Anomalous D'yakonov-Perel' spin relaxation in semiconductor quantum wells under strong magnetic field in Voigt configuration
本文报道了在强磁场作用下，半导体量子阱中Voigt组态的D 'yakonov-Perel'自旋弛豫随动量弛豫的反常标度.重点讨论了外磁场垂直于自旋轨道耦合感应的有效磁场且其强度远大于后者的情况。发现即使在强散射极限下，纵向自旋弛豫时间也与动量弛豫时间成正比，表明D 'yakonov-Perel'自旋弛豫具有Elliott-Yafet类行为.此外，横向自旋弛豫时间是成反比（成比例）的动量弛豫时间在弱（强）散射限制，无论是在相反的趋势对既定的传统的D 'yakonov-Perel'自旋弛豫行为。我们进一步证明了上述所有反常标度关系都来自于有效非均匀加宽的唯一形式。
2013-05-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Intrinsic electron spin relaxation due to the D'yakonov-Perel' mechanism in monolayer MoS$_2$
本文研究了单层二硫化钼中D 'yakonov-Perel'机制引起的内禀电子自旋弛豫。由于两个谷中垂直于单层二硫化钼平面的相反的有效磁场以及谷间的电子-声子散射，揭示了一个谷间的面内自旋弛豫通道。谷间电子-声子散射始终处于弱散射极限，导致面内自旋弛豫时间随温度的升高而迅速减小。面内自旋弛豫时间随电子密度的增加而减小。
2013-12-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
D'yakonov-Perel' spin relaxation in InSb/AlInSb quantum wells
通过自洽求解八带Kane模型和Poisson方程，从理论上研究了D 'yakonov-Perel'自旋弛豫时间。我们的结果显示了窄带半导体中由于反常自旋轨道相互作用而引起的独特的单带模型行为，并且与最近的实验（K. L. Litvinenko等人，New J. Phys. \textbf{8}，49（2006））。我们发现在4 K下，在一定的电子密度下，自旋沿[ $1\bar{1}0$ ]排列时，自旋弛豫时间出现了强烈的共振增强。该共振峰随着温度的升高而模糊。
2009-11-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Nonexponential spin decay in a quantum kinetic description of the D'yakonov-Perel' mechanism mediated by impurity scattering
研究了光激发窄量子阱中的电子自旋动力学，其中电子自旋在依赖于k的磁场中进动，而电子在局域杂质处散射。对于由此产生的自旋衰变，通常称为D 'yakonov-Perel' mechanism，在强散射和弱散射极限下的解析表达式是可用的。它是由量子动力学方程的数值解发现在很宽的参数范围内，在通常相关的超快光学实验的情况下，总自旋极化的动态显着偏离相关的分析结果。这归因于光激发的自旋极化电子分布的宽光谱宽度，其由于不均匀加宽而引起自旋退相。此外，它被发现，自旋极化的衰减不一定是指数。自旋衰变时间的概念变得模糊，不同的自旋衰变时间定义可能导致不同的结果。自旋极化衰减的长期动力学甚至由代数衰减分量主导。这些发现突出了超短磁光实验中的光激发载流子的宽光谱分布的影响的重要性。
2017-05-29 cond-mat.mes-hall
Electron spin relaxation due to D'yakonov-Perel' and Elliot-Yafet mechanisms in monolayer MoS$_2$: Role of intravalley and intervalley processes
我们研究了单层MoS $_2$中由于D 'yakonov-Perel'和Elliot-Yafet机制引起的电子面内自旋弛豫，包括谷内和谷间过程.我们利用Löwdin分割方法从各向异性的两带哈密顿量出发，考虑导带的内禀自旋轨道耦合，构造了导带的有效哈密顿量.导带的自旋-轨道耦合导致谷内和谷间的D 'yakonov-Perel'自旋弛豫。此外，由于带间自旋混合，还发生了Elliot-Yafet自旋弛豫。我们发现，D 'yakonov-Perel'机制占主导地位的面内自旋弛豫。在这个机制的框架内，intravalley过程中所示的低温下发挥更重要的作用，而在高温下的谷间变得更重要。在这两个温度之间，随着电子密度的增加，面内自旋弛豫的主导过程由谷间弛豫转变为谷内弛豫。此外，我们发现即使在高杂质浓度下，由于自旋轨道耦合中的主导项是各向同性的，这不会导致自旋弛豫以及电子-杂质散射，因此谷内过程也由电子-电子库仑散射主导。这与以前在半导体和石墨烯中的研究非常不同。
2013-12-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
D'yakonov-Perel' spin relaxation under electron-electron collisions in QWs
自旋弛豫的D 'yakonov-Perel'机制与缺乏对称中心的晶体中电子色散曲线的自旋分裂有关。在二维非中心对称系统中，例如量子阱或异质结，自旋分裂是${\bm k}$的线性函数，至少对于小的${\bm k}$值是如此。我们证明了自旋分裂引起的自旋弛豫时间$τ_s$不仅受到动量弛豫过程的控制，而且还受到电子-电子碰撞的控制，电子-电子碰撞对电子迁移率没有影响。为了计算考虑电子-电子散射的时间$τ_s$，我们求解了电子自旋密度矩阵的二维动力学方程。我们展示了如何可以扩展到允许的自旋极化的二维电子气的简并分布的理论。
2003-01-27 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Electron spin relaxation in graphene with random Rashba field: Comparison of D'yakonov-Perel' and Elliott-Yafet--like mechanisms
为了理解石墨烯中自旋弛豫的主要机制，我们采用动力学自旋Bloch方程方法，研究了吸附原子和衬底诱导的随机Rashba场作用下的自旋弛豫.带电吸附原子一方面局部增强Rashba自旋轨道耦合，另一方面充当库仑势散射体。这两种效应都有助于由D 'yakonov-Perel'机制限制的自旋弛豫。此外，随机Rashba场还通过自旋翻转散射引起自旋弛豫，表现为Elliott-Yafet-like机制。这两种机制都对随机Rashba场的关联长度敏感，而随机Rashba场的关联长度可能会受到电子密度和温度等环境参数的影响。通过拟合和比较格罗宁根小组的实验[Józsa { \it et al.}，B { \bf 80}，241403（R）（2009）]和Riverside组[Pi { \it等人}，物理修订版信函{ \bf 104}，187201（2010）; Han和Kawakami，{ \it ibid.} { \bf 107}，047207（2011）]显示出D 'yakonov-Perel'-（自旋弛豫速率与动量散射速率成反比）或Elliott-Yafet-类（自旋弛豫速率与动量散射速率成正比）性质，我们认为D 'yakonov-Perel'机制主导石墨烯中的自旋弛豫。本文介绍了Jo { \it et al.} [Phys. Rev. B { \bf 84}，075453（2011）]也被我…
2012-02-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Ambipolar spin diffusion and D'yakonov-Perel' spin relaxation in GaAs quantum wells
我们报告了半导体中双极自旋扩散的理论和实验研究。在80 K下，用圆偏振激光脉冲激发GaAs多量子阱样品中的自旋极化载流子。扩散的电子和自旋密度同时测量使用空间和时间分辨泵浦探测技术。两个制度的自旋极化电子的扩散观察。最初，自旋扩散的速率类似于密度扩散的速率，并且由双极扩散系数控制。在稍后的时间，自旋扩散相对于密度扩散显著减慢，并且似乎由非恒定（减小）的自旋扩散系数控制。我们认为，自旋密度的长时间行为可以理解为一个不均匀的自旋弛豫率，它随着密度的降低而增长。自旋弛豫速率的行为与载流子间库仑散射限制的D 'yakonov-Perel'弛豫模型一致。
2009-03-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Anomalous D'yakonov-Perel' spin relaxation in InAs (110) quantum wells under strong magnetic field: role of Hartree-Fock self-energy
研究了当Voigt组态中的磁场远强于自旋轨道耦合场时，Hartree-Fock自能作为有效磁场对InAs（110）量子阱中D 'yakonov-Perel'自旋反常弛豫的影响.横向和纵向自旋弛豫的解析和数值讨论。对于横向组态，发现自旋弛豫对Hartree-Fock有效磁场非常敏感，这与传统的D 'yakonov-Perel'自旋弛豫有很大不同.即使是极小的自旋极化（$P=0.1\%$）也能显著影响自旋弛豫的行为。进一步揭示了这是由相互垂直的自旋轨道耦合场和强磁场引起的有效非均匀展宽的{ \em unique}形式引起的。结果表明，这种有效的非均匀加宽是非常小的，因此非常敏感的Hartree-Fock场。此外，我们还发现，在自旋极化依赖性中，横向自旋弛豫时间随着自旋极化度的增加而减小，这与传统的自旋弛豫总是被Hartree-Fock场抑制的情况有很大不同.结果表明，这种{ \em相反}的趋势来自HF场诱导的额外自旋弛豫通道。对于纵向组态，我们发现如果自旋极化方向平行于或反平行于磁场，Hartree-Fock场既可以抑制自旋弛豫，也可以增强自旋弛豫.
2013-11-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Comment on "Density dependence of electron-spin polarization and relaxation in intrinsic GaAs at room temperature"
我们对Teng等人[J. Phys. D：Appl. Phys. { \bf 42}，135111（2009）]的结论进行评论，即在本征体GaAs中，在高载流子密度下，Bir-Aronov-Pikus机制比D 'yakonov-Perel'机制更重要。我们指出自旋弛豫完全来自D 'yakonov-Perel'机制。
2009-07-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Decay of spin polarized hot carrier current in a quasi one-dimensional spin valve structure
本文研究了自旋阀结构中自旋极化热载流子电流的空间衰减，该结构由半金属铁磁接触和半导体量子线组成。由于Rashba自旋轨道相互作用引起的半导体中的D 'yakonov-Perel'自旋弛豫，电流衰减。相关的弛豫长度被发现随着晶格温度的增加而减少（在30-77 K的范围内），并表现出非单调依赖于驱动电流的电场。的弛豫长度是几十微米，这是至少一个数量级大于已在可比的温度，Rashba相互作用强度和电场的二维结构的理论计算。这种改进是一维载流子限制的结果，其不一定抑制载流子散射，但仍然抑制D 'yakonov-Perel'自旋弛豫。
2003-10-10 cond-mat.mes-hall
Spin relaxation in sub-monolayer and monolayer InAs structures grown in GaAs matrix
用时间分辨克尔转动谱研究了InAs/GaAs异质结构中的电子自旋动力学。InAs/GaAs异质结构由InAs（1/3 $\sim$ 1单层）嵌入（001）和（311）A GaAs基体组成。亚单层InAs样品的自旋弛豫时间比单层InAs样品的自旋弛豫时间显著增加。我们将自旋弛豫的减慢归因于运动窄化区域中的尺寸约束D \textquoteright{} yakonov-Perel \textquoteright{}机制。电子自旋弛豫时间和有效的g因子在亚单层样品被发现是强烈依赖于光子产生的载流子密度。讨论了D \textquoteright{} yakonov-Perel \textquoteright{}和Bir-Aronov-Pikus机制对自旋退相干的贡献，解释了不同载流子密度下自旋退相干的温度依赖性.
2009-02-03 cond-mat.mes-hall
Comment on "Photon energy and carrier density dependence of spin dynamics in bulk CdTe crystal at room temperature"
我们对Ma等人的结论进行了评论[Appl. Phys. Lett. { \bf 94}，241112（2009）]中，Elliott-Yafet机制在室温下本征体CdTe中的高载流子密度下比D 'yakonov-Perel'机制更重要。我们指出自旋弛豫完全来自D 'yakonov-Perel'机制。在自旋弛豫时间的密度依赖性中观察到的峰值正是我们在最近的工作中预测的[Phys. Rev. B { \bf 79}，125206（2009）]。
2009-10-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin states in InAs/AlSb/GaSb semiconductor quantum wells
通过自洽求解Kane模型和Poisson方程，从理论上研究了InAs/AlSb/GaSb断隙量子阱中的自旋态. InAs/AlSb/GaSb量子阱中的自旋态与单带Rashba模型中的自旋态有很大的不同，这是由于电子-空穴杂化的结果。最低传导子带的Rashba自旋分裂表现出振荡行为。D 'yakonov-Perel'自旋弛豫时间随Fermi波矢的增加出现多个峰。通过在InAs和GaSb层之间插入AlSb阻挡层，可以大大减少杂化。因此，可以通过改变AlSb势垒的厚度来显着调节自旋取向、自旋分裂和D 'yakonov-Perel'自旋弛豫时间。
2009-11-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Ballistic spin resonance in multisubband quantum wires
Frolov等人[Nature（London）458，868（2009）]在准一维线中实验性地观察到弹道自旋共振。自旋共振是由外部静态磁场和振荡的有效自旋轨道磁场的组合，由于周期性反弹的电子的边界的一个狭窄的通道。当自旋轨道场的频率与外磁场周围的拉莫尔旋进频率相匹配时，观察到D 'yakonov-Perel自旋弛豫速率的增加。在这里，我们开发了一个模型来考虑多子带量子线的D 'yakonov-Perel机制与Rashba和Dresselhaus自旋轨道相互作用。考虑到时间演化算符中的弹性自旋守恒杂质散射（海森堡表示），我们通过计算自旋算符的含时平均值来提取自旋弛豫时间。与自旋弛豫时间行为相关的非局域电压的磁场依赖性显示出宽的平台，与实验观察一致。该平台的出现是由于较高子带的注入和小角度散射。在这种量子力学方法中，自旋共振发生在具有相反自旋的量子线子带的自旋轨道诱导的能量反交叉附近。我们还预测了自旋弛豫时间作为磁场的函数在强自旋轨道耦合系统的异常下降。
2014-03-31 cond-mat.mes-hall
Long-Lived Spin Coherence States
研究了半导体异质结中自旋极化矢量方向不均匀时电子自旋相干性的演化。结果表明，由于D 'yakonov-Perel'弛豫机制引起的电子自旋弛豫时间基本上取决于初始自旋极化分布。这种效应起源于同向扩散的电子的相干自旋旋进。我们预测了一种新结构的长自旋弛豫时间：自旋相干驻波，并讨论了它的实验实现。
2003-11-10 cond-mat.mes-hall
Observation of Long Spin Relaxation Times in Bilayer Graphene at Room Temperature
我们报告的第一个系统的研究在双层石墨烯（BLG）的自旋输运作为迁移率，最小电导率，电荷密度和温度的函数。自旋弛豫时间$τ_s$与室温和低温下BLG样品的迁移率$μ$成反比。这表明了D 'yakonov-Perel'自旋散射在BLG中的重要性.自旋弛豫时间高达2 ns的样品中观察到的迁移率最低。这些时间比之前报道的单层石墨烯（SLG）的任何值都长一个数量级。我们讨论了内在和外在因素的作用，可能导致D 'yakonov-Perel'自旋散射在BLG的优势。与SLG相比，观察到$τ_s$的密度依赖性随温度的显著变化。
2011-06-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magnetic field effects on spin relaxation in heterostructures
从理论上研究了磁场对量子阱中电子自旋弛豫的影响。我们证明了Larmor效应和载流子的回旋运动既可以共同抑制D 'yakonov-Perel'自旋弛豫，也可以相互补偿。自旋弛豫率张量推导出任何给定方向的外部场和任意比例的体积和结构的贡献自旋分裂。我们的结果被应用到SiGe异质结构的电子自旋共振实验中，使我们能够提取这种量子阱的自旋分裂值。
2004-06-16 cond-mat.mes-hall
Monte Carlo simulation of spin polarized transport in nanowires and 2-D channels of III-V semiconductors
利用半经典蒙特卡罗方法模拟了电子沿III-V族纳米线和二维III-V族沟道的自旋极化输运。研究了不同III-V族锌掺杂材料在不同温度、外场等条件下的自旋弛豫长度特性。III-V族沟道中的自旋退相是由D 'yakonov-Perel（DP）弛豫和Elliott-Yafet（EY）弛豫引起的。纳米线中的自旋退相长度大于二维沟道中的自旋退相长度。
2011-11-11 cond-mat.mes-hall
Spin relaxation: From 2D to 1D
在反转非对称半导体中，自旋-轨道相互作用产生非常有效的电子自旋弛豫机制。最近的工作，基于尺寸约束的D 'yakonov Perel'机制，描述了随着沟道宽度的减小，二维导电层的电子自旋弛豫时间增加。自旋弛豫的减慢可以理解为一维极限的前兆。
2010-02-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin Relaxation in Silicon Nanowires
我们模拟了电子沿着硅纳米线和沿着硅二维通道的自旋极化传输。自旋密度矩阵计算与半经典蒙特卡罗方法一起用于模拟沿通道的自旋演化。硅中的自旋失相是由于Rashba自旋轨道相互作用（结构反转不对称性）引起的，其引起D 'yakonov-Perel'弛豫。纳米线中的自旋弛豫长度比二维沟道中的自旋弛豫长度高一个数量级。研究了驱动电场对自旋弛豫的影响。这些结果对自旋电子学器件的设计具有重要意义。
2011-05-01 cond-mat.mes-hall
Optically-Induced Suppression of Spin Relaxation in Two-Dimensional Electron Systems with Rashba Interaction
本文讨论了二维系统中电子的脉冲技术，在某些方面类似于核磁共振中的自旋回波。我们表明，一个序列的光学带隙以下的脉冲可以用来抑制电子自旋弛豫由于D 'yakonov-Perel'自旋弛豫机制。在蒙特卡罗模拟方案中计算了几个脉冲序列的自旋弛豫时间。作为脉冲幅度/宽度的函数的自旋弛豫时间的最大值对应于$π$ -脉冲。重要的是，即使是相对遥远的脉冲也能有效地抑制自旋弛豫。
2007-02-08 cond-mat.mes-hall
Spin relaxation in $n$-type (111) GaAs quantum wells
利用动力学自旋Bloch方程方法研究了$n$型（111）GaAs量子阱中D 'yakonov-Perel'机制限制的自旋弛豫.在（111）GaAs量子阱中，通过Dresselhaus和Rashba自旋轨道耦合项的相互抵消，在适当的栅压下，D 'yakonov-Perel'项的面内有效磁场在特定的动量圆上可以被抑制为零。当自旋极化电子主要分布在这个特殊的圆上时，面内非均匀展宽很小，自旋弛豫得到抑制，特别是沿量子阱生长方向的自旋弛豫。该抵消效应可能导致自旋弛豫时间的密度或温度依赖性中的峰值（抵消峰值）。在密度（温度）依赖性中，抵消峰和普通密度（库仑）峰之间的相互作用导致自旋弛豫时间的密度（温度）依赖性的丰富特征。揭示了不同质量的杂质对自旋弛豫温度相关性中的抵消峰和库仑峰的影响。我们还显示了自旋弛豫相对于自旋极化方向的各向异性。
2010-08-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin relaxation in asymmetrical heterostructures
从理论上研究了非对称A $_3$ B $_5$异质结构中由D 'yakonov-Perel'机制引起的电子自旋弛豫.在很宽的结构参数和温度范围内，总自旋弛豫各向异性被证明。推导了GaAs基异质结和三角形量子阱的自旋弛豫速率依赖关系。计算表明自旋弛豫时间有几个数量级的差异。
2000-11-25 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Spin dephasing in Silicon Germanium nanowires
利用半经典蒙特卡罗方法研究了硅锗纳米线中的自旋极化输运。沟道中的自旋去极化是由于与Rashba自旋轨道耦合相关的D 'yakonov-Perel（DP）弛豫和由于Elliott-Yafet（EY）弛豫引起的。我们研究了硅锗纳米线中自旋退相对锗摩尔分数的依赖关系。自旋退相长度随着锗摩尔分数的增加而减小。我们还发现温度对退相速率有很大的影响，自旋弛豫长度随着温度的降低而增加。系综平均自旋分量和自旋分量的稳态分布随初始极化而变化。
2011-06-23 cond-mat.mes-hall
Nonlinear Rashba Model and Spin Relaxation in Quantum Wells
我们发现Rashba自旋分裂本质上是动量的非线性函数，线性Rasha模型可能会高估它，特别是在窄隙材料中。提出了一个非线性Rashba模型，该模型与八带kp理论的数值结果符合得很好。使用这个模型，我们发现显着的抑制D 'yakonov-Perel'自旋弛豫率在大的电子密度，和一个非单调的依赖关系的共振峰位置的电子自旋寿命的电子密度在[111]取向的量子阱中，无论是在定性与线性Rashba模型的预测不一致。
2006-09-13 cond-mat.mes-hall
Suppression of Spin Relaxation in Submicron InGaAs Wires
我们研究了窄的二维n-InGaAs沟道中电子自旋动力学随沟道宽度的变化。自旋弛豫时间随着通道宽度的减小而增加，根据最近的理论预测，基于尺寸约束的D 'yakonov-Perel'机制。令人惊讶的是，抑制的弛豫速率，这是预期的一维限制，观察到的宽度是一个数量级大于电子平均自由path. We发现的自旋进动长度和通道宽度是相关的长度尺度来解释这些结果。
2006-02-06 cond-mat.mes-hall
Electron Density Dependence of in-plane Spin Relaxation Anisotropy in GaAs/AlGaAs Two-Dimensional Electron Gas
采用时间分辨克尔旋转技术研究了横向磁场下（001）GaAs/AlGaAs异质结构中二维电子的自旋动力学。由于Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合和D 'yakonov-Perel'自旋弛豫的干扰，在150 K以下，面内自旋寿命是各向异性的。面内自旋寿命的比率作为温度和泵浦功率的函数直接测量，显示在2DEG通道中的电子密度强烈影响Rashba自旋轨道耦合。
2012-03-29 cond-mat.mes-hall
Long Distance Spin Transport in High Mobility Graphene on Hexagonal Boron Nitride
我们对迁移率高达40 000 cm $^{-1}$ V $^{-1}$ s $^{-1}$的氮化硼基单层石墨烯器件进行了自旋输运测量。我们可以在室温下观察到长度达20 μm的自旋输运，这是迄今为止对石墨烯测量的最大距离。由于增强的载流子扩散，自旋弛豫长度测量到4.5 μm。弛豫时间类似于较低质量的基于SiO $_2$的器件的值，约为200 ps。我们发现，在几乎相等的措施，由Elliott-Yafet和D 'Yakonov-Perel机制的弛豫速率。
2012-09-10 cond-mat.mes-hall
Spin dephasing in III-V nanowires
我们用半经典蒙特卡罗方法研究了InP和InSb纳米线的自旋极化输运。III-V族沟道中的自旋退相是由于D 'yakonov-Perel（DP）弛豫和由于Elliott-Yafet（EY）弛豫引起的。DP弛豫的发生是由于体反转不对称（Dresselhaus自旋轨道相互作用）和结构反转不对称（Rashba自旋轨道相互作用）。所研究的注入极化方向是沿沟道长度方向。的退相速率被发现是非常强的InSb相比，InP具有较大的自旋退相长度。InP和InSb纳米线的系综平均自旋分量不同。稳态自旋分布也显示了两种III-V纳米线之间的差异。
2011-06-23 cond-mat.mes-hall
Giant Spin Relaxation Anisotropy in Zinc-Blende Heterostructures
自旋弛豫面内各向异性的预测的异质结构的基础上的锌-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x-x它表明，它表现得特别明亮，如果两个自旋弛豫机制（D'yakonov-Perel '和Rashba）的效率相当。结果表明，对于沿[0 0 1]方向生长的量子阱，自旋弛豫速率张量的主轴为[1 1 0]和[1 - 1 0].
2001-07-30 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Coherent spin transport and suppression of spin relaxation in InSb nanowires with single subband occupancy at room temperature
自旋电子学的一个长期目标是在室温下占据单个量子化子带的半导体纳米线中注入、相干传输和检测自旋。在这里，我们报告实现这一目标，在50纳米直径的InSb纳米线，证明自旋阀和汉勒效应。在纳米线的自旋弛豫时间被发现已增加了一个数量级，在散装和量子阱中已报告的D 'yakonov-Perel'自旋弛豫作为一个单一的子带占用的结果，由于抑制。这些实验为实现室温Datta-Das自旋晶体管带来了希望。
2014-01-28 cond-mat.mes-hall
Spin transport in polarization induced two dimensional confinement of carriers in wedge shaped \textit{c}-GaN nanowalls
从理论上研究了楔形\textit{c}取向GAN纳米壁中心垂直面内极化诱导二维电子气通道的自旋输运性质。由于限制势保持了导带和价带之间的空间对称性，因此即使当楔形形状不对称时，该系统中的Rashba效应也被抑制。已经发现，通过D 'yakonov-Perel'（DP）机制沿着约束方向取向的电子自旋的弛豫，这是在该高迁移率沟道中的主要弛豫过程，在低温下被完全关闭。自旋弛豫可以通过在栅极处施加合适的偏置来开启。利用这种显著的效应，一种新型的全电驱动自旋晶体管已经被提出。
2020-07-17 cond-mat.mes-hall
Decay of Persistent Spin Helix due to the Spin Relaxation at Boundaries
本文研究了在Bychkov-Rashba自旋轨道耦合和边界自旋弛豫存在下，一维有限长结构中的电子自旋弛豫。使用自旋动力学方程的方法，我们制定的情况下，部分自旋极化损失的边界条件。利用这些边界条件导出了自旋漂移扩散方程的相应边界条件。后者解析求解的情况下，在一维有限长度结构的均匀自旋极化的弛豫。结果表明，自旋弛豫由三个阶段组成（在某些情况下为两个阶段）--初始的D 'yakonov-Perel'弛豫之后是自旋螺旋的形成和随后的衰变.给出了衰减时间的解析表达式，并通过蒙特卡罗模拟的结果支持了解析结果。
2012-11-13 cond-mat.mes-hall
Dyakonov-Perel spin relaxation near metal-insulator transition and in hopping transport
在具有弱自旋-轨道相互作用的重杂质半导体中，Dyakonov-Perel自旋弛豫速率已知与Drude电导率成比例。我们认为，在弱自旋轨道相互作用的情况下，这种比例超出了德鲁德机制：它保持有效的通过金属-绝缘体过渡和指数小的跳跃电导率的范围内。
2006-04-04 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Electron spin relaxation in graphene: the role of the substrate
发展了SiO $_2$衬底上石墨烯的电子自旋弛豫理论。衬底中的带电杂质和极性光学表面声子诱导了一个有效的随机Bychkov-Rashba-like自旋轨道耦合场，该耦合场通过D 'yakonov-Perel'机制导致自旋弛豫。分析估计和蒙特卡罗模拟表明，相应的自旋弛豫时间在微秒至毫秒之间，仅弱的温度依赖性。还有人认为，石墨烯上吸附原子的存在可能导致自旋寿命短于纳秒。
2009-07-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Spin-orbit coupling and spin relaxation in phosphorene: Intrinsic versus extrinsic effects
用第一性原理计算研究了磷烯的自旋轨道和自旋弛豫性质。内在的自旋-轨道耦合诱导自旋混合的概率为$b^2 \approx 10^{-4}$，表现出大的各向异性，遵循磷烯的各向异性晶体结构。对于动量弛豫时间的实际值，固有（Elliott-Yafet）自旋弛豫时间为数百皮秒至纳秒。施加横向电场（模拟门控和衬底）在磷烯中产生非本征$C_{2v}$对称自旋轨道场，其激活D 'yakonov-Perel'自旋弛豫机制。结果表明，这种非本征自旋弛豫也有很强的各向异性，并可以支配的Elliott-Yafet一个足够强的电场。因此，磷基片上可以表现出一个有趣的相互作用的两个自旋弛豫机制，其各自的作用可以使用我们的结果破译。
2019-02-21 cond-mat.mes-hall
Spin-Orbit Engineering of Semiconductor Heterostructures
我们提出了一个系统的建设的概率电流运营商，有效的哈密顿量的动量幂展开的基础上。结果是有效的Rashba项的存在下，当一个D 'yakonov-Perel贡献包括在内。我们提出了实用的工具，半导体异质结构的自旋轨道工程。我们应用这种形式主义的一个范例系统，两个半无限介质之间的界面，一边是自由电子类材料和另一边的势垒材料与自旋轨道相互作用。我们表明，通常的边界条件，即连续性的包络函数和速度在界面上，根据BenDaniel-Duke的方法，遵守守恒的概率流时，只有第一（Rashba样）和第二阶（自由电子样）项考虑到在哈密顿量。我们重温边界条件，我们证明了包络函数可能是不连续的接口。
2011-09-23 cond-mat.mes-hall
Temperature and Electron Density Dependence of Spin Relaxation in GaAs/AlGaAs Quantum Well
利用时间分辨克尔旋转技术研究了具有不同结构对称性的GaAs/AlGaAs量子阱的自旋动力学随温度和载流子密度的变化。与非对称GaAs量子阱相比，对称GaAs量子阱的自旋弛豫时间要长得多，表明Rashba自旋轨道耦合对自旋弛豫有很强的影响. D 'yakonov-Perel'（DP）机制是GaAs/AlGaAs量子阱自旋弛豫的主要机制。自旋弛豫时间表现出非单调依赖于温度和光激发载流子密度的行为，揭示了电子-电子库仑散射的非单调温度和密度依赖性的重要作用。我们的实验观察表明，与最近发展的自旋弛豫理论的基础上微观动力学自旋布洛赫方程的方法很好的协议。
2010-10-29 cond-mat.mes-hall
Hole spin relaxation in $p$-type (111) GaAs quantum wells
本文研究了$p$型（111）GaAs量子阱中空穴自旋弛豫，其中只考虑最低空穴子带，即（111）GaAs/AlAs中的类重空穴子带和（111）GaAs/InP量子阱中的类轻空穴子带.采用子带Löwdin微扰法得到了包含Dresselhaus和Rashba自旋轨道耦合的有效哈密顿量。在适当的栅压下，（111）GaAs/AlAs量子阱中的面内有效磁场在整个动量空间内都能得到很强的抑制，而（111）GaAs/InP量子阱中的面内有效磁场仅在特定的动量圆上得到抑制。通过完全微观动力学自旋Bloch方程方法计算了D 'yakonov-Perel'和Elliott-Yafet机制引起的空穴自旋弛豫，并明确地包括了所有相关的散射。对于（111）GaAs/AlAs量子阱，预测了极长的重空穴自旋弛豫时间（可达数百纳秒）。此外，我们预测的重空穴自旋弛豫时间的栅电压依赖性由于D 'yakonov-Perel'机制的一个明显的峰值。该峰源于（111）GaAs/AlAs量子阱中独特的非均匀展宽被抑制。此外，由于阱宽较窄的量子阱中轻重空穴之间的自旋混合较小，Elliott-Yafet机制仅在峰区附近影响自旋弛豫.我们还显示了自旋弛豫的各向异性。在（111）GaAs/InP量子阱中，光空穴自旋弛豫时间与栅压的关系也出现了一个与（111）GaAs量子阱中电子的情况类似的温和峰。在这种情况下，Elliott-Yafe…
2012-03-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Hole spin relaxation in intrinsic and $p$-type bulk GaAs
我们从全微观动力学自旋Bloch方程方法研究了本征和$p$型体GaAs中的空穴自旋弛豫。与以往对空穴自旋动力学的研究不同，我们明确地考虑了带内相干性和非极性的空穴-光学-声子相互作用，这两个因素对空穴自旋弛豫都有重要的影响.分析了D 'yakonov-Perel'和Elliott-Yafet机制对空穴自旋弛豫的相对贡献。在计算中，对空穴自旋弛豫起重要作用的屏蔽常数采用无规相位近似处理。在本征GaAs中，我们的结果与室温下的实验数据吻合得很好，其中空穴自旋弛豫被证明是由Elliott-Yafet机制主导的。我们还发现，空穴自旋弛豫强烈依赖于温度和预测的谷的密度依赖性的空穴自旋弛豫时间在低温下由于空穴-电子散射。在$p$型GaAs中，我们预测了自旋弛豫时间与空穴密度的关系在低温下会出现一个峰值，这是由于在简并和非简并区域中屏蔽的不同行为造成的。在散射事件期间屏蔽和动量交换之间的竞争也可以导致在低密度区域中空穴自旋弛豫时间的密度依赖性中的谷。在高温下，由于小的屏蔽常数，屏蔽效应被抑制。此外，我们预测的非单调依赖性的空穴自旋弛豫时间与温度相关的屏蔽连同空穴-声子散射。最后，我们发现，D 'yakonov-Perel'机制可以显着贡献的…（因篇幅限制省略）
2010-08-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Observation of Spin Relaxation Anisotropy in Semiconductor Quantum Wells
利用Hanle效应测量了非对称（001）AlGaAs量子阱中二维电子的自旋弛豫。提取了沿[1 - 10]、[1-10]和[001]晶向取向的自旋的三个不同自旋弛豫时间，证明了D 'yakonov-Perel'自旋弛豫机制的各向异性。半导体量子阱结构中描述自旋轨道耦合的Rashba项和Dresselhaus项的相对强度。结果表明，在所研究的结构中，Rashba自旋轨道分裂比Dresselhaus分裂强约4倍。
2006-01-12 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Coulomb-induced Rashba spin-orbit coupling in semiconductor quantum wells
在没有外场的情况下，半导体量子阱中二维电子气中的Rashba自旋轨道相互作用（SOI）完全来自电离施主的屏蔽静电势。我们调整量子阱的波函数，使得占据第一（最低）子带的电子沿着生长轴（Sz）保持其自旋投影，而占据第二子带的电子由于Rashba SOI而进动。这种特殊设计的量子阱可以用作自旋弛豫触发器：当施加的电压（或电流）低于某个阈值V* 时，电子守恒Sz;较高的电压开启Dyakonov-Perel自旋弛豫。
2010-02-18 cond-mat.mes-hall
Spin relaxation in corrugated graphene
在石墨烯中，由衬底施加的平面外（弯曲）振动和静态波纹使电子自旋松弛，本质上受到镜像对称性的保护。我们计算了弛豫时间在不同的情况下，占所有可能的自旋-声子耦合所允许的六角形对称的晶格。弯曲声子的散射对自旋寿命施加了极限约束，在室温下大约为数百纳秒。这种估计和作为载流子浓度的函数的行为基本上被张力的存在或与衬底的钉扎所改变。静态波纹也影响自旋输运的扩散制度，占主导地位的运动收窄。我们发现，D 'yakonov-Perel'机制饱和时，平均自由程是可比的高度配置文件的相关长度。在这种情况下，自旋弛豫时间完全由波纹的几何形状决定。典型波纹的简单模型导致几十微秒量级的寿命。
2017-02-21 cond-mat.mes-hall
Spin Relaxation in Germanium Nanowires
我们使用半经典蒙特卡罗方法和自旋密度矩阵计算来模拟自旋极化电子输运。将该模型应用于锗纳米线和锗二维沟道，研究和比较了它们之间的自旋弛豫。由于Rashba自旋轨道相互作用（结构反转不对称性），锗中发生自旋退相，这引起D 'yakonov-Perel（DP）弛豫。在锗中，由于Elliot-Yafet（EY）机制引起的自旋翻转散射也导致自旋弛豫。在不同的温度和驱动电场下对一维和二维通道进行了自旋弛豫实验，记录了自旋弛豫长度的变化。纳米线中的自旋弛豫长度被发现是远远高于在2-D沟道由于抑制DP弛豫的纳米线。在较低的温度下，自旋弛豫长度增加。这表明锗中的自旋弛豫在一维沟道（纳米线）中和较低温度下缓慢发生。自旋弛豫长度的电场依赖性很弱。
2011-06-22 cond-mat.mes-hall
Monte Carlo simulation of spin relaxation in nanowires and 2-D channels of II-VI semiconductors
我们分析了各种II-VI族半导体纳米线结构和2-D沟道的自旋弛豫行为，通过模拟自旋极化输运通过半经典方法。采用蒙特卡罗模拟方法对模型进行了模拟。D 'yakanov-Perel机制和Elliot-Yafet机制是II-VI族半导体自旋弛豫的主要机制。分析了自旋弛豫长度随外场的变化，并与二维沟道作了比较。在1 kV/cm的外场下比较了不同II-VI族半导体的自旋弛豫长度，以了解影响它们自旋退相的主要因素。在众多的实验结果中，最值得注意的是纳米线中的自旋弛豫长度比二维沟道中的自旋弛豫长度大许多倍。
2011-11-11 cond-mat.mes-hall
Phase coherent transport in bilayer and trilayer MoS2
双层MoS 2是中心对称的半导体，在布里渊区的拐角处的六个谷中具有简并自旋态。已经提出，通过平面外电场破坏这种反转对称性破坏了这种简并性，从而允许在具有电场的双层MoS 2中以电学方式操纵自旋和谷寿命。在这项工作中，我们报告的相位相干传输特性的双门单，双，三层二硫化钼。我们观察到一个类似的交叉从弱本地化弱反本地化，从中我们提取的自旋弛豫时间作为电场和温度的函数。我们发现自旋弛豫时间与动量弛豫时间成反比，这表明尽管D 'yakonov-Perel机制具有中心对称性，但在所有器件中都占主导地位。此外，我们没有发现电场诱导的自旋轨道耦合强度的变化的证据。这表明，层间耦合是足够弱的，电子掺杂的二硫属化物多层膜的行为电去耦单层。
2019-04-18 cond-mat.mes-hall
Growth Direction Dependence of the Electron Spin Dynamics in {111} GaAs Quantum Wells
用时间分辨克尔旋转方法研究了生长在（111）A或（111）B取向衬底上的负掺杂-本征-正掺杂结构GaAs/AlGaAs量子阱中的电子自旋动力学.在这两种情况下，通过施加外部电场，自旋寿命显著增加，但是对于在（111）A上生长的结构，该电场必须指向生长方向，而对于在（111）B上生长的结构，该电场必须指向相反方向。这种延长的电子自旋寿命是抑制D 'yakonov-Perel自旋弛豫机制的结果[Sov. Phys. Solid State 13，3023（1972）]，这是由于内部Dresselhaus项[Phys.Rev.100，580（1955）]与外部电场诱导的Rashba项[J.Phys.C17，6039（1984）]的抵消效应，两者都控制导带自旋-轨道分裂。这些结果证明了生长方向在自旋电子器件设计中所起的关键作用。
2012-05-14 cond-mat.mes-hall
Spin relaxation dynamics of quasiclassical electrons in ballistic quantum dots with strong spin-orbit coupling
利用路径积分方法模拟了半经典区域中Rashba自旋轨道相互作用对混沌和规则量子点自旋演化的影响。自旋极化动力学已被发现是显着不同的D 'yakonov-Perel'（DP）自旋弛豫体系统。在经典混沌系统和规则系统中，长时间自旋演化也有一个重要的区别。在前一种情况下，自旋极化弛豫到零的弛豫时间远大于DP弛豫，而在后一种情况下，它演变到一个时间无关的剩余值。基于Rashba SOI的Schroedinger方程的精确解的自旋演化的量子力学分析证实了对圆点的经典模拟的结果，预计这在一般规则系统中是有效的。相反，在混沌点中自旋弛豫到零与量子力学的预期相矛盾。这标志着在半经典模拟中错过的介观回波效应的重要性。
2004-05-11 cond-mat.mes-hall
Spin-dependent phenomena in semiconductors in strong electric fields
我们发展了一个理论的自旋相关的现象，其特征在于在中等电场中的电子的弹道加速，直到他们达到光学声子的能量和突然发射的声子流制度。结果表明，在此区域，Dyakonov-Perel自旋弛豫发生了显著的变化，电流诱导的自旋取向显著增加，在电场~ 1 kV/cm时达到约2%，并随着电场的进一步增加而下降.自旋极化增强是由于电子动量分布在漂移方向上的压缩引起的。我们还预测了短圆偏振光脉冲激发到导带的光生载流子的自旋极化的场致振荡动力学。
2013-05-24 cond-mat.mes-hall
Spin relaxation in wurtzite nanowires
我们从理论上研究了扩散纤锌矿半导体纳米线中的D 'yakonov-Perel'自旋弛豫性质及其对电导率量子修正的影响。虽然寿命长的自旋态的寿命是有限的占主导地位的$k$ -线性自旋轨道的贡献在散装，这些条款显示在有限尺寸的纳米线几乎没有影响。在这里，自旋寿命基本上是由小$k$立方自旋轨道项和几乎独立的线半径。同时，这些态在实空间中一般具有复杂的螺旋结构，这种螺旋结构受到由$k$线性项引起的自旋旋进长度的调制。由于这个原因，实验检测到的自旋弛豫很大程度上取决于纳米线半径和自旋进动长度之间的比率以及测量类型。特别是，它示出，而半径的变化几乎不影响的磁导校正，这是由长寿命的自旋状态，在光学实验中观察到的自旋寿命的变化可以是戏剧性的。我们比较我们的结果与最近的实验研究纤锌矿InAs纳米线。
2018-07-02 cond-mat.mes-hall
Giant Collective Spin-Orbit Field in a Quantum Well: Fine Structure of Spin Plasmons
我们利用磁场的非弹性光散射研究量子阱中的子带间自旋等离子体。我们证明了存在一个巨大的集体自旋轨道（SO）场，分裂成一个三重态的自旋等离子体光谱。这种效应是显著的，因为每个单独的电子将被期望在它自己的动量依赖的SO场中进动，导致D 'yakonov-Perel'退相。相反，多体效应导致SO场在集体水平上的显著组织。宏观自旋矩是由一个统一的集体SO场量子化的，比单独的SO场高五倍。我们提供了一个动力空间制图这一领域。
2013-10-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spin relaxation due to electron-electron magnetic interaction in high Lande g-factor semiconductors
本文采用Monte Carlo方法研究了InSb/InAlSb异质结中的自旋输运，并考虑了自旋动力学，引入了自旋的密度矩阵描述。除了占主导地位的Dyakonov-Perel（DP）机制的自旋控制和弛豫，我们认为电子之间的磁相互作用的重要性，由于在材料中的高电子Lande g因子。据发现，虽然磁相互作用的效果是不重要的，在低密度，它减少了高达50%的自旋弛豫长度在较高的密度。我们还提出了一个计算，阐明了抑制退相干归因于波矢依赖磁场的DP弛豫机制。我们注意到，磁相互作用是一个一般的弛豫机制，可能承担的重要性，在材料中具有高电子朗德g因子。
2010-08-04 cond-mat.mes-hall
Modulating spin relaxation in nanowires with infrared light at room temperature
自旋电子器件通常依赖于长的自旋弛豫时间和/或长度以获得最佳性能。因此，用外部试剂调节这些量的能力提供了独特的可能性。在大多数技术上重要的半导体中占主导地位的自旋弛豫机制是D 'yakonov-Perel'（DP）机制，如果自旋载流子（电子）被限制在以某些结晶方向生长的量子线或多晶量子线中的单个传导子带，则DP机制消失。在这里，我们报告调制DP自旋弛豫速率（因此自旋弛豫长度）在自组装的50 nm直径的InSb纳米线与红外线在室温下。在黑暗中，几乎所有的电子在纳米线是在最低的传导子带在室温下，导致在DP弛豫几乎完全没有。这允许在磁阻中观察自旋敏感效应。在红外光照下，电子被光激发到更高的子带，DP自旋弛豫机制被恢复，导致自旋弛豫长度减少三倍。因此，在照明下不再观察到自旋敏感效应。这一现象在自旋电子学室温红外光电探测中可能有应用。
2015-07-29 cond-mat.mes-hall
