Quantitative model for anisotropy and reorientation thickness of the magnetic moment in thin epitaxially strained metal films
本文提出了一个计算应变外延金属薄膜临界厚度的定量数学模型，在该厚度下，磁矩经历了从面内磁各向异性到垂直磁各向异性的重取向。该模型是基于最小的磁各向异性能量相对于取向的磁矩的膜。磁各向异性能量被认为是形状各向异性、磁晶各向异性和磁弹性各向异性的总和，后两种各向异性表现为恒定的表面和可变的体积贡献。除了各向异性材料常数，很容易从文献中获得，只需要有关的信息的应变在膜的磁弹性各向异性能量的测定。应用的外延贝恩路径允许表达在薄膜中的应变的衬底晶格常数和薄膜晶格参数，从而获得一个近似的封闭表达式的晶格失配方面的重取向厚度。该模型能以惊人的精度预测临界自旋重取向转变厚度。
2011-06-09 cond-mat.str-el
Precise control of $J_\mathrm{eff}=1/2$ magnetic properties in Sr$_2$IrO$_4$ epitaxial thin films by variation of strain and thin film thickness
我们报告了一个全面的调查应变和薄膜厚度的影响外延薄膜的原型$J_\mathrm{eff}=1/2$化合物Sr $_2$ IrO $_4$的结构和磁性能的先进的X射线散射。我们发现，Sr $_2$ IrO $_4$薄膜可以生长完全应变的厚度为108 nm。通过X射线共振散射，我们发现离面磁关联长度强烈地依赖于薄膜厚度，而与薄膜的应变状态无关。这可以用作精细调谐的刻度盘，以调整面外磁相关长度，并通过增加膜厚度将磁各向异性从二维（2D）行为转换为三维（3D）行为。这些结果提供了一个更清晰的画面，系统控制的磁性自由度在外延薄膜的Sr $_2$ IrO $_4$和带来光的潜力丰富的操场探索物理的$5d$ -过渡金属化合物。
2020-09-28 cond-mat.str-el
Structural and transport properties of epitaxial NaxCoO2 thin films
研究了在（0001）蓝宝石衬底上外延生长的NaxCoO_2薄膜的结构和输运性质。薄膜是c轴取向的，并且与从[10 1 0]蓝宝石旋转30度的[10 1 0] NaxCoO2面内对准。在退火过程中不同的Na蒸气压导致不同的Na浓度的薄膜，表现出不同的输运性质。
2005-05-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
A Single-Crystalline, Epitaxial SrTiO3 Thin-Film Transistor
我们在此报告的制造和表征的薄膜晶体管（TFT），使用单晶，外延SrTiO 3膜，这是生长的脉冲激光沉积技术，然后在氧气气氛中的热退火处理。虽然多晶外延SrTiO 3薄膜上的TFT（沉积态）表现出差的晶体管特性，退火的单晶SrTiO 3 TFT表现出与体单晶SrTiO 3 FET的晶体管特性相当的晶体管特性：开/关电流比>10^5，亚阈值摆幅~2.1 V/十倍，场效应迁移率约为0.8 cm^2/Vs。这表明了适当的热退火处理外延SrTiO 3薄膜的有效性。
2009-12-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Interrelation of epitaxial strain and oxygen deficiency in La0.7Ca0.3MnO3-δ thin films
从结构和功能特性两方面研究了La_（0.7）Ca_（0.3）MnO_（3-δ）薄膜的外延应变与氧缺陷的关系。使用配备RHEED设备和高温膜温度控制的PLD系统制备厚度为1000 μ m的膜。采用SrTiO_3、（LaAlO_3）_（0.3）-（Sr_2AlTaO_6）_（0.7）和LaSrAlO_4三种不同的衬底，在0.27 ~ 0.1mbar的氧压范围内，对薄膜的外延应变和氧缺陷进行了系统的调节。可以证明，氧掺入依赖于外延应变：氧空位诱导，以适应拉伸应变，而压缩应变抑制氧空位的产生。
2014-12-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Tunable Ferromagnetism in LaCoO3 Epitaxial Thin Films
铁磁绝缘体在自旋电子学低耗散量子磁器件的发展中起着至关重要的作用。外延LaCoO 3薄膜是一种重要的铁磁绝缘体，在外延应变的作用下，LaCoO 3薄膜呈现出强的铁磁有序性。虽然很明显，强的自旋-晶格耦合诱导铁磁性，报道的外延应变LaCoO 3薄膜的铁磁性是高度一致的。例如，即使在很大程度上调制的应变下，所报道的外延应变LaCoO 3薄膜的居里温度在80-85 K之间，没有太大的偏差。在这项研究中，实质性的增强（~18%）的居里温度的外延LaCoO 3薄膜证明通过晶体取向依赖性。通过改变薄膜的晶向，降低了晶场能量，增强了Co和O轨道之间的电荷转移。这些修改导致了相当大的增强的铁磁性能（包括居里温度和磁化），尽管相同的名义程度的外延应变。这项研究的结果提供了深入了解通过结构对称性控制LaCoO 3的铁磁性能的轻便可调性。
2022-06-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Strain-dependent Insulating State and Kondo Effect in Epitaxial SrIrO$_{3}$ Films
该研究通过外延应变调控 SrIrO$_3$ 薄膜电子行为，发现压缩应变呈金属性、轻微拉伸应变呈绝缘性，并观察到近藤效应在更薄且压缩应变较小的薄膜中更强，揭示了应变调控近藤绝缘态和量子临界点的潜力。
2024-04-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
The malleability of uranium: manipulating the charge-density wave in epitaxial films
我们报告的X射线同步辐射实验上的铀，沉积在铌和钨种子层的外延膜。尽管这些难熔金属的晶格参数相似，但铀的外延排列是不同的，并且沿着铀层的a轴传播的应变具有相反的符号。在低温下，这些外延的变化导致铀中电荷密度波的行为发生巨大变化。用铀晶格中电子-声子耦合的现有理论解释了这些差异。我们的研究结果强调了有趣的可能性，生产外延薄膜的元素，具有复杂的结构，如轻锕系元素铀钚。
2014-04-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Epitaxial growth and transport properties of Sr$_2$CrWO$_6$ thin films
本文报道了用脉冲激光沉积法（PLD）制备双钙钛矿结构Sr $_2$ CrWO $_6$外延薄膜的方法和表征。在SrTiO $_3$等晶格失配小的衬底上，可以采用分子层-层生长方式生长出高结晶质量的外延Sr $_2$ CrWO $_6$薄膜。由于Cr和W的离子半径相似，这些元素没有显示出亚晶格顺序。然而，测量的居里温度远高于400 K。由于双钙钛矿所需的还原性生长气氛，SrTiO $_3$衬底表面经历绝缘体-金属转变，阻碍了薄膜和衬底电输运性质的分离。
2002-10-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Extended elliptic skyrmion gratings in epitaxial MnSi thin films
详细研究了外延MnSi薄膜的磁化过程，发现在薄膜平面内存在椭圆形畸变的Skyrmion弦。我们提供的证据表明，单轴各向异性稳定这种状态的磁相图的扩展区域。一阶相变级联的理论分析是基于竞争手征调制的严格数值计算，这表明存在螺旋面，椭圆skyrmions，锥相。
2012-10-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Reversible Structural Transition in Epitaxial Manganite Film
利用高分辨透射电子显微镜（HREM）和电子衍射技术，结合图像和衍射计算，研究了在LaAlO 3衬底上外延生长的La_（2/3）Sr_（1/3）MnO_3薄膜的可逆结构转变。我们观察到，通过电子束照射，可以降低薄膜的晶体对称性，导致菱面体-单斜晶过渡。这种转变是失配应力和辐照热应力共同作用的结果。
2001-12-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Universal behavior of giant electroresistance in epitaxial La0.67Ca0.33MnO3 thin films
我们报道了一个巨大的电阻下降引起的直流电流在La 0.67 Ca 0.33 MnO 3外延薄膜。图案化薄膜的电阻随电流的增加呈指数下降，在电阻峰值温度Tp处出现最大下降。电阻随电流密度的变化可以分别在Tp以下和Tp以上缩放。这一工作对电阻法的进一步应用具有一定的指导意义。
2005-03-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Ferromagnetism in CaRuO3 thin films by efficient route of tensile epitaxial strain
我们表明，正交CaRuO3中的铁磁（FM）有序可以通过拉伸外延应变的方式建立和稳定，CaRuO3是FM系统SrRuO3的非磁性和同构类似物。在不同程度的应变CaRuO3薄膜的结构和磁性能的相关性的研究表明，FM力矩增加与拉伸应变。这是一个实验验证的理论预测的缩放的拉伸外延应变和磁序在该系统中。我们的研究进一步确立了拉伸应变比化学途径更有效地诱导FM秩序在CaRuO3的磁矩在这些应变膜是大于化学改性的CaRu 0.9Cr 0.1O3膜。
2013-01-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Experimental search for anisotropic flux flow resistivity in the a-b plane of optimally doped epitaxial thin films of YBCO
本文报道了最佳掺杂和外延的YBCO薄膜在a-b平面上沿结点和反结点方向的输运测量结果。在T_c附近和T_c以下的低偏置磁电阻测量表明，沿节点和反节点方向的磁通流电阻率随磁场的变化是不可区分的。这一结果表明，在我们的测量的实验误差，没有对应的磁通钉扎性能之间的YBCO和d波性质的序参量。
2005-08-31 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electrical transport properties of RNiO3 (R= Pr, Nd, Sm) Epitaxial Thin Films
研究了脉冲激光沉积法生长的RNiO_3（R = Pr，Nd，Sm）薄膜的电输运性质。在LaAlO3（100）衬底上RNiO3薄膜沿（100）方向生长。与多晶固体不同，PrNiO 3薄膜表现出金属行为。在多晶固体中观察到的一阶金属到绝缘体的转变在RNiO 3膜中被抑制。通过改变LaAlO3上PrNiO3薄膜的厚度以及在SrTiO3和蓝宝石衬底上生长PrNiO3薄膜，研究了薄膜中晶格应变对薄膜输运性质的影响。在输运性质的偏差被解释为由于应变诱导的薄膜的生长。此外，我们发现LaNiO3薄膜的输运性质也受到类似的应变效应的影响。
2000-11-12 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Measurements of Spin Polarization of Epitaxial SrRuO3 Thin Films
我们已经测量了导电铁磁氧化物SrRuO 3的外延薄膜的输运自旋极化，使用点接触Andreev反射光谱（PCAR）。尽管从能带结构理论计算的SrRuO3的费米能级上的自旋上和自旋下的电子态密度实际上是相同的，但这些膜的实验输运自旋极化被发现约为50%。这一结果是一个直接后果的费米速度差距之间的多数和少数的频带，并在很好的协议与我们的理论估计。
2002-09-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Tunnel magnetoresistance and robust room temperature exchange bias with multiferroic BiFeO3 epitaxial thin films
我们报告的功能化的多铁性BiFeO 3外延薄膜的自旋电子学。第一个例子是通过在具有La 2/3Sr 1/3 MnO 3和Co电极的磁性隧道结中使用BiFeO 3的氧化物层作为隧道势垒来提供的。在这种结构中，在低温下获得了高达30%的正隧道磁电阻。第二个例子是利用BiFeO 3薄膜的反铁磁自旋结构，在室温下在CoFeB铁磁薄膜上产生相当大的（~60 Oe）交换偏置。值得注意的是，交换偏置效应在磁场循环时是稳健的，没有训练的迹象。
2006-09-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Stoichiometry control and epitaxial growth of AgCrSe2 thin films by pulsed-laser deposition
本研究利用脉冲激光沉积在晶格匹配衬底上成功外延生长出单相AgCrSe2薄膜，通过富Ag靶材补偿缺失抑制杂质相，证实其光电与磁学性质与块体一致，为热电和自旋电子学应用奠定基础。
2025-05-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Epitaxial growth and magnetic properties of Sr2CrReO6 thin films
双钙钛矿Sr 2CrReO 6是自旋电子学的一种有趣的材料，显示亚铁磁性高达635 K，预测的高自旋极化率约为86%。采用脉冲激光沉积法在（001）取向的SrTiO 3衬底上制备了Sr 2CrReO 6外延薄膜。通过在6.6x10-4 mbar的纯O2中在700 ° C的衬底温度下生长获得具有最佳晶体学和磁性的相纯薄膜。薄膜是c轴取向的，相干应变，并显示出小于20%的反位缺陷。磁化曲线显示出每分子式单位0.8 μ B的高饱和磁化强度和1.1 T的高磁化率，以及强磁各向异性。
2009-01-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Effect of epitaxial strain on ferroelectric polarization in multiferroic BiFeO3 films
采用脉冲激光沉积法在SrTiO 3（001）衬底上以SrRuO 3为底电极生长了厚度为40 ~ 960 nm的BiFeO 3多铁性外延薄膜。X射线衍射分析表明，随着薄膜厚度的增加，薄膜的结构由c/a ~ 1.04的角畸变四面体转变为c/a ~ 1.01的块状畸变菱面体。尽管有这种显著的结构演变，但如从沿法线方向的测量计算的，沿着扭曲的伪立方晶胞的体对角线的铁电极化几乎没有变化。
2007-12-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Epitaxial stabilization of metastable 3C BaRuO3 thin film with ferromagnetic non-Fermi liquid phase
通式为ARuO 3（A = Ca和Sr）的钙钛矿钌酸盐的薄膜是用于可行的氧化物电子器件的通用电导体。它们在科学上也很有趣，因为它们表现出依赖于A位元素的非平凡电磁基态。其中，立方钙钛矿（3C）BaRuO 3薄膜的实现迄今为止一直是一个挑战，因为3C相是BaRuO 3的各种多晶型物相中具有最大形成能的亚稳相。在本研究中，我们成功地制备了3C BaRuO 3薄膜采用外延稳定。3C BaRuO 3薄膜具有巡游铁磁性，相变温度约为48 K，为非费米液相。3C BaRuO 3的外延稳定化进一步使我们能够对钙钛矿钌酸盐薄膜进行标准比较，从而建立Ru-O轨道杂化在理解巡回磁系统中的重要性。
2021-07-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Impedance spectroscopy of epitaxial multiferroic thin films
依赖于温度的阻抗谱使凝聚态物质的介电和电阻特性的许多贡献被去卷积和特征分别。我们已经实现了这一点的多铁性外延薄膜的BiFeO 3（BFO）和BiMnO 3（BMO），具有强磁电耦合材料的关键例子。我们证明，真正的薄膜电容的外延层是类似的电极界面，使分析的电容作为必要的膜厚度的函数，以实现去卷积。我们使用弛豫时间的高斯分布来模拟非德拜阻抗响应，并揭示了多铁性层上的常规电阻率测量可能受界面效应的影响。热激活电荷传输模型得到的激活能为0.60 eV +- 0.05 eV（BFO）和0.25 eV +- 0.03 eV（BMO），这与氧空位（BFO）和电子跳跃（BMO）主导的导电一致。本征膜介电常数被确定为320 ± 75（BFO）和450 ± 100（BMO）。
2007-04-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Suppression of Magnetic Phase Separation in Epitaxial SrCoOx Films
采用脉冲激光沉积和独特的快速淬火方法，我们已经在SiTiO 3衬底上制备了SrCoOx外延薄膜。随着电化学氧化将氧含量从x = 2.75增加到3.0，膜倾向于有利于在同系SrCoO（3-n/8）（n = 0，1，2）的体样品中看到的离散磁相。与体样品不同，200 nm厚的膜在整个氧化循环中保持单相。300 nm的薄膜在脱氧过程中可以同时显示两个相。这些结果归因于有限厚度效应，并意味着形成大于约300 nm的有序区域。
2013-03-05 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Direct evidence for the suppression of charge stripes in epitaxial La$_{1.67}$Sr$_{0.33}$NiO$_4$ thin films
利用脉冲激光沉积法成功地生长了具有小镶嵌结构的La $_{1.67}$ Sr $_{0.33}$ NiO $_4$外延薄膜。利用同步辐射，对于相对厚的薄膜，已经成功地观察到与电荷条纹相关联的X射线衍射峰。由于电荷有序过渡的异常已被检查使用四点探针电阻率测量。X射线散射提供了抑制薄样品中条纹相的直接证据;当薄膜厚度为$\leqslant$ 2600 μ m时，条纹相消失。抑制似乎是收缩条纹相域的结果。这可能反映了条纹相位从平行向各向同性的发展。
2008-02-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Magnetoelectric coupling in epitaxial orthorhombic YMnO3 thin films
我们在Nb：SrTiO_3（001）衬底上外延生长了正交相YMnO_3氧化物薄膜，并测量了它们的结构、磁响应和介电响应。我们已经发现，基板引起的应变产生面内压缩的YMnO 3晶胞。温度依赖的磁化曲线显示出显着的ZFC-FC滞后在温度低于尼尔温度（TN约40 K）。的介电常数逐渐增加（高达26%）低于TN和模仿ZFC磁化曲线。我们认为，这些效果是在薄膜中的磁电耦合的表现形式和YMnO 3的磁性结构可以通过衬底的选择来控制。
2007-01-16 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anisotropic Metal-Insulator Transition in Epitaxial Thin Films
由简单的多价金属制成的量子阱代表了掺杂的2D Mott-Hubbard绝缘体的新家族。扫描隧道显微镜实验表明，这些系统表现出各向异性形式的金属-绝缘体转变。它们的基元激发沿法向轴具有相干的类波性质，在面内表现出非相干的行为。这种各向异性相干性的发展很可能与定域和离域薄膜电子态之间的库仑相互作用-二维近藤屏蔽有关。
2003-11-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Robust formation of skyrmions and topological Hall effect in epitaxial thin films of MnSi
研究了在Si（111）衬底上生长的B_（20）型MnSi外延薄膜的磁输运性质。洛伦兹透射电子显微镜（TEM）图像和拓扑霍尔效应（THE）都清楚地指出了在宽的温度-磁场区域内skyrmions的稳健形成。新的功能不同的散装MnSi的观察外延MnSi薄膜：一个较短的（近一半）周期的自旋螺旋和skyrmions，和相反的符号的THE。这些观察结果表明，skyrmion引起的THE的多功能超出了目前的理解。
2012-09-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Anisotropic In-Plane Strain and Transport in Epitaxial Nd(0.2)Sr(0.8)MnO(3) Thin Films
报道了Nd（0.2）Sr（0.8）MnO（3）外延a轴取向薄膜的结构、形貌和电学性能，厚度为10 nm ≤ t ≤ 150 nm。薄膜生长与拉伸和压缩应变在各种基板上。据发现，在两种应变状态下的所有厚度的薄膜的拉长的晶体学的c轴保持充分应变的基板。由于高度各向异性的热膨胀，在拉伸应变下生长的膜在a和b轴上观察到松弛，从而形成单轴裂纹阵列（沿c轴）。对于后者的膜，室温面内电阻率各向异性，rho_b/rho_c，增加膜厚度的值~1000在最厚的膜研究，近似呈指数增加。张力下的膜的尼尔温度提高了约25 K的厚度无关，一致的铁磁交换沿其扩展的c轴的增强。
2009-10-27 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Strain-mediated metal-insulator transition in epitaxial ultra-thin films of NdNiO3
我们分别在SrTiO $_3$（001）和$_{3}$（001）上，采用拉应变和压应变的逐层生长方式，制备了NdNiO $_{3}$超薄膜。结合X射线衍射，温度依赖的电阻率，和软X射线吸收光谱已被应用于阐明样品的电子和结构特性。在相反的散装NdNiO $_{3}$，金属-绝缘体的过渡下的压缩应变被发现是完全淬火，而过渡下的拉伸应变，虽然修改的散装行为。
2010-03-17 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Nonresonant microwave absorption in epitaxial La-Sr-Mn-O films and its relation to colossal magnetoresistance
我们研究了La $_{0.7}$ Sr $_{0.3}$ MnO $_{3}$薄膜的磁场依赖的非共振微波吸收和色散，并表明它源于庞磁电阻。建立了倾斜磁场中铁磁薄膜的磁电阻模型。该模型相当好地解释了我们的实验结果，以及其他研究人员的结果。我们证明了非共振微波吸收是一种强大的技术，允许非接触测量的磁性能的薄膜，包括磁阻，各向异性场和矫顽场。
2007-09-02 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
First-principles study of FeSe epitaxial films on SrTiO3
SrTiO_3衬底上FeSe薄膜高温超导性的发现引起了人们极大的实验和理论兴趣。第一性原理密度泛函理论计算在铁基块体超导体的研究中发挥了重要作用，也参与了界面超导性的研究。在这篇文章中，我们回顾了FeSe外延薄膜的电子和磁性结构的计算结果，强调不同的自由度，如电荷，自旋和晶格振动之间的相互作用。此外，FeSe的单层和双层薄膜的SrTiO 3之间的比较进行了讨论。
2015-10-29 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Investigations of metastable Ca2IrO4 epitaxial thin-films: systematic comparison with Sr2IrO4 and Ba2IrO4
采用脉冲激光沉积法在YAlO 3（110）衬底上制备了介稳Ca 2 IrO 4薄膜。外延生长的Ca_2 IrO_4薄膜为K_2NiF_4型四元结构。输运和光谱测量表明，Ca_2 IrO_4薄膜的电子结构与Jeff = 1/2自旋-轨道耦合莫特绝缘体Sr_2 IrO_4和Ba_2 IrO_4的电子结构相似，只是带隙能有所增加。由于Ca 2 IrO 4八面体旋转和倾斜的增加，导致电子相关性增强，U/W，因此可以预期Ca 2 IrO 4的带隙增加。我们的研究结果表明，亚稳相薄膜的外延稳定生长可以有效地用于研究层状铱酸盐和各种复合氧化物系统。
2016-05-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anisotropic electronic properties of a-axis-oriented Sr2IrO4 epitaxial thin-films
研究了在LaSrGaO 4（100）衬底上生长的a轴取向Sr 2 IrO 4外延薄膜沿c轴的输运和光学性质。c轴电阻率比ab平面电阻率大约大一个数量级。E//b极化的光学吸收光谱显示Ir 5d位间跃迁和电荷转移跃迁（O 2 p到Ir 5d），而E//c光谱仅显示后者。在a轴取向的薄膜中由双轴应变产生的结构各向异性也改变了电子结构和带隙能。这些a轴取向的外延薄膜为研究Sr 2 IrO 4的各向异性电子性质提供了有力的工具。
2013-09-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Epitaxial Ba2IrO4 thin-films grown on SrTiO3 substrates by pulsed laser deposition
用脉冲激光沉积法在SrTiO 3（001）衬底上外延生长了Ba 2 IrO 4（BIO）薄膜，并通过直流输运和光谱实验研究了其电子结构。我们已经观察到，BIO薄膜是绝缘的，但接近的金属绝缘体过渡边界的显着较小的运输和光学带隙能量比它的姐妹化合物，Sr2IrO4。此外，BIO薄膜具有增强的电子带宽和电子相关能。我们的研究结果表明，生物薄膜具有很大的潜力，实现有趣的物理性能预测层状铱酸盐。
2014-02-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Fabrication and Low Temperature Thermoelectric Properties of Na_xCoO_2 (x = 0.68 and 0.75) Epitaxial Films by the Reactive Solid-Phase Epitaxy
我们采用反应固相外延法（reactive solid phase epitaxy：Ref.4），通过钠向Co_3O_4（111）外延膜中的横向扩散，制备了Na_xCoO_2薄膜。热扩散环境是控制薄膜中钠含量的关键。从x射线衍射和面内电阻率的结果，这些薄膜的外延生长和钠含量进行了鉴定。热电测量显示出类似于在单晶中观察到的大的热电功率。准粒子散射率被发现在低温下接近零，与小的剩余电阻率一致，表明高质量的Na_xCoO_2薄膜。
2007-01-20 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Electronic and optical properties of La-doped Sr$_3$Ir$_2$O$_7$ epitaxial thin-films
研究了拉伸应变（Sr $_{1-x}$ La $_x$）$_3$ Ir $_2$ O $_7$（x = 0，0.025，0.05）外延薄膜的结构、输运和光学性质。虽然高T $_c$超导理论预测的系统中，我们已经观察到，所有的样品保持绝缘与有限的光学能隙和莫特可变范围跳跃特性的运输。横截面扫描透射电子显微镜表明，结构缺陷，如堆垛层错出现在这个系统。La掺杂Sr $_3$ Ir $_2$ O $_7$薄膜的绝缘行为可能是由于La的无序诱导局域化和无效电子掺杂引起的，这揭示了铱酸盐外延薄膜与体单晶之间的有趣差异。
2018-02-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
