Anisotropic Metal-Insulator Transition in Epitaxial Thin Films
由简单的多价金属制成的量子阱代表了掺杂的2D Mott-Hubbard绝缘体的新家族。扫描隧道显微镜实验表明，这些系统表现出各向异性形式的金属-绝缘体转变。它们的基元激发沿法向轴具有相干的类波性质，在面内表现出非相干的行为。这种各向异性相干性的发展很可能与定域和离域薄膜电子态之间的库仑相互作用-二维近藤屏蔽有关。
2003-11-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Recent developments in the field of the metal-insulator transition in two dimensions
本文综述了强关联二维电子系统中金属-绝缘体相变的最新研究进展。特别注意的是最近发现的滑动量子电子固体和相互作用引起的光谱平坦化的费米能级在高品质的硅基结构。
2019-03-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Metallic conduction, apparent metal-insulator transition and related phenomena in two-dimensional electron liquid
该讲座向读者介绍了强相互作用和无序的2D电子系统的物理学的相对年轻的领域，特别是在2D中的金属传导和明显的金属-绝缘体转变的现象。本文简要介绍了二维电子输运、磁输运、自旋磁化以及电子-电子相互作用效应的实验数据。
2004-05-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Electrically driven insulator-to-metal transition in a correlated insulator: Electronic mechanism and thermal description
本文利用非平衡动力学团簇近似研究二聚体-Hubbard模型，揭示电场可驱动金属-绝缘体和绝缘体-金属两种转变，并证明二者可通过有效温度统一描述，从而调和了过渡金属氧化物电阻开关起源的长期争论。
2023-05-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Shubnikov-de Haas oscillations near the metal-insulator transition in a two-dimensional electron system in silicon
本文研究了硅中二维电子系统在低电子密度下的Shubnikov-de Haas振荡。在金属-绝缘体转变附近，只有朗道能级填充因子2、6、10和14处的电阻“自旋”最小值，而填充因子4、8和12处的“回旋”最小值消失。一个简单的解释所观察到的行为需要一个巨大的增强附近的金属-绝缘体过渡的自旋分裂。
2000-07-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Divergent Precursors of the Mott-Hubbard Transition at the Two-Particle Level
如果分析仅限于单粒子水平，那么在相关金属系统中识别Mott-Hubbard金属-绝缘体转变的指纹可能是相当难以捉摸的。然而，我们的动力学平均场计算表明，如果考虑到两粒子顶点函数的频率依赖性，情况完全改变：莫特物理的第一个非微扰前体被明确地确定为金属制度内的局部Bethe-Salpeter方程在电荷通道中的发散。在低温下，这发生在光谱函数中出现非相干高能特征的区域，而在高温下，它可以追溯到原子极限。
2013-03-01 cond-mat.str-el
Weakly damped bosons and precursor gap in the vicinity of an antiferromagnetic metallic transition
本文研究反铁磁量子临界点附近金属的电子谱函数，发现热点处存在先驱能隙特征，但所需参数比可能不适用于实验，且低频下谱函数呈ω^{-1/2}奇异性，并通过蒙特卡罗模拟验证。
2023-04-25 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in hydrogenated graphene as manifestation of quasiparticle spectrum rearrangement of anomalous type
我们证明，光谱重排可以被认为是在石墨烯中观察到的金属-绝缘体转变的前体与氢原子。Anderson型跃迁归因于费米能级与迁移率边的重合，而这一现象是由谱重排引起的。现有的实验数据进行了彻底的比较，Lifshitz杂质模型的理论结果。
2010-09-21 cond-mat.dis-nn cond-mat.str-el
Topological-Metal to Band-Insulator Transition in (Bi1-xInx)2Se3 Thin Films
通过对（Bi_（1-x）In_x）_2Se_3薄膜的输运和光电子发射测量，我们报道了该系统通过三个量子相变从拓扑非平凡金属转变为拓扑平凡带绝缘体.在x = 3- 7%时，存在从拓扑非平凡金属到平凡金属的过渡。在x = 15%时，金属变成可变范围跳跃绝缘体。最后，在x = 25%以上，系统变成真正的带状绝缘体，其电阻甚至在室温下也不可测量地大。这种材料提供了一个新的场所，研究拓扑可调的物理和无缝门控/隧穿绝缘体的设备。
2012-09-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Temperature and Voltage Driven Tunable Metal-Insulator Transition in Individual $W_{x}V_{1-x}O_{2}$ nanowires
传输测量结果在个别$W_{x}V_{1-x}O_{2}$纳米线与不同程度的$W$掺杂。在这些线中观察到突然的热驱动金属-绝缘体转变（MIT），并且转变温度以-（48-56）K/ $at.%W$的显著速率随着$W$含量的增加而降低，这表明体相图的显著改变。这些纳米线也可以通过电压驱动的MIT驱动，并研究了绝缘体到金属和金属到绝缘体开关的温度依赖性。当从绝缘体驱动到金属时，发生MIT的阈值电压遵循指数温度依赖性（$V_{TH\uparrow}\propto\exp(\nicefrac{-T}{T_{0}})) $），而从金属驱动到绝缘体时，阈值电压遵循$V_{TH\downarrow}\propto\sqrt{T_{c}-T}$，并讨论了这些结果的含义。
2010-12-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Metal--Insulator Transitions in the Falicov--Kimball Model with Disorder
本文在动力学平均场论范围内，利用几何平均（"典型"）局域态密度，导出了具有局域无序的Falicov-Kimball模型的基态相图。识别了相关金属相、莫特绝缘体相和安德森绝缘体相。金属-绝缘体转变被发现是连续的。相互作用和无序相互竞争，稳定金属相，防止出现绝缘体之一。Mott和Anderson绝缘体被发现是连续连接的。
2004-12-21 cond-mat.str-el
A local metallic state in globally insulating $La_{1.24}Sr_{1.76}Mn_2O_7$ well above the metal-insulator transition
利用角分辨光电子能谱研究了双层锰氧化物$La_{1.24}Sr_{1.76}Mn_2O_7$的金属-绝缘体转变过程中电子结构的演化。我们发现该体系对$T<T_C$是金属，对$T<T_C<T^*$是局部金属但全局绝缘体，对$T>T^*$是全局绝缘体.这些结果表明电子相分离和渗流效应对$La_{1.24}Sr_{1.76}Mn_2O_7$的金属-绝缘体转变的关键作用。
2006-12-27 cond-mat.str-el
Dynamical mean-field theory of Hubbard-Holstein model at half-filling: Zero temperature metal-insulator and insulator-insulator transitions
本文采用动力学平均场论和Wilson数值重整化群方法研究了Hubbard-Holstein模型，该模型包含了分别用$U$和$g$表征的电子-电子和电子-声子相互作用.绘制了半填充时金属-绝缘体和绝缘体-绝缘体相变的零温相图，该相图显示了$U$和$g$之间的相互作用。当$U$（$g$）增加时，发生金属到Mott-Hubbard绝缘体（双极化子绝缘体）的转变，并且两个绝缘状态是不同的并且不能被电连接。讨论了三种状态的性质和过渡。
2003-12-16 cond-mat.str-el
Metal-insulator-metal transition in NdNiO3 films capped by CoFe2O4
金属-绝缘体转变的特征是从高电荷导电状态转变到另一种状态，在这种状态下，当降低温度时，电荷导电性被极大地抑制。在这里，我们展示了两个连续的过渡在NdNiO 3薄膜与CoFe 2 O 4盖帽，其中金属-绝缘体转变发生在85 K，其次是前所未有的绝缘体-金属转变低于40 K。新兴的绝缘体-金属过渡与弱反铁磁行为观察到在20个晶胞厚的NdNiO 3与超过5个晶胞CoFe 2 O 4盖帽。而CoFe 2 O 4覆盖层较薄的NdNiO 3薄膜仅在85 K出现金属-绝缘体转变，在40 K以下出现强的反铁磁态。Ni-Ni和Ni-Co原子间的电荷转移是由Co向Ni而不是由Fe向Ni，形成铁磁相互作用，从而抑制了反铁磁特性，产生金属导电行为。并绘制了该体系的金属-绝缘体-金属相变相图。
2017-02-07 cond-mat.str-el
Field-induced metal-insulator Field-induced metal-insulator transition in the c-axis resistivity of graphite
我们发现，电阻率垂直$ρ_c$和平行$ρ_a$不同的石墨样品的基面显示出类似的磁场驱动的金属-绝缘体的转变，在一个领域$B_c \sim 0.1 T$平行于c轴。我们的研究结果表明，最近发现的石墨$ρ_a$的缩放的普遍性，并表明，金属类温度依赖性的$ρ_c$是直接相关的$ρ_a$。两种材料的磁电阻相似，对Kohler规则的违反和场致相变表明半经典输运理论不适合于理解石墨的输运性质。
2002-04-08 cond-mat.str-el
Universal Behavior of the Resistance Noise across the Metal-Insulator Transition in Silicon Inversion Layers
低频电阻噪声的研究表明，在金属-绝缘体转变附近的二维（2D）电子系统的玻璃冻结发生在所有的Si反型层。分离二维金属和（玻璃状）绝缘体的金属玻璃相的大小强烈依赖于无序，在高迁移率样品中变得非常小。的第二个频谱，一个重要的四阶噪声统计的行为，表明在玻璃相的波动之间的长程相关性的存在下，与玻璃态动力学的分层图片相一致。
2002-12-18 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Magnetic Field Effects in the Pseudogap Phase: A Competing Energy Gap Scenario for Precursor Superconductivity
我们用扩展到任意耦合的BCS方法研究了赝能隙态中T_c和T ^* 对低场H的敏感性。我们发现，T ^* 和T_c虽然具有相同的超导起源，但它们对H的依赖性却有很大的不同。这是由于赝能隙Δ_{pg}在后一温度下存在，而在前一温度下不存在。我们对相干长度的计算结果与已有的实验结果吻合得很好，我们预测在离绝缘体很近的地方相干长度会迅速增加。
2001-09-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Insulator-to-metal phase transition in Yb-based Kondo insulators
采用晶体电场（CEF）分裂4f四重态的周期Anderson晶格模型描述Yb基近藤绝缘体/半导体。在从玻色子平均场近似下，我们导出了准粒子的杂化带，发现减小两个CEF四重态的杂化差可以诱导绝缘体-金属相变。由此产生的金属相具有空穴和电子费米口袋。这种相变可以通过施加压力，减少两个CEF四联体的杂化差异来实验性地实现。
2010-04-22 cond-mat.str-el
Peltier effect in normal metal-insulator-heavy fermion metal junctions
本文对正常金属-绝缘体-重费米子金属结中的珀耳帖效应进行了理论研究.结果表明，在低于近藤温度的温度下，这种结可以用作电子微制冷机来冷却普通金属电极，并且比普通金属-重费米子金属结的冷却效率高出数倍。
2003-02-19 cond-mat.str-el
Metal-Insulator and Superconductor-Insulator Transitions in Correlated Electron Systems
通过控制填充在二维正方形晶格中的Mott绝缘体和金属之间的量子跃迁的特征在于大的动力学指数$z=4$，其中莫特绝缘体附近的不寻常的金属性质的起源归因于跃迁的接近。跃迁附近的标度表明，由于单粒子重整化的奇异动量依赖性，形成了平坦的色散区。平坦色散控制了莫特转变的关键特性。讨论了平坦色散对d波超导序的不稳定性。我们还讨论了Mott过渡的情况下，与轨道简并的Mn钙钛矿化合物的模型，其中轨道相关长度显示临界发散向金属-绝缘体过渡。
1998-08-05 cond-mat.str-el
Kondo proximity effect: How does a metal penetrate into a Mott insulator?
我们考虑一个异质结构的金属和一个顺磁莫特绝缘体使用适应的动态平均场论来描述非均匀系统。金属可以通过近藤效应渗透到绝缘体中。我们研究了接近莫特绝缘体临界点的金属-绝缘体界面的标度特性。在临界状态下，准粒子的重量按照我们的平均场论中的公式，随着离金属的距离x的增加，衰减为1/x^2。我们的数值结果（使用数值重整化群作为杂质解算器）表明，该幂律的前因子是非常小的。
2008-05-05 cond-mat.str-el
Orbital Insulators and Orbital Order-disorder Induced Metal-Insulator Transition in Transition-Metal Oxides
采用集团自洽场方法，在强关联区研究了轨道有序对过渡金属氧化物金属-绝缘体相变的影响。在单粒子激发谱中发现了绝缘能隙对轨道序参量的明显依赖性。热涨落驱动轨道有序-无序转变，减小能隙，导致金属-绝缘体转变。自旋和轨道之间的相互作用导致轨道绝缘体中轨道极化的不寻常的温度依赖性，这可以在共振X射线散射强度中看到。
2007-09-25 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Insulator-metal-insulator transition and selective spectral weight transfer in a disordered strongly correlated system
研究了具有对角合金无序的哈伯德模型在有限温度下的金属绝缘体相变。我们用无交叉近似求解动力学平均场论方程，用相干势近似处理无序。给出了不同关联强度$U$和无序度下的激发谱。当$U$增加时，在整数填充值处观察到两个连续的金属绝缘体转变。一个重要的光谱权重的选择性转移出现在掺杂。详细研究了温度对低能动力学的影响。
2005-12-29 cond-mat.str-el
Metal-Insulator Transitions in Interacting Disordered Systems
简要回顾了三维杂质半导体中的金属-绝缘体转变，重点是“临界指数之谜”;以及新的实验发现，表明在稀的二维系统中可能出现意想不到的金属-绝缘体转变，如硅MOSFET和GaAs/AlGaAs异质结构。
2000-08-30 cond-mat.str-el
Central role of exchange-correlation hole in the 2D metal-insulator
我们表明，金属到绝缘体的转变，无论是通过减少电子密度或通过增加自旋排列产生的，是由一个通用的功能形式的两电子关联函数g（r）。这一结果为库仑排斥和交换在驱动金属-绝缘体转变中的核心作用提供了直接证据。
2000-01-31 cond-mat.str-el
Fluctuation-driven insulator-to-metal transition in an external magnetic field
我们考虑了关联电子在外磁场中的金属-绝缘体跃迁模型。我们发现在相互作用和磁场中有一个很宽的区域，在那里金属和绝缘（完全磁化）的解决方案共存，系统经历了一阶金属-绝缘体转变。磁饱和解的全局不稳定性先于局部不稳定性，是由电子-空穴顶点函数中的极点引起的集体波动引起的。
1999-08-17 cond-mat.str-el
The influence of correlated hopping on valence and metal-insulator transitions in the Falicov-Kimball model
小集团精确对角化计算的外推被用来研究一维Falicov-Kimball模型中关联跳跃对价态和金属-绝缘体跃迁的影响。它示出的基态相图，以及图片的价和金属-绝缘体的转变，发现为传统的Falicov-Kimball模型（无相关跳跃）强烈改变时，相关跳跃项被添加。关联跳变效应非常强，即使在半满带的情况下也能引起绝缘体-金属跃迁。
1999-08-06 cond-mat.str-el
Metal-insulator transitions at surfaces
讨论了各种类型的金属-绝缘体转变，以找到块体绝缘体的理想表面是金属的条件。对于相关驱动的Mott金属-绝缘体相变，表面相图应该具有与表面磁序相图相同的拓扑结构：相应的线性化平均场描述，即哈伯德模型的简化动力学平均场理论和伊辛模型的Weiss平均场论，形式上是等价的。一种新的表面态出现在单粒子激发谱的低能部分，作为莫特跃迁的前兆效应。
2002-04-05 cond-mat.str-el
A simple metal-insulator criterion for the doped Mott-Hubbard materials
我们推导出一个简单的金属-绝缘体准则的解析形式的掺杂Mott-Hubbard材料。它的读数与晶胞的基态的轨道和自旋性质密切相关。在顺磁相的可用的标准读数（金属或绝缘体）点的绝缘体状态的掺杂材料与禁止的第一个去除电子状态的可能性。从物理意义上讲，该结果与巡游电子系统中的Wilson判据相似。讨论了该判据在高温铜酸盐中的应用。
2014-11-19 cond-mat.str-el
Emergent Novel Metallic State in a Disordered 2D Mott Insulator
对于非相互作用的电子，增加的无序将金属驱动成无间隙的局部安德森绝缘体。虽然在三维中，过渡必须跨越无序的阈值，但在二维和更低的维度中，最小量的无序使金属不稳定。相互作用系统中金属-绝缘体转变的性质仍然没有得到解决。在这里，我们探讨的影响，在强关联莫特绝缘体不改变载流子浓度的无序。角分辨光电子能谱（ARPES）测量铜插层单晶的层状二硫属化物1 T-TaS 2揭示了新的离域状态的存在下，在莫特间隙。这是第一个实验实现了一种新的无序诱导金属，理论上预测存在于莫特绝缘体和安德森绝缘体之间。
2014-05-22 cond-mat.str-el
Charge-transfer metal-insulator transitions in the spin-one-half Falicov-Kimball model
在热力学极限下，在无限配位数的Bethe晶格上精确求解了自旋为1/2的Falicov-Kimball模型。该模型是电荷转移金属-绝缘体转变的范例，其中局域和离域电子轨道的占据率在金属-绝缘体转变处迅速变化（而不是像莫特-哈伯德转变中电子状态从绝缘变为金属的特征）。精确解显示连续和不连续（一阶）跃迁。
1998-02-11 cond-mat.str-el
Spin-gapped incoherent metal with preformed pairing in the doped antiferromagnetic Mott insulator
我们研究了反铁磁莫特绝缘体如何通过空穴掺杂演化为d波BCS超导体。在强耦合方法中考虑自旋涨落，我们发现了一个自旋能隙的非相干金属作为反铁磁莫特绝缘体和d波超导体之间的中间相。这种非费米液态金属在自旋分解规范理论中被认为是红外稳定的固定点，类似于从玻色子规范理论中的自旋液体绝缘体。我们考虑了反常金属相的单粒子能谱和动态自旋极化率，并讨论了其物理意义。
2007-08-13 cond-mat.str-el
Metal-insulator transitions and the effects of electron-electron interactions in two-dimensional electron systems
本文对强相互作用二维电子系统的金属-绝缘体跃迁和反常性质的实验结果进行了评述和分析。特别注意的是最近的结果，强烈增强自旋磁化率和有效质量的低无序硅MOSFET。
2005-03-07 cond-mat.str-el
Integer filling metal insulator transitions in the degenerate Hubbard model
在大维数（或大晶格连通性）的极限下，我们得到了退化哈伯德模型的精确数值解。连续的Mott-Hubbard金属绝缘体过渡整数填充发生在中间值的相互作用和足够低的温度下的顺磁相。结果是相关的过渡金属氧化物与部分填充窄简并带。
1996-11-06 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in quarter-filled Hubbard model on triangular lattice and its implication for the physics of $Na_{0.5}CoO_{2}$
在平均场水平上研究了三角晶格上四分之一填充哈伯德模型的金属-绝缘体相变。我们发现，准一维金属态的共线磁序与绝缘态的非共面磁序密切竞争的跳跃积分$t$的两个符号。在强关联区（$U/|t|\gg1$），发现系统的金属-绝缘体相变是分两步进行的。具有共线磁序的准一维金属态被发现在顺磁金属相和非共面绝缘相之间的中间温度区域是稳定的。这些结果可能的相关性，在$Na_{0.5}CoO_{2}$的金属-绝缘体转变的物理进行了讨论。
2010-01-05 cond-mat.str-el
Physics of interface: Mott insulator barrier sandwiched between two metallic planes
我们考虑异质结的金属和现场相关的障碍，在半填充使用不受限制的哈特里福克。我们发现，在势垒平面的相关强度超过一定值，系统是一个莫特绝缘体，而低于此值的系统仍然表现为一个无隙绝缘体。的能谱被发现是非常新颖的存在多个间隙。因此，对于任何有限的相关值，系统保持非金属。
2011-03-21 cond-mat.str-el
Critical Slowing Down of the Charge Carrier Dynamics at the Mott Metal-Insulator Transition
我们报告的戏剧性放缓的载流子动力学在准二维有机导体，这可以通过Mott金属-绝缘体转变（MIT）可逆调谐。在有限温度的临界端点，我们观察到一个发散的电阻波动的增加，伴随着一个急剧的频谱重量转移到低频率，证明了临界放缓的序参量（doublon密度）波动。慢动力学伴随着非高斯波动，指示相关的载流子动力学。一个可能的解释是，电子系统的玻璃态冻结是莫特MIT的前身。
2015-03-13 cond-mat.str-el
Doping-induced insulator-metal transition in the Lifshitz magnetic insulator NaOsO3
通过基于磁约束密度泛函理论和能带展开技术的第一性原理方案，我们研究了掺杂对Lifshitz磁性绝缘体NaOsO 3导电行为的影响。电子掺杂在超晶胞方法中通过用不同浓度的镁代替钠来现实地处理。我们的数据表明，通过增加载流子浓度的系统进行两种类型的转变：（i）绝缘体坏金属在低掺杂和低温和（ii）坏金属到金属在高掺杂和/或高温。预测的掺杂诱导的绝缘体到金属的转变（MIT）具有类似的特性与温度驱动的MIT在未掺杂的化合物中报道。两者都发展在巡回的背景下，并表现出耦合的电子和磁性的行为，其特征在于逐渐淬火的（伪）-间隙与当地的自旋力矩的减少。与温度驱动的MIT不同，化学掺杂引起能带结构的实质性改变，并且MIT不能完全描述为Lifshitz过程。
2019-01-03 cond-mat.str-el
Thermodynamics of the metal-insulator transition in the extended Hubbard model
与哈伯德模型相比，扩展的哈伯德模型考虑了非局域相互作用，缺乏对金属-绝缘体相变热力学性质的系统研究。利用变分原理，我们进行了这样一个系统的研究，并描述了非局域相互作用屏幕本地相关费米液体和绝缘体不同。热力学揭示了非局域相互作用至少部分地导致了真实材料中的一阶金属-绝缘体相变。
2019-05-29 cond-mat.str-el
Effect of electronic correlations on the metal-insulator transition of $α$-(BEDT-TTF)$_2$I$_3$: theoretical and experimental investigations of its optical properties
有机盐$α$ -（BEDT-TTF）$_2$ I $_3$被认为是在$T_{\rm CO}=135$ ~K处由于电荷有序引起的金属-绝缘体转变的模型体系。通过基于第一原理密度泛函理论（DFT）的计算，可以很好地描述从$T_{\rm CO}$之上和之下的偏振反射测量获得的光学性质。讨论了电子关联对金属-绝缘体相变的影响。
2016-03-24 cond-mat.str-el
Pressure-induced metal-insulator transition in MgV_2O_4
基于热电势的实验结果和从头计算，我们认为MgV_2O_4在高压（约6 GPa）下发生了金属-绝缘体相变。
2007-07-25 cond-mat.str-el
Doping-dependent metal-insulator transition in a disordered Hubbard model
利用行列式量子蒙特卡罗方法研究了正方晶格上排斥哈伯德模型中无序和掺杂对金属-绝缘体相变的影响。首先，为了使我们的结果可靠，我们计算了各种参数，如温度，无序，现场相互作用和晶格尺寸的符号问题。我们发现，在跳跃元素的随机性的存在下，金属-绝缘体的转变发生，在不同的填充物的临界无序强度不同。我们还证明了掺杂是金属-绝缘体转变背后的驱动力。
2022-01-12 cond-mat.str-el
Model for Metal-Insulator Transition in Graphene Superlattices and Beyond
我们提出了一个双轨道的哈伯德模型在一个新兴的蜂窝晶格来描述扭曲双层石墨烯的低能物理。我们的模型为研究最近观察到的金属-绝缘体相变、朗道能级简并提升和非常规超导提供了理论基础。
2018-07-27 cond-mat.str-el
Disorder- and correlation-driven metal-insulator transitions
在Anderson-哈伯德模型中，采用简单但一致的平均场方法，研究了由无序（Delta）和/或电子关联（U）驱动的金属-绝缘体相变.导出并讨论了T=0和有限温度下的Delta-U相图。
2004-06-16 cond-mat.str-el
Critical behaviour near the metal-insulator transition of a doped Mott insulator
本文用线性化形式的动力学平均场论研究了无限维哈伯德模型中掺杂莫特绝缘体在金属-绝缘体相变附近的临界行为。对于大于临界值$U_c$的$U$，从空穴掺杂到电子掺杂的化学势的不连续性已被解析计算，并发现与数值方法的结果吻合良好。我们还推导出的压缩性，准粒子的重量，双占有率和局部自旋磁化率近半填充作为现场库仑相互作用和掺杂的函数的解析表达式。
2001-03-19 cond-mat.str-el
Metal-Insulator transitions in the periodic Anderson model
我们用动力学平均场论求解了Mott-Hubbard区域中的周期Anderson模型。在莫特绝缘体的电子掺杂时，发生金属-绝缘体转变，其在性质上类似于单带哈伯德模型的金属-绝缘体转变，即在有限温度下具有发散的有效质量和一阶特征。令人惊讶的是，在空穴掺杂时，金属-绝缘体转变不是一阶的，并且不显示发散质量。因此，单带哈伯德模型的过渡方案是不通用的周期性安德森模型，即使在莫特-哈伯德制度。
2008-09-20 cond-mat.str-el
Quantum spin liquids and the metal-insulator transition in doped semiconductors
我们描述了一种在杂质半导体如Si：P或Si：B中实现金属-绝缘体转变的新的可能途径。我们探讨了金属输运的损失发生的可能性，通过莫特本地化的电子到一个量子自旋液体状态与扩散电荷中性的“自旋”激发。这种量子自旋液体状态可以作为金属和安德森-莫特绝缘体之间的中间相出现。一个直接的可测试的结果是在金属-绝缘体转变附近的电绝缘体中在低温下存在金属热导率。此外，我们表明，虽然过渡是二级的零温剩余电导率将跳跃过渡接近金属一侧。然而，电导率将具有非单调的温度依赖性，这可能使外推到零温度复杂化。在其他实验中的签名和一些与现有数据的比较。
2012-04-10 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in EuO
结果表明，壮观的金属-绝缘体转变富Eu的EuO可以模拟内扩展的Kondo晶格模型。定量再现了不同数量级的跳跃电阻率依赖于氧空位的浓度，以及在高电阻率样品的低温电阻最小值。计算并讨论了巨磁电阻效应。
2003-09-17 cond-mat.str-el
Pressure and magnetic-field effects on metal-insulator transitions of bulk and domain-wall states in pyrochlore iridates
本文研究了辉绿石型$R_2$ Ir $_2$ O $_7$的临界金属-绝缘体现象，其中电子关联强度和磁组态系统地受稀土离子平均半径（$R$ =Nd $_{1-x}$ Pr $_{x}$和Sm $_{y}$ Nd $_{1-y}$）、外压和磁场的控制。金属-绝缘体转变体是由增加$x$或调谐外部压力，表明有效的电子相关是负责过渡。金属态介于\SNIO（$y$ =0.7-0.9）的顺磁绝缘相和反铁磁有序绝缘相之间，类似于一阶Mott跃迁。此外，金属到绝缘体的交叉观察（周围$y$ =0.7）的绝缘体中的磁畴壁上的电荷传输。磁场的应用还驱动\NPIO的金属-绝缘体转变，其中可能实现各种奇异拓扑量子态。
2015-07-17 cond-mat.str-el
Combined effects of disorders and electron-electron interactions upon metal-insulator transition in 2D non-bipartite lattice
我们研究了二维非二分晶格中同时存在无序和电子相互作用时金属-绝缘体相变的特征。利用实空间重整化群方法和有限尺寸标度分析，我们发现无序系统从绝缘态过渡到金属态后，如果电子-电子相互作用进一步增加，它可以重新进入绝缘态。
2004-05-16 cond-mat.str-el
Scaling of the Conductivity with Temperature and Uniaxial Stress in Si:B at the Metal-Insulator Transition
使用单轴应力通过金属-绝缘体转变来调谐Si：B，我们发现低温下的电导率显示出与转变两侧的温度和应力的良好拟合。标度函数产生的金属和绝缘相的导电性，并允许可靠的确定在过渡的两侧的临界区域中的温度依赖性。
1998-06-14 cond-mat.str-el
Electrical permittivity driven metal-insulator transition in heterostructures of nonpolar Mott- and band insulators
绝缘钙钛矿之间的金属界面经常在结合极性和非极性材料的异质结构中观察到。在这些系统中，跨界面的极性不连续性可以驱动在界面处诱导自由载流子的电子重构。在这里，我们从理论上表明，莫特和带绝缘体之间的金属界面也可以形成在没有极性不连续。出现这种金属态的条件与经典的莫特判据一致：如果屏蔽长度低于粒子-空穴对的有效玻尔半径，则金属态是稳定的。在这种情况下，金属态与极性/非极性异质结构中发现的金属态具有显著的相似性。另一方面，如果屏蔽长度接近有效玻尔半径的大小，则粒子和空穴彼此结合，从而导致整体绝缘相。我们分析了这种金属-绝缘体过渡，这是可调的介电常数，从玻色子平均场论的框架内的晶格模型现场和远程库仑相互作用。我们讨论基态性质和输运系数，我们在弛豫时间近似推导。有趣的是，我们发现，金属-绝缘体转变是伴随着一个强大的增强的塞贝克系数在带绝缘体区域附近的界面。我们的理论研究结果的各种实验系统，如非极性（110）界面的影响进行了讨论。
2014-06-02 cond-mat.str-el
Metal-insulator transition in a strongly-correlated two-dimensional electron system
本文讨论了强相互作用二维电子系统中金属-绝缘体相变及相关现象的实验结果。特别注意的是最近的结果，强烈增强的自旋磁化率，有效质量，和热电势在低无序硅MOSFET。
2016-11-17 cond-mat.str-el
Quantum Monte Carlo Study of an Interaction-Driven Band Insulator to Metal Transition
本文用行列式量子蒙特卡罗方法研究了二维正方晶格上离子哈伯德模型中从带绝缘体到金属再到莫特绝缘体的跃迁。的电导率的温度依赖性的评估表明，金属区域延伸的相互作用值的有限范围内。在强耦合下，Mott相伴随着反铁磁（AF）有序。包含这些站点间的相关性改变了相图定性相比，动态平均场论。
2006-07-27 cond-mat.str-el
