An electrically pumped phonon-polariton laser
我们报道了一种能提供声子极化激元相干发射的装置，声子极化激元是离子晶体中光子和光学声子的混合态。电抽运GaInAs/AlInAs量子级联结构在= 26.3 μm处为极化激元模提供了子带间增益，使自振荡接近AlAs的纵向光学声子能量。由于大计算的声子分数的极化激元的65%，发射直接出现在拉曼光谱测量表现出斯托克斯和反斯托克斯组件与预期的位移为48毫电子伏。
2018-08-29 physics.app-ph
A platform for electrically pumped polariton simulators and topological lasers
由于能带结构、轨道耦合和晶体对称性的共同作用，石墨烯和过渡金属二硫化物等二维电子材料具有独特的电学和光学性质。通过冷原子、分子、电子图案和光学腔的人工晶格排列实现的合成物质已经出现，为同样实现这些场景提供了多种有趣的框架。激子-极化激元最近已被添加到在半导体平台上仿真系统哈密顿的有希望的候选者的列表中，提供了多功能的工具来设计潜在的景观并访问非线性电光机制。在这项工作中，我们介绍了一个电子驱动的正方形和蜂窝晶格的激子极化激元，铺平了道路，现实世界的设备的基础上极化激元晶格片上应用。我们的平台表现出类似激光发射的高对称点下的直流注入，暗示在电驱动极化激元激光器的前景可能拓扑非平凡的属性。
2018-11-28 physics.app-ph physics.optics
On-chip integrated Yb3+-doped waveguide amplifiers on thin film lithium niobate
本文报道了用光刻辅助化学机械腐蚀法在锂酸盐薄膜上制备掺Yb ~（3+）光波导放大器（YDWA）及其光学特性。所制备的掺Yb 3+的LiNbO 3光波导在1030 nm和1060 nm处的传输损耗分别为0.13 dB/cm和0.1 dB/cm。在976 nm激光二极管泵浦的4.0cm长波导上，测得1030 nm和1060 nm处的内净增益分别为5dB和8dB，表明1030 nm和1060 nm处的单位长度增益分别为1.25dB/cm和2dB/cm。这种集成化的掺Yb 3+锂光波导放大器将有助于开发一个强大的增益平台，并有望为薄膜锂基光子芯片的高密度集成做出贡献。
2022-02-23 physics.app-ph physics.optics
Electrically pumped photonic integrated soliton microcomb
光学频率梳使频率计量和计时技术发生了革命性的变化，并可用于广泛的光学技术中。正在进行的进展允许使用克尔非线性光学微谐振器的光学频率梳的显著小型化，其中宽带和相干光学频率梳可以从连续波激光器产生。这种“微梳”提供了具有低功耗、前所未有的形状因子、晶片规模制造兼容性的宽带宽。对于未来的大容量应用，集成和电泵浦的孤子微梳是必不可少的。然而，到目前为止，微梳仍然依赖于由大体积外部激光模块提供的光泵浦，该模块提供孤子形成所需的相干性、频率捷变和功率水平。电驱动的芯片集成微梳受到孤子形成的高阈值功率（通常超过集成硅基激光器的功率）和孤子引发所需的频率捷变的抑制。高Q值氮化硅微谐振器的最新进展表明，电驱动孤子微梳是可能的。在这里，我们展示了电驱动，芯片集成孤子微梳耦合磷化铟（III-V）多纵模激光二极管芯片的高Q值氮化硅光子集成微谐振器。我们观察到，自注入锁定的激光二极管的微谐振器，这是伴随着一个x1000倍的激光线宽变窄，可以同时启动耗散克尔孤子的形成。通过调节电流，我们观察到从调制不稳定性、呼吸孤子到单孤子态的转变。该系统需要小于1瓦的电功率，在电子可检测的子100 GHz模式间隔下工作，可以安装在约100个工作区中。1立方厘米。
2018-11-21 physics.app-ph physics.optics
Electrically pumped blue laser diodes with nanoporous bottom cladding
我们演示了电泵浦的具有纳米多孔底部包层的III族氮化物边发射激光二极管（LD）。采用等离子体辅助分子束外延生长了LD结构。电化学蚀刻Si浓度为6 X 1019 cm-3的高度掺杂的350 nm厚的GAN：Si包覆层以获得15 +/-3%的孔隙率和20 +/-9nm的孔径。将具有纳米孔底部包层的器件与双折射结构进行了比较。在448.7 nm处获得了斜率效率（SE）为0.2 W/A的脉冲模式操作，而没有蚀刻包层的参考器件在457 nm处激射，SE为0.56 W/A。从理论上模拟了多孔底包层半导体激光器的设计。进行的计算允许选择所需的光学模式限制所需的包层的最佳孔隙率和厚度，并降低了光泄漏到衬底和顶部金属接触的风险。该演示为III族氮化物LD的制造开辟了新的可能性。
2022-01-11 physics.app-ph
Integrated microwave acousto-optic frequency shifter on thin-film lithium niobate
提供光束偏转和光频移的电驱动声光器件具有从脉冲合成到外差检测的广泛应用。商业上可获得的声光调制器基于块体材料并且消耗瓦特的射频功率。在这里，我们展示了一个集成的3-GHz声光移频器的薄膜锂钛酸盐，具有超过30分贝的载波抑制。此外，我们展示了千兆赫兹间隔的光学频率梳具有超过200线在0.6太赫兹的光学带宽通过再循环的光在一个积极的频移环。我们的集成声光平台引领了片上光路由、隔离和微波信号处理的发展。
2020-05-07 physics.app-ph physics.optics
Exploring epitaxial structures for electrically pumped perovskite lasers: a study of CsPb(Br,I)$_3$ based on the \textit{ab initio} Bethe-Salpeter equation
本研究针对电泵浦钙钛矿激光器构建难题，基于从头算Bethe-Salpeter方程对I掺杂CsPbBr$_3$展开数值研究，发现低能吸收峰显著增强，提出可外延生长的有序掺杂结构，有望实现导带底高效发光。
2024-01-29 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Symmetric Second-Harmonic Generation in Sub-wavelength Periodically Poled Thin Film Lithium Niobate
本研究针对对称二次谐波产生难以实现的问题，通过在370nm周期极化的薄膜铌酸锂波导中实现铁电畴可靠控制，达成了高效连续波泵浦对称SHG，验证了亚波长周期极化可行性并开辟了相关研究新方向。
2024-07-12 physics.app-ph physics.optics
Electrically Pumped Terahertz Frequency Comb Based on Actively Mode-locked Resonant Tunneling Diode
本文提出了一种基于主动模式锁 resonant tunneling diode 的电泵室温太赫兹频率梳，实现了宽带、紧凑且可调的太赫兹频率梳，适用于高速无线通信。
2025-11-26 physics.app-ph
Electrically pumped WSe$_2$-based light-emitting van der Waals heterostructures embedded in monolithic dielectric microcavities
原子级薄层状材料的垂直堆叠为制造具有良好光电性能的异质结构开辟了新的可能性。石墨烯、六方氮化硼和半导体过渡金属二硫属化物的组合允许制造与宽范围的衬底兼容的电致发光（EL）器件。在这里，我们展示了一个完整的集成的电致发光范德华异质结的单片光学微腔制成的两个高反射率介质分布布拉格反射器（DBR）。由于在顶部反射镜沉积期间保护WSe $_2$的石墨烯和六方氮化硼的存在，我们完全保留了器件的光电行为。两个明亮的腔模式出现在EL光谱特征的Q-因子分别为250和580：第一个是直接归因于单层面积，而第二个是归因于WSe $_2$岛外引导的发射部分。通过将EL器件嵌入微腔结构内部，实现了发射光的方向性的显著修改，与没有顶部DBR的相同EL器件相比，在最大发射的角度处峰值强度增加了近两个数量级。此外，WSe $_2$ EL与具有色散的腔模的耦合允许通过改变从微腔观察EL的角度来调谐超过35 nm（80 meV）的峰值发射波长。该工作为基于范德华异质结构的小型垂直腔面发射器件的研制提供了一条途径。
2020-06-04 physics.app-ph physics.optics
A high-gain cladded waveguide amplifier on erbium doped thin-film lithium niobate fabricated using photolithography assisted chemo-mechanical etching
掺铒集成波导放大器和激光器在功耗、占用空间、稳定性和可扩展性方面优于体材料中的对应物，支撑着光波通信和大规模传感。受到高度限制的模式和适度的传播损耗，增益和功率缩放在这样的集成微纳米器件证明是更具挑战性的相比，他们的散装同行。在高增益/高功率双包层光纤的成功应用的激励下，采用光刻辅助化学机械腐蚀（PLACE）技术，在绝缘体上薄膜掺铒锂（LN）基片上制作了Ta 2 O 5包层的LN波导放大器。在~980 nm半导体激光泵浦下，10 cm长的LNOI放大器在1532 nm信号波长处获得了大于20 dB的小信号内部净增益。实验结果表明，与空气包层放大器相比，Ta_2O_5包层放大器具有更高的光增益，这一点可以通过LNOI放大器的理论模型（包括导模结构和铒离子的稳态响应）得到进一步解释。
2021-11-10 physics.app-ph physics.optics
High quality factor silicon-on-lithium niobate metasurfaces for electro-optically reconfigurable wavefront shaping
动态可重构的超表面为许多应用提供了紧凑和轻量级的空间光调制，包括LiDAR，AR/VR和LiFi系统。在这里，我们设计和计算研究高品质因数硅锂超颖表面与电驱动，独立控制其组成纳米棒的全相位可调谐性与高调谐效率。自由空间光通过周期性扰动耦合到每个纳米棒内的导模，产生超过30，000的品质因数，同时保持棒间距< $λ$ /1.5。我们实现了近2 $π$相位变化与施加的偏置不超过$\pm$ 25 V，保持反射效率高于91%。使用全场模拟，我们展示了一个高角度，51°，可切换的分束器，衍射效率为93%，和一个角度可调的光束转向器，跨越18-31°，效率高达86%，所有使用相同的元表面设备。我们的平台为高效波前整形设备提供了基础，该设备具有宽的动态调谐范围，能够产生几乎任何传递函数。
2022-03-24 physics.app-ph physics.optics
Investigation of nanophotonic lithium niobate waveguides for on-chip evanescent wave sensing
本研究比较了薄膜铌酸锂脊形波导中TE和TM模式的倏逝波传感性能，发现TE模式因较低的传播损耗更适合传感，为片上铌酸锂传感器设计提供了指导。
2024-05-15 physics.app-ph physics.optics
Electrically driven linear optical isolation through phonon mediated Autler-Townes splitting
光学隔离器是几乎所有光子系统中不可或缺的组件，因为它们有助于确保单向性并提供关键的保护，防止不必要的反射。虽然商用隔离器完全基于磁光（MO）原理构建，但由于需要专用材料，它们不容易在光子集成电路中实现。重要的是，MO效应通常很弱，特别是在较短的波长下。这些挑战作为一个整体激发了对非MO替代品的广泛研究。然而，迄今为止，没有替代技术能够同时组合线性度（即，无频移）、线性响应（即，输入-输出缩放）、超低插入损耗和大的片上方向对比度。在这里，我们展示了一种光隔离器设计，它利用了短而高质量的介质波导的无与伦比的透明度，以及来自临界耦合吸收体的近乎完美的衰减。我们的设计概念是使用锂离子酸盐赛道谐振器，其中声子介导的Autler-Townes分裂（ATS）打破了谐振模式的手征对称性。我们展示了在1550 nm和780 nm附近的波长一个倍频程的片上光学隔离器，从相同的锂硼酸盐绝缘体晶片制造。线性光隔离同时具有<1 dB的插入损耗、>39 dB的对比度以及与所使用的光模式一样宽的带宽。我们的结果优于目前同类最佳的MO隔离器片上的插入损耗和隔离器的品质因数，并证明了光刻定义的波长适应性，还不能实现与任何MO隔离器。
2021-04-13 physics.app-ph physics.optics
Ultrafast tunable lasers using lithium niobate integrated photonics
薄膜LNOI处理的最新进展已经实现了低损耗光子集成电路，具有改进的半波电压的调制器，电光频率梳和新型片上电光器件，应用范围从5G电信和微波光子到微波-光量子接口。锂酸盐集成光子电路同样可以成为集成窄线宽频率捷变激光器的基础。抛光的锂离子晶体谐振器的开创性工作导致了电调谐窄线宽激光器的发展。在这里，我们报告的低噪声频率捷变激光器的基础上，锂钛酸盐集成光子学，并证明其用于相干激光测距。这是通过超低损耗氮化硅光子电路与薄膜锂离子电池的异质集成通过直接晶片键合实现的。该平台具有8.5 dB/m的低传播损耗，通过自注入锁定到III-V半导体激光器二极管，实现窄线宽激光发射（固有线宽为3 kHz）。谐振腔的混合模式允许电光激光频率调谐在12 PHz/s的速度与高线性度，低滞后，同时保持窄线宽。使用这种混合集成激光器，我们进行了概念验证FMCW激光雷达测距实验，分辨率为15厘米。通过充分利用锂的高电光系数，进一步改进光子集成电路设计，这些器件可以在CMOS兼容电压下工作，或实现毫米级距离分辨率。将低损耗的氮化硅集成光子器件与锂离子酸盐结合，提供了一个具有宽透明窗口的平台，可用于实现从可见光到中红外的超快可调谐激光器，应用范围从OCT和LiDAR到环境传感。
2022-08-11 physics.app-ph physics.optics
Monolithic quantum-dot distributed feedback laser array on silicon
直接生长在硅上的电泵浦激光器是硅微电子学和光子学的关键接口器件。本文首次报道了一种电抽运、室温、连续波（CW）和单模分布反馈（DFB）激光器阵列，该阵列采用InAs/GaAs量子点（QD）增益材料在硅上外延生长。CW阈值电流低至12 mA和单模边模抑制比（SMSR）高达50 dB的阵列中的各个器件已经实现。的激光器阵列，与国家的最先进的粗波分复用（CWDM）系统兼容，具有良好的对齐的信道间隔为20 - 0.2 nm，并表现出100 nm的记录波长覆盖范围，O波段的全跨度。这些结果表明，硅上外延生长的激光器的性能第一次被提升到接近现实世界的CWDM应用的程度，证明了这项技术的巨大潜力。
2018-04-28 physics.app-ph physics.optics
Electrically Injected mid-infrared GeSn laser on Si operating at 140 K
本研究制备了基于法布里-珀罗腔的硅上电注入中红外GeSn激光器，通过降低光学损耗、提升光限制效应降低了阈值电流密度，实现140 K最高工作温度，为硅基集成中红外光源提供了可行方案。
2024-05-16 physics.app-ph physics.optics
Electrically-Controlled Suppression of Rayleigh Backscattering in an Integrated Photonic Circuit
该研究利用射频驱动的声光相互作用破缺LNOI环形谐振器的时间反演对称性，实现并验证了集成光子电路中电可控的瑞利背向散射近完全抑制。
2023-04-19 physics.app-ph physics.optics
Optically Pumped AlGaN Double Heterostructure Deep-UV Laser by Molecular Beam Homoepitaxy: Mirror Imperfections and Cavity Loss
我们展示了第一个光泵浦的子300 nm紫外激光结构生长的等离子体辅助分子束外延单晶体氮化铝。用AlN/AlGaN异质结制备的边发射激光器结构具有多模发射，峰值增益在~284 nm。考虑到电注入连续波深紫外AlGaN激光二极管的目标，以及实现足够光学增益的固有材料挑战，激光二极管的光学腔损耗应最小化。我们推导出一个表达式来量化的影响，包括倾斜和表面粗糙度的法布里-珀罗腔的光学镜损耗的反射镜的缺陷。结果表明，光学缺陷损耗是端面粗糙度均方根值和端面倾斜角的超线性函数，并且与主激射模式的波长平方成反比。这突出了器件工艺优化的重要性，因为法布里-珀罗腔耦合到较低的波长。
2021-09-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
A heterogeneously integrated lithium niobate-on-silicon nitride photonic platform
本研究提出一种将铌酸锂薄膜晶圆级键合到成熟氮化硅光子集成电路的异质集成平台，兼具铌酸锂的电光特性与氮化硅平台的低损耗、可扩展优势，验证了多种器件功能，为代工厂级制备复杂低损耗铌酸锂集成光子电路提供可靠方案。
2022-09-12 physics.app-ph physics.optics
Nonlinear terahertz-wave radiation generated by mid-infrared dual-chirped optical parametric amplification femtosecond pulse laser excitation
我们证明了一个有效的程序太赫兹波辐射产生的非线性波长转换方法，使用中红外泵浦源。采用3.3 μm双啁啾光参量放大光源和1.5 μm光纤激光器进行了能量转换效率的比较。实验中使用了非线性无机和有机晶体，对于极化的锂酸盐晶体，3.3 μm和1.5 μm光源的效率分别为1.3*10^-4和5.6*10^-12。我们证实了非线性晶体可以通过使用中红外光源以太瓦/厘米^2级泵浦，这减少了一些不期望的非线性光学效应。
2021-02-17 physics.app-ph physics.optics
Electrically injected GeSn lasers on Si operating up to 100 K
GeSn材料开发的重大进展为在Si平台上实现长期期望的单片集成激光器提供了可行的解决方案。虽然有许多报道集中在光泵浦激光器，GeSn激光器通过电注入还没有实验实现。在这项工作中，我们报告的第一个演示电注入锗锡激光器的硅。将生长在Si衬底上的GeSn/SiGeSn异质结二极管制成脊形波导激光器，并在脉冲条件下进行了测试。在结构设计上考虑了有效的载流子约束和光约束，从而产生激光。在10 ~ 100 K的温度范围内观察到激光，发射峰在2300 nm左右。在10 K时记录到的最小阈值为598 A/cm 2，在77 K时阈值增加到842 A/cm 2。测得单个峰的光谱线宽小至0.13 nm（0.06 meV）。在10-77 K的温度范围内，最大特征温度为99 K.
2020-04-20 physics.app-ph
Integrated electro-optically tunable narrow-linewidth III-V laser
本文展示了一种基于薄膜铌酸锂和光纤布拉格光栅构建的集成电光可调谐窄线宽III-V激光器，实现了738.8 μW输出功率、45.55 kHz线宽及20 GHz调谐范围。
2023-11-26 physics.app-ph physics.optics
Lithium Niobate Surface-Acoustic-Wave Resonator for Very-High-Frequency Isolated Power Conversion
Virginia Tech（弗吉尼亚理工大学）
本研究展示了一种40-MHz铌酸锂SAW谐振器，通过电隔离IDT和布拉格反射镜实现隔离功率转换，达到25.7 W输出功率、93.8%峰值效率和2.17 kV隔离电压，推进了无磁高频功率转换器的发展。
2026-10-05 cs.SY eess.SY physics.app-ph
23.8-GHz Acoustic Filter in Periodically Poled Piezoelectric Film Lithium Niobate With 1.52-dB IL and 19.4% FBW
本文提出基于周期极化压电薄膜铌酸锂平台的 23.8 GHz 声学滤波器，利用 S2 Lamb 模式实现 1.52 dB 插入损耗和 19.4% 相对带宽，并展示其在毫米波紧凑滤波器中的应用前景。
2024-06-28 eess.SP physics.app-ph
1305 nm MoTe2-on-silicon Laser
硅光子学拼图中缺少的一块是可以很容易地纳入标准硅制造工艺的光源。最近的进展，在原子级薄层的半导体过渡金属二卤化物（TMD），直接带隙在近红外区域的发展，开辟了新的可能性，以满足这一需求。在这里，我们报告了一个独特的硅激光源，采用二碲化钼（MoTe 2）作为增益材料的光子晶体纳米腔谐振器，在绝缘体上的硅制造。我们演示了光泵MoTe 2硅基器件在1305 nm处发射激光，即在光通信中使用的O波段的中心，在连续波（CW）制度下工作，在室温下，阈值功率密度低至1.5 kW/cm 2。这种2D硅基几何结构提供了集成低成本电泵浦纳米级硅光源的前景，从而为硅光子学平台添加了一个重要的构建模块。
2017-10-04 cond-mat.mes-hall physics.app-ph physics.optics
Electrically injected GeSn lasers with peak wavelength up to 2.7 micrometer at 90 K
GeSn激光器能够使用全IV族直接带隙材料在Si平台上实现激光器的单片集成。虽然光泵GeSn激光器已经取得了重大进展，但电注入激光器的研究才刚刚开始。在这项工作中，我们提出了探索性的研究电注入GeSn异质结构激光器的各种层厚度和材料成分。盖层总厚度在240和100 nm之间变化。在10 K下，240-nm-SiGeSn覆盖的器件具有阈值电流密度Jth = 0.6 kA/cm 2，相比之下，具有100-nm-SiGeSn覆盖的器件的Jth = 1.4 kA/cm 2，这是由于与GeSn增益区的改进的模态重叠。两种器件的最高工作温度Tmax = 100 K。还比较了分别具有Si0.03Ge0.89Sn0.08和Ge0.95Sn0.05的盖层的器件。由于较低的有效载流子（电子）约束，与具有Jth = 0.6kA/cm 2和Tmax = 100 K的240-nm-SiGeSn覆盖的器件相比，具有240-nm-GeSn覆盖的器件具有更高的阈值Jth = 2.4kA/cm 2和更低的最大操作温度Tmax = 90 K。在有源区材料的研究中，与在其有源区中具有Ge 0.89 Sn 0.11的器件相比，具有Ge 0.85 Sn 0.15有源区的器件具有高2.3倍的Jth和低10 K的Tmax。这可能是由于Ge0.85Sn0.15中较高的缺陷密度，而不是本征问题。在90 K时测得最长激射波长为268…
2020-09-25 physics.app-ph
An Electrically Injected and Solid State Surface Acoustic Wave Phonon Laser
本文首次提出一种完全固态、单芯片的电注入表面声波声子激光器，利用铌酸锂谐振器与半导体增益介质，在36 V阈值以上实现自持相干振荡，产生1 GHz、-6.1 dBm的声学输出，为片上超高频SAW源开辟新途径。
2025-05-21 physics.app-ph
A narrow-linewidth III-V/Si/Si3N4 laser using multilayer heterogeneous integration
氮化硅（Si 3 N4）作为互补金属氧化物半导体（CMOS）材料，在现代集成电路（IC）技术中得到广泛应用。在过去的十年里，Si 3 N4在光子学领域取得了巨大的发展，在非线性光子学，光学传感等方面取得了创新。然而，缺乏高性能的集成激光器阻碍了Si 3 N4波导大规模集成到复杂的光子集成电路（PIC）中。在这里，我们展示了一种新的III-V/Si/Si 3 N4结构，使有效的电泵浦激光在Si 3 N4基激光器外腔。与纯粹依赖半导体的激光器相比，该激光器显示出优异的温度稳定性和低相位噪声。除此之外，所展示的多层异质集成提供了一个实用的路径，将各种低折射率材料的有效的光学增益。多层异质集成可以扩展半导体激光器的能力，以提高性能，并实现新一类器件，如集成光学时钟和光学陀螺仪。
2019-11-01 physics.app-ph physics.optics
Simple Single-Section Diode Frequency Combs
频率梳是一种宽带光源，它的光谱由相干的、离散的模组成，在许多领域都是必不可少的。小型化频率梳将是这些领域的一个重大进步，使基于频率梳的设备能够用于各种测量和光谱应用。我们演示了基于半导体激光器的频率梳发生器。这些激光二极管简单、电泵浦、便宜且易于制造。每个芯片包含几十个二极管激光梳。我们测量的二极管频率梳的时域输出，以揭示潜在的频率动态负责的梳频谱，进行双梳光谱的分子气体与两个设备在同一芯片上，并证明这些梳可以电池供电。
2020-10-14 physics.app-ph physics.chem-ph physics.optics
Analysis and design of a Germanium multi-quantum well metal strip nanocavity plasmon laser
为了实现电泵浦等离子体激元纳米激光器，最近提出了几种结构、材料和方法。然而，要找到一个可靠的适合商业等离子体集成电路的片上等离子体源还有很长的路要走。本文提出了一种新的波导集成纳米腔等离子体激元激光器，用于1550 nm自由空间波长。由于金属条结构引起的场约束效应以及等离子体激元模与锗量子阱的强相互作用，使得该结构的Purcell因子高达291，因此该结构具有显著的输出性能。使用半经典速率方程结合有限差分时域（FDTD）腔模式分析，输出性能的措施进行了估计和确认相对于各种物理模型和仿真工具。模拟结果表明，在注入电流为10uA时，该结构的输出功率为2.8uW，在阈值泵浦电流为27mA时，输出功率为4.16mW，同时在178GHz的宽调制带宽内保持了其性能。
2019-03-19 physics.app-ph physics.optics
Hybrid InP and SiN integration of an octave-spanning frequency comb
实现集成光子学的光学频率梳将使更广泛地使用精确的定时信号。在这里，我们探讨的倍频程，克尔微谐振器频率梳的产生，使用混合集成的InP分布反馈激光器和SiN光子集成电路。我们展示了电泵浦和光纤封装的原型系统，使自注入锁定。这种激光器和微谐振器电路的直接集成，而不需要以前使用的介入元件，如光调制器和隔离器，需要理解倍频程克尔孤子的自注入锁定动力学。特别是，系统架构必须调整到强耦合的微谐振器后向散射和激光微谐振器的频率失谐，我们发现这里。我们的工作说明了实现集成光子学的自参考频率梳的关键考虑因素。
2021-04-05 physics.app-ph physics.optics
