Preparation and properties of amorphous MgB$_2$/MgO superstructures: A new model disordered superconductor
本文介绍了一种制备MgB $_2$ /MgO多层膜的新方法，并展示了将其用作无序超导体的新模型的潜力。在这种方法中，我们控制的MgB $_2$的退火，以产生一个有趣的新类的无序（非晶）超导体具有相对较高的转变温度。多层膜呈现出准二维超导性和可控的各向异性。我们讨论的多层膜的性质作为双层膜的组件的厚度变化。
2007-10-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Direct observation of intrinsic surface magnetic disorder in amorphous superconducting films
无序和相互作用之间的相互作用可以显著地影响薄膜超导体的物理性质。在最极端的情况下，当绝缘相出现时，强无序能够抑制超导性。由于磁无序对超导体的破坏势是已知的，因此研究的重点是非磁无序对超导体的影响。在这里，我们提供了直接的证据表明，磁无序也存在于非晶超导薄膜的表面。这种磁无序甚至在没有磁性杂质原子的情况下也存在，并且与表面终止本身密切相关。虽然大块超导性在足够厚的薄膜中生存，我们认为磁无序可能会对薄膜极限中的超导体到绝缘体的转变产生至关重要的影响。
2021-12-08 cond-mat.supr-con
Observation of the parallel-magnetic-field-induced superconductor-insulator transition in thin amorphous InO films
研究了一种具有可变氧含量的超导非晶InO薄膜对平行磁场的响应。观察到的场诱导超导体-绝缘体转变（SIT）是非常相似的一个正常的磁场。由于平行位形中明显缺少作为场致SIT理论核心的玻色子-涡旋对偶性，我们不得不得出理论不足的结论。
2000-04-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Amorphous Vortex Glass Phase in Strongly Disordered Superconductors
我们引入一个描述强无序三维超导体中涡旋的模型。该模型侧重于拓扑缺陷，即，位错线，在一个弹性描述的涡旋晶格。该模型进行了研究，使用蒙特卡罗模拟，揭示了在低温下的玻璃相，分离的连续相变的高温电阻涡流液相。由有限尺寸标度得到了表征相变的临界指数nu ~ 1.3和eta ~ -0.4。
2003-08-28 cond-mat.dis-nn cond-mat.supr-con
Measurement of the Localization Length through the superconductor-insulator transition of ultrathin amorphous beryllium films
基于在电子输运和隧穿中观察到的Efros-Shklovskii行为，我们独立地确定了淬冷凝聚非晶铍膜的局域化长度和介电常数，并确定了它们之间的关系。由于在20 K的正常状态的薄膜的薄层电阻随膜厚度的增加而减小，局部化长度呈指数增加。当局域化长度与Ginzburg-Landau相干长度相交时，超导体-绝缘体转变发生。我们讨论的影响，这些结果的一些问题上的超导性在强无序制度。
2005-11-02 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Effect of Magnetic Impurities in Crystalline and Amorphous States of Superconductors
已经观察到，超导体中的磁性杂质的影响取决于主体超导体是处于晶态还是非晶态而显著不同。基于Kim和Overhauser的最新理论，当平均自由程$\ell$小于BCS相干长度$ξ_{0}$时，随着系统的无序化，$T_{c}$下降的初始斜率减小一个因子$\sqrt{\ell/ξ_{0}}$，这与实验结果一致.此外，对于纯晶态的超导体，超导转变温度$T_{c}$从$T_{c0}$的约50%（对于纯系统）急剧下降到接近临界杂质浓度的零。这种{ \sl纯极限行为}确实是由Roden和Zimmermeyer在晶体Cd中发现的。
2000-12-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Surface pinning in amorphous ZrTiCuNiBe alloy
我们测量了混合态超导体（非晶ZrTiCuNiBe合金）由于磁通晶格与弹性波的相互作用而辐射的电磁场的振幅和相位。结果无疑指向一个表面钉扎到磁通晶格动力学的重要贡献。本文提出了一个描述非均匀钉扎超导体电磁场辐射的模型。该模型允许从实验数据重建粘度和Labush参数。Labush参数的行为可以用允许热涨落的集体钉扎理论定性地解释。
2004-05-26 cond-mat.supr-con
Measuring the Localization Length through the superconductor-insulator transition in ultrathin amorphous beryllium films
本文同时测量了急冷凝聚非晶态铍膜的超导-绝缘体（SI）转变的电子输运和隧穿。当Mn杂质引入到薄膜中时，先前在绝缘膜中观察到的异常负磁阻消失，恢复了相当干净的Efros-Shklovskii型跳跃行为。输运和隧穿数据的组合使我们能够独立地确定薄膜的局域化长度和介电常数，并且最多可以确定一个统一数量级的常数。随着薄膜厚度的增加，薄膜在20 K下的正常态方块电阻减小，薄膜的电阻率L呈指数增长。SI跃迁发生在λ_{L}穿过Ginzburg-Landau相干长度λ_{S}时。
2005-11-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Effects of randomness on the critical temperature in quasi-two-dimensional organic superconductors
本文研究了非磁无序对具有面内单线态配对的有机弱连接层状超导体的临界温度T_c的影响。层间Josephson耦合的随机性破坏了层间的相位相干性，在较大的无序强度范围内，T_c被平滑地抑制。然而，任意高强度的无序并不能完全破坏超导相。所得到的临界温度随无序强度的增加而呈准线性下降的结果与实验测量结果吻合得很好。
2012-12-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Theoretical Analysis of Drag Resistance in Amorphous Thin Films Exhibiting Superconductor-Insulator-Transition
非晶薄膜中的磁场调谐超导体-绝缘体转变，例如，Ta和InO，表现出一系列尚未解释的奇怪现象，如一个假定的低电阻金属相介入超导和绝缘相，以及在大磁场下磁阻的巨大峰值。定性地说，这些现象可以在几个显著不同的图像中得到同样好的解释，特别是量子涡旋液体的凝聚，以及嵌入正常区域的超导岛的渗透。最近，我们提出并分析了一种新的测量，应该能够果断地指向正确的图片：在非晶薄膜双层设置的阻力测量。在忽略层间隧穿的情况下，我们发现涡旋模式中的阻力具有相反的符号，并且比竞争模式中的阻力大几个数量级。例如，如Sambandamurthy等人2004中的两个相同的膜，在0.07 K下具有25 nm的层间距，根据涡旋理论将产生拖曳阻力$\sim10^{-4}Ω$，但对于渗滤理论仅产生$\sim10^{-12}Ω$。我们提供的细节，我们的理论分析的阻力在这两种范式，并报告一些新的结果。
2010-05-14 cond-mat.dis-nn cond-mat.supr-con
Upper critical field and superconductor-metal transition in ultrathin niobium films
最近的研究表明，在无序超导薄膜中，超导态可能是本征不均匀的。在这里，我们调查的SC状态的性质在Nb 2 O3薄膜，厚度$d$范围从1.2 nm到20 nm，经历了从非晶到多晶结构的转变，在厚度$d \simeq 3.3$ nm。结果表明，在多晶和非晶薄膜中，SC态的性质有很大的不同。上临界场（$H_{c2}$）在第一种情况下是轨道限制的，在第二种情况下是顺磁限制的.观察到磁场诱导的超导体-金属转变，在多晶或非晶薄膜中，临界场近似恒定或随薄膜电导呈幂律减小。标度分析表明，在这两种类型的电影不同的标度指数。SC波动对电导率的负贡献存在于$H_{c2}$之上，在非晶膜中特别明显，这表明存在波动的库珀对。这些观察表明，在非晶薄膜中的局部不均匀性的发展，在邻近耦合SC岛的形式。在非晶薄膜中观察到冷却时SC相关性的通常演变，这可能与邻近诱导的相位相干性上的量子涨落的影响有关。
2020-09-08 cond-mat.other cond-mat.supr-con
Limited role of vortices in transport in highly disordered superconductors near $B_{c2}$
在有限的温度和磁场下，混合状态下的II型超导体具有与涡旋运动压倒性相关的非零电阻。在这项工作中，我们研究了非晶氧化铟薄膜，这是厚于超导相干长度，并表明，附近的$B_{c2}$，他们的电阻在垂直和面内磁场的存在下变得几乎各向同性。直到磁场的线性重新缩放，平衡电阻以及非平衡电流-电压特性对磁场取向不敏感，这表明对于我们的超导体，垂直和面内磁场之间的传输没有根本区别。此外，我们表明，这种近各向同性的行为延伸到绝缘相的非晶氧化铟膜的无序强度较大，经历了磁场驱动的超导体-绝缘体转变。这种近乎各向同性的行为引起了关于涡旋在传输中的作用和薄膜超导体中电阻起源的问题。
2019-11-07 cond-mat.supr-con
Vortex Dynamics in Amorphous MoSi Superconducting Thin Films
在过去的几十年里，超导体中的涡旋动力学受到了基础研究者和应用研究者的极大关注。由于它在II型超导体的能量弛豫过程中的关键作用，涡旋动力学被认为是新兴超导器件的关键因素，但辐照对涡旋动力学的影响仍然不清楚。在外加磁场和辐照下的电输运测量的支持下，研究了非晶MoSi（a-MoSi）超导薄膜中涡旋动力学的光子效应。由Larkin Ovchinnikov模型导出的依赖于磁场的临界涡旋速度v* 不受辐照的显著影响。然而，涡旋脱钉被发现是由光子引起的势垒的减少，这减轻了膜的不均匀性对超导电性的a-MoSi薄膜的不利影响增强。深入了解MoSi薄膜在外界激励作用下的涡旋动力学特性，对于进一步开展这一领域的基础研究和优化未来的超导器件都具有重要意义。
2021-09-17 cond-mat.supr-con
Upper critical field, critical current density and thermally activated flux flow in CaFFe0.9Co0.1As superconductor
本文报道了CaFFe_（0.9）Co_（0.1）As超导体的合成、结构、转变温度、上临界场、临界电流密度和热激活磁通。在23 K时，Co取代Fe原子产生超导电性，用Werthamer-Helfand-Hohenberg公式估算其上临界场为102 T。在1 T和9 T磁场下，磁通流激活能（U 0/kB）分别为3230 K和4190 K。在2K时，零磁场和6 T磁场下的J_c分别约为4 × 10 ~（^3）A/cm ~ 2和0.3 × 10 ~（^3）A/cm ~ 2。透射电子显微镜分析表明，在大部分的晶粒周围，这是可能存在的形式，在这种化合物的非晶和弱连接晶界的非晶区域。似乎大部分电流被未对准的晶粒、无定形晶界和杂质阻碍，这些总是在晶粒之间发现。弱连接颗粒和它们的弱钉扎颗粒间约瑟夫森涡旋的存在是导致低Jc和电阻率的Arrhenius温度依赖性的原因
2012-02-13 cond-mat.supr-con
Visualizing the morphology of vortex lattice domains in a bulk type-II superconductor
类似于凝聚态物质呈现出结晶、非晶、液态和空间不均匀相的各种状态，这种结构同样在超导涡旋物质中观察到。
2013-12-10 cond-mat.supr-con
Effect of Electron Count and Chemical Complexity in the Ta-Nb-Hf-Zr-Ti High-Entropy Alloy Superconductor
高熵合金是由简单晶格上主要元素的随机混合物制成的，由高混合熵稳定。最近发现的体心立方Ta-Nb-Hf-Zr-Ti高熵合金超导体显示出简单晶态金属间化合物和非晶态材料的性质，例如，它具有良好的超导转变以及对无序的异常鲁棒性。在这里，我们表明，在高熵合金的超导转变温度的价电子数的依赖性之间的类似的简单的固溶体和非晶材料，并测试合金的复杂性对超导电性的影响。我们提出高熵合金作为研究超导性的优良中间系统，因为它之间的结晶和非晶材料的演变。
2016-10-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Unstable and elusive superconductors
我们简要地回顾了以前的亚稳态或可能的超导材料的背景下，报告原始的实验结果。研究表明，外加电场诱导氯化铜（CuCl）处于导电状态，其特征类似于滑动电荷密度波（CDW）。我们讨论是否滑动CDW或集体运输的类似有序的电荷相（S）可以解释的问题，“高温超导”观察到在这个和其他材料，包括硫化镉（CdS），金属氨溶液，聚合物，无定形碳和钨氧化物。我们还讨论了发生在石墨和无定形碳表面的外来原子/分子的沉积下的局部超导性。
2015-05-28 cond-mat.supr-con
Critical disorder effects in Josephson-coupled quasi-one-dimensional superconductors
研究了一类准一维超导体的非磁随机性对临界温度T_c和抗磁性的影响。线之间的约瑟夫森耦合的能量被认为是随机的，这是典型的脏有机超导体。结果表明，这种随机性破坏了导线之间的相位相干性，当随机性达到一个临界值时，T_c不连续地消失。在不同的临界温度T_c^{（1）}和T_c下，穿透深度的平行分量和横向分量出现发散，对应于对破缺和相相干破缺。无序和量子相位涨落之间的相互作用导致T=0时的量子临界行为，表现为临界无序强度下的一阶超导-正常金属相变。
2011-03-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetoresistance Anisotropy in Amorphous Superconducting Thin Films: A Site-Bond Percolation Approach
最近的测量非晶超导薄膜在倾斜磁场中的磁阻（MR）显示了几个令人惊讶的实验细节，特别是在低磁场下，MR对场角的强烈依赖性，在大磁场下，这种依赖性减小，然后改变符号。使用一个广义的网站键渗流模型，考虑到轨道和塞曼效应的磁场，我们表明，由此产生的MR曲线再现的主要实验功能。这样的测量，伴随着相应的理论，可能是至关重要的，在精确定位的超导体-绝缘体转变和MR峰在薄无序膜的正确理论。
2014-10-09 cond-mat.supr-con
Non-thermal origin of nonlinear transport across magnetically induced superconductor-metal-insulator transition
本文研究了垂直磁场和温度对非晶Ta超导薄膜中非线性电子输运的影响。在零温极限下，薄膜表现出磁场诱导的金属行为，介入超导体-绝缘体转变。我们表明，在超导和金属相的非线性输运是非热起源，并伴随着一个非常长的电压响应时间。
2006-05-31 cond-mat.supr-con
Local insulator-to-superconductor transition in amorphous InO$_x$ films modulated by e-beam irradiation
本文提出用室温电子束辐照在非晶InO$_x$薄膜微米区域实现绝缘体到超导体的局域转变，并通过调节电子剂量和加速电压精确控制$T_c$最高至2.8 K，为构建微米尺度超导结构提供了新途径。
2025-11-06 cond-mat.dis-nn cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Suppression of the superconductivity in ultrathin amorphous Mo$_{78}$Ge$_{22}$ thin films observed by STM
在与超导体接触时，正常金属由于Andreev反射而改变其性质。本文用STM从Au侧研究了超导体-正常金属Mo $_{78}$ Ge $_{22}$ - Au双层膜的局域态密度。在硅酸盐玻璃衬底上制备了100、10和5 nm MoGe薄膜，并在其上覆盖5 nm Au层。在0.5 ~ 7 K温度范围内测量了隧道谱。形貌和归一化零偏压电导（ZBC）之间的二维互相关表明100和10 nm MoGe薄膜和Au层之间存在邻近效应，其中观察到的超导能隙略小于块状MoGe的超导能隙。Au上最薄的5 nm MoGe层的效果导致小得多的间隙，此外LDOS显示几乎完全抑制的相干峰。这是由于在MoGe膜和衬底之间的界面处的自旋反转过程的强的对断裂效应。
2017-04-20 cond-mat.supr-con
Collective energy gap of preformed Cooper-pairs in disordered superconductors
在大多数超导体中，向超导态的转变是由电子结合成库珀对驱动的。这些电子对在转变温度$T_c$下形成的同时，也凝聚成一个单一的、相位相干的量子态。在一些无序的非晶超导体中，会发生不同的情况：非相干的库珀对首先在$T_c$上方预形成，导致赝能隙的打开，然后在$T_c$处凝聚成相位相干的超导态，而不是配对驱动的跃迁。这样的两步方案意味着存在一个新的能量尺度，$Δ_{c}$，驱动集体超导转变的预制对。在这里，我们揭示了这种能量尺度的Andreev光谱在超导薄膜的非晶氧化铟。我们观察到两个Andreev电导峰在$\pm Δ_{c}$，开发只有低于$T_c$和高度无序的薄膜过渡到绝缘体的边缘。我们的研究结果表明，非晶超导薄膜提供了原型无序量子系统，探索集体超流转变的预制库珀对对。
2018-06-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Quenched randomness, thermal fluctuations and reentrant superconductivity: application to UTe$_2$
在候选自旋三重态超导体UTe $_2$中观察到了重入超导性随沿难磁化轴施加的磁场的变化。电阻率测量表明，在最小值$T_c$附近出现了一个加宽的超导转变，突出了超导波动在这一制度中的重要性。我们提出了一个唯象的研究假设场驱动的一级转变之间的两个超导态。我们表明，淬火随机性，不稳定性增强的超导波动附近的过渡可以自然地解释重入超导性以及加宽的超导过渡。
2022-05-09 cond-mat.supr-con
Superconductor-Insulator Transition in a Capacitively Coupled Dissipative Environment
我们对无序非晶薄膜进行了研究，这种薄膜可能经历场调谐的超导体-绝缘体转变。在薄膜附近添加平行的地平面改变了转变的性质。虽然“脏玻色子”理论所预期的屏蔽效应并不明显，但有证据表明，地平面将某种类型的耗散耦合到系统中，由于相变引起的耗散类似地耦合到量子相变系统中，例如超导体-绝缘体转变和约瑟夫森结阵列。
2001-11-09 cond-mat.supr-con
Transverse Meissner Physics of Planar Superconductors with Columnar Pins
具有柱状缺陷的热激发涡旋线的统计力学可以映射到在少一个维度上具有淬灭随机无序的相互作用量子粒子的物理学上。当外部磁场从列方向倾斜足够远时，II型超导体中玻色玻璃相的破坏被描述为一个知之甚少的非厄米量子相变。我们在这里提出的确切结果，这种过渡在（1+1）维，通过映射到一维费米子描述的非厄米紧束缚模型的硬核限制的问题。场地随机性和债券随机性的相对未探索的情况下被认为是。在后一种情况下，迁移率边缘附近和带中心附近的分析是由一个实空间重整化群程序以前用于厄米量子问题淬火随机性在一维方便。
2006-05-30 cond-mat.dis-nn cond-mat.supr-con
First-order quantum breakdown of superconductivity in amorphous superconductors
本文通过微波谐振器测量证明氧化铟非晶超导薄膜在临界无序处发生一阶量子相变，揭示超流刚度和转变温度的跳变及 Cooper 对排斥相互作用的关键作用。
2024-09-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Signatures of Amorphous Shiba State in FeTe$_{0.55}$Se$_{0.45}$
本文通过扫描隧道谱发现FeTe$_{0.55}$Se$_{0.45}$中能隙上方的多个态密度峰并非不同能带的相干峰，而是空间重叠的广义Shiba态，揭示其超导态可能具有类似半导体杂质带的非晶Bogoliubov准粒子态。
2024-08-29 cond-mat.supr-con
Cooper Pair Insulator phase induced in amorphous Pb$_0.9$Bi$_0.1$ thin films
在一些强无序薄膜系统的超导-绝缘体相变附近出现了库珀对绝缘体（CPI）相。最近的许多研究集中在驱动潜在的库珀对本地化的机制。我们目前的数据显示，CPI相的发展，在非晶Pb $_{0.9}$ Bi $_{0.1}$膜沉积到纳米多孔阳极氧化铝表面上，正如它已被证明为发展的a-Bi膜。这一结果证实了CPI相由于衬底的结构而出现的断言。它支持的图片，纳米薄膜厚度的变化引起的基板驱动本地化。此外，这意味着CPI相可以在可以沉积到该表面上的任何超导材料中被诱导。
2013-01-25 cond-mat.supr-con
Evidence of Spatially Inhomogeous Pairing on the Insulating Side of a Disorder-Tuned Superconductor-Insulator Transition
非晶绝缘氧化铟薄膜的输运性质的测量已被解释为存在的超导岛的绝缘侧的无序调谐的超导体-绝缘体转变的证据。虽然薄膜不是颗粒状的，但其行为类似于在颗粒状薄膜中观察到的行为。结果支持的理论模型中，超导性的破坏无序产生空间非均匀配对的光谱间隙。
2007-12-18 cond-mat.supr-con
Superconductivity in amorphous RexZr (x ~ 6) thin films
本文报道了一种新的非晶超导体RexZr（x ~ 6）薄膜的生长、表征和超导特性。薄膜生长的脉冲激光沉积与基板保持在室温下。厚度大于40 nm的薄膜的超导转变温度（Tc）为5.9 K。测量了不同厚度的薄膜从120到3纳米的超导性能。正常状态电阻与厚度的倒数成线性比例。转变温度、临界场、相干长度、穿透深度和超导能隙随薄膜厚度减小而变化不大。扫描隧道光谱和穿透深度的测量提供了单间隙强耦合s波超导体的证据。磁输运性质表明，丰富的磁场-温度相图的涡旋液相存在的混合状态的大部分的可能性。
2020-12-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Magnetic Field Tuned Quantum Phase Transition in the Insulating Regime of Ultrathin Amorphous Bi Films
在经历厚度调谐的超导体-绝缘体转变的一系列非晶Bi的均匀、猝灭凝聚膜的绝缘膜中发现了电阻随垂直磁场的惊人的强变化，以及电阻对场的峰值R（B）。发现磁电阻而不是电阻与磁场的等温线在一个明确定义的磁场处相交，该磁场高于对应于R（B）峰值的磁场。对于B的所有值，R（T）被发现服从阿耳修斯形式。在交叉磁场中，前因子等于电子对的量子电阻h/4 e ^2，激活能回到零场值。这些观察结果表明，交叉是两个不同的绝缘基态之间的量子相变的标志，由磁场调谐。
2011-01-30 cond-mat.supr-con
Investigating superconductor-insulator transition in thin films using drag resistance:Theoretical analysis of a proposed experiment
非晶薄膜（例如，InO，Ta）的磁电阻效应表现出一些神秘的现象，如金属相和巨大的磁电阻峰。不幸的是，几个相互冲突的理论类别，特别是量子涡旋凝聚和正常区域渗透，同样很好地解释了关键的观察结果。我们提出了一个新的实验装置，一个非晶薄膜双层，其中阻力测量将澄清量子涡旋在过渡中发挥的作用，因此果断地指向正确的图片。我们提供了一个彻底的分析的设备，这表明，涡流范例引起的阻力与相反的符号和数量级大于阻力测量，如果竞争的范例适用。
2009-11-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Vortices and quasiparticles near the "superconductor-insulator" transition in thin films
研究了在垂直磁场（B）驱动下非晶超导薄膜的低温行为。为此，我们引入了一个新的双流体配方组成的费米子化场诱导的涡旋和电中性Bogoliubov准粒子（自旋）通过长程统计相互作用。这种方法使我们能够获得一种新型的非费米液相，它自然地介于低B超导体和高B正常金属之间。我们讨论了运输，热力学和隧道特性所产生的“涡旋金属”相。
2005-05-10 cond-mat.supr-con
Non-equilibrium restoration of duality symmetry in the vicinity of the superconductor-insulator transition
通过对哈密顿量进行涡旋-电荷对偶变换，对磁场驱动下的薄膜的超导-绝缘转变进行了理论分析。涡旋凝结是绝热相形成的重要物理机制。实验证据支持对偶对称性的磁场驱动的超导体到绝缘体的转变在非晶氧化铟薄膜。与直觉相反，对偶对称性在低温下被破坏，其中绝缘相发展出强烈的非线性电流-电压特性。在这里，我们遵循二元对称性的崩溃到非常低的温度，并证明了二元对称性的恢复平衡。
2017-09-28 cond-mat.supr-con
Electrostatic Tuning of the Properties of Disordered Indium Oxide Films near the Superconductor-Insulator Transition
利用双电层晶体结构研究了非晶氧化铟（InO）薄膜的电学性质随载流子浓度的变化。使用离子液体作为栅极电介质，载流子的变化可达7 × 10^（14）载流子/cm ^2。超导体-绝缘体的转变被遍历和大的磁阻峰的大小和位置中发现的绝缘制度进行了修改。系统的变化与电荷浓度的磁阻峰值被发现是定性的模拟的基础上，涉及粒度。
2013-05-28 cond-mat.supr-con
Possible robust insulator-superconductor transition on solid inert gas and other substrates
我们目前的观察绝缘体-超导体的转变，铋的非晶石英，石英涂有锗，并为第一次，固体氙凝聚在石英薄膜。相对磁导率$ε_r$的范围从1.5（对于锗）到15（对于锗）。虽然我们发现了预期的屏蔽效应，但I-S转变是稳健的，并且未被底物修饰。对于所有衬底，电阻分界线接近h/4e^2，交叉厚度接近$\rm 25 Å$。I-V研究和Aslamazov-Larkin分析表明超导性是不均匀的。这种转变可以用渗流模型来理解。
2000-11-10 cond-mat.supr-con
Josephson Effect in Metal - Polyimide - Metal Sandwich Structures
我们已经观察到，在没有施加电场的情况下，并且在仅为实现与金属电极的可靠电接触所必需的低压下，置于两个金属电极之间的非晶聚酰亚胺薄膜变得高度导电。我们首次在超导体-聚酰亚胺薄膜-超导体的三明治结构中观察到约瑟夫森效应。
2001-05-15 cond-mat.supr-con
Vortex stripe glass with self-generated randomness
通过数值模拟发现，在各向异性约瑟夫森耦合的正方晶格上的阻挫约瑟夫森结阵列（JJA）在不存在淬火无序的情况下存在有限温度玻璃化转变。在低温下，涡旋向耦合较弱的方向发展。整个非晶涡旋固体可以通过非平凡的软模平滑地流向强耦合的方向。其结果是宏观相位相干性被破坏，这让人想起纯体超导体中的涡流或阻挫磁体中的自旋手征解耦。相反，这样的软模式是不存在的方向较弱的耦合。因此，该系统表现为欧姆（未堵塞）液体或超导（堵塞）固体相对于注入外部电流，即。e.沿不同方向剪切。这种干扰玻璃转变可以被看作是奥布里转变的二维实现。
2009-07-22 cond-mat.stat-mech cond-mat.supr-con
Superconductor-Insulator Transitions and Insulators with Localized Pairs
本文介绍了两个与定域库珀对问题有关的实验。研究了非晶In-O薄膜的磁场调谐超导-绝缘体转变，超导转变起始于2K附近的零场。在T> 0.3K的温度范围内进行的实验表明，在临界场B=B_c处，电阻dR/dT的一阶导数在T=0处不为零，因此标度关系应写成更一般的形式。高电阻亚稳合金Cd-Sb的超导体-绝缘体转变的绝缘侧的磁输运的研究揭示了低于0.1 K的分流condiction机制，除了通常的单粒子跳跃。讨论了成对跳跃的可能性。
1997-09-01 cond-mat.supr-con
Anomalous Parallel Field Negative Magnetoresistance in Ultrathin Films Near the Superconductor-Insulator Transition
在厚度调谐的超导体-绝缘体转变附近，在非晶铋的猝灭凝聚的超导薄膜中发现了平行场负磁电阻。这种效应似乎是与量子临界点相关的序参量的量子涨落的特征。
2004-08-14 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Edge states of 2D time-reversal-invariant topological superconductors with strong interactions and disorder: A view from the lattice
本文通过强无序重整化群分析二维时间反演不变拓扑超导体边缘的一维晶格模型，发现强相互作用和无序可自发破缺时间反演，使马约拉纳费米子局域化到畴壁，并形成稳定的无限随机不动点相。
2023-08-07 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Depairing currents in superconducting films of Nb and amorphous MoGe
我们测量了超导薄膜中的退配对电流J_{dp}随温度的变化。这种测量的主要困难是必须避免由于接触或涡流而产生的加热。后者几乎是不可避免的，因为样品截面通常大于超导相干长度λ_s和磁场穿透深度λ_s。另一方面，涡流是有帮助的，因为它使样品上的电流分布均匀化。本文采用脉冲电流法测量了多晶Nb薄膜（低λ_s，低电阻率ρ）和非晶Mo_{0.7} Ge_{0.3}薄膜（高λ_s，高电阻率ρ）中的破坏电流，克服了损耗引起的困难。J_{dp}的实验值为不同的桥尺寸与理论预测Kupriyanov和Lukichev脏极限超导体进行了比较。对于最小的样品，我们发现一个非常好的协议与理论，基本上在整个温度区间低于超导临界温度。
2003-12-18 cond-mat.supr-con
Destruction of superconductivity in disordered materials : a dimensional crossover
通过改变样品厚度$d$，研究了不同Nb组分$x$的非晶Nb $_{x}$ Si $_{1-x}$二维薄膜中无序诱导的超导体-绝缘体转变.我们表明，临界厚度$d_c$，从绝缘的超导制度，随着减少$x$强烈增加，从而达到超过100欧姆的值。相应的相图中的$(d, x)$平面推断和相关的三维情况。二维的超导体到绝缘体的转变与三维的超导体到金属的转变良好连接。
2014-08-15 cond-mat.supr-con
Scaling analysis of the magnetic-field-tuned quantum transition in superconducting amorphous In-O films
研究了不同氧含量和不同电子密度的非晶In-O薄膜中的磁场调谐超导体-绝缘体量子跃迁。虽然在零场SIT附近的膜的状态的二维标度行为被确认，在超导相的SIT方案的变化的更深的状态：除了描述的波动引起的库珀对的导电性的标度函数，出现了依赖于温度的膜电阻的贡献。这种贡献可以来自正常电子的导电性。
2000-02-04 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
New Universality Class at the Magnetic Field Tuned Superconductor-Insulator Transition?
用外加磁场对非晶Bi的超导体-绝缘体转变进行了调谐。已进行了有限尺寸标度分析，以确定五种不同厚度和正常状态电阻的膜的临界指数积vz=0.7。这一结果不同于在以前的实验中发现的InOx和MoGe膜的指数。我们讨论了这种分歧的几个可能的原因。
1998-08-12 cond-mat.dis-nn cond-mat.supr-con
Power law resistivity behavior in 2D superconductors across the magnetic-field tuned superconductor-insulator transition
我们提出了一个系统的研究结果的非晶氧化铟薄膜附近的超导体-绝缘体转变。我们发现，薄膜的电阻率遵循一个简单的，定义明确的，幂律依赖于垂直磁场。这种依赖性在绝缘状态下也很好。我们的研究结果表明，涡旋在我们的薄膜在超导以及绝缘阶段的运输中发挥了核心作用。
2006-08-04 cond-mat.dis-nn cond-mat.supr-con
Vortex dynamics in layered superconductors with correlated defects: influence of interlayer coupling
本文详细研究了两种具有本征共面缺陷但层间耦合不同的非晶Ta_（0.3）Ge_（0.7）/Ge多层膜的涡旋动力学和涡旋相图。钉扎玻色玻璃相在更弱耦合的样品中仅存在于交叉场H* 以下，与强耦合膜形成鲜明对比。在H* 以上，通量线被认为分裂成饼状涡流，并且当场沿着延伸的缺陷对齐时，交叉场显著增加。这两种薄膜在玻色玻璃相中表现出不同的涡旋蠕变激发。
2001-04-27 cond-mat.supr-con
Cooper pair insulator in amorphous films induced by nanometer-scale thickness variations
超导（SC）材料，如欠掺杂铜氧化物、强磁场中的低维超导体以及绝缘体-超导体转变（IST）附近的绝缘膜，其反常的输运性质被认为是由于非均匀相的形成。难以将行为与观察到的不均匀性联系起来，使得这些联系不确定。这里主要感兴趣的建议，绝缘膜附近的IST，这表明了激活电阻和巨大的正磁阻，包含岛的库珀对（CP）。在这里，我们提出的证据表明，这些类型的不均匀性是必不可少的，这样的绝缘相在非晶Bi（a-Bi）薄膜沉积在基板上的图案与纳米尺寸的孔。图案化引起膜厚度变化和对应的耦合常数变化，其将绝缘体的成分从局部电子转变为CP。九种不同衬底上的膜的厚度调谐的ISTS附近的分析表明，SC岛之间的弱链接占主导地位的运输。特别地，当链路电阻接近对的电阻量子时，IST都发生。这些观察导致详细的图片CP本地化的超导耦合常数的空间变化。
2011-01-28 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Enhancing superconducting critical current by randomness
第二类超导体中高临界电流的关键成分是“钉扎”涡旋的缺陷部位。与先前对纳米图案化人工钉扎的理解相反，在这里，我们明确地表明了在宽磁场范围内随机钉扎比有序阵列的优势。我们发现，一个随机的pinscape的更好的性能是由于其局部密度的钉扎网站（LDOPS），这减轻了运动的旋涡的变化。通过共形映射的随机pinscape实现甚至更高的临界电流增强证实了这一点，其中LDOPS的分布进一步扩大。LDOPS在增强超导临界电流方面的关键作用是随机钉扎与相称钉扎的核心。我们的研究结果突出了随机pinscapes在提高超导临界电流的应用超导体的重要性。
2015-12-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Superconductor-insulator transition in fcc-GeSb2Te4 at elevated pressures
我们表明，在fcc相（f-GST），这是一个绝缘体，在低温环境压力下，在高压下成为超导体的多晶GeSb_2Te_4。我们对低温下超导体到绝缘体的转变与压力的关系的研究揭示了一个二阶量子相变，其转变温度随压力的线性标度（临界指数接近于1）高于临界零温压力。此外，我们证明，在较高的压力下的f-GST通过非晶化的bcc GST（b-GST），这也成为超导的结构相变。我们还发现，非晶和b-GST的非均匀混合物存在的压力制度，有一个异常的峰值的磁阻，并提出了解释这种异常。
2017-09-06 cond-mat.supr-con
Magnetization Measurement of a Possible High-Temperature Superconducting State in Amorphous Carbon Doped with Sulfur
用磁化强度M（T，H）测量了掺硫非晶碳粉（AC-S）在T_c = 38 K以下的非均匀超导性。构造的磁场-温度（H-T）相图类似于II型超导体。然而，AC-S显示了一些异常。特别地，我们观察到（1）下临界场H_c1（T）的非单调行为;（2）与磁通晶格熔化线Hm（T）相关联的“上临界场边界”的显著正曲率;（3）与SC共存的自发类铁磁磁化M0。
2009-02-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Liquid Metals Routes towards Making Superconductors
Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences（中国科学院理化技术研究所）；University of Chinese Academy of Sciences（中国科学院大学）
提出液态金属衍生超导体（LMDS）范式，利用室温液态金属作为动态反应介质，实现近环境条件下超导材料的快速制备，并整合数据驱动方法加速材料设计。
2026-07-02 cond-mat.supr-con
Quantum-fluctuation effects in transport properties of superconductors above the paramagnetic limit
本文研究了塞曼场诱导的无序薄膜在量子临界点附近的输运。我们计算校正正常状态下的电导率由于量子配对波动。涨落引起的输运是由虚准粒子而不是实准粒子介导的。我们发现在零温度下，当修正来自于纯量子涨落时，Aslamazov-Larkin的亚导电性项、Maki-Thompson干涉贡献和态密度效应都是相同量级的.总修正导致负磁阻效应。这一结果与最近在平行磁场中观察到的均匀无序非晶薄膜和在氧化物界面上实现的超导二维电子气的输运结果定性一致。
2012-02-23 cond-mat.supr-con
