P-i-n InGaN homojunctions (10-40% In) synthesized by plasma-assisted molecular beam epitaxy with extended photoresponse to 600 nm
本文报道了In的摩尔分数对等离子体辅助分子束外延生长在蓝宝石衬底GaN上的p-i-nInxGa 1-xN异质结（x = 0.10-0.40）的材料和电学特性的影响。与用p-GaN覆盖的器件相比，用p-InGaN终止的结呈现出改善的载流子提取效率，这是由于极化不连续性对器件性能的有害影响。我们表明，Mg的存在下，不扰乱在InGaN中的掺入，它导致的堆垛层错密度的显着降低。p-In_（0.3）Ga_（0.7）N薄膜的空穴浓度为3.2 × 10 ~（18）cm ~（-3）。InGaN同质结器件在蓝色到橙色光谱区域中显示出峰值EQE = 14 ± 2%，并且截止波长扩展到600 nm。
2016-10-24 cond-mat.mtrl-sci
Comprehensive investigation on the correlation of growth, structural and optical properties of GaN nanowires grown on Si(111) substrates by plasma assisted molecular beam epitaxy technique
本研究阐明了在不同生长条件下，通过等离子体辅助分子束外延（PA-MBE）技术在Si（111）衬底上生长的GAN纳米线的结构和光学性质之间的相关性。在不同的衬底温度下生长出具有不同形状、尺寸和分布的GAN纳米线，其中相同的Ga-N（III-V）比为0.4。我们观察到，在较低的衬底温度（~700摄氏度）下生长的样品产生具有几乎非常小（~30%）的圆形度的二维岛状结构，而增加衬底温度（>770摄氏度）导致具有优异结构特性的单个GAN NW（>80%圆形度）的生长。温度依赖的光致发光测量与拉曼激活模式的分析提供了合理的证据之间的强相关性的结构和光学性质生长在Si衬底上的GAN纳米线。
2016-03-29 cond-mat.mtrl-sci
Molecular dynamics simulation of growth of Cu nanoclusters from Cu-ions in a plasma
利用分子动力学研究了脉冲等离子体中纳米团簇的生长。一个模型，允许一个考虑高能带电粒子在经典分子动力学的建议，并应用于研究的单次碰撞事件的纳米团簇生长。特别是，我们提供了一个比较分析的研究惰性气体聚集的方法和从离子在等离子体中的增长。强调了在模拟纳米团簇生长时考虑入射离子角分布的重要性。详细研究了从入射离子到纳米团簇的能量传递，以及入射离子在团簇表面的扩散。我们的研究结果是重要的理解和控制的纳米团簇生长过程。
2014-07-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.plasm-ph
Statistical Properties of the Dense Hydrogen Plasma: an ab initio Molecular Dynamics Investigation
采用从头计算分子动力学模拟方法，在质子强耦合区，对经典质子和完全简并电子的氢等离子体的金属区进行了研究。线性屏蔽观察到的密度下降的故障引起了一个令人惊讶的丰富的低温相图，特别是质子晶体的熔化温度的急剧下降。广泛的动力学模拟揭示了显着的持久性弱阻尼的高频离子声模式（等离子体），即使在强电子屏蔽的条件下。这种集体模式应该消失在分子阶段，从而提供了一个探针的金属-绝缘体过渡的参数区域，实验是难以实现的。讨论了液态金属模拟中出现的晶粒尺寸效应。在引言中，对致密氢物质的现状进行了广泛的评述。
1996-02-22 cond-mat.mtrl-sci mtrl-th
Fast and accurate quantum molecular dynamics of dense plasmas across temperature regimes
我们已经开发并实现了一种新的量子分子动力学近似，可以快速，准确地模拟致密等离子体从冷到热的条件。该方法是基于一个精心设计的无轨道的实施密度泛函理论（DFT）。氢和铝的结果与Kohn-Sham（基于轨道的）DFT和路径积分蒙特卡罗（PIMC）的微观特征，如电子密度以及状态方程非常吻合。本方法不随温度缩放，因此扩展到比Kohn-Sham方法可达到的温度更高的温度和比PIMC可达到的温度更低的温度，同时比这两种方法中的任何一种都明显更少的计算成本
2014-07-25 cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph physics.plasm-ph
A comprehensive diagram to grow InAlN alloys by plasma-assisted molecular beam epitaxy
本研究探究等离子体辅助分子束外延生长InAlN的In掺入与表面形貌随In通量、衬底温度的变化规律，明确InN损失的阿伦尼乌斯活化能，建立了可确定最佳生长条件的综合生长相图。
2024-01-30 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
High In-content InGaN layers synthesized by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: growth conditions, strain relaxation and In incorporation kinetics
我们报告的相互作用，在纳入和应变弛豫动力学在高In含量的InxGa 1-xN（x = 0.3）层生长的等离子体辅助分子束外延。对于In摩尔分数x = 0.13-0.48，在In过量条件下，在In积累极限下，以及在InGaN分解活跃的生长温度下，获得最佳的结构和形态质量。在这样的条件下，在原位和非原位分析的晶体结构与生长厚度的演变点的失配弛豫的开始后，40 nm的生长，并在超过200 nm的过程中，这导致在沿生长轴的不均匀的应变分布的逐渐弛豫。这个过程是与组成的拉动效应，即铟掺入部分抑制在压缩应变的存在下，导致在一个组成的梯度与增加的In摩尔分数朝向表面。
2015-01-06 cond-mat.mtrl-sci
In situ investigation of growth modes during plasma-assisted molecular beam epitaxy of (0001)GaN
本研究利用反射高能电子衍射实时分析(0001)GaN等离子体辅助分子束外延的生长模式，建立了生长模式图，揭示了不同条件下三种生长模式的转变机制及调控规律。
2024-01-30 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Surface composition of BaTiO3/SrTiO3(001) films grown by atomic oxygen plasma assisted molecular beam epitaxy
利用原子氧辅助分子束外延（AO-MBE）和专用的Ba和Ti Knudsen池，研究了在纯的和掺1%Nb的SrTiO 3（001）单晶上生长BaTiO 3薄膜的过程。对于各种层组合物，研究了高达30 nm的厚度。我们展示了2D生长和外延单晶钛酸钡层高达10纳米之前，额外的3D功能出现;晶格参数弛豫发生在最初的几个纳米，并在»10纳米完成。可能有利于2D生长的富含Ba氧化物的顶层的存在被证明是结晶良好的层。我们表明，Ba氧化物丰富的顶层可以通过化学蚀刻去除。目前的工作强调钛酸钡层的化学计量和表面组成的重要性，特别是考虑到它们在设备中的集成。
2012-11-29 cond-mat.mtrl-sci
Luminescent N-polar (In,Ga)N/GaN quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy at high temperature
通过等离子体辅助分子束外延在约650 °C的常规生长温度下在独立GAN衬底上制备的N极性（In，Ga）N/GAN量子阱即使在10 K下也不表现出任何可检测的发光。在本工作中，我们研究了在730 °C恒温下生长在Ga和N极性GAN衬底上的（In，Ga）N/GAN量子阱。这种异常高的温度导致Ga极性样品的In掺入消失。相比之下，量子阱的In含量为20%和突变界面上形成的N-极性GAN。此外，这些量子阱表现出空间上均匀的绿色发光带至室温，但观察到该带的强度强烈淬灭与温度。依赖于温度的光致发光瞬态表明，这种热猝灭与高密度的非辐射Shockley-Read-Hall中心具有大的电子和空穴捕获系数有关。
2017-10-23 cond-mat.mtrl-sci
Blue (In,Ga)N Light-Emitting Diodes with Buried n+-p+ Tunnel Junctions by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
采用等离子体辅助分子束外延技术，在单晶Ga极性n+-GAN衬底上生长了由n+-p+ GAN隧道结、（In，Ga）N多量子阱和n+-GAN顶层组成的蓝光发光二极管（LED）。在p+-GAN上过度生长的（In，Ga）N MQW有源区在很宽的组合物范围内显示出化学突变和尖锐的界面，并被认为具有高的结构和光学性能，如X射线衍射和空间分辨阴极发光测量所证实的。经处理的LED显示出清晰的整流行为，具有低接触和掩埋隧道结电阻率。凭借具有低电阻的顶部n+-GAN层，在该器件结构中在低电流下观察到LED中的优异电流扩展。一些新的设备的可能性基于这种独特的设计进行了讨论。
2018-12-19 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Dependence of the Mn sticking coefficient on Ga-rich, N-rich, and Ga/N-flux-free conditions in GaN grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Cornell University（康奈尔大学）；Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI), Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V.（柏林莱布尼茨联合会保罗·德鲁德固态电子学研究所）
研究探讨了Ga/N流量条件对GaN中Mn掺杂程度的影响，发现N-rich条件下Mn掺杂最高，Ga-rich条件下最低，无flux条件下处于中间水平。
2026-03-04 cond-mat.mtrl-sci
Physical Mechanisms of Interaction of Cold Plasma with Polymer Surfaces
讨论了冷等离子体与有机表面相互作用的物理机制。捕获的等离子体离子的CH2基团的聚合物表面导致其充电的处理。聚乙烯表面暴露于冷射频空气等离子体不同的时间间隔。记录这些表面的润湿性的变化。冷等离子体与聚合物表面相互作用的实验建立的特征时间尺度与离子浓度成反比。介绍和分析了等离子体作用下聚合物表面带电的唯象动力学模型。
2015-03-09 cond-mat.mtrl-sci physics.plasm-ph
Tuning the surface energy of fluorinated diamond-like carbon coatings via plasma immersion ion implantation plasma-enhanced chemical vapor deposition with 1,1,1,2-tetrafluoroethane
本文提出利用PIII-PECVD和1,1,1,2-四氟乙烷制备氟掺杂类金刚石碳涂层，实现氟含量高达40%，并证实氟掺入可降低表面能，适用于生物医学和抗污损表面。
2025-05-02 cond-mat.mtrl-sci
A growth diagram for plasma-assisted molecular beam epitaxy of GaN nanocolumns on Si(111)
本研究系统分析Si(111)衬底上等离子体辅助分子束外延GaN的形貌随Ga/N通量比、750-850℃生长温度的变化，识别出致密和纳米柱两种生长区，构建生长相图并明确纳米柱生长的关键影响因素。
2024-01-29 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Adsorption-controlled plasma-assisted molecular beam epitaxy of LaInO3 on DyScO3(110): Growth window, strain relaxation, and domain pattern
本文报道了用吸附控制等离子体辅助分子束外延（PA-MBE）在DyScO 3（110）衬底上外延生长LaInO 3薄膜。使用视线四极杆质谱法监测吸附控制的生长。在分子束外延（TOMBE）热力学图中，发现实验的生长窗口比预测的要窄得多。我们发现，应变弛豫的LaInO 3层（晶格失配$\approx$ -4 $\%$）的临界厚度为1 nm，使用原位RHEED分析。衬底和膜具有正交晶体结构，其可以近似为伪立方晶格。X射线衍射（XRD）分析表明，LaInO 3薄膜与DyScO 3衬底的外延关系为准立方叠准立方。通过透射电子显微镜（TEM）证实了这种关系，其进一步解析了旋转斜方晶畴的存在-其中大多数具有与衬底的c轴重合的c轴。拉曼光谱进一步证实了LaInO 3层的存在。我们的研究结果开辟了在MBE生长的异质界面与BaSnO 3的二维电子气的可能性。
2022-12-22 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Surface Passivation of GaAs using Chemical and Plasma Methods
用P_2S_5-NH_4OH水溶液、（NH_4）_2S_x水溶液和等离子体氮化、氢化等方法对GaAs表面进行了钝化处理。结果表明，等离子体氮化与等离子体氢化的预处理产生一致的反向漏电流在室温下的所有p型和n型肖特基二极管的减少。一些二极管显示出电流密度的数量级改善。水性钝化显示出类似的改善，然而，需要对长期稳定性和砷-硫共价键强度进行额外的实验。
2004-11-10 cond-mat.mtrl-sci
Two-step growth of (In,Ga)N pseudo-substrates on GaN templates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V.（柏林莱布尼茨研究联合体保罗·德鲁德固态电子学研究所）
研究通过等离子体辅助分子束外延在GaN模板上两步生长(In,Ga)N伪衬底，引入两步方案，第一步产生粗糙中间表面，最终表面光滑，上层成分均匀，面内晶格常数约3.26Å，该方法无需复杂外部处理，具可扩展性和经济性。
2026-07-20 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Isotropic plasma-thermal atomic layer etching of superconducting TiN films using sequential exposures of molecular oxygen and SF$_6/$H$_2$ plasma
针对超导TiN薄膜刻蚀损伤问题，提出基于分子氧和SF$_6$/H$_2$等离子体顺序暴露的各向同性等离子体-热原子层刻蚀工艺，实现了自限制刻蚀与低损伤超导特性。
2023-07-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Growth-induced trade-off between polarity, electrical isolation, and structural quality in AlN grown on Si(111) by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI), Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V.（柏林莱布尼茨研究联合体保罗·德鲁德固体电子学研究所）；Institute of Physics of Materials and CEITEC IPM, Czech Academy of Sciences（捷克科学院材料物理与CEITEC IPM研究所）；School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University（康奈尔大学电气与计算机工程学院）
该研究探究等离子体辅助分子束外延生长AlN/Si时衬底温度与Al通量对极性、电隔离性、结构质量的影响，发现三者存在生长诱导的权衡，优化参数后获特定性能的N极性AlN/Si，为相关模板优化提供指导。
2026-10-15 cond-mat.mtrl-sci
Eliminating nanometer-scale asperities on metallic thin films through plasma modification processes studied by molecular dynamics and AFM
本研究通过分子动力学模拟和原子力显微镜等实验，探究等离子体辅助工艺消除金属薄膜纳米级凸起的效果，发现较重惰性气体可高效减小凸起且不显著降低材料厚度，为纳米级表面形貌控制提供参考。
2025-02-13 cond-mat.mtrl-sci
Low temperature crystallization of diamond-like carbon films to graphene by low energy plasma surface treatment
采用等离子体表面改性技术在绝缘类金刚石薄膜上制备石墨烯。结果表明，通过脉冲氩等离子体处理和在350 \degreeC下的热退火的组合，可以实现无定形碳到石墨烯的部分结晶。观察到的拉曼光谱对于缺陷石墨烯是典型的-分裂的D-和G-峰以及宽的2D-峰。这一结果非常令人鼓舞，我们希望通过改进这项技术，可以制造出无缺陷的石墨烯，这种石墨烯可以用于电子产品，而不会转移到其他衬底上。
2012-07-03 cond-mat.mtrl-sci
Mechanisms influencing the formation of the carbonized layer relief on the polymer surface after the ion-plasma treatment modeling
这项工作致力于模拟离子等离子体处理聚氨酯的过程，并在其表面形成一个特殊的涂层。研究了影响波纹状浮雕形成的机制。求解了模拟温度分量影响的热传导方程的边值问题。采用有限元法计算了聚氨酯试样在离子等离子体处理过程中的变形。在计算的基础上，得出了这些因素对地层中波状起伏形成的影响。
2017-12-20 cond-mat.mtrl-sci
Plasma-assisted molecular beam epitaxy of SnO(001) films: Metastability, hole transport properties, Seebeck coefficient, and effective hole mass
透明导电或半导电氧化物是用于（透明）光电子和电力电子应用的重要材料。虽然这些氧化物中的大多数可以被掺杂为仅具有100cm ^2/Vs量级的室温电子迁移率的n型，但是p型氧化物对于pn结器件的实现是需要的，但是典型地遭受极低（<<1cm ^2/Vs）的空穴迁移率。一氧化锡（SnO）是具有较高空穴迁移率的少数p型氧化物之一，缺乏对其空穴传输性质的良好理解。此外，SnO的生长由于其相对于SnO 2和Sn的亚稳定性而变得复杂，需要外延以实现高端应用通常所需的单晶材料。在这里，我们给出了一个全面的帐户上的外延生长的SnO，它的（Meta）稳定性，其热电输运性质的背景下，目前的文献。采用等离子体辅助分子束外延技术生长了织构化的、非有意掺杂的p型SnO（001）单晶薄膜。这种半导体氧化物的亚稳性是解决理论上通过平衡相图。在实验上，相关的SnO生长窗口是快速确定的Sn-O-等离子体流量比和生长温度的函数的原位生长动力学研究。通过不同的方法全面研究了Sn和SnOx（1 < x <= 2）二次相的存在，表明Sn 3 O 4或Sn作为主要二次相的存在，以及完全氧化的SnO 2膜表面。空穴输运性质，Seebeck系数，和态密度的有效质量的确定和批判性讨论的背景下，目前的文献SnO，考虑其各向异性的空穴有效质量。
2020-08-03 cond-mat.mtrl-sci
Optical and Transport Properties of Plasma Mixtures from Ab Initio Molecular Dynamics
针对解析模型难以预测温稠密等离子体混合物输运性质的问题，本研究通过从头算模拟不同条件下的碳氢混合物，对比多种纯物质性质混合方案，明确了不同频率下适用的输运与光学性质估算方法。
2024-04-11 cond-mat.mtrl-sci physics.atom-ph physics.comp-ph
Structural and Magnetic Phase Transitions in Chromium Nitride Thin Films Grown by RF Nitrogen Plasma Molecular Beam Epitaxy
研究了射频等离子体分子束外延（RF-plasma-molecular beam epitaxy，RF-MBE）生长在MgO（001）衬底上的CrN薄膜的磁结构相变。当仍然在真空环境中的MBE生长后，$\it in-situ$低温扫描隧道显微镜，$\it in-situ$可变低温反射高能电子衍射，揭示了一个原子级光滑和金属CrN（001）表面，和$\it in-plane$结构的转变，从1 $\times$ 1（原始CrN晶胞）到$\mathrm{\sqrt{2}\times\sqrt{2}-R45^\circ}$的转变温度为$\sim$ 278 K，分别。还进行了$\it Ex-situ$温度相关测量，包括X射线衍射和中子衍射，观察结构峰，同样揭示了沿[001]和[111] $\it out-of-plane$方向的一级结构转变，转变温度分别为256 K和268 K。转向磁峰，中子衍射证实了一个明确的磁过渡，从顺磁性在室温下的反铁磁性在低温下与尖锐的，一阶相变和N $é$ EL温度为270 K或280 K的两种不同的膜。除了结构和磁有序的实验测量，我们还讨论了第一性原理理论计算，探索各种可能的磁结构模型的结果。
2017-03-10 cond-mat.mtrl-sci
Surface Josephson plasma waves in layered superconductors
我们预测在太赫兹频率范围内的层状超导体中表面波的存在，低于约瑟夫森等离子体频率$ω_J$。该波沿着真空-超导体界面传播并在两个横向方向上从表面向外衰减（即，朝向超导体和朝向真空）。这是第一次预测在任何超导体中传播表面波。这些预测的表面约瑟夫森等离子体波对不同的现象很重要，包括完全抑制样品的镜面反射（伍德异常）和波吸收的巨大增强（可用作太赫兹探测器）。
2005-08-30 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Ab Initio Simulations of Dense Helium Plasmas
我们使用量子分子动力学和无轨道分子动力学模拟研究了稠密氦等离子体的热物理性质，其中密度被认为是从400到800 g/cm $^{3}$和温度高达800 eV。状态方程的结果。从Kubo-Greenwood公式出发，导出了电导率和电子热导率。特别地，随着温度的升高，我们讨论了Lorenz数的变化，这表明稠密氦从强耦合和简并态向中等耦合和部分简并态的转变。
2011-04-11 astro-ph.EP cond-mat.mtrl-sci physics.plasm-ph
New insights into crystallographic relation and lattice dynamics effects in {CdO/MgO} superlattices grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
该研究结合X射线衍射与拉曼光谱分析不同取向蓝宝石上的{CdO/MgO}超晶格，揭示表面对称性、孪晶形成及衬底取向对CdO子层生长速率和晶体质量的影响。
2025-02-17 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Infrared spectroscopy of surface charges in plasma-facing dielectrics
本文提出了一种利用电介质作为多内反射元件，通过红外光谱测量等离子体与电介质界面处表面电荷积累的方法。多余的电荷导致发射信号的衰减，由此可以推断电荷的大小。计算光学响应微扰在一阶从玻尔兹曼方程的电子空穴等离子体内部的固体，我们可以表明，在感兴趣的参数范围内的一个经典的德鲁德项的结果。只有整合的表面电荷进入，从而打开了测量数据的非常有效的分析。
2021-04-16 cond-mat.mtrl-sci physics.plasm-ph
Particle beam experiments for the investigation of plasma-surface interactions: application to magnetron sputtering and polymer treatment
介绍了一种研究等离子体与表面相互作用的非均相反应的束流实验。原子和离子束聚焦到样品上，使其暴露于氧气、氮气、氢气、稀有气体离子和金属蒸气的量化束。通过石英晶体微天平（QCM）和傅里叶变换红外光谱（FTIR）原位和实时监测的非均匀表面过程。两个例子说明了粒子束设置的能力：铝的氧化和氮化作为反应磁控溅射过程中的目标中毒模型，和聚合物（PET，PP）的等离子体处理。
2013-06-06 cond-mat.mtrl-sci physics.plasm-ph
Plasma living in a curved surface at some special temperature
二维库仑等离子体的最简单的统计力学模型在某些特定温度下在几个曲面上都有精确的解析解。我们目前在一个统一的角度来看，这些解决方案的（非量子）等离子体，点粒子携带绝对电荷$e$，在热平衡的温度$T=e^2/2k_B$，与$k_B$玻尔兹曼常数，讨论的重要性，有一个精确的解决方案，表面的曲率的作用，和等离子体的密度。
2019-04-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech physics.class-ph
Plasma-Treated Polymeric Biomaterials for Improved Surface and Cell Adhesion
本文综述了低温等离子体处理聚合物生物材料表面的物理化学机制及其对细胞粘附的增强作用，强调了该技术在组织工程和再生医学中的应用前景。
2025-04-04 cond-mat.mtrl-sci physics.bio-ph physics.plasm-ph
Effects of size of an oxide layer on the surface properties of lithium irradiated by deuterium plasma
本研究探究氧化膜生长对聚变装置面向等离子体表面锂膜氘循环特性的影响，明确氧杂质的成层机制，并提出通过测量氘粒子反射概率测定氧化层厚度的可行方法。
2024-10-29 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph physics.atom-ph
Optical properties of ScN layers grown on Al$_{2}$O$_{3}$(0001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy
本研究通过多种光谱技术测定了等离子体辅助分子束外延生长的ScN薄膜的光学常数、能带临界点、振动特性和发光行为，揭示了缺陷与氧浓度对其光学性质的影响。
2023-06-15 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Coupled simulation of plasma-surface interactions during early stages of vacuum arcing
Institute of Technology, University of Tartu（塔尔图大学技术学院）
通过耦合分子动力学、有限元电热计算、电子发射和粒子网格等离子体模拟，研究了真空电弧早期阶段从原子尺度阴极动力学到等离子体形成的两种热失控路径。
2026-06-04 cond-mat.mtrl-sci physics.acc-ph physics.plasm-ph
Plasma-induced surface cooling
在这里，我们表明，尽管大量的入射通量的高能物质，等离子体可以诱导材料表面的瞬态冷却。使用时间分辨光学测温原位与此等离子体激发，我们揭示了新的基本物理驱动这种“等离子体冷却”，这是由不同的化学和高能物种，包括这第四种状态的物质。我们表明，等离子体中的光子和大质量粒子赋予表面上不同的化学物质能量，导致局部和时间变化的温度，导致样品表面温度的增加和降低，即使能量被赋予材料。这种平衡来自于化学反应、动量转移和能量交换之间的相互作用，这些反应发生在皮秒到毫秒的不同时间尺度上。因此，我们表明，通过用等离子体大力激发材料，我们可以诱导冷却，这可以导致制冷和热缓解的革命性进展，这种新工艺不会受到当前最先进系统中相同限制的抑制。
2021-08-04 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph physics.plasm-ph
