A Unified Theory of Unusual Anisotropic Magnetoresistance and Unidirectional Magnetoresistance in Nanoscale Bilayers
本文提出统一理论，证明纳米磁性双层膜中的UAMR和UMR均源于磁化矢量、热梯度与界面内建电场共同作用下的电子输运，并成功解释电流方向、磁化取向、膜厚及磁场强度等关键实验依赖关系。
2025-05-05 cond-mat.str-el
Anisotropic magnetoresistance involves metal-insulator transition in single crystal La0.77Ca0.23MnO3
由于某些原因，这篇论文被撤回了
2008-04-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Sign-tunable anisotropic magnetoresistance and electrically detectable dual magnetic phases in a helical antiferromagnet
螺旋序描述了反铁磁体的非共线自旋织构，这是由竞争交换相互作用引起的。虽然共线反铁磁体是反铁磁（AFM）自旋电子学的基本组成部分，但在非共线反铁磁体中实现自旋电子学功能的潜力迄今尚未得到澄清。在这里，我们提出了一个原子力显微镜helimagnet EuCo2As2作为一种新型的单相自旋电子材料，表现出显着的各向异性磁电阻（AMR）的符号反转。AMR中的对比度来自于两个电性不同的磁相，其自旋重取向由位于易平面上的磁场驱动，其将AMR的符号从正切换到负。此外，各种AFM记忆状态与磁场下的自旋结构的演变进行了理论鉴定，基于易平面各向异性自旋模型。这些结果表明，非共线反铁磁体具有发展自旋电子器件的潜力。
2022-03-21 cond-mat.str-el
Anisotropic magnetoresistance and spin polarization of La0.7Sr0.3MnO3 / SrTiO3 superlattices
采用射频溅射法制备了La0.7Sr0.3MnO3/SrTiO 3（LSMO/STO）超晶格，系统地分析了其晶体结构、各向异性磁电阻（AMR）和磁化强度，研究了锰氧化物在界面处的自旋极化.透射电子显微镜（TEM）图像和X射线衍射证实了LSMO和STO层之间具有尖锐界面的完美外延生长。在LSMO/STO超晶格中，较薄的LSMO层或较厚的STO层的正低温AMR的存在意味着两个带的多数和少数字符有助于输运性质，导致减少自旋极化。此外，超晶格的磁化强度在低温下遵循T3/2定律，并且随着厚度比dSTO/dLSMO的增加而衰减得更快，对应于减少的交换耦合。结果清楚地表明，自旋极化与界面诱导应变对结构的影响密切相关。
2005-05-28 cond-mat.str-el
Anisotropic magnetoresistance in single cubic crystals: A theory and its verification
本文提出单立方晶体中AMR和PHE的理论，预测磁化旋转时电阻率的普适角度依赖关系，并通过Fe30Co70单晶薄膜实验验证，为相关基础研究和应用开辟新途径。
2023-12-01 cond-mat.str-el
Revealing Controllable Anisotropic Magnetoresistance in Spin Orbit Coupled Antiferromagnet Sr2IrO4
反铁磁自旋电子学积极地引入了磁存储的新原理，其中最基本的自旋相关现象，即各向异性磁阻效应，由反铁磁体而不是铁磁体控制。反铁磁各向异性磁电阻效应的一般情况主要源于与自旋轨道耦合有关的磁晶各向异性。本文研究了磁场驱动下的反铁磁Sr 2 IrO 4/SrTiO 3（001）薄膜的四重各向异性磁电阻的轮廓旋转，该薄膜具有强自旋轨道耦合的Jeff=1/2 Mott态.同时，一个有趣的最小磁阻出现。通过第一性原理计算，揭示了由Ir等自旋旋转引起的带隙工程是导致这些涌现现象的原因，这与传统的沿磁易轴施加磁场时通常获得相对更导电的状态的情况不同.我们的研究结果表明，一个新的有效的途径，即通过新的杰夫=1/2状态，实现可控的各向异性磁电阻在反铁磁材料。
2018-05-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Carrier localization and out of plane anisotropic magnetoresistance in $Nd_{0.55-x} Sm_x Sr_{0.45} Mn O_3$ thin films
研究了载流子局域化对NSSMO薄膜各向异性磁电阻效应的影响。载流子局域化是由钙钛矿晶格的A位的平均半径减小和由于较小阳离子取代较大阳离子而增强的尺寸无序引起的。
2013-01-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Large anomalous Hall effect and anisotropic magnetoresistance in intrinsic nanoscale spin-valve-type structure of an antiferromagnet
自旋阀是在铁磁体上发现的基于自旋的电子器件的原型，其中反铁磁体起支持作用。反铁磁自旋电子学的最新研究结果表明，单相材料中的反铁磁有序仅控制动态输运，反铁磁被认为是自旋电子学技术的有前途的候选者。在这项工作中，我们证明了反铁磁为基础的自旋电子功能的巡回伊辛反铁磁Ca0.9Sr0.1Co2As2集成纳米级自旋阀型结构和调查各向异性磁性能驱动的自旋翻转。多个堆叠的1 nm厚的自旋阀状单元固有地嵌入在反铁磁自旋结构中。在旋转磁场的存在下，观察到一种新型的自旋阀式操作的大的反常霍尔电导率和各向异性磁阻，其效果是最大化以上的自旋翻转转变。此外，一个联合的实验和理论研究提供了一个有效的工具来读出各种自旋态，该方案可以用于实现广泛的自旋电子学应用。
2022-03-21 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition and giant anisotropic magnetoresistance in ultra thin (Ga,Mn)As
MBE生长的，5 nm厚的退火Ga 0.95 Mn 0.05 As薄膜，Tc~ 90 K，表现出从金属到绝缘状态的转变低于To~ 10 K，其中薄层电阻Rsh~h/e2和纵向Rxx和横向Rxy分量变得相当。在金属-绝缘体转变下，我们发现巨各向异性磁阻（GAMR），它取决于磁化方向对晶轴的取向，并且在T=1.7K，H//[110]晶向和平行于电流的Rxx处表现为接近50%的正磁阻，而H//方向的磁阻较小且为负。我们将GAMR与各向异性自旋-轨道相互作用联系起来，从而形成沿非等效易轴具有不同局域化的高电阻态和低电阻态。
2008-06-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Angular dependence of magnetoresistance in strongly anisotropic quasi-two-dimensional metals for various Landau-level shapes
本文用量子力学方法计算了倾斜磁场作用下准二维层状金属层间电导率$σ_{zz}(θ)$的角度依赖性。我们的计算表明，LL形状是重要的，这种角度依赖性。特别是，角磁阻振荡（AMRO）的振幅是强得多的高斯LL形状比洛伦兹。对于高斯LL形状，比率$σ_{zz}(θ=0)/ σ_{zz}(θ->\pm 90^{\circ})$也大几倍。AMRO和塞曼能量分裂导致自旋流。对于典型的有机金属和中等磁场10 T，该自旋电流仅为充电电流的百分之几，但其值几乎可以达到特定磁场倾斜角的充电电流。自旋电流具有强烈的角振荡，与通常的AMRO相比，角振荡是相移的。
2018-07-17 cond-mat.str-el
Six-fold crystalline anisotropic magnetoresistance in the (111) LaAlO$_3$/SrTiO$_3$ oxide interface
测量了（111）LaAlO $_3$ /SrTiO $_3$界面二维电子液体的磁电阻。界面的六角对称性表现在六重结晶组件中出现的各向异性磁电阻（AMR）和平面霍尔数据，这与我们进行的对称性分析一致。六倍分量随载体浓度增加，达到总AMR信号的15%。我们的研究结果表明，更高的巡回电子带和晶体之间的耦合作为这种效应的起源，并证明（111）氧化物界面是一个独特的六角系统与可调磁晶效应。
2017-06-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
In-plane anisotropic magnetoresistance in detwinned $BaFe_{2-x}Ni_{x}As_{2}$ ($x$ = 0, 0.6)
本文测量并比较去孪晶 $BaFe_2As_2$ 与非磁性 Ni 掺杂样品的面内 MR，发现低温高场下的强各向异性不能仅由 Fermi 面解释，而反映有序磁矩自旋取向相关的电荷-自旋耦合。
2024-02-01 cond-mat.str-el
Anisotropic magnetoresistance in spin-orbit semimetal SrIrO3
SrIrO 3是Ruddlesden-Popper虹彩酸盐的三维成员，是一种顺磁性半金属，其特征在于自旋轨道耦合和库仑排斥之间的微妙相互作用。本文研究了SrIrO_3薄膜的各向异性磁电阻（AMR），它与自旋轨道耦合密切相关，并探讨了电子输运、磁有序和轨道态之间的相关性。我们发现，低温负磁电阻是各向异性的磁场方向，其角度依赖性揭示了一个四重对称组件以上的临界磁场的外观。我们发现，这AMR组件是磁晶起源，并归因于所观察到的转变场诱导的SrIrO 3的磁状态。
2020-01-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anomalous Anisotropic Magnetoresistance in Heavy-Fermion PrFe4P12
我们研究了Pr基HF化合物PrFe_4P_（12）的磁电阻各向异性。电阻率测量证实了有效质量的各向异性和强场依赖性。尤其是H|| [111]，在有效质量最强烈增强的地方，已经观察到非费米液体行为。此外，我们还发现，在H|| [111]，这与非费米液体行为和高场有序态（B相）都有明显的相关性。
2008-06-25 cond-mat.other cond-mat.str-el
Magnetization plateau and anisotropic magnetoresistance in the frustrated Kondo-lattice compound Ce3ScBi5
本文合成了受挫结构的Ce₃ScBi₅单晶，发现其在低温下有两个反铁磁转变，垂直c轴磁场下存在磁化平台间的变磁转变及各向异性磁电阻，构建了温场相图，为研究受挫近藤晶格中的奇异量子态提供了平台。
2025-11-12 cond-mat.str-el
Anisotropic Colossal Magnetoresistance Effects in Fe_{1-x}Cu_xCr_2S_4
本文详细研究了Fe $_{1-x}$ Cu $_x$ Cr $_2$ S $_4$（$x \leq 0.5$）单晶的电子输运和磁性。研究了$2 \leq T \leq 300$ K在高达14 T的磁场和高达16 kbar的静水压力下的电阻率。此外，磁化和铁磁共振（FMR）测量进行。铁磁共振和磁化数据揭示了一个明显的磁各向异性，它低于居里温度，$T_{\mathrm{C}}$，并强烈增加对较低的温度。增加Cu浓度降低了这种效应。在温度低于35 K的磁阻，$MR = \frac{ρ(0) - ρ(H)}{ρ(0)}$，表现出强烈的依赖于磁场的方向，可能是由于增强的各向异性。沿难磁化轴方向施加磁场会导致磁电阻的符号发生变化，并使磁电阻的绝对值显著增加。另一方面，磁阻在较低温度下保持为正，在沿易磁化轴施加磁场的情况下表现出模糊的最大值。结果进行了讨论，在离子图片中使用三重交换模型的电子跳跃，以及利用带图片的半金属。
2003-04-30 cond-mat.str-el
Anisotropic strains, metal-insulator transition, and magnetoresistance of La$_{0.7}$Ca$_{0.3}$MnO$_{3}$ films
用脉冲激光沉积法或激光分子束外延法在不同衬底上外延生长了钙钛矿锰氧化物La $_{0.7}$ Ca $_{0.3}$ MnO $_{3}$薄膜。衬底改变了薄膜的体积和晶胞的对称性。结果表明，单胞的对称性和体积对金属-绝缘体转变温度和磁电阻的大小有很大的影响。
2001-10-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Strain driven anisotropic magnetoresistance in antiferromagnetic La$_{0.4}$Sr$_{0.6}$MnO$_{3}$
研究了应变对La $_{1-x}$ Sr $_{x}$ MnO $_{3}$（x = 0.6）反铁磁（AFM）单晶薄膜的影响。名义上未应变的样品具有强的磁电阻，各向异性磁电阻（AMR）高达8%。压缩应变抑制磁阻，但产生高达63%的AMR值。拉伸应变呈现了金属-绝缘体转变的唯一情况，并展示了先前未报道的AMR行为。在这三种情况下，我们发现磁有序的证据，没有全球铁磁相变的迹象。这些行为归因于外延引起的轨道占据的变化驱动不同的磁有序类型。我们的研究结果表明，不同的原子力显微镜订购类型有深刻的影响AMR的幅度和字符。
2014-08-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Signature of surface state coupling in thin films of the topological Kondo insulator SmB$_6$ from anisotropic magnetoresistance
研究了$_6$薄膜的面内各向异性磁电阻效应（AMR）随温度和厚度的变化关系。我们发现AMR的符号从高温时的负值（$ρ_{||}<ρ_{\perp}$）变为低温时的正值（$ρ_{||}>ρ_{\perp}$）。发生这种符号变化的温度T $_s$随着膜厚度$t$的增加而降低，当$t$ $>$为30 nm时，T $_s$消失。我们解释我们的结果在两个组件之间的竞争的框架：一个负的批量贡献和一个积极的表面AMR。
2017-03-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Magnetoresistance and Anisotropic Spin Dynamics in Antiferromagnetic Semiconductor Eu$_5$Sn$_2$As$_6$
本文研究了稀土 Zintl 化合物 Eu$_5$Sn$_2$As$_6$ 在 10.3 K 下的倾斜反铁磁序、复杂磁相级联及低温巨磁电阻行为，并探讨了电阻率饱和的可能机制。
2024-07-08 cond-mat.str-el
Anisotropic Magnetoresistance in Charge-Ordering $Na_{0.34}(H_3O)_{0.15}CoO_2$:Strong Spin-Charge Coupling and Spin Ordering
系统地研究了电荷有序的单晶$Na_{0.34}(H_3O)_{0.15}CoO_2$的角相关面内磁电阻效应。各向异性磁电阻在高温下表现出双重对称性，其中H在Co-O平面内旋转，而在低于一定温度（$T_ρ$）时表现出六重对称性。在$T_ρ$处，AMR的对称性随着在由电流和c轴组成的平面中的旋转磁场（H）而从二重变化到四重。AMR对称性随温度的变化源于自旋结构的细微变化。这些结果为巡游电子与局域自旋直接耦合提供了直接证据。
2006-07-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Interlayer magnetoresistance in an anisotropic pseudogap state
半经典计算了具有d波赝隙的准二维层状金属的层间磁电阻。作为磁场的强度和方向的函数的层间电阻率的表达式，赝隙的大小，温度，和散射率得到。我们发现，赝隙，通过引入低能量节准粒子轮廓，平滑依赖于场方向的方式特征的各向异性。因此，我们建议，层间电阻测量下的可变取向的强字段可以用来充分表征各向异性的赝间隙。一般的结果被施加到平行于导电层的磁场的情况下，使用模型的能带结构适合于过掺杂的T $\ell$ 2201。
2009-06-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Huge tunnelling anisotropic magnetoresistance in (Ga,Mn)As nanoconstrictions
我们报告大的各向异性磁阻（AMR）行为在单横向（Ga，Mn）作为纳米收缩高达1300%，随着大的多稳态电报开关。的nanoconstriction设备制造使用高分辨率电子束光刻的5 nm厚的（Ga，Mn）As外延层。这些设备所表现出的不寻常的行为进行了讨论的背景下，现有的增强AMR铁磁半导体纳米级器件的理论，特别是关于对大块材料的磁输运的依赖。我们的结论是，我们的结果是最符合库仑阻塞AMR机制。
2008-07-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Orbitally-driven Behavior: Mott Transition, Quantum Oscillations and Colossal Magnetoresistance in Bilayered Ca3Ru2O7
我们报道了最近的输运和热力学实验在很宽的温度范围内的Mott类系统Ca 3 Ru 2 O 7在高磁场，B，高达30 T。这项工作揭示了一个丰富的和高度各向异性的相图，其中沿a轴，b轴和c轴应用B会导致截然不同的行为。通过一级变磁跃迁得到了B的完全自旋极化态||a，B的巨磁阻||b，并观察到B的电阻率的量子振荡||C，分别。据信晶格、轨道和自旋自由度的相互作用导致了这种强烈的各向异性行为。
2004-07-23 cond-mat.str-el
Anisotropic Nonsaturating Magnetoresistance Observed in HoMn$_6$Ge$_6$: A Kagome Dirac Semimetal
本研究针对kagome狄拉克半金属HoMn$_6$Ge$_6$开展磁输运与能带结构研究，揭示了其磁电阻正负转变、各向异性非饱和磁电阻等特性及微观起源，补充了反常霍尔效应与载流子转变的实验发现。
2024-04-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anisotropic strains and magnetoresistance of La_{0.7}Ca_{0.3}MnO_{3}
采用脉冲激光沉积法在SrTiO 3（100）、MgO（100）和LaAlO 3（100）衬底上外延生长钙钛矿锰氧化物薄膜La_{0.7} Ca_{0.3} MnO_{3}。这些薄膜样品以及散装样品的微观结构，充分确定由X-射线衍射测量。三种膜的晶胞具有不同的形状，即，SrTiO_3、MgO和LaAlO_3的晶胞分别为收缩的四方晶系、立方晶系和拉长的四方晶系，而块体的晶胞为立方晶系。结果表明，立方晶胞样品的峰值磁电阻小于非立方晶胞样品。本研究结果表明，La_{0.7} Ca_{0.3} MnO_{3}的磁电阻可以通过外部施加的应变通过晶格畸变来控制。
1997-02-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Paramagnetic anisotropic magnetoresistance in thin films of SrRuO3
SrRuO 3是一种巡游铁磁体，当生长在错位SrTiO 3上时，其薄膜形式具有~ 150 K的Tc和强的单轴各向异性。我们测量的霍尔效应和磁阻（MR）的薄膜之间的角度的函数的应用领域和正常的薄膜在温度高于Tc。我们提取了与磁化强度的垂直分量成比例的非常霍尔效应，并且因此针对所施加的场的每个角度的MR可以与感应磁化强度的幅度和取向相关。我们成功地拟合的MR数据与二阶磁化膨胀，这表明大的各向异性MR顺磁状态。可能是由于晶体的对称性，在平行于或垂直于磁化方向的电流下，电阻率都没有得到极值。
2003-11-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anisotropic Magnetoresistance in Lightly Doped La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}: Impact of Anti-Phase Domain Boundaries on the Electron Transport
详细研究了轻掺杂反铁磁La_{1.99} Sr_{0.01} CuO_{4}中的磁阻行为，其中由于自旋倾斜产生的弱铁磁矩，反铁磁（AF）畴结构可以被磁场控制.磁共振行为表明CuO_2晶面确实存在反相AF畴界，电荷被限制在其中，形成反相条纹。数据表明，高磁场将反相条纹转变为同相条纹，并且后者似乎比前者提供更好的传导，这挑战了条纹的反相特性促进电荷运动的概念。
2003-05-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Theoretical Study on Four-fold Symmetric Anisotropic Magnetoresistance Effect in Cubic Single-crystal Ferromagnetic Model
在这项研究中，我们提出了一个理论解释的实验结果，各向异性磁电阻（AMR）效应有一个四重对称分量，$c_4$，在立方铁磁金属。我们采用的理论模型是基于安德森杂质模型，其中包括一个四重对称的晶体电场，我们假设杂质有3d电子轨道和自旋-轨道相互作用（SOI）。我们描述的直流电导率的Kubo公式的基础上，我们调查$c_4$通过分析所得AMR比的磁化方向依赖性。分析和数值计算进行;分析计算表明，$c_4$产生的四阶贡献的SOI，和数值计算提供的参数依赖性的$c_{4}$在我们的模型。从计算结果中，我们观察到，由于SOI的杂质3d能级的分裂是负责的立方铁磁金属中的$c_{4}$的存在。
2019-07-23 cond-mat.str-el physics.app-ph
Low field anisotropic colossal magnetoresistance in $Sm_{0.53} Sr_{0.47} Mn O_3$ thin films
采用同轴直流磁控溅射法在LSAT（001）单晶衬底上制备了SSMO 5347薄膜（厚度约200 nm）。这些膜沿着面外c方向取向。铁磁和绝缘体-金属转变分别发生在96 K和91 K。易磁化轴被观察到位于膜的平面中，而难磁化轴被发现是沿着法线。SSMO薄膜的磁输运表现出巨大的各向异性，该磁输运作为磁场（H）与薄膜平面之间的角度（θ）的函数进行测量。磁阻（MR）随着θ从0度（H//易磁化轴）增加到90度（H//难磁化轴）而急剧减小。在H=3.6 kOe和78 K时，面外各向异性MR（AMR）高达88%.用起作用的磁各向异性和外加磁场中的磁畴运动解释了这种巨大的各向异性。
2013-01-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Coulomb blockade anisotropic magnetoresistance: Singleelectronics meets spintronics
单电子学和自旋电子学是对CMOS电子学最深入研究的潜在补充或替代。基于电子离散电荷的单电子学是微型化和电敏感性的终极。自旋电子学基于操纵电子自旋，提供高磁敏性和非易失性存储效应。到目前为止，这两个领域的主要发展都遵循独立的路径，只有少数实验研究的混合单电子/自旋电子器件。在这些设备中已经发现了有趣的新效果，但直到现在，这些设备还没有提供有用的新功能的可能性。在这里，我们展示了一个设备，它显示了一个新的物理效应，库仑阻塞各向异性磁阻，并提供了一条路线，非易失性，低场，高电和磁敏感操作。由于这种新现象反映了经典单电子充电能量的磁化取向依赖性，因此它不会对与更微妙的量子效应（例如共振或自旋相干隧穿）相关的操作温度施加约束。
2006-02-26 cond-mat.other cond-mat.str-el
"Spin-Flop" Transition and Anisotropic Magnetoresistance in Pr_{1.3-x}La_{0.7}Ce_{x}CuO_{4}: Unexpectedly Strong Spin-Charge Coupling in Electron-Doped Cuprates
我们使用运输和中子散射测量表明，磁场诱导的过渡从非共线共线的自旋排列在相邻的CuO_{2}平面的轻电子掺杂Pr_{1.3-x} La_{0.7} Ce_{x} CuO_{4}（x=0.01）晶体的影响显着的面内和面外电阻率。在高场共线状态下，磁阻（MR）不会饱和，但表现出有趣的四重对称角度依赖性，从B//[100]处的正向振荡到B//[110]处的负向。观察到的MR超过30%，在低温下诱导的适度修改的自旋结构表明一个意想不到的强自旋-电荷耦合在电子掺杂的铜酸盐。
2004-04-08 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Hysteresis and Anisotropic Magnetoresistance in Antiferromagnetic $Nd_{2-x}Ce_xCuO_{4}$
研究了具有三种非共线反铁磁自旋结构的反铁磁$ρ_c$单晶的面外电阻率和磁阻率。在$ρ_c(T)$中观察到了零场和14 T下自旋结构跃迁的明显特征，为巡游电子与局域自旋的直接耦合提供了明确的证据.其中一个显著的特征是磁共振的各向异性，在不同的相位中，在ab平面内旋转外场（B）时具有四重对称性，而在自旋重取向转变温度下具有两重对称性。在自旋重取向转变温度下，观察到$ρ_c(T,B)$中有趣的热滞现象和MR中的磁滞现象。
2004-12-22 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Highly Tunable Perpendicular Magnetic Anisotropy and Anisotropic Magnetoresistance in Ru-doped La0.67Sr0.33MnO3 Epitaxial Films
本研究通过协同引入4d Ru掺杂和适度压应变，显著增强了LSMO外延薄膜的垂直磁各向异性，并发现了由强PMA主导的各向异性磁阻效应，为氧化物基自旋电子器件提供了有效路径。
2023-07-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Giant anisotropic magnetoresistance in few-layer α-RuCl3 tunnel junctions
本研究通过少层α-RuCl3隧道结的角度依赖TMR测量，发现高达2500%的巨各向异性磁电阻，揭示了低温单斜相和增强的锯齿形反铁磁序，为量子自旋液体的电探测奠定基础。
2024-07-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Anisotropic scattering in angular-dependent magnetoresistance oscillations of quasi-2D and quasi-1D metals: beyond the relaxation-time approximation
本文用玻尔兹曼输运理论研究了准二维（准一维）金属中垂直于层（链）运动的电流在变取向磁场作用下的电阻率。我们考虑最简单的非平凡准2D和准1D费米表面，但允许任意的弹性碰撞积分（即，任意依赖于动量转移的散射概率），并获得电阻率的表达式，该表达式概括了先前使用单个弛豫时间近似发现的电阻率。电阻率对磁场和电流之间的角度的依赖性取决于散射概率的动量依赖性而变化。因此，而零场层内传输仅对动量平均散射概率（传输弛豫速率）敏感，在倾斜磁场中测量的垂直于层的电阻率提供了关于层间散射的动量依赖性的详细信息。这些结果有助于澄清的角度依赖磁阻振荡（AMRO）的实验数据的理论表达式拟合确定的弛豫率的意义。此外，我们建议如何AMRO可能被用来探测占主导地位的散射机制。
2008-04-17 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Highly anisotropic interlayer magnetoresistance in ZrSiS nodal-line Dirac semimetal
我们煽动的角度相关的磁电阻（AMR）的层状双线狄拉克半金属ZrSiS的面内和面外的电流方向。这种材料最近揭示了一种有趣的蝴蝶形平面AMR，但还没有很好地理解。我们的测量极性的平面外AMR显示了一个令人惊讶的不同的响应与明显的尖点状功能。当磁场在$a$ - $b$平面中取向时，尖点状各向异性达到最大值。此外，方位面外电流方向的AMR表现出非常强的四重$a$ - $b$平面各向异性。结合第一性原理计算的费米面与玻尔兹曼的半经典输运理论，我们再现并解释了所有的突出特点的不寻常的行为的面内和面外AMR。我们也能够澄清的起源强非饱和横向磁电阻作为不完善的电荷载流子补偿和开放轨道的影响。最后，结合我们的理论模型和实验数据，我们估算了在1.8 K下，我们的ZrSiS样品中$2.6\times10^{-14}$ ~s的平均弛豫时间和$15$ ~nm的平均自由程。
2019-04-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anisotropic giant magnetoresistance in NbSb2
本文报道了NbSb $_2$单晶在平行于$b$轴的电流作用下，具有极大的横向磁阻（在2K和9 T磁场下的磁阻比$\sim 1.3\times10^5\%$，在0.4K和32 T磁场下的磁阻比$4.3\times 10^6\%$，无饱和）和磁场诱导的金属-半导体交叉。当电流沿$ac$平面时，金属-半导体交叉被保留，但磁阻比被显著抑制。霍尔电阻率在接近交叉点的电场中的符号反转，以及电子结构计算揭示了具有非常高的迁移率的少量空穴和具有低迁移率的大量电子的共存。这些效应归因于磁场引起的费米面的变化。
2014-08-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other cond-mat.str-el
Floquet-induced anisotropic magnetoresistance and anomalous Hall effect in 2D $d$-wave altermagnets with Rashba spin-orbit coupling
Georgetown University（乔治城大学）；Johannes Gutenberg-University Mainz（美因茨约翰内斯古腾堡大学）
通过Floquet工程在二维$d$波交错磁体中实现平衡态禁阻的输运响应，包括纵向各向异性磁电阻和反常霍尔效应，双色光还可激活横向各向异性磁电阻，且无需强静磁场。
2026-06-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
