Graphite and graphene as perfect spin filters
基于（i）它们的面内晶格常数几乎完全匹配和（ii）它们的电子结构仅在一个自旋方向上在倒易空间中重叠的观察，我们预测石墨与（111）fcc或（0001）hcp Ni或Co之间的界面具有完美的自旋过滤，自旋过滤对粗糙度和无序度相当不敏感。石墨和开放的$d$ -壳过渡金属之间的化学键的形成（其可能使自旋注入复杂化或甚至阻止自旋注入到单个石墨烯片中）可以简单地通过用一个或几个单层的Cu对Ni或Co进行除尘来防止，同时仍然保持理想的自旋注入性质。
2007-08-13 cond-mat.mtrl-sci
Chemical Reaction between Single Hydrogen Atom and Graphene
我们研究了单个氢原子与石墨烯之间的化学反应，即氢与石墨碳材料之间的元素反应。在本工作中，经典的分子动力学模拟与改进的Brenner的经验键级势。模拟中观察到了吸收反应、反射反应和穿透反应。反应速率取决于氢原子的入射能量和石墨烯温度。这种依赖性可以用以下机制来解释：（1）除了核排斥外，氢原子还受到π电子的排斥力。(2)吸收氢原子后，石墨烯将其结构转变为"悬垂"构型，如sp-3态。(3)石墨烯的六方孔在氢原子的穿透期间膨胀。
2007-07-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Anomalous Photon-Assisted Tunneling in Graphene
研究了圆偏振光作用下狄拉克电子通过势垒的传输。一个反常的光子辅助增强传输的预测和解释与著名的克莱因悖论。它表明，在无限石墨烯中的近正面碰撞的完美传输被抑制在电子的带隙的修饰状态，这是进一步伴随着作为远离正面碰撞的入射角的函数的峰的移位。此外，在没有势垒的情况下的完美传输部分地被照射的石墨烯中的光子诱导的间隙抑制。在考虑了势垒粗糙边缘或杂质散射的影响后，无势垒的完全透射被完全抑制，同时光子辅助的完全透射的能量范围也被减小。
2011-07-28 cond-mat.mtrl-sci
Trigonal warping induced terraced spin texture and nearly perfect spin polarization in graphene with Rashba effect
自旋极化的电可调性一直是自旋电子学的焦点。在这里，我们报告的三角翘曲（TW）的效果，连同自旋轨道耦合（SOC），可以导致两个不同的磁电效应在低维系统。以RashbaSOC石墨烯为例，研究了系统的电子性质和自旋分辨散射。结果表明，TW效应在低能带产生了阶梯状的自旋织构，并在散射过程中产生了显著的自旋极化，从而有效地控制了自旋极化.我们的工作不仅揭示了SOC，但TW效应是重要的低维自旋电子学。
2017-10-24 cond-mat.mtrl-sci
Theoretical prediction of perfect spin filtering at interfaces between close-packed surfaces of Ni or Co and graphite or graphene
面心立方和六角密排面的面内晶格常数与石墨的面内晶格常数几乎完全匹配，因此它们共享一个共同的二维倒易空间。它们的电子结构是这样的，它们在一个自旋方向上在这个倒易空间中重叠，仅允许我们预测石墨与（111）fcc或（0001）hcp Ni或Co之间界面的完美自旋过滤。散射矩阵的第一性原理计算表明，自旋过滤对界面粗糙度和无序度的量非常不敏感，这些粗糙度和无序度显著影响自旋过滤。传统磁性隧道结或过渡金属与半导体之间的界面的过滤特性。当单个石墨烯片被吸附在这些开放的$d$ -壳过渡金属表面上时，其特征电子结构（在二维布里渊区中的K点处具有拓扑奇异性）被化学键合破坏。由于石墨烯仅弱键合到Cu，Cu在任一自旋的K点处的费米能处不具有状态，因此石墨烯的电子结构可以通过用一个或几个单层的Cu对Ni或Co进行除尘来恢复，同时仍然保持理想的自旋注入性质。
2008-12-08 cond-mat.mtrl-sci
Perfect Reflection of Chiral Fermions in Gated Graphene Nanoribbons
我们描述了通过门控金属石墨烯纳米带使用非平衡格林函数方法的理论研究的结果。虽然与量子场论的类比预测完美的传输手征费米子通过门控区在一维，我们发现\emph{perfect reflection}的手征费米子在扶手椅带的特定配置的门。这种效应应该可以在由带电碳纳米管门控的窄石墨烯收缩中测量。
2009-01-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Perfect Spin-filtering and Giant Magnetoresistance with Fe-terminated Graphene Nanoribbon
采用第一性原理输运模拟方法研究了Fe封端锯齿形石墨烯纳米带（zGNR）的自旋相关电子输运性质。这种zGNR结的自旋结构可以通过外加磁场来控制，并且在小偏压下的MR>1000，在外加均匀磁场下的自旋过滤器性能良好.
2011-08-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Universal inverse-cube thickness scaling of projectile penetration energy in ultrathin films
University of Milan（米兰大学）；US Army DEVCOM Army Research Laboratory（美国陆军DEVCOM陆军研究实验室）
研究揭示超薄薄膜在高速冲击下穿透阻力增强的通用逆立方厚度关系，揭示了纳米尺度冲击阻力的共同弹性起源。
2026-04-08 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
$\mathcal{P}\mathcal{T}$-Symmetric Coherent Perfect Absorber with Graphene
研究了由石墨烯片包围的线性均匀光学系统TE模解中的$\mathcal{PT}$对称相干理想吸收体（CPA）。结果表明，石墨烯片的存在有助于增强吸收的相干完美吸收体。我们推导出精确的解析表达式，并通过它们可能对激光阈值和CPA条件的影响。我们指出了每个参数的作用与石墨烯的光学系统，并表明，这些参数的最佳条件引起的CPA激光器的增强和可能的实验实现。石墨烯的存在导致所需的增益量基于其化学势和温度显著降低。得到了系统参数之间的关系决定CPA条件的测度。我们发现，石墨烯片中有助于共振效应的石墨烯特征对于构建更好的相干完美吸收体是相当优选的。
2018-12-29 cond-mat.mtrl-sci physics.optics quant-ph
Tunable mid-infrared coherent perfect absorption in a graphene meta-surface
我们利用石墨烯纳米带的超表面实现相干完美吸收（CPA）在中红外区。结果表明，准CPA频率，CPA可以证明与适当的相位调制，存在的石墨烯元表面具有强的共振行为。CPA可以通过合并元表面的几何设计和石墨烯的电可调谐性来基本上调谐。此外，我们发现基于石墨烯纳米晶介表面的CPA是可实现的与实验石墨烯数据。该研究结果可以推广到二维光电材料在光学检测和信号处理方面的潜在应用。
2015-02-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Conductivity of the defectless Graphene
无缺陷、完美晶体的石墨烯在零温中性点和衬底大介电常数的极限下具有导电性。具有弱电流的石墨烯的稳定状态被假定为由玻尔兹曼动力学方程支配的粒子和空穴激发的理想的、稀有的等离子体。
2008-02-15 cond-mat.mtrl-sci
Chiral Tunnelling in Twisted Graphene Bilayer
电子沿势垒法线方向入射时，在石墨烯单层中的完全透射和在Bernal石墨烯双层中的完全反射被看作是Klein佯谬的两个体现。在这里，我们展示了克莱因悖论的一个新的和独特的化身。由于所涉及的准粒子的不同手性，扭曲石墨烯双层中的手性费米子显示出可调节的垂直入射手性隧穿概率：通过控制势垒的高度或入射能量，它们可以从完全隧穿变为部分/完全反射，反之亦然。除了解决具有不同手性的手性费米子如何通过势垒隧道的基本物理问题外，我们的研究结果还提供了一种简单的途径来调整扭曲石墨烯双层的电子特性。
2013-04-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Atomically perfect torn graphene edges and their reversible reconstruction
石墨烯边缘的原子结构在确定截短的石墨烯结构（特别是纳米带）的电、磁和化学性质方面是关键的。不幸的是，石墨烯边缘通常远非理想，并且遭受原子级缺陷、结构扭曲和非预期的化学官能化，导致不可预测的性质。在这里，我们报告说，在高真空中通过电子束引发的机械破裂或撕裂制造的石墨烯边缘是干净的，在很大程度上是原子上完美的，在扶手椅或Z字形方向取向。通过像差校正的透射电子显微镜，我们证明了可逆的和扩展的五边形-七边形（5-7）在锯齿形边缘重建，并从实验和理论上探索配置状态之间的转换的动力学。在5-7和6-6锯齿边缘态之间的翻转率的理论和实验结果吻合较好。我们的研究表明，简单的撕裂是非常有效的生产原子清洁，理想的终端，从而提供了一个有价值的工具，实现原子定制的石墨烯和促进有意义的实验研究。
2013-11-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Observation of gate-tunable coherent perfect absorption of terahertz radiation in graphene
报道了石墨烯对太赫兹辐射的电调谐相干完全吸收的实验观察。我们研制了一种反射型可调谐太赫兹谐振腔，该谐振腔由大面积石墨烯层、金属反射电极和电解介质组成。太赫兹腔中的离子门使得我们能够将石墨烯的费米能级调谐到1eV，并在2.8THz处达到吸收率为99%的临界耦合条件。利用增强的THz吸收，我们能够测量高掺杂石墨烯的输运散射时间的费米能量依赖性。此外，我们还展示了柔性有源太赫兹表面，可以在太赫兹反射率中产生大调制，同时具有低插入损耗。我们预计，门可调CPA将导致有效的主动太赫兹光电子应用。
2018-01-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Tunable terahertz coherent perfect absorption in a monolayer graphene
相干完全吸收体（CPA）被认为是激光的时间反演对应体：一个含有损耗介质而不是增益介质的谐振腔可以完全吸收相干光场。在这里，我们利用单层石墨烯以非共振方式实现CPA。研究发现，在悬浮单层石墨烯的太赫兹波段存在准CPA点，在准CPA频率下，通过两束入射光之间的适当相位调制，可以实现CPA。发现石墨烯基CPA具有宽带角选择性：对于正交的$s$和$p$偏振，CPA点在斜入射时分裂成两个频带，并且这两个频带覆盖从零频率开始的宽频率范围。此外，相干吸收可以通过改变栅极控制的费米能量来基本上调谐。非共振石墨烯片CPA的研究结果可以推广到太赫兹/红外探测和二维光电材料的信号处理的潜在应用。
2014-10-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Enhanced hydrogen-gas permeation through rippled graphene
本研究利用密度泛函理论揭示石墨烯波纹可降低氢分子解离、氢原子重构与翻转势垒，从而解释实测氢气渗透率。
2023-05-05 cond-mat.mtrl-sci
Nickel assisted healing of defective graphene
利用紧束缚蒙特卡罗模拟研究了金属衬底上生长的石墨烯的愈合过程。在温度（范围从1000至2500 K）下，孤立的石墨烯片可以退火大量的缺陷，这表明它们的愈合是热激活的。我们表明，在镍衬底的存在下，我们获得了完美的石墨烯层。镍-碳化学键在有缺陷的碳区域周围不断断裂和重组，提供了直接的相互作用，这是愈合所必需的。因此，发现Ni原子的作用在通过退火缺陷重构石墨烯片中起关键作用。
2010-09-01 cond-mat.mtrl-sci
Ni(111)|Graphene|h-BN Junctions as Ideal Spin Injectors
石墨烯在六方氮化硼（h-BN）的顶部上的沉积最近被证明，而石墨烯现在常规地生长在Ni上。由于石墨、h-BN、类石墨BC 2N的面内晶格常数和Co、Ni和Cu的密堆积表面的面内晶格常数几乎完全匹配，因此应该可以在这些材料之间制备理想的界面，这些材料分别是半金属、绝缘体、半导体、铁磁和铁磁金属。利用参数自由能最小化和电子输运计算，我们展示了h-BN如何与Ni的完美自旋过滤特性相结合|石墨和钴|石墨界面，以制造具有任何所需电阻面积积的完美隧道结或理想自旋注入器（SI）。
2011-10-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Barrierless procedure for substitutionally doping graphene sheets with boron atoms: ab initio calculations
利用从头算方法，我们提出了一种简单而有效的方法来取代掺杂石墨烯片硼。该方法包括选择性地将石墨烯片的每一侧暴露于不同的元素。我们首先将膜的一侧暴露于硼，而另一侧暴露于氮。以这种方式进行，B原子将自发地结合到石墨烯膜中，而没有任何活化屏障。在第二步中，该系统应暴露于富H环境，这将从层中去除CN自由基并形成HCN，从而导致完美的替代掺杂。
2008-11-25 cond-mat.mtrl-sci
Millimeter-Scale, Highly Ordered Single Crystalline Graphene Grown on Ru (0001) Surface
我们展示了一种通过热退火含碳钌单晶来合成大规模单层石墨烯的方法。低能电子衍射表明石墨烯生长到毫米级尺寸，具有良好的长程序有序性，扫描隧道显微镜显示出完美的结晶性。用第一性原理计算增强的莫尔图案的分析显示石墨烯层与下面的Ru（0001）表面不相称，形成具有~+0.81%的平均晶格应变的N乘N超晶格。我们的研究结果为生产高质量的单晶石墨烯基础研究和大规模石墨烯晶片的设备制造和集成提供了一种有效的方法。
2007-09-18 cond-mat.mtrl-sci
Bottom-up Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistors
最近开发的工艺使得能够自下而上化学合成具有精确原子结构的石墨烯纳米带（GNR）。这些GNR是电子器件的理想候选者，因为它们的均匀性、小于1 nm的极窄宽度、原子级完美的边缘结构和期望的电子特性。在这里，我们展示了纳米级化学合成GNR场效应晶体管，通过开发一种新的层转移工艺成为可能。我们观察到强烈的环境敏感性和独特的输运行为特征的亚1nm宽度的GNRs。
2013-10-01 cond-mat.mtrl-sci
Defect Engineering: Graphene Gets Designer Defects
一个扩展的一维缺陷，有可能作为一个导电线已被嵌入在另一个完美的石墨烯片。
2010-09-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Density functional theory study of quasi-free-standing graphene layer on 4H-SiC(0001) surface decoupled by hydrogen atoms
外延生长在SiC（0001）表面的石墨烯在实验和理论上都得到了广泛的研究。发现在这种结构中的第一外延石墨烯层是缓冲层，即在与其相关联的能带结构中不存在特征狄拉克锥。Riedl等人（Phys.Rev.Lett. 103，246804（2009））最近在他们的实验工作中观察到，SiC-石墨烯样品的氢嵌入可以恢复自立式石墨烯典型的电子性质。采用从头计算方法对石墨烯层脱耦过程中的氢渗透路径和氢原子的能量稳定位置进行了模拟。从所获得的结果可以得出，由于嵌入，石墨烯层移动离开以实现与SiC表面的约3.9 A的距离。电子能带结构，计算这种准独立的石墨烯，表现出Dirac-cone行为，这是在协议与ARPES测量。
2010-03-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Perfect and controllable nesting in the small angle twist bilayer graphene
费米面（FS）的平行（“嵌套”）区域驱动电子流体的不稳定性，例如元素铬中的自旋密度波。在一维材料中，FS是平凡地完全嵌套的（一个单一的嵌套向量连接两个“费米点”），而在更高的维度中，只有一小部分FS由平行的薄片组成。我们证明了扭曲双层石墨烯（TBLG）的微小角度制度拥有一个阶段，访问层间偏压，其中FS完全由嵌套的“费米线”：第一个例子完全嵌套FS在二维材料。这种嵌套相被发现在理想以及松弛的扭曲双层结构。我们表现出极好的协议与最近的STM图像的拓扑状态，在这种材料，并阐明这些和基础的费米学之间的联系。我们表明，“费米线”网络的几何形状是可控的所施加的层间偏压的强度，从而TBLG提供了前所未有的访问FS嵌套在2D材料的物理。
2019-08-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Hydrogen Adsorption of Back Side of Graphene
采用经典的分子动力学模拟和改进的Brenner REBO势研究了单个氢原子与单个石墨烯的相互作用。观察到三种相互作用，即吸附、反射和穿透。悬垂结构出现并在石墨烯的背面上产生吸附位点。据认为，背侧吸附发生在两个条件下，即入射的氢原子应具有大于石墨烯的六边形孔的势垒的入射能量，以及在氢原子穿过石墨烯之后，其不保持其动能被吸附位点捕获。该条件解释了随着入射能量的增加，背侧吸附的入射点在模拟中移动到石墨烯的六边形孔的外围。此外，当石墨烯的六边形孔通过氢原子入射到六边形孔的外围而扩展时，其势垒降低。
2007-10-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Hydrogenation Facilitates Proton Transfer Through Two-Dimensional Honeycomb Crystals
最近的实验引发了关于质子通过石墨烯和六方氮化硼（h-BN）单层转移的能力的争论。然而，计算表明，质子穿透的势垒在超过3eV时可能过高。在这里，第一性原理计算的基础上，我们表明，质子渗透的势垒显着降低，小于1 eV，氢化后，即使在没有针孔的晶格。分析表明，势垒降低是因为氢化使初始状态（深埋的化学吸附状态）不稳定，并使质子穿透的蜂窝晶格膨胀。这项研究提供了一个合理化的快速质子转移实验中观察到的，并强调质子传输通过单层材料在富氢溶液的能力。
2017-06-09 cond-mat.mtrl-sci
Graphene healing mechanisms: A theoretical investigation
石墨烯膜中的大孔最近被证明可以愈合，无论是在低能STEM实验中的室温下，还是通过高温退火。然而，愈合机制的细节仍不清楚。我们进行了完全原子反应分子动力学模拟，以解决这些机制在不同的实验条件下。我们的研究结果表明，如果存在碳原子源，高温可以为碳原子提供足够的能量，以克服势能势垒，并产生石墨烯六边形结构的完美重构。在室温下，只有明确考虑STEM实验中电子束的热效应，这种完美的愈合才有可能。完美或接近完美的石墨烯结构的重建过程涉及线性碳链的形成，以及具有平面（Stone-Wales）和非平面（块状）结构的含有5、6、7和8个原子的环。这些结果揭示了石墨烯在不同实验条件下的愈合机制。此外，这里提出的方法对于研究其他纳米结构的剪裁和操作也很有用。
2016-01-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
Absence of Perfect Conductance Quantization of Helical-edge Transport in Graphene under a Strong, Tilted Magnetic Field
在最近的实验中，Young等人[Nature { \bf 505}，528（2014）]观察到金属到绝缘体的转变以及在强倾斜磁场下通过单层石墨烯中的螺旋边缘态的传输。在这样的条件下，块体是磁绝缘体，其可以通过螺旋边缘表现出金属导电性。有人发现，两端电导的螺旋通道偏离预期的量子化值在低温下（$=e^2/h$每边，在零温度）。基于这一观察，我们研究了无序对边缘通道传导的影响。我们表明，与半导体量子阱的情况不同，无序Rashba自旋轨道耦合不会导致背散射，至少导致领先秩序。相反，我们发现缺乏完美的反对齐的螺旋通道中的电子自旋是最有可能的源产生的标量（即自旋无关）杂质的背散射。内在的自旋-轨道耦合和其他时间反演对称性破缺和/或亚晶格宇称破缺电位也导致对沟道电导的（子引导）校正。
2015-10-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Incident angle dependence of reactions between graphene and hydrogen atom by molecular dynamics simulation
采用经典分子动力学模拟，在NVE条件下，采用改进的Brenner反应经验键级（REBO）势，定性地得到了石墨烯与氢原子反应的入射角依赖关系.化学反应取决于两个参数，即，入射氢的极角$θ$和方位角$ϕ$。从模拟结果中发现，反应速率强烈依赖于极角$θ$。反射率随$θ$的增大而增大，吸附率也随$θ$的增大而增大，这种$θ$依赖性是由覆盖吸附位的小势垒的三维结构引起的.对于大的$θ$，也发现了渗透率对$ϕ$的依赖性。
2009-12-14 cond-mat.mtrl-sci physics.atm-clus physics.plasm-ph
Quantized perfect transmission in graphene nanoribbons with random hollow adsorbates
研究随机空心吸附物对石墨烯纳米带量子输运的影响，发现特定能量处出现鲁棒量子化电导峰，揭示无序体系中弹道输运的存活机制，为调控GNRs电导率提供新途径。
2024-04-09 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Graphene re-knits its holes
纳米孔，在电子束下在室温下在单层石墨烯片中蚀刻，作为它们与金属杂质相互作用的结果，被示出通过填充非六边形、石墨烯状或完美的六边形2D结构而自发愈合。扫描透射电子显微镜捕捉愈合过程和研究原子的再生长结构。这些纳米级蚀刻和重新编织过程的组合可能会导致新的石墨烯定制方法。
2012-07-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Broadband Coherent Perfect Absorber with PT-Symmetric 2D-Materials
我们建议石墨烯和二维（2D）Weyl半金属（WSM）作为二维材料，用于实现宽带相干完美吸收体（CPA）尊重整体PT对称性。我们还证明了相互相等的振幅和相位的左，右入射波实现CPA的条件。一旦在系统中插入适当的参数，我们系统中的2D材料就起到了提高CPA吸收率的作用。我们表明，二维WSM是更有效的比石墨烯在获得最佳条件。我们显示的行为，每个参数的光学系统，并表明，这些参数的最佳条件引起的增强和可能的实验实现的宽带CPA激光器。
2019-05-14 cond-mat.mtrl-sci physics.optics quant-ph
One-Dimensional Potential Model for Image States on Free-Standing Graphene
在非局域介电理论的框架下，计算了超薄极化层附近电子的静态非局域自能，并将其应用于研究自支撑石墨烯附近的像态。通过数值求解一维薛定谔方程，得到了相应的本征值和本征函数序列。我们比较与Rydgberg的一系列完美的金属和测量的实验值上生长在Ir和Ru表面上的石墨烯层。对于独立的薄膜，与经典系列之间的结合能的状态的外观进行了讨论。
2013-01-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Bilayer graphene: gap tunability and edge properties
双层石墨烯--两个耦合的单层石墨烯层堆叠在一起，就像石墨一样--提供了唯一已知的半导体，其间隙可以通过电场效应进行外部调整。在这里，我们使用紧束缚的方法来研究如何与所施加的电场的间隙变化。在一个平行板电容器模型，并考虑到外部场的屏蔽，我们描述了真正的背栅和/或化学掺杂的双层器件。我们表明，零和中红外能量之间的差距可以诱导和外部调谐在这些设备中，使双层石墨烯非常有吸引力的应用的角度来看。然而，纳米技术的应用需要仔细处理样品边界的影响。这在石墨烯中尤其如此，其中在零能量处存在边缘态-未掺杂系统的费米能级-已经被广泛报道。在这里，我们表明，双层石墨烯也支持表面态定位在锯齿形边缘。然而，两个层的存在下，允许一种新的类型的边缘状态，显示出增强的渗透到散装，并引起带交叉现象的间隙内的偏置双层系统。
2010-04-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Electronic Structure of Single-Twist Trilayer Graphene
小扭转角双层石墨烯支持强相关绝缘态和超导电性。扭曲的少层石墨烯系统很可能为莫尔超晶格中的强关联物理开辟新的方向。我们推导并研究了莫尔带模型，该模型描述了石墨烯三层结构的电子结构，其中三层中的一层相对于完美的AAA，ABA或ABC堆叠排列被扭曲了一个小角度。我们发现，电子结构非常强烈地依赖于开始堆叠的安排，并在哪一层是扭曲的。我们确定ABA堆叠与中间层扭曲作为一个有前途的系统巡回电子磁性，甚至更强大的超导性，因为它表现出在费米能级附近的能量大，小的速度带。
2019-07-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
