Doped Mott insulator on Penrose tiling
我们研究了载流子掺杂对莫特绝缘体的彭罗斯镶嵌效应的影响，旨在阐明准周期性和强电子关联之间的相互作用。我们在实空间动力学平均场论中数值求解了Penrose-tiling结构上的哈伯德模型，该理论可以处理描述莫特绝缘体和空间不均匀性所必需的奇异自能。我们发现，强关联效应产生的电荷分布无法达到的静态平均场近似。在一个小的掺杂区域，光谱显示出一个位置依赖的间隙正好高于费米能，这是由一个奇异的大的自能从莫特物理涌现，并被视为一个真实的空间对应的动量依赖的赝能隙中观察到的正方形晶格哈伯德模型。
2022-01-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Optimal doping and entropic origin of giant thermopower in doped Mott insulators
这篇论文已被作者撤回，因为结果是不正确的，由于使用的杂质求解器，在大的相互作用强度和以上的半填充失败。这首先导致了新的杂质求解器的开发（arXiv：1202.5814或Phys.Rev. B 86，085133（2012）），其次导致了具有不同结论的热电势结果的完全修订。因此，提交了一篇关于热电的新论文（arXiv：1209.4349），并撤回了目前的论文。
2012-09-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Calculation of photoemission spectra of the doped Mott insulator La_{1-x}Sr_xTiO_3 using LDA+DMFT(QMC)
采用量子化学从头计算方法LDA+DMFT（QMC）计算了具有强库仑关联的掺杂莫特绝缘体$_{1-x}$ $_{x}$ $_{3}$的光谱性质.它从局域密度近似（LDA）计算的非相互作用电子能带结构出发，引入动力学平均场论（DMFT）的丢失关联，采用数值精确量子Monte-Carlo（QMC）技术求解由此产生的自洽多带单杂质问题。用LDA+DMFT（QMC）方法计算了La $_{1-x}$ Sr $_{x}$ TiO $_{3}$的光电子能谱，计算结果与实验符合得很好，并且在定性和定量上都比标准LDA方法有了很大的改进.
2000-07-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Theory of High \tc Ferromagnetism in $SrB_6$ family: A case of Doped Spin-1 Mott insulator in a Valence Bond Solid Phase
掺杂的二价六硼化物如$Sr_{1-x}La_xB_6$表现出高的\tc铁磁性。我们隔离了一对退化的$2p$ -轨道的硼与两个价电子，调用电子相关和Hund耦合，建议未掺杂的状态是更好地被视为自旋1莫特绝缘体，它被预测为一种类型的三维Haldom间隙相位与自旋间隙$\sim 0.1 eV$，远小于在ARPES中看到的电荷间隙$ > 1.0 eV$。实验上看到的高\tc“铁磁性”被认为是一个复杂的磁秩序伪装-无论是一个倾斜的6-亚晶格原子力显微镜（$\approx 120^0$）秩序或其量子熔化版本，手性自旋液体状态，从一种类型的双交换机制。
2001-08-30 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Hallmarks of the Mott-Metal Crossover in the Hole Doped J=1/2 Mott insulator Sr2IrO4
经过几十年的积极研究，掺杂莫特绝缘体的物理学仍然存在争议，阻碍了可能的竞争秩序和波动之间的相互作用。因此，人们非常希望将Mott-metal跨界车的内在特征与其他起源的特征区分开来。我们研究了空穴掺杂J=1/2莫特绝缘体Sr 2 IrO 4的电子结构和动力学演化。有效的空穴掺杂是通过用Rh原子取代Ir来实现的，化学势立即跳到或接近较低的哈伯德带的顶部。掺杂的铱酸盐表现出多种奇异的功能，以前观察到的掺杂铜酸盐-赝隙，费米“弧”，和边缘费米液体的电子散射率，尽管不同的机制，禁止电子双占用。我们认为，这些普遍的特点莫特金属交叉是不相关的预先形成的电子配对，量子临界性或密度波形成最常见的讨论。相反，短程反铁磁关联可能发挥不可或缺的作用。
2014-06-19 cond-mat.str-el
Bulk-like Mott-Transition in ultrathin Cr-doped V2O3 films and the influence of its variability on scaled devices
本研究针对超薄Cr掺杂V₂O₃多晶薄膜的压力驱动莫特转变展开电学测量，构建标度律与逾渗结合的仿真模型验证其类体相转变特性，并探明晶粒变异性支持器件宽度缩至至少50 nm。
2024-05-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Evolution of electronic structure of doped Mott insulators - reconstruction of poles and zeros of Green's function
本文采用集团扩展的动力学平均场论，在载流子掺杂的二维哈伯德模型中研究了金属从莫特绝缘体中的演化。传统金属的特征仅在于费米面（格林函数G的极点），而在掺杂莫特绝缘体中，G的零点面与极点面的干涉变得至关重要。相互干扰的极点和零表面显着转移的莫特间隙，当轻掺杂的空穴协同放松的doublon-holon绑定。莫特物理学的核心，如赝能隙、空穴、费米弧、能隙内态和Lifshitz跃迁，都是频率空间中这种全局干涉的自然结果。
2008-09-05 cond-mat.str-el
Inhomogeneity in doped Mott insulator
我们引入了自然界中存在两类通用莫特绝缘体的概念。他们的区别在于他们对弱兴奋剂的反应。掺杂电荷在I型莫特绝缘体中形成团簇（即不均匀分布），而在II型莫特绝缘体中均匀分布。我们提出我们的意见的作用不均匀性在铜酸盐。
2002-08-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Metal-insulator transition via control of spin liquidity in a doped Mott insulator
量子自旋液体态，其中自旋是量子力学离域的方向，迄今已研究的电荷局域莫特绝缘体产生的强排斥相互作用。然而，最近发现具有三角形晶格的掺杂莫特绝缘体$κ$ -（ET）$_4$ Hg $_{2.89}$ Br $_8$既表现出类似自旋液体的磁性又表现出金属导电性。因此，现在可以通过实验探索自旋流动性如何影响电导，这是一个受到理论关注的问题。在这里，我们研究了一种新开发的方法，结合单轴和静水压力，在掺杂莫特绝缘体的导电与控制的三角形晶格几何形状和排斥强度，决定了自旋流动性和Mottness，分别。我们发现，在一个强相互作用的制度，电子状态急剧变化，从绝缘体到费米液体通过非费米液体不同的几何挫折，这表明自旋流动性促进电荷的离域。这一结果表明，自旋自由度的挫折通过掺杂的莫特绝缘体中的自旋和电荷的纠缠对电荷的输运具有决定性的影响。
2022-02-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Phase separation in doped Mott insulators
受莫特绝缘体远离整数填充的常见观察的启发，我们构建了一个简单的热力学参数的相分离一阶掺杂驱动的莫特转变。我们展示了如何计算临界掺杂所需的驱动莫特过渡使用电子结构计算的钛酸盐家族的钙钛矿，发现与实验良好的协议。该理论预测，过渡是可逆的，应该表现出库仑阻挫。
2014-08-01 cond-mat.str-el
Dynamics of screening in photo-doped Mott insulators
本文利用扩展的动态平均场论的非平衡实现方法研究了光激励莫特绝缘体中的动态屏蔽效应。双光子和空穴的插入增加了低能屏蔽模，并导致莫特能隙的减小。耦合到低能量玻色子模式进一步打开新的弛豫通道，并显着加快热化过程。我们还考虑了掺杂载流子的能量分布对屏蔽的影响。
2015-07-28 cond-mat.str-el
Asymmetry between the electron- and hole-doped Mott transition in the periodic Anderson model
研究了Mott-Hubbard机制下周期性Anderson模型中掺杂驱动的Mott金属-绝缘体相变。发现电子或空穴驱动的跃迁具有明显的不对称性，在较大的U值下，电子掺杂的MIT与单带哈伯德模型中的结果相似，由于溶液的共存，具有一阶特征.与此相反，空穴掺杂的MIT是二阶的，并且可以被描述为Zhang-Rice单线态的离域。
2009-06-25 cond-mat.str-el
A simple metal-insulator criterion for the doped Mott-Hubbard materials
我们推导出一个简单的金属-绝缘体准则的解析形式的掺杂Mott-Hubbard材料。它的读数与晶胞的基态的轨道和自旋性质密切相关。在顺磁相的可用的标准读数（金属或绝缘体）点的绝缘体状态的掺杂材料与禁止的第一个去除电子状态的可能性。从物理意义上讲，该结果与巡游电子系统中的Wilson判据相似。讨论了该判据在高温铜酸盐中的应用。
2014-11-19 cond-mat.str-el
Electronic charge reconstruction of doped Mott insulators in multilayered nanostructures
采用动力学平均场论计算了由半无限金属铅层包围强关联材料势垒面（可通过金属-绝缘体Mott跃迁调谐）构成的多层非均匀器件的电荷重构。主要的重点是掺杂的莫特绝缘体的障碍，以及如何的电子电荷重建可以创建良好定义的莫特绝缘区的设备，其厚度是由本征材料的属性，因此可能是能够重现。
2006-12-13 cond-mat.str-el
Manipulate the Electronic State of Mott Iridate Superlattice through Protonation Induced Electron-Filling
自旋轨道耦合的莫特铱酸盐与超导铜酸盐的母体化合物具有很大的相似性，特别是其电子掺杂态吸引了广泛的研究兴趣。然而，由于缺乏有效的掺杂剂，以前的实验在很大程度上被限制在一个小的掺杂范围内，因此电子掺杂相图仍然难以捉摸。在这里，我们利用离子液体门控诱导质子化的方法来实现电子掺杂到一个5d莫特绝缘体构建SrIrO 3/SrTiO 3超晶格，并实现其电子掺杂相图的演化的铱价态从4+到3+，相当于每个铱离子掺杂一个电子的系统映射。随着掺杂浓度的增加，母体Mott绝缘体首先转变为磁有序逐渐被抑制的局域金属态，然后进一步演化为能带绝缘态。这项工作形成了电子掺杂的莫特铱酸盐系统的研究向前迈出了重要的一步，并且在人工设计的超晶格结构中操纵能带填充的策略可以很容易地扩展到具有更多奇异状态的其他系统中进行探索。
2021-03-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Lattice contraction induced by resistive switching in chromium-doped V2O3: a hallmark of Mott physics
Université de Nantes, CNRS, Institut des Matériaux Jean Rouxel（南特大学、法国国家科学研究中心、让·罗克塞尔材料研究所）；Western Digital Co, HGST（西部数据公司，HGST）；RWTH Aachen University（亚琛工业大学）；Paul Scherrer Inst（保罗谢尔研究所）；CIC nanoGUNE（纳米古恩研究中心）
该研究通过空间分辨μ-XRD成像实验，发现铬掺杂V2O3中电阻开关伴随等结构压缩相细丝形成，证明其机制源于带宽控制的Mott转变，为Mottronics发展奠定基础。
2021-10-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Dynamical mean-field theory of electron-phonon interaction in correlated electron materials: general results and application to doped Mott insulators
动力学平均场方法是用来制定一个计算上容易处理的理论，电子-声子相互作用的系统中的任意本地电子-电子相互作用的物理相关的绝热限制的声子频率小相比，电子带宽或相互作用的规模。作为应用，测定了轻掺杂莫特绝缘体中声子对载流子有效质量的贡献，并讨论了相分离边界。
2002-05-09 cond-mat.str-el
Numerically exact simulation of photo-doped Mott insulators
University of Hamburg（汉堡大学）；University of Michigan（密歇根大学）；Graz University of Technology（格拉茨工业大学）；Tel Aviv University（特拉维夫大学）；The Hamburg Centre for Ultrafast Imaging（汉堡超快成像中心）
本文提出利用数值精确的稳态Quantum Monte Carlo技术，结合时间局域分布函数ansatz，计算Mott绝缘体中长寿命光掺杂态的性质，发现Mott能隙对大光掺杂保持稳健且准粒子性质被强重整化。
2023-11-23 cond-mat.str-el
The short-range correlations of a doped Mott insulator
本文介绍了数值研究的单孔tt't“J模型，解决巡游电子的动能和交换能量的局部时刻之间的相互作用，感兴趣的掺杂莫特绝缘体。由于这种相互作用，两种不同的自旋相关共存周围的移动空位。这些本地相关性提供了一个有效的两个波段的图片，解释了两个能带结构中观察到的各种理论和实验研究，掺杂依赖的动量空间各向异性的赝隙现象和空穴和电子掺杂的铜氧化物之间的不对称性。
2006-05-18 cond-mat.str-el
Quantum phases in a doped Mott insulator on the Shastry-Sutherland lattice
本文提出了Shastry-Sutherland晶格上掺杂莫特绝缘体SrCu_2（BO_3）_2的基态为投影BCS波函数。在半填充时，该波函数产生精确的基态。加入可移动的载流子，我们发现电子和空穴掺杂之间存在很强的不对称性。在电子掺杂时，形成具有强价键相关性的不寻常金属。空穴掺杂系统是d波RVB超导体，其中超导电性通过非均匀元格键序的出现而强烈增强。
2007-02-05 cond-mat.str-el
Mott-Hubbard localization in model of electronic subsystem of doped fullerides
考虑到三重轨道简并能态的掺杂富勒烯电子子系统的微观模型被认为是在配置操作的方法。用格林函数方法计算了$n=1$整数带填充时模型的能谱，这种情况对应于$AC_{60}$化合物。讨论了模型中可能存在的关联驱动的金属-绝缘体相变。
2012-01-13 cond-mat.str-el
Strongly enhanced thermal transport in a lightly doped Mott insulator at low temperature
我们展示了轻掺杂的莫特绝缘体如何在低温下极大地增强了电子的热输运。当载流子可以被视为非简并费米子时，它显示出独立于相互作用强度的普遍行为，并且在洛伦兹数增长到大值的非普遍“交叉”区域，同时仍然保持大的热电优值。电子动力学由Falicov-Kimball模型描述，该模型在Bethe晶格上用动力学平均场论算法求解任意大的在位关联。我们展示了这些结果是如何通用的轻掺杂莫特绝缘体，只要重整化费米液体尺度被推到非常低的温度和系统是不是磁有序的。
2012-10-22 cond-mat.str-el
Dynamical spin response of electron doped Mott insulators on a triangular lattice
基于$t-J$模型研究了三角晶格上电子掺杂莫特绝缘体的自旋动力学。研究发现，正方晶格上的掺杂莫特绝缘体所具有的积分动力学自旋结构因子的普遍行为，在三角晶格上的掺杂莫特绝缘体中并不存在，表明存在正常态能隙.结果表明，自旋-晶格弛豫速率1/ $T_{1}$除以$T$在0.2 $J$ $\approx$ 50 K以上随温度的降低而减小，在低于50 K的温度下遵循Curie-Weiss-like行为，与实验观察定性一致.
2012-12-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Hidden Charge 2e Boson in Doped Mott Insulators: Field Theory of Mottness
通过对远离化学势的自由度进行积分，我们建立了掺杂莫特绝缘体（如高温超导体）的低能理论。无论是空穴或电子掺杂，电荷2e玻色子场出现在低能量。电荷2e玻色子介导了动力学光谱重量转移通过莫特间隙，并通过绑定空穴产生新的电荷e激发。结果是在化学势以下的电子色散出现了分叉，正如最近在Pb掺杂的Bi_2Sr_2CaCu_2 O_{8+δ}（Pb 2212）的角分辨光电发射中所观察到的那样。
2007-07-12 cond-mat.str-el hep-th
Theory for Slightly Doped Antiferromagnetic Mott Insulators
从具有反铁磁序的二维Mott绝缘态出发，提出了一种描述轻微掺杂空穴或电子的莫特绝缘体低能态的试探波函数.随着状态的行为像带电准粒子与定义良好的动量，观察到一个刚性带。这些状态的配对相关性比以前研究的少得多。小费米补丁获得的高Tc铜氧化物掺杂轻空穴或电子与最近的实验是一致的。讨论了非相干态和自旋袋态。使用这些波函数，精确计算得到的一些结果被再现。
2002-10-03 cond-mat.str-el
Bad-metal behavior reveals Mott quantum criticality in doped Hubbard models
不良金属（BM）的行为特征的电阻率的线性温度依赖性延伸到远高于Mott-Ioffe-Regel（MIR）限制，通常被视为一个关键的未解决的签名强相关性。在这里，我们通过检查一个完全受挫的哈伯德模型，其中所有的长程磁序被抑制，并通过动态平均场论的莫特问题，可以严格解决的BM行为与莫特量子临界。我们发现，对于掺杂的莫特绝缘体制度，共存圆顶和相关的一阶莫特金属-绝缘体转变被限制在极低的温度下，而清晰的签名莫特量子临界出现在大部分的相图。显着的标度行为被确定为整个家庭的电阻率曲线，量子临界区域覆盖整个BM制度，不仅提供洞察力，而且定量的理解周围的MIR限制，与现有的实验。
2015-06-25 cond-mat.str-el
Photoemission of a doped Mott insulator: spectral weight transfer and qualitative Mott-Hubbard description
用光电子能谱学研究了低维莫特绝缘体TiOCl在碱金属掺杂下的光谱权重演化。我们观察到较低的哈伯德带和一个额外的峰值之间的光谱重量转移后，电子掺杂，在改变单和双占据的网站的数量的原子限制的定量预期。这一观察结果是相关谱带的无条件标志，以前没有报道过。相反，金属准粒子峰的缺失可以追溯到一个简单的单粒子效应。
2011-02-06 cond-mat.str-el
Time-reversal symmetry breaking superconducting ground state in the doped Mott insulator on the honeycomb lattice
掺杂莫特绝缘体中超导性的出现已经争论了几十年。本文报道了用Grassmann张量积态变分方法在蜂窝晶格上的掺杂莫特绝缘体（用著名的t-J模型描述）中发现时间反演对称破缺超导基态的理论结果。作为一个基准，我们使用精确对角化和密度矩阵重整化方法来检查我们的小集群的结果。我们发现系统的基态能量以及其他物理量，如交错磁化的一致性。在低掺杂时，超导电性与反铁磁有序共存。
2013-10-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Vortex state in a doped Mott insulator
我们分析了最近在铜氧化物超导体中的涡旋芯光谱实验，并讨论了从中可以学到的关于这些化合物的基态的性质。我们认为，数据是不一致的假设一个简单的金属基态和掺杂的莫特绝缘体的特点。基于U（1）规范场从玻色子模型，发展了这种掺杂莫特绝缘体中涡旋核的理论，并显示出与实验数据定性一致的性质。
2000-10-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Mott Gap Excitations and Resonant Inelastic X-Ray Scattering in Doped Cuprates
预测的动量和载流子依赖的Mott间隙的退化后，掺杂在高Tc的铜氧化物，将观察到在铜K边共振非弹性X射线散射（RIXS）。用数值精确对角化方法研究了具有二、三近邻跳跃项的二维哈伯德模型。特别强调的是放置在莫特间隙激发的粒子-空穴的不对称性。我们认为，莫特间隙激发RIXS观察到的显着影响之间的相互作用载流子和反铁磁关联。
2003-09-08 cond-mat.str-el
Nodal/Antinodal Dichotomy and the Two Gaps of a Superconducting Doped Mott Insulator
采用元胞动力学平均场论，以Lanczos方法为杂质求解器，研究了空穴掺杂二维哈伯德模型的超导态。在掺杂不足的制度，我们发现一个自然的分解成两个组件的一个粒子（光电发射）的能隙。在节点区域的间隙，源于异常的自能，减少掺杂。的波腹间隙有一个额外的贡献，从正常状态的赝隙继承的自能的正常分量，它增加的莫特绝缘相接近。
2008-02-04 cond-mat.str-el
Momentum space anisotropy in doped Mott insulators
我们研究了单空穴tt 't“J模型的数值计算，以解决掺杂莫特绝缘体中发现的动量空间各向异性。提出了一个简单的两带图象，用来理解不同动量态下自旋背景对掺杂空穴的屏蔽作用。在这幅图中，在欠掺杂铜氧化物超导体中通过实验观察到的结区和反结区之间的差异，来自局部能量考虑，并且相当于明确定义的准粒子行为和自旋-电荷分离相关现象之间的区别。
2005-04-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Not all doped Mott insulators have a pseudogap: key role of van Hove singularities
母体化合物的Mott绝缘相经常被用作低掺杂高$T_c$铜酸盐超导体的起始点。特别地，赝能隙态通常被认为是源自莫特绝缘体。在本工作中，我们系统地研究了正方形和三角形晶格上不同的弱掺杂莫特绝缘体，以阐明赝能隙和莫特度之间的关系。我们表明，掺杂的二维莫特绝缘体不一定会导致赝隙相。尽管其固有的强耦合的性质，我们发现，存在或不存在的pseudogap敏感地依赖于非相互作用的带参数，并确定系统的范霍夫奇点所发挥的关键作用。受赝能隙态的SU（2）规范理论的启发，我们提出并数值验证了一个简单的方程，该方程控制了电子散射率特征的演化。
2019-12-31 cond-mat.str-el
Carrier localization and electronic phase separation in a doped spin-orbit driven Mott phase in Sr3(Ir1-xRux)2O7
对许多强自旋轨道耦合的5d过渡金属氧化物绝缘体的兴趣源于将它们的电子结构映射到J=1/2 Mott相。希望之一是建立它们的Mott母态，并探索这些系统在载流子掺杂后实现新电子态的潜力。然而，一旦掺杂，很少有人了解他们的库仑相互作用U相对于他们的强相关的3d电子表兄弟的作用。在这里，我们表明，在空穴掺杂的候选人J=1/2莫特绝缘体，载流子保持本地化的纳米级相分离的基态。局部区域和巡回区域之间的相互作用发生了一个双金属-绝缘体转变，稳定了临界区域以外的反铁磁金属相。我们的研究结果表明，掺杂的5d-和3d-电子莫特系统之间的一个令人惊讶的平行，并建议通过附近的电子相或直接的载流子本地化，U是必不可少的，这个掺杂的自旋轨道莫特绝缘体的载流子响应。
2014-03-14 cond-mat.str-el
The Electronic States of Two Oppositely doped Mott Insulators Bilayers
我们研究了两个相反掺杂的低维tJ模型系统之间的库仑相互作用效应。我们精确地证明了，在一维情况下，任意的弱相互作用导致电荷中性的电子-空穴对的形成。然后，我们使用两种不同的平均场论来解决二维的情况下，层间激子也形成和凝聚。我们建议，这将导致新的功能，没有类似的单层，如绝缘自旋液相的出现。我们简单的双层模型可能与掺杂的莫特绝缘体界面和新的四层Ba 2CaCu 4 O 8化合物的物理学有关。
2006-12-09 cond-mat.str-el
Concealed Mott Criticality: Unifying the Kondo Breakdown and Doped Charge-Transfer Insulators
本研究提出隐藏的莫特临界性框架，统一解释重费米子近藤击穿与掺杂铜氧化物的量子临界点，通过玩具模型验证了费米面跳变与两侧质量增强的结论，符合实验观测。
2024-12-27 cond-mat.str-el
Generalizing the Cooper-Pair Instability to Doped Mott Insulators
铜氧化物在掺杂电子空穴后迅速成为超导体，表明基本的配对不稳定性。库珀机制将正常超导解释为费米液体状态的不稳定性，但高温超导体来自莫特绝缘体正常状态，而不是费米液体。我们发现，早熟对凝聚掺杂是一个自然的属性竞争的反铁磁性和d-波超导的单占据晶格，从而推广库珀不稳定性掺杂莫特绝缘体，具有重要意义的高温超导机制。
2008-10-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Quantum Ginzburg-Landau theory of doped Mott insulators
通过进一步的对偶变换，改进了掺杂莫特绝缘体的对偶性理论。结果得到了描述库珀对凝聚和自旋凝聚对偶的量子Ginzburg-Landau理论。我们通过掺杂莫特绝缘体来解决超导性，我们称之为莫特超导性。铜氧化物中这种新颖性的一些特征是中子共振能量和超流密度之间的标度，以及由涡旋或Zn杂质引起的{ \it量子化}自旋矩（以及循环电荷超流，有待实验检验）。
2003-06-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anomalous Nodal Gap in a Doped Spin-1/2 Antiferromagnetic Mott Insulator
University of Science and Technology of China（中国科学技术大学）；Chongqing University（重庆大学）；Los Alamos National Laboratory（洛斯阿拉莫斯国家实验室）；University of California, Santa Barbara（加州大学圣塔芭芭拉分校）；SLAC National Accelerator Laboratory（SLAC国家加速器实验室）；Northeastern University（东北大学）
本文利用角分辨光电子能谱研究电子掺杂Sr₂IrO₄，发现其反常节点能隙随掺杂演化并最终变为d波点节点，揭示了掺杂自旋-1/2反铁磁Mott绝缘体通向节点金属性的统一路径。
2025-11-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Optical conductivity of one-dimensional doped Hubbard-Mott insulator
利用sine-Gordon模型研究了强关联电子系统在金属-绝缘体相变附近的光学响应。在半经典量子化的情况下，光谱权重分布在Drude峰和呼吸子引起的吸收线之间。我们计算了Drude重量，光学间隙，和呼吸吸收的线形。
2002-08-16 cond-mat.str-el
Orbital-selective Mott Transitions in a Doped Two-band Hubbard Model
我们扩展以前的研究轨道选择性莫特过渡的顺磁状态的半满简并两带哈伯德模型一般掺杂的情况下，使用高精度的量子蒙特卡罗动力学平均场论求解器。对于足够强的强相互作用，轨道选择性莫特跃迁作为总带填充的函数在特定带填充、准粒子权重、双占位和光谱中清晰可见。与单波段模型的结果进行了对比，相似的相关强度。
2009-09-22 cond-mat.other cond-mat.str-el
Spin-gapped incoherent metal with preformed pairing in the doped antiferromagnetic Mott insulator
我们研究了反铁磁莫特绝缘体如何通过空穴掺杂演化为d波BCS超导体。在强耦合方法中考虑自旋涨落，我们发现了一个自旋能隙的非相干金属作为反铁磁莫特绝缘体和d波超导体之间的中间相。这种非费米液态金属在自旋分解规范理论中被认为是红外稳定的固定点，类似于从玻色子规范理论中的自旋液体绝缘体。我们考虑了反常金属相的单粒子能谱和动态自旋极化率，并讨论了其物理意义。
2007-08-13 cond-mat.str-el
Doped Mott insulator as the origin of heavy Fermion behavior in LiV2O4
采用局域密度近似和动力学平均场论相结合的方法，研究了在各种实验中观察到重费米子行为的LiV_2O_4的电子结构.为了在零温度下获得结果，我们采用投影量子蒙特卡罗方法作为杂质求解器。我们的研究结果表明，强相关的a1 g带是一个轻掺杂的莫特绝缘体，在低温下，它在费米能级上方显示出一个尖锐的（重）准粒子峰，这与Shimoyamada等人最近的光电发射实验一致。96 026403（2006）]。
2007-01-22 cond-mat.str-el
Evolution of spectral function in a doped Mott insulator : surface vs. bulk contributions
我们研究了在莫特绝缘体，$x$ = 0.0 - 0.5的$La_{1-x}Ca_xVO_3$中的光谱函数的演变。光谱特征表明，在该系统中的体到表面的金属-绝缘体转变。掺杂相关的变化，在体电子结构被证明是不符合现有的理论预测。基于单参数，$U/W$的经验描述，示出一致的光谱演化描述。
1998-03-11 cond-mat.str-el
Doped Mott phase and charge correlations in monolayer 1T-NbSe$_2$
本研究在单层1T-NbSe$_2$中实现了掺杂Mott相，发现通过邻近效应电子转移形成的半满与全满格点分布受竞争性非局域多体关联控制，确立了该材料作为探索阻挫晶格中高温关联物理的平台。
2024-03-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Localized in-gap state in a single electron doped Mott insulator
基于最近在原子尺度扫描隧道显微镜（STM）上对电子掺杂莫特绝缘体中的隙内局域态的观察，我们利用团簇微扰理论计算了正方晶格上哈伯德模型的局域电子态.发现在掺杂剂晶格位置周围的上Hubbard带下方存在带隙态，这与STM测量结果一致。这种局部能隙态的出现伴随着电子双占有率的迅速减少。三角晶格上也存在类似的带隙态。这些结果表明，间隙状态是独立于晶格结构的莫特绝缘体的固有特征。
2014-02-24 cond-mat.str-el
Doping induced spinless collective excitations of charge 2e in doped Mott insulators
基于掺杂莫特绝缘体的哈伯德模型描述，我们证明了在非超导态下，由于掺杂，必然存在电荷$2e$和能量$U-2μ$的无自旋集体激发，能量峰值在动量$(π/a,π/a)$。这种集体激发是由电子对关联引起的。它的存在与近似SU（2）粒子-空穴对称性的破缺有关，由此构造了新激发的有效场论。
2000-10-29 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Mott and Wigner-Mott transitions in doped correlated electron systems: effects of superlattice potential and inter-site correlation
我们引入超结构Mottness的概念来描述掺杂强关联电子系统中的Mott和Wigner-Mott跃迁。我们表明，超结构Mottness出现在一个非均匀的电子系统时，超结构包含一个奇数的电子每个超细胞。我们认为，即使在没有平移对称性破缺的超晶格的超结构Mottness存在，只要扩展或intersite库仑相互作用是强的。在后一种情况下，超结构Mottness为Mott和Wigner物理学提供了一个统一的框架，并对Wigner-Mott跃迁提供了一个非微扰的强耦合描述。我们通过研究一个最小的单带离子Hubbard $t$-$U$-$V$ - $Δ$模型来支持我们的建议，该模型具有最近邻库仑排斥$V$和两个亚晶格离子势$Δ$。该模型被映射到一个哈伯德模型与两个有效的“轨道”代表的两个网站内的超晶胞，轨道内和轨道间的库仑排斥$U$和$U^\prime \sim V$，和一个晶体场分裂$Δ$。原始晶格上的电荷序对应于轨道序。在Gutzwiller近似下，我们研究了四分之一填充时$V$和$Δ$对Mott和Wigner-Mott跃迁的影响及其相互作用.给出了超晶格势增强关联效应的机制和局域矩形成的趋势，在超结构Mottness的统一框架下构造并阐明了相图。
2009-10-01 cond-mat.str-el
Pseudogap in Doped Mott Insulators is the Near-neighbour Analogue of the Mott Gap
我们表明，强耦合物理固有的绝缘Mott状态在2D中导致的化学势的跳跃掺杂和出现的赝隙的单粒子光谱低于一个特征温度。赝能隙的产生是因为任何不直接邻近空穴的单占据位点经历了等于$t^2/U$的最大能垒，其中$t$是最近邻跳跃积分，$U$是原位排斥。平均而言，在每个晶格位置具有至少一个作为近邻的孔之前，所得到的赝隙不能消失。这种效应在所有掺杂莫特绝缘体中的普遍存在表明，铜氧化物中的赝能隙有一个简单的起源。
2003-05-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Ultrafast separation of photo-doped carriers in Mott antiferromagnets
利用非均匀非平衡动力学平均场论研究了强内场作用下Mott绝缘异质结构中光激发载流子的传播。反铁磁相关性被发现以一种至关重要的方式影响载流子动力学：反铁磁自旋背景可以在超快时间尺度上从光激发载流子中吸收能量，从而实现不同层之间的快速传输以及电子和空穴类载流子的分离，而在顺磁状态下，载流子在强场中变得局部化。电荷自由度和自旋自由度之间的这种相互作用可以用来控制基于具有极性层的Mott绝缘异质结构的器件的功能，例如，用于光伏应用。
2014-03-06 cond-mat.str-el
Exploring nonequilibrium phases of photo-doped Mott insulators with Generalized Gibbs ensembles
光激发的强关联系统可以表现出有趣的非热相，但它们的理论研究提出了重大挑战。在这项工作中，我们介绍了一个广义吉布斯系综类型的描述长寿命的光掺杂态的莫特绝缘体。这个框架使系统的研究光诱导相平衡方法的基础上，在这里证明了一维扩展哈伯德模型。我们确定了非平衡相图，它的特点$η$ -配对和电荷密度波阶段在一个广泛的掺杂范围，并揭示这些阶段的物理性质。我们表明，光掺杂载流子的特殊运动学，以及它们之间的相互作用，在非热相的形成中起着至关重要的作用，我们澄清光掺杂的莫特绝缘体，化学掺杂的莫特绝缘体和光杂质半导体之间的差异。我们的研究结果表明，非平衡强关联系统的系统探索的新途径，并表明，光掺杂的莫特绝缘体主机不同的阶段比传统的半导体。
2021-12-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Percolative Mott insulator-metal transition in doped Sr$_2$IrO$_4$
尽管许多人努力使掺杂莫特绝缘体中的强关联电子基态合理化，但掺杂诱导的绝缘体到金属转变的性质仍然是一个正在深入研究的主题。在这里，我们探测的莫特绝缘体锶$_2$ IrO $_{4-δ}$与低温扫描隧道显微镜的纳米级电子结构，并发现增强的局域态密度（LDOS）内的莫特间隙在个别顶端氧位点缺陷的位置。我们可视化的路径所产生的缺陷态的重叠，诱导有限的LDOS在费米能级的增强电导。结合这些发现和典型的约2~nm的孤立缺陷的空间扩展，我们表明$_2$ IrO $_{4-δ}$中的绝缘体到金属的转变具有双折射性质。
2019-09-23 cond-mat.str-el
Magnetic Incommensurability in Doped Mott Insulator
在本文中，我们探讨的自旋-自旋关联的非公度空间调制的掺杂莫特绝缘体的本征性质，描述的$t-J$模型。我们表明，这样的不可逆性是一个直接的表现形式的相位弦效应引入掺杂空穴在一维和二维的情况下。在动量空间中动态自旋磁化率的磁无公度峰与铜氧化物超导体的中子散射测量结果在位置和掺杂依赖性方面都是一致的。特别是，这种无公度结构可以自然地调和铜酸盐的中子散射和NMR实验。
1998-09-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Critical behaviour near the metal-insulator transition of a doped Mott insulator
本文用线性化形式的动力学平均场论研究了无限维哈伯德模型中掺杂莫特绝缘体在金属-绝缘体相变附近的临界行为。对于大于临界值$U_c$的$U$，从空穴掺杂到电子掺杂的化学势的不连续性已被解析计算，并发现与数值方法的结果吻合良好。我们还推导出的压缩性，准粒子的重量，双占有率和局部自旋磁化率近半填充作为现场库仑相互作用和掺杂的函数的解析表达式。
2001-03-19 cond-mat.str-el
