩放，这意味着体导电和表面导电的混合。由于拓扑表面状态的WAL显示不依赖于本体载流子的性质（电子或空穴）。在具有较低载流子密度的样品中观察到的极大的非饱和磁阻和磁阻迁移率进一步支持了表面态的存在。利用Hikami-Larkin-Nagaoka公式计算了表征WAL效应的物理参数。在高载流子浓度下，与低载流子浓度相比，存在更多数量的传导通道和相位相干长度的减小。拓扑绝缘体具有极大的磁电阻和高迁移率，在磁电传感器和存储器件中具有重要的技术价值。
2017-04-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Linear magnetoresistance in the low-field limit in density-wave materials
材料的磁阻（MR）通常对反转施加的场方向不敏感，并且在低场极限中随磁场二次变化。量子效应[1]、不寻常的拓扑能带结构[2]和导致漂移电流路径的不均匀性[3，4]可以随着磁场的增加而引起从二次到线性磁阻的交叉。在这里，我们探讨了一系列的金属电荷和自旋密度波系统，表现出极大的正线性磁阻。与其他线性MR机制相比，这种效应在低温下即使在几十奥斯特的微小磁场下也保持稳健。我们框架的半经典叙事中的一个广泛的类别的材料与部分间隙费米面由于密度波的这种现象的解释。
2018-11-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Emergence of spin-orbit coupled ferromagnetic surface state derived from Zak phase in a nonmagnetic insulator FeSi
手征化合物FeSi是一种窄禁带绝缘体，具有独特的电荷和自旋动力学特性，超越了简单的能带结构。这些不寻常的特征从拓扑学的角度重新引起人们的关注。虽然表面导电的签名表明，根据尺寸依赖的电阻率在大块晶体，它的存在和拓扑性质仍然难以捉摸。通过对FeSi薄膜的二维电导、磁化强度和自旋电子学功能的多重表征，证明了FeSi薄膜表面固有的铁磁金属态及其强的自旋轨道耦合（SOC）特性。终止的共价键轨道构成极性表面状态与动量相关的自旋纹理由于Rashba型自旋分裂，证实了单向磁阻测量和第一性原理计算。由于自旋-动量锁定，非平衡自旋累积导致磁化翻转。这些表面性质与体能带拓扑的Zak相密切相关。我们的研究结果提出了另一条探索基于SOC的自旋操纵的无贵金属材料的路线。
2021-04-26 cond-mat.str-el
Extremely large magnetoresistance in the hourglass Dirac loop chain metal β-ReO$_{2}$
用高质量的单晶研究了非对称结构的$β$ $_{2}$的输运和热力学性质。观察到在2 K下在10 T的横向磁场中达到22，000 $\%$的极大磁阻（XMR）。然而，与显示XMR的具有低载流子密度的其它拓扑半金属不同，$β$ $_{2}$具有如通过霍尔测量和电子结构中的大费米表面所确定的1 $\times$ $10^{22}$ cm $^{-3}$的高电子载流子密度.此外，一个小的费米面与一个小的有效质量证明了德哈斯-范阿尔芬振荡测量。在前人的能带结构计算的基础上[S. S. Wang等人，国家通信8，1844（2017）]表明，存在两种由沙漏形色散的狄拉克点组成的回路，并通过一个点彼此连接，形成一串交替的回路，称为狄拉克回路链（DLC），它们受到多重滑移对称性的保护。我们的第一性原理计算揭示了复杂的费米表面，其中最小的费米表面对应于观察到的小费米表面，该表面恰好位于DLC附近。$β$ $_{2}$的XMR归因于小的费米面，因此可能是由DLC引起的。
2021-05-12 cond-mat.str-el
Nonsaturating magnetoresistance, anomalous Hall effect, and magnetic quantum oscillations in ferromagnetic semimetal PrAlSi
我们报告了一个全面的调查的结构，磁性，运输和热力学性质的单晶PrAlSi，在比较其晶体类似物LaAlSi。PrAlSi在$T_C$ = 17.8 K时表现出铁磁转变，然而，随后在较低温度下发生两次弱的相变。基于直流和交流磁化率的测量，我们提出了$T_C$下面的两个重入磁相是自旋玻璃或铁磁团簇玻璃。当磁性玻璃态被弱场抑制时，出现了几个显著的特征。这些包括线性的，非饱和的磁阻作为一个功能的领域，这是让人想起的拓扑或电荷补偿半金属，和一个大的异常霍尔电导率高达$\sim$ 2000 $Ω^{-1}$ cm $^{-1}$。比热测量表明Pr $^{3+}$多重态的非Kramers双重基态和相对低的晶体电场分裂小于100 K。Shubnikov-de Hass振荡在LaAlSi中不存在，而在PrAlSi中在低于约25 K时清楚地观察到它们，并且主导振荡频率$F$具有不寻常的温度依赖性。它从25 K时的$F$ = 18 T增加到2 K时的$F$ = 33 T，暗示在冷却到有序相时出现费米口袋。这些结果表明，PrAlSi是一个新的系统，其中一个小的费米口袋可能相对论费米子是强耦合到磁性。$f$和导带之间的杂化是否也参与其中仍然是一个有趣的开放问题。
2020-01-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Extremely large magnetoresistance in the "ordinary" metal ReO3
在许多拓扑非平凡和平凡半金属中观测到的极大磁电阻效应引起了人们对其物理机制的广泛关注。本文通过结合能带结构和费米面（FS）计算、霍尔电阻率和deHaas-Van Alphen（dHvA）振荡测量，研究了ReO $_3$的磁电阻各向异性。我们发现ReO $_3$具有几乎所有的XMR半金属的特性：MR的近二次场依赖性，场诱导电阻率上升，随后在低温下达到平台，高载流子迁移率。结果发现，对于沿\emph{c}轴施加的磁场\emph{H}，MR表现出不饱和的\emph{H} $^{1.75}$依赖性，这被认为是由霍尔电阻率测量支持的完全载流子补偿引起的。当\emph{H}沿15 $^\circ$方向（相对于\emph{c}轴）作用时，在10~K和9~T下，观察到MR高达9.43~ $\times$ ~ $10^3$ $\%$的不饱和\emph{H} $^{1.90}$依赖性，这是由沿$k_{x}$方向延伸的电子开轨道的存在所解释的.通常在半金属中观察到的XMR的两种机制也发生在简单的金属ReO $_3$中，由于其独特的FS（两个封闭的电子口袋和一个开放的电子口袋），再次表明FS拓扑结构的细节是材料中观察到的XMR的关键因素。
2021-04-08 cond-mat.str-el
Nonsaturating large magnetoresistance in the high carrier density nonsymmorphic metal CrP
高载流子密度金属CrP的能带结构在布里渊区的Y点处具有有趣的交叉。交叉，这是由空间群的非对称对称性的保护，导致在Y附近的混合，半狄拉克样的能量动量色散关系。沿Y- $Γ$的线性能量-动量色散关系使人联想到在几种半金属极大磁电阻（XMR）材料中观察到的能带结构。我们已经测量了横向磁阻的磷化铬高达14 T的温度低至$\sim$ 16 mK。我们的数据揭示了一个非饱和，二次磁阻以及所谓的'打开'温度的电阻率的温度依赖性的行为。尽管磁阻的大小不同，而且磷化铬不是半金属，但这些特性在性质上与XMR材料的观测结果相似。因此，高场电输运的研究磷化铬提供的前景，确定在广泛的金属中观察到的非饱和，二次磁阻的可能起源。
2019-03-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Quantum Oscillations and Magnetoresistance in Type-II Weyl Semimetals - Effect of a Field Induced Charge Density Wave
最近的实验表明，在强磁场作用下，第二类Weyl半金属如WTe $_2$、MoTe $_2$、Mo $_x$ W $_{1-x}$ Te $_2$和WP $_2$具有显著的输运性质，包括极大的磁电阻和不寻常的温度依赖性。在这里，我们调查磁输运通过Kubo公式在一个极小模型的II型Weyl半金属考虑到电荷密度波（CDW）过渡的影响，这可能会出现，即使在弱耦合在一个强磁场的存在下，因为特殊的朗道级色散的II型Weyl系统。与实验测量一致，我们发现一个非常大的磁阻接近$B^2$缩放在粒子空穴补偿，而在极端的量子极限有一个过渡到一个定性的新的缩放约$B^{0.75}$。我们还研究了Shubnikov-de Haas效应，发现在CDW转变温度以下，电阻率量子振荡的幅度大大增强，这伴随着不寻常的非单调（非Lifshitz-Kosevich）温度依赖性。
2018-04-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Extremely large magnetoresistance in topologically trivial semimetal $α$-WP$_2$
最近在许多非磁性材料中发现了极大的磁电阻（XMR），但由于这些材料的复杂电子结构，其潜在机制仍然知之甚少。在这里，我们报告的$α$相WP $_2$，拓扑平凡的半金属单斜晶体结构（C2/m），这与最近发现的强大的II型外尔半金属相$β$ -WP $_2$的调查。我们发现$α$ $_2$表现出几乎所有的XMR材料的特性：MR的近二次场依赖性，在低温下由平台引起的场诱导电阻率的上升，这可以通过补偿效应来理解，以及由我们的霍尔效应测量证实的载流子的高迁移率。不同磁场下的归一化MR值在$α$ $_2$中具有相同的温度依赖性，Kohler标度律可以在较宽的温度范围内描述MR数据，各向异性参数$γ$值随温度的变化不明显。当电场在$\textit{ac}$平面内旋转时，电阻极图呈花生状，这可以从费米面的各向异性来理解。这些结果表明，场致能隙和温度诱导的Lifshitz转变都不是$α$ $_2$半金属电阻率上升的原因。我们的研究结果确立了$α$ -WP $_2$作为探索XMR现象的新参考材料。
2018-04-11 cond-mat.str-el
Extremely large magnetoresistance and compensated Fermi surfaces in the antiferromagnetic semimetal YbAs
一些稀土铌酸盐具有拓扑非平凡的能带结构，同时具有磁性和强的电子关联。为了研究是否反铁磁（AFM）半金属镱砷（$T\rm_N$ = 0.5 K）表现出这样的情况下，我们已经生长出高品质的单晶使用的磁通方法，其特征在于使用比热，磁输运和角度分辨光电子能谱（ARPES）测量，连同密度泛函理论（DFT）计算的磁性和电子结构。ARPES和DFT计算都没有发现YbAs能带反转的证据，表明其电子结构在拓扑上是平凡的。从低温磁输运测量，我们映射的场-温度相图，在那里我们发现在低温下的AFM相不同的场稳定相的存在。一个非常大的磁电阻（XMR）的YbAs和对应的LuAs，也观察到，这可以始终占电子空穴补偿的存在。此外，Shubnikov-de Haas效应振荡的角度依赖性研究揭示了YbAs和LuAs之间非常相似的费米表面，具有低至至少0.5 K的轻有效质量，表明Yb- $4f$电子被很好地局域化，并且对费米表面没有贡献。然而，本地化的$4f$电子对YbAs的磁输运的影响可以从与LuAs的XMR相比的不同的温度依赖性中辨别出来，我们将其归因于出现在$T\rm_N$之上的短程自旋相关的影响。
2020-02-20 cond-mat.str-el
Magnetoresistance and Scaling Laws in Type-II Weyl Semimetal WP_2
具有极大磁阻的拓扑材料表现出电阻率导通行为的预测特征。当施加高于阈值的外部磁场时，电阻率的温度依赖性从金属特性改变为半导体特性时，会发生这种情况。在这里，我们研究的磁输运性质的II型外尔半金属WP 2。我们发现，半经典理论的磁阻是一致的，我们的数据，而不需要调用拓扑表面状态。我们的研究结果在这项工作中提供了一个替代的基础，以了解在拓扑材料的磁电阻的温度依赖性。
2021-08-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Quadratic to linear magnetoresistance tuning in TmB4
材料的电阻（R）响应于外部磁场（B）的变化提供了用于表征其电子性质的微妙信息，并且已经在传感器和存储相关技术中找到了应用。在良好的金属中，玻尔兹曼理论预测在低B下磁阻（MR）的二次增长，以及在高场下的饱和。另一方面，一些具有弱电子相关和低金属性载流子浓度的半导体材料，如非均匀导体、半金属、窄禁带半导体和拓扑绝缘体、二维电子气（2DEG）等，表现出正的、非饱和的线性磁电阻效应。然而，在一个好的金属单晶中观察到LMR是罕见的。在这里，我们提出了低温，角度依赖的反铁磁金属，TmB4的单晶磁输运。我们观察到大的、正的和各向异性的MR（B），其可以通过改变施加场的方向从二次调谐到线性。鉴于各向同性，单晶金属与大费米面（FS）的事实，预计不会表现出LMR，我们归因于我们的观察到的各向异性FS拓扑TmB4。此外，线性MR被发现是温度无关的，暗示量子力学起源。
2019-01-08 cond-mat.str-el
Extremely Large Magnetoresistance and Anisotropic Transport in Multipolar Kondo System PrTi$_{2}$Al$_{20}$
本研究针对多极近藤体系PrTi₂Al₂₀开展输运性质研究，发现其铁四极有序相下存在约10³%的超大准线性不饱和磁电阻，揭示电子型费米面开轨道拓扑是其成因，且输运各向异性与四极序参量的磁场响应相关。
2023-08-28 cond-mat.str-el
Topological phase transition induced extreme magnetoresistance in TaSb$_{2}$
我们报告了在1.5 K和15 T的中等条件下，TaSb $_{2}$单晶的172万%的极大正磁阻。磁阻（MR $\propto\,B^{1.96}$）的二次增长在高达15 T时不饱和，这是该半金属中电子和空穴袋之间的$<0.1\%$失配的几乎完美补偿的表现。补偿机制被证实与温度相关的MR，霍尔和热电系数的Nernst和Seebeck，揭示了两个明显的费米面重建过程，没有自发对称性破缺，\textit{i.e.} Lifshitz转变，分别在20 K和60 K左右。利用磁电阻和磁化率的量子振荡，通过密度泛函理论计算，我们确定了TaSb $_{2}$的主空穴费米面沿$F-L$线形成了独特的肩状结构.该肩袋的平带顶部仅比费米能级高几meV，导致在20 K时肩袋消失时观察到的拓扑相变。温度的进一步升高将费米能级推到主空穴袋的带顶，在60 K时，当空穴袋完全消失时，引起第二次Lifshitz跃迁。
2016-03-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Antiferromagnetism and large magnetoresistance in GdBi single crystal
用助熔剂法生长了具有岩盐型立方晶体结构、空间群为$Fm\bar{3}m$的二元等原子化合物GdBi单晶。在取向良好的单晶上进行了电磁测量。Gd磁矩在$T_{\rm N} = 27.5$ ~K处为反铁磁有序。沿主晶向[100]在$2$ ~K处进行的磁化强度测量未显示任何变磁性转变，且在高达$7$ ~T时无饱和迹象。零场电阻率揭示了一个急剧下降，在$27.5$ ~K表明减少自旋无序散射由于反铁磁排列的Gd时刻。在$2$ ~K处的剩余电阻率为390~n $Ω$ cm，表明生长的晶体质量良好。在磁场为$14$ ~T，温度为$T = 2$ ~K时，磁电阻值为$1.0~\times~10^{4}\%$，无饱和迹象。在磁电阻的高场范围内观察到了舒布尼科夫-德哈斯（SdH）振荡，对应于费米面的极值区域有五个不同的频率。霍尔数据的分析揭示了一个近补偿的电荷载流子占极大的磁阻。
2021-11-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Quantum oscillation study of the large magnetoresistance in Mo substituted WTe$_2$ single crystals
本文通过Mo替代WTe$_2$单晶的量子振荡研究，发现磁电阻减小源于输运迁移率下降而非电荷失衡，修正了双带理论的过度参数化解释。
2024-09-17 cond-mat.str-el
An analytically solvable model of the effect of magnetic breakdown on angle-dependent magnetoresistance in a quasi-two-dimensional metal
本文建立了一个准二维金属中发生磁击穿的角度相关磁电阻振荡（AMRO）的解析模型。该模型考虑到所有的贡献，从准粒子经历磁击穿和布拉格反射在每个结，并允许非常有效的模拟数据，可以与最近的实验结果进行比较的有机金属kappa-ET 2Cu（NCS）2。由闭合和开放轨道产生的AMRO在低场下自然出现，并且该模型能够详细描述随着场的增加向击穿AMRO的过渡。
2007-09-18 cond-mat.str-el
Angle-dependent magnetoresistance and its implications for Lifshitz transition in W2As3
Lifshitz跃迁代表了费米面结构的突然重构，引起材料电子性质的异常。这样的转换不一定依赖于拓扑破坏，因此是拓扑的。它是理解许多奇异量子现象起源的关键，例如拓扑狄拉克/外尔半金属中极大磁电阻（MR）的机制。在这里，我们报告的角度依赖MR（ADMR）和热电效应在W2 As 3单晶的研究。该化合物显示出大的不饱和MR（在4.2K和53 T下约为70000%）。最引人注目的发现是，ADMR从40 K以上的水平哑铃状显著变形为30 K以下的垂直莲花状图案。在30-40 K的窗口温度范围内，霍尔效应、热电势和能斯特系数也发生了显著变化，表明费米面拓扑结构发生了突变。这种温度诱导的Lifshitz转变导致电子-空穴输运的补偿和大的MR。因此，我们建议，当无法直接测量费米表面时，类似的方法可以适用于检测各种量子态的费米表面变化。
2020-04-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Low temperature behavior of the heavy Fermion Ce3Co4Sn13
Ce 3Co 4Sn 13是一个非常重的立方重费米子系统，其低温电子比热约为4 J/mol-K ~ 2。如果该化合物是铯，它将是迄今为止报道的最重的铯基重费米子之一，因此预计将非常接近量子临界点。然而，在比热和磁化率中，在0.8 K处观察到一个未知来源的宽峰，表明反铁磁有序的可能性。我们目前的中子衍射数据从多晶样品，没有显示出任何迹象的磁散射低于0.8 K。此外，我们提出了非弹性中子散射数据从单晶样品，这是一致的1.2 K的能量标度近藤自旋波动比热测量确定。
2006-08-15 cond-mat.str-el
Anisotropic giant magnetoresistance in NbSb2
本文报道了NbSb $_2$单晶在平行于$b$轴的电流作用下，具有极大的横向磁阻（在2K和9 T磁场下的磁阻比$\sim 1.3\times10^5\%$，在0.4K和32 T磁场下的磁阻比$4.3\times 10^6\%$，无饱和）和磁场诱导的金属-半导体交叉。当电流沿$ac$平面时，金属-半导体交叉被保留，但磁阻比被显著抑制。霍尔电阻率在接近交叉点的电场中的符号反转，以及电子结构计算揭示了具有非常高的迁移率的少量空穴和具有低迁移率的大量电子的共存。这些效应归因于磁场引起的费米面的变化。
2014-08-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other cond-mat.str-el
Universal Magnetoresistance Scaling in Layered Pd-based Multiband Metals Beyond Compensated Semimetal Regime
Institute of Science Tokyo（东京科学大学）；National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)（产业技术综合研究所）
该研究发现洁净多带金属中存在一类新的大磁阻材料，其磁阻遵循单参数标度，揭示了无序、迁移率与对称性的相互作用。
2026-08-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Oscillating magnetoresistance due to fragile spin structure in metallic GdPd$_3$
几十年来，人们对磁电阻现象的研究取得了许多令人感兴趣的成果，如巨磁电阻、巨磁电阻和最近在半金属中发现的百万级超大磁电阻等。本文报道了立方金属间化合物GdPd $_3$的振荡磁共振现象，它是唯一一种表现出正负磁共振振荡的化合物。我们的研究表明，一个非常强的磁性，电气和磁输运性能之间的相关性是存在于这种化合物。GdPd $_3$中的磁结构是高度脆弱的，因为施加的中等强度的磁场显著地改变了系统内的自旋排列--一种表现在振荡MR中的行为。GdPd $_3$的有趣的磁输运特性对于场敏感器件应用是有吸引力的，特别是如果MR振荡可以在更高的温度下通过由化学物质引起的扰动来操纵磁相互作用来实现，替代品
2017-02-25 cond-mat.str-el
Low Temperature Anomaly in Mesoscopic Kondo Wires
我们报告的异常磁电阻在极稀的准一维AuFe线在低温下，随着在低场滞后背景的观察。近藤电阻率在最低温度下没有显示出么正性极限，这意味着未补偿的自旋态。我们认为反常磁电阻可以理解为传导电子波函数中几何相位在局域杂质自旋附近的累积所引起的干涉修正。
2000-05-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
