Chern Insulator in magnetic-doped two-dimensional semiconductors
University of Maine（缅因大学）
通过强自旋轨道耦合诱导非平凡能带，实现非零陈数，验证了掺杂态在价带边诱导能带翻转，为量子反常霍尔效应提供了新平台。
2026-03-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Quantum Hall Effects with High Spin-Chern Numbers in Buckled Honeycomb Structure with Magnetic Order
作为拓扑绝缘体，量子霍尔（QH）效应由陈数和自旋陈数$\mathcal{C}$和$\mathcal{C}_{\text{spin}}$表示。在传统的QH系统中，我们只有$\mathcal{C}_{\text{spin}}=0$或$\pm \frac{1}{2}$。我们研究了一般单层蜂窝系统中的QH效应。我们通过探索晶格理论中的霍夫施塔特蝶形图和低能狄拉克理论中的扇形图来寻找自旋分辨的特征图案。Chern数和自旋-Chern数是根据晶格理论中的体积-边缘对应和狄拉克理论中的Kubo公式计算的。结果表明，对于某些具有屈曲结构和磁序共存的QH系统，自旋-陈数可以取任意大的值。这是一种新型的拓扑绝缘体。样品可以由具有铁磁有序的硅烯和具有反铁磁有序的过渡金属氧化物提供。
2013-06-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Chiral Magic-Angle Twisted Bilayer Graphene in a Magnetic Field: Landau Level Correspondence, Exact Wavefunctions and Fractional Chern Insulators
我们证明了在垂直磁场的存在下，魔角扭曲双层石墨烯手性模型中的平坦带保持完全平坦。这是由一个精确的映射模型和最低的朗道级波函数在一个有效的磁场，其中的外部场是增加或减少了一个通量量子每个单元格。当外场达到每个单胞一个通量量子时，模型出现拓扑相变。这些发现使我们能够分析在完全平坦的能带中的分数陈氏绝缘体的Jain系列态，并指出能隙对磁场的非常规依赖性。
2021-09-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Magnetoelectric Control of Helical Light Emission in a Moiré Chern Magnet
研究在莫尔MoTe2双层膜中通过极小电流高效控制自发铁磁性与光发射螺旋性，实现了零磁场下三子光致发光螺旋性的连续调节，为基于半导体平坦陈能带的拓扑光自旋电子学铺路。
2025-03-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Chern band insulators in magnetic field
讨论了磁场对二维陈氏带绝缘体的影响。结果表明，不同于平凡的绝缘体，一个异常的霍尔绝缘体与陈数$C$成为金属时，磁场施加在恒定的粒子密度，任何$C>0$。对于具有自旋Chern分辨数$C_\uparrow= - C_\downarrow=C$的时间反演不变拓扑绝缘体，磁场诱导自旋极化的自旋霍尔绝缘体。我们还考虑了超晶格势的影响，并将以前的填充Hofstadter带的霍尔电导量子化的结果扩展到这个问题。
2013-12-09 cond-mat.mes-hall
Orbital magnetization in crystalline solids: Multi-band insulators, Chern insulators, and metals
我们导出了正常周期绝缘体中轨道磁化的多带公式（即，其中陈氏不变量，或在2d中陈氏数，消失）。在最近发展单带形式化[T. Thonhauser，D. Ceresoli，D. Vanderbilt和R. Resta，Phys. Rev. { \bf 95}，137205（2005）]，我们在Wannier表示中工作，发现磁化由两个贡献组成，一个明显的贡献与内部的块状Wannier函数的内循环有关，另一个意外的贡献来自表面附近Wannier函数携带的净电流。与单带情况不同，其中这些贡献中的每一个分别是规范不变的，在多带公式中，只有两项的\emph{sum}是规范不变的。我们的轨道磁化强度的最终表达式可以重写为布洛赫函数的体属性，使其易于在现代代码包中实现。的倒数空间表达式进行评估的2D模型系统和结果进行了验证，通过比较从散装有限样品的磁化计算。最后，虽然我们的正式证明是有限的正常绝缘体，我们也提出了一个启发式的扩展陈省身绝缘体（具有非零陈省身不变量）和金属。通过与从2D模型系统的块体中切割的有限样品的磁化强度进行比较，再次测试了这种扩展的有效性。我们发现很好的协议，从而提供了强有力的经验证据，有利于启发式公式的有效性。
2006-07-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electric control of a canted-antiferromagnetic Chern insulator
能带拓扑和磁性之间的相互作用可以产生奇异的物质状态。例如，磁掺杂的拓扑绝缘体可以实现在零磁场下表现出量子化霍尔电阻的陈氏绝缘体。虽然以前的工作都集中在铁磁系统，很少有人知道带拓扑结构和它的操纵反铁磁体。在这里，我们报告说，MnBi $_2$ Te $_4$是一个罕见的平台，实现倾斜反铁磁（cAFM）陈绝缘体与电气控制。结果表明，当AFM到canted-AFM的相变发生时，出现了具有陈数$C = 1$的陈绝缘体态.通过观察cAFM相中的$C = 1$态到磁场诱导铁磁相中的$C = 2$轨道量子霍尔态的不寻常跃迁，进一步证实了陈氏绝缘体态。在cAFM-AFM相边界附近，我们证明了陈数可以通过单独施加电场来切换。我们将这种开关效应归因于上下表面之间的交换间隙对准的电场调谐。我们的工作铺平了道路，为未来的研究拓扑cAFM自旋电子学，并促进了陈省身绝缘体设备的概念验证的发展。
2021-07-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Engineering of Chern number of topological bands in bilayer graphene by in-plane magnetic field and electrical bias
本研究基于双层石墨烯完整哈密顿量，证明通过面内磁场与电偏压可实现相变并调控四个能带的陈数，为二维材料拓扑现象研究提供新思路。
2024-05-17 cond-mat.mes-hall
Intertwined Topological and Magnetic Orders in Atomically Thin Chern Insulator MnBi2Te4
能带拓扑和磁序之间的相互作用在物质的量子态中起着关键作用。MnBi2Te4是一种范德华磁体，最近成为探索陈式绝缘体物理学的令人兴奋的平台。它的分层反铁磁秩序被预测，使奇偶层数依赖的拓扑状态，支持有前途的边缘输运测量。此外，当所有的自旋被施加的磁场对齐时，它变成陈氏绝缘体。然而，作为磁状态的体电子结构的演变是不断调整的，其对层数的依赖性仍然是未知的。在这里，采用多模态探针，我们建立一对一的对应关系，在原子级薄MnBi2Te4设备的体电子结构，磁状态，拓扑顺序，和层厚度。当磁状态通过倾斜磁相位调谐时，我们观察到带交叉，即，体带隙的闭合和重新打开，对应于同时发生的拓扑相变。令人惊讶的是，我们发现，偶数和奇数层数的设备表现出类似的拓扑相变耦合到磁状态，不同于最近的理论和实验报告。我们的研究结果揭示了新的光带拓扑结构和磁序之间的相互作用，在这个新发现的拓扑磁体和验证带交叉与连续调谐的拓扑相变中的拓扑不变量的同时测量。
2020-11-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Fractional Chern insulators in magic-angle twisted bilayer graphene
分数陈氏绝缘体（FCI）是分数量子霍尔态的晶格模拟物，可能为操纵非阿贝尔激发提供新的途径。早期的理论研究已经预测了它们在具有能量平坦的陈氏能带的系统中的存在，并强调了特定量子能带几何结构的关键作用。然而，到目前为止，FCI态仅在与六方氮化硼（BLG/hBN）对齐的Bernal堆叠的双层石墨烯中观察到，其中非常大的磁场是导致Chern带存在的原因，排除了在零场下实现FCI并限制了其应用潜力。相比之下，魔角扭曲双层石墨烯（MATBG）在零磁场下支持平坦的Chern带，因此提供了一种有前途的稳定零场FCI的途径。在这里，我们报告的八个FCI态的观察，在低磁场的MATBG使高分辨率的本地压缩性测量。第一个这些国家出现在5 T，它们的出现是伴随着附近的拓扑平凡的电荷密度波状态的同时消失。与BLG/hBN平台不同，我们证明了弱磁场在这里的主要作用仅仅是重新分配本地陈省身带的Berry曲率，从而实现有利于FCI出现的量子带几何。我们的研究结果强烈地表明，FCI可以实现在零磁场和铺平了道路的探索和操纵的任意子激发莫尔系统与本地平坦陈氏带。
2021-07-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Imaging Chern mosaic and Berry-curvature magnetism in magic-angle graphene
魔角石墨烯中的载流子有八种类型，由它们的自旋、谷和亚晶格极化的组合来描述。当底物或强相互作用破坏反转对称性和时间反转对称性时，味的简并度可以被提升，并且它们相应的带可以被顺序填充。由于它们的非平凡能带拓扑和Berry曲率，每个能带被分类的拓扑陈数，导致量子反常霍尔和陈绝缘体态的整数填充$ν$的带。然而，最近已经预测，取决于石墨烯和封装的hBN晶格的局部原子尺度布置，而不是全局拓扑不变量，陈数C可能变得位置依赖，改变巡回电子的传输和磁性。使用SQUID的提示，我们直接图像的纳米级贝里曲率诱导的平衡轨道磁性，其极性是由当地陈数，并检测其两个组成部分与漂移和自旋转的电子波包。在$ν=1$，我们观察到本地零场谷极化陈氏绝缘体形成马赛克的微观补丁的C=-1，0，1，由本地子晶格极化，符合预测。在进一步填充时，我们发现由于电子从谷K到K '的再凝聚而引起的一级相变，这导致了局部Chern数和磁化强度的不可逆翻转，并形成了谷畴壁，引起了滞后的全局反常霍尔电阻。这些发现揭示了拓扑相的结构和动力学的新的光，并呼吁探索可控的形成风味域壁和它们的利用在双电子器件。
2022-04-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Chern-Simons Theory for Magnetization Plateaus of Frustrated $J_1$-$J_2$ Heisenberg model
在均匀平均场近似下，利用Chern-Simons理论研究了二维自旋为1/2的$J_1$ - $J_2$ Heisenberg模型的磁化曲线.我们发现$J_2/J_1 < 0.267949$的磁化曲线是单调增加的，在零外场下系统处于反铁磁Néel相.对于较大比例的$J_2/J_1$，磁化曲线中将出现各种平台。特别是，在无序相，我们的结果支持存在的$M/M_{\rm sat}=1/2$高原，并预测一个新的高原在$M/M_{\rm sat}=1/3$。通过确定零场中Néel相和自旋无序相之间边界的1/2平台出现的起始比$J_2/J_1$，我们可以通过这种平均场计算精确地确定该相边界。验证这些有趣的结果将表明受抑反铁磁系统和量子霍尔系统之间的强联系。
2002-04-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Giant proximity exchange and flat Chern band in 2D magnet-semiconductor heterostructures
由二维磁体和半导体形成的范德华异质结构为基础科学和自旋电子学提供了肥沃的土壤。我们目前的第一性原理计算发现一个接近交换分裂14毫电子伏相当于一个有效的塞曼场120 T的VDW磁半导体异质结构的MoS $_2$ /CrBr $_3$，导致二维自旋极化半金属的载流子密度范围高达$10^{13}$ cm $^{-2}$。因此，我们探讨了大交换耦合的电子能带结构时，磁性层主机手性自旋纹理，如skyrmions的效果。对于薛定谔电子，在磁化强度$\overline{m} \sim 0.2$的“魔术”值处发现了平坦的陈氏带，并且它通常发生在狄拉克电子上。磁邻近感生的反常霍尔效应使得能够基于输运的手性自旋纹理的检测，并且平坦的Chern带提供了用于工程化各种强关联态的途径。
2023-01-21 cond-mat.mes-hall
Chern number spins of Mn acceptor magnets in GaAs
我们通过计算Mn离子的磁陈数来确定GaAs中Mn离子束缚的受主态的局域磁矩的有效总自旋$J$。我们发现，当单个Mn原子接近样品表面时，由于受主轨道矩的淬灭，总自旋从$J = 1$变为$J = 2$。对于体中的Mn对，总$J$取决于GaAs晶格中的对取向和Mn原子之间的分离。我们指出，Berry曲率的变化作为一个功能的本地矩方向可以深刻地影响这些磁性实体的量子自旋动力学。
2010-08-02 cond-mat.mes-hall
Transdimensional Chern insulators in rhombohedral multilayer graphene superlattices
ShanghaiTech University（上海科技大学）；Nanjing University（南京大学）；Liaoning Academy of Materials（辽宁省材料研究院）
该研究通过理论计算，在扭曲菱面多层石墨烯/hBN莫尔超晶格中提出并证实了跨维陈绝缘体态，揭示其性质及与密度波态的转变关系，还探讨了分数量子陈绝缘体的可能存在。
2026-10-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Electrical switching of magnetic order in an orbital Chern insulator
磁性通常来自费米统计和排斥库仑相互作用的联合效应，其有利于具有非零电子自旋的基态。因此，用电场控制自旋磁性-自旋电子学和多铁性学长期以来的技术目标-只能间接实现。在这里，我们实验证明了直接电场控制的磁态在轨道陈绝缘体，磁系统中，非平凡的能带拓扑有利于轨道角动量的长程序，但自旋被认为是保持无序。我们使用范德华异质结构组成的石墨烯单层旋转故障相对于Bernal堆叠的双层实现狭窄的和拓扑非平凡的谷投影莫尔迷你带。在这些带内每个莫尔晶胞填充一个和三个电子时，我们观察到横向电阻约等于$h/2e^2$的量子化异常霍尔效应，这表明系统自发极化成陈数等于2的单谷投影带。在每个摩尔单元格填充三个电子时，我们发现量子反常霍尔效应的符号可以通过场效应控制化学势来反转;此外，这种转变是滞后的，我们用它来证明非易失性电场诱导的磁态反转。理论分析表明，这种效应来自于拓扑边缘状态，它驱动磁化强度的符号变化，从而使有利的磁状态反转。磁状态的电压控制可用于电图案化具有手性边缘状态的非易失性磁畴结构，其应用范围从可重构微波电路元件到超低功率磁存储器。
2020-11-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Non-coplanar magnetism, topological density wave order and emergent symmetry at half-integer filling of moiré Chern bands
扭曲双层和单双层石墨烯是基于石墨烯的莫尔材料，其在具有拓扑非平凡特征的栅极可调谐导带中承载强关联费米子。利用无偏精确对角化和非限制Hartree-Fock计算，我们发现强的电子-电子相互作用导致非共面磁态，它具有与三角晶格上的四面体反铁磁体相同的对称性，可以被认为是与摩尔尺度相称的Skyrmion晶格，与一组铁磁竞争，拓扑电荷密度波具有近似的涌现O（3）对称性，将不同的电荷密度波状态相互“旋转”。与精确对角化的直接比较表明，有序相位在无限制Hartree-Fock近似下得到了精确描述。表现出有限的电荷间隙和陈数$|C|=1$，形成的电荷密度波秩序，这是密切连接到一个skyrmion晶格相是一致的，最近的实验对这些系统。
2023-03-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Topological Magnon-Phonon Hybrid Excitations in Two-Dimensional Ferromagnets with Tunable Chern Numbers
本文从理论上研究了二维铁磁体中的磁振子-声子混合激发。混合激发，这是被称为磁振子极化子的散装带，分析表明是拓扑非平凡的，拥有有限的陈数。我们还证明了磁振子极化子带的陈数和带交叉线的数目可以通过外加磁场来控制。对于实验，我们建议使用热霍尔电导率作为探针的磁振子极化子的有限Berry曲率。我们的研究结果表明，一个简单的铁磁体上的正方形晶格支持拓扑非平凡的磁振子极化子，推广拓扑激发在传统的磁系统。
2019-07-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Integer and fractional Chern insulators in twisted bilayer MoTe2
本研究结合局域电子压缩率与磁光测量，在零磁场小角度扭转双层 MoTe2 中观测到 ν=1 和 2/3 的整数及分数量子陈绝缘体，并实现电场调控拓扑相变。
2023-07-22 cond-mat.mes-hall
Stacking-induced type-II quantum spin Hall insulators with high spin Chern number in unconventional magnetism
Renmin University of China（中国人民大学）；Beijing Normal University（北京师范大学）；Hefei National Laboratory（合肥国家实验室）
本研究通过晶格模型计算发现堆叠II型量子自旋霍尔绝缘体可得到高自旋陈数的非平庸量子自旋霍尔绝缘体，结合第一性原理计算证实双层Nb$_2$SeTeO为符合该特性的体系，为实现高量化自旋霍尔电导率提供了途径。
2026-08-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Hydrostatic Pressure-enhanced correlated magnetism and Chern insulator in moir'e WSe2
State Key Laboratory of Micro-nano Engineering Science, Key Laboratory of Artificial Structures and Quantum Control (Ministry of Education), School of Physics and Astronomy, Shanghai Jiao Tong University（上海交通大学物理与天文学院微纳工程科学国家重点实验室人工结构量子控制教育部重点实验室）；Tsung-Dao Lee Institute, Shanghai Jiao Tong University（上海交通大学李政道研究所）；Center for High Pressure Science & Technology Advanced Research (HPSTAR)（高压科学与技术前沿研究中心）；Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids（马克斯·普朗克固体化学物理研究所）；Shanghai Key Laboratory of Material Frontiers Research in Extreme Environments, Institute for Shanghai Advanced Research in Physical Sciences（上海极端环境材料前沿研究重点实验室上海物理科学研究院）；Zhiyuan College, Shanghai Jiaotong University（上海交通大学致远学院）；Research Center for Electronic and Optical Materials, National Institute for Materials Science（国立材料研究所电子与光学材料研究中心）；Research Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science（国立材料研究所材料纳米架构研究中心）；Hefei National Laboratory（合肥国家实验室）；Shanghai Research Center for Quantum Sciences（上海量子科学研究与创新中心）；Department of Physics and Astronomy, University of Tennessee, Knoxville（田纳西大学诺克斯维尔分校物理与天文系）；Department of Physics, National University of Singapore（新加坡国立大学物理系）
静水压增强扭曲双层WSe2中的关联磁性和陈绝缘体，通过调节莫尔势能和拓扑相变实现新的物态控制。
2026-02-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Chern Numbers for Spin Models of Transition Metal Nanomagnets
我们认为，铁磁过渡金属纳米粒子少于约100个原子可以描述一个有效的哈密顿与一个单一的巨大的自旋自由度。有效哈密顿量的总自旋$S$由表征纳米颗粒的多电子波函数对磁化方向的拓扑非平凡依赖性的Berry曲率陈数指定。Berry曲率和相关的陈数对纳米颗粒中的自旋-轨道耦合具有复杂的依赖性，并影响描述磁化取向动力学的半经典Landau-Liftshitz方程。
2003-03-26 cond-mat.mes-hall
Spectra of Magnetoroton and Chiral Graviton Modes of Fractional Chern Insulator
The University of Hong Kong（香港大学）；Sun Yat-sen University（中山大学）
本研究利用TDVP算法计算了分数陈绝缘体中磁极化子和手性重力子的频谱，揭示了极化子在变软时的行为以及不同手性重力子的特性。
2025-06-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el quant-ph
Tunable Chern Insulator States with Coexisting Magnonic and Electronic Topology in 2D Honeycomb Kitaev Ferromagnets
本研究提出在Kitaev磁体MnBr$_3$单层中实现磁振子与电子Chern绝缘体相共存，并通过外磁场重取向自旋实现同步调控，为多功能自旋电子器件提供新平台。
2025-10-10 cond-mat.mes-hall
Tunable Magnonic Chern Bands and Chiral Spin Currents in Magnetic Multilayers
本研究发现反平行磁性多层膜中长程手性偶极相互作用可产生非零陈数体带与手性自旋流表面态，且表面态可通过外磁场切换相态，为可调拓扑磁振子表面态与低耗散自旋流输运提供了易实现的系统。
2022-01-08 cond-mat.mes-hall physics.app-ph
The Fractional Orbital Chern Hall Effect
分数量子霍尔效应是现代物理学的一个里程碑，它的发现为研究不服从阿贝尔物理的分数电荷铺平了道路。然而，所有的电子束都需要一个外部磁场，以便有分数带电的电子。本文对具有磁性的Kagome晶格中的强相互作用电子进行了理论研究。在最佳条件下，带隙在承载分数费米子的材料表面上打开。这些分数费米子形成复合准电子而不需要外部磁场。这些状态被预测为在不需要外部磁场的情况下托管CNOHE。
2023-03-05 cond-mat.mes-hall
Magnetic moiré surface states and flat chern band in topological insulators
通过引入一个Dirac电子的连续介质模型，研究了磁云纹超晶格对拓扑表面态的影响.塞曼型莫尔势一般会使莫尔表面狄拉克锥产生间隙，并产生孤立的平坦陈氏能带，其陈氏数为$\pm1$。这一结果为实现相关拓扑相的时间反演破缺提供了一个很好的平台。在$C_6$周期势中，当标量$U_0$和Zeeman $Δ_1$莫尔势强度相等时，我们发现$Γ$ -谷莫尔表面电子的前三个带在能量上是非简并的，实现了i）蜂窝晶格上的$s$ -轨道模型，ii）蜂窝晶格上的简并$p_x,p_y$ -轨道模型，和iii）kagome晶格上的杂化$sd^2$轨道模型，其中在这些带中出现莫尔表面狄拉克锥。当$U_0\neqΔ_1$时，两个莫尔势之间的差作为有效的自旋-轨道耦合，并在出射莫尔表面狄拉克锥中打开拓扑间隙。
2021-06-03 cond-mat.mes-hall
Mapping Chern numbers in quasi-periodic interacting spin chains
准周期量子自旋链最近被发现在有限磁化扇区中支持许多拓扑相位。它们可以模拟任意维数的A类强拓扑相，其特征在于一阶和高阶陈数。在目前的工作中，我们使用这些研究结果来产生拓扑相位在有限的磁化强度密度进行第一陈数。考虑到自旋链的降维，这提供了一个独特的机会来研究体边界对应以及存在相互作用时陈数的稳定性和量子化。后者是重新制定使用环面行动的代数上的可观和它的量化和稳定性的数值模拟证实。讨论了陈氏值与观测到的边缘谱之间的关系。
2020-10-12 cond-mat.mes-hall
Intrinsic spin Hall torque in a moire Chern magnet
研究在单一二维莫尔材料MoTe2/WSe2中利用本征自旋霍尔力矩实现磁性翻转，发现其极低的翻转电流密度为高效控制磁序提供了新途径。
2022-05-05 cond-mat.mes-hall
Measurement of the Chern Number for Non-Hermitian Chern Insulators
针对非厄米系统拓扑不变量测定难的问题，提出利用磁效应通过分析磁场下非厄米能带的劈裂子带测量陈数的方法，在LC电路中验证了可行性，还发现非厄米性可改变子带轨道开闭状态，助力非厄米系统拓扑性质研究。
2024-01-29 cond-mat.mes-hall
Chern insulator in a ferromagnetic two-dimensional electron system with Dresselhaus spin-orbit coupling
我们提出了一个二维电子系统中的陈绝缘体与Dresselhaus自旋轨道耦合，铁磁性，和自旋相关的有效质量。解析得到的拓扑相图显示了通过调整磁化方向引起的拓扑相变，其中陈数在$1,0,-1$之间变化。这里示出的磁化取向调谐是触发拓扑相变的比操纵在系统制造之后不再可调谐的交换耦合更实用的方式。理论分析结果得到了能带结构和输运计算的证实，表明了理论方案的可行性。在半导体工程技术先进成熟的今天，这种Chern绝缘体极有可能在实验上实现，并在拓扑自旋电子学中有着广阔的应用前景。
2019-09-20 cond-mat.mes-hall
Direct magnetic imaging of fractional Chern insulators in twisted MoTe$_2$ with a superconducting sensor
本研究利用纳米级超导传感器对转角双层MoTe₂进行直接磁成像，观测到零场下多个填充因子处的分数陈绝缘体态，测定了ν=-2/3态的热力学能隙并表征了样品无序特性，为关联拓扑态研究提供了新的探测手段。
2024-05-16 cond-mat.mes-hall
Scalar-spin-chirality-driven fractional Chern insulator on a kagome lattice
Kyushu University（九州大学）；Quantum and Spacetime Research Institute, Kyushu University（九州大学时空量子研究所）
本研究在笼目磁体中发现由标量手征自旋驱动的分形陈绝缘体，通过纳入电子相互作用与能带色散揭示其稳定条件，证明该类磁体是实现分形陈绝缘体的理想平台。
2026-07-31 cond-mat.mes-hall
