Zero field spin polarization in a 2D paramagnetic resonant tunneling diode
研究了量子阱层中含有稀磁杂质的全Ⅱ-Ⅵ族半导体共振隧穿二极管的I-V特性。束缚磁极化子态形成在势阱界面附近的波动，而隧穿电子穿越这些接口量子点。由此产生的微观磁序提升了共振隧穿态的简并性。虽然没有宏观磁化，但由于零场分裂，所产生的共振隧穿电流在零磁场下高度自旋极化。详细的模拟表明，在没有外部磁场的情况下，局部自旋极化效率超过90%。
2010-12-20 cond-mat.mes-hall
Acoustic Phonon-Assisted Resonant Tunneling via Single Impurities
我们进行的调查，共振隧穿通过杂质嵌入在一个单一的GaAs/AlGaAs异质结的AlAs势垒。在30 mK下测量的$I(V)$特性中，分辨出了单个施主的贡献，并看到了隧穿过程中声子辅助的指纹。后者证实了详细分析的隧穿率和建模的共振隧穿电流的贡献。此外，观察到的DOS（LDOS）和费米边缘奇异的局部结构的波动。
2004-02-26 cond-mat.mes-hall
Room temperature observation of electron resonant tunneling through InAs/AlAs quantum dots
采用分子束外延技术制备了自组装InAs/AlAs量子点共振隧穿二极管。共振隧穿电流叠加在热电流上，它们构成了器件中总的电子输运。电流-电压特性中的台阶和电容-电压特性中的峰值被解释为在77 K或300 K下经由量子点的电子共振隧穿，并且这是第一次在室温下在III-V族量子点材料中观察到共振隧穿。曲线中的滞后环归因于量子点的热电子注入/发射过程，这表明伴随的充电/放电效应。
2007-12-06 cond-mat.mes-hall
Resonant tunneling through zero-dimensional impurity states: Effects of a finite temperature
我们进行了非对称垂直双势垒隧穿结构中单个杂质的温度相关隧穿实验。特别是在充电方向，我们观察到在零磁场的共振隧穿电流通过杂质的起始电压的一个明确的转变。当施加磁场时，位移开始消失。实验观察解释的共振隧穿通过自旋简并杂质水平。
2000-09-22 cond-mat.mes-hall
Defeating Broken Symmetry with Doping: Symmetric Resonant Tunneling in Noncentrosymetric Heterostructures
极性异质结中的共振隧穿输运与几何贝里相产生的极化场密切相关。在这些结构中，量子限制的结果不仅在一个离散的电子光谱，而且在内置的极化电荷表现出破坏反转对称沿运输方向。因此，电子相对于电流方向经历高度不对称的量子干涉效应。通过采用掺杂来对抗对称性破缺，我们确定性地控制通过GAN/AlN共振隧穿二极管的共振传输，并实验证明了在非中心对称双势垒电位的对称共振隧穿注入的恢复。
2023-03-15 cond-mat.mes-hall
Resonant tunneling in GaAs/AlGaAs triple-barrier structures under uniform transverse magnetic field
研究了面内磁场对对称GaAs/AlYGa 1-YAs三势垒共振隧穿TBRT结构共振隧穿的影响。对于地和第一激发的谐振偶极子的谐振线的分裂（以及因此耦合能量与磁感应）通过增加磁感应而在能量上向上移动。共振色散关系中的各个分支随回旋轨道中心的位置呈抛物线状变化。在很高的场作用下，由于基态准重子中电子态之间的声子耦合，与束缚声子的相互作用可能会增强。
2000-03-23 cond-mat.mes-hall
Broken Symmetry Effects due to Polarization on Resonant Tunneling Transport in Double-Barrier Nitride Heterostructures
采用实验和理论相结合的方法，系统地研究了极性双势垒异质结构中的共振隧穿输运现象。在实验方面，GaN/AlN RTD的MBE生长。原位电子衍射被用来监测并入每个隧穿势垒的单层的数量。使用这种精确的外延控制在单层水平，我们证明了指数调制的共振隧穿电流作为势垒厚度的函数。峰值电压和特征阈值偏置都表现出对势垒厚度的依赖性，作为极性异质结构中存在的强电场的结果。为了进一步深入了解非对称隧穿注入，我们提出了一个极性异质结隧穿输运的解析理论。给出了考虑相干隧穿过程和有序隧穿过程贡献的共振隧穿电流的一般表达式。在将此理论应用于GaN/AlN RTD的情况下，其实验电流-电压特性在两个偏置极性上再现，隧穿电流跨越几个数量级。这种协议使我们能够阐明的作用所发挥的内部极化场的隧穿电流的大小和扩大的共振线的形状。在反向偏置下，我们确定了新的隧穿功能，源自高度衰减的共振隧穿现象，这是完全捕获我们的模型。我们的分析模型，提供了一个简单的表达式，揭示了极性RTD的设计参数和它的电流-电压特性之间的联系。这种新的理论铺平了道路极性共振隧穿器件的设计表现出高效的谐振电流注入和增强的隧穿动力学，在各种实际应用中所需的。
2023-03-15 cond-mat.mes-hall
Graphene-based resonant-tunneling strucures
通过石墨烯基双势垒（阱）的共振电子传输作为入射波矢量，势垒（阱）的宽度和高度（深度），以及它们之间的分离的函数进行了研究。透射中的共振特征是由阱中的共振电子态或势垒中的空穴态引起的，并且强烈影响结构的弹道电导。
2007-02-26 cond-mat.mes-hall
Resonant Tunneling in a Dissipative Environment
我们测量了通过连接到电阻金属引线的碳纳米管量子点中的单个量子能级的隧穿。对于电子隧穿到纳米管/从纳米管隧穿，引线充当耗散环境，其抑制隧穿速率。在顺序隧穿的情况下，单电子电导峰的高度随着温度的降低而增加，尽管它比传统的1/T更周地缩放。在共振隧穿区（温度小于能级宽度），峰宽接近饱和，而峰高开始下降。总的来说，峰高显示出非单调的温度依赖性。我们将这种不寻常的行为与耗散环境中通过单个量子能级从序贯隧穿到共振隧穿的转变联系起来。
2010-10-07 cond-mat.mes-hall
Resonant tunneling through a quantum dot weakly coupled to quantum wires or quantum Hall edge states
讨论了弱耦合量子点与Tomonaga-Luttinger液体的共振隧穿。由于顺序隧穿的线性电导计算通过求解主方程的温度低于和高于平均水平间距的点。当表征Tomonaga-Luttinger液体的参数g小于1/2时，共振隧穿过程在零温度下是不相干的。在低温T下，库仑阻塞振荡中电导峰的高度和宽度分别与T^{（1/g）-2}和T成正比。隧道通过一个虚拟的中间状态（cotunneling）的贡献也包括在内。所得的电导公式可以应用于填充因子nu=1/（2 m +1）=g的分数量子霍尔液体边缘态之间的共振隧穿。
1997-12-04 cond-mat.mes-hall
Time-dependent resonant tunneling for a parallel-coupled double quantum dots
本文利用非平衡格林函数，推导了在连续隧穿机制下两个垂直耦合量子点嵌入Aharonov-Bohm干涉仪两臂的量子速率方程。基于这些方程，我们研究了小振幅辐照下的含时共振隧穿，发现光电流中的共振光子辅助隧穿峰表现出Fano共振和Lorentzian共振的组合行为，这是由于在这种平行结构中两条路径之间的干涉效应，这是通过在该器件内部穿过磁通量来控制的。
2004-03-30 cond-mat.mes-hall
Repeatable Room Temperature Negative Differential Conductance in GaN/AlN Resonant Tunneling Diodes
采用分子束外延技术在市售GAN衬底（0001）面上生长了GAN/AlN双势垒共振隧穿异质结构。共振隧穿二极管的制作，室温下的电流-电压测量揭示了一个负微分电导区的存在下，正向偏压的峰值电流密度为~6.4 $kA/cm^2$和峰谷电流比为~1.3。反向偏置操作呈现出与异质结构中存在的极化场密切相关的特征导通阈值电压。一个分析静电模型的开发，以捕捉独特的功能极性异质结为基础的共振隧穿二极管的谐振和阈值电压的设计参数和极化场的函数。随后的测量证实了负电导的可重复性，并表明III族氮化物隧穿异质结构能够在室温下实现稳健的共振传输。
2016-06-26 cond-mat.mes-hall
Control of charging in resonant tunneling through InAs nanocrystal quantum dots
用扫描隧道显微镜测量了沉积在石墨上的InAs纳米晶体的双势垒隧道结结构的隧道能谱。实验研究了结对称性对隧穿谱的影响，并建立了理论模型。当尖端缩回时，我们观察到共振隧穿通过不带电的π态。这与之前通过连接分子锚定到金上的类似纳米晶体的测量结果相反，其中发生了充电。在减小尖端-尖端距离时重新充电，使得结更加对称。还讨论了结间电压分布对测量光谱的影响。
2001-03-05 cond-mat.mes-hall
Resonant Tunneling and Intrinsic Bistability in Twisted Graphene Structures
我们预测，扭曲的石墨烯层形成的异质结构中的垂直输运可以表现出独特的双稳态机制。内禀$I$ - $V$特性由共振隧穿和层间电荷耦合引起，从而在顺序隧穿机制中实现多个稳定状态。我们考虑一个简单的三层结构，外层作为源极和漏极，中间层浮置。在偏置下，中间层可以与源极和漏极层谐振或不谐振。该双稳态由实验中易于调节的器件几何参数控制。纳米级架构可以实现独特的快速开关时间。
2016-08-12 cond-mat.mes-hall
Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer
采用分子束外延技术制备了自组装InAs/GaAs量子点肖特基共振隧穿二极管。由于AlAs插入势垒的存在，有效地降低了热电流，在77 K的高温下观察到了电子在正向和反向偏压条件下通过量子点的共振隧穿.量子点的基态位于GaAs基体导带之下~0.19eV处。理论计算与实验数据相符合。
2007-12-06 cond-mat.mes-hall
Shot noise in resonant tunneling through a zero-dimensional state with a complex energy spectrum
我们研究了GaAs/AlGaAs共振隧穿结构在偏压下的噪声特性，其中电流特性由单电子隧穿决定。我们在耦合二态系统的框架下讨论了散粒噪声的抑制。对于大的偏置电压，我们观察到超泊松散粒噪声的Fano因子$α\approx 10$的值。
2004-02-13 cond-mat.mes-hall
Quantum size effects on spin-tunneling time in a magnetic resonant tunneling diode
从理论上研究了（Zn，Mn）Se稀磁半导体层磁共振隧穿二极管（RTD）的量子尺寸效应对电子自旋隧穿时间和自旋极化的影响。结果表明，自旋隧穿时间可能会发生振荡，并且自旋方向相反的电子的隧穿时间会因系统参数的不同而有很大的差异。我们还研究了结构不对称性的影响，这是有关的厚度的差异的双折射层。研究发现，结构的不对称性对电子隧穿磁性RTD的时间和自旋极化有很大的影响。结果表明，通过选择合适的层厚，可以设计出高速、理想的自旋滤波二极管。
2009-10-24 cond-mat.mes-hall
Controlling the rate of resonant tunneling between quantum wells by relocating the wave function within a quantum well
通过调整量子阱内薄势垒配置来移动波函数位置，从而控制量子阱间共振隧穿速率，实现了对隧穿时间的有效调控。
2025-04-21 cond-mat.mes-hall
Resonant tunneling of interacting electrons in a one-dimensional wire
我们考虑的电导的一维线中断的双势垒结构，允许一个谐振水平。使用的电子-电子相互作用强度作为一个小参数，我们能够建立一个非微扰的分析理论的电导有效的在一个广泛的区域的温度和各种障碍参数。我们发现，电导可能有一个非单调的交叉依赖于温度，具体的共振隧穿在相互作用的电子系统。
2003-02-10 cond-mat.mes-hall
Andreev reflection resonant tunneling through a precessing spin
本文研究了旋进自旋与普通金属导线和超导导线耦合时的Andreev反射共振隧穿。利用非平衡格林函数方法，得到了零温下AR电导随化学势和自旋旋进方位角的变化关系式。研究发现，当局域自旋在弱外磁场中以Larmor频率$ω_l$进动时，AR隧穿电导仅在频率$2ω_l$处出现振荡. AR电导振荡的幅度随着自旋翻转隧穿耦合的增加而增大。研究还表明，隧穿势垒中的自旋-轨道相互作用是AR电导振荡的关键。研究了自旋轨道相互作用引起的自旋翻转隧穿耦合和局域自旋旋进对AR电导共振行为的影响。
2004-09-11 cond-mat.mes-hall
The Effects of Resonant Tunneling on Magnetoresistance through a Q uantum Dot
从理论上研究了双结系统中共振隧穿效应对磁电阻效应的影响。我们发现，在磁场的变化下，随着分立能级的变化，共振峰电流的MR比比单结的MR比减小，而谷电流的MR比增大。我们还发现，峰值电流谷值电流（PV）的比例下降时，结电导增加。
1998-06-26 cond-mat.mes-hall
Tunable Negative Differential Resistance in Planer Graphene Superlattice Resonant Tunneling Diode
在本文中，我们报告了可控的负微分电阻（NDR）在一个拟议的平面石墨烯超晶格结构。预测峰谷比（PVR）的高值。这是重要的，因为在低偏压下出现具有高PVR的NDR。我们的发现是重要的，因为除了石墨烯的其他潜在应用之外，还提出了在电子器件（例如共振隧穿二极管和滤波器）中实现基于石墨烯的超晶格。
2017-03-01 cond-mat.mes-hall
Resonant Tunneling in Truly Axial Symmetry Mn12 Single-Molecule Magnets: Sharp Crossover between Thermally Assisted and Pure Quantum Tunneling
自旋基态S = 10的真正轴对称Mn 12-tBuAc分子纳米磁体的磁化强度测量显示共振隧穿。该化合物具有与Mn 12-Ac相同的磁各向异性，但分子更好地分离，晶体具有更少的无序和更高的对称性。在几个温度下的磁滞回线测量揭示了一个很好的解决步骤精细结构，这是由于激发态的水平交叉。所有的阶跃位置都可以用一个简单的自旋哈密顿量来模拟。热辅助和纯量子隧穿之间的交叉可以用前所未有的细节来研究。
2005-08-19 cond-mat.mes-hall
Tuning a Resonance in the Fock Space: Optimization of Phonon Emission in a Resonant Tunneling Device
双势垒共振隧穿器件中的声子辅助隧穿可以看作是电子-声子Fock空间中的共振，其由所施加的电压调谐。我们表明，几何参数可以诱导在这个空间中的对称性条件，可以强烈增强纵向光学声子的发射。对于具有薄发射极势垒的器件，这通过较宽的集电极势垒来实现。
2001-11-06 cond-mat.mes-hall
Resonant and Kondo tunneling through molecular magnets
通过分子磁体的运输研究在政权的强耦合的铅。我们考虑一个共振隧穿模型，其中量子点或分子中的电子自旋通过交换相互作用耦合到另外的局部各向异性自旋。两个相反的制度占主导地位的共振隧穿和近藤运输，分别被认为是。在共振隧穿制度，杂质自旋的定态计算任意强的分子铅耦合使用主方程的方法，它对待交换相互作用微扰。我们发现，即使杂化能量超过热能，微分电导中的特征精细结构仍然存在。运输近藤政权内的图解方法进行了研究。我们表明，磁各向异性引起分裂的近藤峰在低偏置电压。
2010-01-28 cond-mat.mes-hall
Tuning the onset voltage of resonant tunneling through InAs quantum dots by growth parameters
我们研究了镶嵌在共振隧穿二极管中的自组装InAs量子点的基态能量与尺寸的关系。在电流-电压特性中观察到的个别电流阶跃归因于经由个别InAs量子点的基态的共振单电子隧穿。所观察到的第一步的起始电压被示出系统地从200 mV降低到0，随着InAs覆盖率的增加。我们与此相关的覆盖范围依赖的尺寸生长在AlAs上的InAs点。原子力显微照片和参考样品的光致发光实验证实了这一结果。
2002-10-17 cond-mat.mes-hall
Resonant tunneling through a macroscopic charge state in a superconducting SET transistor
我们从理论上预言并在实验中观察到，超导SET晶体管的微分电导出现一个峰，它完全类似于宏观系统中与隧穿单个量子态有关的标准共振隧穿峰。特别地，在对称晶体管中，峰高是通用的并且等于$e^2/2π\hbar$。远离谐振，我们清楚地观察到的共同隧穿电流，与正常的金属晶体管的偏置电压线性变化。
1997-01-30 cond-mat.mes-hall
Resonant tunneling in graphene pseudomagnetic quantum dots
通过无偏原子力学模拟得到了三轴应变石墨烯量子点的真实弛豫构型。研究了基于这种量子点的y结的局域电子结构和量子输运特性，揭示了由应变引起的准均匀赝磁场将输运限制为朗道能级和边缘态辅助的共振隧穿.谷简并被打破的存在下的一个外部的字段，允许选择性过滤的谷和手征的状态，协助共振隧穿。可以探索不对称的应变条件来选择y形结的出口通道。
2013-06-19 cond-mat.mes-hall
Enhancement of Spin-transfer torque switching via resonant tunneling
我们建议使用共振隧穿作为一种途径，以提高自旋转移力矩开关特性的磁性隧道结。所提出的器件结构是基于夹在固定磁体和自由磁体之间的MgO-半导体异质结构的共振隧穿磁性隧道结。使用非平衡格林函数形式主义耦合自一贯的Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski方程，我们证明了增强的隧道磁阻特性，以及较低的开关电压相比，传统的三层器件。两个基于MgO基异质结的器件设计，其中共振隧穿的物理导致增强的自旋转移力矩，从而降低临界开关电压高达44%。据设想，这里提出的概念验证可能会导致通过严格的材料和接口研究的实际设备设计。
2014-11-24 cond-mat.mes-hall
Fermi-edge Singularity in II-VI Semiconductor Resonant Tunneling Structures
我们报道了在II-VI族半导体异质结中观察到费米边增强的共振隧穿输运。通过自组装的CdSe量子点的共振运输生存高达45 K和探针的无序的二维（2D）的发射器，占主导地位的磁场依赖的运输。即使没有施加磁场，也可以清楚地观察到通过许多粒子效应的隧道电流的增强。隧道电流中的额外精细结构表明，虽然传统的费米边缘奇异性理论成功地再现了传输增加的一般特征，但它不足以描述电流增强的所有细节。
2009-01-12 cond-mat.mes-hall
Non Linear Effects in Resonant Tunneling Throught a Quantum Dot
我们研究量子点中的非线性现象。非线性在I-V特性曲线中表现为电流的双稳、不稳定和随时间变化的振荡。非线性行为的性质取决于定义系统的参数。
1999-03-25 cond-mat.mes-hall
Low energy anomalies in electron tunneling through strongly asymmetric Majorana nanowire
研究了电子输运在具有强非对称耦合的Majorana纳米线中的输运。在三个终端的几何形状（电接地的纳米线），它示出了无偏置电极的存在下恢复零偏置异常，即使强马约拉纳能量分裂。对于有效的两个终端的几何形状，我们表明，通过非对称马约拉纳结的电流是定性的不同，从类似的电流通过一个谐振（布赖特-维格纳）的水平。
2016-02-05 cond-mat.mes-hall
Periodicity of resonant tunneling current induced by the Stark resonances in semiconductor nanowire
研究了双势垒结构半导体纳米线斯塔克共振对电子流的影响。基于计算的电流-电压特性，我们已经表明，共振隧穿电流是间隔层的宽度的周期函数。我们还表明，源极-漏极电压和施加到位于纳米线附近的栅极的电压的同时变化导致作为源极-漏极和栅极电压的函数的共振隧穿电流的几乎周期性变化。共振隧穿电流的周期性是由斯塔克共振态的形成引起的。如果我们改变作用在纳米线中的电场，斯塔克态周期性地从输运窗口获得能量，并以周期性的方式增强隧穿电流。我们已经发现，源漏电压标度上的谐振电流峰之间的分离可以通过斯塔克态量子数的缓慢增加的线性函数来描述。这使我们能够识别负责增强共振隧穿的量子态。本文提出了一种半导体双势垒异质结构斯塔克共振的实验观测方法。
2013-05-10 cond-mat.mes-hall
Realization of a double barrier resonant tunneling diode for cavity polaritons
本文报道了利用一维腔体的横向图形化实现腔体极化激元的双势垒共振隧穿二极管。尖锐的传输共振时，证明发送到设备上的极化激元流。我们使用一个非共振的光束可以用来作为光闸和控制装置的传输。最后，我们的证据失真的传输配置文件时，去高密度制度，极化激元相互作用的签名。
2013-05-22 cond-mat.mes-hall
Evidence For Heavy Hole and Light Hole Current Separation in P-Type Resonant Tunneling Diodes With Prewells
我们研究了空穴通过$AlAs/In_{.10}Ga_{.90}As$共振隧穿二极管的输运，该二极管在发射极中使用$In_xGa_{1-x}As$预阱，其中使用$x=0,.10,$和$.20$。数据显示，随着x的增加，峰值电流和谐振时的偏置增加，同时峰谷比也增加。我们解释这种增强隧穿由于约束（或本地化）的电荷在预阱和形成的直接重（轻）空穴重（轻）空穴传导通道的结果。
2000-05-24 cond-mat.mes-hall
Resonant Spin Tunneling in Randomly Oriented Nanospheres of Mn$_{12}$ Acetate
我们报告了随机取向的分子磁体纳米球中共振自旋隧穿的测量和理论分析。制备了$_{12}$醋酸锰非晶纳米球，并通过化学、红外、透射电镜、X射线和磁性等方法对其进行了表征。磁性测量揭示了尖锐的隧道峰的磁场导数的磁化强度，发生在典型的共振场值为锰$_{12}$醋酸盐。理论分析，解释这些意见。我们认为，共振自旋隧道的分子磁体可以建立在粉末样品中，而不需要一个单一的晶体和不对齐的分子的易磁化轴。这通过重新分析Mn $_{12}$乙酸盐的非取向微米尺寸晶体的粉末样品的旧数据来证实。我们的研究结果可以大大简化新合成的分子磁体中量子自旋隧穿候选者的选择。
2014-08-22 cond-mat.mes-hall
Strong Band-Edge Light Emission from InGaAs RTDs: Evidence for the Universal Nature of Resonant- and Zener- Co-Tunneling
报道了室温n型单极性掺杂In0.53Ga0.47As/AlAs双势垒共振隧穿二极管（DBRTD）在In0.53Ga0.47As带边1650 nm附近的强发光。的发射特性是非常相似的，最近在GAN/AlN DBRTD中观察到的，这两者都表明，发射的机制是跨间隙电子空穴复合通过共振和齐纳共隧穿的电子，后者的机制产生所需的孔。分析表明，由于相对较小的带隙，齐纳隧穿概率可以在这种In0.53Ga0.47As/AlAs DBRTD大，是一种机制，可能被忽视了在长期的文献。共隧穿的普遍性最好地由凯恩隧穿概率中的因子（EG）2/F支持，该因子在In0.53Ga0.47As和GAN DBRTD的峰值电压处几乎相同。
2018-04-20 cond-mat.mes-hall
On stochastic switching of bistable resonant-tunneling structures via nucleation
我们估计的临界尺寸的初始核的低电流状态下的双稳态共振隧穿结构，这是需要这个核发展成一个横向切换前。使用确定性的开关前沿所获得的结果，我们认为，对于现实的结构参数的临界核具有宏观尺寸，因此是太大了随机电子噪声创建。
2004-11-22 cond-mat.mes-hall
Oblique and asymmetric Klein tunneling across smooth NP junctions or NPN junctions in 8-Pmmn borophene
电子和空穴在量子结构中的隧穿在研究材料和相关器件的输运性质中起着至关重要的作用。8-PMmn硼化物是一种新的二维狄拉克材料，具有倾斜的狄拉克锥和手征各向异性的无质量狄拉克费米子。我们发展了传输矩阵方法来研究无质量费米子穿过8-Pmmn硼化物的光滑NP结和NPN结的Klein隧穿。像8-Pmmn硼化物的尖锐NP结一样，倾斜的狄拉克锥诱导倾斜的克莱因隧穿。理想透射与垂直入射的角度为20.4度，这是由8-Pmmn硼化物的哈密顿量确定的常数。对于NPN结，在相图中存在克莱因隧穿的分支。我们发现载流子的手征性和各向异性导致了非对称的Klein隧穿。此外，我们还发现了NPN结中与Klein隧穿有关的电阻振荡。人们可以分析电阻的模式，并通过实验验证不对称克莱因隧穿的存在。
2021-08-04 cond-mat.mes-hall
Landau-Zener transition between two quantum dots coupled by resonant tunneling
考虑了两个量子点之间的电子跃迁，其中离散能级以恒定速度相互扫过。如果允许点能级之间的直接隧穿，则当能级交叉时，电子将在点之间转移。这种转移是描述在传统的朗道-齐纳理论。我们假设点之间的直接隧穿是被禁止的。相反，转移是由于通过分离点的离散杂质能级的共振隧穿。然后，电子转移的描述简化为三态（两个点加杂质）Landau-Zener跃迁。跃迁几率取决于共振能级的相对位置和能级交叉处的能量。它还取决于杂质和左（右）点之间隧穿的左右不对称性。我们计算了杂质能级在水平（空间）和垂直（能量）两种不同极限下的跃迁几率。
2022-06-16 cond-mat.mes-hall
Resonant tunneling and the quasiparticle lifetime in graphene/boron nitride/graphene heterostructures
由于面内动量的准精确守恒，准粒子在两个几乎对齐的石墨烯片之间的隧穿产生共振电流-电压特性。我们声称，在这一制度下，在石墨烯/氮化硼/石墨烯异质结构的垂直运输进行电子-电子相互作用和准粒子的二维电子系统在石墨烯的光谱功能的宝贵信息。我们提出了广泛的微观计算的隧穿光谱，包括准粒子寿命效应和阐明的参数范围（层间偏压，温度，扭曲角，和栅极电压）下，电子-电子相互作用物理出现。
2015-12-29 cond-mat.mes-hall
Graphene-hexagonal boron nitride resonant tunneling diodes as high-frequency oscillators
我们评估了两端石墨烯-hBN-石墨烯共振隧穿二极管作为高频振荡器的潜力，使用自洽量子输运和静电模拟来确定谐振电路中二极管的时间依赖性响应。我们量化了电流振荡的频率和功率如何取决于二极管和电路参数，包括石墨烯电极的掺杂、器件的几何形状、石墨烯晶格的排列和电路阻抗。我们的研究结果表明，频率高达几百GHz的电流振荡应该是可以实现的。
2016-03-22 cond-mat.mes-hall
Real-time dynamics of triplet-resonant tunneling driven by nonequilibrium phonons
The University of Tokyo（东京大学）；Ruhr-Universität Bochum（波鸿鲁尔大学）；University of Tsukuba（筑波大学）；RIKEN（理化学研究所）；Institute of Science Tokyo（科学技术高等研究院）
通过实时电荷传感测量，研究非平衡声子驱动下双量子点中三重态共振隧穿的自旋阻塞效应和单向输运循环。
2026-07-02 cond-mat.mes-hall
Resonant tunneling through a C60 molecular junction in liquid environment
我们目前的电子输运测量通过巯基化的C $_{60}$分子在液体环境中。使用每个分子的单个锚定基团将分子放置在机械可控的断裂连接内。当改变C $_{60}$修饰的结的电极间隔时，我们观察到电导迹线中的峰。如在两种不同溶剂中的测量所示，曲线的形状受到结的环境的强烈影响。在一个简单的共振隧穿模型的框架下，我们可以提取控制结的输运性质的电子隧穿率。
2005-07-12 cond-mat.mes-hall
Resonant Magnetization Tunneling in Mn12 Acetate: The Absence of Inhomogeneous Hyperfine Broadening
我们提出了一个详细的研究结果的热辅助共振隧穿弛豫率的Mn12醋酸盐作为一个外部的，纵向磁场的函数，并发现，数据可以非常好地拟合洛伦兹函数。没有发现不均匀加宽的迹象，即使一些预期从锰核超精细相互作用。这种不一致性意味着隧道机制不能简单地用随机超精细场来描述。
1998-09-16 cond-mat.mes-hall
AC Josephson effect and resonant Cooper pair tunneling emission of a Cooper Pair Transistor
我们测量了一个单一的库珀对晶体管（SCPT）的高频发射的制度，其中运输是由于隧道的库珀对。这是通过将片上SCPT耦合到超导体-绝缘体-超导体结并通过测量穿过结的准粒子的光子辅助隧穿电流来实现的。该技术允许直接检测SCPT的AC约瑟夫森效应，并为适当的栅极电压提供朗道-齐纳跃迁的证据。研究了共振库珀对隧穿区的辐射。它被解释为电荷态之间的转换耦合的约瑟夫森效应。
2007-05-28 cond-mat.mes-hall
Anomalous zero-temperature magnetopolaronic blockade of resonant electron tunneling in Majorana-resonant-level single-electron transistor
研究了耦合到两个半无限$g=1/2$ Tomonaga-Luttinger液体（TLL）的单能级振动量子点的Majorana共振能级（MRL）模型的磁极化子推广.在相应平均值的费米子玻色子因式分解的假设下，得到了一个新的非平凡的共振磁极化子辅助隧穿有效透射系数和微分电导的定性公式.这种方法适用于弱磁极化子耦合的情况。令人惊讶的是，它被发现，尽管在这种情况下，假设的费米和玻色子子系统之间的相互作用的弱点，在系统中的强关联电子运输揭示了强（因此，异常）磁极化子封锁在零温度下，如果振动量子的能量是最小的（但非零）的能量参数在系统中的功能。这种效应应该被称为Andreev型的磁相位相干磁极化子辅助共振隧穿，它起源于磁极化子耦合隧道哈密顿量的特殊的马约拉纳对称性。本文预测的效应可以作为单电子晶体管中Majorana共振能级情况的实验指纹，以及用于检测悬浮碳纳米管在电子隧穿通过相应的单电子晶体管的Majorana共振能级制度中的超慢零点振荡。
2018-06-26 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted resonant tunneling through a triple-quantum-dot: a phonon-signal detector
利用非微扰映射技术和格林函数方法，研究了三量子点耦合到局域声子模的共振隧穿过程中电子-声子相互作用对电流和零频散粒噪声散粒噪声的影响.通过将前两个量子点之间的能量差固定为等于声子频率并扫描第三个量子点的能级，我们发现由于声子效应而大大增强的电流谱，特别是我们预测了对应于声子吸收和发射辅助共振隧穿过程的电流峰，这表明该系统可以用作灵敏的声子信号检测器或级联声子发生器。
2007-12-06 cond-mat.mes-hall
Wigner Function Formalism for Zero Magnetic Field Spin Dependent Resonant Tunneling Structures
我们发展了具有声子浴的Rashba效应共振隧穿结构中导带电子量子输运理论的Wigner函数表示。在窄带隙异质结构中，自旋分裂主要是由于电势的空间依赖性中的反转不对称性或由于外部电场而发生。这种“零磁场自旋分裂”是由于有效质量哈密顿量中的Rashba项。在广义Kadanoff-Baym方法中，采用多带非平衡格林函数形式导出了量子输运方程。
2004-09-23 cond-mat.mes-hall
ac Josephson effect in the resonant tunneling through mesoscopic superconducting junctions
研究了介观超导结共振隧穿中的交流约瑟夫森效应。在微波辐射的存在下，我们表明，多Andreev反射的轨迹可以通过发射或吸收光子关闭。从而形成光子辅助的Andreev态，并起到携带超电流的作用。在Shapiro台阶上，当谐振能级位于一系列间隔为微波频率一半的位置附近时，出现直流分量。在无限大超导能隙的极限下，导出了解析结果，揭示了交流约瑟夫森效应的新特征。
2003-02-14 cond-mat.mes-hall
Spin-dependent resonant tunneling in ZnSe/ZnMnSe heterostructures
利用转移矩阵方法和有效质量近似，研究了在电场和磁场共同作用下，ZnSe/ZnMnSe/ZnSe/ZnMnSe/ZnSe结构中共振态对自旋输运的影响.数值计算结果表明，ZnMnSe层作为自旋滤波器，对电流有抑制作用.中心ZnSe层的厚度的变化移动的共振能级，并表现出在自旋电流密度的振荡行为。它还表明，在几何不对称的异质结构，其中两个ZnMnSe层具有不同的Mn浓度的隧穿电流的自旋极化，强烈地依赖于厚度和所施加的偏压。
2005-09-02 cond-mat.mes-hall
Spin bottleneck in resonant tunneling through double quantum dots with different Zeeman splittings
研究了不同g因子的InGaAs/GaAs双量子点的电子输运特性。我们发现，在磁场中，共振隧穿被抑制，即使塞曼子能级之一是对齐的。这是因为其他未对准的塞曼子能级限制了总电流。错位子能级的有限加宽部分地缓解了这种瓶颈效应，并且当点间失谐为塞曼能量差的一半时达到最大电流。
2009-12-21 cond-mat.mes-hall
Resonant magneto-tunneling between normal and ferromagnetic electrodes in relation to the three-terminal spin transport
最近提出的机制[Y。Song和H. Dery，Phys. Rev. Lett. 113，047205（2014）]基于铁磁电极和正常电极之间的电子经由杂质的共振隧穿。电流对弱外部磁场的敏感性源于自旋阻塞，而自旋阻塞又由强的就地排斥作用实现。我们证明，这种敏感性存在，即使在没有排斥时，单粒子描述适用。在这个描述中，我们精确地计算了电极之间的共振隧穿电流。磁电阻的产生机制与自旋阻塞机制完全不同，它起源于虚隧穿振幅的干涉。铁磁电极中的自旋不平衡是造成这种干扰和塞曼能级耦合的原因。这种耦合也会影响相关区域中的电流。
2015-02-02 cond-mat.mes-hall
Plasmon-assisted resonant tunneling in graphene-based heterostructures
我们发展了石墨烯-绝缘体-石墨烯异质结构中电子隧穿伴随载流子-载流子散射的理论。由于库仑相互作用的动态屏蔽作用，如果传递的能量和动量与表面等离子体的能量和动量相对应，则散射辅助隧穿会共振增强。我们揭示了这种等离子体辅助隧穿的石墨烯隧道结的电流-电压曲线和等离子体发射光谱的可能的实验表现。我们发现，非弹性电流和等离子体激元发射率有尖锐的峰值电压提供相等的能量，动量和群速度的等离子体激元和层间单粒子激发。这种共振的强度，我们称之为等离子体共振，受到层间扭曲和等离子体寿命的限制。等离子体激元辅助隧穿的开始也可以通过在低温下的结$I(V)$曲线中的尖点来标记，并且这种隧穿的阈值电压弱地依赖于载流子密度并且在层间扭曲的存在下持续。
2017-06-16 cond-mat.mes-hall
