Colossal magnetoresistance without phase separation: Disorder-induced spin glass state and nanometer scale orbital-charge correlation in half doped manganites
本文研究了高质量$A$位无序（固溶体）$_{0.5}$单晶在自旋玻璃绝缘体与磁阻铁磁金属相界附近的磁学和电学性质。详细分析了Eu $_{0.5}$ Ba $_{0.5}$ MnO $_3$的交流磁化率和X射线漫散射随温度的变化关系。具有小带宽的Ln $_{0.5}$ Ba $_{0.5}$ MnO $_3$晶体中随机势扰动的均匀性产生了均匀的短程电荷/轨道有序，而不是相分离，从而产生了近原子的自旋玻璃态。值得注意的是，这种微观无序的“CE玻璃”状态本身就能够产生巨大的磁阻。
2004-11-16 cond-mat.mtrl-sci
First order transition and phase separation in pyrochlores with colossal-magnetoresistance
T1 $_{2}$ Mn $_{2}$ O $_{7}$高温超导体在长程铁磁有序温度（T $_{C}$）附近表现出庞磁电阻（CMR）。这种磁性相变的特征已经通过纯磁性方法确定为一阶，与Zhao等人先前报道的二阶特征形成对比（Phys.Rev.Lett. 83，219（1999））。最高的CMR效应，如在Tl $_{1.8}$ Cd $_{0.2}$ Mn $_{2}$ O $_{7}$中，对应于较强的一级特征。除了Mn $^{4+}$离子之间的直接超交换以及相共存之外，该特征意味着第二种类型的磁相互作用。提出了一个模型，一个完整的哈密顿量（包括超交换和间接相互作用），再现所观察到的现象。
2001-11-08 cond-mat.mtrl-sci
Physical properties of single-crystalline fibers of the colossal-magnetoresistance manganite La0.7Ca0.3MnO3
采用激光加热基座法（LHPG）生长了高质量的磁电阻材料La_（0.7）Ca_（0.3）MnO_3单晶。样品生长为不同直径的纤维，长度为厘米量级。通过X射线衍射、扫描电子显微镜和能谱分析（EDX）以及Rietveld分析验证了它们的组成和结构。结晶纤维的质量通过劳厄和EBSD（电子背散射衍射）图案来确认。沿纤维轴进行的摇摆曲线显示半高宽度为0.073度。通过电阻率和磁化强度测量作为温度的函数来证实CMR行为。
2003-08-13 cond-mat.mtrl-sci
Observation of an Unusual Colossal Anisotropic Magnetoresistance Effect in an Antiferromagnetic Semiconductor
寻找具有大磁输运响应的新型反铁磁材料是构建未来高稳定性、快开关速度和高密度自旋电子器件的迫切需求。本文报道了层状结构反铁磁二元稀土二硫属化合物EuTe_2的巨各向异性磁电阻效应。AMR达到40000%，这是4个数量级以上，在传统的反铁磁合金。结合磁化强度、电阻率和理论分析表明，巨磁电阻效应是一种矢量场可调能带结构的新机制，而不是传统的自旋轨道耦合机制.此外，还揭示了具有局域自旋的Eu层和具有巡游载流子的Te层的轨道之间的强杂化对于大AMR效应是极其重要的。我们的研究结果提出了一个新的方向探索AFM材料具有突出的磁输运特性，这创造了一个前所未有的机会，AFM自旋电子学的应用。
2021-03-04 cond-mat.mtrl-sci
REPLY to Comments on "Giant Dielectric Response in the One-Dimensional Charge-Ordered Semiconductor (NbSe4)3I" and "Colossal Magnetocapacitance and Colossal Magnetoresistance in HgCr2S4" (cond-mat/0607500)
在目前的工作中，我们回答评论加泰罗尼亚和斯科特（cond-mat/0607500）对我们的两个文件。这篇评论已被《物理评论快报》拒绝发表，因此，我们的回复是基于cond-mat版本。
2007-01-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Colossal magnetocapacitance and colossal magnetoresistance in HgCr2S4
我们提出了一个详细的研究反铁磁立方尖晶石HgCr 2S 4的介电和电荷输运性质。类似的铁磁CdCr 2S 4的研究结果，HgCr 2S 4的介电常数变得强烈增强，在低于60 - 80 K的区域，这可以归因于极性弛豫动力学触发的铁磁关联的发病。此外，极化电滞曲线的观察表明，铁电有序的发展低于约70 K。此外，我们的调查，在外部磁场高达5 T揭示了同时发生的磁电容和磁阻的真正巨大的幅度在这种材料。
2006-02-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Cooperatively Modulating Magnetic Anisotropy and Colossal Magnetoresistance via Atomic-Scale Buffer Layers in Highly Strained La0.7Sr0.3MnO3 Films
本研究通过在高应变 LSMO 薄膜中插入原子尺度钙钛矿缓冲层，协同调控磁各向异性与 CMR，实现10,000%的磁电阻调制及锐利的面外至面内各向异性转变。
2024-03-01 cond-mat.mtrl-sci
Colossal Positive Magnetoresistance in a Doped Nearly Magnetic Semiconductor
本文报道了FeSb $_{2}$金属化诱导的正巨磁电阻效应。讨论了轨道磁共振和量子干涉对增强电阻率磁场响应的贡献。
2008-01-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Colossal enhancement of magnetoresistance in La$_{0.67}$Sr$_{0.33}$MnO$_{3}$ / Pr$_{0.67}$Ca$_{0.33}$MnO$_{3}$ multilayers: reproducing the phase-separation scenario
在铁磁金属-电荷有序绝缘体锰氧化物多层膜中，磁电阻在很宽的温度范围内得到了极大的增强。人工创建的相共存的多层复制的磁输运性质的亚稳性的特征签名通常观察到的电子相分离的锰氧化物。
2010-06-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Colossal magnetoresistance in a quasi-two-dimensional cluster glass semiconductor
本研究通过Te掺杂在准二维反铁磁Cr2Se3中引入磁阻挫，实现团簇玻璃态和高达32%的负庞磁电阻，并揭示磁场调控电子结构机制。
2025-02-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
A phenomenological model for magnetoresistance in granular polycrystalline colossal magnetoresistive materials: the role of spin polarised tunnelling at the grain boundaries
已经观察到，在磁致电阻（CMR）材料的块状和多晶薄膜中，与单晶或低于铁磁转变温度Tc的单晶膜相比，磁阻遵循不同的行为。在本文中，我们发展了一个唯象模型来解释磁场依赖的电阻在颗粒CMR材料考虑到自旋极化隧道在晶界。该模型已被拟合到两个系统，即La 0.55 Ho 0.15 Sr 0.3 MnO 3和La 1.8 Y 0.5 Ca 0.7 Mn 2 O 7。从拟合的结果中，我们已经分离出，在La 0.55Ho 0.15Sr 0.3MnO 3，来自自旋极化隧道在晶界的磁电阻的晶粒间的贡献的内在贡献。结果表明，La_（0.55）Ho_（0.15）Sr_（0.3）MnO_3的本征磁电阻效应随温度的变化符合双交换模型的预测.
1998-05-20 cond-mat.mtrl-sci
Colossal Magnetoresistance Manganites and Related Prototype Devices
本文综述了单相锰氧化物的庞磁电阻效应与场敏自旋电荷相互作用和相分离的关系，锰氧化物/Nb：SrTiO 3 pn结的整流特性和正负磁电阻效应与特殊的界面电子结构的关系，锰氧化物/铁电结构中的磁电耦合效应与应变、载流子密度和磁场敏感性的关系，锰氧化物/铁电结构中的磁电阻效应与磁电阻效应的关系，锰氧化物/Nb：SrTiO 3 pn结中的磁电阻效应与磁电阻效应的关系，锰氧化物/铁电结构中的磁电阻效应与磁电阻效应的关系。利用锰氧化物的完全自旋极化性质在具有电介质、铁电体和有机半导体间隔物的隧道结中的隧穿磁阻;以及锰氧化物纳米颗粒中颗粒尺寸对磁性质的影响
2013-09-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnon Broadening Effect by Magnon-Phonon Interaction in Colossal Magnetoresistance Manganites
为了研究锰氧化物巨磁电阻中的磁激发行为，研究了磁振子-声子相互作用系统。当磁振子支与光学声子支相交时，磁振子谱线会突然展宽。展宽的起始点近似由磁振子态密度决定。解释了在低居里温度锰氧化物中观察到的布里渊区边界处的反常磁振子阻尼。
1999-05-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Sweeping of Lattice Disorder and Associated Phenomena in Colossal Magnetoresistance Compounds
我们通过变分计算表明，在一个大的参数范围内的顺磁到铁磁转变的庞磁电阻化合物是伴随着崩溃的极化晶格无序除了自旋无序。自旋-晶格无序态是局域化的，有序态是巡游的。还解释了在过渡区漫散射的剧烈变化以及同位素效应。
2001-10-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Nonresonant microwave absorption in epitaxial La-Sr-Mn-O films and its relation to colossal magnetoresistance
我们研究了La $_{0.7}$ Sr $_{0.3}$ MnO $_{3}$薄膜的磁场依赖的非共振微波吸收和色散，并表明它源于庞磁电阻。建立了倾斜磁场中铁磁薄膜的磁电阻模型。该模型相当好地解释了我们的实验结果，以及其他研究人员的结果。我们证明了非共振微波吸收是一种强大的技术，允许非接触测量的磁性能的薄膜，包括磁阻，各向异性场和矫顽场。
2007-09-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Colossal magnetoresistance in Ti lightly-doped Cr2Se3 single crystals with layered structure
本文报道钛轻掺杂Cr2Se3单晶中超过16000%的庞磁电阻效应，归因于受抑自旋构型，并实现从不良金属到半导体的转变，可作为二维异质结构用于自旋电子器件。
2023-07-25 cond-mat.mtrl-sci
Colossal Magnetoresistance is a Griffiths Singularity
目前普遍认为，掺杂锰氧化物中表现出大磁电阻的磁转变是一种渗流效应。本文表明，过渡应被视为在格里菲斯阶段的上下文中出现时，无序抑制磁过渡。这种方法解释了La $_{0.7}$ Ca $_{0.3}$ MnO $_{3}.$单晶的磁化率和热容数据的不寻常方面
2002-01-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Absence of Colossal Magnetoresistance in the Oxypnictide PrMnAsO0.95F0.05
我们最近报道了电子掺杂锰氧氮化合物NdMnAsO_（1-x）Fx的一种新的巨磁电阻机制。在3 K下，已经观察到高达-95%的磁阻。在这里，我们表明，在取代Nd Pr，CMR是令人惊讶的不再存在。相反，观察到一个相当大的负磁阻PrMnAsO0.95F0.05低于35 K（MR 7 T（12 K）=-13.4%的PrMnAsO0.9F0.05。一个详细的中子和同步辐射X射线衍射研究PrMnAsO 0.95F0.05已被执行，这表明，一个结构转变，Ts，发生在35 K从四相P4/nmm正交Pmmn对称。结构转变是由Pr 4f电子自由度驱动的。
2015-03-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Colossal negative magnetoresistance in the complex charge density wave regime of an antiferromagnetic Dirac semimetal
本文发现反铁磁狄拉克半金属CeSb$_{0.11}$Te$_{1.90}$在复杂电荷密度波区域具有类半导体输运特性，外加磁场引发类半导体-金属转变，从而产生庞负磁阻及巨大的反常霍尔响应。
2022-08-10 cond-mat.mtrl-sci
Field-induced metal-to-insulator transition and colossal anisotropic magnetoresistance in a nearly Dirac material EuMnSb$_2$
如何利用电荷自由度和自旋自由度之间的耦合来实现可应用的功能仍然是自旋电子学领域的一个挑战。例如，利用各向异性磁阻（AMR）效应来读出由各种磁性结构存储的信息，其通常源自原子自旋轨道耦合（SOC）。然而，由于AMR值太小，使得AMR在反铁磁自旋电子学中的应用受到了限制。在这里，我们发现了一个巨大的AMR效应在近狄拉克材料EuMnSb $_2$与反铁磁顺序的Eu $^{2+}$时刻的场诱导金属到绝缘体的转变（MIT）。巨大的AMR达到前所未有的值1.84 $\times$ 10 $^6$ %在2 K，这是四个数量级大于以前报道的值在反铁磁体。基于密度泛函理论的计算结果表明，在Y点附近存在一个强烈依赖于SOC的Dirac-like能带结构，该能带结构主导了样品的整体输运性质，并且电子型载流子占主导地位.此外，还发现费米能级附近的间接带隙依赖于Eu $^{2+}$磁矩的磁结构，从而导致场致MIT，并对巨AMR效应起关键作用.最后，我们的工作表明，类似于EuMnSb $_2$的反铁磁拓扑材料，其中Dirac类费米子强烈调制的SOC和反铁磁性，将是一个肥沃的土壤，探索可应用的AMR效应。
2021-04-19 cond-mat.mtrl-sci
Electronic Origin of Half-metal to Semiconductor Transition and Colossal Magnetoresistance in Spinel HgCr2Se4
本研究利用ARPES揭示了尖晶石HgCr2Se4中半金属-半导体转变与庞磁阻的电子学起源，发现特定化学非化学计量引发的交换能带劈裂导致费米面Lifshitz转变，为半金属反常相变提供了光谱学证据。
2022-11-30 cond-mat.mtrl-sci
Carrier Density Collapse and Colossal Magnetoresistance in Doped Manganites
在强电子-声子耦合的掺杂电荷转移绝缘体中发现了一种新的铁磁相变，并伴有载流子密度崩塌。跃迁是由极化子载流子与局域自旋的交换相互作用驱动的;相互作用的强度决定了跃迁是一阶还是二阶。在过渡期间，载流子数量的巨大下降，这是在接近过渡的顺磁相中形成束缚对的结果，对外部磁场极其敏感。这种载流子密度崩塌描述了掺杂锰氧化物的电阻率峰值和巨磁阻效应。
1998-12-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Dynamical Mean-Field Study of the Ferromagnetic Transition Temperature of a Two-Band Model for Colossal Magnetoresistance Materials
利用动力学平均场论（DMFT）研究了双带双交换（DE）模型的庞磁电阻（CMR）材料的铁磁（FM）转变温度（Tc），在较宽的耦合常数、跳变参数和载流子密度范围内进行了计算。计算结果与蒙特卡罗模拟吻合良好。当频带重叠时，发现Tc的值比在一个频带的情况下大得多，对于能量重叠间隔内的化学势的所有值。一个非零的带间跳跃产生额外的大幅增加的Tc，显示这些非对角项的重要性，并伴随使用的多带模型，以提高临界温度在DE为基础的理论。
2006-03-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
A Framework for Understanding Colossal Magnetoresistance and Complex Resistivity Behaviors in Magnetic Semiconductor
本文提出一个双载流子框架，通过热激发和焦耳热效应解释磁性半导体中的巨磁电阻及复杂电阻行为，并成功应用于Mn$_3$Si$_2$Te$_6$，澄清了相关争议。
2025-03-24 cond-mat.mtrl-sci
Simultaneous achievement of record-breaking colossal magnetoresistance and angular magnetoresistance in an antiferromagnetic semiconductor EuSe2
本研究在反铁磁半导体 EuSe2 中同时实现了破纪录的场诱导庞磁阻和角度磁阻，该现象源于强磁各向异性及磁场诱导的反铁磁-铁磁相变导致的带隙闭合，为角度敏感自旋电子器件提供了潜在材料。
2024-12-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Percolation and Colossal Magnetoresistance in Eu-based Hexaborides
当用Ca取代Eu时，居里温度$_6$随着磁性亚晶格的稀释度的增加而显著降低，并且对于$x$ $\leq$ 0.3完全被抑制。Ca的取代导致整个Eu $_x$ Ca $_{1-x}$ B $_6$系列的电子性质的显著变化。$x$ $\approx$ 0.27的电子显微镜数据表明相分离成5至10 nm直径的富Eu和富Ca簇，导致电输运性质中的双折射型现象。相关临界浓度$x_p$约为0.3。对于$x$ $\approx$ 0.27，我们观察到巨大的负磁阻效应在低温下，类似的幅度为锰氧化物。
2004-04-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Colossal Magnetoresistance in the Mn2+ Oxypnictides NdMnAsO1-xFx
巨磁阻效应是一种罕见的现象，在这种现象中，当施加磁场时，材料的电阻率可以降低几个数量级。这种效应可能是下一代磁存储器件的基础。在这里，我们报告CMR的反铁磁oxypnictide NdMnAsO 1-xFx之间的竞争的结果与强电子相关性的反铁磁绝缘相和顺磁半导体时，应用的磁场。在反铁磁Mn 2 + oxypnictide材料中发现CMR可以为进一步研究和优化技术应用开辟一系列材料。
2012-07-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Sr$_{0.9}$K$_{0.1}$Zn$_{1.8}$Mn$_{0.2}$As$_{2}$: a ferromagnetic semiconductor with colossal magnetoresistance
采用电荷和自旋解耦掺杂方法合成了（Sr，K）（Zn，Mn）$_{2}$ As $_{2}$.它具有六方CaAl $_{2}$ Si $_{2}$型结构，其中（Zn，Mn）$_{2}$ As $_{2}$层形成蜂窝状网络。磁化强度测试表明，样品发生了铁磁转变，居里温度为12 K，转变相为\revision{magnetic moment reaches about 1.5 $μ_{B}$/Mn under $μ_0H$ = 5 T and $T$ = 2 K}。在低场（$μ_0H$ = 0. 1 T）下，$-$的磁电阻率高达38%，而在低场（$μ_0H$ = 5 T）下，$-$的磁电阻率高达99. 8%，其磁电阻率定义为$[ρ(H)-ρ(0)]/ρ(0)$.巨磁电阻效应可以用Anderson局域化理论来解释。
2014-09-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Current oscillation and low-field colossal magnetoresistance effect in phase-separated manganites
在（La_{1-y} Pr_y）_{0.7} Ca_{0.3} MnO_3（y=0.7）和Nd_{0.5} Ca_{0.5} Mn_{1-z} Cr_zO_3（z=0.03）晶体的分相态中观察到了电流诱导的金属态到绝缘态的转变。在这种电流感应绝缘状态下施加磁场，会产生明显的低场负磁阻效应[r（H）/r（0）=10^{-3} at H= 1 kOe]。恒定电压的施加也导致高于阈值电压的欧姆关系的击穿。在高于该阈值的电压下，观察到电流的振荡。这种振荡很好地再现了一个简单的模型的局部开关的一个互补的传导路径。
2005-04-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Low field anisotropic colossal magnetoresistance in $Sm_{0.53} Sr_{0.47} Mn O_3$ thin films
采用同轴直流磁控溅射法在LSAT（001）单晶衬底上制备了SSMO 5347薄膜（厚度约200 nm）。这些膜沿着面外c方向取向。铁磁和绝缘体-金属转变分别发生在96 K和91 K。易磁化轴被观察到位于膜的平面中，而难磁化轴被发现是沿着法线。SSMO薄膜的磁输运表现出巨大的各向异性，该磁输运作为磁场（H）与薄膜平面之间的角度（θ）的函数进行测量。磁阻（MR）随着θ从0度（H//易磁化轴）增加到90度（H//难磁化轴）而急剧减小。在H=3.6 kOe和78 K时，面外各向异性MR（AMR）高达88%.用起作用的磁各向异性和外加磁场中的磁畴运动解释了这种巨大的各向异性。
2013-01-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Field-Induced Ferromagnetic Order and Colossal Magnetoresistance in La_{1.2}Sr_{1.8}Mn_2O_7: a ^{139}La NMR study
为了深入了解锰氧化物中巨磁电阻（CMR）的起源，我们对双层化合物La_{1.2} Sr_{1.8} Mn_2O_7进行了^{139} La NMR研究。我们发现，在居里温度T_C = 126 K以上，外加磁场诱导出一个长程铁磁有序结构，该有序结构可持续到T = 330 K。感应磁矩饱和的临界磁场与CMR效应达到最大值的磁场一致。因此，我们的研究结果表明，该化合物在T_C以上所观察到的CMR是由于场致铁磁性通过双交换相互作用产生金属态。
2006-02-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Polaron Coherence Condensation as the Mechanism for Colossal Magnetoresistance in Layered Manganites
双层锰氧化物La1.2Sr1.8Mn2O7的角分辨光电子能谱数据表明，在降低居里点以下的温度，一个连贯的极化金属基态出现非常迅速，定义明确的准粒子，跟踪非常好的电导率，符合宏观输运性质。我们的数据表明，导致绝缘体到金属的转变在La1.2Sr1.8Mn2O7的机制可以被看作是一个极化子相干凝聚过程与双交换相互作用。
2007-11-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetic resonance and microwave resistance modulation in van der Waals colossal-magnetoresistance material
研究通过磁共振和微波调制揭示了Mn3Si2Te6中巨磁阻的轨道磁化机制及其对垂直自旋极化的敏感性。
2025-12-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Modelling colossal magnetoresistance manganites
在概述了在锰氧化物中观察到的一些现象，并描述了e_g电子的三个相关的强局域相互作用之后，本文简要地回顾了试图模拟锰氧化物的丰富而奇怪的行为的尝试（在每个站点的两个不同的轨道状态），即与Jahn-Teller声子模式（强度g），与常驻t_2g自旋（铁磁洪德规则耦合J_H）和彼此之间（莫特哈伯德相关U）。一个新的双流体模型的近本地化的l极化子和带（b）电子的低能量行为出现大g，它的一些应用在这里提到。本文描述了在单格位DMFT（Dynamic Mean场论）中强耦合U，J_H计算的一些结果，表明在宽轨道液相区中，锰氧化物的许多特征现象，如绝缘铁磁基态、绝热金属转变、巨磁电阻（cmr）、材料系统学和观察到的低有效载流子密度都可以得到定性和定量的理解。我们还讨论了两个“相”共存经常发现在这些系统中，并表明静电库仑相互作用静音LB相分离成纳米级的电子不均匀性与L区域和B水坑。最后，一些问题的当前利益，以及一般的产生，如极化子和物理的大电子声子耦合g在绝热制度，被提到。
2007-09-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Bilayer splitting and c-axis coupling in bilayer manganites showing colossal magnetoresistance
通过对双层巨磁电阻锰氧化物$La_{2-2x}Sr_{1+2x}Mn_{2}O_{7}$进行角分辨光电子能谱分析，得到了完整的费米能级谱权拓扑图。清楚和明确的双层分裂的面内3D $_{x^2-y^2}$带，映射整个布里渊区，和完整的映射的3D $_{3z^2-r^2}$带的报告。这些频带的特殊掺杂和温度依赖性意味着，作为从铁磁金属相的过渡方法，无论是作为掺杂或温度的函数，沿c轴的双层内的平面之间的相干性丢失，导致减少面间耦合。这些结果表明，面间耦合起着很大的作用，在CMR转变。
2009-12-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
P-wave Pairing and Colossal Magnetoresistance in Manganese Oxides
我们指出，现有的实验数据表明，大多数锰氧化物在铁磁相中存在{ \sl挫抑} p波超导凝聚，但超导相干长度不足以覆盖整个系统。超导态类似于超流He-3中的$A_{1}$态。电阻率的急剧下降，比热的急剧跳变，以及隧道中的间隙打开都可以用p波配对来理解。此外，庞磁电阻（CMR）的自然解释超导波动与增加磁场。有限的电阻率可能是由于一些磁不均匀性。这项研究导致了室温超导的可能性。
1998-08-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Giant thermopower changes related to the resistivity maximum and colossal magnetoresistance in EuCd2P2
Technische Universität Dresden（德累斯顿工业大学）；Goethe-Universität Frankfurt（法兰克福歌德大学）；Karlsruhe Institute of Technology（卡尔斯鲁厄理工学院）；Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids（马克斯·普朗克固体化学物理研究所）
EuCd2P2中观察到的巨热电功率效应源于电阻率最大值和巨磁阻效应，通过电子性质梯度实现巨大热电功率值。
2026-03-02 cond-mat.mtrl-sci
Control of the colossal magnetoresistance by strain effect in Nd$_{0.5}$Ca$_{0.5}$MnO$_{3}$ thin films
采用脉冲激光沉积技术在（100）-SrTiO $_{3}$上制备了具有巨磁电阻（CMR）特性的Nd $_{0.5}$ Ca $_{0.5}$ MnO $_{3}$薄膜。这些锰氧化物的晶格参数和相关的CMR性能可以通过衬底温度$T_{S}$来控制。对于$T_{S}=680$ degC的沉积温度，在75 K下的最大CMR效应（计算为比率$ρ(H=0T)/ρ(H=7T)$）为10 $^4$。结构研究表明，Nd $_{0.5}$ Ca $_{0.5}$ MnO $_{3}$薄膜为单相，[010]取向，具有赝立方对称的钙钛矿亚电池，室温下a=3.77 $Å$。我们认为，晶格参数，CMR和衬底温度$T_{S}$之间的相关性主要是由于衬底诱导的应变，可以削弱在低温下的电荷有序状态。
2001-06-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Effective Mass Ratio & positive colossal magnetoresistance of a Nano-wire
本文采用非简并哈伯德模型，建立了一维非简并系统（一维纳米线或一维原子分子链）的极化度与有效质量比（EMR）和磁阻（MR）之间的关系.电子病历是一个重要的属性，它提供了系统的流动性有多大的信息？在平均场近似下，发现由于非对角元的存在，谱带变窄效应优于谱带分裂效应。EMR随极化程度而变化。在铁磁转变温度以下，多数（上自旋）载流子的EMR随着磁化强度的增加而减小。当系统冷却到铁磁转变温度以下时，MR减小。我们的结果与现有的实验观测进行了比较。
2008-06-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Observation of Colossal Terahertz Magnetoresistance and Magnetocapacitance in a Perovskite Manganite
本研究观测到La$_{0.875}$Sr$_{0.125}$MnO$_3$单晶在居里温度附近的巨型太赫兹磁阻与磁电容效应，可用双相共存模型解释，为磁调制太赫兹器件开发提供了新可能。
2023-03-24 cond-mat.mtrl-sci physics.optics
Consecutive topological phase transitions and colossal magnetoresistance in a magnetic topological semimetal
磁对称性和电子能带拓扑的结合为实现拓扑非平凡的准粒子提供了一条有前途的途径，并且磁结构的操纵可以实现拓扑相之间的切换，具有实现功能物理性质的潜力。在这里，我们报告的电阻率测量EuCd $_2$作为$_2$的压力下，这表明一个有趣的绝缘圆顶之间的压力$p_{\rm c1}\sim1.0$ ~GPa和$p_{\rm c2}\sim2.0$ ~GPa，位于两个制度与金属运输。绝缘态可以被一个小磁场完全抑制，导致一个巨大的负磁电阻的数量级为$10^5$，通过一个适度的磁场$\sim0.2$ ~T。第一性原理计算表明，压力下的电阻率的戏剧性的演变是由于连续的过渡EuCd $_2$作为$_2$从一个磁性的拓扑绝缘体，一个平凡的绝缘体，然后到Weyl半金属，与后者产生的压力引起的变化的磁基态。类似地，巨磁电阻是由磁场引起的磁矩极化引起的，将EuCd $_2$ As $_2$从普通的绝缘体转变为外尔半金属。这些发现强调了弱磁交换耦合和自旋各向异性是发现具有所需功能的可调磁性拓扑材料的成分。
2022-02-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Tuning the chiral orbital currents in a colossal magnetoresistive nodal line ferrimagnet
本研究通过用硒取代碲原子，调控了巨磁阻节线亚铁磁体Mn₃Si₂Te₆中的手性轨道电流，发现其减弱会影响角磁阻，且沿部分极化磁化方向的巨磁阻效应受取代影响较小。
2025-02-12 cond-mat.mtrl-sci
Colossal Magnon Magnetoresistance of Two-Dimensional Magnets
本文研究了二维易轴铁磁体中的磁子电流，发现了在中等磁场下磁子电导变化高达百分之一千的巨磁子磁阻（CMMR）效应，并提出了非局域磁子介导电学拖拽实验以观测该效应，为自旋电子学器件的自旋传输提供了新途径。
2024-07-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Colossal Magnetoresistance without Mixed Valence in a Layered Phosphide Crystal
具有强磁阻响应的材料是自旋电子技术、磁传感器和硬盘驱动器的支柱。其中，具有混合价态和立方钙钛矿结构的锰氧化物由于其巨磁阻（CMR）而脱颖而出。双交换相互作用是锰酸盐中CMR的基础，从而当相邻Mn 3+和Mn 4+离子上的自旋平行时，电荷传输增强。先前为CMR寻找不同材料或机制的努力导致了小得多的影响。在这里，我们显示了一个巨大的CMR在低温下在EuCd2P2没有锰，氧，混合价态，或立方钙钛矿结构。EuCd_2P_2具有层状三角晶格，在11 K时呈现反铁磁有序。在EuCd 2 P2晶体生长的CMR（104%）的幅度的竞争对手的幅度在优化的锰酸盐薄膜。我们的磁化，运输和同步加速器X射线数据表明，强烈的磁场波动是造成这种现象的原因。在低温下实现CMR而没有杂价，导致了与反铁磁自旋电子学相关的材料和技术的新领域。
2021-01-30 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Induced Ferromagnetism and Colossal Magnetoresistance by Ir-Doping in Pr1-xCaxMnO3
在小A型阳离子锰氧化物Pr_{1-x} Ca_xMnO_3（0.4 < x < 0.8）中，用铱（15%）掺杂锰位，作为抑制电荷有序和诱发CMR效应的一种新方法。Ir掺杂导致铁磁性和绝缘体到金属的转变，其高转变温度达到180K，并且在7T下的CMR比高达10^4。与铱诱导铁磁性和CMR的效率相比，以前的结果与其他取代（Ru，Rh，Ni，Cr，.）。外来阳离子的离子半径和它们的混合价被认为是控制崩溃的电荷有序状态的能力的主要参数。
2001-12-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Colossal resistivity change besides magnetoresistance: an extended theoretical framework for electronic transport of manganites
目前对锰氧化物的理论研究主要是从磁性框架出发，认为电子输运是自旋相关的，双交换机制起着核心作用。然而，相当多的实验观察结果还不能得到合理的解释。例如，由磁场以外的扰动（例如电流）引起的多重绝缘体-金属转变和电阻率降低还没有得到很好的理解。对以往的广泛研究进行了综合分析，并强调了电阻率变化的两种类型的起源。除了磁场等外场引起的绝缘-金属转变外，外加电场引起的绝缘-绝缘转变是电阻率巨大变化的一个更重要的来源。我们提出了一个扩展的框架锰氧化物的电子输运，其中的贡献的自由度的电荷被赋予一个特殊的优先级。
2005-08-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Interplay of spin and orbital ordering in the layered colossal magnetoresistance manganite La2-2xSr1+2xMn2O7 (0.5<=x<=1.0)
用变温中子粉末衍射研究了n = 2层状锰氧化物La_（2 - 2）Sr_（1 + 2）Mn_（2 O_7）在x => 0.5区域的晶体学和磁性相图。磁相图揭示了有序磁结构的进展，通常平行于具有类似电子掺杂的3-D钙钛矿：A（0.5 <= x <= 0.66）--> C（0.75 <= x <= 0.90）--> G（0.90 <= x <= 1.0）。然而，准二维结构放大了这一过程，揭示了层状系统中独特的锰氧化物物理特征：（a）在A和C区域之间的"受抑"区域，在那里没有观察到长程磁序;（b）在C型区域中，由弱的双层间磁交换引起的磁多型性;和（c）四方晶系到正交相变，其温度演变直接测量a-b平面中d3 y2-r2轨道的有序性。这种轨道有序转变与C型磁有序（其中铁磁棒平行于b轴）相似。这些观察结果支持了这样一种观点，即轨道极化是磁自旋有序背后的驱动力。最后，在C型和G型状态之间的交叉区域中，我们看到了嵌入G型框架中的局部C型簇的发展的一些证据，直接解决了高掺杂La1-xCaxMnO3钙钛矿中类似短程磁有序的建议。
2000-07-14 cond-mat.mtrl-sci
Two types of colossal magnetoresistance with distinct mechanisms in Eu5In2As6
本研究在反铁磁半导体Eu5In2As6中同时发现峰型和上翘型两种巨磁电阻，分别归因于磁极化子渗流和电荷有序熔化，并提出统一机制框架。
2024-12-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Engineering Large Anisotropic Magnetoresistance in La0.7Sr0.3MnO3 Films at Room Temperature
磁阻（MR）效应广泛应用于从磁读取头到传感器的各种技术中。不同的贡献MR，如各向异性，巨大的，隧道，巨大的，自旋霍尔，揭示了在材料取决于特定的系统和测量配置。半金属锰氧化物具有自旋电子学应用的前景，但竞争相互作用的复杂性不允许理解和控制其磁输运性质，以实现其技术潜力。在这里，我们报告的能力，以诱导一个占主导地位的可切换的磁电阻在La0.7Sr0.3MnO3外延薄膜，在室温下（RT）。通过工程一个外在的磁各向异性，我们表现出各向异性磁阻（AMR），导致在RT，信号的变化远大于其他贡献，如巨磁阻（CMR）的大增强。占主导地位的非本征AMR在低场区的电阻表现出很大的变化，表现出高的灵敏度，所施加的低磁场。这些发现对锰氧化物基器件在高分辨率低场磁传感器或自旋电子学中的实际应用具有很大的影响。
2018-11-26 cond-mat.mtrl-sci
Possible quantum nematic in a colossal magnetoresistance material
EuB 6长期以来一直吸引着物理学界的注意力，因为它显示了铁磁相变，导致绝缘体金属转变以及巨磁阻（CMR）。EuB 6具有非常低的载流子密度，这是已知的急剧改变本地化的Eu矩和传导电子之间的相互作用。量子理论在凝聚态中的早期胜利之一是费米面的存在，它与下面晶格的对称性密切相关。这种对称性可以通过角分辨磁阻（AMRO）测量来探测。在这里，我们提出的角度分辨磁阻（AMRO）的测量表明，在EuB 6这种对称性被打破，可能表明存在的量子周期相。我们确定的区域中的温度-磁场相图中的磁阻显示两倍的振荡，而不是预期的四倍模式。量子液晶相类似于经典的液晶。与液晶一样，它们的量子类似物由于强的电子-电子相互作用而打破了晶体的点群对称性，如量子霍尔态、Sr 3Ru 2 O 7和高温超导体。这是以前观察到的磁极化子的同一区域，表明它们驱动EuB 6中的向列性。这也是EuB 6显示巨磁阻（CMR）的相图区域。这种新颖的磁性和电子性质之间的相互作用，因此可以利用自旋电子应用。
2021-09-30 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Colossal Magnetoresistance Observed in Monte Carlo Simulations of the One- and Two-Orbital Models for Manganites
在考虑强电子-声子耦合（但忽略局域自旋之间的反铁磁交换$J_{\rm AF}$）的情况下，用Monte Carlo方法研究了锰氧化物的单轨道和双轨道双交换模型.这项工作的重点是电荷传输的分析。我们的结果为一个轨道的情况下确认和扩展以前最近的调查，表明存在强大的峰值电阻率与温度曲线的这种模型。淬火无序实质上增强了效应的幅度，而磁场显著降低了电阻率。一个简单的图片为这些结果的起源。它还表明，即使对于只有一个电子的情况下，电阻曲线目前通过改变温度的金属和绝缘区域，因为它发生在有限的电子密度。此外，在本研究中，这些调查扩展到更现实的锰氧化物的双轨道模型。该模型的输运结果显示电阻率与温度曲线中的大峰值，位于近似居里温度处，并且具有相关的大磁阻因子。总的来说，这里讨论的影响的大小和形状非常类似的材料，如$\rm La_{0.70} Ca_{0.30} Mn O_{3}$的实验，他们是在定性协议与当前占主导地位的理论观点，金属和绝缘体之间的竞争，增强了淬火无序，是至关重要的理解巨磁阻（CMR）现象。
2006-03-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Huge magnetoresistance and ultra-sharp metamagnetic transition in polycrystalline ${Sm_{0.5}Ca_{0.25}Sr_{0.25}MnO_3}$
大磁电阻材料在高密度磁存储器件、磁传感器和磁开关等自旋电子学领域有着广泛的应用前景。由于铁磁金属区和反铁磁绝缘区之间的相竞争，在外部磁场中电阻率改变几个数量级（${\sim10^4 \%}$）的巨磁阻主要发生在相分离的氧化物材料，即锰氧化物中。可以通过调整两相的体积分数来进一步增强磁电阻吗？在这项工作中，我们报告了一个巨大的庞磁电阻随着超尖锐的变磁转变在半掺杂${Sm_{0.5}Ca_{0.25}Sr_{0.25}MnO_3}$锰氧化物化合物通过适当的调整竞争相的体积分数。在10 K下获得的磁电阻值与30 kOe外磁场中的$\sim10^{13}\%$和90 kOe外磁场中的$\sim10^{15}\%$一样大，并且比迄今为止报道的任何其他观察到的磁电阻值高几个数量级。使用模型哈密顿计算，我们已经表明，不均匀的障碍，推导出隧道电子显微镜，抑制CE型相和种子的铁磁金属在外部磁场。
2018-06-21 cond-mat.mtrl-sci
Giant semiclassical magnetoresistance in high mobility TaAs2 semimetal
本文报道了在高迁移率的TaAs 2半金属单晶中观察到的巨大正磁电阻效应。在很宽的温度范围内（T = 2-300 K），磁场B的二次函数对磁电阻的拟合很好，表明磁电阻具有半经典性质。霍尔效应和Shubnikov-de Haas振荡的测量以及能带结构的计算表明，巨磁电阻起源于TaAs 2中几乎完全补偿的电子和空穴。在B = 9 T和T = 2 K时，二次MR甚至可以超过1，200，000%，这是包括最近发现的WTe 2和NbSb 2在内的所有已知半金属化合物的最大值之一。TaAs_2中的巨正磁电阻不仅与磁系统中的负巨磁电阻有着根本不同的起源，而且提供了一个很好的互补系统，这将有利于在磁电子器件中的应用
2016-01-19 cond-mat.mtrl-sci
Voltage induced control and magnetoresistance of noncollinear frustrated magnets
非共线阻挫磁体是一种新型的自旋电子学材料，具有高的磁电阻，可以用相对较小的外加电压进行控制。结果表明，它们的磁位形强烈地依赖于费米能的位置和外加电压。非共线阻挫材料的电压诱导控制（VCFM）可以被看作是一种本征控制巨磁电阻（CMR）的方法，是自旋转移矩概念在层状自旋阀结构中用于控制巨磁电阻的体材料对应物。
2009-12-30 cond-mat.mtrl-sci
