Ultimate charge transport regimes in doping-controlled graphene laminates: phonon-assisted processes revealed by the linear magnetoresistance
本文通过热解芳香族插层剂实现了对石墨烯叠层掺杂类型与浓度的控制，利用线性磁阻揭示了层内与层间输运机制，发现声子辅助隧穿是室温下导电性的主要限制因素，并展示了无金属石墨烯基热电偶约50 μV K^-1的热电灵敏度。
2024-04-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Large linear magnetoresistance from neutral defects in Bi$_2$Se$_3$
硫族化合物Bi $_2$ Se $_3$在应变和微应变的影响下可以达到三维（3D）狄拉克半金属态。本文报道了Bi $_2$ Se $_3$晶体中大线性磁电阻的存在。磁阻在低场下呈二次型，在4T以上则呈线性。磁阻的温度依赖性与载流子迁移率成比例，交叉场与迁移率的倒数成比例。我们的分析表明，在我们的系统中的线性磁电阻具有经典的起源，并从高迁移率的3D狄拉克电子从晶体的不均匀性的散射。我们观察到带电的硒空位被高迁移率的狄拉克电子强烈屏蔽，中性晶体缺陷是输运机制的主要散射中心。我们的分析表明，电阻率和磁电阻有其起源的载流子从中性缺陷的散射。
2016-06-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Crossover of magnetoresistance in the zerogap half-metallic Heusler alloy Fe2CoSi
本工作报告的能带结构和磁输运研究的反Heusler化合物Fe 2 CoSi。第一性原理计算表明，Fe_2CoSi具有非常特殊的能带结构，多数自旋通道具有导电性质，少数自旋通道的带隙几乎为零.合成的Fe2CoSi样品具有高度有序的反Heusler结构，在5 K时的磁矩为4.88 μB，居里温度高达1038 K。随着温度的升高，观察到从正到负的磁阻（MR）的交叉。结合霍尔效应的测量结果，我们认为这种有趣的磁电阻交叉现象是由于在费米能级上，占主导地位的自旋载流子从无带隙的少数自旋通道转变为多数自旋通道所致.
2013-04-12 cond-mat.mtrl-sci
Strain Engineering of Magnetoresistance and Magnetic Anisotropy in CrSBr
本研究通过聚合物基底热冷却传递压缩双轴应变，显著增强少层CrSBr的磁阻与磁各向异性（易轴方向增强两倍），奈耳温度小幅降约10K，第一性原理计算验证了层间交换耦合等的应变调控作用，为二维磁半导体在自旋电子学等领域的应用提供了关键调控手段。
2025-07-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Electric Field Tuned Dimensional Crossover in Ar-Irradiated SrTiO3
我们提出了在外加静电场下Ar辐照SrTiO 3的低温磁电阻测量。通过背栅偏压施加的电场调制迁移率和片层密度，对前者的影响更大。对于高迁移率，观察到3维轨道磁电阻。对于低迁移率，观察到与抑制2维弱局域化一致的负磁阻。从3到2-维运输的交叉产生的载流子约束，这是增强的电场依赖的介电常数的SrTiO 3的调制。我们的研究结果对氧化物电子器件的发展的影响将被讨论。
2009-09-15 cond-mat.mtrl-sci
Magnetoresistance in the Extreme Quantum Limit: Field-Induced Crossover to the Unitarity Limit
本文在极端量子极限下研究磁电阻，揭示散射率从玻恩区到幺正极限的磁场诱导渡越，并据此解释线性横向磁电阻与负纵向磁电阻，同时给出由电阻率直接测定杂质密度的普适关系。
2025-07-30 cond-mat.mtrl-sci
Anisotropy and large magnetoresistance in narrow gap semiconductor FeSb2
本文研究了Sb助熔剂法生长的FeSb_2单晶的磁性、输运和磁输运性质的各向异性。FeSb 2的磁化率在100 K附近表现出反磁性到顺磁性的交叉。沿两个轴的电输运是半导体的，而第三轴在温度Tmin下表现出金属-半导体交叉，其对电流对准敏感并且范围在40和80 K之间。在H= 70 kOe时，T<300 K时半导体输运恢复，在交叉温度范围内产生大的磁电阻[rho（70 kOe）-rho（0）]/rho（0）= 2200
2002-06-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Large linear magnetoresistance in a new Dirac material BaMnBi2
我们报道了高质量BaMnBi_2单晶的合成，并研究了样品的输运性质。霍尔数据揭示了电子型载流子和迁移率mu（5 K）= 1500 cm ~ 2/Vs。磁化强度的温度依赖性表现出不同于CaMnBi_2或SrMnBi_2的行为，这表明BaMnBi_2可能具有不同的磁结构。角度相关的磁电阻揭示了准二维费米面。在横向磁电阻中观察到了从低场半经典MR-H_2依赖到高场MR-H依赖的交叉。我们的结果表明，各向异性狄拉克费米子态BaMnBi 2。
2016-03-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Pressure-Induced Negative-Positive Magnetoresistance Crossover Near Metal-Insulator Transition in La_{0.8}Ag_{0.1}MnO_{3}
本研究在La_{0.8}Ag_{0.1}MnO_{3}金属-绝缘体转变附近发现高压诱导的负-正磁阻交叉，并用电子-空穴模型解释其符号变化。
2023-12-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Quantum Interference Theory of Magnetoresistance in Dirac Materials
狄拉克半金属和拓扑绝缘体的磁电阻在很宽的磁场范围内表现出非单调的特性。本文给出了Dirac材料中由于标量杂质散射势中的量子干涉而产生的无质量和有质量Dirac费米子的导磁率公式。它揭示了一个惊人的交叉，从积极到消极的磁阻，揭示弱本地化和弱反本地化之间的强竞争，在不同的化学势，有效质量和有限的温度下，在多个Cooperon模式。这些工作揭示了导带和价带的强耦合在拓扑非平凡和平凡Dirac材料中量子干涉输运中的重要作用。
2019-01-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Probing the Topological Surface States through Magnetoresistance and Ultrafast Charge Carrier Dynamics in (Bi/Sb)2Te3
具有拓扑保护表面态的拓扑绝缘体是一种很有前途的量子材料。本文通过对单晶拓扑绝缘体Bi_2Te_3和Sb_2Te_3的低温物理参数测量，研究了单晶拓扑绝缘体微片在5 K温度下的载流子动力学，研究了与这些表面态相关的各种光学跃迁。在5 K和100 K的温度下，在1 Tesla的磁场范围内，对磁电阻进行了实验研究。弱反定域化效应的出现预示了体系中存在拓扑保护的表面态。此外，超快飞秒瞬态反射光谱在不同的温度下进行，从室温（300 K）到5 K的低温变化，以找到低温下的TSS相关跃迁。
2021-06-22 cond-mat.mtrl-sci
Three-Dimensional Fermiology and Thickness-Tuned Magnetotransport in Single-Crystalline Antimony Flakes
South China University of Technology（华南理工大学）；Donghua University（东华大学）
本文通过CVD生长的单晶锑薄片，结合磁输运和量子振荡测量，发现厚度增加通过提升载流子迁移率而非改变费米面结构，使极端磁电阻增强近30倍，揭示了维度依赖散射的调控机制。
2026-09-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin-dependent scattering induced negative magnetoresistance in topological insulator Bi2Te3 nanowires
新材料中的负磁电阻效应的研究是近年来自旋电子学研究的前沿。在这里，我们报告的Bi 2 Te 3拓扑绝缘体（TI）纳米线在超低温（20 mK）的温度相关的负磁阻的实验观察。在纵向磁场作用下，随着温度的升高，样品的磁阻由负变正。我们观察到一个很大的负磁电阻，在8 T时达到-22%。负磁阻和正磁阻之间的相互作用可以理解为失相和自旋轨道散射时间尺度之间的竞争。基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算，我们证明了用于制备纳米线的Ga+离子铣削过程中的无序（替代）在Bi 2 Te 3晶体中诱导了局域磁矩，从而导致表面和体电子的自旋相关散射。这些实验结果表明，在纳米自旋电子学应用的基础上的纵向磁电阻在TI的显着进步。我们的实验结果表明，大的负纵向磁电阻在三维TI的进一步表明，轴向异常是一个普遍的现象，在一般的三维金属。
2019-05-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magnetoresistance evidence on surface state and field-dependent bulk gap in Kondo insulator SmB6
近藤绝缘体SmB 6的低温电阻饱和现象是凝聚态物理的一个长期难题，最近有人提出这一现象源于拓扑表面态。在这里，我们系统地研究了SmB6的磁阻在低温下高达55特斯拉。温度和角度相关的磁阻显示出类似的交叉行为低于5 K。不同晶面上的角相关磁电阻证实了二维表面态是5K以下磁电阻交叉的起源。基于由表面态和体态组成的双通道模型，从不同磁场下的温度相关电阻中提取了临界磁场为196 T的体带隙的场依赖性.我们的结果给出了一个一致的图片，以了解在SmB6的低温输运行为，符合拓扑近藤绝缘体的情况。
2015-03-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Layer-controlled Ferromagnetism in Atomically Thin CrSiTe$_3$ Flakes
二维范德华铁磁体的研究推动了超高密度和纳米级数据存储的发展。然而，层状磁体中的内禀铁磁性总是受到许多因素的影响，例如堆叠顺序、层间耦合和层数。在这里，我们报告了从软到硬铁磁行为的磁性转变为CrSiTe $_3$薄片的厚度减小到几个纳米。现象上，与体相对应物中可忽略的磁滞回线相反，原子级薄的CrSiTe $_3$显示出随着厚度减小至约8 nm而具有有限磁化强度和磁化率的矩形回线，指示单畴和面外铁磁序。我们发现，随着厚度的减小，杂散场减弱，抑制了畴壁的形成。此外，厚度依赖的铁磁性能也揭示了从三维到二维伊辛铁磁体在约7 nm的CrSiTe $_3$厚度的交叉，伴随着居里温度从33 K的块体到约17 K的4 nm样品的下降。
2021-11-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Anisotropic giant magnetoresistance in NbSb2
本文报道了NbSb $_2$单晶在平行于$b$轴的电流作用下，具有极大的横向磁阻（在2K和9 T磁场下的磁阻比$\sim 1.3\times10^5\%$，在0.4K和32 T磁场下的磁阻比$4.3\times 10^6\%$，无饱和）和磁场诱导的金属-半导体交叉。当电流沿$ac$平面时，金属-半导体交叉被保留，但磁阻比被显著抑制。霍尔电阻率在接近交叉点的电场中的符号反转，以及电子结构计算揭示了具有非常高的迁移率的少量空穴和具有低迁移率的大量电子的共存。这些效应归因于磁场引起的费米面的变化。
2014-08-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other cond-mat.str-el
Electrical transport crossover and large magnetoresistance in selenium deficient van der Waals HfSe2-x
本研究系统研究了化学计量比与缺硒HfSe2的输运性质，发现缺硒导致从半导体到金属的转变及大磁电阻，表明缺陷工程可有效调控二维材料电子结构。
2024-03-19 cond-mat.mtrl-sci
Hidden low-temperature magnetic order revealed through magnetotransport in monolayer CrSBr
本研究通过磁输运测量在原子级薄 CrSBr 中实现了静电和磁性控制，揭示了多层中的巨大负磁阻和单层中由缺陷铁磁有序引起的隐藏低温磁相变，并证明该磁阻可由静电栅极调控。
2021-06-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Millimeter-scale layered MoSe2 grown on sapphire and evidence for negative magnetoresistance
利用分子束外延技术在蓝宝石衬底上制备了单层和双层MoSe2薄膜。广泛的表征，包括原位和非原位测量表明，层状MoSe 2生长在一个可扩展的方式在衬底上，并揭示了化学计量的2H相的特性。层状MoSe 2表现出多晶的特征，畴由缺陷和边界分隔。温度和磁场相关的电阻率测量揭示了二维可变范围跳跃机制中描述的载流子跳跃特性。此外，还观察到了负磁电阻，强调了在磁场作用下层状MoSe 2系统中电荷输运的迷人特征。在毫米尺度下观察到的这种负磁阻类似于最近在室温下在微米尺度下在WS2薄片中观察到的负磁阻[Zhang等人，应用物理信函108，153114（2016）]。这种可扩展性突出了这样一个事实，即潜在的物理机制是这些二维材料所固有的，并且发生在非常短的尺度上。
2017-02-16 cond-mat.mtrl-sci
Suppression of superconductivity and enhanced critical field anisotropy in thin flakes of FeSe
FeSe是一种独特的超导体，可以使用不同的途径来增强其超导性，同时其在不同衬底上生长的单层形式达到二维系统的创纪录高温。为了理解所发挥的作用的基板和减少的维度上的超导性，我们检查剥离的FeSe薄片的超导性能，通过减少厚度从散装到9 nm。在高达16 T的磁场和低至2 K的温度下进行的磁输运测量有助于建立不同厚度薄片的完整超导相图。虽然厚薄片类似于体行为，但通过减小厚度，FeSe薄片的超导性被抑制。在薄的限制，我们检测到的签名的交叉向二维行为的观察的涡旋-antivortex的非约束过渡和强烈增强的各向异性。我们的研究提供了详细的见解的超导性能的演变，从三维散装行为对二维限制的FeSe在没有掺杂剂衬底。
2019-07-30 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic and magnetotransport behavior of RFe5Al7 (R= Gd and Dy): Observation of re-entrant inverse-magnetocaloric phenomenon and asymmetric magnetoresistance behavior
我们比较和对比的Gd和Dy的稀土（R）系列RFe 5Al 7，在ThMn 12结构，已知的顺序反铁磁结晶成员的磁性，磁热和磁阻性能。在其他观察中，我们想强调以下新发现：（i）Dy化合物的等温熵变（Δ S）与温度（T）的关系存在多重符号交叉;除了在双磁子晶格系统中已知的磁补偿点处的零Δ S之外，在低温下还存在附加的符号交叉，就好像存在一种重入逆磁热现象。在磁阻数据中也可以观察到相应的符号反转。(ii)磁阻与磁场的关系曲线被发现是高度不对称的，对于两种化合物，磁场（H）的方向反转远低于TN，类似于已知的反铁磁隧道结。我们将这些归因于T和H引起的R和Fe磁矩自旋取向的微妙变化。
2015-06-21 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Extremely large linear magnetoresistance in Antimony crystal
本文报道了在锑（Sb）晶体中观测到的极大非饱和线性磁电阻效应。在磁场为9 T时，在2K时的磁电阻（XMR）为43000%，在室温下的磁电阻（$\sim\ $）为70%.霍尔测量揭示了载流子的非常高的迁移率$\sim\ $ 3.8 × 10 $^{4}$ cm $^{2}$ /Vs以及载流子浓度和迁移率的强温度依赖性。MR和交叉场（B $_{c}$）从二次到线性MR的迁移率和迁移率的倒数的相应标度描述了该晶体中大线性MR的经典起源，如由无序系统的Parish和Littlewood（PL）模型所建议的。
2020-01-03 cond-mat.mtrl-sci
Magnetically coupled charge-transport crossover and giant negative magnetoresistance in iodine-incorporated Cr$_2$Se$_3$
Indian Association for the Cultivation of Science（印度科学文化研究所）；Lomare Technologies Limited（Lomare科技有限公司）；Indian Institute of Technology Tirupati（蒂鲁帕蒂印度理工学院）；Brno University of Technology（布尔诺理工大学）；UGC-DAE Consortium for Scientific Research（UGC-DAE科学研究联盟）；Bose Institute（博斯研究所）；Central European Institute of Technology（中欧技术研究所）；Sincrotrone Trieste s.c.p.a.（的里雅斯特同步辐射中心）
本研究通过实验与理论结合，发现碘嵌入Cr$_2$Se$_3$在高温下出现磁耦合输运交叉及巨负磁电阻，为调控非层状过渡金属硫族化合物的电子与磁性质提供了新途径。
2026-09-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Large magnetothermopower and Fermi surface reconstruction in Sb$_2$Te$_2$Se
本文报道了Sb $_2$ Te $_2$ Se单晶的磁电阻、磁热电势和量子振荡的研究。在临界场$B^*$处，面内横向磁电阻从半经典弱场$B^2$依赖性向高场不饱和线性磁电阻过渡，并一直持续到室温。低温下的Seebeck系数在零场下为负，而Hall电阻率为正，表明存在多带效应。磁场在2 ~ 150 K之间引起Seebeck系数的符号反转。晶体的量子振荡揭示了准二维费米面。这些效应可能是由于大的费米面接触布里渊区边界成为准二维和化学势的变化由磁场。
2016-04-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Sign reversal of magnetoresistance and p to n transition in Ni doped ZnO thin film
研究了脉冲激光沉积Ni_（0.07）Zn_（0.93）O薄膜在宽温度范围内的磁电阻和非线性霍尔效应。利用局域磁矩和两带传导过程分别模拟了高、低温下磁电阻的正、负贡献。霍尔电阻的非线性也与双沟道导电模型吻合得很好。已经发现T $\gte 50 K$的负霍尔电压，这意味着主要由电子主导的导电，而T小于50 K的正霍尔电压显示在该材料中空穴主导的导电。磁电阻的符号从负到正的交叉揭示了电荷载流子的自旋极化，从而揭示了Ni掺杂ZnO薄膜用于自旋电子学应用的适用性。
2017-03-11 cond-mat.mtrl-sci
Linear magnetoresistance in the low-field limit in density-wave materials
材料的磁阻（MR）通常对反转施加的场方向不敏感，并且在低场极限中随磁场二次变化。量子效应[1]、不寻常的拓扑能带结构[2]和导致漂移电流路径的不均匀性[3，4]可以随着磁场的增加而引起从二次到线性磁阻的交叉。在这里，我们探讨了一系列的金属电荷和自旋密度波系统，表现出极大的正线性磁阻。与其他线性MR机制相比，这种效应在低温下即使在几十奥斯特的微小磁场下也保持稳健。我们框架的半经典叙事中的一个广泛的类别的材料与部分间隙费米面由于密度波的这种现象的解释。
2018-11-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Thickness-Dependent Polaron Crossover in Tellurene
本研究发现碲烯厚度低于10 nm时会发生从大极化子到小极化子的交叉，源于其准一维特性下介电屏蔽减弱、电声耦合增强，为低维材料极化子效应研究提供了新见解。
2024-09-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Unconventional Large Linear Magnetoresistance in Cu$_{2-x}$Te
我们报道了一个大的线性磁电阻在铜$_{2-x}$ Te，达到$Δρ/ρ(0)$ = 250在2 K在9 T的领域。对于$x$在0.13至0.22范围内的样品观察到这一点，并且结果与在Ag $_2 X$材料中观察到的效果相当，尽管在这种情况下，结果出现在更宽的体载流子密度范围内。检查幅度与交叉场从低场二次到高场线性行为，我们表明，基于经典的传输行为的模型最好地解释了观察到的结果。这种效应被追踪到由于该系统中拓扑反转的行为而导致的误导电流，使得稳定的表面状态提供高迁移率的传输通道。电阻率也跨越到一个$T^2$依赖性的温度范围内出现大的线性MR，电子-电子相互作用的表面状态内的影响的指标。因此，这是一个系统的例子，其中这些相互作用主导了表面态的低温行为。
2017-03-23 cond-mat.mtrl-sci
Electrically Tunable Room Temperature Hysteresis Crossover in Underlap MoS$_2$ FETs
具有石墨烯和MoS $_2$沟道的场效应晶体管（FET）的电流-电压传输特性中的顺时针到逆时针滞后交叉对于非易失性存储器应用具有重要的前景。然而，这样的交叉已被证明只在高温下表现出来。在这项工作中，第一次，我们证明了室温滞后交叉在几层的MoS $_2$场效应晶体管通过使用栅极-漏极欠搭接设计诱导的差分响应，从陷阱在MoS $_2$ -HfO $_2$沟道栅电介质界面施加栅极偏置。在欠重叠FET中在高栅极电压下界面陷阱驱动的逆时针滞后的出现可以明确地归因于欠重叠的存在，因为具有和不具有欠重叠区域的晶体管被制造在相同的MoS $_2$沟道薄片上。下重叠设计还使得能够利用施加的漏极偏压和下重叠长度对逆时针滞后窗口（通过140 $\times$）以及交叉栅极电压（通过2.6 $\times$）进行室温调谐。在环境和真空条件下，在不同的扫描速率和温度（RT，45 $^\circ$ C和65 $^\circ$ C）的传输曲线的综合测量有助于隔离的吸附质，界面陷阱，和散装HfO $_2$陷阱的顺时针和逆时针滞后的定量贡献。
2020-05-14 cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Dimensional crossover of charge order in IrTe$_2$ with strong interlayer coupling
在具有有限层间耦合的范德瓦尔斯材料中，通过常规的机械剥离，调节维数引入了各种电子相变。特别是当电子顺序与层间耦合的调制相联系时，这种尺寸可调谐性对其稳定性和性质具有强烈的影响，这很少被实验研究。在这里，我们证明了一个三维交叉的IrTe $_2$从真正的二维准三维使用低温扫描隧道显微镜和光谱的电荷顺序。采用原子级薄的IrTe $_2$薄片，从单层到多层，我们观察到一个渐进的相变的电荷顺序和指数衰减的库仑间隙随着厚度的增加。此外，我们发现一个抑制的状态密度出现在一个突然的横向界面之间的二维和三维。这些发现归因于强耦合层和衬底驱动的微扰之间的相互作用，这可以提供一个新的见解强耦合层状材料与隐藏的电子相的尺寸交叉。
2022-12-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anisotropic Nonsaturating Magnetoresistance Observed in HoMn$_6$Ge$_6$: A Kagome Dirac Semimetal
本研究针对kagome狄拉克半金属HoMn$_6$Ge$_6$开展磁输运与能带结构研究，揭示了其磁电阻正负转变、各向异性非饱和磁电阻等特性及微观起源，补充了反常霍尔效应与载流子转变的实验发现。
2024-04-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Thickness dependent electronic structure in WTe$_2$ thin films
我们研究了不同厚度的WTe $_2$薄膜赝象的电子结构。当样品厚度减小到26 nm以下时，角度相关的量子振荡揭示了从三维（3D）到二维（2D）电子系统的交叉。量子振荡进一步表明，费米口袋变得更小的样品越薄，这表明导带和价带之间的重叠变得越小，这意味着空间限制可以解除重叠在更薄的样品。此外，二次磁阻（MR）也显示了从3D到2D的行为的交叉作为样品被做得更薄，而门被示出影响二次MR和薄样品的量子振荡通过调整其载流子密度。
2017-03-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Dimensional Crossover of Mass Anisotropy in Ta-doped WTe2
School of Physical Sciences, Jawaharlal Nehru University（贾瓦哈拉尔·尼赫鲁大学物理科学学院）
通过角度依赖磁输运研究，发现Ta掺杂WTe2导致质量各向异性参数单调增加，准二维费米面特征加深，并在x=0.1时出现多口袋费米面，磁电阻急剧增大至~58,211%。
2026-06-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other cond-mat.str-el
Accessing topological surface states and negative MR in sculpted nanowires of Bi2Te3 at ultra-low temperature
研磨2D薄片是制造任何所需形状和尺寸的纳米材料的简单方法。固有的铣削过程会引入杂质或无序，这在低温下研究时可能会表现出奇异的量子输运现象。本文报道了在垂直磁场作用下，拓扑绝缘体雕刻纳米线的温度依赖性弱反局域化（WAL）效应。低温下的二次和线性磁导率（MC）曲线表明了体输运的贡献。在超低温和小于1T的磁场下，磁导率曲线（正磁阻）中的尖点特征代表了表明通过表面态输运的WAL。用二维Hikami Larkin Nagaoka理论讨论了MC曲线。在超低温磁电阻曲线中观察到正负磁电阻的交叉相互作用。我们的研究结果表明，在mK范围内，Bi2Te3雕刻纳米线可以实现拓扑表面态（TSS）输运，在2K下观察到的线性MR可能是TSS的电子输运和体能带的贡献共存。
2020-11-16 cond-mat.mtrl-sci
Negative Magnetoresistance in Weyl semimetals NbAs and NbP: Intrinsic Chiral Anomaly and Extrinsic Effects
手征反常引起的负磁电阻（NMR）已被广泛用作拓扑半金属中外尔费米子存在的重要输运证据。在这篇小综述中，我们讨论了非中心对称的NbP和NbAs的NMR现象的一般观察。我们表明，NMR可以贡献的外尔费米子和/或外在的影响，如叠加的霍尔信号，场依赖的非均匀的电流在体，即电流喷射，和弱本地化（WL）共存的平凡载流子的内禀手性异常。这种WL控制的NMR在很大程度上取决于样品质量，其特征在于在升高的温度下从正向负MR增长的明显交叉，作为相相干时间和体平凡口袋的自旋轨道散射常数之间的竞争的结果。因此，需要仔细检查NMR和手性异常的相关性，而无需其他互补技术的支持。由于自旋简并度的提升，外尔费米子的自旋方向与动量平行或反平行，这是一种独特的物理性质，称为螺旋度。螺旋度守恒为外尔费米子的输运提供了强有力的保护，而外尔费米子只能被磁性杂质有效地散射。因此，磁性和非磁性杂质的化学掺杂在探测外尔费米子的存在方面比NMR方法更有说服力。
2016-12-13 cond-mat.mtrl-sci
Cation spin and superexchange interaction in oxide materials below and above spin crossover under high pressure
我们推导出简单的规则的符号的超交换相互作用的基础上的超交换相互作用的过渡金属氧化物，是有效的在高压下的自旋交叉以下和以上的多电子计算。在d $^n$配置中的两个阳离子之间的超交换相互作用由与电子-空穴虚激发相关的对d $^{n + 1}$和d $^{n - 1}$配置的不同状态的单独贡献的总和给出。利用这些规则，我们分析了一些氧化物与磁性阳离子的超交换相互作用的符号，从d $^2$到d $^8$的电子配置：铁，钴，铬，镍，铜和锰的氧化物随着压力的增加。最有趣的结果涉及钴和镍的氧化物CoO，Ni $_2$ O $_3$和La $_2$ CoO $_4$，LaNiO $_3$的磁态同构到众所周知的高T $_C$和庞磁阻材料。这些氧化物在高压下具有自旋$\frac{1}{2}$。改变的相互作用从反铁磁低于自旋交叉以上的铁磁自旋交叉的预测与dPDMATHABMW（FeBO $_3$）和dPDMATHABMX（CoO）配置的阳离子的氧化物材料，而与其他d $^n$配置的材料在高压下的自旋交叉不改变超交换相互作用的符号。
2020-02-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Interplay of spin and orbital ordering in the layered colossal magnetoresistance manganite La2-2xSr1+2xMn2O7 (0.5<=x<=1.0)
用变温中子粉末衍射研究了n = 2层状锰氧化物La_（2 - 2）Sr_（1 + 2）Mn_（2 O_7）在x => 0.5区域的晶体学和磁性相图。磁相图揭示了有序磁结构的进展，通常平行于具有类似电子掺杂的3-D钙钛矿：A（0.5 <= x <= 0.66）--> C（0.75 <= x <= 0.90）--> G（0.90 <= x <= 1.0）。然而，准二维结构放大了这一过程，揭示了层状系统中独特的锰氧化物物理特征：（a）在A和C区域之间的"受抑"区域，在那里没有观察到长程磁序;（b）在C型区域中，由弱的双层间磁交换引起的磁多型性;和（c）四方晶系到正交相变，其温度演变直接测量a-b平面中d3 y2-r2轨道的有序性。这种轨道有序转变与C型磁有序（其中铁磁棒平行于b轴）相似。这些观察结果支持了这样一种观点，即轨道极化是磁自旋有序背后的驱动力。最后，在C型和G型状态之间的交叉区域中，我们看到了嵌入G型框架中的局部C型簇的发展的一些证据，直接解决了高掺杂La1-xCaxMnO3钙钛矿中类似短程磁有序的建议。
2000-07-14 cond-mat.mtrl-sci
Spin re-orientation induced anisotropic magnetoresistance switching in LaCo$_{0.5}$Ni$_{0.5}$O$_{3-δ}$ thin films
本文研究了外延LaCo$_{0.5}$Ni$_{0.5}$O$_{3-δ}$薄膜中应变调控的自旋重取向诱导AMR切换，揭示了磁转变附近二重到四重对称交叉及Co自旋态转变和Ni-Co电荷转移机制，为AMR传感器应用提供依据。
2023-04-17 cond-mat.mtrl-sci
