Kondo Insulator description of spin state transition in FeSb2
在环境压力下的FeSb 2的热膨胀和热容量同意的图片内的Fe t_{2g}多重态的温度诱导的自旋态转变。然而，高压粉末衍射数据显示没有迹象表明结构相变高达7 GPa。提取了体弹性模量B=84（3）GPa，并确定了Gruneisen参数的温度依赖性。我们在这里讨论的相关性的近藤绝缘体描述这种材料。
2005-04-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Photoexcited electron dynamics in Kondo insulators and heavy fermions
研究了近藤绝缘体SmB_6和重费米子金属YbAgCu_4中光激发载流子的弛豫动力学随温度和激发能级的变化。动态响应被发现是强烈的温度依赖性和非线性。的数据进行了分析与Rothwarf-Taylor瓶颈模型，其中的动力学是由费米能级附近的状态密度的存在下，一个狭窄的差距。与模型的显着协议表明，在一个广泛的类重电子系统（金属和绝缘体）的载流子弛豫是由一个（弱温度依赖性）杂交间隙的存在。
2005-12-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Ultrafast observation of electron hybridization and in-gap states formation in Kondo insulator SmB6
SmB 6是一种很有希望的拓扑Kondo绝缘体。在这封信中，我们报告超快载波动力学的SmB 6。观察到两个特征温度：T1=100 K和T2= 20 K。T1对应于由太赫兹f波段等离子体激元振荡的突然消失所揭示的f-d杂化间隙的打开。在T1和T2之间，声子瓶颈效应主导光生载流子弛豫过程。在T2以下，我们观察到了带隙内态的形成，这些态受到光注入热电子和瞬态电子温度变化的强烈影响。
2015-05-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Kondo hole in one-dimensional Kondo insulators
通过考虑局域自旋耗尽的一维Kondo晶格模型，研究了Kondo绝缘体中杂质的性质。由Lanczos方法确定的基态相图表明，磁矩比普通金属更稳定。利用有限温度密度矩阵重整化群研究了杂质磁化率的温度依赖性。
2004-06-24 cond-mat.str-el
Magnetoresistance evidence on surface state and field-dependent bulk gap in Kondo insulator SmB6
近藤绝缘体SmB 6的低温电阻饱和现象是凝聚态物理的一个长期难题，最近有人提出这一现象源于拓扑表面态。在这里，我们系统地研究了SmB6的磁阻在低温下高达55特斯拉。温度和角度相关的磁阻显示出类似的交叉行为低于5 K。不同晶面上的角相关磁电阻证实了二维表面态是5K以下磁电阻交叉的起源。基于由表面态和体态组成的双通道模型，从不同磁场下的温度相关电阻中提取了临界磁场为196 T的体带隙的场依赖性.我们的结果给出了一个一致的图片，以了解在SmB6的低温输运行为，符合拓扑近藤绝缘体的情况。
2015-03-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Composition-spread Growth and the Robust Topological Surface State of Kondo insulator SmB6 Thin Films
拓扑绝缘体是一类由于自旋轨道相互作用和时间反演对称性的组合而具有绝缘体但保护导电表面的材料。表面状态是拓扑非平凡的和强大的非磁性背散射，导致有趣的物理和潜在的量子计算applications1，2。最近，人们对六硼化钐（SmB 6）的兴趣迅速增长，近藤绝缘体被预测为相关拓扑绝缘体的第一个例子3，4。在这里，我们制作了光滑的纳米晶SmB 6薄膜的薄膜。它们的输运行为确实表明SmB6是具有拓扑表面态的体绝缘体。随着温度的降低，Sm0.14B0.86（SmB 6）薄膜的电阻率\r{ho}在低于50 K时由于杂化能隙的形成而显著增加，在低于10 K时表现出饱和行为。我们的织构薄膜的饱和电阻是类似的单晶，这表明这种传导是从表面和强大的对晶界散射。点接触光谱（PCS）的膜使用超导尖端显示近藤Fano共振和Andreev反射，这表明存在绝缘近藤晶格和金属表面状态。
2014-08-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Kondo holes in topological Kondo insulators: Spectral properties and surface quasiparticle interference
一种有趣的受保护的拓扑态是拓扑近藤绝缘体，其中绝缘行为源于近藤通过传导电子屏蔽局域矩，而非平凡拓扑则源于局域矩和导带之间的杂化结构。在这里，我们研究近藤洞的物理，即，利用自洽实空间平均场论，在三维拓扑近藤绝缘体中，计算了局部矩的缺失。这样的近藤孔相当普遍地诱导间隙状态，近藤孔在表面或附近，与拓扑表面状态杂交。特别是，我们研究了表面状态准粒子干扰（QPI）引起的表面近藤孔的浓度稀释，并比较这QPI从传统的潜在的散射体。我们对待强和弱拓扑绝缘体阶段，对于后者，具体讨论了QPI的贡献，从狄拉克锥间散射。
2014-03-14 cond-mat.str-el
Large, high quality single-crystals of the new Topological Kondo Insulator, SmB6
SmB6最近被预测为拓扑近藤绝缘体，是第一个表现出拓扑表面态的强关联重费米子材料。高质量的晶体是研究这种材料的拓扑性质所必需的。用大功率氙弧灯成像炉，用浮区法生长了六硼化稀土SmB_6单晶。通过这种技术可以获得大的、高质量的单晶。由浮区技术生产的晶体没有焊剂材料的污染，并通过电阻率和磁化强度测量进行了表征。这些晶体非常适合于SmB6的表面和体积性质的调查。
2013-10-30 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Global Phase Diagram and Momentum Distribution of Single-Particle Excitations in Kondo insulators
近藤绝缘体作为一种简化的设置正在出现，以研究磁性和金属到绝缘体的量子相变。在这里，我们研究了一个半满近藤晶格模型上定义的磁挫Shastry-Sutherland几何。我们确定了一个“全球”的相图，具有各种零温度相，这些包括近藤破坏的反铁磁和顺磁金属相，除了近藤绝缘体相。我们的结果提供了理论基础，了解如何施加压力的近藤绝缘体可以关闭其杂化间隙，从传导电子释放本地的时刻自旋，并导致磁关联金属。我们还研究了近藤绝缘态的单粒子激发的动量分布，并说明了如何费米表面的功能出现作为一个前兆的近藤破坏金属的实际费米表面。我们讨论了我们的研究结果的影响，近藤绝缘体，包括钐$_6$。
2015-09-09 cond-mat.str-el
Möbius Kondo Insulators
重费米子材料因其将拓扑保护与强关联电子物理相结合的潜力而近年来引起人们的关注。到目前为止，拓扑保护的思想仅限于具有最简单点群对称性的重费米子或“近藤”绝缘体。在这里，我们认为，在许多重费米子材料的非对称晶体对称性的存在下，开辟了一个新的家庭的拓扑保护的重电子系统。对非对称重费米子绝缘体Ce $_3$ Bi $_4$ Pt $_3$和CeNiSn的档案电阻率测量的重新检查揭示了低温电导率平台的存在，使它们成为新材料类别的候选成员。我们用CeNiSn的一个特定模型来说明我们的想法，展示了滑动对称性如何产生一种新的莫比乌斯编织的表面态，这种编织可以通过ARPES或非局部电导率测量来检测。强关联的一个有趣的效应是在表面上的部分局域化或“近藤击穿”的发展，其将Mobius表面态转变为准一维导体，具有新颖的电子相变的潜力。
2017-08-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Kondo Breakdown in Topological Kondo Insulators
基于对SmB6表面光态的观察，我们研究了拓扑近藤绝缘体表面近藤击穿的影响。我们提出的数值和分析结果表明，在表面的本地化时刻的去耦干扰轻，重电子之间的补偿和dopes狄拉克锥。这些未补偿的表面态的色散主要由位间跳跃控制，这导致更轻的准粒子。这些表面状态也是高度耐用的表面磁性和样品的厚度减少的影响。
2015-04-29 cond-mat.str-el
Emergence of a coherent in-gap state in SmB6 Kondo insulator revealed by scanning tunneling spectroscopy
我们用扫描隧道显微镜研究了解理SmB_6近藤绝缘体的（001）表面。变温dI/dV谱显示在费米能级附近存在一个类似于能隙的态密度抑制，这是由于Sm 5d带和Sm 4f带的杂化所致。在低于40 K的温度下，一个尖锐的相干峰出现在附近的较低的间隙边缘的杂交间隙内。我们认为，隙内共振态是由于磁源中的集体激发，同时存在自旋轨道耦合和混合价态涨落。这些结果为SmB 6的电子结构演化和输运异常提供了新的线索。
2014-03-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Spin-selective Kondo insulator: Cooperation of ferromagnetism and Kondo effect
我们提出了自旋选择性Kondo绝缘体的概念，它提供了一个基本的机制来描述具有反铁磁耦合的Kondo晶格模型的铁磁相。这揭示了铁磁金属相的一个显著特征：多数自旋传导电子显示金属性，而少数自旋电子显示绝缘性。在少数自旋扇区中，由于铁磁性和部分Kondo屏蔽的合作而产生的Kondo间隙，证明了少数自旋电子和局部自旋的组合的动态诱导可伸缩性。此外，这一机制预测的宏观量，如电子磁化，自旋极化和电子填充之间的非平凡的关系。
2012-01-18 cond-mat.str-el
Resistivity saturation in Kondo insulators
重费米子绝缘体的电阻率通常在特征温度$T^*$以下饱和。对于一些，金属表面状态，可能来自非平凡的体拓扑结构，是残余传导的可能来源。在这里，我们建立了一个替代机制：在低温下，除了电荷间隙，散射率变成一个相关的能量尺度，无效的半经典玻尔兹曼图片。本征载流子的有限寿命限制了导电，强加了交叉$T^*$的存在，并控制-现在与间隙相当-量子制度出现在它下面。我们展示了与现实的多体模拟机制，并阐明如何饱和制度的近藤绝缘体Ce $_3$ Bi $_4$ Pt $_3$，其中剩余导电是一个整体属性，在外部压力和不同的无序状态下进化。使用的量子制度，我们推导出的唯象公式，我们也解开了不理解的体电导率的钐$_6$ -证明我们的机制是广泛适用于相关的窄隙半导体。
2020-08-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Spectroscopic evidence for a molecular orbital Kondo insulator
University of California, Berkeley（加州大学伯克利分校）；Lawrence Berkeley National Laboratory（劳伦斯伯克利国家实验室）；Stanford University（斯坦福大学）；SLAC National Accelerator Laboratory（SLAC国家加速器实验室）；National Synchrotron Radiation Research Center（台湾国家同步辐射研究中心）；University of Washington（华盛顿大学）；National Institute of Standards and Technology (NIST)（美国国家标准与技术研究院）
通过FeSb2中Fe L边的共振非弹性X射线散射实验，结合第一性原理计算，揭示了混合构型基态和传播集体模式，为理解非常规d电子绝缘体和工程高温近藤多体态铺平了道路。
2026-05-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Self-consistent perturbational study of insulator-to-metal transition in Kondo insulators due to strong magnetic field
为了研究强磁场对Kondo绝缘体的影响，采用自洽的二阶微扰理论结合在无限维空间变得精确的局域近似，计算了有限磁场作用下半填充的周期性Anderson模型的磁化曲线和单粒子激发谱.在没有磁场的情况下，系统表现为具有能隙的绝缘体，描述了近藤绝缘体。通过对f电子施加磁场，发现在临界场$H_c$处，能隙闭合，从绝缘体到金属发生一级跃迁。磁化曲线在$H_c$处显示跳跃。这与我们以前的研究中的精确对角化是一致的。讨论了YbB $_{12}$和其他近藤绝缘体的实验关系。
1996-12-20 cond-mat.str-el
A phase diagram for a topological Kondo insulating system
非相互作用电子系统中拓扑绝缘体的发现，激发了人们从理论和实验两方面研究关联电子中物质的拓扑态。在本文中，我们研究了一个拓扑Kondo绝缘系统的相图，其中出现的“自旋”相关的近藤效应引起的重费米子带的反转，负责拓扑Kondo绝缘体。借助于U（1）从玻色子平均场分析，我们揭示了二维Kondo绝缘态内部的一个额外的相变，这是由于拓扑Kondo绝缘体的出现.另一方面，我们观察到Kondo绝缘态在三维空间中被区分为三个绝缘相，分别与弱拓扑Kondo绝缘体、强拓扑Kondo绝缘体和正常Kondo绝缘体相对应，并用Z $_{2}$拓扑指数进行分类.我们讨论了分数费米液体和拓扑近藤绝缘体之间的新的量子临界性的可能性，其中带反转与重费米子带的形成同时发生。
2011-09-27 cond-mat.str-el
Surface and Bulk Electronic Structure of the Strongly Correlated System SmB$_{6}$ and Implications for a Topological Kondo Insulator
最近的理论计算和实验结果表明，强关联材料SmB $_{6}$可能是拓扑近藤绝缘体的实现。我们已经进行了角度分辨光电子能谱研究钐$_{6}$，以阐明相关的拓扑近藤绝缘体状态的可能发生的电子结构的元素。在整个三维动量空间中获得的电子结构揭示了一个类似电子的5d体带，该体带以体布里渊区的X点为中心，与强相关的f电子杂交，以及在低温下的近藤带隙（$Δ_B$ $\sim$ 20 meV）的开口。此外，我们还观察到在表面布里渊区的中心点$\barΓ$和边界点$\bar{X}$形成三个费米面的类电子带。这些频带是不期望从计算的散装电子结构，其观察到的色散特性与表面状态是一致的。我们的研究结果表明，不寻常的低温输运行为的钐$_{6}$可能是有关的明显的表面状态坐在带杂化间隙和/或拓扑近藤绝缘状态的存在。
2013-06-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Inexorable Edge Kondo Breakdown in Topological Kondo Insulators
本文通过数值精确的量子蒙特卡洛模拟，揭示了拓扑近藤绝缘体中由对称性强制、源于边缘或角的相互作用效应的新型近藤击穿机制，并论证其基态为受对称性保护的Haldane相。
2021-11-15 cond-mat.str-el
Enhanced quantum oscillations in Kondo insulators
量子振荡一直被认为是费米面在金属中的表现。然而，最近在近藤绝缘体中观察到了它们。我们研究了近藤屏蔽由于近藤绝缘体中的朗道能级。结果表明，即使是大的近藤绝缘间隙，明显的量子振荡的振幅是一致的实验观察是存在于磁化强度和电阻率。具体来说，我们表明，由于在导电和f轨道电子的朗道能级之间的周期性对齐，近藤屏蔽本身经历振荡，使电子结构振荡的磁场。我们的结果解释了实验中观察到的量子振荡的主要特征。他们指出，电子结构的非刚性导致可观察到的量子振荡近藤绝缘体。这一新效应为研究绝缘体费米面几何提供了新的途径。
2020-02-28 cond-mat.str-el
Surface-state spin textures and mirror Chern numbers in topological Kondo insulators
最近发现的拓扑近藤绝缘体引发了新的兴趣，著名的近藤绝缘体六硼化钐，这是假设属于这个家庭。在这封信中，我们研究了这种拓扑近藤绝缘体中的拓扑保护表面态的自旋纹理。特别是，我们得到密切的关系（i）在某些高对称点的杂交矩阵的形式，（ii）系统的镜像陈数，和（iii）可观察到的自旋纹理的拓扑表面状态。通过这种方式，实现了拓扑近藤绝缘体及其表面态自旋纹理的鲁棒分类。我们支持我们的研究结果与几个简化和现实的模型，如六硼化钐系统的数值计算。
2015-10-13 cond-mat.str-el
Fragility of the Kondo insulating gap against disorder: relevance to recent puzzles in topological Kondo insulators
近藤绝缘体是一种强关联系统，由于局域$f$电子的多体效应，只有在非常低的温度下才会出现干净的绝缘间隙。然而，某些近藤绝缘体，如SmB $_6$和Ce ${_3}$ Bi ${_4}$ Pt ${_3}$，在极低的温度下显示出金属行为，这违背了目前的理解。最近的进展，在材料的拓扑效应引起了人们的注意，在这些“拓扑近藤绝缘体”作为一个潜在的解决方案，一些令人费解的行为的保护表面状态。在这里，我们通过一种不同的途径来解决这些难题，通过显示紧急Kondo绝缘标度非常容易受到中等程度的无序的影响，使得间隙被少数状态填充。因此，真实的样本可能永远不会真正绝缘，这反过来又会损害拓扑考虑的基本构建块。我们的研究结果强烈表明，像斯莱特绝缘体的系统将是一个更有前途的方向，以扩大领域的拓扑结构强相关的系统。
2020-08-15 cond-mat.str-el
Local Quantum Criticality of a One-Dimensional Kondo Insulator Model
利用密度矩阵重整化群算法研究了具有Ising各向异性交换作用的修正Kondo晶格模型中的连续量子相变和量子临界点的性质.通过对磁序的静态和动态性质以及近藤效应的研究，我们研究了量子涨落对临界近藤破坏QCP的影响。特别是，我们发现局部近藤物理本身在磁相变点变得至关重要，为两个绝缘体之间的局部量子临界性提供了公正的证据，而无需诉诸费米表面的变化。
2018-03-17 cond-mat.str-el
Insulator-to-metal phase transition in Yb-based Kondo insulators
采用晶体电场（CEF）分裂4f四重态的周期Anderson晶格模型描述Yb基近藤绝缘体/半导体。在从玻色子平均场近似下，我们导出了准粒子的杂化带，发现减小两个CEF四重态的杂化差可以诱导绝缘体-金属相变。由此产生的金属相具有空穴和电子费米口袋。这种相变可以通过施加压力，减少两个CEF四联体的杂化差异来实验性地实现。
2010-04-22 cond-mat.str-el
Cubic Topological Kondo Insulators
目前的近藤绝缘体理论采用的是传导电子与源自四方晶体环境的局部Kramers双峰的相互作用，但所有的近藤绝缘体都是立方的。在这里，我们发展了一个立方拓扑近藤绝缘体的理论，涉及自旋四重态与导电海的相互作用。自旋四重态极大地增加了强拓扑绝缘体的电势，从图中完全消除了弱拓扑相。我们证明了立方近藤绝缘体中的相关拓扑行为只能存在于布里渊区中较低对称性的X或M点处，从而导致了具有重准粒子的三个狄拉克锥。
2013-05-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Kondo Tunneling into a Quantum Spin Hall Insulator
阐述了由普通金属、量子点和二维拓扑绝缘体（处于量子自旋霍尔态）组成的结的物理性质。它是近藤关联和量子自旋霍尔边缘态在二维拓扑绝缘体两侧运动的微妙结合。在窄条几何形状中，这些边缘状态相互作用，并且在边缘状态谱中打开间隙。因此，Kondo屏蔽效果较差，并且影响通过结的电子输运。具体地说，当边缘态耦合足够强时，隧穿微分电导在零温度下出现下降，而不是标准的零偏压近藤峰。
2012-01-03 cond-mat.str-el
Fractionalized Fermi liquid on the surface of a topological Kondo insulator
我们认为，拓扑近藤绝缘体也可以有“内在的”拓扑秩序与分形激发在其表面上。局域磁矩和传导电子之间的相互作用在表面附近减弱，这使得局域磁矩能够形成自旋液体。这与传导电子表面态共存，实现了表面分形费米液体。我们提出了一个Kondo-Heisenberg模型，显示这样的表面的平均场解。
2015-09-10 cond-mat.str-el
Topological surface state in the Kondo Insulator Samarium Hexaboride
强关联电子系统表现出许多奇异的性质，如非常规超导性、量子临界性和近藤绝缘行为。此外，近藤绝缘体SmB 6已被理论预测为具有金属表面态的3D拓扑绝缘体。我们在这里报告的传输测量掺杂的SmB 6，这表明，~3%的磁性和非磁性掺杂剂在SmB 6表现出明显的对比行为，证据表明，金属表面状态时，只有破坏时间反演对称性。我们还发现了一个杂质浓度的量子逾渗极限，它通过杂质带的形成将拓扑绝缘体转变为传统的带绝缘体。我们仔细的厚度依赖性结果表明，SmB 6是第一个证明的完美3D拓扑绝缘体，其剩余体电导率几乎为零。
2013-07-02 cond-mat.str-el
Cyclotron resonance in Kondo insulator
受近藤绝缘体SmB $_6$和YbB $_{12}$量子振荡实验观测的启发，我们研究了近藤绝缘体的磁光电导。我们发现，存在非平凡的回旋共振峰的频率域低于杂化间隙作为一个结果的特征朗道能级结构的系统。此外，这些低能量峰在由施加的磁场驱动的绝缘体-金属相变附近增强，并且即使在低温下也是稳定的。它们通过近藤效应平滑地连接到高温下的非杂化导电和$f$ -电子的共振峰。非平凡回旋共振是静态量子振荡的动力学对应物，通过这种密切的联系，它将为后者提供有用的见解。
2020-05-05 cond-mat.str-el
Low-temperature surface conduction in the Kondo insulator SmB$_6$
我们研究了近藤绝缘体钐$_6$的输运性质的一个专门的配置，旨在区分体占主导地位的传导从表面占主导地位的传导。我们发现，当材料冷却到4 K以下时，它表现出从体到表面传导的交叉，具有完全绝缘的体。我们采取的鲁棒性和幅度的表面导电性，是在文献中的钐$_6$，是强有力的证据拓扑绝缘体金属表面状态最近预测这种材料。
2013-12-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
End states in a 1-D topological Kondo insulator
为了进一步了解相互作用拓扑绝缘体的性质，我们研究了拓扑Kondo绝缘体的一维模型，该模型可以看作是Tamm-Shockley模型的强相互作用极限.在一个大的$N$扩展处理模型，我们发现了一些竞争的基态解，包括拓扑绝缘和价键基态。在我们的处理中出现的效果之一是在材料边界附近重建近藤屏蔽过程（“近藤带弯曲”）。在靠近价键态的边界处，我们发现边缘态的导电特性大幅增长，导致深入到体中的状态。我们推测，这样的国家是一维模拟的轻f-电子表面状态出现在推定的拓扑近藤绝缘体，SmB 6。
2014-03-26 cond-mat.str-el
Magnetic impurities in Kondo insulators: An application to samarium hexaboride
近藤绝缘体中的杂质和缺陷会对动力学产生不寻常的影响，这种影响与固有电子相关性的影响相结合。这样的晶体缺陷是难以避免的，其后果是不完全理解。在这里，我们研究磁性杂质在近藤绝缘体通过微扰理论的s-d近藤杂质模型适用于小带隙绝缘体。计算的磁化强度和比热与最近的热力学测量六硼化钐（钐$_6$）。这种定性的协议支持的物理图像的多通道近藤屏蔽的本地时刻的电子和空穴涉及本征和杂质带。比热在零场下通过近藤屏蔽子带杂质带而被热激活，并随着温度的降低呈现出特征性的上升。与此相反，磁化强度从本征带中的虚粒子-空穴对的部分屏蔽中获得主导量子校正。我们指出磁性杂质可以通过本征带的朗道量子化对杂质矩的近藤屏蔽的影响来影响SmB $_6$中的de Haas-van Alphen量子振荡。
2020-06-20 cond-mat.str-el
Short-range antiferromagnetic correlations in Kondo insulators
我们研究了局域$f$电子之间的短程反铁磁关联对近藤绝缘体的输运和热力学性质的影响，这是Coqblin等人首次提出的金属重费米子。位置间的磁相关性为$f$-电子产生有效带宽。它们被视为当地近藤相关性，使两个能量尺度出现在我们的方法相同的基础上。我们讨论了这两种尺度在物理性质上的竞争。
2000-01-13 cond-mat.str-el
Imaging emergent heavy Dirac fermions of a topological Kondo insulator
近藤绝缘体是寻找强相关拓扑量子相的主要候选者，它可能具有拓扑序，分数化和非阿贝尔统计。在一些近藤绝缘体，杂交间隙的预测，以保护一个非平凡的拓扑不变量和港口紧急重狄拉克费米子表面模式。我们使用高能量分辨率光谱成像在真实和动量空间的近藤绝缘体，钐$_6$。在冷却通过$T^*_Δ\approx$ 35 K时，我们观察到绝缘间隙的开放，在2 K时膨胀到$Δ\approx$ 10 meV。在间隙内，我们成像的线性分散的表面态的形成与有效质量达到$m^* = (410\pm20)m_e$。因此，我们证明存在一个强相关的拓扑近藤绝缘体相托管已知的最重狄拉克费米子。
2018-10-31 cond-mat.str-el
Theory of Quantum Oscillations of Magnetization in Kondo Insulators
研究了自旋为1/2的局域磁矩与半填充态传导电子耦合的Kondo晶格模型在二分晶格上对磁场的轨道响应。通过一个有效的电荷动力学，在一个典型的电子表示，适当地描述了近藤绝缘基态，磁化强度被发现显示从中间到弱近藤耦合的de Haas-van Alphen振荡。这些振荡归因于有间隙准粒子的色散的类Lifshitz反演，其化学势面由振荡频率测量。这种振荡也被预测发生在自旋密度波绝缘体。
2017-08-16 cond-mat.str-el
Coexisting Kondo singlet state with antiferromagnetic long-range order: A possible ground state for Kondo insulators
利用平均场论计算了半满各向异性Kondo晶格模型的基态相图。对于小的横向交换耦合$J_{\perp}<J_{\perp c1}$，基态显示出反铁磁长程序与有限的交错磁化局域自旋和传导电子。当$J_{\perp}>J_{\perp c2}$时，长程序被破坏，系统处于具有杂化间隙的无序Kondo单线态。两种基态都可以描述近藤绝缘化合物的低温相。在这两个不同的阶段，可能有一个共存的制度，作为局部近藤屏蔽和磁相互作用之间的平衡的结果。
2000-04-29 cond-mat.str-el
Kondo proximity effect: How does a metal penetrate into a Mott insulator?
我们考虑一个异质结构的金属和一个顺磁莫特绝缘体使用适应的动态平均场论来描述非均匀系统。金属可以通过近藤效应渗透到绝缘体中。我们研究了接近莫特绝缘体临界点的金属-绝缘体界面的标度特性。在临界状态下，准粒子的重量按照我们的平均场论中的公式，随着离金属的距离x的增加，衰减为1/x^2。我们的数值结果（使用数值重整化群作为杂质解算器）表明，该幂律的前因子是非常小的。
2008-05-05 cond-mat.str-el
Anisotropic optical conductivity of the putative Kondo insulator CeRu$_4$Sn$_6$
近藤绝缘体，特别是它们的非立方代表仍然知之甚少。在这里，我们报告的发展各向异性的能量赝能隙的四金属化合物CeRu $_4$ Sn $_6$采用光学反射率测量在宽的频率和温度范围内，和局域密度近似加上动态平均场论计算。计算提供的证据近藤绝缘体样的响应内的$a-a$平面和更多的金属沿c轴的响应和定性再现的实验观察，帮助确定其来源。
2012-09-13 cond-mat.str-el
Kondo-induced hybrid topological insulator in two-dimensional electron system with a quadratic band crossing point
研究了具有非平凡二次能带交叉点的二维电子系统中的近藤效应。我们发现近藤效应可以诱导一种新的混合拓扑绝缘体相，它是量子反常霍尔效应和TRS破碎的量子自旋霍尔效应的共存态.这种混合拓扑绝缘体不仅表现出量子化的电荷霍尔电流，而且还表现出净自旋电流，这是本地化的边缘边界。这种特殊的拓扑状态是由于两个边缘相关算子的相互作用而产生的，即，电子与局域磁矩的近藤耦合以及二维系统中的电子-电子相互作用。
2016-02-10 cond-mat.str-el
Kramers' doublet ground state in topological Kondo insulators
我们考虑一个最简单的变种近藤绝缘体的双重本地$f$ -电子与自旋简并导电电子杂交。我们分析了参与杂化的$f$ -轨道的对称性，指出这种系统的有效四带模型与具有手征对称性的模型是有联系的，从而进一步描述了干净的Kondo绝缘体.我们得到了拓扑非平凡状态出现的一般条件，并讨论了稀土化合物的影响。作为一个例子，我们推导出全相图的tetrapherkondo绝缘体。结果表明，当传导电子的能带宽度为最大能量标度时，手征对称性导致非平凡拓扑相的出现，而新的弱拓扑相的出现是能带中心归一化距离的函数.
2019-06-27 cond-mat.str-el
Topological phase in $1D$ topological Kondo insulator: $Z_{2}$ topological insulator, Haldane-like phase and Kondo breakdown
我们用数值精确投影量子Monte Carlo方法模拟了半满$1D$ $p$波周期性Anderson模型，虽然系统的可解非相互作用极限对应于传统的$Z_{2}$拓扑绝缘体，但系统确实处于与以前在$p$波Kondo晶格模型上所发现的Haldane态.利用开边界系统的场分辨磁化强度和周期边界的奇异相关子来识别上述拓扑态。有趣的是，在我们的周期类Anderson-like模型中，由于本征电荷涨落的存在，类Haldane态的边缘磁化强度并没有饱和到单位磁矩，这超出了现有文献中Kondo晶格模型的描述.这一发现揭示了在这种典型的相互作用拓扑态中存在着关联驱动的拓扑态，并且在使用非相互作用图像时应注意。此外，在零温度下没有观察到表面近藤击穿的痕迹，并且怀疑类似挫折的相互作用可能在诱导这种近藤屏蔽的根本破坏中是至关重要的。这里的发现可能与我们对相互作用的拓扑材料如拓扑近藤绝缘体候选者SmB $_{6}$的理解有关。
2017-07-10 cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el
Antiferromagnetic phase of the Kondo-insulator
讨论了导带半满的平面Kondo晶格模型的反铁磁相的准粒子能带结构，即所谓的Kondo绝缘体。用键费米子技术得到了能带结构，并与用动力学团簇近似得到的单粒子谱函数进行了比较。特别地，数值谱中观察到的能带结构随J/t的各种变化通过计算被定性地再现。在费米面嵌套的情况下，我们发现了一个半金属相足够小的交换常数和可能的实验结果进行了讨论
2019-02-27 cond-mat.str-el
Tunable unconventional Kondo effect on topological insulator surfaces
研究了在三维拓扑绝缘体表面上沉积磁性吸附原子，实现强自旋轨道相互作用的电子物质中自旋- $\frac{1}{2}$杂质的近藤物理。我们表明，拓扑表面状态的磁特性和Kondo屏蔽的存在强烈依赖于散装材料的细节，和具体的表面制备编码的时间反演保持边界条件的电子波函数。当这种可调的近藤效应发生时，杂质自旋被表面电子的纯轨道运动屏蔽。这种机制引起了表面金属的横向磁响应，以及可用于实验探测近藤共振签名的自旋纹理。我们的预测是特别相关的STM测量${\rm Pb Te}$类结晶拓扑绝缘体，但我们也讨论了其他类别的拓扑材料的影响。
2015-12-08 cond-mat.str-el
Emergence of electronic modes by doping Kondo insulators in the Kondo lattice and periodic Anderson models
重费米子或近藤晶格材料被认为是典型的强关联系统，平均场近似表明，库仑相互作用增加了有效质量，使带隙变窄。本文利用非阿贝尔动力学密度矩阵重整化群方法和微扰理论，研究了强耦合条件下Kondo绝缘体周围的Kondo晶格和周期Anderson模型的谱函数.当掺杂Kondo绝缘体时，在Kondo绝缘带隙中出现电子模，表现出动量移动的磁色散关系。虽然基态性质类似于掺杂的带绝缘体，但反映近藤绝缘体的自旋-电荷分离的电子模式的出现是一个关键的相互作用效应，使我们能够将近藤绝缘体-金属转变视为一种莫特转变。此外，通过在周期性安德森模型中掺杂，即使在高能区也会出现电子模式。这些强关联效应在传统的平均场近似中是没有预料到的，并且会给重费米子或近藤晶格系统带来不同的视角。
2022-04-20 cond-mat.stat-mech cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Colossal magnetoresistance in topological Kondo insulator
复杂系统的异常电子性质需要新的思路来解释它们的行为和实现的可能性。在本文中，我们证明了在拓扑Kondo绝缘体的状态下，实现了一个巨大的磁电阻，这类似于Kondo晶格中的Kondo绝缘体状态。这种现象的机理是：在自旋无隙阶段，外磁场在自旋激发谱中引入能隙，在半填充时，由于自旋子系统和费米子子系统的杂化，费米子谱中的能隙被打开，磁场导致金属-绝缘体（或坏金属-绝缘体）相变。研究了无自旋费米子带半满情况下的蜂窝格点上的拓扑近藤格点模型。结果表明，局域矩和巡游费米子之间的杂交应理解为相应的自旋和电荷扇区的马约拉纳费米子之间的杂交。该系统是一个拓扑绝缘体，单个费米子和自旋激发在低能量是大量的。我们将证明自旋能隙在电荷沟道中引入能隙，它导致出现具有手征无能隙边缘模的拓扑绝缘体态，Chern数为1或2取决于交换积分的值。传统的近藤绝缘体状态的相关性进行了讨论。
2016-01-05 cond-mat.str-el
Dynamically generated edge states in topological Kondo insulators
近藤绝缘体结合了强电子相关性和自旋轨道耦合，从而提供了相关拓扑绝缘体的潜在实现。我们提出的模型计算，使我们能够研究发病的散装相干性和随之而来的拓扑边缘状态的混合价本地矩制度。我们的实空间动力学平均场的结果包括详细的温度依赖的单粒子谱函数板几何形状以及温度依赖的拓扑不变量。我们的计算的候选材料，如SmB6的相关性进行了讨论。
2014-08-27 cond-mat.str-el
Ferromagnetism and Kondo Insulator Behavior in the Disordered Periodic Anderson Model
在周期性Anderson模型下研究了二元合金无序对f电子材料铁磁相的影响。我们发现，在导带中的无序可以大大提高居里温度，由于本地f-矩的增加。这种效应可以用一个简单的理论分析来定性甚至定量地解释。还指出了非整数填充时合金近藤绝缘体的出现。
2008-01-25 cond-mat.str-el
3D Topological Kondo Insulators
拓扑近藤绝缘体（TKI）是一种新型的受电子保护的拓扑绝缘体，它是在强关联和自旋轨道相互作用的共同作用下发展起来的。在这些材料中，由于近藤通过传导电子屏蔽局域化的时刻，体是一个完美的带绝缘体。此外，局域矩的强自旋轨道耦合（SOC）和晶体场效应（CFE）导致局域矩和导带之间的非局域奇宇称、时间反演不变的杂化，这产生具有非平凡拓扑和无间隙表面激发的基态（Physical Review Letters 104（2010）106408）。在目前的工作中，我们发展了一个自洽的理论来研究拓扑近藤绝缘体的平均场水平。为了实现这一点，我们应用从玻色子平均场论的系统，并没有周期性的边界条件，以研究系统在散装和平板几何配置。这使得我们能够通过能带结构和谱函数的计算观察到受保护边缘态的清晰特征。
2017-11-21 cond-mat.str-el
Surface Kondo Effect and Non-Trivial Metallic State of the Kondo Insulator YbB12
理论上预测了强电子关联和自旋轨道相互作用（SOI）之间的协同效应将导致量子物质在Kondo绝缘体（KI）上形成新的拓扑态，即所谓的拓扑Kondo绝缘体（TKI）。在实验上观察到一个TKI候选者在KI SmB 6（001）上，并积极讨论了SmB 6的表面态（SS）和拓扑顺序的起源。在这里，我们显示了另一个TKI候选YbB 12（001）的清洁表面上的金属SS，使用角分辨光电子能谱学。SS显示出与温度相关的重建对应的体状态观察到的近藤效应。尽管具有低温绝缘体，但具有c-f杂化的重构SS是金属的，在表面布里渊区上形成围绕$\barΓ$的闭合费米轮廓，并且与TKI上SS的理论预期行为一致。这些结果证明了在近藤效应的驱动下，局域在KIs表面的二维态的温度依赖的整体重构。
2016-02-26 cond-mat.str-el
Competing topological and Kondo insulator phases on a honeycomb lattice
我们研究了蜂窝晶格中巡游电子的自旋-轨道相互作用与它们的近藤耦合之间的竞争。我们发现，在半填充模型显示拓扑和Kondo绝缘体之间的量子相变在非零Kondo耦合。在近藤屏蔽的情况下，调整电子浓度可以导致新的拓扑绝缘体相。结果表明，重费米子相图包含一个新的区域，拓扑态、近藤相干态和磁态相互竞争，该区域可能与含$5d$传导电子的近藤晶格系统特别相关.最后，我们讨论了我们的研究结果的背景下，最近的实验对钐$_6$牵连的拓扑绝缘体的表面状态，以及现有的实验在钐$_6$的压力下，在CeNiSn的化学压力下的相变。
2013-07-28 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in the Hubbard model: a simple description including the Kondo effect
本文用多电子表象中的单粒子格林函数来研究半满哈伯德模型中的电子谱结构。一个简单的分析推广的单网站Hubbard-III近似，其中考虑到费米激发（近藤条款）。金属-绝缘体转变的问题进行了研究。讨论了费米能级上包括“近藤”峰在内的三峰态密度结构的出现。与大d计算进行了比较。
2001-06-21 cond-mat.str-el
Temperature-induced gap formation in dynamic correlation functions of the one-dimensional Kondo insulator --- Finite-temperature density-matrix renormalization-group study ---
将有限温度密度矩阵重整化群与极大熵相结合，给出了一种计算一维多体系统动力学量的新方法。本文讨论了一维Kondo绝缘体的态密度、局域动态自旋和电荷关联函数。随着温度的降低，激发间隙打开，并且间隙根据通道而具有不同的值。激发光谱在近藤绝缘体的最低能级自旋能隙对应的特征温度附近发生了定性的变化。
1998-06-24 cond-mat.str-el
Exotic Kondo crossover in a wide temperature region in the topological Kondo insulator SmB6 revealed by high-resolution ARPES
用高分辨ARPES研究了SmB_6的电子结构随温度的变化。我们证明了在电阻率饱和异常（~ 3.5 K）以下和以上的表面态的色散没有本质的区别。表面态的定量分析表明，准粒子散射率作为温度和结合能的函数线性增加，这不同于费米液体行为。最有趣的是，我们观察到d和f态之间的杂化在很宽的温度范围内（30 K < T < 110 K）逐渐建立。当杂化开始发展时，表面状态出现。我们详细的温度依赖性的结果给出了一个完整的解释奇异的电阻率结果的SmB 6，以及实验结果之间的差异有关的温度区域中出现的拓扑表面状态和近藤间隙打开，并提供了新的见解奇异近藤交叉及其与拓扑表面状态的拓扑近藤绝缘体SmB 6。
2014-08-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetic Weyl and Dirac Kondo semimetal phases in heterostructures
我们研究了一种层状三维异质结构，其中两种类型的近藤绝缘体交替堆叠。其中之一是拓扑Kondo绝缘体SmB 6，另一个是同构Kondo绝缘体AB 6，其中A是稀土元素，例如，Eu、Yb或Ce。我们发现，如果后者的顺序铁磁，异质结构一般成为磁性Weyl Kondo半金属，而反铁磁秩序可以产生磁性狄拉克Kondo半金属。我们详细的情况下，一般的对称性的考虑，以及具体的紧束缚计算，并表明，I型以及II型磁性Weyl/狄拉克近藤半金属相是可能的，在这些异质结构。我们的研究结果表明，近藤绝缘体异质结构是一个通用的平台，设计强相关的拓扑半金属。
2017-11-05 cond-mat.str-el
