Superconductivity in Sulfur-Doped Amorphous Carbon Films
根据我们以前的研究在非晶碳（aC）为基础的系统的超导性，我们已经制备了薄的复合aC-W薄膜，使用电子束诱导沉积。薄膜在5 K以上没有表现出任何超导性的迹象。然而，局部的，非超导性，超导性出现在Tc = 34.4 K后，用硫在250 ℃处理24小时。磁化曲线中的超导特征比我们以前的结果尖锐得多，屏蔽分数增加了大约一个数量级。我们的数据表明，配对和本地化的超导发生在aC-S区域，而相位相干性，辅助W夹杂物，增强相比，我们以前的样品，但仍然没有达到实现全球相位相干性和超导电性的程度。
2013-01-23 cond-mat.supr-con
Flow and Tilt-Induced Orientation of the Moving Vortex Lattice in Amorphous NbGe Superconducting Thin Films
本文研究了非晶超导NbGe薄膜中磁通流态运动涡旋晶格的取向和形变。采用锁模技术，我们检测如何移动晶格变形和他们的取向变化的磁场是从正常的倾斜到薄膜表面。对于高倾斜角，晶格取向与倾斜方向平行对齐。同时，对于低倾角的晶格取向依赖于涡旋速度和速度诱导的重取向发生。当运动晶格发生形变时，再取向的特征速度变化很大。所观察到的功能是一致的扩展键波动理论，揭示了各向异性振动涡旋运动是必不可少的，用于确定运动的涡旋晶格的取向。
2013-06-28 cond-mat.supr-con
Physical properties of amorphous molybdenum silicide films for single photon detectors
系统研究了磁控共溅射法制备的非晶Mo $_{\rm x}$ Si $_{1-x}$薄膜的物理性质。$_{\rm x}$薄膜的临界温度$_{1-x}$随化学计量比x的增加而逐渐增加，在$_{\rm 0.83}$ Si-$_{0.17}$中达到最高，为7.9 K。超过$x$ =0.83，预制的库珀对和超导畴坚持在薄膜中，尽管超导状态与完美的零电阻率是缺席。Mo $_{\rm 0.83}$ Si $_{0.17}$的厚膜显示出令人惊讶的退化，其中零电阻率的开始被抑制在低于2 K。然而，薄Mo $_{\rm 0.83}$ Si $_{0.17}$膜即使在厚度d $\leq$ 1 nm时也显示出稳健的超导性。我们还表征了基于2 nm薄Mo $_{\rm 0.8}$ Si $_{0.2}$膜的宽微线，其宽度为40和60 $μ$ m，在780 nm和1550 nm波长处显示出单光子灵敏度
2021-09-02 cond-mat.supr-con
Flux Flow Instabilities in Microstructured Amorphous Nb0.7Ge0.3 Thin Films
我们报告的电场与电流密度[E（J）]特性的混合状态下的非晶Nb 0.7 Ge 0.3微桥的测量。在转变温度Tc附近，非线性磁通流的Larkin-Ovchinnikov理论和相关的不稳定性定量地描述了高达~ 70%的上临界磁场Bc 2和宽电场范围内的数据。在较低的温度下，E（J）的非线性可以通过电子加热来描述，电子加热降低了Bc 2，并导致第二种类型的通量流不稳定性，如高耗散数据的缩放分析所示。
2003-07-18 cond-mat.supr-con
Anisotropic response of the moving vortex lattice in superconducting Mo$_{(1-x)}$Ge$_{x}$ amorphous films
我们已经进行了磁化率测量Mo $_{(1-x)}$ Ge $_x$非晶薄膜偏置电流使用各向异性线圈。我们测试了改变偏置电流和磁化率线圈之间的相对方向的涡旋响应的对称性。在直流电流-温度相图中发现了一个动态涡旋结构各向异性的区域.在该区域中，由磁化率线圈测量的超导电流的屏蔽能力沿着涡旋运动方向与横向方向相比是不太有效的。这种各向异性的响应被发现在同一区域中的临界电流的峰值效应的开发。温度升高时，各向同性行为恢复。
2011-12-29 cond-mat.supr-con
Magnetic Field Tuned Quantum Phase Transition in the Insulating Regime of Ultrathin Amorphous Bi Films
在经历厚度调谐的超导体-绝缘体转变的一系列非晶Bi的均匀、猝灭凝聚膜的绝缘膜中发现了电阻随垂直磁场的惊人的强变化，以及电阻对场的峰值R（B）。发现磁电阻而不是电阻与磁场的等温线在一个明确定义的磁场处相交，该磁场高于对应于R（B）峰值的磁场。对于B的所有值，R（T）被发现服从阿耳修斯形式。在交叉磁场中，前因子等于电子对的量子电阻h/4 e ^2，激活能回到零场值。这些观察结果表明，交叉是两个不同的绝缘基态之间的量子相变的标志，由磁场调谐。
2011-01-30 cond-mat.supr-con
Electric breakdown effect in the current-voltage characteristics of amorphous indium oxide thin films near the superconductor-insulator transition
在无序薄膜的超导性边界的绝缘体的电流-电压特性表现出几个数量级的电流跳变，由于在非常低的温度下的一个热膨胀的电子状态的发展。在这项高分辨率的研究中，我们发现跳跃可以由许多（多达100个）看起来随机的较小跳跃组成。这表明，不均匀性的发展附近的过渡到绝缘体和电流击穿进行通过跨越从一个电极到另一个电极的导电路径。
2011-09-20 cond-mat.supr-con
Growth of Strongly Biaxially Aligned MgB2 Thin Films on Sapphire by Post-annealing of Amorphous Precursors
采用脉冲激光沉积法（PLD）在蓝宝石衬底上冷生长了MgB 2薄膜，并在富Mg、Zr吸杂的混合还原性气体环境中进行退火处理。薄膜的Tcs在29 K至34 K的范围内，Jcs（20 K，H=0）在30 kA/cm 2至300 kA/cm 2的范围内，并且在20 K下的不可逆场为4 T至6.2 T。发现Tc与不可逆场呈负相关。该膜具有0.1-1微米的晶粒尺寸，并且在950 ℃退火的膜中观察到强的双轴取向。
2001-06-14 cond-mat.supr-con
Vortex Dynamics in Amorphous MoSi Superconducting Thin Films
在过去的几十年里，超导体中的涡旋动力学受到了基础研究者和应用研究者的极大关注。由于它在II型超导体的能量弛豫过程中的关键作用，涡旋动力学被认为是新兴超导器件的关键因素，但辐照对涡旋动力学的影响仍然不清楚。在外加磁场和辐照下的电输运测量的支持下，研究了非晶MoSi（a-MoSi）超导薄膜中涡旋动力学的光子效应。由Larkin Ovchinnikov模型导出的依赖于磁场的临界涡旋速度v* 不受辐照的显著影响。然而，涡旋脱钉被发现是由光子引起的势垒的减少，这减轻了膜的不均匀性对超导电性的a-MoSi薄膜的不利影响增强。深入了解MoSi薄膜在外界激励作用下的涡旋动力学特性，对于进一步开展这一领域的基础研究和优化未来的超导器件都具有重要意义。
2021-09-17 cond-mat.supr-con
Field Tuned Superconductor to Insulator Transitions in an Amorphous Film with an Imposed Multiply Connected Geometry
我们观察到多重磁场驱动的超导体到绝缘体的转变（SIT）在非晶铋薄膜穿孔与纳米蜂窝（NHC）阵列的孔。磁阻的周期H=H_M=h/2 eS（S是空穴的单位晶胞面积）表明场驱动跃迁是玻色子主导的。在跃迁的两侧，场相关电阻遵循R（T）=R_0（H）exp（T_0（H）/T），因此，这两个态之间的演化由T_0到0的消失所控制。我们比较我们的结果，在NHC膜的厚度驱动的转变和未图案化的Bi膜，其他材料，和约瑟夫森结阵列的场驱动的转变。我们的研究结果表明，在某些材料中发现类似行为的结构来源，尽管SIT具有明确的玻色子性质，但准粒子自由度可能也在SIT的演变中发挥重要作用。
2007-12-07 cond-mat.supr-con
Selective epitaxial growth of sub-micron complex oxide structures by amorphous SrTiO3
发展了一种基于选择性外延生长的无化学品制备亚微米复合氧化物结构的技术。非晶SrTiO 3（STO）抑制了复合氧化物的结晶性并因此抑制了其导电性。使用脉冲激光沉积和电子束光刻的组合，首先在单晶衬底上沉积非晶STO屏障。然后在图案化的衬底上沉积薄膜，其中非晶STO阻挡层用于电隔离和物理隔离膜的不同区域。由于没有化学或物理蚀刻剂与沉积膜接触，因此保持了其完整性和稳定性。该技术已成功地制备出亚微米YBCO和LCMO结构。
2005-06-01 cond-mat.supr-con
Measuring the Localization Length through the superconductor-insulator transition in ultrathin amorphous beryllium films
本文同时测量了急冷凝聚非晶态铍膜的超导-绝缘体（SI）转变的电子输运和隧穿。当Mn杂质引入到薄膜中时，先前在绝缘膜中观察到的异常负磁阻消失，恢复了相当干净的Efros-Shklovskii型跳跃行为。输运和隧穿数据的组合使我们能够独立地确定薄膜的局域化长度和介电常数，并且最多可以确定一个统一数量级的常数。随着薄膜厚度的增加，薄膜在20 K下的正常态方块电阻减小，薄膜的电阻率L呈指数增长。SI跃迁发生在λ_{L}穿过Ginzburg-Landau相干长度λ_{S}时。
2005-11-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Measurement of the Localization Length through the superconductor-insulator transition of ultrathin amorphous beryllium films
基于在电子输运和隧穿中观察到的Efros-Shklovskii行为，我们独立地确定了淬冷凝聚非晶铍膜的局域化长度和介电常数，并确定了它们之间的关系。由于在20 K的正常状态的薄膜的薄层电阻随膜厚度的增加而减小，局部化长度呈指数增加。当局域化长度与Ginzburg-Landau相干长度相交时，超导体-绝缘体转变发生。我们讨论的影响，这些结果的一些问题上的超导性在强无序制度。
2005-11-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Vortex shells in mesoscopic triangles of amorphous superconducting thin films
用超导量子干涉仪直接观察了非晶钼锗薄膜中正三角形点的涡旋态。观察到的磁场图像清楚地说明了涡旋是如何分布在三角形点上的，不仅形成了相称的三角形集群，而且形成了不可分割性所施加的独特图案。我们从涡壳的角度对结果进行了讨论，并构造了多壳结构中涡的堆积序列。
2016-03-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Scaling analysis of the magnetic-field-tuned quantum transition in superconducting amorphous In-O films
研究了不同氧含量和不同电子密度的非晶In-O薄膜中的磁场调谐超导体-绝缘体量子跃迁。虽然在零场SIT附近的膜的状态的二维标度行为被确认，在超导相的SIT方案的变化的更深的状态：除了描述的波动引起的库珀对的导电性的标度函数，出现了依赖于温度的膜电阻的贡献。这种贡献可以来自正常电子的导电性。
2000-02-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Observation of the parallel-magnetic-field-induced superconductor-insulator transition in thin amorphous InO films
研究了一种具有可变氧含量的超导非晶InO薄膜对平行磁场的响应。观察到的场诱导超导体-绝缘体转变（SIT）是非常相似的一个正常的磁场。由于平行位形中明显缺少作为场致SIT理论核心的玻色子-涡旋对偶性，我们不得不得出理论不足的结论。
2000-04-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Comment on "Magnetic-Field-Tuned Quantum Phase Transition in the Insulating Regime of Ultrathin Amorphous Bi Films"
最近的一封信[Lin & Goldman，Phys.Rev.Lett. 106，127003（2011）]已经呈现了高度无序薄膜的实验数据，其被解释为量子相变，这是该系统的有趣且令人惊讶的结果。在这里，我们提出了一个第一性原理计算，捕捉到的现象，并提供了一个替代机制的激活运输通过无序景观，而不是量子相变。
2011-12-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Upper critical field and superconductor-metal transition in ultrathin niobium films
最近的研究表明，在无序超导薄膜中，超导态可能是本征不均匀的。在这里，我们调查的SC状态的性质在Nb 2 O3薄膜，厚度$d$范围从1.2 nm到20 nm，经历了从非晶到多晶结构的转变，在厚度$d \simeq 3.3$ nm。结果表明，在多晶和非晶薄膜中，SC态的性质有很大的不同。上临界场（$H_{c2}$）在第一种情况下是轨道限制的，在第二种情况下是顺磁限制的.观察到磁场诱导的超导体-金属转变，在多晶或非晶薄膜中，临界场近似恒定或随薄膜电导呈幂律减小。标度分析表明，在这两种类型的电影不同的标度指数。SC波动对电导率的负贡献存在于$H_{c2}$之上，在非晶膜中特别明显，这表明存在波动的库珀对。这些观察表明，在非晶薄膜中的局部不均匀性的发展，在邻近耦合SC岛的形式。在非晶薄膜中观察到冷却时SC相关性的通常演变，这可能与邻近诱导的相位相干性上的量子涨落的影响有关。
2020-09-08 cond-mat.other cond-mat.supr-con
Imaging pinning and expulsion of individual superconducting vortices in amorphous MoSi thin films
我们利用扫描纳米尺度超导量子干涉仪（SQUID）对非晶超导MoSi薄膜中的单个涡旋进行了成像。在4.2 K时，涡旋和迈斯纳屏蔽产生的磁场的空间分辨测量结果满足薄膜中涡旋的Pearl模型和Pearl长度和体穿透深度的屈服值。磁通钉扎观察和量化通过测量驱动的涡流运动所施加的电流和热激活。钉扎的效果也观察到在亚稳的涡旋配置，形成所施加的磁场减少和磁通量被驱逐出的膜。了解和控制非晶薄膜中的涡旋动力学对于优化超导纳米线单光子探测器（SNSPD）等器件至关重要，其中最有效的是由MoSi、WSi和MoGe制成。
2019-07-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Superconducting density of states at the border of an amorphous thin film grown by focused-ion-beam
本文报道了用聚焦离子束生长的钨基非晶薄膜的超低温扫描隧道显微镜和光谱（STM/S）测量结果。特别是，我们解决的超导性质接近的边界，在那里的超导膜的厚度减小，和Au基板出现。当接近Au衬底时，超导隧穿电导在费米能级附近强烈增加，准粒子峰的位置没有明显变化。在磁场下，观察到涡旋晶格，涡旋位置非常接近Au衬底。
2009-02-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Superconductivity in amorphous RexZr (x ~ 6) thin films
本文报道了一种新的非晶超导体RexZr（x ~ 6）薄膜的生长、表征和超导特性。薄膜生长的脉冲激光沉积与基板保持在室温下。厚度大于40 nm的薄膜的超导转变温度（Tc）为5.9 K。测量了不同厚度的薄膜从120到3纳米的超导性能。正常状态电阻与厚度的倒数成线性比例。转变温度、临界场、相干长度、穿透深度和超导能隙随薄膜厚度减小而变化不大。扫描隧道光谱和穿透深度的测量提供了单间隙强耦合s波超导体的证据。磁输运性质表明，丰富的磁场-温度相图的涡旋液相存在的混合状态的大部分的可能性。
2020-12-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
High-performance amorphous superconducting rhenium films by e-beam evaporation
本文报道了在室温衬底上通过电子束蒸发制备非晶铼薄膜，实现了超过7 K的创纪录临界温度、5000 A/mm^2的高临界电流密度和超过10 T的临界磁场，并证实其具有BCS型超导特性，为超导器件应用提供了新途径。
2025-07-17 cond-mat.dis-nn cond-mat.supr-con
Signature of Cooper Pairs in the Non-Superconducting Phases of Amorphous Superconducting Tantalum Films
本文研究了非晶Ta超导薄膜中的磁场或无序诱导的绝缘相和金属相。随着磁场的增加，绝缘相的非线性输运的演化呈现出非单调的行为。我们认为，这一观察可能是一个证据的存在，本地化的库珀对在绝缘相。由于金属相介入了Ta薄膜的超导态和绝缘态，这一结果进一步揭示了金属基态中也存在库珀对。
2015-02-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Scanning SQUID Microscope Study of Vortex Polygons and Shells in Weak Pinning Disks of an Amorphous Superconducting Film
用扫描SQUID显微镜在非晶MoGe薄膜的大介观圆盘上直接观察涡旋。由于弱钉扎性质的非晶薄膜，涡旋能够形成几何诱导，（准）对称配置的多边形和同心壳在大磁盘。在选定的磁盘上进行系统的测量，使我们不仅可以跟踪的旋涡图案如何演变的磁场，而且还如何改变的旋涡多边形的大小和旋转相对于磁盘中心。结果是在很好的协议与理论考虑足够大的直径的介观磁盘。一系列的旋涡图像中获得的磁盘与钉扎网站揭示了一个独特的线对称的旋涡配置，导致壳填充规则和幻数的修改。
2010-07-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Preparation and properties of amorphous MgB$_2$/MgO superstructures: A new model disordered superconductor
本文介绍了一种制备MgB $_2$ /MgO多层膜的新方法，并展示了将其用作无序超导体的新模型的潜力。在这种方法中，我们控制的MgB $_2$的退火，以产生一个有趣的新类的无序（非晶）超导体具有相对较高的转变温度。多层膜呈现出准二维超导性和可控的各向异性。我们讨论的多层膜的性质作为双层膜的组件的厚度变化。
2007-10-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Charge Ordering in Amorphous WO$_{x}$ Films
我们报告的观察高度各向异性的粘性电子导电相在非晶WO $_{1.55}$膜，发生低于电流（I）和频率（f）依赖的温度T*（I，f）。当T < T*（I，f）时，无序电子背景的旋转对称性被破坏，出现相互垂直的类金属态和类绝缘态。电子物质在T < T*（I，f）处的丰富动力学行为为钉扎效应和电子-电子相互作用之间的相互作用提供了证据。结果表明，在钉扎区，无序电子物质发生了动态结晶，即滑动Wigner晶体的形成，以及量子近晶相或条纹相的出现.
2007-01-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Phase diagram of the vortex state in an amorphous Re6Zr thin film exhibiting inverse melting
Tata Institute of Fundamental Research（塔塔基础研究所）
通过直流输运和低频磁屏蔽测量，结合扫描隧道谱成像，构建了非晶Re6Zr薄膜在磁场-温度参数空间中的涡旋态相图，并发现逆熔化具有厚度依赖性。
2026-05-27 cond-mat.stat-mech cond-mat.supr-con
A dynamical study of phase fluctuations and their critical slowing down in amorphous superconducting films
本文报道了非晶态超导InO $_x$薄膜的复交流电导的综合研究。使用一种新的宽带微波'Corbino'光谱仪，我们测量的复杂的电导和相位刚度的显式频率依赖性的范围从0.21 GHz到15 GHz的温度下到350 mK。动态交流测量对超导序参量在$T_c$以上波动范围内的时间相关性很敏感。在其他方面，我们明确地证明了临界放缓的特征波动率的方法超导状态，并表明其行为是一致的涡旋状相位波动和相序的过渡情况。
2012-02-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Amorphous Vortex Glass Phase in Strongly Disordered Superconductors
我们引入一个描述强无序三维超导体中涡旋的模型。该模型侧重于拓扑缺陷，即，位错线，在一个弹性描述的涡旋晶格。该模型进行了研究，使用蒙特卡罗模拟，揭示了在低温下的玻璃相，分离的连续相变的高温电阻涡流液相。由有限尺寸标度得到了表征相变的临界指数nu ~ 1.3和eta ~ -0.4。
2003-08-28 cond-mat.dis-nn cond-mat.supr-con
Theoretical Analysis of Drag Resistance in Amorphous Thin Films Exhibiting Superconductor-Insulator-Transition
非晶薄膜中的磁场调谐超导体-绝缘体转变，例如，Ta和InO，表现出一系列尚未解释的奇怪现象，如一个假定的低电阻金属相介入超导和绝缘相，以及在大磁场下磁阻的巨大峰值。定性地说，这些现象可以在几个显著不同的图像中得到同样好的解释，特别是量子涡旋液体的凝聚，以及嵌入正常区域的超导岛的渗透。最近，我们提出并分析了一种新的测量，应该能够果断地指向正确的图片：在非晶薄膜双层设置的阻力测量。在忽略层间隧穿的情况下，我们发现涡旋模式中的阻力具有相反的符号，并且比竞争模式中的阻力大几个数量级。例如，如Sambandamurthy等人2004中的两个相同的膜，在0.07 K下具有25 nm的层间距，根据涡旋理论将产生拖曳阻力$\sim10^{-4}Ω$，但对于渗滤理论仅产生$\sim10^{-12}Ω$。我们提供的细节，我们的理论分析的阻力在这两种范式，并报告一些新的结果。
2010-05-14 cond-mat.dis-nn cond-mat.supr-con
Characterization of low-loss hydrogenated amorphous silicon films for superconducting resonators
在毫米-亚毫米天文学中使用的超导谐振器将大大受益于具有小介电损耗的淀积介质。我们使用等离子体增强化学气相沉积法在100°C、250°C和350°C的衬底温度下沉积氢化非晶硅薄膜。所测得的空穴体积分数、氢含量、微观结构参数和键角无序度与衬底温度呈负相关。在120 mK和4-7 GHz下，对于$10^5$光子的谐振器能量，所有三种膜都具有低于$10^{-5}$的损耗角正切。这使得这些薄膜有望用于微波动力学电感探测器和片上毫米-亚毫米滤波器。
2020-12-14 astro-ph.IM cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Cooper pair insulator in amorphous films induced by nanometer-scale thickness variations
超导（SC）材料，如欠掺杂铜氧化物、强磁场中的低维超导体以及绝缘体-超导体转变（IST）附近的绝缘膜，其反常的输运性质被认为是由于非均匀相的形成。难以将行为与观察到的不均匀性联系起来，使得这些联系不确定。这里主要感兴趣的建议，绝缘膜附近的IST，这表明了激活电阻和巨大的正磁阻，包含岛的库珀对（CP）。在这里，我们提出的证据表明，这些类型的不均匀性是必不可少的，这样的绝缘相在非晶Bi（a-Bi）薄膜沉积在基板上的图案与纳米尺寸的孔。图案化引起膜厚度变化和对应的耦合常数变化，其将绝缘体的成分从局部电子转变为CP。九种不同衬底上的膜的厚度调谐的ISTS附近的分析表明，SC岛之间的弱链接占主导地位的运输。特别地，当链路电阻接近对的电阻量子时，IST都发生。这些观察导致详细的图片CP本地化的超导耦合常数的空间变化。
2011-01-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Compositional disorder and tranport peculiarities in the amorphous indium-oxides
本文报道了三维非晶氧化铟薄膜中无序诱导的金属-绝缘体转变（MIT）的研究结果。这里研究的无定形形式不同于早先报道的[PRB 46，10917（1992）]，因为它具有低得多的载流子浓度。作为静态无序的量度，我们使用无量纲参数kFl。采用热退火作为实验处理来调整无序。在过渡的金属侧，低温输运表现出弱局域化和电子-电子相关效应的无序电子系统的特征。对于两种形式的非晶材料，MIT发生在kFl~0.3处。然而，与在该系统的富电子版本上获得的结果相反，即使对于当前研究中使用的大多数金属样品，也没有看到超导性的迹象。这表明，使用kFl作为超导体-绝缘体转变（SIT）的无序参数是一个不明确的过程。采用高分辨率的化学分析的薄膜的微观结构研究，给出了空间波动的化学计量的证据。这带来的光，而薄膜是无定形的，并表现出优异的均匀性，在宏观样品的运输测量，它们包含组成的波动，延伸到介观尺度。有人认为，这种成分的混乱可能是明显违反的Ioffe-Regel标准的两个版本的非晶氧化铟的原因。然而，当超导性开始时，由于这种无序，预计会产生更戏剧性的影响，这实际上与在富电子的氧化铟中观察到的突出的传输异常是一致的。成分紊乱的相关性，以其他系统附近的SIT进行了讨论。
2012-09-20 cond-mat.dis-nn cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Local insulator-to-superconductor transition in amorphous InO$_x$ films modulated by e-beam irradiation
QMatterPhotonics, Departamento de Fı́sica de Particulas, Universidade de Santiago de Compostela（圣地亚哥-德孔波斯特拉大学量子物质光子学粒子物理系）；iMATUS, Universidade de Santiago de Compostela（圣地亚哥-德孔波斯特拉大学 iMATUS 研究中心）
本文提出用室温电子束辐照在非晶InO$_x$薄膜微米区域实现绝缘体到超导体的局域转变，并通过调节电子剂量和加速电压精确控制$T_c$最高至2.8 K，为构建微米尺度超导结构提供了新途径。
2025-11-06 cond-mat.dis-nn cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
