Resonant and non-dissipative tunneling in independently contacted graphene structures
计算了由氮化硼绝缘体隔开的独立接触的石墨烯片之间的隧穿电流。两个耗散隧穿跃迁，由于无序散射的动量转移，和非耗散制度的隧道，这是由于交叉的电子和空穴分支的能谱，被描述。对于背栅和双栅结构，考虑了隧穿电流对顶部和底部石墨烯层中的浓度的依赖性，所述浓度由通过独立接触和栅极施加的电压决定。背栅结构的电流-电压特性与最近的实验[Science 335，947（2012）]一致。对于双栅极结构，共振耗散隧穿导致响应的十倍增强，这对于晶体管应用是重要的。
2013-01-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Dynamic instability in resonant tunneling
我们证明了当共振位于发射极费米能级附近时，一维、二维和三维量子阱的共振隧穿都可能存在不稳定性。一个简单的半经典模型，它模拟的共振和投影态密度的非线性导体，库仑势垒的电容，和时间演化的迭代映射，使用。该模型再现了所观察到的滞后在这样的设备，并表现出一系列的分叉导致快速混沌电流波动。
2001-06-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Strain-induced enhancement of the Seebeck effect in magnetic tunneling junctions via interface resonant tunneling: Ab-initio study
采用线性响应理论结合基于第一性原理的Landauer-Büttiker方法研究了Fe/MgO/Fe（001）磁性隧道结的热电特性。我们发现Fe/MgO/Fe（001）MTJ的Seebeck系数强烈地依赖于势垒厚度和四角畸变。在MTJ中的面内晶格参数的压缩四元畸变提供刚好在费米能量之上的界面共振态。这导致MTJ中的共振隧穿，并且当MgO势垒的厚度为约1 nm（四个或五个MgO原子层）时显著增强塞贝克系数。此外，一个广泛的面内晶格参数的tetravel扭曲推动界面态远离费米能，导致塞贝克系数的减少。此外，我们发现界面共振隧穿增强了MTJ的压缩失真的功率因数。这些结果表明，控制势垒厚度和四端畸变将是有效的最大限度地提高MTJ的热电性能。
2020-03-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
In-plane Chiral Tunneling and Out-of-plane Valley-polarized Quantum Tunneling in Twisted Graphene Trilayer
在这里，我们表明，扭曲的石墨烯三层由错误取向堆叠的石墨烯单层上的Bernal石墨烯双层可以表现出丰富的和定制的电子特性。对于石墨烯单层和双层是强耦合的情况，无质量的狄拉克费米子和大量的手征费米子共存于扭曲的三层中，导致独特的面内手征隧穿。对于两个石墨烯系统之间的弱耦合，单层和双层中准粒子的不同手性和赝自旋纹理使它们之间的垂直谷极化量子隧穿成为可能。有趣的是，谷极化的极性可以通过控制两个系统之间的旋转角度来反转。我们的研究结果表明，从单个原子平面组装的层状范德华结构可以创造出具有不寻常特性和新功能的材料，这取决于晶体层的堆叠方式。
2014-07-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin-Conserving Resonant Tunneling in Twist-Controlled WSe2-hBN-WSe2 Heterostructures
我们研究异质结构的层间隧穿由两个钨二硒化物（WSe 2）单层与控制旋转对齐，并分开的六方氮化硼。在两个WSe 2单层旋转排列的样品中，我们观察到共振隧穿，表现为在零层间偏压附近的大电导和负微分电阻，这源于能量和动量守恒隧穿。由于自旋-轨道耦合导致耦合的自旋-谷自由度，两个WSe 2单层之间的扭曲允许我们探测隧穿中自旋-谷自由度的守恒。在异质结构中，两个WSe 2单层具有180°的相对扭曲，使得一层的布里渊区与相对层的时间反演布里渊区对齐，层之间的共振隧穿被抑制。这些研究结果提供的证据表明，除了动量，自旋谷自由度也保存在垂直运输。
2018-09-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Ferromagnetic resonant tunneling diodes as spin polarimeters and polarizers
提出了一种基于自旋相关共振隧穿测量磁性材料自旋极化度的方法。我们考虑的器件是一个弹道双势垒谐振结构，由嵌入在两个绝缘势垒之间的铁磁层组成。一个简单的程序，基于详细分析的微分电导，可以准确地确定铁磁体的极化。这种系统的自旋过滤字符进一步解决。我们表明，在适当的条件下，可以实现100%的自旋选择性。这种方法被认为是非常适合于稀磁半导体异质结构的调查。
2002-12-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin injection and detection by resonant tunneling structure
本文提出了非中心对称半导体化合物共振隧穿二极管（RTD）中自旋相关电子传输的理论。已经表明RTD可以用于自旋极化载流子的注入和检测：（i）界面平面中的电流流动导致传输载流子的自旋极化，（ii）自旋极化载流子通过RTD的传输伴随着面内电流的产生。这种效应的微观根源是自旋-轨道耦合引起的共振能级分裂。
2004-06-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Dark channels in resonant tunneling transport through artificial atoms
我们调查顺序隧穿通过一个多级量子点限制多个电子，在该制度中，几个通道可用于在偏置窗口内的运输。通过分析约化密度矩阵主方程的解，给出了偏压窗口中第二个输运通道的存在猝灭通过量子点输运的一般条件。这些条件是在不同的隧道各向异性，这可能有助于解释发生在量子点的非线性制度的负微分电导。
2009-02-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin-polarized Zener tunneling in (Ga,Mn)As
通过对（Ga，Mn）As基齐纳隧道二极管的测量，研究了自旋极化带间隧穿效应。通过将二极管置于反向偏压下，电子自旋极化从p型（Ga，Mn）As的价带转移到相邻n-GaAs层的导带。所产生的电流被监测注入到一个量子阱发光二极管的电致发光极化被发现跟踪的（Ga，Mn）As层的磁化作为温度和磁场的函数。
2001-10-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin to charge conversion at Rashba-split SrTiO$_3$ interfaces from resonant tunneling
自旋-电荷相互转换是自旋电子学中一个非常活跃的研究方向。然而，一些最有前途的系统，如SrTiO $_3$（STO）接口的复杂行为还没有完全理解。本文基于六带$\boldsymbol{k.p}$方法，结合自旋分辨散射理论，给出了STO Rashba界面横向自旋-电荷相互转换物理的理论证明.计算涉及注入自旋电流从铁磁接触的共振隧穿到本地Rashba分裂共振水平的STO三角形量子阱。我们计算了一个不对称的隧道电子传输产生的横向电荷电流在平面内流动，与栅电压的依赖性与现有的实验数据非常吻合。
2022-01-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Bias voltage controlled magnetization switch in ferromagnetic semiconductor resonant tunneling diodes
我们预测，居里温度的铁磁共振隧穿二极管会突然下降，约2倍，当下游的化学势低于量子阱共振能量。这个属性如下从基本量子输运理论的概念结合了平均场描述的稀磁半导体铁磁性。我们说明了这种效果，通过求解耦合非平衡格林函数，磁平均场，和静电泊松方程自洽预测的偏置电压和温度依赖的模型系统的磁化强度。
2004-10-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin dependent resonant tunneling through 6 micron diameter double barrier resonant tunneling diode
基于顺磁Zn_（1-x-y）MnyCd_xSe系统的垂直共振隧穿二极管（RTD）已被制作成柱直径小至~ 6 μ m。该二极管在4.2K的温度下通过量子阱的电子子带表现出高质量的共振隧穿特性，其中除了主峰之外还可观察到清晰的声子副本。这两个峰都显示了在外加磁场中的巨大塞曼分裂。采用自洽实时格林函数法，模拟了其电流-电压特性，与实测结果吻合较好。
2007-05-10 cond-mat.mes-hall
Resonant Tunneling through S- and U-shaped Graphene Nanoribbons
我们从理论上研究了通过S形和U形纳米结构石墨烯纳米带的共振隧穿。在中间区域发现了丰富的共振隧穿峰结构，这些峰从不同的准束缚态发出。隧道电流可以通过改变费米能量来打开和关闭。共振隧穿的可调谐性通过改变左引线和/或右引线的宽度来实现，并且不使用任何外部栅极。
2009-11-04 cond-mat.mes-hall
Sequential resonant tunneling in quantum cascade lasers
考虑到明确的弹性散射的二维子带之间的顺序共振隧穿输运模型进行了研究。它是比较量子级联激光器的共振隧穿过程中进行的运输测量是已知的占主导地位。在很大的电流，温度和器件结构范围内，实验和理论之间的良好协议。
2008-10-01 cond-mat.mes-hall
Resonant tunneling through double-barrier structures on graphene
在紧束缚近似下研究了石墨烯双势垒结构的量子共振隧穿行为。对于能量接近狄拉克点的准粒子，我们证明了克莱因隧穿和共振隧穿。克莱因隧穿消失的势垒的高度增加到300 meV以上。狄拉克输运性质不断地向薛定谔输运性质转变。结果表明，在适当的边界条件下，共振隧穿峰近似于石墨烯纳米带的本征能级。给出了锯齿形和扶手椅形边缘障碍物之间的比较。
2014-04-30 cond-mat.mes-hall
Valley-dependent resonant tunneling through double magnetic barriers in suspended graphene
从理论上研究了应变诱导赝磁场对悬浮石墨烯中狄拉克费米子输运几率和弹道电导的影响。我们表明，通过双磁势垒的共振隧穿可以在悬浮区的应变调谐。谷分辨透射峰由于共振隧穿的尖锐性而明显可区分。在特定的应变下，占据一个谷的狄拉克费米子的共振隧穿被完全抑制，而占据另一个谷的狄拉克费米子的共振隧穿存在。谷过滤效应有望通过应变工程来测量。所提出的系统可以用来制作一个大的谷偏振几乎100%的石墨烯谷滤波器。
2014-02-18 cond-mat.mes-hall
Zero field spin polarization in a 2D paramagnetic resonant tunneling diode
研究了量子阱层中含有稀磁杂质的全Ⅱ-Ⅵ族半导体共振隧穿二极管的I-V特性。束缚磁极化子态形成在势阱界面附近的波动，而隧穿电子穿越这些接口量子点。由此产生的微观磁序提升了共振隧穿态的简并性。虽然没有宏观磁化，但由于零场分裂，所产生的共振隧穿电流在零磁场下高度自旋极化。详细的模拟表明，在没有外部磁场的情况下，局部自旋极化效率超过90%。
2010-12-20 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted tunneling in asymmetric resonant tunneling structures
基于介质连续模型，计算了一般双势垒共振隧穿结构（DBRTS）的声子辅助隧穿电流，包括对称和反对称双势垒共振隧穿结构。结果表明，四种高频界面声子模（特别是在发射极势垒两侧界面处的声子模）主导了PAT过程，使DBRTS的谷电流增大，PVR减小.我们发现，一个不对称的结构可以导致性能的改善。
1998-10-28 cond-mat.mes-hall
Acoustic Phonon-Assisted Resonant Tunneling via Single Impurities
我们进行的调查，共振隧穿通过杂质嵌入在一个单一的GaAs/AlGaAs异质结的AlAs势垒。在30 mK下测量的$I(V)$特性中，分辨出了单个施主的贡献，并看到了隧穿过程中声子辅助的指纹。后者证实了详细分析的隧穿率和建模的共振隧穿电流的贡献。此外，观察到的DOS（LDOS）和费米边缘奇异的局部结构的波动。
2004-02-26 cond-mat.mes-hall
Room temperature observation of electron resonant tunneling through InAs/AlAs quantum dots
采用分子束外延技术制备了自组装InAs/AlAs量子点共振隧穿二极管。共振隧穿电流叠加在热电流上，它们构成了器件中总的电子输运。电流-电压特性中的台阶和电容-电压特性中的峰值被解释为在77 K或300 K下经由量子点的电子共振隧穿，并且这是第一次在室温下在III-V族量子点材料中观察到共振隧穿。曲线中的滞后环归因于量子点的热电子注入/发射过程，这表明伴随的充电/放电效应。
2007-12-06 cond-mat.mes-hall
Resonant tunneling through zero-dimensional impurity states: Effects of a finite temperature
我们进行了非对称垂直双势垒隧穿结构中单个杂质的温度相关隧穿实验。特别是在充电方向，我们观察到在零磁场的共振隧穿电流通过杂质的起始电压的一个明确的转变。当施加磁场时，位移开始消失。实验观察解释的共振隧穿通过自旋简并杂质水平。
2000-09-22 cond-mat.mes-hall
Defeating Broken Symmetry with Doping: Symmetric Resonant Tunneling in Noncentrosymetric Heterostructures
极性异质结中的共振隧穿输运与几何贝里相产生的极化场密切相关。在这些结构中，量子限制的结果不仅在一个离散的电子光谱，而且在内置的极化电荷表现出破坏反转对称沿运输方向。因此，电子相对于电流方向经历高度不对称的量子干涉效应。通过采用掺杂来对抗对称性破缺，我们确定性地控制通过GAN/AlN共振隧穿二极管的共振传输，并实验证明了在非中心对称双势垒电位的对称共振隧穿注入的恢复。
2023-03-15 cond-mat.mes-hall
Resonant tunneling in GaAs/AlGaAs triple-barrier structures under uniform transverse magnetic field
研究了面内磁场对对称GaAs/AlYGa 1-YAs三势垒共振隧穿TBRT结构共振隧穿的影响。对于地和第一激发的谐振偶极子的谐振线的分裂（以及因此耦合能量与磁感应）通过增加磁感应而在能量上向上移动。共振色散关系中的各个分支随回旋轨道中心的位置呈抛物线状变化。在很高的场作用下，由于基态准重子中电子态之间的声子耦合，与束缚声子的相互作用可能会增强。
2000-03-23 cond-mat.mes-hall
Broken Symmetry Effects due to Polarization on Resonant Tunneling Transport in Double-Barrier Nitride Heterostructures
采用实验和理论相结合的方法，系统地研究了极性双势垒异质结构中的共振隧穿输运现象。在实验方面，GaN/AlN RTD的MBE生长。原位电子衍射被用来监测并入每个隧穿势垒的单层的数量。使用这种精确的外延控制在单层水平，我们证明了指数调制的共振隧穿电流作为势垒厚度的函数。峰值电压和特征阈值偏置都表现出对势垒厚度的依赖性，作为极性异质结构中存在的强电场的结果。为了进一步深入了解非对称隧穿注入，我们提出了一个极性异质结隧穿输运的解析理论。给出了考虑相干隧穿过程和有序隧穿过程贡献的共振隧穿电流的一般表达式。在将此理论应用于GaN/AlN RTD的情况下，其实验电流-电压特性在两个偏置极性上再现，隧穿电流跨越几个数量级。这种协议使我们能够阐明的作用所发挥的内部极化场的隧穿电流的大小和扩大的共振线的形状。在反向偏置下，我们确定了新的隧穿功能，源自高度衰减的共振隧穿现象，这是完全捕获我们的模型。我们的分析模型，提供了一个简单的表达式，揭示了极性RTD的设计参数和它的电流-电压特性之间的联系。这种新的理论铺平了道路极性共振隧穿器件的设计表现出高效的谐振电流注入和增强的隧穿动力学，在各种实际应用中所需的。
2023-03-15 cond-mat.mes-hall
Graphene-based resonant-tunneling strucures
通过石墨烯基双势垒（阱）的共振电子传输作为入射波矢量，势垒（阱）的宽度和高度（深度），以及它们之间的分离的函数进行了研究。透射中的共振特征是由阱中的共振电子态或势垒中的空穴态引起的，并且强烈影响结构的弹道电导。
2007-02-26 cond-mat.mes-hall
Resonant Tunneling in a Dissipative Environment
我们测量了通过连接到电阻金属引线的碳纳米管量子点中的单个量子能级的隧穿。对于电子隧穿到纳米管/从纳米管隧穿，引线充当耗散环境，其抑制隧穿速率。在顺序隧穿的情况下，单电子电导峰的高度随着温度的降低而增加，尽管它比传统的1/T更周地缩放。在共振隧穿区（温度小于能级宽度），峰宽接近饱和，而峰高开始下降。总的来说，峰高显示出非单调的温度依赖性。我们将这种不寻常的行为与耗散环境中通过单个量子能级从序贯隧穿到共振隧穿的转变联系起来。
2010-10-07 cond-mat.mes-hall
Resonant tunneling through a quantum dot weakly coupled to quantum wires or quantum Hall edge states
讨论了弱耦合量子点与Tomonaga-Luttinger液体的共振隧穿。由于顺序隧穿的线性电导计算通过求解主方程的温度低于和高于平均水平间距的点。当表征Tomonaga-Luttinger液体的参数g小于1/2时，共振隧穿过程在零温度下是不相干的。在低温T下，库仑阻塞振荡中电导峰的高度和宽度分别与T^{（1/g）-2}和T成正比。隧道通过一个虚拟的中间状态（cotunneling）的贡献也包括在内。所得的电导公式可以应用于填充因子nu=1/（2 m +1）=g的分数量子霍尔液体边缘态之间的共振隧穿。
1997-12-04 cond-mat.mes-hall
Time-dependent resonant tunneling for a parallel-coupled double quantum dots
本文利用非平衡格林函数，推导了在连续隧穿机制下两个垂直耦合量子点嵌入Aharonov-Bohm干涉仪两臂的量子速率方程。基于这些方程，我们研究了小振幅辐照下的含时共振隧穿，发现光电流中的共振光子辅助隧穿峰表现出Fano共振和Lorentzian共振的组合行为，这是由于在这种平行结构中两条路径之间的干涉效应，这是通过在该器件内部穿过磁通量来控制的。
2004-03-30 cond-mat.mes-hall
Repeatable Room Temperature Negative Differential Conductance in GaN/AlN Resonant Tunneling Diodes
采用分子束外延技术在市售GAN衬底（0001）面上生长了GAN/AlN双势垒共振隧穿异质结构。共振隧穿二极管的制作，室温下的电流-电压测量揭示了一个负微分电导区的存在下，正向偏压的峰值电流密度为~6.4 $kA/cm^2$和峰谷电流比为~1.3。反向偏置操作呈现出与异质结构中存在的极化场密切相关的特征导通阈值电压。一个分析静电模型的开发，以捕捉独特的功能极性异质结为基础的共振隧穿二极管的谐振和阈值电压的设计参数和极化场的函数。随后的测量证实了负电导的可重复性，并表明III族氮化物隧穿异质结构能够在室温下实现稳健的共振传输。
2016-06-26 cond-mat.mes-hall
Control of charging in resonant tunneling through InAs nanocrystal quantum dots
用扫描隧道显微镜测量了沉积在石墨上的InAs纳米晶体的双势垒隧道结结构的隧道能谱。实验研究了结对称性对隧穿谱的影响，并建立了理论模型。当尖端缩回时，我们观察到共振隧穿通过不带电的π态。这与之前通过连接分子锚定到金上的类似纳米晶体的测量结果相反，其中发生了充电。在减小尖端-尖端距离时重新充电，使得结更加对称。还讨论了结间电压分布对测量光谱的影响。
2001-03-05 cond-mat.mes-hall
Resonant Tunneling and Intrinsic Bistability in Twisted Graphene Structures
我们预测，扭曲的石墨烯层形成的异质结构中的垂直输运可以表现出独特的双稳态机制。内禀$I$ - $V$特性由共振隧穿和层间电荷耦合引起，从而在顺序隧穿机制中实现多个稳定状态。我们考虑一个简单的三层结构，外层作为源极和漏极，中间层浮置。在偏置下，中间层可以与源极和漏极层谐振或不谐振。该双稳态由实验中易于调节的器件几何参数控制。纳米级架构可以实现独特的快速开关时间。
2016-08-12 cond-mat.mes-hall
Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer
采用分子束外延技术制备了自组装InAs/GaAs量子点肖特基共振隧穿二极管。由于AlAs插入势垒的存在，有效地降低了热电流，在77 K的高温下观察到了电子在正向和反向偏压条件下通过量子点的共振隧穿.量子点的基态位于GaAs基体导带之下~0.19eV处。理论计算与实验数据相符合。
2007-12-06 cond-mat.mes-hall
Shot noise in resonant tunneling through a zero-dimensional state with a complex energy spectrum
我们研究了GaAs/AlGaAs共振隧穿结构在偏压下的噪声特性，其中电流特性由单电子隧穿决定。我们在耦合二态系统的框架下讨论了散粒噪声的抑制。对于大的偏置电压，我们观察到超泊松散粒噪声的Fano因子$α\approx 10$的值。
2004-02-13 cond-mat.mes-hall
Quantum size effects on spin-tunneling time in a magnetic resonant tunneling diode
从理论上研究了（Zn，Mn）Se稀磁半导体层磁共振隧穿二极管（RTD）的量子尺寸效应对电子自旋隧穿时间和自旋极化的影响。结果表明，自旋隧穿时间可能会发生振荡，并且自旋方向相反的电子的隧穿时间会因系统参数的不同而有很大的差异。我们还研究了结构不对称性的影响，这是有关的厚度的差异的双折射层。研究发现，结构的不对称性对电子隧穿磁性RTD的时间和自旋极化有很大的影响。结果表明，通过选择合适的层厚，可以设计出高速、理想的自旋滤波二极管。
2009-10-24 cond-mat.mes-hall
Controlling the rate of resonant tunneling between quantum wells by relocating the wave function within a quantum well
通过调整量子阱内薄势垒配置来移动波函数位置，从而控制量子阱间共振隧穿速率，实现了对隧穿时间的有效调控。
2025-04-21 cond-mat.mes-hall
Resonant tunneling of interacting electrons in a one-dimensional wire
我们考虑的电导的一维线中断的双势垒结构，允许一个谐振水平。使用的电子-电子相互作用强度作为一个小参数，我们能够建立一个非微扰的分析理论的电导有效的在一个广泛的区域的温度和各种障碍参数。我们发现，电导可能有一个非单调的交叉依赖于温度，具体的共振隧穿在相互作用的电子系统。
2003-02-10 cond-mat.mes-hall
Macroscopic resonant tunneling of magnetic flux
我们发展了SQUID系统中宏观离散量子态之间磁通量共振隧穿的定量理论。该理论基于标准密度矩阵方法。它的新内容包括讨论双阱势存在的两种不同的弛豫机制，以及描述由外部射频辐射驱动的“光子辅助”隧穿。结果表明，在相干磁通动力学的情况下，射频辐射应导致共振磁通隧穿峰的分裂，这表明共振隧穿是一个方便的工具，用于研究宏观量子相干性的磁通。
2000-05-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Andreev reflection resonant tunneling through a precessing spin
本文研究了旋进自旋与普通金属导线和超导导线耦合时的Andreev反射共振隧穿。利用非平衡格林函数方法，得到了零温下AR电导随化学势和自旋旋进方位角的变化关系式。研究发现，当局域自旋在弱外磁场中以Larmor频率$ω_l$进动时，AR隧穿电导仅在频率$2ω_l$处出现振荡. AR电导振荡的幅度随着自旋翻转隧穿耦合的增加而增大。研究还表明，隧穿势垒中的自旋-轨道相互作用是AR电导振荡的关键。研究了自旋轨道相互作用引起的自旋翻转隧穿耦合和局域自旋旋进对AR电导共振行为的影响。
2004-09-11 cond-mat.mes-hall
The Effects of Resonant Tunneling on Magnetoresistance through a Q uantum Dot
从理论上研究了双结系统中共振隧穿效应对磁电阻效应的影响。我们发现，在磁场的变化下，随着分立能级的变化，共振峰电流的MR比比单结的MR比减小，而谷电流的MR比增大。我们还发现，峰值电流谷值电流（PV）的比例下降时，结电导增加。
1998-06-26 cond-mat.mes-hall
PT-symmetry breaking in resonant tunneling heterostructures
提出了基于对称共振隧穿异质结的费米子模型，证明了在空间反转（P）和时间反转（T）联合作用下的自发对称性破缺。PT对称性破缺表现为共振聚结（共振的坍缩）。我们表明，共振能量的特征值的辅助伪厄米PT不变哈密顿。
2016-04-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Tunable Negative Differential Resistance in Planer Graphene Superlattice Resonant Tunneling Diode
在本文中，我们报告了可控的负微分电阻（NDR）在一个拟议的平面石墨烯超晶格结构。预测峰谷比（PVR）的高值。这是重要的，因为在低偏压下出现具有高PVR的NDR。我们的发现是重要的，因为除了石墨烯的其他潜在应用之外，还提出了在电子器件（例如共振隧穿二极管和滤波器）中实现基于石墨烯的超晶格。
2017-03-01 cond-mat.mes-hall
Resonant Tunneling in Truly Axial Symmetry Mn12 Single-Molecule Magnets: Sharp Crossover between Thermally Assisted and Pure Quantum Tunneling
自旋基态S = 10的真正轴对称Mn 12-tBuAc分子纳米磁体的磁化强度测量显示共振隧穿。该化合物具有与Mn 12-Ac相同的磁各向异性，但分子更好地分离，晶体具有更少的无序和更高的对称性。在几个温度下的磁滞回线测量揭示了一个很好的解决步骤精细结构，这是由于激发态的水平交叉。所有的阶跃位置都可以用一个简单的自旋哈密顿量来模拟。热辅助和纯量子隧穿之间的交叉可以用前所未有的细节来研究。
2005-08-19 cond-mat.mes-hall
Tuning a Resonance in the Fock Space: Optimization of Phonon Emission in a Resonant Tunneling Device
双势垒共振隧穿器件中的声子辅助隧穿可以看作是电子-声子Fock空间中的共振，其由所施加的电压调谐。我们表明，几何参数可以诱导在这个空间中的对称性条件，可以强烈增强纵向光学声子的发射。对于具有薄发射极势垒的器件，这通过较宽的集电极势垒来实现。
2001-11-06 cond-mat.mes-hall
Resonant and Kondo tunneling through molecular magnets
通过分子磁体的运输研究在政权的强耦合的铅。我们考虑一个共振隧穿模型，其中量子点或分子中的电子自旋通过交换相互作用耦合到另外的局部各向异性自旋。两个相反的制度占主导地位的共振隧穿和近藤运输，分别被认为是。在共振隧穿制度，杂质自旋的定态计算任意强的分子铅耦合使用主方程的方法，它对待交换相互作用微扰。我们发现，即使杂化能量超过热能，微分电导中的特征精细结构仍然存在。运输近藤政权内的图解方法进行了研究。我们表明，磁各向异性引起分裂的近藤峰在低偏置电压。
2010-01-28 cond-mat.mes-hall
Tuning the onset voltage of resonant tunneling through InAs quantum dots by growth parameters
我们研究了镶嵌在共振隧穿二极管中的自组装InAs量子点的基态能量与尺寸的关系。在电流-电压特性中观察到的个别电流阶跃归因于经由个别InAs量子点的基态的共振单电子隧穿。所观察到的第一步的起始电压被示出系统地从200 mV降低到0，随着InAs覆盖率的增加。我们与此相关的覆盖范围依赖的尺寸生长在AlAs上的InAs点。原子力显微照片和参考样品的光致发光实验证实了这一结果。
2002-10-17 cond-mat.mes-hall
Resonant tunneling through a macroscopic charge state in a superconducting SET transistor
我们从理论上预言并在实验中观察到，超导SET晶体管的微分电导出现一个峰，它完全类似于宏观系统中与隧穿单个量子态有关的标准共振隧穿峰。特别地，在对称晶体管中，峰高是通用的并且等于$e^2/2π\hbar$。远离谐振，我们清楚地观察到的共同隧穿电流，与正常的金属晶体管的偏置电压线性变化。
1997-01-30 cond-mat.mes-hall
Resonant tunneling in graphene pseudomagnetic quantum dots
通过无偏原子力学模拟得到了三轴应变石墨烯量子点的真实弛豫构型。研究了基于这种量子点的y结的局域电子结构和量子输运特性，揭示了由应变引起的准均匀赝磁场将输运限制为朗道能级和边缘态辅助的共振隧穿.谷简并被打破的存在下的一个外部的字段，允许选择性过滤的谷和手征的状态，协助共振隧穿。可以探索不对称的应变条件来选择y形结的出口通道。
2013-06-19 cond-mat.mes-hall
Enhancement of Spin-transfer torque switching via resonant tunneling
我们建议使用共振隧穿作为一种途径，以提高自旋转移力矩开关特性的磁性隧道结。所提出的器件结构是基于夹在固定磁体和自由磁体之间的MgO-半导体异质结构的共振隧穿磁性隧道结。使用非平衡格林函数形式主义耦合自一贯的Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski方程，我们证明了增强的隧道磁阻特性，以及较低的开关电压相比，传统的三层器件。两个基于MgO基异质结的器件设计，其中共振隧穿的物理导致增强的自旋转移力矩，从而降低临界开关电压高达44%。据设想，这里提出的概念验证可能会导致通过严格的材料和接口研究的实际设备设计。
2014-11-24 cond-mat.mes-hall
Fermi-edge Singularity in II-VI Semiconductor Resonant Tunneling Structures
我们报道了在II-VI族半导体异质结中观察到费米边增强的共振隧穿输运。通过自组装的CdSe量子点的共振运输生存高达45 K和探针的无序的二维（2D）的发射器，占主导地位的磁场依赖的运输。即使没有施加磁场，也可以清楚地观察到通过许多粒子效应的隧道电流的增强。隧道电流中的额外精细结构表明，虽然传统的费米边缘奇异性理论成功地再现了传输增加的一般特征，但它不足以描述电流增强的所有细节。
2009-01-12 cond-mat.mes-hall
Non Linear Effects in Resonant Tunneling Throught a Quantum Dot
我们研究量子点中的非线性现象。非线性在I-V特性曲线中表现为电流的双稳、不稳定和随时间变化的振荡。非线性行为的性质取决于定义系统的参数。
1999-03-25 cond-mat.mes-hall
Superconductivity-induced macroscopic resonant tunneling
我们分析和数值模拟表明，通过$π$偏置混沌约瑟夫森结的电导增强了几个数量级的短波长制度。我们确定这种效果背后的机制为{ \it宏观共振隧穿}通过一个宏观数量的低能量准简并Andreev水平。
2007-10-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Periodicity of resonant tunneling current induced by the Stark resonances in semiconductor nanowire
研究了双势垒结构半导体纳米线斯塔克共振对电子流的影响。基于计算的电流-电压特性，我们已经表明，共振隧穿电流是间隔层的宽度的周期函数。我们还表明，源极-漏极电压和施加到位于纳米线附近的栅极的电压的同时变化导致作为源极-漏极和栅极电压的函数的共振隧穿电流的几乎周期性变化。共振隧穿电流的周期性是由斯塔克共振态的形成引起的。如果我们改变作用在纳米线中的电场，斯塔克态周期性地从输运窗口获得能量，并以周期性的方式增强隧穿电流。我们已经发现，源漏电压标度上的谐振电流峰之间的分离可以通过斯塔克态量子数的缓慢增加的线性函数来描述。这使我们能够识别负责增强共振隧穿的量子态。本文提出了一种半导体双势垒异质结构斯塔克共振的实验观测方法。
2013-05-10 cond-mat.mes-hall
Realization of a double barrier resonant tunneling diode for cavity polaritons
本文报道了利用一维腔体的横向图形化实现腔体极化激元的双势垒共振隧穿二极管。尖锐的传输共振时，证明发送到设备上的极化激元流。我们使用一个非共振的光束可以用来作为光闸和控制装置的传输。最后，我们的证据失真的传输配置文件时，去高密度制度，极化激元相互作用的签名。
2013-05-22 cond-mat.mes-hall
Evidence For Heavy Hole and Light Hole Current Separation in P-Type Resonant Tunneling Diodes With Prewells
我们研究了空穴通过$AlAs/In_{.10}Ga_{.90}As$共振隧穿二极管的输运，该二极管在发射极中使用$In_xGa_{1-x}As$预阱，其中使用$x=0,.10,$和$.20$。数据显示，随着x的增加，峰值电流和谐振时的偏置增加，同时峰谷比也增加。我们解释这种增强隧穿由于约束（或本地化）的电荷在预阱和形成的直接重（轻）空穴重（轻）空穴传导通道的结果。
2000-05-24 cond-mat.mes-hall
