Kondo screening by the surface modes of a strong topological insulator
我们考虑磁性杂质沉积在强拓扑绝缘体表面，通过近藤交换作用与表面模相互作用。考虑到表面模的费米线的翘曲，我们导出了一个映射到一个有效的一维模型，并表明，杂质是完全屏蔽的表面电子，除了当费米能级正好位于狄拉克点。利用Abrikosov费米子平均场论，我们计算了近藤屏蔽云存在时电子密度Friedel振荡的形状。我们定量分析了两种原型化合物Bi $_2$ Se $_3$和Bi $_2$ Te $_3$的Friedel振荡中六重对称性的可观测性。
2013-04-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Realization of a Kondo Insulator in a Multilayer Moire Superlattice
本文在单层WS2/双层WSe2莫尔超晶格中实现了近藤绝缘体相，通过周期性安德森晶格模型解释其绝缘态及磁场诱导的金属转变，为模拟近藤绝缘体提供了可调平台。
2025-07-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Kondo hole in one-dimensional Kondo insulators
通过考虑局域自旋耗尽的一维Kondo晶格模型，研究了Kondo绝缘体中杂质的性质。由Lanczos方法确定的基态相图表明，磁矩比普通金属更稳定。利用有限温度密度矩阵重整化群研究了杂质磁化率的温度依赖性。
2004-06-24 cond-mat.str-el
Kondo holes in topological Kondo insulators: Spectral properties and surface quasiparticle interference
一种有趣的受保护的拓扑态是拓扑近藤绝缘体，其中绝缘行为源于近藤通过传导电子屏蔽局域矩，而非平凡拓扑则源于局域矩和导带之间的杂化结构。在这里，我们研究近藤洞的物理，即，利用自洽实空间平均场论，在三维拓扑近藤绝缘体中，计算了局部矩的缺失。这样的近藤孔相当普遍地诱导间隙状态，近藤孔在表面或附近，与拓扑表面状态杂交。特别是，我们研究了表面状态准粒子干扰（QPI）引起的表面近藤孔的浓度稀释，并比较这QPI从传统的潜在的散射体。我们对待强和弱拓扑绝缘体阶段，对于后者，具体讨论了QPI的贡献，从狄拉克锥间散射。
2014-03-14 cond-mat.str-el
Global Phase Diagram and Momentum Distribution of Single-Particle Excitations in Kondo insulators
近藤绝缘体作为一种简化的设置正在出现，以研究磁性和金属到绝缘体的量子相变。在这里，我们研究了一个半满近藤晶格模型上定义的磁挫Shastry-Sutherland几何。我们确定了一个“全球”的相图，具有各种零温度相，这些包括近藤破坏的反铁磁和顺磁金属相，除了近藤绝缘体相。我们的结果提供了理论基础，了解如何施加压力的近藤绝缘体可以关闭其杂化间隙，从传导电子释放本地的时刻自旋，并导致磁关联金属。我们还研究了近藤绝缘态的单粒子激发的动量分布，并说明了如何费米表面的功能出现作为一个前兆的近藤破坏金属的实际费米表面。我们讨论了我们的研究结果的影响，近藤绝缘体，包括钐$_6$。
2015-09-09 cond-mat.str-el
On strong f-electron localization effect in topological kondo insulator
在周期性Anderson模型（PAM）框架下，采用从玻色子技术，通过平均场理论（MFT）计算，研究了一般拓扑近藤绝缘体（TKI）系统表面态的强f电子局域化效应.发现表面金属性与体绝缘一起需要这种类型的本地化。传统绝缘体和拓扑绝缘体中的表面态之间的关键区别在于，沿着连接同一BZ中的两个时间反演不变动量（TRIM）的路线，这些表面态将与谱隙内的费米能量相交，偶数/奇数次。对于偶数（奇数）个表面态交叉，表面态是拓扑平凡的（非平凡的）。这里得到的表面能带结构的对称性考虑和图形表示显示奇数交叉导致的结论是，至少在PAM框架内，通用系统是一个强拓扑绝缘体。
2021-11-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Kondo Breakdown in Topological Kondo Insulators
基于对SmB6表面光态的观察，我们研究了拓扑近藤绝缘体表面近藤击穿的影响。我们提出的数值和分析结果表明，在表面的本地化时刻的去耦干扰轻，重电子之间的补偿和dopes狄拉克锥。这些未补偿的表面态的色散主要由位间跳跃控制，这导致更轻的准粒子。这些表面状态也是高度耐用的表面磁性和样品的厚度减少的影响。
2015-04-29 cond-mat.str-el
Kondo lattice on the edge of a two-dimensional topological insulator
我们重新审视了二维时间反演不变拓扑绝缘体边缘上的单个量子杂质问题，并表明零温相图包含一个大的反铁磁近藤耦合的局部矩区域，这是以前穷人的标度处理所遗漏的。在所谓的退耦点的精确解和重整化群分析的结合，使我们能够访问的制度，强电子-电子相互作用的边缘和强近藤耦合。我们采用类似的方法的问题，一个规则的一维阵列的量子杂质与边缘液体相互作用。当边缘电子相对于杂质晶格处于半填充时，系统保持无间隙，除非边缘的Luttinger参数小于1/2，在这种情况下，两粒子背散射效应驱动系统到具有长程伊辛反铁磁序的有间隙相。这与通常的半满一维近藤晶格的带隙无序基态形成鲜明对比。
2012-06-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Spin-selective Kondo insulator: Cooperation of ferromagnetism and Kondo effect
我们提出了自旋选择性Kondo绝缘体的概念，它提供了一个基本的机制来描述具有反铁磁耦合的Kondo晶格模型的铁磁相。这揭示了铁磁金属相的一个显著特征：多数自旋传导电子显示金属性，而少数自旋电子显示绝缘性。在少数自旋扇区中，由于铁磁性和部分Kondo屏蔽的合作而产生的Kondo间隙，证明了少数自旋电子和局部自旋的组合的动态诱导可伸缩性。此外，这一机制预测的宏观量，如电子磁化，自旋极化和电子填充之间的非平凡的关系。
2012-01-18 cond-mat.str-el
Magnetic effects on Chern Kondo insulator
我们研究了Chern Kondo绝缘体在正方形光晶格中提出的交错磁通诱导$s$ - $p$轨道杂化通过重新审视其实现，并考虑到磁效应的Kondo阶段。分析了弱$s$ - $p$杂化区的Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida相互作用，讨论了各向异性磁效应.此外，通过从玻色子理论系统地研究了与近藤耦合共存的顺磁相和磁相，得到了丰富的相，包括反铁磁相、共线反铁磁近藤绝缘体相和近藤金属相.与不考虑磁效应的情况相比，磁序增强了有效的近藤杂化，并对体拓扑结构表现出不同的影响。特别地，反铁磁序总是通过增加Chern Kondo相的体隙来增强拓扑相。结果表明，在本Chern Kondo晶格模型中获得了丰富的拓扑和磁效应。我们还研究了如何通过测量超冷原子实验中的霍尔电导和双占有率来识别拓扑结构和强关联效应。
2018-05-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el quant-ph
Self-consistent perturbational study of insulator-to-metal transition in Kondo insulators due to strong magnetic field
为了研究强磁场对Kondo绝缘体的影响，采用自洽的二阶微扰理论结合在无限维空间变得精确的局域近似，计算了有限磁场作用下半填充的周期性Anderson模型的磁化曲线和单粒子激发谱.在没有磁场的情况下，系统表现为具有能隙的绝缘体，描述了近藤绝缘体。通过对f电子施加磁场，发现在临界场$H_c$处，能隙闭合，从绝缘体到金属发生一级跃迁。磁化曲线在$H_c$处显示跳跃。这与我们以前的研究中的精确对角化是一致的。讨论了YbB $_{12}$和其他近藤绝缘体的实验关系。
1996-12-20 cond-mat.str-el
A phase diagram for a topological Kondo insulating system
非相互作用电子系统中拓扑绝缘体的发现，激发了人们从理论和实验两方面研究关联电子中物质的拓扑态。在本文中，我们研究了一个拓扑Kondo绝缘系统的相图，其中出现的“自旋”相关的近藤效应引起的重费米子带的反转，负责拓扑Kondo绝缘体。借助于U（1）从玻色子平均场分析，我们揭示了二维Kondo绝缘态内部的一个额外的相变，这是由于拓扑Kondo绝缘体的出现.另一方面，我们观察到Kondo绝缘态在三维空间中被区分为三个绝缘相，分别与弱拓扑Kondo绝缘体、强拓扑Kondo绝缘体和正常Kondo绝缘体相对应，并用Z $_{2}$拓扑指数进行分类.我们讨论了分数费米液体和拓扑近藤绝缘体之间的新的量子临界性的可能性，其中带反转与重费米子带的形成同时发生。
2011-09-27 cond-mat.str-el
Inexorable Edge Kondo Breakdown in Topological Kondo Insulators
本文通过数值精确的量子蒙特卡洛模拟，揭示了拓扑近藤绝缘体中由对称性强制、源于边缘或角的相互作用效应的新型近藤击穿机制，并论证其基态为受对称性保护的Haldane相。
2021-11-15 cond-mat.str-el
Enhanced quantum oscillations in Kondo insulators
量子振荡一直被认为是费米面在金属中的表现。然而，最近在近藤绝缘体中观察到了它们。我们研究了近藤屏蔽由于近藤绝缘体中的朗道能级。结果表明，即使是大的近藤绝缘间隙，明显的量子振荡的振幅是一致的实验观察是存在于磁化强度和电阻率。具体来说，我们表明，由于在导电和f轨道电子的朗道能级之间的周期性对齐，近藤屏蔽本身经历振荡，使电子结构振荡的磁场。我们的结果解释了实验中观察到的量子振荡的主要特征。他们指出，电子结构的非刚性导致可观察到的量子振荡近藤绝缘体。这一新效应为研究绝缘体费米面几何提供了新的途径。
2020-02-28 cond-mat.str-el
Surface-state spin textures and mirror Chern numbers in topological Kondo insulators
最近发现的拓扑近藤绝缘体引发了新的兴趣，著名的近藤绝缘体六硼化钐，这是假设属于这个家庭。在这封信中，我们研究了这种拓扑近藤绝缘体中的拓扑保护表面态的自旋纹理。特别是，我们得到密切的关系（i）在某些高对称点的杂交矩阵的形式，（ii）系统的镜像陈数，和（iii）可观察到的自旋纹理的拓扑表面状态。通过这种方式，实现了拓扑近藤绝缘体及其表面态自旋纹理的鲁棒分类。我们支持我们的研究结果与几个简化和现实的模型，如六硼化钐系统的数值计算。
2015-10-13 cond-mat.str-el
Fragility of the Kondo insulating gap against disorder: relevance to recent puzzles in topological Kondo insulators
近藤绝缘体是一种强关联系统，由于局域$f$电子的多体效应，只有在非常低的温度下才会出现干净的绝缘间隙。然而，某些近藤绝缘体，如SmB $_6$和Ce ${_3}$ Bi ${_4}$ Pt ${_3}$，在极低的温度下显示出金属行为，这违背了目前的理解。最近的进展，在材料的拓扑效应引起了人们的注意，在这些“拓扑近藤绝缘体”作为一个潜在的解决方案，一些令人费解的行为的保护表面状态。在这里，我们通过一种不同的途径来解决这些难题，通过显示紧急Kondo绝缘标度非常容易受到中等程度的无序的影响，使得间隙被少数状态填充。因此，真实的样本可能永远不会真正绝缘，这反过来又会损害拓扑考虑的基本构建块。我们的研究结果强烈表明，像斯莱特绝缘体的系统将是一个更有前途的方向，以扩大领域的拓扑结构强相关的系统。
2020-08-15 cond-mat.str-el
Chern Kondo Insulator in an Optical Lattice
基于最近的冷原子实验，我们提出利用激光辅助的$s$和$p$轨道杂化以及人工规范场来实现和观察光学超晶格中的Chern Kondo绝缘体.在双阱正方形光晶格中，由于强的Hubbard相互作用，定域$s$轨道与巡游$p$带解耦，并被驱动到莫特绝缘体中。然后，施加拉曼激光束以诱导$s$和$p$轨道之间的隧穿，并且同时产生交错通量。由于$s$轨道态的强Hubbard相互作用，我们预言存在一个临界拉曼激光辅助耦合，超过该耦合，实现了近藤屏蔽，然后出现完全能隙的Chern Kondo相，其拓扑结构以整数Chern数为特征。作为一种强关联的拓扑态，Chern Kondo相位不同于单粒子量子反常Hall态，可以通过测量$s$轨道的能带拓扑和双占有率来识别.最后提出了陈近藤绝缘子的实验实现和检测方法。
2015-09-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el quant-ph
Local Quantum Criticality of a One-Dimensional Kondo Insulator Model
利用密度矩阵重整化群算法研究了具有Ising各向异性交换作用的修正Kondo晶格模型中的连续量子相变和量子临界点的性质.通过对磁序的静态和动态性质以及近藤效应的研究，我们研究了量子涨落对临界近藤破坏QCP的影响。特别是，我们发现局部近藤物理本身在磁相变点变得至关重要，为两个绝缘体之间的局部量子临界性提供了公正的证据，而无需诉诸费米表面的变化。
2018-03-17 cond-mat.str-el
A theory of Topological Kondo Insulators
我们研究了近藤绝缘体的属性如何改变时，考虑到潜在的晶体场多重态的对称性。我们采用安德森晶格模型，并考虑其低能物理。我们发现，在一个大类的晶体场配置，近藤绝缘体可以开发一个拓扑非平凡的基态。这种拓扑近藤绝缘体通过非物理大的自旋轨道耦合与非相互作用绝缘体电连接，因此可以被视为相互作用驱动的拓扑绝缘体。通过计算近藤绝缘体安德森晶格模型的纠缠谱，分析了该模型的纠缠熵。纠缠谱的计算结果与表面态的计算结果是一致的。最后，我们讨论了一般近藤绝缘体的最大局部化Wannier波函数的构造。
2011-11-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Insulator-to-metal phase transition in Yb-based Kondo insulators
采用晶体电场（CEF）分裂4f四重态的周期Anderson晶格模型描述Yb基近藤绝缘体/半导体。在从玻色子平均场近似下，我们导出了准粒子的杂化带，发现减小两个CEF四重态的杂化差可以诱导绝缘体-金属相变。由此产生的金属相具有空穴和电子费米口袋。这种相变可以通过施加压力，减少两个CEF四联体的杂化差异来实验性地实现。
2010-04-22 cond-mat.str-el
Localization at the Edge of 2D Topological Insulator by Kondo Impurities with Random Anisotropies
我们考虑手征电子沿二维拓扑绝缘体的一维螺旋边缘运动，并与无序的近藤杂质链相互作用。假设电子-自旋耦合为随机各向异性，我们将该系统映射为无序势对电荷密度波的钉扎问题。这一映射证明了手征电子与自旋杂质耦合中的任意弱各向异性无序导致边缘态的安德森局域化。
2013-08-30 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Topological Kondo Insulators
近藤绝缘体是一种特别简单的重电子材料，其中重准粒子的填充带产生窄带绝缘体。从Anderson晶格哈密顿量出发，我们对近藤绝缘体的涌现能带结构进行了拓扑分类，并表明这些材料可能具有三维拓扑绝缘相。本文提出了一个计算各种晶格结构的Z_2强、弱拓扑绝缘体指数的通用实用公式。拓扑近藤绝缘行为的实验意义进行了讨论。
2009-12-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Kondo Tunneling into a Quantum Spin Hall Insulator
阐述了由普通金属、量子点和二维拓扑绝缘体（处于量子自旋霍尔态）组成的结的物理性质。它是近藤关联和量子自旋霍尔边缘态在二维拓扑绝缘体两侧运动的微妙结合。在窄条几何形状中，这些边缘状态相互作用，并且在边缘状态谱中打开间隙。因此，Kondo屏蔽效果较差，并且影响通过结的电子输运。具体地说，当边缘态耦合足够强时，隧穿微分电导在零温度下出现下降，而不是标准的零偏压近藤峰。
2012-01-03 cond-mat.str-el
Fractionalized Fermi liquid on the surface of a topological Kondo insulator
我们认为，拓扑近藤绝缘体也可以有“内在的”拓扑秩序与分形激发在其表面上。局域磁矩和传导电子之间的相互作用在表面附近减弱，这使得局域磁矩能够形成自旋液体。这与传导电子表面态共存，实现了表面分形费米液体。我们提出了一个Kondo-Heisenberg模型，显示这样的表面的平均场解。
2015-09-10 cond-mat.str-el
Topological surface state in the Kondo Insulator Samarium Hexaboride
强关联电子系统表现出许多奇异的性质，如非常规超导性、量子临界性和近藤绝缘行为。此外，近藤绝缘体SmB 6已被理论预测为具有金属表面态的3D拓扑绝缘体。我们在这里报告的传输测量掺杂的SmB 6，这表明，~3%的磁性和非磁性掺杂剂在SmB 6表现出明显的对比行为，证据表明，金属表面状态时，只有破坏时间反演对称性。我们还发现了一个杂质浓度的量子逾渗极限，它通过杂质带的形成将拓扑绝缘体转变为传统的带绝缘体。我们仔细的厚度依赖性结果表明，SmB 6是第一个证明的完美3D拓扑绝缘体，其剩余体电导率几乎为零。
2013-07-02 cond-mat.str-el
Cyclotron resonance in Kondo insulator
受近藤绝缘体SmB $_6$和YbB $_{12}$量子振荡实验观测的启发，我们研究了近藤绝缘体的磁光电导。我们发现，存在非平凡的回旋共振峰的频率域低于杂化间隙作为一个结果的特征朗道能级结构的系统。此外，这些低能量峰在由施加的磁场驱动的绝缘体-金属相变附近增强，并且即使在低温下也是稳定的。它们通过近藤效应平滑地连接到高温下的非杂化导电和$f$ -电子的共振峰。非平凡回旋共振是静态量子振荡的动力学对应物，通过这种密切的联系，它将为后者提供有用的见解。
2020-05-05 cond-mat.str-el
Low-temperature surface conduction in the Kondo insulator SmB$_6$
我们研究了近藤绝缘体钐$_6$的输运性质的一个专门的配置，旨在区分体占主导地位的传导从表面占主导地位的传导。我们发现，当材料冷却到4 K以下时，它表现出从体到表面传导的交叉，具有完全绝缘的体。我们采取的鲁棒性和幅度的表面导电性，是在文献中的钐$_6$，是强有力的证据拓扑绝缘体金属表面状态最近预测这种材料。
2013-12-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
End states in a 1-D topological Kondo insulator
为了进一步了解相互作用拓扑绝缘体的性质，我们研究了拓扑Kondo绝缘体的一维模型，该模型可以看作是Tamm-Shockley模型的强相互作用极限.在一个大的$N$扩展处理模型，我们发现了一些竞争的基态解，包括拓扑绝缘和价键基态。在我们的处理中出现的效果之一是在材料边界附近重建近藤屏蔽过程（“近藤带弯曲”）。在靠近价键态的边界处，我们发现边缘态的导电特性大幅增长，导致深入到体中的状态。我们推测，这样的国家是一维模拟的轻f-电子表面状态出现在推定的拓扑近藤绝缘体，SmB 6。
2014-03-26 cond-mat.str-el
Magnetic impurities in Kondo insulators: An application to samarium hexaboride
近藤绝缘体中的杂质和缺陷会对动力学产生不寻常的影响，这种影响与固有电子相关性的影响相结合。这样的晶体缺陷是难以避免的，其后果是不完全理解。在这里，我们研究磁性杂质在近藤绝缘体通过微扰理论的s-d近藤杂质模型适用于小带隙绝缘体。计算的磁化强度和比热与最近的热力学测量六硼化钐（钐$_6$）。这种定性的协议支持的物理图像的多通道近藤屏蔽的本地时刻的电子和空穴涉及本征和杂质带。比热在零场下通过近藤屏蔽子带杂质带而被热激活，并随着温度的降低呈现出特征性的上升。与此相反，磁化强度从本征带中的虚粒子-空穴对的部分屏蔽中获得主导量子校正。我们指出磁性杂质可以通过本征带的朗道量子化对杂质矩的近藤屏蔽的影响来影响SmB $_6$中的de Haas-van Alphen量子振荡。
2020-06-20 cond-mat.str-el
Short-range antiferromagnetic correlations in Kondo insulators
我们研究了局域$f$电子之间的短程反铁磁关联对近藤绝缘体的输运和热力学性质的影响，这是Coqblin等人首次提出的金属重费米子。位置间的磁相关性为$f$-电子产生有效带宽。它们被视为当地近藤相关性，使两个能量尺度出现在我们的方法相同的基础上。我们讨论了这两种尺度在物理性质上的竞争。
2000-01-13 cond-mat.str-el
Imaging emergent heavy Dirac fermions of a topological Kondo insulator
近藤绝缘体是寻找强相关拓扑量子相的主要候选者，它可能具有拓扑序，分数化和非阿贝尔统计。在一些近藤绝缘体，杂交间隙的预测，以保护一个非平凡的拓扑不变量和港口紧急重狄拉克费米子表面模式。我们使用高能量分辨率光谱成像在真实和动量空间的近藤绝缘体，钐$_6$。在冷却通过$T^*_Δ\approx$ 35 K时，我们观察到绝缘间隙的开放，在2 K时膨胀到$Δ\approx$ 10 meV。在间隙内，我们成像的线性分散的表面态的形成与有效质量达到$m^* = (410\pm20)m_e$。因此，我们证明存在一个强相关的拓扑近藤绝缘体相托管已知的最重狄拉克费米子。
2018-10-31 cond-mat.str-el
Localization Length in Anderson Insulator with Kondo Impurities
在二维安德森绝缘体中，局域化长度$ξ$取决于磁性杂质对电子自旋的散射率$τ_s^{-1}$。对于交换的反铁磁符号，%常数，由于近藤相关性，时间$τ_s$是{ \em本身是$ξ$的函数}。我们证明，单一制度的本地化是不可能的，当磁性杂质的浓度，$n_{\tiny M}$，小于一个临界值，$n_c$。对于$n_{\tiny M}>n_c$，$ξ$对无因次电导$g$的依赖性是{ \em重入}，在增加$g$时交叉到酉，并回到正交行为。近藤关联对弱{ \em parallel}磁场的敏感性导致巨平行磁电阻。
2003-05-05 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Theory of Quantum Oscillations of Magnetization in Kondo Insulators
研究了自旋为1/2的局域磁矩与半填充态传导电子耦合的Kondo晶格模型在二分晶格上对磁场的轨道响应。通过一个有效的电荷动力学，在一个典型的电子表示，适当地描述了近藤绝缘基态，磁化强度被发现显示从中间到弱近藤耦合的de Haas-van Alphen振荡。这些振荡归因于有间隙准粒子的色散的类Lifshitz反演，其化学势面由振荡频率测量。这种振荡也被预测发生在自旋密度波绝缘体。
2017-08-16 cond-mat.str-el
Coexisting Kondo singlet state with antiferromagnetic long-range order: A possible ground state for Kondo insulators
利用平均场论计算了半满各向异性Kondo晶格模型的基态相图。对于小的横向交换耦合$J_{\perp}<J_{\perp c1}$，基态显示出反铁磁长程序与有限的交错磁化局域自旋和传导电子。当$J_{\perp}>J_{\perp c2}$时，长程序被破坏，系统处于具有杂化间隙的无序Kondo单线态。两种基态都可以描述近藤绝缘化合物的低温相。在这两个不同的阶段，可能有一个共存的制度，作为局部近藤屏蔽和磁相互作用之间的平衡的结果。
2000-04-29 cond-mat.str-el
Kondo proximity effect: How does a metal penetrate into a Mott insulator?
我们考虑一个异质结构的金属和一个顺磁莫特绝缘体使用适应的动态平均场论来描述非均匀系统。金属可以通过近藤效应渗透到绝缘体中。我们研究了接近莫特绝缘体临界点的金属-绝缘体界面的标度特性。在临界状态下，准粒子的重量按照我们的平均场论中的公式，随着离金属的距离x的增加，衰减为1/x^2。我们的数值结果（使用数值重整化群作为杂质解算器）表明，该幂律的前因子是非常小的。
2008-05-05 cond-mat.str-el
Anisotropic optical conductivity of the putative Kondo insulator CeRu$_4$Sn$_6$
近藤绝缘体，特别是它们的非立方代表仍然知之甚少。在这里，我们报告的发展各向异性的能量赝能隙的四金属化合物CeRu $_4$ Sn $_6$采用光学反射率测量在宽的频率和温度范围内，和局域密度近似加上动态平均场论计算。计算提供的证据近藤绝缘体样的响应内的$a-a$平面和更多的金属沿c轴的响应和定性再现的实验观察，帮助确定其来源。
2012-09-13 cond-mat.str-el
Kondo-induced hybrid topological insulator in two-dimensional electron system with a quadratic band crossing point
研究了具有非平凡二次能带交叉点的二维电子系统中的近藤效应。我们发现近藤效应可以诱导一种新的混合拓扑绝缘体相，它是量子反常霍尔效应和TRS破碎的量子自旋霍尔效应的共存态.这种混合拓扑绝缘体不仅表现出量子化的电荷霍尔电流，而且还表现出净自旋电流，这是本地化的边缘边界。这种特殊的拓扑状态是由于两个边缘相关算子的相互作用而产生的，即，电子与局域磁矩的近藤耦合以及二维系统中的电子-电子相互作用。
2016-02-10 cond-mat.str-el
Kramers' doublet ground state in topological Kondo insulators
我们考虑一个最简单的变种近藤绝缘体的双重本地$f$ -电子与自旋简并导电电子杂交。我们分析了参与杂化的$f$ -轨道的对称性，指出这种系统的有效四带模型与具有手征对称性的模型是有联系的，从而进一步描述了干净的Kondo绝缘体.我们得到了拓扑非平凡状态出现的一般条件，并讨论了稀土化合物的影响。作为一个例子，我们推导出全相图的tetrapherkondo绝缘体。结果表明，当传导电子的能带宽度为最大能量标度时，手征对称性导致非平凡拓扑相的出现，而新的弱拓扑相的出现是能带中心归一化距离的函数.
2019-06-27 cond-mat.str-el
Topological phase in $1D$ topological Kondo insulator: $Z_{2}$ topological insulator, Haldane-like phase and Kondo breakdown
我们用数值精确投影量子Monte Carlo方法模拟了半满$1D$ $p$波周期性Anderson模型，虽然系统的可解非相互作用极限对应于传统的$Z_{2}$拓扑绝缘体，但系统确实处于与以前在$p$波Kondo晶格模型上所发现的Haldane态.利用开边界系统的场分辨磁化强度和周期边界的奇异相关子来识别上述拓扑态。有趣的是，在我们的周期类Anderson-like模型中，由于本征电荷涨落的存在，类Haldane态的边缘磁化强度并没有饱和到单位磁矩，这超出了现有文献中Kondo晶格模型的描述.这一发现揭示了在这种典型的相互作用拓扑态中存在着关联驱动的拓扑态，并且在使用非相互作用图像时应注意。此外，在零温度下没有观察到表面近藤击穿的痕迹，并且怀疑类似挫折的相互作用可能在诱导这种近藤屏蔽的根本破坏中是至关重要的。这里的发现可能与我们对相互作用的拓扑材料如拓扑近藤绝缘体候选者SmB $_{6}$的理解有关。
2017-07-10 cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el
Antiferromagnetic phase of the Kondo-insulator
讨论了导带半满的平面Kondo晶格模型的反铁磁相的准粒子能带结构，即所谓的Kondo绝缘体。用键费米子技术得到了能带结构，并与用动力学团簇近似得到的单粒子谱函数进行了比较。特别地，数值谱中观察到的能带结构随J/t的各种变化通过计算被定性地再现。在费米面嵌套的情况下，我们发现了一个半金属相足够小的交换常数和可能的实验结果进行了讨论
2019-02-27 cond-mat.str-el
Tunable unconventional Kondo effect on topological insulator surfaces
研究了在三维拓扑绝缘体表面上沉积磁性吸附原子，实现强自旋轨道相互作用的电子物质中自旋- $\frac{1}{2}$杂质的近藤物理。我们表明，拓扑表面状态的磁特性和Kondo屏蔽的存在强烈依赖于散装材料的细节，和具体的表面制备编码的时间反演保持边界条件的电子波函数。当这种可调的近藤效应发生时，杂质自旋被表面电子的纯轨道运动屏蔽。这种机制引起了表面金属的横向磁响应，以及可用于实验探测近藤共振签名的自旋纹理。我们的预测是特别相关的STM测量${\rm Pb Te}$类结晶拓扑绝缘体，但我们也讨论了其他类别的拓扑材料的影响。
2015-12-08 cond-mat.str-el
Emergence of electronic modes by doping Kondo insulators in the Kondo lattice and periodic Anderson models
重费米子或近藤晶格材料被认为是典型的强关联系统，平均场近似表明，库仑相互作用增加了有效质量，使带隙变窄。本文利用非阿贝尔动力学密度矩阵重整化群方法和微扰理论，研究了强耦合条件下Kondo绝缘体周围的Kondo晶格和周期Anderson模型的谱函数.当掺杂Kondo绝缘体时，在Kondo绝缘带隙中出现电子模，表现出动量移动的磁色散关系。虽然基态性质类似于掺杂的带绝缘体，但反映近藤绝缘体的自旋-电荷分离的电子模式的出现是一个关键的相互作用效应，使我们能够将近藤绝缘体-金属转变视为一种莫特转变。此外，通过在周期性安德森模型中掺杂，即使在高能区也会出现电子模式。这些强关联效应在传统的平均场近似中是没有预料到的，并且会给重费米子或近藤晶格系统带来不同的视角。
2022-04-20 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Colossal magnetoresistance in topological Kondo insulator
复杂系统的异常电子性质需要新的思路来解释它们的行为和实现的可能性。在本文中，我们证明了在拓扑Kondo绝缘体的状态下，实现了一个巨大的磁电阻，这类似于Kondo晶格中的Kondo绝缘体状态。这种现象的机理是：在自旋无隙阶段，外磁场在自旋激发谱中引入能隙，在半填充时，由于自旋子系统和费米子子系统的杂化，费米子谱中的能隙被打开，磁场导致金属-绝缘体（或坏金属-绝缘体）相变。研究了无自旋费米子带半满情况下的蜂窝格点上的拓扑近藤格点模型。结果表明，局域矩和巡游费米子之间的杂交应理解为相应的自旋和电荷扇区的马约拉纳费米子之间的杂交。该系统是一个拓扑绝缘体，单个费米子和自旋激发在低能量是大量的。我们将证明自旋能隙在电荷沟道中引入能隙，它导致出现具有手征无能隙边缘模的拓扑绝缘体态，Chern数为1或2取决于交换积分的值。传统的近藤绝缘体状态的相关性进行了讨论。
2016-01-05 cond-mat.str-el
Dynamically generated edge states in topological Kondo insulators
近藤绝缘体结合了强电子相关性和自旋轨道耦合，从而提供了相关拓扑绝缘体的潜在实现。我们提出的模型计算，使我们能够研究发病的散装相干性和随之而来的拓扑边缘状态的混合价本地矩制度。我们的实空间动力学平均场的结果包括详细的温度依赖的单粒子谱函数板几何形状以及温度依赖的拓扑不变量。我们的计算的候选材料，如SmB6的相关性进行了讨论。
2014-08-27 cond-mat.str-el
Ferromagnetism and Kondo Insulator Behavior in the Disordered Periodic Anderson Model
在周期性Anderson模型下研究了二元合金无序对f电子材料铁磁相的影响。我们发现，在导带中的无序可以大大提高居里温度，由于本地f-矩的增加。这种效应可以用一个简单的理论分析来定性甚至定量地解释。还指出了非整数填充时合金近藤绝缘体的出现。
2008-01-25 cond-mat.str-el
3D Topological Kondo Insulators
拓扑近藤绝缘体（TKI）是一种新型的受电子保护的拓扑绝缘体，它是在强关联和自旋轨道相互作用的共同作用下发展起来的。在这些材料中，由于近藤通过传导电子屏蔽局域化的时刻，体是一个完美的带绝缘体。此外，局域矩的强自旋轨道耦合（SOC）和晶体场效应（CFE）导致局域矩和导带之间的非局域奇宇称、时间反演不变的杂化，这产生具有非平凡拓扑和无间隙表面激发的基态（Physical Review Letters 104（2010）106408）。在目前的工作中，我们发展了一个自洽的理论来研究拓扑近藤绝缘体的平均场水平。为了实现这一点，我们应用从玻色子平均场论的系统，并没有周期性的边界条件，以研究系统在散装和平板几何配置。这使得我们能够通过能带结构和谱函数的计算观察到受保护边缘态的清晰特征。
2017-11-21 cond-mat.str-el
Surface Kondo Effect and Non-Trivial Metallic State of the Kondo Insulator YbB12
理论上预测了强电子关联和自旋轨道相互作用（SOI）之间的协同效应将导致量子物质在Kondo绝缘体（KI）上形成新的拓扑态，即所谓的拓扑Kondo绝缘体（TKI）。在实验上观察到一个TKI候选者在KI SmB 6（001）上，并积极讨论了SmB 6的表面态（SS）和拓扑顺序的起源。在这里，我们显示了另一个TKI候选YbB 12（001）的清洁表面上的金属SS，使用角分辨光电子能谱学。SS显示出与温度相关的重建对应的体状态观察到的近藤效应。尽管具有低温绝缘体，但具有c-f杂化的重构SS是金属的，在表面布里渊区上形成围绕$\barΓ$的闭合费米轮廓，并且与TKI上SS的理论预期行为一致。这些结果证明了在近藤效应的驱动下，局域在KIs表面的二维态的温度依赖的整体重构。
2016-02-26 cond-mat.str-el
Competing topological and Kondo insulator phases on a honeycomb lattice
我们研究了蜂窝晶格中巡游电子的自旋-轨道相互作用与它们的近藤耦合之间的竞争。我们发现，在半填充模型显示拓扑和Kondo绝缘体之间的量子相变在非零Kondo耦合。在近藤屏蔽的情况下，调整电子浓度可以导致新的拓扑绝缘体相。结果表明，重费米子相图包含一个新的区域，拓扑态、近藤相干态和磁态相互竞争，该区域可能与含$5d$传导电子的近藤晶格系统特别相关.最后，我们讨论了我们的研究结果的背景下，最近的实验对钐$_6$牵连的拓扑绝缘体的表面状态，以及现有的实验在钐$_6$的压力下，在CeNiSn的化学压力下的相变。
2013-07-28 cond-mat.str-el
Hybridization, Inter-Ion Correlation, and Surface States in the Kondo Insulator SmB6
SmB 6作为一种典型的近藤绝缘体，已经被研究了几十年;然而，由于相当复杂的电子和热输运行为，尚未获得近藤相干态的发展和材料中电子结构演化的直接证据。最近，这些悬而未决的问题引起了越来越多的关注，因为在近藤绝缘体中出现了时间反演不变的拓扑表面态。在这里，我们使用点接触光谱揭示SmB 6的电子态的温度依赖性。我们表明，SmB 6是一个模型Kondo绝缘体：低于100 K，电导谱反映了近藤杂交的Sm离子，但低于30 K，离子间的相关效应的签名清楚地出现。此外，我们发现的证据表明，这种示例性的近藤晶格化合物的低温绝缘状态窝藏在表面上的导电状态，在近藤绝缘体的非平凡拓扑结构的预测支持。
2013-01-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in the Hubbard model: a simple description including the Kondo effect
本文用多电子表象中的单粒子格林函数来研究半满哈伯德模型中的电子谱结构。一个简单的分析推广的单网站Hubbard-III近似，其中考虑到费米激发（近藤条款）。金属-绝缘体转变的问题进行了研究。讨论了费米能级上包括“近藤”峰在内的三峰态密度结构的出现。与大d计算进行了比较。
2001-06-21 cond-mat.str-el
Temperature-induced gap formation in dynamic correlation functions of the one-dimensional Kondo insulator --- Finite-temperature density-matrix renormalization-group study ---
将有限温度密度矩阵重整化群与极大熵相结合，给出了一种计算一维多体系统动力学量的新方法。本文讨论了一维Kondo绝缘体的态密度、局域动态自旋和电荷关联函数。随着温度的降低，激发间隙打开，并且间隙根据通道而具有不同的值。激发光谱在近藤绝缘体的最低能级自旋能隙对应的特征温度附近发生了定性的变化。
1998-06-24 cond-mat.str-el
Exotic Kondo crossover in a wide temperature region in the topological Kondo insulator SmB6 revealed by high-resolution ARPES
用高分辨ARPES研究了SmB_6的电子结构随温度的变化。我们证明了在电阻率饱和异常（~ 3.5 K）以下和以上的表面态的色散没有本质的区别。表面态的定量分析表明，准粒子散射率作为温度和结合能的函数线性增加，这不同于费米液体行为。最有趣的是，我们观察到d和f态之间的杂化在很宽的温度范围内（30 K < T < 110 K）逐渐建立。当杂化开始发展时，表面状态出现。我们详细的温度依赖性的结果给出了一个完整的解释奇异的电阻率结果的SmB 6，以及实验结果之间的差异有关的温度区域中出现的拓扑表面状态和近藤间隙打开，并提供了新的见解奇异近藤交叉及其与拓扑表面状态的拓扑近藤绝缘体SmB 6。
2014-08-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetic Weyl and Dirac Kondo semimetal phases in heterostructures
我们研究了一种层状三维异质结构，其中两种类型的近藤绝缘体交替堆叠。其中之一是拓扑Kondo绝缘体SmB 6，另一个是同构Kondo绝缘体AB 6，其中A是稀土元素，例如，Eu、Yb或Ce。我们发现，如果后者的顺序铁磁，异质结构一般成为磁性Weyl Kondo半金属，而反铁磁秩序可以产生磁性狄拉克Kondo半金属。我们详细的情况下，一般的对称性的考虑，以及具体的紧束缚计算，并表明，I型以及II型磁性Weyl/狄拉克近藤半金属相是可能的，在这些异质结构。我们的研究结果表明，近藤绝缘体异质结构是一个通用的平台，设计强相关的拓扑半金属。
2017-11-05 cond-mat.str-el
Spin- and angle-resolved photoemission on the topological Kondo Insulator candidate: SmB6
拓扑近藤绝缘体是一类新型的拓扑绝缘体，其中金属表面态在低温下被拓扑不变量保护在体带隙中。与其他三维拓扑绝缘体不同，拓扑近藤绝缘体中的多体效应保证了真正绝缘的体态，这对于下一代电子器件中的潜在应用至关重要。此外，该系统具有很强的电子相关性，可以作为相互作用拓扑理论的实验平台。这篇专题综述主要介绍了SmB6的最新研究进展，SmB6是拓扑近藤绝缘体的最有希望的候选者，从自旋和角度分辨光电子能谱的角度出发，重点介绍了一些重要的输运结果。
2016-07-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
