Pumped shot noise in adiabatically modulated graphene-based double-barrier structures
量子抽运过程伴随着相当大的量子噪声。研究了石墨烯基双势垒结构的泵浦散粒噪声特性。基于散射方法，推导了相位相干介观导体中相位相干噪声的一般表达式。结果表明，与泊松过程相比，当直流泵浦电流改变流向时，PSN显著增强，这表明克莱因悖论的影响。
2011-07-22 cond-mat.mes-hall
Resonant tunneling through double-barrier structures on graphene
在紧束缚近似下研究了石墨烯双势垒结构的量子共振隧穿行为。对于能量接近狄拉克点的准粒子，我们证明了克莱因隧穿和共振隧穿。克莱因隧穿消失的势垒的高度增加到300 meV以上。狄拉克输运性质不断地向薛定谔输运性质转变。结果表明，在适当的边界条件下，共振隧穿峰近似于石墨烯纳米带的本征能级。给出了锯齿形和扶手椅形边缘障碍物之间的比较。
2014-04-30 cond-mat.mes-hall
Tunable wavevector filtering in borophane based normal metal-barrier-normal metal junctions
本文研究了Dirac电子在二维正常金属-势垒-正常金属（NBN）界面上的输运性质。分析了透射几率随势垒区宽度、入射能量和横动量的变化。我们证明了在透射几率谱中存在能隙，并且能隙的位置和宽度可以分别由势垒强度和横动量来调节。指出了弹道隧穿电导随势垒区宽度和入射能量的变化规律。我们发现，随着势垒宽度的变化的电导的振荡或衰减的性质取决于由入射能量和势垒强度控制的传播和倏逝模的数量。我们发现，作为入射能量的函数的电导下降到最小值时，入射能量变得相同的势垒高度，并确定这种效果是由内的屏障的倏逝波模式的存在所造成的。基于这些发现，我们提出了一个完美的可调谐波矢量滤波器的Borophane。我们期望我们的研究结果在硼氢化物基纳米电子器件中具有重要的应用价值。
2020-03-12 cond-mat.mes-hall
Asymmetric double barrier resonant tunneling structures with improved characteristics
我们提出了一个自洽的计算，基于全局相干隧道模型，并表明，结构的不对称性的双势垒共振隧穿结构显着修改的电流-电压特性相比，对称结构。特别地，适当设计的非对称结构可以产生比其常用的对称对应物大得多的峰值电流和负微分电导率的绝对值。
1998-10-28 cond-mat.mes-hall
Schottky-barrier double-walled carbon nanotube field-effect transistors
研究了基于双层碳纳米管的肖特基势垒场效应晶体管的电子输运性质。由于肖特基势垒的电子-空穴不对称性，这类DWNT-FET表现出$I$ - $V$特性和阈值电压的不对称性。金属内壳的存在诱导了大的有效带隙，其比由于单壁碳纳米管FET的半导体壳单独引起的有效带隙大一个数量级。
2007-07-26 cond-mat.mes-hall
Electron tunneling through graphene-based double barriers driven by a periodic potential
研究了时间周期场作用下石墨烯中双势垒结构的光子辅助电荷输运。在Floquet形式主义的框架内，并使用传输矩阵法，计算了中心带和边带的传输概率。发现势垒处的谐波势之间存在一个临界相位差，该相位差可以抵消由于量子干涉引起的非弹性边带的透射，这一现象有助于设计石墨烯基滤波器和高频辐射探测器。讨论了谐振场对共振隧穿的抑制作用。
2013-04-12 cond-mat.mes-hall
Theory of one-dimensional double-barrier quantum pump in two-frequency signal regime
考虑了具有两个以频率$ω$和$2ω$双色振荡的类$δ$势垒或阱的一维系统。交流信号导致直流电流穿过结构（即使在对称系统中）。在较宽的系统参数范围内研究了这种量子泵的特性。
2006-10-30 cond-mat.mes-hall
Tunneling in double barrier junctions with 'hot spots'
研究了具有软势垒击穿（热点）的外延Fe（100）/MgO/Fe/MgO/Fe双磁隧道结中的电子输运。这些结的特殊性是连续的中间层和MgO势垒的氮掺杂，其在约0.5V的偏压下提供软击穿。在与热点的交界处，我们观察到准周期性的变化，作为偏置电压的函数的电阻，指出量子阱态的形成在中间的Fe连续的自由层。在平行和反平行磁配置和两个偏置极化的室温振荡已被观察到。本文提出了一个简单的双势垒磁结热斑隧穿模型来定性地解释这种效应。
2012-04-26 cond-mat.mes-hall
Tunable Goos--Hänchen shifts and group delay time in single-barrier silicene
Chouaïb Doukkali University（舒瓦布杜卡利大学）；Universidad de La Serena（拉塞雷纳大学）；Universidad de Tarapacá（塔帕卡大学）
研究硅烯中Dirac费米子穿过矩形静电势垒时的Goos-Hänchen位移和群延迟时间，揭示量子干涉如何调控费米子的横向和时间动力学。
2026-03-24 cond-mat.mes-hall
Spin-accumulation in small ferromagnetic double barrier junctions
铁磁双势垒结中的非平衡自旋积累被证明是控制小结构中的输运。这类系统的输运性质由库仑阻塞理论的推广来描述。自旋积累增强了磁电阻。的瞬态非线性输运性质的预测提供了一个独特的实验证据的自旋积累的形式，在时间尺度上的顺序的自旋翻转弛豫时间的反向电流。
1998-11-13 cond-mat.mes-hall
Transmission spectra of Fe/MgO (001) double-barrier tunnel junctions at finite bias
在这篇文章中，我们用自洽的方法计算了一个Fe/MgO（001）单势垒和一个双势垒隧道结的弹道传输作为能量的函数，并将它们与它们的电子结构联系起来。计算了不同偏压下各种结的透射谱。我们专注于偏压对表面和量子阱态介导的共振隧穿的影响。计算是在相干的制度，使用密度泛函理论和非平衡格林函数的组合，在{ \it ab initio}代码{ \it SMEAGOL}中实现。我们的结论是，对于这两种结，传输函数依赖于所施加的偏置电压。在单势垒结中，由共振Fe少数表面态介导的输运被偏压迅速破坏。在双势垒结中，通过多数量子阱态的共振隧穿的出现强烈地受到偏压的影响。
2008-08-08 cond-mat.mes-hall
Quantum charge pumping through a superconducting double barrier structure in graphene
本文研究了绝热极限下电子穿过超导双势垒结构的量子电荷泵现象。在这种几何结构中，量子电荷泵可以通过调制与两个超导条相关联的间隙的振幅（Δ_1和Δ_2）来实现。结果表明，当抽运轮廓包围超导带隙时，超导带隙在Delta_1-Delta_2平面内产生一个传输共振，从而产生较大的抽运电荷。这与石墨烯中的正常双势垒结构中的电荷泵送的情况形成鲜明对比，其中由于克莱因隧穿现象，泵送的电荷非常小。我们分析的行为的泵浦电荷通过超导双势垒的几何形状作为一个功能的泵浦强度和两个泵浦参数之间的相位差，对于不同的入射电子的角度。
2011-05-03 cond-mat.mes-hall
Spectroscopy of double quantum dot two-spin states by tuning the inter-dot barrier
双量子点中双自旋态的输运谱可以通过一个交流电场来实现。然而，当状态之间的转变率较小时，就会出现问题，因此AC感应电流会被抑制。在这里，我们表明，如果AC场调谐的点间隧道势垒，然后为大失谐的过渡率急剧增加，导致高电流。多光子共振增强了几个数量级。我们的研究为快速双自旋跃迁提供了一种有效的方法。
2019-02-05 cond-mat.mes-hall
Chiral Tunneling through Double Barrier Structure in Twisted Graphene Bilayer
本文研究了载流子在扭曲石墨烯双层双势垒结构中的手性隧穿，发现透射概率呈镜像对称且随入射能量和势垒高度从完美透射渐变为完美反射，该方向依赖性为调控电子性质提供了新参数。
2023-07-27 cond-mat.mes-hall
Realization of a double barrier resonant tunneling diode for cavity polaritons
本文报道了利用一维腔体的横向图形化实现腔体极化激元的双势垒共振隧穿二极管。尖锐的传输共振时，证明发送到设备上的极化激元流。我们使用一个非共振的光束可以用来作为光闸和控制装置的传输。最后，我们的证据失真的传输配置文件时，去高密度制度，极化激元相互作用的签名。
2013-05-22 cond-mat.mes-hall
Aharonov-Bohm phase operations on a double-barrier nanoring charge qubit
我们提出了一种在双势垒纳米环中实现电荷量子比特的方案。量子比特的逻辑状态被编码在系统的两个最低能量状态的空间波函数中。由磁通量引入的Aharonov-Bohm相位，而不是可调谐隧穿，以及电场可以用于实现量子门操作。在操作过程中，外场的切换应足够平滑，以避免由过渡到更高的躺态所引起的误差。研究了结构和场对量子比特有效性的影响。
2006-04-27 cond-mat.mes-hall
DC four point resistance of a double barrier quantum pump
我们调查的直流电压降的行为在周期性驱动的双势垒结构（DBS）感测的电压探针是弱耦合到系统。我们发现，四端电阻$R_{4t}$测量与位于DBS外部的探针的结果相同的电阻测量在相同的结构下，在一个固定的偏置电压之间的左，右水库。这个结果，有效的绝热泵浦制度以外，可以被视为一个指示的通用字符的$R_{4t}$作为一个样品的电阻性能的措施，无论用于诱导运输的机制。
2008-09-22 cond-mat.mes-hall
Transparency enhancement in a double-barrier structure by the Fano antiresonance
我们发现，一个侧面连接状态的存在强烈修改通过一个一维双势垒系统的Fano反共振周围的波矢窗口中的传输。具体而言，Fano干涉和结构内部的尺寸量化之间的相互作用引起透射系数中的窄共振峰。即使对于具有强势垒的非对称设置，峰的高度也可以变得接近1（完美透射），其中在没有Fano状态的情况下，透射系数在所有其他波矢处被强烈抑制。因此，这两种类型的干涉现象，每一种本身都导致透射的抑制，以一种特殊的方式合谋产生透明度增强。
2020-05-03 cond-mat.mes-hall
Quantum transport in GaN/AlN double-barrier heterostructure nanowires
研究了AlN双势垒对n-i-GAN纳米线电子输运的影响。纳米线生长无催化剂，等离子体辅助分子束外延，使突然的GAN/AlN界面以及纵向n型掺杂调制。在低温下，n-i-GAN纳米线的输运主要受库仑阻塞效应的影响。载流子被限制在未掺杂的中间区域，形成特征长度为~100 nm的单个或多个岛。两个AlN隧道势垒的结合导致在其间的GAN阱内发生限制。在6 nm厚的阱和2 nm厚的势垒的情况下，我们观察到具有离散能态的单量子点中库仑阻塞输运的特征签名。对于较窄的阱和势垒，库仑阻塞效应不起重要作用，而通过受限量子能级的共振隧穿的开始伴随着负微分电阻，直到~150 K。
2010-05-20 cond-mat.mes-hall
Transmissions and group delay time in graphene with proximity exchange field and double barriers
本文利用转移矩阵和稳相法研究了近邻交换场下双势垒石墨烯的透射与群延迟时间，发现其具有自旋依赖性且不存在Hartman效应，显著优于单势垒构型。
2025-03-04 cond-mat.mes-hall
Valley-dependent resonant tunneling through double magnetic barriers in suspended graphene
从理论上研究了应变诱导赝磁场对悬浮石墨烯中狄拉克费米子输运几率和弹道电导的影响。我们表明，通过双磁势垒的共振隧穿可以在悬浮区的应变调谐。谷分辨透射峰由于共振隧穿的尖锐性而明显可区分。在特定的应变下，占据一个谷的狄拉克费米子的共振隧穿被完全抑制，而占据另一个谷的狄拉克费米子的共振隧穿存在。谷过滤效应有望通过应变工程来测量。所提出的系统可以用来制作一个大的谷偏振几乎100%的石墨烯谷滤波器。
2014-02-18 cond-mat.mes-hall
Symmetry-controlled singlet-triplet transition in a double-barrier quantum ring
我们设计了一个由两个强约束量子点组成的系统，以获得在零磁场下对自旋的可重复静电控制。将量子点耦合在一个紧密的环形势阱中，通过两个隧道势垒，我们证明了一个电场可以使电子的基态在单重态和三重态之间转换。将我们的实验共隧穿光谱数据与双势垒量子环中相互作用电子的完整多体处理进行比较，我们发现多体状态与电场和磁场的演化非常一致。计算表明，单重态-三重态能量交叉，没有发现在传统的耦合量子点，是可能的环形几何形状的限制势。
2021-04-23 cond-mat.mes-hall
Abrupt barrier contribution to the electron spin splitting in asymmetric coupled double quantum wells
研究了InGaAs-InAlAs双量子阱（窄禁带结构）在面内磁场和横向电场作用下的电子能量自旋分裂行为。我们已经开发了一个改进的8x8版本的传输矩阵方法，考虑突然的接口和外部场的贡献时，隧道通过中心势垒存在。我们已经包括了Landé g因子对外部施加场的依赖性。计算了电子态密度和光致发光激发。电子自旋分裂能的变化导致状态密度的显著特性。由于态密度与光致发光激发直接相关，因此可以通过这种技术观察到这些特性。
2013-10-29 cond-mat.mes-hall
Negative differential resistances with back gate-controlled lowest operation windows in graphene double barrier resonant tunneling diodes
本文从理论上研究了基于足够短和宽的石墨烯带的双势垒共振隧穿二极管中无质量和有质量狄拉克费米子的负微分电阻。在旋转赝自旋空间中计算的电流-电压特性表明，在无质量的情况下，NDR特性只在适当的结构参数下出现，并且峰谷电流比可以通过可调带隙指数地提高.值得注意的是，最低的NDR操作窗口几乎是无结构的，并且几乎可以完全由背栅控制，这可能在NDR器件中具有潜在的应用，其中操作窗口作为关键参数。
2013-03-09 cond-mat.mes-hall
Electronic properties of quantum dots formed by magnetic double barriers in quantum wires
通过量子线暴露于两个磁钉在串联的输运建模。我们证明，量子点可以形成这种方式耦合到通过磁屏障的铅。从概念上讲，所有的量子点态都可以通过输运实验获得。模拟表明，Breit-Wigner共振在封闭的制度，而法诺共振出现，只要一个开放的传输通道是存在的。该系统允许调整点的约束潜力从亚抛物线超抛物线的实验参数。
2011-04-29 cond-mat.mes-hall
Resonant transport and line-type resonances in tilted Dirac cone double-barrier structures
该研究利用转移矩阵法分析了石墨烯基倾斜狄拉克锥双势垒结构中狄拉克费米子的输运特性，揭示了锥倾斜对透射的影响及线型共振的产生机制，为二维倾斜锥材料的纳米电子器件设计提供了新见解。
2025-08-24 cond-mat.mes-hall
Dislocation Kinks in Copper: Widths, Barriers, Effective Masses, and Quantum Tunneling
我们计算的宽度，迁移势垒，有效质量，和量子隧穿率的扭结和凹凸扩展螺旋位错在铜，使用有效介质理论原子间势。移动一个晶格常数的能量势垒和有效质量接近典型的原子能量和质量：隧穿将是罕见的。扭结运动的能垒和有效质量出乎意料地小，由于扭结的传播在大量的原子。扭结的有效质量是如此之小，以至于量子涨落将是重要的。我们讨论量子蠕变，扭结为基础的隧道中心，近藤共振的影响。
2000-07-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Tunneling magnetoresistance of Fe/ZnSe (001) single- and double-barrier junctions as a function of interface structure
在这篇文章中，我们计算了自旋相关的弹道和相干输运通过外延Fe/ZnSe（001）简单和双磁隧道结与两种不同的界面终端：Zn终止和Se终止。的结的电子结构是由第二近邻{ \it spd}紧束缚哈密顿参数化为{ \it从头计算能带结构，而电导和隧道磁阻计算内Landauer的形式主义。计算是在零偏置电压下进行的，并且是能量的函数。我们显示和讨论的界面结构上的自旋相关的运输通过简单和双隧道结的影响。
2008-10-02 cond-mat.mes-hall
Amplification and passing through the barrier of the exciton condensed phase pulse in double quantum wells
研究了金属电极缝隙下半导体双量子阱中激子凝聚脉冲运动的特点及其控制的可能性。凝聚相被认为是唯象的自由能在朗道-金兹伯格形式考虑激子寿命的有限值。结果表明，在外加线性势的作用下，激子凝聚相脉冲沿狭缝方向运动，在激子寿命期间，激子凝聚相脉冲的最大密度保持不变，而激子气相脉冲则变得模糊不清.研究了激子凝聚相脉冲穿透势垒和被势垒阻止的过程。另外，通过外加一个激光脉冲，可以使凝聚相中的激子脉冲放大并在衰减后恢复。在稳态辐照下，发现了电极缝下双量子阱中激子系统的亮、暗自孤子解。
2013-09-05 cond-mat.mes-hall
Double Quantum Well Triple Barrier Structures: Analytical and Numerical Results
在这项工作中，我们展示了一个特定类型的双量子阱三垒结构和数值结果的散射的分析结果，通过Numerov方法，一个双量子阱三垒内的无限量子阱的束缚态。对于最后一个，我们认为，常数和位置相关的质量。
2015-07-16 cond-mat.mes-hall quant-ph
Dynamic scattering channels of a double barrier structure
我们解析计算的Floquet散射矩阵的周期性驱动的双势垒结构。我们的方法考虑到动力学的影响，成为必要的重要时，电子传播通过一个系统受到快速驱动。将Floquet散射振幅表示为对应于电子在结构内部花费的不同时间的振幅之和是方便的。这些振幅定义动态散射通道。然后，我们表示的直流电流产生的结构作为两个通用的贡献之和。第一个是由于同一信道内的光子辅助干扰过程，第二个是由于信道间干扰过程。在零温度下，两种贡献都存在，而在高温和/或高驱动频率下，只有前者幸存。
2008-04-02 cond-mat.mes-hall
Formation of probability density waves and probability current density waves by excitation and decay of a doublet of quasistationary states of a three-barrier heterostructure upon scattering of gaussian wave packets
对谱宽为准定态二重态能级间距量级的电子高斯波包的三势垒异质结散射进行了数值分析模拟。结果表明，由于散射作用，在双阱外形成了电子电荷密度和电流密度的阻尼波，其特性由初始波包的结构和散射振幅的极点决定。这些波的频率等于偶极子的差频，波数是具有共振能量的电子自由运动的波数之差，它们的传播速度是这些量的比率。如果通过一系列相干波包的散射来提供对双重态粒子数的周期性共振泵浦，则系统可以进入电子波发射的重复或放大的状态。
2022-01-07 cond-mat.mes-hall
Discrete saturation thickness and anomalous potential height of native ultrathin aluminum oxide tunnel barriers
我们研究了以氧化铝为介质的平面金属-绝缘体-金属隧道结.这些氧化物阻挡层在室温下在纯氧中在铝电极上生长直到饱和。我们观察到离散的势垒宽度由Δs \approx 0.38 nm分离，对应于添加一层氧原子。s_0 \approx的最小厚度为0.54 nm是由于双层氧。我们发现势垒高度Φ_0对厚度s有很强的系统依赖性，如Φ_0 \approx 2.5 eV / s^2（nm），这几乎与电子动能E = h^2/2ms^2相一致，在此情况下，德布罗意波长与势垒宽度相匹配。
2001-05-26 cond-mat.mes-hall
Long range phase coherencein double barrier magnetic tunnel junctions with large thick metallic quantum well
双势垒异质结构是研究量子阱中电子隧穿和分立能级的模型系统。到目前为止，在金属量子阱中的共振隧穿现象已经观察到有限的厚度（1-2 nm）下，电子相位相干性守恒。在本研究中，我们证明了量子阱共振态态的铁量子阱高达12 nm厚，在室温下，在完全外延双MgAlOx势垒磁性隧道结。由于在Fe/MgAlOx界面处的小晶格失配引起的均匀界面相移，在该量子阱中显示的电子相位相干性具有前所未有的质量。从物理上理解界面应变对量子阱相位相干性的关键作用将极大地促进自旋相关量子共振隧穿应用的发展。
2015-09-02 cond-mat.mes-hall
Coherent effects in double-barrier Josephson junctions
导出了双势垒约瑟夫森结中弹道电子输运的一般解。我们表明存在一个制度的相位相干传输中的超电流是成比例的单个障碍的透明度和这种相干性被破坏的方式增加层间厚度。确定了任意电压下的准粒子直流电流。
1999-12-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Controllable Goos-Hänchen Shift in Graphene Triangular Double Barrier
研究了三角形双势垒散射下石墨烯中Dirac费米子的Goos-Hänchen位移。用无质量的类狄拉克方程描述了这种势位的散射费米子。结果表明，GHL位移受双势垒几何结构的影响。特别是当入射角小于与全反射相关的临界角时，GHL位移在透射零能量处改变符号，并在与双势垒相关的每个束缚态处表现出增强的峰。
2016-04-29 cond-mat.mes-hall quant-ph
Interference in transport through double barriers in interacting quantum wires
我们研究了通过双势垒结构的后向散射电流在相互作用量子线中的干涉效应。在强相互作用和弱相互作用情况下，背散射电流随外加电压的变化呈现出不同的振荡和标度特性，这取决于相互作用的强度和势垒的位置。然而，在这两种情况下，由于双势垒的存在，后向散射电流的振荡行为主要由量子力学干涉决定。
2010-03-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Current and Spin-Torque in Double Tunnel Barrier Ferromagnet - Superconductor - Ferromagnet Systems
计算了对称双隧道势垒铁磁-超导-铁磁（F-S-F）系统中的电流和自旋矩。当自旋翻转弛豫时间大于输运停留时间时，超导体上的自旋积累决定了输运性质。在弹性输运区，证明了F-S-F系统的电流（自旋矩）的相对变化等于F-N-F系统的电流（自旋矩）的相对变化，改变两个铁磁体的相对磁化方向。这与非弹性输运区的结果不同，在非弹性输运区中，自旋积累抑制了超导能隙并显著改变了磁阻[S.高桥，H. Imamura和S. Maekawa，Phys. Rev. Lett. 82，3911（1999）]。实验相关的弹性和非弹性的运输制度，分别，以及在运输性能的变化的原因进行了讨论。
2002-08-14 cond-mat.mes-hall
Two electrons in a strongly coupled double quantum dot: from an artificial helium atom to a hydrogen molecule
我们研究了双电子量子点中分子态的形成随势垒的变化。势垒势的增加驱动双电子系统从人工氦原子到人工氢分子。为了研究这种强耦合制度，我们引入变分波函数，精确地描述两个电子在一个单一的点，然后研究它们的混合诱导的障碍。分析了单重态-三重态带隙随势垒和外加磁场的变化规律。
2005-08-28 cond-mat.mes-hall
Energy dependence of current noise in double-barrier normal-superconducting structures
本文从理论上研究了N-N '-S结构的电流噪声能量依赖关系，其中N和S分别代表大块正常金属和超导体，N'代表短扩散正常金属。使用准经典理论的电流波动，我们得到明确的表达式的噪声有效的任意分布的通道双结。差分Fano因子原来取决于两个结的电导率和两个电导的比率。我们的结论是微分电导和噪声的测量可以用来探测接口的沟道分布。
2005-02-18 cond-mat.mes-hall
Quantum Oscillations of Tunnel Magnetoresistance Induced by Spin-Wave Excitations in Ferromagnet-Ferromagnet-Ferromagnet Double Barrier Tunnel Junctions
利用Keldysh非平衡格林函数方法，研究了铁磁-铁磁-铁磁双势垒隧道结中，当两侧铁磁体的磁化方向与中间铁磁体的磁化方向反平行时，自旋波激发引起的隧道电导和磁阻量子振荡的可能性.研究发现，由于中间铁磁体中自旋积累引起的自旋密度和传导电子之间的s-d交换作用，微分电导和TMR确实随偏压的增加而振荡，这与最近在实验中观察到的现象相一致.讨论了磁振子模、电子能级以及中心铁磁体中的分子场对系统振荡输运性质的影响。
2008-01-22 cond-mat.mes-hall
Gate controlled resonant widths in double-bend waveguides: Bound states in the continuum
我们考虑通过双弯曲$Π$ -和$Z$ -形波导的指栅电位控制的量子传输。使用有效的非厄米哈密顿方法，我们解释了传输中的共振。我们发现在短波导中传输的差异是$Z$和$Π$波导中不同手征的结果。我们表明，潜在的选择性影响的共振宽度导致在连续的束缚态的发生。
2015-01-09 cond-mat.mes-hall
Quantum noise in ac-driven resonant-tunneling double barrier structures: Photon-assisted tunneling vs. electron anti-bunching
研究了单共振能级双势垒系统中电子流的量子噪声。在Landauer形式主义的框架中，我们将双势垒视为量子相干散射区域，该区域可以与耦合的电场（例如，激光束或周期性ac偏置电压）交换光子。由于该系统中涉及的参数众多，在非对称电流-电流自相关谱中出现了复杂的阶梯状结构，在有无谐波交流驱动的互相关谱中出现了峰状结构。我们提出了一个解析解，这些噪声谱函数通过假设Breit-Wigner线型。详细地，我们研究了关联函数的光辅助隧穿（PAT）事件的影响，并讨论了基本的电荷转移事件，我们确定了一种新的贡献散粒噪声。这使我们能够澄清的影响，这样的结构与光的贡献源自不同的相干散射通道的集合的不居中的照射。此外，我们展示了如何通过获取散射相位的影响，由于复杂的反射振幅，这是至关重要的朗道方法的噪声。
2011-05-23 cond-mat.mes-hall
Klein tunneling through triple barrier in AB bilayer graphene
我们研究了AB双层石墨烯中载流子通过三重静电势垒的输运性质。我们计算的透射和反射使用的连续性条件的三重势垒的界面处的传输矩阵方法。首先，我们考虑的情况下，能量小于层间耦合$γ_1$，并表明，在正常入射，传输完全抑制在间隙中的一个大的势垒宽度，而它出现在间隙中的一个小的势垒宽度。对于大于$γ_1$的能量，我们表明，在没有层间电势差，传输是小于一个单一的障碍，但在其存在下，在间隙区域的传输被抑制，而不是一个双势垒。据发现，一个，两个，或三个间隙可以创建取决于层间电势差施加的数量。观察到$T_-^+$传输通道中的谐振，这在单势垒和双势垒情况下是看不到的。最后，我们计算的电导，并表明，峰的数量是大于双势垒的情况下。
2022-06-30 cond-mat.mes-hall
Spin dependent resonant tunneling through 6 micron diameter double barrier resonant tunneling diode
基于顺磁Zn_（1-x-y）MnyCd_xSe系统的垂直共振隧穿二极管（RTD）已被制作成柱直径小至~ 6 μ m。该二极管在4.2K的温度下通过量子阱的电子子带表现出高质量的共振隧穿特性，其中除了主峰之外还可观察到清晰的声子副本。这两个峰都显示了在外加磁场中的巨大塞曼分裂。采用自洽实时格林函数法，模拟了其电流-电压特性，与实测结果吻合较好。
2007-05-10 cond-mat.mes-hall
I-V curves of Fe/MgO (001) single- and double-barrier tunnel junctions
本文用从头算方法计算了理想单势垒和双势垒Fe/MgO（001）磁性隧道结的电流-电压特性。利用最近开发的SMEAGOL程序，结合非平衡格林函数理论和密度泛函理论，计算了相位相干极限下的电流。在一般情况下，我们发现，双势垒结显示出更大的磁阻，这与偏置衰减的速度比他们的单势垒对应。这是解释在增强自旋过滤从中间铁层夹在两个MgO障碍。此外，对于双势垒隧道结，我们发现一个定义明确的峰值的磁阻在V=0.1 V的电压，这是共振隧穿跨越多数量子阱状态的签名。我们的研究结果进行了讨论，最近的实验。
2008-08-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Klein tunneling through double barrier in ABC-trilayer graphene
采用二带和六带连续介质模型研究了Dirac费米子在ABC堆叠三层石墨烯（ABC-TLG）中穿过对称和非对称双势垒的Klein隧穿和电导.数值计算结果表明，输运对势垒的高度、宽度和间距都很敏感。正入射时的Klein佯谬和非正入射时的共振特性是由阱中的共振电子态或势垒中的共振空穴态引起的，对结构的弹道电导有很大的影响。
2021-09-30 cond-mat.mes-hall quant-ph
Interplay between Quantum Well Width and Interface Roughness for Electron Transport Mobility in GaAs Quantum Wells
我们报告传输迁移率测量清洁，二维（2D）电子系统局限于GaAs量子阱（QWs），通过分子束外延生长，在两个家庭的结构，一个标准的，掺杂GaAs的QWs与Al $_{0.32}$ Ga $_{0.68}$作为障碍，和一个额外的AlAs包层周围的QWs。我们的研究结果表明，在没有包层的窄量子阱中的迁移率与现有的理论计算是一致的，其中界面粗糙度的影响被软化的电子波函数渗透到相邻的低势垒。相比之下，从AlAs包层井的数据显示了一些样品的二维电子迁移率受到界面粗糙度的严重限制。这些测量跨越三个数量级的迁移率提供了一个路线图，在不同的电子密度，阱宽和势垒高度的GaAs结构的生长可达到的迁移率。
2017-01-18 cond-mat.mes-hall
Nanolithography by non-contact AFM induced local oxidation : Fabrication of tunneling barriers suitable for single electron devices
我们研究局部氧化诱导的动态原子力显微镜（AFM），通常称为轻敲模式AFM。这使得导致尖端变钝的场致力最小化，并且使我们能够使用非常精细的尖端。我们能够制造Ti/TiOx线栅与18 nm的周期和良好定义的隔离障碍小到15 nm。这些结显示出非线性的电流-电压特性和指数依赖的电导上的氧化物的宽度，表明隧道作为主导的导电机制。从电导势垒宽度的依赖性，我们得到的势垒高度为178毫电子伏。不同尖端几何形状的横向场分布的数值计算允许为最局部化的电场设计最佳尖端。电子束沉积（EBD）技术使得实际生产所需几何形状的尖端成为可能。
1998-05-27 cond-mat.mes-hall
Gate control of the tunneling magnetoresistance in double-barrier junctions
以Fe/ZnSe/Fe/ZnSe/Fe（001）双磁隧道结为例，计算了双磁隧道结的电导和隧道磁电阻。计算作为施加到中间Fe层片的栅极电压的函数进行。我们发现，施加的栅极电压之间的铁板强烈影响结的TMR由于调谐或调谐介导的量子阱态的电导共振。栅极电压允许以比通过改变中间Fe板的厚度更可控的方式显著增强TMR。这种效应可能是有用的，在未来的自旋电子器件的设计的基础上的TMR效应，需要大的和可控的TMR值。
2008-09-08 cond-mat.mes-hall
Spin-dependent resonant tunneling in symmetrical double-barrier structure
本文发展了非中心对称半导体生长的对称双势垒结构的自旋相关共振隧穿理论。隧穿透明性对电子的自旋取向和波矢的依赖性导致（i）在面内电场中透射载流子的自旋极化，（ii）在自旋极化载流子隧穿下产生面内电流。在双势垒隧穿结构中，考虑了自旋轨道耦合引起的共振能级劈裂效应。
2004-10-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Transmission and Goos-Hänchen like Shifts through a Graphene Double Barrier in an Inhomogeneous Magnetic Field
我们研究了电子在非均匀磁场中被双势垒散射时的输运性质。我们计算了我们系统的透射系数和Goos-Hänchen位移，并注意到在一定的能量范围内不允许透射。特别是，我们发现，与静电势垒，磁势垒能够限制狄拉克费米子。我们还建立了狄拉克费米子的电子传输特性与Goos-Hänchen位移之间的相关性，如数值数据所反映的那样。
2015-07-14 cond-mat.mes-hall quant-ph
Transmission via Triangular Double Barrier and Magnetic Fields in Graphene
研究了在外加磁场作用下，三角形双势垒对石墨烯中狄拉克费米子散射的透射几率。我们的系统由两个三角形的势垒区分开的阱区，其特征在于由一个能隙$G_p$。求解我们的Dirac-like方程并匹配边界处的解，我们用传输矩阵表示透射和反射系数。我们特别表明，传输表现出振荡共振的克莱因隧道效应的表现。
2015-11-21 cond-mat.mes-hall quant-ph
Electronic Structure of Graphene with two Strains and Double Barrier
研究了应变作用下石墨烯中狄拉克费米子被双势垒散射的电子结构。我们表明，牵引和压缩应变可以用来产生费米子束准直，一维通道，表面状态和限制。相应的传输概率和电导在零温度下的计算和它们的数值实现考虑到不同的物理参数的配置，使我们能够分析系统的一些功能。
2019-06-27 cond-mat.mes-hall quant-ph
