Computational Study of Tunneling Transistor Based on Graphene Nanoribbon
由于其在纳米电子学中解决功率问题的潜力，最近已经对Tunnel场效应晶体管（FET）进行了深入的研究。最近发现的石墨烯纳米晶体管（GNR）由于其对称的能带结构、轻的有效质量和单层薄的主体而成为隧道FET的理想材料。在这项工作中，我们研究的p-i-n GNR隧穿场效应管的器件物理使用原子量子输运模拟。边缘键弛豫在器件特性中的重要作用被确定。然而，该器件具有双极性I-V特性，这对于数字电子应用不是优选的。我们认为，采用非对称源漏掺杂或适当设计的栅底搭接都能有效地抑制双极I-V特性。p-i-n GNR隧穿FET的亚阈值斜率可达14 mV/dec，开关比得到显著改善。
2009-02-26 cond-mat.mtrl-sci
Giant inelastic tunneling in epitaxial graphene mediated by localized states
用原子分辨扫描隧道显微镜和光谱研究了纳米尺度石墨烯片及其与SiC（0001）界面层的局域电子结构。石墨烯/SiC系统界面层的局域态对石墨烯的电子结构有重要影响。非弹性隧穿的巨大增强，达到总隧穿电流的50%，已被观察到在纳米尺寸的石墨烯单层缺陷包围的局域态。
2010-04-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Resonant Tunneling through double-bended Graphene Nanoribbons
我们从理论上研究了通过双弯曲石墨烯纳米结构的共振隧穿，即，扶手椅边缘的石墨烯纳米带（AGNR）在两个半无限锯齿形石墨烯纳米带（ZGNR）引线之间。我们的数值计算结果表明，共振隧穿可以显着调谐的费米能量和长度和/或宽度的AGNR的金属和类超导AGNR。该结构还可以用于控制隧穿电流的谷极化，并且可以用于谷电子器件的潜在应用。
2008-05-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Tunneling characteristics of graphene
分别观察到了双端石墨烯器件在电击穿前后的负微分电导和隧穿特性。前者是由高电场下的强散射引起的，后者是由于石墨烯沟道中的隧穿势垒的出现引起的，该隧穿势垒是由于击穿导致的从结晶石墨烯到无序石墨烯的结构转变引起的。使用拉曼光谱和成像，非均匀无序石墨烯的存在被证实。100000%ON/OFF比的存储器开关效应被证明在隧道制度，可以在各种应用中。
2011-03-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Experimental realization of single electron tunneling diode based on vertical graphene two-barrier junction
通常，石墨烯在其水平方向上用于设计新概念器件。在这里，我们报告了一个单电子隧穿二极管的基础上量子隧穿通过垂直石墨烯双势垒结。通过将扫描隧道显微镜（STM）尖端定位在沉积在石墨表面上的石墨烯纳米颗粒上方来形成结。由于双势垒结的不对称性，电子可以从针尖单向转移到石墨烯纳米管，但不能从石墨烯单向转移到针尖。这一结果为在垂直方向上设计新型石墨烯晶体管提供了有趣的机会。
2012-04-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
In-plane Chiral Tunneling and Out-of-plane Valley-polarized Quantum Tunneling in Twisted Graphene Trilayer
在这里，我们表明，扭曲的石墨烯三层由错误取向堆叠的石墨烯单层上的Bernal石墨烯双层可以表现出丰富的和定制的电子特性。对于石墨烯单层和双层是强耦合的情况，无质量的狄拉克费米子和大量的手征费米子共存于扭曲的三层中，导致独特的面内手征隧穿。对于两个石墨烯系统之间的弱耦合，单层和双层中准粒子的不同手性和赝自旋纹理使它们之间的垂直谷极化量子隧穿成为可能。有趣的是，谷极化的极性可以通过控制两个系统之间的旋转角度来反转。我们的研究结果表明，从单个原子平面组装的层状范德华结构可以创造出具有不寻常特性和新功能的材料，这取决于晶体层的堆叠方式。
2014-07-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Model of the Electrostatics and Tunneling Current of Metal-Graphene Junctions and Metal-Insulator-Graphene Heterostructures
本文基于Bardeen转移哈密顿方法建立金属-绝缘体-石墨烯异质结构隧穿电流模型，并以金属-石墨烯结为例揭示微分接触电阻的影响因素。
2013-09-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Giant Phonon-induced Conductance in Scanning Tunneling Spectroscopy of Gate-tunable Graphene
石墨烯的蜂窝晶格是一个独特的二维（2D）系统，其中电子的量子力学等效于相对论狄拉克费米子的量子力学。新的纳米尺度的行为，在这种材料中，包括电子散射，自旋为基础的现象，和集体激发，预计是敏感的载流子密度。为了探测石墨烯中的局部载流子密度相关性质，我们对配备有可调背栅电极的机械切割石墨烯薄片器件进行了原子分辨扫描隧道光谱测量。我们在石墨烯隧穿谱中观察到了一个意想不到的类似间隙的特征，它与石墨烯的电子密度无关，仍然固定在费米能级（E_F）上。这个能隙的产生是由于电子隧穿到E_F附近的石墨烯态受到抑制，同时由于声子介导的非弹性通道，电子隧穿在更高能量下得到了巨大的增强。声子因此充当控制石墨烯中隧穿电子流动的“闸门”。这项工作揭示了重要的新的隧穿过程中的栅极可调石墨层。
2008-02-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Semi-massless fermions tunneling through a gate barrier in graphene
在强烈变形的石墨烯的情况下，在临界变形时，无间隙石墨烯可以转变为有间隙石墨烯。我们发现，像半无质量的费米子一样，变形石墨烯中的电子在临界点处模仿无质量费米子在一个方向上的分散，而大质量费米子在另一个方向上的分散。我们预测的色散公式是以前预测的公式的推广。粒子状半无质量费米子隧穿栅势垒的行为与原始石墨烯中（纯）无质量费米子隧穿栅势垒的行为进行了对比。这是由于在临界变形时，无质量和有质量颗粒弥散的组合效应。
2010-09-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Graphene Tunneling Transit-Time Terahertz Oscillator Based on Electrically Induced p-i-n Junction
我们提出并分析了一种基于异质结的石墨烯隧穿渡越时间器件，该异质结具有通过施加不同极性的栅极电压在石墨烯层中电诱导的横向p-i-n结。石墨烯层的耗尽i部分（在栅极之间）用作隧穿注入器和过渡区。使用开发的设备模型，我们表明，由于带间隧穿在i-部分产生的电子和空穴的弹道过境的结果在太赫兹频率范围内的负交流电导，使该设备可以作为太赫兹振荡器。
2009-01-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
High Current Density Vertical Tunneling Transistors from Graphene/Highly-Doped Silicon Heterostructures
石墨烯/硅异质结构作为用于各种电子和光子器件的新平台，如势垒电阻器、太阳能电池、光调制器和化学传感器，引起了极大的兴趣。迄今为止的研究主要集中在石墨烯和轻掺杂硅之间的结上，其中肖特基势垒被认为是载流子传输过程的主导因素。在这里，我们报告了一个系统的调查之间形成的异质结石墨烯和高掺杂硅载流子输运。通过改变硅掺杂水平和测量温度，我们表明，通过原生氧化物的隧穿效应的石墨烯/p++-Si异质结的载流子输运占主导地位。我们进一步证明，隧道电流可以有效地调制的外部栅极电场，导致在垂直隧穿晶体管。得益于高掺杂硅的大态密度，我们的隧穿晶体管可以提供超过20 A/cm 2的电流密度，比以前的石墨烯/绝缘体/石墨烯隧穿晶体管在相同的开/关比下高出约两个数量级。
2015-12-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Resonant and non-dissipative tunneling in independently contacted graphene structures
计算了由氮化硼绝缘体隔开的独立接触的石墨烯片之间的隧穿电流。两个耗散隧穿跃迁，由于无序散射的动量转移，和非耗散制度的隧道，这是由于交叉的电子和空穴分支的能谱，被描述。对于背栅和双栅结构，考虑了隧穿电流对顶部和底部石墨烯层中的浓度的依赖性，所述浓度由通过独立接触和栅极施加的电压决定。背栅结构的电流-电压特性与最近的实验[Science 335，947（2012）]一致。对于双栅极结构，共振耗散隧穿导致响应的十倍增强，这对于晶体管应用是重要的。
2013-01-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Resonant tunneling in graphene-ferroelectric-graphene junctions
我们研究了由夹在石墨烯电极之间的二维铁电（FE）材料组成的隧道结。我们制定了一个理论的相互作用的FE极化和诱导的自由电荷在这样的设备，考虑到量子电容效应。我们预测一个栅极敏感的FE电压差的设备，可以使用静电力显微镜测量。在隧穿电流-电压特性的静电理论，我们确定了一个共振峰与对齐的狄拉克锥作为一个高度敏感的探头的FE极化的结。这为具有几个原子厚的FE层作为可读超高密度存储器的器件应用开辟了道路。
2022-09-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Theory of huge tunneling magnetoresistance in graphene
我们从理论上研究了由两个平行铁磁体调制的石墨烯单层中的自旋无关隧穿磁电阻效应。对于平行磁化结构，在透射谱中可以观察到克莱因隧穿，但在特定的斜入射角。对于反平行磁化结构，传输可以被铁磁体提供的磁电势垒阻挡。这种传输差异导致巨大的磁阻比，并且可以通过包含电势垒来调谐。
2008-05-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Photon-Assisted Process and High-Harmonic Dynamic Localization in Graphene Nanoribbons
我们使用了一个完整的紧密结合的能带结构的石墨烯纳米带，以获得，第一次，观察光子辅助传输的分析技术，并在石墨烯纳米带的电子的动态本地化。当带受到多频dc-ac场时，光子辅助复制品在相当强的驱动力下出现。光子峰值对交流振幅的强烈依赖性允许在这些振幅下的高谐波动态振荡。我们确定了正微分电导率的区域，其中纳米电子石墨烯器件可以作为小信号放大器操作。我们的研究还揭示了另一个量子力学现象，分数光子辅助输运，当斯塔克因子$r > 1$。
2012-02-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Visualizing Atomic-Scale Negative Differential Resistance in Bilayer Graphene
利用扫描隧道显微镜研究了碳化硅衬底上双层石墨烯的原子尺度隧穿特性。高分辨率的隧道光谱揭示了一个意想不到的负微分电阻（NDR）在狄拉克能量，空间上变化的单层石墨烯的单个单元电池内。在横向电场作用下，双层石墨烯的电子能谱中出现了两个近能隙范霍夫奇异点，它们强烈地局域在不同层的两个亚晶格上，从而解释了负折射的起源.此外，发现隧道接触附近的缺陷通过电子干涉强烈影响NDR。我们的结果提供了一个原子水平的理解量子隧穿在双层石墨烯，并构成了一个有用的一步，石墨烯为基础的隧穿器件。
2013-01-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Tunneling conduction in graphene/(poly)vinyl alcohol composites
通过固化由分散的石墨烯纳米片组成的聚乙烯醇（PVA）溶液，制备了厚度为$60 μm$的石墨烯/聚乙烯醇（PVA）复合膜。石墨烯片的紧密接近使得波动引起的电子隧穿能够从一个片发生到另一个片。介电数据表明，本系统可以模拟为一个并联电阻电容网络。交流电导率的频率变化的高频指数表明载流子在二维空间中移动。样品制备技术将有助于柔性导体的合成。
2012-11-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Tunneling Spin Injection into Single Layer Graphene
我们实现了隧道自旋注入从钴到单层石墨烯（SLG）使用二氧化钛籽晶氧化镁障碍。在室温下观察到130 Ω的非局域磁电阻（ΔRNL），这是在任何材料中观察到的最大值。研究从透明到隧穿接触区的ΔRNL与SLG电导率，证明了自旋输运的漂移扩散理论预测的对比行为。此外，隧道势垒降低了接触诱导的自旋弛豫，因此对于石墨烯中自旋弛豫的未来研究是重要的。
2010-08-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Current-voltage characteristics of graphene devices: interplay between Zener-Klein tunneling and defects
我们报告了一个理论/实验研究的电流-电压特性（I-V）的石墨烯器件附近的狄拉克点。I-V可以用幂律（I \propto V^α，其中1< α<= 1.5）来描述。当迁移率较低时，指数较高。这种超线性的I-V解释在Zener-Klein运输，即不同能带之间的隧道，和缺陷散射之间的相互作用。令人惊讶的是，Zener-Klein隧穿通过缺陷的存在而变得可见。
2010-03-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Phonon mediated tunneling into graphene
最近的扫描隧道光谱实验[V.W. Brar et.例如，应用物理信函91，122102（2007），Y. Zhang et.例如，arXiv：0802.4315（2008）]报道了在费米能级附近约$\pm 60$ meV的意外间隙。在这里，我们给出了一个理论研究解释实验观察到的光谱，并确认声子介导的隧道作为间隙的原因：我们研究的实空间特性的波函数的隧道过程中所涉及的从头算理论，并提出了一个模型的电子-声子相互作用，耦合的石墨烯的狄拉克电子与准自由电子态的布里渊区中心。计算了与这种电子-声子相互作用相关的自能，并讨论了其对石墨烯隧穿的影响。特别是，我们的模型和实验[V.W. Brar et.例如，应用物理信函91，122102（2007），Y. Zhang et.例如，arXiv：0802.4315（2008）] dI/dU谱。
2008-03-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Tunneling Spin Injection into Single Layer Graphene (Supplementary Information)
我们实现了隧道自旋注入从钴到单层石墨烯（SLG）使用二氧化钛籽晶氧化镁障碍。在室温下观察到130 Ω的非局域磁电阻（ΔRNL），这是在任何材料中观察到的最大值。研究从透明到隧穿接触区的ΔRNL与SLG电导率，证明了自旋输运的漂移扩散理论预测的对比行为。此外，隧道势垒降低了接触诱导的自旋弛豫，因此对于石墨烯中自旋弛豫的未来研究是重要的。
2010-08-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Observation of Tunneling Current in Semiconducting Graphene p-n Junctions
我们证明了双层石墨烯的隧穿和整流行为。阶梯式电介质顶栅产生空间调制的电场，其打开石墨烯中的带隙并在p-n界面处产生绝缘区域。在正向偏压下表现出微分电阻峰值的电流-电压关系源于穿过p-n界面处绝缘区域的隧道电流。隧穿电流反映了由电场改变的态密度的奇异性。这项工作表明，在二维半导体中的载流子电荷调谐由外部电场的效果类似于在三维半导体中的杂质掺杂。
2011-11-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Crossover from Kondo assisted suppression to co-tunneling enhancement of tunneling magnetoresistance via ferromagnetic nanodots in MgO tunnel barriers
最近，它已被证明，磁性隧道结薄氧化镁隧道势垒表现出非常高的隧道磁阻（TMR）值在室温下1，2。然而，通过MgO势垒的自旋相关隧穿物理才刚刚开始解开。使用平面磁性隧道结，其中超薄层的磁性金属沉积在中间的MgO隧道势垒在这里，我们证明了TMR强烈修改时，这些层是不连续的，由小煎饼形状的纳米点。在低温下，在库仑阻塞机制中，对于小于~1 nm厚的层，结的电导在低偏压下增加，与近藤辅助隧穿一致。在同一制度中，我们观察到对德涅斯特河沿岸摩尔多瓦共和国的抑制。对于稍厚的层和相应较大的纳米点，TMR在低偏压下增强，与共隧穿一致。
2007-12-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Field-effect tunneling transistor based on vertical graphene heterostructures
我们报道了一种双极场效应隧穿晶体管，它利用了石墨烯的低态密度和它的一个原子层厚度。我们的概念验证设备是石墨烯异质结构，具有原子级薄的氮化硼作为隧道势垒。它们表现出室温开关比~50，通过优化器件结构可以进一步提高该值。这些器件具有高频操作和大规模集成的潜力。
2011-12-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Gate-Tunable Tunneling Resistance in Graphene/Topological Insulator Vertical Junctions
基于石墨烯的垂直异质结构，特别是与其他层状材料相结合的堆叠，在纳米电子学方面很有前途。石墨烯和拓扑绝缘体这两种模型狄拉克材料的堆叠可以显著地扩大范德华异质结构的家族。尽管对这两种材料有了很好的了解，但是组合的垂直异质结的电子输运性质仍然是未知的。在这里，我们展示了Bi 2Se 3纳米片和单层石墨烯之间的垂直异质结的实验实现。在低温下，通过垂直异质结的电子输运由隧穿过程主导，该隧穿过程可以通过栅极电压有效地调节以改变费米表面附近的态密度。在磁场的存在下，量子振荡观察到由于量子化的朗道能级在石墨烯和二维表面状态的Bi 2Se 3。此外，我们观察到一个奇异的栅极可调隧道电阻下的高磁场，显示电阻最大值时，底层石墨烯成为量子霍尔绝缘体。
2016-03-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Topographic and electronic contrast of the graphene moiré on Ir(111) probed by scanning tunneling microscopy and non-contact atomic force microscopy
由于石墨烯和下面的金属表面之间的晶格失配，在过渡金属表面上生长的外延石墨烯通常表现出莫尔图案。我们使用扫描隧道显微镜（STM）和原子力显微镜（AFM）实验来探测Ir（111）表面上石墨烯莫尔条纹的电子和形貌对比度。虽然STM形貌的影响，接近费米能量和本地隧道势垒高度的状态的局部密度，AFM是能够产生的“真正的”表面形貌，一旦从尖端和衬底之间的范德华力（VDW）相互作用所产生的背景力被考虑在内。我们观察到35 $\pm$ 10 μ m的莫尔条纹，其中石墨烯-Ir（111）距离在石墨烯蜂窝位于下面的铱原子顶部的区域中最小，而在fcc或hcp三重中空位点上较大。
2011-01-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Tunneling in graphene-topological insulator hybrid devices
采用机械转移法制备了石墨烯-拓扑绝缘体（TI）杂化器件，并通过电子输运对其进行了研究。由TI Bi $_2$ Se $_3$下的双层石墨烯（BLG）组成的器件表现出差分电导特性，其似乎由隧穿主导，大致再现了Bi $_2$ Se $_3$的态密度。对于Bi $_2$ Se $_3$顶部上的BLG获得了类似的结果，由于更好的表面一致性，具有与更大的接触面积一致的10倍更大的电导。该器件还显示出涉及Bi $_2$ Se $_3$和石墨烯声子的非弹性声子辅助隧穿过程的证据。这些过程有利于补偿TI $Γ$和石墨烯$K, K'$点之间的动量失配的声子。最后，这些隧道结的效用是证明了密度可调的BLG设备，其中电荷中性点跟踪沿能量密度轨迹。这个轨道被用作基态态密度的量度。
2015-04-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Reversible hydrogenation and band gap opening of graphene and graphite surfaces probed by scanning tunneling spectroscopy
通过扫描隧道显微镜和光谱研究了氢化对石墨烯和石墨表面形貌和电子性质的影响。使用Ar/H2等离子体对表面进行化学改性。分析数千个扫描隧道光谱测量，我们确定石墨/石墨烯表面上的氢化学吸附在费米能级附近平均打开0.4 eV的能带隙。我们发现，虽然等离子体处理以不可逆的方式改变了表面形貌，但电子性质的变化可以通过适度的热退火来逆转，并且样品可以再次氢化，从而在第二次氢化后产生类似的，但略有降低的半导体行为。
2012-05-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin Tunneling in Mn-12 Cannot be Assisted by Phonons at Millikelvin Temperatures [Comment on PRL 83, 416 (1999) by Bellessa et al]
最近，Bellessa等人在题为“Phononon-Assisted Tunneling in High-Spin Molecules：Experimental Evidence”的物理评论快报中报道了Mn-12分子纳米磁体的交流磁化率的虚部中的峰的观察，该峰在低于0.1 K时强烈地降低到0.02 K。他们用“声子诱导隧穿过程”解释了这种效应。这篇评论的目的是表明Bellessa等人的解释在逻辑上是不一致的，在物理上是不可能的。信中支持这一解释的所有公式都是不正确的。
2000-05-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
Observation of Giant Quantized Phonon Modes in Graphene via Tunneling Spectra
声子是晶格的基本振动模式，通过电子-声子相互作用在决定材料的电子性质方面起着至关重要的作用。然而，在电学测量中，直接探测材料的声子模式已被证明是困难的。本文报道了在磁场作用下，利用隧道谱观测石墨烯单层中K和K离面声子的巨量子化声子峰，这种方法通常被用来测量材料的局域电子性质.垂直的磁场将石墨烯中的无质量狄拉克费米子量子化为离散的朗道能级（LL）。我们证明了准粒子的声子在石墨烯的发光层中的发射或吸收产生了一个新的离散态序列：量子化声子模。在我们的隧穿谱中，由于K和K面外声子打开了一个非弹性隧穿通道，所观察到的声子峰的强度大约是LL的50倍。我们还表明，它是可能的开关量子声子模式在纳米尺度上通过控制石墨烯和支撑衬底之间的相互作用。
2019-04-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Scanning Tunneling Spectroscopy of Proximity Superconductivity in Epitaxial Multilayer Graphene
我们报告的空间测量的超导邻近效应在外延石墨烯诱导的石墨烯超导体界面。在SiC上外延多层石墨烯上生长了超导铝膜。铝膜是不连续的，在膜形态中具有沟槽网络，向下到达暴露的石墨烯平台。在石墨烯平台上测量的扫描隧道光谱显示出超导能隙随着与石墨烯-铝边缘的分离增加而明显衰减。用Bardeen-Cooper-Schrieffer（BCS）理论很好地描述了光谱。石墨烯中超导能隙的衰减长度被确定为大于400 nm。指数衰减的能隙的偏差也被观察到在一个小得多的长度尺度上的几十纳米。
2016-02-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Enhanced superconductivity through virtual tunneling in Bernal bilayer graphene coupled to WSe$_2$
受最近的实验[arXiv：2205.05087]的启发，我们研究了由于接近WSe $_2$单层而增强空穴掺杂Bernal双层石墨烯中的超导性的可能机制。我们发现，WSe $_2$和Bernal双层石墨烯之间的虚隧穿，这是已知的诱导伊辛自旋轨道耦合，可以产生额外的吸引力之间的两个空穴，提供了一个潜在的解释，为提高Bernal双层石墨烯的超导性。使用微观层间隧穿，我们推导出伊辛自旋轨道耦合和有效吸引力的函数之间的扭曲角Bernal双层石墨烯和WSe $_2$单层。我们的理论提供了一个直观的和物理的解释伊辛自旋轨道耦合和超导增强之间的交织关系，这应该激励未来的研究。
2022-11-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Charge confinement and Klein tunneling from doping graphene
在目前的工作中，我们研究了石墨烯中的结构缺陷如何改变其输运性质。特别是，我们发现，打破了亚晶格对称性的石墨烯单层克服了克莱因效应，导致无质量狄拉克费米子的受限状态。在实验上，这对应于外来原子与碳原子的化学键合，碳原子将自己附着在两个子晶格中的一个上的优先位置。此外，我们考虑散射的张量障碍，它描述了一个给定的区域的蜂窝状细胞围绕垂直于石墨烯层的轴的旋转。我们证明，在这种情况下，狄拉克点之间的谷间混合出现，克莱因隧穿发生。
2012-02-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci hep-th
