Nonresonant microwave absorption in epitaxial La-Sr-Mn-O films and its relation to colossal magnetoresistance
我们研究了La $_{0.7}$ Sr $_{0.3}$ MnO $_{3}$薄膜的磁场依赖的非共振微波吸收和色散，并表明它源于庞磁电阻。建立了倾斜磁场中铁磁薄膜的磁电阻模型。该模型相当好地解释了我们的实验结果，以及其他研究人员的结果。我们证明了非共振微波吸收是一种强大的技术，允许非接触测量的磁性能的薄膜，包括磁阻，各向异性场和矫顽场。
2007-09-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Colossal Magnetoresistance is a Griffiths Singularity
目前普遍认为，掺杂锰氧化物中表现出大磁电阻的磁转变是一种渗流效应。本文表明，过渡应被视为在格里菲斯阶段的上下文中出现时，无序抑制磁过渡。这种方法解释了La $_{0.7}$ Ca $_{0.3}$ MnO $_{3}.$单晶的磁化率和热容数据的不寻常方面
2002-01-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Colossal magnetoresistance in an ultra-clean weakly interacting 2D Fermi liquid
我们报告了一个新的现象，观察在一个40 nm宽的GaAs量子阱中的存在下的外部磁场平行于高迁移率的2D电子层的庞磁阻。在强磁场中，磁阻从0到45 T增加了约300倍，而系统没有经历任何金属-绝缘体转变。我们讨论了如何这种巨大的磁阻效应不能归因于自旋自由度或本地化物理，但最有可能源于强磁轨道之间的耦合的二维电子气和磁场。我们的观察结果是一致的场诱导的二维到三维的限制电子系统的转变。
2010-03-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Colossal Electroresistance and Colossal Magnetoresistance in Spinel Multiferroic CdCr2S4
本文报道了尖晶石型多铁性材料CdCr 2S 4在电场作用下的巨磁电阻（CMR）和电电阻（CER）。结果表明，在外加电场的作用下，CdCr 2S 4发生了金属-绝缘体转变（MIT）。在磁场中，CdCr 2S 4的电阻率响应类似于CMR锰氧化物。结合以前的报道，这些研究结果使CdCr 2S 4的唯一的化合物，拥有所有四个性质的巨大的磁电容（CMC），巨大的电容（CEC），CER，和CMR。本研究结果为寻找新的材料，通过调节电场和磁场来显示CMR开辟了新的途径。
2010-03-10 cond-mat.str-el
Absence of Colossal Magnetoresistance in the Oxypnictide PrMnAsO0.95F0.05
我们最近报道了电子掺杂锰氧氮化合物NdMnAsO_（1-x）Fx的一种新的巨磁电阻机制。在3 K下，已经观察到高达-95%的磁阻。在这里，我们表明，在取代Nd Pr，CMR是令人惊讶的不再存在。相反，观察到一个相当大的负磁阻PrMnAsO0.95F0.05低于35 K（MR 7 T（12 K）=-13.4%的PrMnAsO0.9F0.05。一个详细的中子和同步辐射X射线衍射研究PrMnAsO 0.95F0.05已被执行，这表明，一个结构转变，Ts，发生在35 K从四相P4/nmm正交Pmmn对称。结构转变是由Pr 4f电子自由度驱动的。
2015-03-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
The Kronig-Penney-Ising picture of the colossal magnetoresistance
从一般的论证出发，指出基于伊辛模型热力学的磁Kronig-Penney模型可以用来描述巨磁电阻（CMR）现象。该模型考虑了跳跃电子通过动态晶格的隧穿传输过程，其特征在于不断发展的磁簇。在这个模型中，磁状态之间的相关性被认为是更相关的晶格应变效应获得CMR功能。物理参数导致的理论描述的固有温度和领域的CMR中观察到的典型的锰氧化物材料的依赖性。
1998-12-28 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Small Magnetic Polaron Picture of Colossal Magnetoresistance in Manganites
我们提出了一个小，但相当大的磁极化子图片，在高温下的运输是激活的，而在低温下，它是带状的。我们表明，双交换和有限带宽效应是重要的，以了解巨大的磁电阻，以及在锰氧化物的金属-绝缘体和铁磁转变的巧合。用极化子的带状运动解释了磁跃迁。
1998-09-09 cond-mat.str-el
Critical Exponents for the Ferromagnetism in Colossal Magnetoresistance Manganites
从理论上研究了锰氧化物巨磁电阻中铁磁转变的临界现象。关于这一转变的临界指数，实验结果之间仍存在争议。为了通过与理论预测的比较来阐明锰氧化物的本征物理性质，我们利用无偏数值结果的有限尺寸标度分析研究了双交换模型的临界现象.结果表明，三维双交换模型的铁磁相变临界指数与Heisenberg模型的铁磁相变临界指数一致，但与平均场模型的铁磁相变临界指数不同.
2001-07-09 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Isotope effects and the charge gap formation in the charge ordered phase of colossal magnetoresistance manganites
采用双交换机制和相互作用晶格极化子机制的组合模型，研究了锰氧化物巨磁电阻中观察到的巨氧同位素效应。结果表明，在合理的物理参数下，双交换因子和极化子窄化因子可以很好地解释锰氧化物金属相中$ T_C$和电荷有序相中$ T_{CO}$的同位素效应.
1999-02-06 cond-mat.str-el
Colossal Magnetoresistance in the Mn2+ Oxypnictides NdMnAsO1-xFx
巨磁阻效应是一种罕见的现象，在这种现象中，当施加磁场时，材料的电阻率可以降低几个数量级。这种效应可能是下一代磁存储器件的基础。在这里，我们报告CMR的反铁磁oxypnictide NdMnAsO 1-xFx之间的竞争的结果与强电子相关性的反铁磁绝缘相和顺磁半导体时，应用的磁场。在反铁磁Mn 2 + oxypnictide材料中发现CMR可以为进一步研究和优化技术应用开辟一系列材料。
2012-07-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Carrier Density Collapse and Colossal Magnetoresistance in Doped Manganites
在强电子-声子耦合的掺杂电荷转移绝缘体中发现了一种新的铁磁相变，并伴有载流子密度崩塌。跃迁是由极化子载流子与局域自旋的交换相互作用驱动的;相互作用的强度决定了跃迁是一阶还是二阶。在过渡期间，载流子数量的巨大下降，这是在接近过渡的顺磁相中形成束缚对的结果，对外部磁场极其敏感。这种载流子密度崩塌描述了掺杂锰氧化物的电阻率峰值和巨磁阻效应。
1998-12-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Strong Electron-Phonon Interaction and Colossal Magnetoresistance in EuTiO$_3$
在低温下，EuTiO $_3$系统具有很大的磁电阻率，并表现出庞磁电阻效应。基于第一性原理计算和小极化子动力学平均场论，计算了EuTiO $_3$的输运性质。研究发现，由于电子-声子相互作用，导带可以形成一个靠近费米能级的微小子带。小的子带是大电阻率的原因。此外，EuTiO $_3$是一种弱反铁磁材料，其磁化强度会通过传导电子与磁性原子之间的交换作用使子带发生轻微偏移。由于子带接近费米能级，其位置的轻微移动会产生巨大的磁电阻。
2017-09-19 cond-mat.str-el
Mapping Colossal Magnetoresistance Phase Transitions with the Charge-Carrier Density Collapse Model
我们解释所观察到的比热异常（因此熵变）在巨大的磁阻锰氧化物Sm0.55Sr0.45MnO3，通过引入相分离到载流子密度崩溃理论通过铁磁体积分数的概念。在同一框架内，我们也已经能够解释所观察到的电阻率Sm0.55Sr0.45MnO3通过使用适当的表达式管理远离过渡的散射机制。拟合比热和电阻率的结果，使我们能够分离的极化子载流子的跳跃激活能和双极化子结合能贡献的指数行为的电阻率在顺磁相。
2011-05-12 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el
Fermi surface of the colossal magnetoresistance perovskite La_{0.7}Sr_{0.3}MnO_{3}
表现出巨磁阻（CMR）的材料目前是一个激烈的研究工作的焦点，由其敏感性赋予它们的技术应用所驱动。利用从电子正电子湮没的光子的角相关，我们提出了第一个一瞥的费米表面的材料，表现出CMR，支持“虚拟晶体”的电子结构计算。费米表面被证明是足够立方的性质，它很可能支持嵌套。
1998-12-17 cond-mat.str-el
Simultaneous achievement of record-breaking colossal magnetoresistance and angular magnetoresistance in an antiferromagnetic semiconductor EuSe2
本研究在反铁磁半导体 EuSe2 中同时实现了破纪录的场诱导庞磁阻和角度磁阻，该现象源于强磁各向异性及磁场诱导的反铁磁-铁磁相变导致的带隙闭合，为角度敏感自旋电子器件提供了潜在材料。
2024-12-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Insulator/metal phase transition and colossal magnetoresistance in holographic model
在大质量引力场下，我们构造了一个研究锰氧化物材料中绝缘体/金属相变和巨磁电阻效应的引力对偶。在重引力子极限下，在居里温度处出现一个明显的磁敏直流电阻率峰，此时发生绝缘体/金属相变，磁阻与场致磁化强度的平方成正比.我们发现在居里点以下金属相和绝缘相共存，并讨论了与电子相分离的关系。
2015-07-27 cond-mat.str-el gr-qc hep-th
Colossal Magnetoresistance using the Small Polaron Picture with Finite Bandwidth Effects
我们提出了一个小的极化子图片，并表明有限带宽效应是重要的理解巨磁阻。除了极化子的尺寸参数，我们发现有另一个参数（绝热性参数），是相关的研究磁电阻。我们发现，对于固定值的极化子尺寸参数的绝热性参数的增加增加的磁阻。在平均场方法内的磁性转变进行了研究。我们指出了文献中的重要疏忽。我们发现，报告的带宽值（基于能带结构计算）和实验确定的激活能和德拜频率的值，计算值的磁阻与实验相比毫不逊色。我们还计算了光传导率，发现与实验结果有较好的一致性。
2000-10-14 cond-mat.str-el
Percolation and Colossal Magnetoresistance in Eu-based Hexaborides
当用Ca取代Eu时，居里温度$_6$随着磁性亚晶格的稀释度的增加而显著降低，并且对于$x$ $\leq$ 0.3完全被抑制。Ca的取代导致整个Eu $_x$ Ca $_{1-x}$ B $_6$系列的电子性质的显著变化。$x$ $\approx$ 0.27的电子显微镜数据表明相分离成5至10 nm直径的富Eu和富Ca簇，导致电输运性质中的双折射型现象。相关临界浓度$x_p$约为0.3。对于$x$ $\approx$ 0.27，我们观察到巨大的负磁阻效应在低温下，类似的幅度为锰氧化物。
2004-04-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Sr$_{0.9}$K$_{0.1}$Zn$_{1.8}$Mn$_{0.2}$As$_{2}$: a ferromagnetic semiconductor with colossal magnetoresistance
采用电荷和自旋解耦掺杂方法合成了（Sr，K）（Zn，Mn）$_{2}$ As $_{2}$.它具有六方CaAl $_{2}$ Si $_{2}$型结构，其中（Zn，Mn）$_{2}$ As $_{2}$层形成蜂窝状网络。磁化强度测试表明，样品发生了铁磁转变，居里温度为12 K，转变相为\revision{magnetic moment reaches about 1.5 $μ_{B}$/Mn under $μ_0H$ = 5 T and $T$ = 2 K}。在低场（$μ_0H$ = 0. 1 T）下，$-$的磁电阻率高达38%，而在低场（$μ_0H$ = 5 T）下，$-$的磁电阻率高达99. 8%，其磁电阻率定义为$[ρ(H)-ρ(0)]/ρ(0)$.巨磁电阻效应可以用Anderson局域化理论来解释。
2014-09-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Charge Localization in Disordered Colossal-Magnetoresistance Manganites
通过对角无序的双交换哈密顿量研究了磁电阻锰氧化物顺磁相的金属或绝缘性质。迁移率边缘轨迹的确定与转移矩阵法。态密度计算表明，在20-30%掺杂的情况下，在费米能级处，单独的随机跳跃不足以诱导安德森局域化。我们认为，金属-绝缘体转变可能是由于形成局域极化子从非均匀的扩展状态的有效带宽减少随机跳跃和电子-电子相互作用。
1996-12-04 cond-mat.str-el
Theory of Insulator Metal Transition and Colossal Magnetoresistance in Doped Manganites
绝缘相和金属相的持续接近是锰氧化物的一个令人困惑的特性，它是由于Mn的双重简并e_g轨道由于存在大的电子- JT声子耦合而自组织成局域Jahn-Teller（JT）极化子能级和宽带态而产生的。本文描述了一个新的强关联双带模型，并用动力学平均场论计算了平衡态和输运性质。这些定量地解释了绝缘体金属转变和巨磁阻，以及两种状态共存的其他后果。
2003-08-19 cond-mat.str-el
Colossal magnetoresistance and quenched disorder in manganese oxides
本文综述了锰氧化物巨磁电阻材料的实验和理论研究进展，重点讨论了淬火无序效应。由于化合物是固溶体，因此这种无序是固有的，并且它的重要性已经在几个输运和磁性实验中指出。最后，对无序强度的实验控制的最新进展进行了评述。理论上，在双交换机制的框架内探索了无序的影响。几个努力了解相图和电子性能进行审查。我们还简要地讨论了最近的一个主题上的竞争阶段的无序的影响和起源的庞磁电阻。
2005-01-31 cond-mat.str-el
The small polaron crossover transition in colossal magnetoresistance (CMR) manganites
基于双交换和极化子的组合模型，研究了锰氧化物巨磁电阻（CMR）中小极化子到大极化子的交叉跃迁，并探讨了其对磁性和输运性质的影响.我们已经使用变分Lang-Firsov正则变换，并表明，高和低$T_C$锰氧化物的磁性和输运性质是很好地描述在一个单一的形式主义。我们已经再现了快速电阻率下降到低于$T_C$，一个现实的CMR比，和{ \it一阶}尖锐的磁性相变，这是在低$T_C$锰氧化物中观察到的。
1999-06-17 cond-mat.str-el
Strange electrical transport: Colossal magnetoresistance via avoiding fully polarized magnetization in ferrimagnetic insulator Mn3Si2Te6
巨磁电阻效应具有重要的基础和技术意义，主要存在于锰氧化物等少数材料中。在这里，我们报告巨大的磁阻是完全不同的，从所有其他材料。化学计量的Mn 3Si 2 Te 6是一种绝缘体，在78 K下具有亚铁磁转变。当外加磁场大于9特斯拉时，电阻率下降了7个数量级，导致在高达130 K时发生绝缘体-金属转变。然而，庞磁阻仅在沿难磁化轴施加磁场时发生，并且在沿磁化完全饱和的易磁化轴施加磁场时令人惊讶地不存在庞磁阻。分离易轴和难轴的各向异性场为13特斯拉，这对于名义上轨道动量和自旋轨道相互作用可忽略不计的锰离子来说是出乎意料的。双交换和Jahn-Teller扭曲驱动的空穴掺杂的锰氧化物不存在于Mn 3Si 2 Te 6。这些现象不符合现有的模型，表明了一种独特的，有趣的电传输类型。
2021-03-04 cond-mat.str-el
Al-Substitution Effects on Physical Properties of the Colossal Magnetoresistance Compouns La0.67ca0.33mno3
本文详细研究了钙钛矿锰氧化物La_（0.67）Ca_（0.33）Al_xMn_（1-x）O_3（x = 0，0.1，0.15，0.5）在低温和高磁场下的电阻、磁化强度和交流磁化率。静态磁化率也被测量到1000 K。所有样品均表现出庞磁电阻效应，居里温度随Al掺杂量的增加而降低。这些数据表明，在铁磁转变附近存在相关的磁性团簇。这似乎是由Al原子的随机分布所产生的结构和磁性无序的结果。
2005-05-24 cond-mat.str-el
Localization and Dephasing Driven by Magnetic Fluctuations in Low Carrier Density Colossal Magnetoresistance Materials
研究了低载流子密度铁磁体中传导电子在磁场涨落作用下的散射，并讨论了传导电子的定域和退相问题。我们声称存在的“流动性边缘”，它分离的状态与快速扩散和缓慢扩散的状态，后者是由退相时间。当“迁移率边缘”穿过费米能时，观察到电导率的大而急剧的变化。该理论提供了一个解释所观察到的铁磁半导体和锰氧化物的电导率的温度依赖性。
1999-03-03 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
P-wave Pairing and Colossal Magnetoresistance in Manganese Oxides
我们指出，现有的实验数据表明，大多数锰氧化物在铁磁相中存在{ \sl挫抑} p波超导凝聚，但超导相干长度不足以覆盖整个系统。超导态类似于超流He-3中的$A_{1}$态。电阻率的急剧下降，比热的急剧跳变，以及隧道中的间隙打开都可以用p波配对来理解。此外，庞磁电阻（CMR）的自然解释超导波动与增加磁场。有限的电阻率可能是由于一些磁不均匀性。这项研究导致了室温超导的可能性。
1998-08-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Field-tuned Collapse of an Orbital Ordered and Spin-polarized State: Colossal Magnetoresistance in Bilayered Ruthenate
Ca3Ru2O7在48 K时具有Mott型相变，具有不同的磁化强度和磁电阻的面内各向异性。沿磁易轴施加磁场通过一阶变磁转变沉淀自旋极化状态，但不会导致Mott状态的完全抑制，而沿磁难轴施加磁场会导致电阻率降低三个数量级。巨磁电阻效应的产生是由于自旋极化态和轨道有序态的坍缩。密度波的证据也被提出。
2003-07-03 cond-mat.str-el
Colossal Magnetoresistance by Avoiding a Ferromagnetic State in the Mott System Ca3Ru2O7
运输和磁性研究的Ca 3Ru 2 O 7的温度范围从0.4 K至56 K和磁场，B，高达45 T导致显着不同的行为时，施加沿不同的晶轴的字段。B的铁磁（FM）态具有全自旋极化||a轴，但巨大的磁阻实现只有B|| b轴。对于B|| c轴，观察到Shubnikov-de Haas振荡，随后是比B更小的电阻状态||a.因此，与标准的巨磁阻材料相比，FM相位对于电子跳跃是最不利的。这些性质与Mott转变（48 K）附近的极不寻常的自旋-电荷-晶格耦合一起由轨道自由度驱动。
2005-03-30 cond-mat.str-el
Colossal magnetoresistance in manganites as a multicritical phenomenon
本文从多临界现象的观点研究了锰氧化物AMnO_3的庞磁电阻效应。为了理解复杂的相互作用的各个阶段，我们研究了金-朗道理论的平均场近似和重整化群分析，与观察到的相图进行比较。几个新的功能，如一阶铁磁转变，并在多临界点附近的转变温度下降，可以理解为驱动的多临界点附近的增强波动。此外，我们还得到了H/M-M^2图（Arrott图）的普适标度关系，它与实验数据吻合得很好，为涨落增强提供了进一步的证据。
2002-08-30 cond-mat.str-el
Current oscillation and low-field colossal magnetoresistance effect in phase-separated manganites
在（La_{1-y} Pr_y）_{0.7} Ca_{0.3} MnO_3（y=0.7）和Nd_{0.5} Ca_{0.5} Mn_{1-z} Cr_zO_3（z=0.03）晶体的分相态中观察到了电流诱导的金属态到绝缘态的转变。在这种电流感应绝缘状态下施加磁场，会产生明显的低场负磁阻效应[r（H）/r（0）=10^{-3} at H= 1 kOe]。恒定电压的施加也导致高于阈值电压的欧姆关系的击穿。在高于该阈值的电压下，观察到电流的振荡。这种振荡很好地再现了一个简单的模型的局部开关的一个互补的传导路径。
2005-04-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Low field anisotropic colossal magnetoresistance in $Sm_{0.53} Sr_{0.47} Mn O_3$ thin films
采用同轴直流磁控溅射法在LSAT（001）单晶衬底上制备了SSMO 5347薄膜（厚度约200 nm）。这些膜沿着面外c方向取向。铁磁和绝缘体-金属转变分别发生在96 K和91 K。易磁化轴被观察到位于膜的平面中，而难磁化轴被发现是沿着法线。SSMO薄膜的磁输运表现出巨大的各向异性，该磁输运作为磁场（H）与薄膜平面之间的角度（θ）的函数进行测量。磁阻（MR）随着θ从0度（H//易磁化轴）增加到90度（H//难磁化轴）而急剧减小。在H=3.6 kOe和78 K时，面外各向异性MR（AMR）高达88%.用起作用的磁各向异性和外加磁场中的磁畴运动解释了这种巨大的各向异性。
2013-01-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Field-Induced Ferromagnetic Order and Colossal Magnetoresistance in La_{1.2}Sr_{1.8}Mn_2O_7: a ^{139}La NMR study
为了深入了解锰氧化物中巨磁电阻（CMR）的起源，我们对双层化合物La_{1.2} Sr_{1.8} Mn_2O_7进行了^{139} La NMR研究。我们发现，在居里温度T_C = 126 K以上，外加磁场诱导出一个长程铁磁有序结构，该有序结构可持续到T = 330 K。感应磁矩饱和的临界磁场与CMR效应达到最大值的磁场一致。因此，我们的研究结果表明，该化合物在T_C以上所观察到的CMR是由于场致铁磁性通过双交换相互作用产生金属态。
2006-02-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Polaron Coherence Condensation as the Mechanism for Colossal Magnetoresistance in Layered Manganites
双层锰氧化物La1.2Sr1.8Mn2O7的角分辨光电子能谱数据表明，在降低居里点以下的温度，一个连贯的极化金属基态出现非常迅速，定义明确的准粒子，跟踪非常好的电导率，符合宏观输运性质。我们的数据表明，导致绝缘体到金属的转变在La1.2Sr1.8Mn2O7的机制可以被看作是一个极化子相干凝聚过程与双交换相互作用。
2007-11-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Quantum Oscillations, Colossal Magnetoresistance and Magnetoelastic Interaction in Bilayered Ca3Ru2O7
本文报道了Ca_3Ru_2O_7在高磁场和低温下的磁性和面间输运性质。Ca_3Ru_2O_7是一种具有双层正交结构的Mott型体系，其带隙很窄，约为0.1eV。在本研究揭示的一系列不寻常的物理现象中，有几个特别有趣：（1）在金属-非金属转变TMI（=48 K）时c轴晶格参数的坍缩，以及沿c轴施加低单轴压力时TMI的快速增加：（2）在20 mK<T<6.5 K时带隙非金属态的量子振荡;（3）隧穿庞磁电阻，其产生高达三个数量级的电阻率的沉淀下降;（4）庞磁电阻和磁化的不同面内各向异性。所有的结果似乎表明一个高度各向异性的基态和晶格和磁性之间的耦合的关键作用。这些现象的含义进行了讨论。
2003-04-17 cond-mat.str-el
Orbitally-driven Behavior: Mott Transition, Quantum Oscillations and Colossal Magnetoresistance in Bilayered Ca3Ru2O7
我们报道了最近的输运和热力学实验在很宽的温度范围内的Mott类系统Ca 3 Ru 2 O 7在高磁场，B，高达30 T。这项工作揭示了一个丰富的和高度各向异性的相图，其中沿a轴，b轴和c轴应用B会导致截然不同的行为。通过一级变磁跃迁得到了B的完全自旋极化态||a，B的巨磁阻||b，并观察到B的电阻率的量子振荡||C，分别。据信晶格、轨道和自旋自由度的相互作用导致了这种强烈的各向异性行为。
2004-07-23 cond-mat.str-el
Ferromagnetism and Colossal Magnetoresistance from the Coexistence of Comparable Charge and Spin Density Orders
本文提出了一个完整的多组分平均场理论，研究了在均匀磁场作用下电荷有序（CO）、反铁磁（AFM）和铁磁（FM）自旋有序的共存和竞争.掺杂AFM或CO状态总是产生铁磁成分。在一个粒子-空穴非对称系统中，流动的FM、AFM和CO必然共存和竞争。当CO和AFM的序参量具有相似的量级和动量结构时，小磁场会熔化大的AFM-CO序参量，从而产生巨磁电阻（CMR）现象。空穴掺杂有利于FM金属态和CMR，而电子掺杂有利于AFM-CO态，与钙钛矿锰氧化物的相图一致。
2000-03-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Modelling colossal magnetoresistance manganites
在概述了在锰氧化物中观察到的一些现象，并描述了e_g电子的三个相关的强局域相互作用之后，本文简要地回顾了试图模拟锰氧化物的丰富而奇怪的行为的尝试（在每个站点的两个不同的轨道状态），即与Jahn-Teller声子模式（强度g），与常驻t_2g自旋（铁磁洪德规则耦合J_H）和彼此之间（莫特哈伯德相关U）。一个新的双流体模型的近本地化的l极化子和带（b）电子的低能量行为出现大g，它的一些应用在这里提到。本文描述了在单格位DMFT（Dynamic Mean场论）中强耦合U，J_H计算的一些结果，表明在宽轨道液相区中，锰氧化物的许多特征现象，如绝缘铁磁基态、绝热金属转变、巨磁电阻（cmr）、材料系统学和观察到的低有效载流子密度都可以得到定性和定量的理解。我们还讨论了两个“相”共存经常发现在这些系统中，并表明静电库仑相互作用静音LB相分离成纳米级的电子不均匀性与L区域和B水坑。最后，一些问题的当前利益，以及一般的产生，如极化子和物理的大电子声子耦合g在绝热制度，被提到。
2007-09-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Field-Induced Crossover and Colossal Magnetoresistance in La(0.7)Pb(0.3)MnO(3)
在La（0.7）Pb（0.3）MnO（3）单晶的电阻率和磁化强度（M）中观察到场致交越。电阻率和M的场依赖性表明，一个小的自旋倾斜的物种与平均场的相互作用在低场（H）占主导地位，而个人的自旋和3D伊辛/海森堡模型描述的高H的行为相当不错。在铁磁转变附近，H引起的小自旋极化子的破坏伴随着大的磁阻。
2000-04-20 cond-mat.str-el
Bilayer splitting and c-axis coupling in bilayer manganites showing colossal magnetoresistance
通过对双层巨磁电阻锰氧化物$La_{2-2x}Sr_{1+2x}Mn_{2}O_{7}$进行角分辨光电子能谱分析，得到了完整的费米能级谱权拓扑图。清楚和明确的双层分裂的面内3D $_{x^2-y^2}$带，映射整个布里渊区，和完整的映射的3D $_{3z^2-r^2}$带的报告。这些频带的特殊掺杂和温度依赖性意味着，作为从铁磁金属相的过渡方法，无论是作为掺杂或温度的函数，沿c轴的双层内的平面之间的相干性丢失，导致减少面间耦合。这些结果表明，面间耦合起着很大的作用，在CMR转变。
2009-12-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Room-temperature colossal magnetoresistance in terraced single-layer graphene
无序感生磁电阻效应在低垂直磁场下是二次的，在高垂直磁场下是线性的。这种效应在技术上很有吸引力，特别是在二维（2D）材料如石墨烯中，因为它在具有纳米级空间分辨率的磁传感器中提供了潜在的应用。然而，这是一个很大的挑战，实现基于这种效应的石墨烯磁传感器，因为在控制的空间分布的无序和提高MR灵敏度在单层制度的困难。在这里，我们报告了一个高达5,000%的室温巨大MR在9 T的梯形单层石墨烯。通过层压单层石墨烯的阶梯衬底上，如TiO 2终止SrTiO 3，我们证明了一个普遍的一个数量级的增强MR相比，传统的单层石墨烯设备。引人注目的是，即使在约1012 cm-2的高载流子密度下，在阶梯石墨烯中也实现了>1,000%的巨大MR。对单层石墨烯在各种氧化物和非氧化物基阶梯表面上的MR的系统研究表明，阶梯结构是驱动MR增强的主导因素。我们的研究结果开辟了一条新的路线，定制的二维材料的物理性能的工程应变通过一个梯田基板。
2021-01-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Control of the colossal magnetoresistance by strain effect in Nd$_{0.5}$Ca$_{0.5}$MnO$_{3}$ thin films
采用脉冲激光沉积技术在（100）-SrTiO $_{3}$上制备了具有巨磁电阻（CMR）特性的Nd $_{0.5}$ Ca $_{0.5}$ MnO $_{3}$薄膜。这些锰氧化物的晶格参数和相关的CMR性能可以通过衬底温度$T_{S}$来控制。对于$T_{S}=680$ degC的沉积温度，在75 K下的最大CMR效应（计算为比率$ρ(H=0T)/ρ(H=7T)$）为10 $^4$。结构研究表明，Nd $_{0.5}$ Ca $_{0.5}$ MnO $_{3}$薄膜为单相，[010]取向，具有赝立方对称的钙钛矿亚电池，室温下a=3.77 $Å$。我们认为，晶格参数，CMR和衬底温度$T_{S}$之间的相关性主要是由于衬底诱导的应变，可以削弱在低温下的电荷有序状态。
2001-06-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Effective Mass Ratio & positive colossal magnetoresistance of a Nano-wire
本文采用非简并哈伯德模型，建立了一维非简并系统（一维纳米线或一维原子分子链）的极化度与有效质量比（EMR）和磁阻（MR）之间的关系.电子病历是一个重要的属性，它提供了系统的流动性有多大的信息？在平均场近似下，发现由于非对角元的存在，谱带变窄效应优于谱带分裂效应。EMR随极化程度而变化。在铁磁转变温度以下，多数（上自旋）载流子的EMR随着磁化强度的增加而减小。当系统冷却到铁磁转变温度以下时，MR减小。我们的结果与现有的实验观测进行了比较。
2008-06-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Multi-scale Phase Modulations in Colossal Magnetoresistance Manganites
大量的实验结果提出了在锰氧化物的巨磁电阻观测到的多尺度相位调制现象。两个关键类型的相位不均匀性直接相关的庞磁电阻（CMR）进行了讨论。第一种类型涉及结构和电子不同相的微米级共存。我们提出了广泛的实验数据的原型系统表现出这样的相共存，（La，Pr）$_{5/8}$ Ca $_{3/8}$ MnO $_{3}$。这些数据表明，在该系统中的金属-绝缘体转变的弛豫输运现象起着关键作用，并在很大程度上负责显着的磁电阻的大小。多相态的相组成受电子关联和马氏体调节应变的影响。第二种类型的非均匀状态是在高温下通常在锰氧化物中发现的顺磁状态中实现的。在这种状态下，纳米级的结构相关性与纳米级的电荷/轨道有序区域进行观察。众多的锰氧化物系统的实验研究表明，这些相关性是通用的正交混合价锰氧化物，相关区域的CMR效应中起着至关重要的作用。
2002-12-05 cond-mat.str-el
Consecutive topological phase transitions and colossal magnetoresistance in a magnetic topological semimetal
磁对称性和电子能带拓扑的结合为实现拓扑非平凡的准粒子提供了一条有前途的途径，并且磁结构的操纵可以实现拓扑相之间的切换，具有实现功能物理性质的潜力。在这里，我们报告的电阻率测量EuCd $_2$作为$_2$的压力下，这表明一个有趣的绝缘圆顶之间的压力$p_{\rm c1}\sim1.0$ ~GPa和$p_{\rm c2}\sim2.0$ ~GPa，位于两个制度与金属运输。绝缘态可以被一个小磁场完全抑制，导致一个巨大的负磁电阻的数量级为$10^5$，通过一个适度的磁场$\sim0.2$ ~T。第一性原理计算表明，压力下的电阻率的戏剧性的演变是由于连续的过渡EuCd $_2$作为$_2$从一个磁性的拓扑绝缘体，一个平凡的绝缘体，然后到Weyl半金属，与后者产生的压力引起的变化的磁基态。类似地，巨磁电阻是由磁场引起的磁矩极化引起的，将EuCd $_2$ As $_2$从普通的绝缘体转变为外尔半金属。这些发现强调了弱磁交换耦合和自旋各向异性是发现具有所需功能的可调磁性拓扑材料的成分。
2022-02-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Interplay of charge, spin, orbital and lattice correlations in colossal magnetoresistance manganites
我们推导了掺杂锰氧化物巨磁电阻的微观模型，包括量子力学水平上的电荷，自旋，轨道和晶格自由度的动力学。该模型尊重SU（2）自旋对称性和锰离子在立方晶格中的完整多重态结构。我们利用精确对角化技术研究了空穴掺杂畴（$0\le x\le 0.5$）中电子-晶格相互作用对自旋和轨道关联的影响。我们发现，晶格可以引起相当大的抑制自旋和轨道自由度之间的耦合，并显示如何在动态声子相关的磁相关性的变化反映。此外，我们的计算给出了详细的见解轨道相关性，并证明了复杂的轨道状态的可能性。
2002-09-04 cond-mat.str-el
Colossal Magnetoresistance without Mixed Valence in a Layered Phosphide Crystal
具有强磁阻响应的材料是自旋电子技术、磁传感器和硬盘驱动器的支柱。其中，具有混合价态和立方钙钛矿结构的锰氧化物由于其巨磁阻（CMR）而脱颖而出。双交换相互作用是锰酸盐中CMR的基础，从而当相邻Mn 3+和Mn 4+离子上的自旋平行时，电荷传输增强。先前为CMR寻找不同材料或机制的努力导致了小得多的影响。在这里，我们显示了一个巨大的CMR在低温下在EuCd2P2没有锰，氧，混合价态，或立方钙钛矿结构。EuCd_2P_2具有层状三角晶格，在11 K时呈现反铁磁有序。在EuCd 2 P2晶体生长的CMR（104%）的幅度的竞争对手的幅度在优化的锰酸盐薄膜。我们的磁化，运输和同步加速器X射线数据表明，强烈的磁场波动是造成这种现象的原因。在低温下实现CMR而没有杂价，导致了与反铁磁自旋电子学相关的材料和技术的新领域。
2021-01-30 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Berry Phase Theory of Anomalous Hall Effect: Application to Colossal Magnetoresistance Manganites
我们发现在巨磁电阻锰氧化物中观察到的反常霍尔效应（AHE）是在非平凡自旋背景中载流子跳跃引起的Berry相位效应的表现。我们确定了Berry相对AHE贡献的大小和温度依赖性，发现随着温度从零升高到磁转变温度T_c，Berry相的大小迅速增加，在温度$T_{max} > T_c$处达到峰值，并随T的幂次衰减，与实验数据一致。我们认为，我们的理论可能是有关的异常霍尔效应在传统的铁磁体以及。
1999-05-07 cond-mat.str-el
Colossal magnetoresistance over a wide temperature range in Eu0.99La0.01TiO3
我们报道了在轻掺杂反铁磁顺电EuTiO 3中发生的大磁阻效应。稀土钛酸盐（RTiO 3氧化物）的磁电阻的报告是非常罕见的，因为它们在低温下是高度绝缘的。EuTiO_3在2.5 K时为绝缘体，La ~（3+）掺杂1%可使其电阻率降低5个数量级以上。结果表明，Eu0.99La0.01TiO3在T= 5.43 K以下呈反铁磁性，在较宽的温度范围内表现出较大的磁电阻。在2.5 K时，H = 6 kOe时的磁电阻为-42%，H = 7 T时的磁电阻增加到-75%.即使在比尼尔温度高十倍的50 K下，磁电阻也非常显着（H = 7 T时为-20%）。结果表明，Eu ~（2+）离子的4f自旋与Ti-3d带的掺杂电子通过f-d相互作用发生强交换耦合，场致4f自旋涨落的抑制降低了3d电子的自旋无序散射.鉴于我们的研究结果，这将是有趣的研究其他稀土钛酸盐的磁电阻。
2016-12-29 cond-mat.str-el
Colossal magnetoresistance in a Mott insulator via magnetic field-driven insulator-metal transition
我们提出了一种新型的巨磁电阻效应，这种效应是由于在适当的磁场作用下，双层层状钛掺杂的Ca $_3$ Ru $_2$ O $_7$中Mott绝缘态的反常崩塌引起的。这种绝缘体-金属转变伴随着晶格和磁性结构的变化。我们的发现具有重要的意义，因为磁场通常稳定的绝缘基态在Mott-Hubbard系统，因此需要更深入的理论研究，重新审视磁场调谐的Mott系统的磁和电子的不稳定性和自旋晶格电荷耦合。这项研究进一步提供了一个模型的方法来寻找CMR系统以外的锰氧化物，如莫特绝缘体之间的竞争相的边界附近。
2018-02-07 cond-mat.str-el
Induced Ferromagnetism and Colossal Magnetoresistance by Ir-Doping in Pr1-xCaxMnO3
在小A型阳离子锰氧化物Pr_{1-x} Ca_xMnO_3（0.4 < x < 0.8）中，用铱（15%）掺杂锰位，作为抑制电荷有序和诱发CMR效应的一种新方法。Ir掺杂导致铁磁性和绝缘体到金属的转变，其高转变温度达到180K，并且在7T下的CMR比高达10^4。与铱诱导铁磁性和CMR的效率相比，以前的结果与其他取代（Ru，Rh，Ni，Cr，.）。外来阳离子的离子半径和它们的混合价被认为是控制崩溃的电荷有序状态的能力的主要参数。
2001-12-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Colossal resistivity change besides magnetoresistance: an extended theoretical framework for electronic transport of manganites
目前对锰氧化物的理论研究主要是从磁性框架出发，认为电子输运是自旋相关的，双交换机制起着核心作用。然而，相当多的实验观察结果还不能得到合理的解释。例如，由磁场以外的扰动（例如电流）引起的多重绝缘体-金属转变和电阻率降低还没有得到很好的理解。对以往的广泛研究进行了综合分析，并强调了电阻率变化的两种类型的起源。除了磁场等外场引起的绝缘-金属转变外，外加电场引起的绝缘-绝缘转变是电阻率巨大变化的一个更重要的来源。我们提出了一个扩展的框架锰氧化物的电子输运，其中的贡献的自由度的电荷被赋予一个特殊的优先级。
2005-08-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Colossal Terahertz Magnetoresistance from Magnetic Polarons in EuZn$_2$P$_2$
Universidade de São Paulo（圣保罗大学）；Universidade Federal do ABC（ABC联邦大学）；Universidad del Valle（谷大学）
研究通过磁-太赫兹光谱揭示EuZn$_2$P$_2$中磁极子的低能电动力学，发现极子松弛时间在奈尔温度处最大，导致太赫兹范围内磁电阻高达90%。
2026-08-04 cond-mat.str-el
Magnetodielectric consequences of phase separation in the colossal magnetoresistance manganite Pr0.7Ca0.3MnO3
研究了低温分相锰氧化物Pr_（0.7）Ca_（0.3）MnO_3在外加磁场作用下的低频介电性能。介电常数强烈地依赖于场，并且还依赖于样品的磁场历史。介电行为似乎与极化载流子的跳跃有关，并且我们可以从介电常数的频率依赖性导出场依赖的跳跃能垒。这种分析使我们能够将在这种材料中观察到的金属-绝缘体转变与场诱导的极化子活化能抑制相关联。
2005-09-07 cond-mat.str-el
