Drift plasma instability near the edge as the origin of the microwave-induced zero-resistance states
我们讨论了最近在超高电子迁移率二维电子系统中发现的微波诱导零电阻态的可能起源。我们提出了一个方案，其中两种机制，散装和边缘，有助于测量的光信号。零电阻状态被认为是由于漂移等离子体的不稳定性，开发{ \em附近的边缘}的系统下的微波辐射。所提出的方案定性同意微波功率，温度，频率，磁场，和迁移率的依赖关系的测量的光信号。
2003-03-07 cond-mat.mes-hall
Microwave zero-resistance states in a bilayer electron system
磁输运测量的高迁移率电子双层系统形成在一个宽的GaAs量子阱揭示消失耗散电阻下连续微波照射。深刻的零电阻状态（ZRS）出现，即使在存在额外的子带间散射的电子。研究了光电阻随频率、微波功率的变化规律。和温度实验结果进行了比较与理论证明，绝对负电阻率的条件与ZRS的外观。
2010-07-08 cond-mat.mes-hall
Microwave stabilization of edge transport and zero-resistance states
边缘通道对磁场作用下二维电子气中的电子输运起着至关重要的作用。通常认为沿边缘的弹道输运仅发生在具有低填充因子的量子区域中。我们表明，微波场可以稳定的边缘轨迹，即使在半经典制度导致纵向电阻消失。这种机制给出了一个明确的物理解释所观察到的零电阻状态。
2009-05-05 cond-mat.mes-hall
Microwave-induced magnetooscillations and signatures of zero-resistance states in phonon-drag voltage in two-dimensional electron systems
我们在垂直磁场中的二维电子气中观察到了微波辐射下与电阻振荡相关的声子拖曳电压振荡。这一现象的解释由微波的声子拖曳电压垂直于声子通量的耗散电阻率的影响。当最低阶电阻极小值演变为零电阻状态时，声子拖曳电压表现出尖锐的特征，表明与这些状态相关的电流域可以在没有外部直流驱动的情况下存在。
2015-11-24 cond-mat.mes-hall
High order fractional microwave induced resistance oscillations in 2D systems
我们报告的微波诱导电阻振荡的观察与分数比n/m的微波辐射频率的回旋频率的m高达8在一个二维的电子系统与高电子密度。这些特征在高微波频率下猝灭，与分数阶m无关。我们分析了温度，功率和频率的磁阻振荡的依赖关系，并讨论它们与现有的理论。
2009-07-30 cond-mat.mes-hall
Microwave radiation induced magneto-oscillations in the longitudinal and transverse resistance of a two dimensional electron gas
我们证实了在微波辐照的二维电子气中存在磁阻振荡，这是由Zhudov等人和Mani等人在一系列论文中首次报道的。在我们的实验中，在具有更适度迁移率的样品上，不仅在纵向-而且在横向-电阻（霍尔电阻）中观察到微波诱导的振荡。振荡的相位使得纵向电阻的减小（增大）伴随着霍尔电阻的绝对值的增大（减小）。我们相信，这些新结果提供了有价值的新信息，以更好地了解这一有趣现象的起源。
2003-10-15 cond-mat.mes-hall
Transport equation for 2D electron liquid under microwave radiation plus magnetic field and the Zero Resistance State
建立了一个质心运动的输运方程，用于研究均匀磁场和微波辐射下电子系统的输运。应用该方程研究了弱无序极限下的二维电子系统，当辐射场足够强时，观察到负阻不稳定性。本文提出了一个含自发交流电流的输运方程的解，用以解释实验上观察到的辐射感生零阻态。
2005-05-10 cond-mat.mes-hall
Microwave-induced resistance oscillations in a back-gated GaAs quantum well
我们在可调密度GaAs/AlGaAs量子阱中利用微波诱导电阻振荡进行了有效质量测量。我们的主要结果是一个清晰的观察到的有效质量增加，密度降低，一般协议与早期的研究，调查的有效质量的密度依赖性采用舒布尼科夫-德哈斯振荡。这一发现提供了进一步的证据，微波诱导的电阻振荡是敏感的电子-电子相互作用，并提供了一个方便和准确的方法来获得有效质量。
2017-08-31 cond-mat.mes-hall
Microwave-induced resistance oscillations as a classical memory effect
通过数值模拟和分析研究，我们发现微波诱导电阻振荡现象可以理解为电子在回旋加速器周期后与散射中心再碰撞所引起的经典记忆效应。我们开发了一个类似德鲁德的方法，磁输运在微波场的存在下，考虑到记忆效应，并找到一个很好的协议之间的数值和分析结果，以及与实验的定性协议。
2016-04-14 cond-mat.mes-hall
A model for the microwave assisted zero resistance states
在这项工作中，我们提出了一个模型的光电导的二维电子系统（2DES）受到磁场。该模型以非微扰的方式精确地考虑了微波和朗道的贡献，并对杂质散射效应作了微扰处理。基于这种形式主义，我们提供了一个Kubo的公式，考虑到振荡Floquet结构的问题。我们讨论了最近发现的零电阻态的相关结果。
2004-09-22 cond-mat.mes-hall
Zero-resistance States Induced by Bichromatic Microwaves
本文研究了二维电子气在微波诱导电阻振荡区的双色光阻态。Zudov和同事通过测量二维电子气体中的双色电阻，发现了零电阻态的明确实验证据。他们发现，双色电阻近似地复制了两个单色分量的叠加，前提是两个分量的贡献都是正的。然而，如果两种贡献中的一种使水稻处于零电阻状态，则叠加原理不再有效。Zudov等人的实验证实了负阻态通过A.安德列夫的对称破缺。本文提出了一个二维电子系统在均匀磁场作用下的双色光电导模型。我们的模型包括微波辐射的两个组成部分，一个均匀的磁场和杂质散射效应。电导率由Kubo式计算。我们的计算再现了Zudov实验结果的主要特征。
2006-09-14 cond-mat.mes-hall
Temperature effects on microwave-induced resistivity oscillations and zero resistance states in 2D electron systems
在这项工作中，我们从理论上解决了一个关键问题，微波引起的纵向电阻率振荡和零电阻状态，因为是温度。为了解释强的温度依赖性的纵向电阻率和热激活的运输在2DEG，我们已经开发了一个微观模型的基础上所遭受的阻尼由微波驱动的电子轨道动力学与晶格离子产生声学声子的相互作用。最近的实验结果表明，随着辐射强度的增加，纵向电阻率振荡的幅度减小，零电阻状态击穿。为了解释它，我们在我们的模型中包括电子加热由于大的微波强度和它对纵向电阻率的影响。
2005-10-19 cond-mat.mes-hall
Observation of microwave-induced resistance oscillations in strained Ge/SiGe quantum wells
微波诱导电阻振荡（MIRO）已经被广泛研究了十多年，但到目前为止，仍然是独特的GaAs/AlGaAs为基础的二维电子系统。在这里，我们报告的第一个观察MIRO在2D空穴气体托管在Ge/SiGe量子阱。我们的研究结果证实了MIRO是一个普遍现象，并表明微波光阻可以用来探测Ge/SiGe量子阱中二维空穴的能谱和相关效应。
2014-05-05 cond-mat.mes-hall
Microwave-induced zero-resistance states in a high-mobility two-subband electron system
在本研究中，我们使用选择性掺杂的GaAs/AlAs异质结来制造一个高迁移率的两个子带电子系统，在子带中具有实质上不同的电子浓度。我们观察到微波光电阻在高数量的磁子带间振荡（MISO）。所研究的系统演示了微波诱导电阻振荡（MIRO）和MISO干扰。与MISO相比，所研究的两子带系统中的MIRO出现在较低的磁场中。这是一个迹象，一些未知的机制，存在于两个子带系统，是负责MISO振幅阻尼在低磁场，而它不影响MIRO振幅。在微波辐照下，在MISO最大值附近的窄范围磁场内，所研究的体系出现零电阻态（ZRS）。
2017-12-26 cond-mat.mes-hall
From zero resistance states to absolute negative conductivity in microwave irradiated 2D electron systems
最近的实验结果表明，在微波辐射的二维电子气的磁阻，除了呈现振荡和零电阻状态，可以演变到负值在最小值。换句话说，电流可以从无耗散流动演变为沿与所施加的直流偏置相反的方向流动。在这里，我们提出了一个理论模型，其中辐射诱导的绝对负电导率的存在进行了分析。我们的模型解释了从零电阻状态的过渡到绝对负电导率的多光子辅助电子散射由于带电杂质。它还显示了如何通过调谐微波频率和强度来驱动这种转变。然后，它打开了控制微波驱动的纳米器件中的电子拉莫尔轨道动力学（磁导率）的可能性。因此，零电阻状态的分析是有希望的，因为新的光学和输运性质的纳米器件将被预期。
2006-03-23 cond-mat.mes-hall
Microwave-induced resistance oscillations in tilted magnetic fields
本文研究了面内磁场对高迁移率二维电子系统中微波感应电阻振荡的影响。我们已经发现，振荡振幅随磁场的面内分量$B_\parallel$呈指数衰减。虽然这些发现不能用现有的理论来解释，但我们的分析表明，这种衰变可以用$B_\parallel$引起的对量子散射率的修正来解释，该修正在$B_\parallel$中是二次的。
2012-11-15 cond-mat.mes-hall
Microwave induced negative resistance states in 2D electron gas with periodic modulation
研究了二维电子系统在磁场和二维调制作用下的微波诱导光电导。精确地考虑了微波和朗道的贡献，而对周期势作微扰处理。纵向电阻率呈现振荡，在$ω/ ω_c$中呈周期性。负阻态（NRS）发展为足够高的电子迁移率和微波功率。这种现象出现在晶格参数（$a$）值的窄窗口区域中，在$a \sim l_B$周围，其中$l_B$是磁性长度。有人提出，这些现象可以观察到在人工制造的阵列的周期性散射体在超净异质结的界面。05.60.- k，72.15.Rn}
2006-10-23 cond-mat.mes-hall
Oscillatory and Vanishing Resistance States in Microwave Irradiated 2D Electron Systems
高迁移率二维电子系统的直流磁电阻在毫米波辐照下会产生巨振幅振荡，在振荡最小值处出现零电阻态。在简要概述了现在众所周知的现象，本文报告的方面，最近的实验就这个问题。这些是：与多光子过程相关的新的零电阻状态;高频微波对Shubnikov-de Haas振荡的抑制;以及高迁移率二维空穴系统的微波光电导性。
2004-10-21 cond-mat.mes-hall
Effect of density on microwave-induced resistance oscillations in back-gated GaAs quantum wells
我们报道了30 nm宽的可调密度GaAs/AlGaAs量子阱中的微波诱导电阻振荡（MIRO）。我们发现，MIRO振幅显着增加与载流子密度。我们的分析表明，预期的有效微波功率和量子寿命随密度的增加不足以解释所观察到的振幅的增长。我们进一步观察到，基本振荡的极值移向回旋共振密度增加，这也与理论预测相矛盾。这些发现表明，现有的理论并没有正确地捕捉到密度依赖性，需要进一步的研究。
2019-04-05 cond-mat.mes-hall
Direct Comparison of Fractional and Integer Quantized Hall Resistance
我们提出了精确测量的分数量子霍尔效应，其中在填充因子为1/3的分数量子霍尔状态的量化电阻$R^{[1/3]}$与由填充因子为2的整数量子霍尔状态表示的量化电阻$R^{[2]}$进行了比较。低温电流比较器桥能够电流下降到纳安培范围被用来直接比较两个GaAs基器件位于两个低温恒温器的两个电阻值。获得比率$(R^{[1/3]}/6R^{[2]})$的$1 - (5.3 \pm 6.3) 10^{-8}$值（95%置信水平）。这构成了单粒子系统中整数电阻量子化（以$h/e^2$表示）和分数带电准粒子系统中分数量子化的最精确比较。虽然与实际计量学无关，但这种对基础物理学有效性的测试在即将到来的SI修订的背景下具有重要意义。
2017-06-06 cond-mat.mes-hall
Giant Magnetoresistance Oscillations Induced by Microwave Radiation and a Zero-Resistance State in a 2D Electron System with a Moderate Mobility
研究了频率为54 ~ 140 $\mathrm{GHz}$的微波场对具有AlAs/GaAs超晶格势垒且电子迁移率不高于$10^6$ $\mathrm{cm^2/Vs}$的GaAs量子阱中磁输运的影响。在给定的二维系统中，在微波辐射的作用下，观察到巨电阻振荡，它们在磁场中的位置由辐射频率与回旋频率的比值决定。早期，这种振荡只在迁移率高得多的GaAs/AlGaAs异质结构中观察到。当所研究的样品用140- $\mathrm{GHz}$微波场照射时，对应于回旋共振附近发生的主振荡最小值的电阻似乎接近于零。研究结果表明，低于$10^6$ $\mathrm{cm^2/Vs}$的迁移率值不会阻止微波辐射作用下二维系统中磁场中零电阻态的形成。
2006-11-14 cond-mat.mes-hall
Residual resistance in two-dimensional, microwave driven Hall systems
本文讨论了微波辐照二维电子气在弱磁场中所观察到的剩余电阻的来源。我们研究了负光电导引起的电荷调制，并表明耗散电流被指数抑制。相关的指数的温度依赖性的微观参数从实验中，我们发现伪激活行为。为了得到这些结果，必须考虑库仑相互作用的有限范围。
2003-05-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.stat-mech
Radiation induced zero-resistance states in GaAs/AlGaAs heterostructures: Voltage-current characteristics and intensity dependence at the resistance minima
高迁移率二维电子系统在微波激发时在宽磁场间隔上表现出电阻消失，在电阻最小值处随着辐射强度的增加电阻特征性减小。在这里，我们报告的实验结果检查的电压-电流特性，和电阻在最小值与微波功率。研究结果表明，在没有微波激发的情况下，非线性的V-I曲线在辐照下变得线性化，与预期不同，并且它们表明辐射强度和逆温度的作用之间的相似性。
2004-11-01 cond-mat.mes-hall
Driving Weiss oscillations to Zero Resistance States by Microwave Radiation
在这项工作中，我们提出了一个理论模型来研究微波辐射对外斯振荡的影响。在我们的建议外斯振荡，产生的空间周期性的潜力，调制微波辐射由于两者之间的干涉效应，空间和时间相关的，潜力。最终的磁电阻主要取决于空间势的空间周期和辐射频率。根据这些参数的值，我们预测外斯振荡可以达到零电阻状态。另一方面，这些无耗散的输运态，由辐射产生，可以被额外存在的周期性空间相关势破坏。然后通过调节空间周期或辐射频率，可以强烈地修改磁阻。
2008-08-18 cond-mat.mes-hall
On the phase of oscillatory microwave photoresistance and zero-resistance states
本文对最近在二维电子系统中观察到的振荡微波光阻态（OMP）和零阻态（ZRS）的周期和相位进行唯象分析。结果表明，随着磁场的增大，OMP向ZRS演化，相位的绝对值逐渐减小，约为1/B。实际上消除了相移，并导致不同的周期性的最大值和最小值，这种特定的依赖性是支持一个简单的模型的基础上振荡态密度。最后，它遵循的精细结构首次报道在参考文献3中可以被视为多光子过程的实验证据。
2003-06-19 cond-mat.mes-hall
Observation of a cyclotron harmonic spike in microwave-induced resistances in ultraclean GaAs/AlGaAs quantum wells
本文报道了在毫米波辐照和弱磁场作用下，在超净（迁移率为3 × 10^7cm ^2/Vs）GaAs/AlGaAs量子阱中观察到的一个巨大的、窄的电阻峰。这样的尖峰叠加在第二谐波微波诱导的电阻振荡（MIRO）上，但具有大于MIRO的300%的幅度，并且典型的FWHM ~50 mK，与朗道能级宽度相当。系统的研究表明，在这些量子阱的尖峰和一个明显的负磁阻之间的相关性，提出了一种机制的基础上的相互作用的强散射体和平滑的无序。或者，尖峰可以被解释为四极共振和高阶回旋跃迁之间的量子干涉的表现，在分离良好的朗道能级。
2010-10-26 cond-mat.mes-hall
Magnetic Induction Dependence of Hall Resistance in Fractional Quantum Hall Effect
通过分析[J. P. Eisenstein和H. L. Stormer，{Science} { \bf 248}，1510（1990）]。该公式是作为磁感应强度、化学势和温度的函数给出的。霍尔电阻函数包含一个单电子能谱，它具有三个可调参数的唯象微扰项。该公式产生了与实验一致的12个平台。这些扰动可以解释为三维空间中朗道轨道的岁差或章动。
2018-01-12 cond-mat.mes-hall
The microwave induced resistance response of a high mobility 2DEG from the quasi-classical limit to the quantum Hall regime
实验研究了微波诱导电阻振荡（MIRO）的频率范围从~20 GHz到~4 THz，从准经典区到量子霍尔效应区。在低频率下，观察到规则的MIRO，其周期性由微波与回旋频率的比率确定。对于低于150 GHz的频率的磁场依赖性的MIRO波形是很好地描述了一个简化版本的现有的理论模型，其中的阻尼是由朗道能级的宽度控制。在太赫兹的频率范围内MIRO消失，只有显着的电阻变化，观察到在回旋共振。MIRO随频率的演变进行了介绍和讨论。
2005-08-12 cond-mat.mes-hall
Fine structure of high-power microwave-induced resistance oscillations
本文报道了在超净二维电子气中观察到的微波诱导电阻振荡的精细结构。这种精细结构表现为多个次级尖锐极值，位于初级极值旁边，在高辐射功率下出现。理论研究表明，这种精细结构源于多光子辅助散射的短程杂质。精细结构的独特性质使我们能够访问所有的实验参数，包括微波功率，并分离不同的贡献光阻。此外，我们表明，精细结构提供了一个方便的手段，定量评估的相关性的无序势在高品质的系统，允许分离的短期和长期的无序贡献的电子迁移率。
2017-02-08 cond-mat.mes-hall
Theory of the microwave induced zero resistance states in two-dimensional electron systems
2001 - 2003年，人们在超净二维电子系统中发现了微波诱导零阻态（MIZRS）和微波诱导电阻振荡（MIRO）现象，引起了人们的极大兴趣。尽管有许多理论上的努力，这些效应的真正起源至今仍不清楚。我们表明，MIRO/ZRS现象的自然解释的有质动力的影响下产生的近接触区域的二维电子气微波的作用。所提出的分析理论与迄今为止积累的所有实验事实相一致，并对所观察到的效应的微波频率、极化、磁场、迁移率、功率和温度依赖性提供了简单而不言自明的解释。
2011-02-03 cond-mat.mes-hall physics.plasm-ph
Coherent states in microwave-induced resistance oscillations and zero resistance states
研究低磁场下辐照的二维电子系统，发现量子谐振子相干态及其最小不确定原理是微波诱导磁阻振荡和零电阻态的核心，从而解释了光电振荡的物理起源与周期性等实验证据。
2024-02-16 cond-mat.mes-hall
Bichromatic Microwave Photoresistance of Two-Dimensional Electron System
我们在实验上研究了二维电子系统在微波诱导电阻振荡和零电阻态下的双色（频率$ω_1$和$ω_2$）光电阻。我们发现双色电阻是很好地描述的叠加的$ω_1$和$ω_2$组件，提供的单色电阻是积极的。即使当振荡幅度很小时，这种关系也成立，并且可以预期单色光敏电阻的附加贡献。相反，每当由一个频率形成零电阻状态时，这种叠加关系被破坏，并且双色电阻被强烈抑制。
2006-05-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Huge Longitudinal Resistance in the Fractional Quantum Hall Effect Regime
窄单量子阱的磁电阻与通常的行为有很大的不同。在填充因子为2/3和3/5时，我们观察到纵向阻力的大而尖锐的最大值，而不是预期的最小值。电阻的峰值超过周围磁场区域的电阻的峰值达三倍。极大值的形成发生在非常大的时间尺度上，这表明与核自旋密切相关。我们讨论的性质所观察到的最大值，由于不同的电子状态的域的形成。
1998-04-27 cond-mat.mes-hall
Domain Patterns in the Microwave-Induced Zero-Resistance State
有人提出，在GaAs二维电子系统中，在低温和中等磁场下观察到的微波诱导的“零电阻”现象，是由具有多个畴的状态引起的，其中大的局部电场$\bE(\br)$在不同方向上取向。我们在这里探讨的问题是什么可以确定在一个给定的样品中的域的安排，什么样的域看起来像在代表性的情况下，和什么可能是宏观直流电导畴壁本地化的后果。我们认为，在一个简单的模型，它有一个恒定的霍尔电导率，其特征在于由一个李雅普诺夫函数的样品边界和无序的影响。
2005-10-27 cond-mat.mes-hall
Microwave-induced zero-resistance" states and second-harmonic generation in an ultraclean two-dimensional electron gas
微波诱导电阻振荡（MIRO）和“零电阻”态（ZRS）是2001-2003年在超净二维电子系统中发现的，引起了研究者的极大兴趣。2011年，一个关于这些现象的综合理论被发展出来：所有实验观察到的相关性都可以自然地用微波作用下二维电子气近接触区域中产生的有质动力的影响来解释。现在，我们表明，相同的近接触的物理过程应该导致另一个非线性电动力学现象-二次谐波产生。我们计算的频率，磁场，迁移率和功率的依赖性的二次谐波强度，并表明，它可以高达~ 0.5 mW/cm 2在现实的实验条件下。本文的一部分致力于进一步讨论MIRO/ZRS现象：我们解释了有质动力理论如何解释不同的实验细节，包括那些在2011年不知道的，并批判性地讨论替代理论。
2013-08-22 cond-mat.mes-hall
Effect of a in-plane magnetic field on the microwave assisted magnetotransport in a two-dimensional electron system
在这项工作中，我们提出了一种理论方法来研究的影响，在平面（平行）磁场的微波辅助输运性质的二维电子系统。以前的实验证据表明，微波诱导的电阻振荡和零电阻状态的影响不同，这取决于实验设置：两个磁场（双轴磁铁）或一个倾斜的磁场。在第一种情况下，实验报告了一个明确的淬火电阻振荡和零电阻状态。在倾斜磁场中，可以得到位移振荡和猝灭，但后者是不平衡的，强度较低。在我们的理论建议中，我们解释这些结果的微波驱动的谐波运动的电子轨道，以及如何这种运动越来越阻尼的面内场。
2012-11-21 cond-mat.mes-hall
Synchronic scattering and geometric dephasing in microwave-induced resistance oscillations
提出微波诱导电阻振荡的量子输运模型，证明瞬时散射率受驱动相干态速度调制，并引入非线性几何退相机制解释振幅饱和，实现非平衡输运的完全相干描述。
2026-07-23 cond-mat.mes-hall
Circular polarization dependent study of the microwave photoconductivity in a two-dimensional electron system
在一个准光学装置中研究了二维电子系统的低场微波光电导和吸收的偏振依赖性，在该装置中可以原位产生线偏振和任意圆偏振。微波感应电阻振荡和零电阻区不受圆极化的影响。这一观察结果与一些提出的理论不一致。偏差只发生在回旋共振吸收附近，在那里观察到前所未有的大电阻响应。
2005-05-07 cond-mat.mes-hall
Microwave induced nonlocal transport in two-dimensional electron system
我们观察到微波诱导的非局域电阻在磁输运的单，双层电子系统。所获得的结果提供了证据的边缘态电流稳定的微波辐射由于非线性共振。我们的观察结果与二维电子系统中微波诱导振荡和零电阻态密切相关。
2014-04-22 cond-mat.mes-hall
Radiation-assisted magnetotransport in two-dimensional electron gas systems: appearance of zero resistance states
零电阻态（ZRS）通常与超导相和量子霍尔相有关。在磁场中微波辐照的二维电子气系统中，零参考系的实验探测是一个令人惊讶的发现。我们发展了一个半经典输运理论来解释这种现象。我们发现了一系列的零电阻态（ZRS）继承的Shubnikov-de Haas（SdH）振荡的高频和大幅度微波辐射的影响下的抑制。此外，ZRS是非常明显的，并持续到宽间隔的磁场，如在微波照射的2DEG系统的实验中观察到的。
2015-10-12 cond-mat.mes-hall
Synchronization theory of microwave induced zero-resistance states
发展了二维电子气在磁场中微波诱导零阻态的同步理论。在该理论中，耗散效应导致在微波和回旋频率之间的一定谐振比下回旋相位与驱动微波相位同步。这种同步产生了沿边缘通道的电子输运的稳定性，同时它抑制了局部杂质上的耗散散射和体中的耗散电导率，从而在该频率比下产生了ZRS相。奇里科夫标准映象很好地描述了沿边缘和圆盘杂质周围的电子动力学。理论分析是基于大量的经典电子输运在强非线性制度的数值模拟。我们还讨论了在我们的模型中获得的激活能的值和实验签名，可以建立同步起源的ZRS。
2013-02-12 cond-mat.mes-hall nlin.CD
Density dependence of microwave induced magneto-resistance oscillations in a two-dimensional electron gas
我们已经测量了连续微波照射下的二维电子气（2DEG）的磁阻作为电子密度和迁移率的函数与金属顶栅调谐。在整个范围内的密度和流动性，我们已经调查，我们观察到微波诱导的大振幅的振荡是B-周期性的。这些B周期振荡让人想起Kukushkin \textit{et al} [1]报道的那些，并且归因于边缘磁等离子体的存在。我们发现，在我们的样品中，B周期性并不随密度线性增加，而是在（2.4-3）10^{11} \rm cm^{-2} $范围内显示出一个平台。在这个制度中，B-周期振荡的相位被发现连续移动两个周期。
2005-02-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Photo-excited zero-resistance states in the GaAs/AlGaAs system
微波激发的高迁移率二维电子系统在液氦温度下在$B = [4/(4j+1)] B_{f}$附近表现出电阻消失，其中$B_{f} = 2π\textit{f}m^{*}/e$，m $^{*}$是有效质量，e是电荷，并且\textit{f}是微波频率。在这里，我们总结了一些实验结果。
2005-04-08 cond-mat.mes-hall
Are Microwave Induced Zero Resistance States Necessarily Static?
我们研究了霍尔电导率的不均匀性对弱垂直磁场中微波辐照二维电子系统中零电阻态性质的影响，并表明在某些情况下可能会出现随时间变化的畴模式。对于一个环形的Corbino几何形状，与平衡电荷密度随半径线性变化，我们发现一个时间周期性的非平衡解，这可能是由一个电荷传感器，如SET检测。对于一个模型上的环面，除了静态域模式看到在高和低的平衡电荷不均匀性的值，我们发现，在中间政权，各种非稳态也可以存在。我们将在模拟中看到的可能性分类。在一个特定的唯象模型，我们表明，线性化的非线性电荷连续性方程关于一个特别简单的畴壁配置和分析的本征模，使我们能够估计的完整的非线性方程的解决方案的周期。
2008-06-10 cond-mat.mes-hall
Phase study of oscillatory resistances in microwave-irradiated- and dark- GaAs/AlGaAs devices: Indications of a new class of integral quantum Hall effect
本文报道了高迁移率GaAs/AlGaAs系统在大填充因子$ν$下的暗态研究和光激发研究的实验结果。在大$ν$中，暗研究表明振荡对角电阻和霍尔电阻之间的几种不同的相位关系（“类型-1”、“类型-2”和“类型-3”），因为典型积分量子霍尔效应（IQHE）表现在近似正交对角电阻和霍尔电阻振荡的“类型-1”情况下。令人惊讶的是，调查表明量子霍尔平台也在“类型-3”的情况下，其特征在于近似“反相”霍尔和对角电阻振荡，这表明一类新的IQHE。微波光激发下的传输研究表现出辐射诱导的磁阻振荡的对角线，$R_{xx}$，和非对角线，$R_{xy}$，电阻。此外，当辐射诱导的磁阻振荡扩展到量子霍尔区时，在$R_{xx}$ \textit{vs}中的Shubnikov-de Haas（SdH）振荡的幅度中发生辐射诱导的非单调变化。B，以及$R_{xy}$中量子霍尔平台宽度的非单调变化。后一种效应导致IQHE在辐射诱导的$R_{xx}$振荡的最小值处随着光激发的增加而消失。我们的理由是，该机制是负责生产的非单调变化的振幅在$R_{xx}$在光激发下的SdH振荡也是负责消除，在光激发下，新的“3型”IQHE在高迁移率的标本。
2009-06-01 cond-mat.mes-hall
Microwave induced resistance oscillations on a high-mobility 2DEG: absorption/reflection and temperature damping experiments
在这项工作中，我们解决了一些未解决的问题，微波诱导电阻振荡（MIRO）和最近观察到的零电阻状态非常高的迁移率的2D电子气体在GaAs/AlGaAs异质结的实验。特别是，我们通过反射/吸收实验研究电动效应，并研究MIRO的确切波形和它们的阻尼由于温度。结果表明，由于类金属反射和等离子体激元的电动效应是重要的，产生一个广泛的回旋共振线和一些振荡不符合MIRO。为了描述MIRO波形，采用了一个简单的模型，涉及辐射诱导散射与位移。发现MIRO量子寿命的温度依赖性与电子迁移率的传输散射时间之间存在非常好的相关性。的结果进行了比较与测量的Shubnikov-de Haas振荡下降到30 mK的同一样品。
2004-11-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Fractional-flux Little-Parks resistance oscillations in disordered superconducting Au$_{0.7}$In$_{0.3}$ cylinders
测量了无序超导Au $_{0.7}$ In $_{0.3}$圆柱薄膜的电阻随外加磁场的变化。在超导转变区的高温部分，电阻以封闭磁通量为单位以$h/2e$为周期振荡。然而，在较低的温度下，电阻峰值分裂。我们认为，这种分裂是由于出现了一个振荡周期为$h/4e$，一半的通量量子成对电子。讨论了无序超导圆柱自由能新极小值的背景下，可能的物理起源的$h/4e$电阻振荡。
2001-10-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Fractional quantization of Hall resistance as a consequence of mesoscopic feedback
介绍了一种非线性单粒子模型，它描述了系统在量子霍尔区的特性。该模型需要磁薛定谔方程与空间可变的磁通量密度。通量的分布是通过介观力学（MeM）的假设在我以前的文章中介绍[cf. J. Phys. Chem. Solids，65（2004），1507-1515; J. Geom. Phys.，第55/1（2005）卷，第1-18页]。该模型被发现意味着精确的整数和分数量子化的霍尔电导。事实上，在填充因子值$N/M$下，霍尔电阻为$R_H = \frac{h}{2e^2}\frac{M}{N}$。假设霍尔板的几何形状为矩形。具有介观反馈回路的磁薛定谔方程的特殊性质使我们能够证明霍尔电阻的量子化是电荷和通量量子化的直接结果。我相信这里给出的结果揭示了MeM在量子物理学中的整体地位，证实了它的有效性。
2005-11-08 cond-mat.mes-hall
Frequency quenching of microwave induced resistance oscillations in a high mobility two-dimensional electron gas
实验研究了高迁移率电子GaAs/AlGaAs结构中微波诱导电阻振荡（MIROs）的频率依赖性，以探索可以观察到这些振荡的极限。结果发现，在直流传输实验中，在120 GHz以上的频率，MIRO开始淬灭，而在230 GHz以上，他们完全消失。结果将需要从理论上理解，但在一个模型中，其中强迫电子电荷振荡（等离子体激元）之间的辐射和单粒子电子激发朗道水平之间的相互作用过程中发挥中间作用的定性讨论。
2007-11-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Fractional minima in the conductivity of the quantum-Hall-system under microwaves
本文从理论上分析了量子霍尔系统在微波辐射下的电导率。我们发现，当微波频率与回旋频率相当时，纵向电导率存在{ \em共振}。这种共振具有洛伦兹函数的导数的形式;恰好在共振的中心，微波诱导的电导率消失。在共振之间存在极大值和极小值，其深度和精确位置取决于微波振幅和杂质的散射率。我们证明了这些谐振的存在下，在微波强度的最低阶的电导率的微观，分析计算，并在这里示出的电导率是独立的微波极化，线性或圆形。然后，我们讨论了一般情况下，并预测在纵向电导率对应的微波频率除以回旋频率的分数值的最小值。
2005-12-19 cond-mat.mes-hall
Radiation-induced zero-resistance states with resolved Landau levels
微波光激发的高迁移率GaAs/AlGaAs二维电子系统在磁场$B = [4/(4j+1)] B_{f}$附近表现出电阻消失的磁电阻效应，其中$B_{f} = 2π\textit{f}m^{*}/e$，m $^{*}$为有效质量，e为电荷，\textit{f}为微波频率，$j$ = 1，2，3.在这里，我们报告运输以及解决朗道水平，和一些传输特性。
2005-01-05 cond-mat.mes-hall
Measurement of the ν= 1/3 fractional quantum Hall energy gap in suspended graphene
我们报告的多终端悬浮石墨烯设备的磁输运测量。在低至2 T的磁场中出现充分发展的整数量子霍尔态。在更高的磁场下，可以看到对应于分数量子霍尔态的纵向电阻最小值和横向电阻平台的形成，最强烈的是ν= 1/3。通过测量这些电阻最小值的温度依赖性，确定石墨烯中1/3分数态的能隙在14 T下约为20 K。
2011-02-07 cond-mat.mes-hall
Giant microwave photoresistivity in a high-mobility quantum Hall system
本文报道了在低温弱磁场作用下，在高迁移率二维电子系统中观察到的强微波光阻效应。这种效应表现为一个巨大的微波感应电阻率峰值，与微波感应电阻振荡相反，它只出现在回旋共振的二次谐波附近，并且只出现在足够高的微波频率下。出现在微波强度线性的状态下，峰值可以比微波诱导的电阻振荡强一个数量级以上，并且不能用现有的理论来解释。
2011-05-06 cond-mat.mes-hall
Coherent states and their superpositions (cat states) in microwave-induced resistance oscillations
基于量子谐振子相干态理论，提出新方法解释微波诱导电阻振荡、零电阻态及超高迁移率下的磁阻共振峰移动和巨负磁阻现象。
2023-06-21 cond-mat.mes-hall
