Stemming from antiferromagnetic coupling, exchange bias allows inverted hysteresis in a magnetic system. Such room temperature magnetic reversal has yet to be observed in an amorphous antiferromagnet. Furthermore, the impact of this exchange bias effect on its magnetoelectric transport behavior remains a mystery. Here we discovered a zero-field magnetization switching effect in an exchange-biased amorphous antiferromagnet with inverted magnetic hysteresis. This zero-field magnetic reversal was further evidenced by its inverted large anomalous Hall effect. Notably, this collective spin flipping at zero field can occur at room temperature or above room temperature, which may be associated with quantum interference effect due to thermal fluctuation enhanced disorder. Our experimental results offer a way to design room-temperature exchange-biased amorphous antiferromagnets with zero-field multi magnetic-states and large anomalous Hall effect, holding potential for low-power and high-density memory applications.
Magnetic properties of amorphous Co$_x$Nb$_{100-x}$ alloys produced by mechanical alloying
从元素粉末开始通过机械合金化制备三种非晶Co $_x$ Nb $_{100-x}$合金，Co $_{25}$ Nb $_{75}$、Co $_{57}$ Nb $_{43}$和Co $_{80}$ Nb $_{20}$。用交变梯度磁力仪（AGFM）测定了它们的磁性能，并由磁滞回线得到了它们的剩磁、饱和磁场和矫顽磁场。合金具有相对高的饱和磁场，其随着成分变得富含Co而降低。矫顽力和回复磁化强度在57%at.Co附近达到最佳值，使得{ \em a}-Co $_{57}$ Nb $_{43}$成为三种合金中最硬的磁性材料。进一步添加Co产生软合金。
Thermal analysis of metal organic precursors for functional Cu doped NiOx hole transporting layer in inverted perovskite solar cells the role of solution combustion chemistry in Cu doped NiOx thin films processing
How do magnetic microwires interact magnetostatically?
两个铁磁微丝之间的静磁相互作用作为其几何参数的函数进行了计算，并与通过玻璃涂层的非晶Fe% $_{77.5}$ Si $_{7.5}$ B $_{15}$微丝的磁滞回线测量的结果进行了比较。磁滞回线的特征在于由明确定义的巴克豪森跳跃，每个对应于单独的微线的磁化反转，由水平平台分开。结果表明，它们之间的静磁相互作用是负责这些高原的外观。最后，利用静磁相互作用的表达式，可以很容易地得到微线之间的相互作用力。我们的研究结果是为了提供使用这些微丝与技术目的，如磁传感器的制造指南。
The role of stationarity in magnetic crackling noise
本文讨论了巴克沃森噪声信号的平稳性对雪崩统计量的影响。我们进行实验测量的Fe $_{85}$ B $_{15}$非晶带和比较周围的矫顽场，其中信号是固定的，通过整个磁滞回线采样的雪崩分布。在第一种情况下，我们恢复的标度指数通常观察到的其他非晶材料（$τ=1.3$，$α=1.5$）。而在第二种情况下，指数明显更大（$τ=1.7$，$α=2.2$）。我们提供了一个定量的解释实验结果，通过一个模型的铁磁畴壁的脱钉。本分析揭示了Spasojevic等人[Phys. Rev. E 54 2531（1996）]测量的巴克豪森噪声指数的异常高值。
Organic small molecule field-effect transistors with Cytop(TM) gate dielectric: eliminating gate bias stress effects
我们报告的有机场效应晶体管与前所未有的电阻对栅极偏置应力。单晶和薄膜晶体管采用有机栅极电介质CytopTM。该含氟聚合物具有高度防水性，并显示出显著的电击穿强度。单晶晶体管始终具有非常高的电气质量：接近零起始，非常陡峭的亚阈值摆幅（平均值：1.3 nF V/（dec cm 2））和可忽略的电流滞后。此外，扩展的栅极偏置应力仅导致传输特性的边际变化。与氢化非晶硅相比，有机半导体的稳定性似乎没有概念上的限制。
Exchange energies in CoFeB/Ru/CoFeB Synthetic Antiferromagnets
层间交换耦合赋予合成反铁磁体特定的性质，使其适用于自旋电子学的几个应用。这种磁结构的有效使用需要深入了解磁特性及其与材料结构的相关性。在这里，我们建立了一个可靠的程序来量化层间交换耦合和层内交换刚度合成反铁磁体，我们将其应用到超光滑和非晶Co $_{40}$ Fe $_{40}$ B $_{20}$（5-40 nm）/Ru/ Co $_{40}$ Fe $_{40}$ B $_{20}$材料平台。两种交换相互作用之间的复杂相互作用导致在堆叠的厚度上的磁化取向的梯度，其以非平凡的方式改变堆叠的磁滞和自旋波本征模式。我们测量了限制在堆叠厚度内的前四个自旋波的频率的场依赖性。我们模拟这些频率和相应的厚度轮廓，这些自旋波使用微磁模拟。与实验结果的比较，可以推断出最好的解释样品行为的磁性参数。交换刚度确定为16 $\pm$ 2 pJ/m，与Co $_{40}$ Fe $_{40}$ B $_{20}$厚度无关。对于最薄的层，层间交换耦合从-1.7 mJ/m $^2$开始，并且对于厚至40 nm的CoFeB层，其可以保持在-1.3 mJ/m $^2$以上。我们的方法与早期的表征使用唯一的饱和场的比较认为，需要重新审查厚合成反铁磁体层间交换耦合的列表值。
Mn-rich MnSb2Te4: A topological insulator with magnetic gap closing at high Curie temperatures of 45-50 K
铁磁拓扑绝缘体具有量子反常霍尔效应，可用于高精度计量和边缘沟道自旋电子学。与超导体结合，它们可以拥有手性马约拉纳零模，这是实现拓扑量子比特的竞争者之一。最近，人们发现Mn的稳定的2+态使得能够形成具有A1 B2 C4化学计量比的内禀磁性拓扑绝缘体。然而，第一个代表，MnBi 2 Te 4，是反铁磁的，具有25 K的Néel温度和强n掺杂。在这里，我们表明，p型MnSb 2 Te 4，以前被认为是拓扑平凡的，是一个铁磁拓扑绝缘体的情况下，百分之几的Mn过量。它显示出（i）铁磁滞后，居里温度创历史新高（45-50 K），（ii）面外磁各向异性和（iii）具有接近费米能级的狄拉克点的二维狄拉克锥，其特征在于（iv）如由光电子能谱学揭示的面外自旋极化和（v）磁感应带隙在居里温度下关闭，如扫描隧道光谱所示。此外，它显示（vi）临界磁化指数β ~1，指示量子临界点附近。从头计算能带结构计算表明，轻微过量的Mn取代Sb原子提供铁磁层间耦合。剩余的偏离铁磁顺序，可能与此有关的替代，开放的反向体带隙，并使MnSb 2 Te 4一个强大的拓扑绝缘体和磁性拓扑绝缘体的新基准。
