Mechanisms of FMR line broadening in CoFeB-LiNbO$_3$ granular films in the vicinity of metal-insulator transition
利用铁磁共振(FMR)技术研究了不同铁磁相(FM)含量的金属-绝缘体(CoFeB)$_x$(LiNbO $_3$)$_{100-x}$纳米复合薄膜$x$.在薄膜的金属-绝缘体转变(MIT)附近观察到FMR线形状的强烈变化,其中跳跃型电导率$σ$修改为强晶间隧穿的制度,其特征在于在高温下的对数依赖性$σ(T)$。结果表明,在低于MIT时,FMR线宽主要取决于薄膜平面内局部各向异性轴的不均匀分布。在MIT以上,这种不均匀性对谱线展宽的贡献减小。同时,双磁振子磁弛豫过程开始在线宽的形成中起重要作用。所观察到的行为表明的关键作用,粒子间交换的隧道制度MIT以上的纳米复合材料。
2019-08-19 cond-mat.mtrl-sci
Room Temperature Spin Pumping in Topological Insulator Bi2Se3
三维(3D)拓扑绝缘体因其强的自旋轨道耦合和自旋织构拓扑表面态的存在而闻名,这可以潜在地用于自旋电子学。在这里,我们研究自旋泵从金属铁磁体(CoFeB)到三维拓扑绝缘体(Bi 2Se 3),并证明成功的自旋注入从CoFeB到Bi 2Se 3和直接检测所产生的电动势的逆自旋哈尔效应(ISHE)在室温下。由金属铁磁体的磁化动力学驱动的自旋泵浦将自旋电流引入到拓扑绝缘体层中,导致铁磁共振(FMR)线宽的加宽。我们发现Bi 2Se 3层的FMR线宽超过五倍,自旋混合电导可以达到3.4* 10^20 m ^-2,自旋霍尔角可以达到0.23。
2014-07-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Tunneling and EPR linewidths due to dislocations in Mn-12 acetate
我们计算了Mn-12醋酸盐晶体中位错引起的EPR和隧穿共振的宽度和形状。不相关的位错产生高斯形状的共振,而成对的位错产生洛伦兹形状。我们强调,单轴自旋哈密顿连同晶体缺陷可以解释Mn-12的实验数据的整体。
2002-03-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.stat-mech
Strain effect in silicon-on-insulator materials: Investigation with optical phonons
我们报告了一个详细的实验和理论研究的残余应变的影响,应变弛豫,这体现在商业绝缘体上硅(SOI)晶片的Si/SiO $_{2}$接口。SOI材料由位于处理硅晶片上的绝缘体(埋入的SiO $_{2}$层)顶部的单晶硅覆盖层(SOL)制成。红外反射率谱表明,随着溶胶的减薄,SiO $_{2}$埋层不断弛豫。与此同时,溶胶表面粗糙度和Si/SiO $_2$界面附近的Si中光学声子的线宽(通过显微拉曼光谱探测)增加。在交付的晶片中,这是由于硅在埋入的SiO $_{2}$层两侧的轻微膨胀,相反,硅被压缩。变薄的SOL修改这些初始平衡条件。为了得到定量的结果,我们已经模拟了我们所有的拉曼光谱使用的光学声子的非均匀位移和加宽的理论,它考虑到声子与静态应变波动的相互作用。从线宽与界面距离的变化,我们已经发现,均方应变继续放松,通过几个$μm$的顺序上的深度在大部分的晶片。我们还表明,SOL表面粗糙度是有关的Si/SiO $_2$接口附近的应变波动。
2000-09-29 cond-mat.mtrl-sci
Spin-torque driven ferromagnetic resonance of Co/Ni synthetic layers in spin valves
自旋力矩驱动铁磁共振(ST-FMR)被用来研究薄Co/Ni合成层的垂直各向异性限制在自旋阀为基础的纳米结。场扫描ST-FMR测量在垂直于层表面施加磁场的情况下进行。在低振幅射频激发下,从1到20 GHz的谐振线进行测量。这些结果进行了比较与使用传统的射频场驱动的FMR扩展膜具有相同的Co/Ni层结构。限制在自旋阀中的层具有较低的共振场,较窄的共振线宽和近似相同的线宽与频率的斜率,意味着相同的阻尼参数。磁激励的临界电流是由共振线宽与直流电流的测量确定的,并且与由I-V测量确定的临界电流一致。
2008-01-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Ferromagnetic resonance of exchange-coupled perpendicularly magnetized bilayers
在垂直磁化系统中,强铁磁层间交换耦合$J$正变得越来越受欢迎。我们研究是否铁磁层间交换耦合可以测量宽带铁磁共振方法和磁磁滞回线的组合。为此,我们模拟开关和双层系统中的本征激发,包括一个软层耦合到一个较厚的硬层,具有较高的垂直磁各向异性。对于大的$J >0$,开关场基本上与$J$无关,但是双层的光学本征模的频率和声学和光学本征模的线宽直接对耦合敏感。我们推导出一个语料库的紧凑的解析表达式来分析这些频率,它们的线宽,并讨论其意义。我们说明了这个语料库上的系统模仿的磁隧道结的自旋力矩应用程序的固定层。
2016-04-21 cond-mat.mtrl-sci
Intersubband decay of 1-D exciton resonances in carbon nanotubes
我们从实验和理论上研究了半导体碳纳米管中E22激子的子带间衰减。具有手性指数(n,m)的半导体纳米管的光致发光激发线宽可以映射到具有常数(n-m)和(2n+m)曲线的连通性网格上。此外,E22线宽的全局行为的最佳特征是随着能量的强烈增加,而与它们的(n-m)mod(3)= \pm 1家族隶属关系无关。Bethe-Salpeter方程的解表明,E22线宽主要由声子辅助耦合到E11和E12激子带的高动量态。计算还表明,衰变到激子带与自由载流子带的分支比分别约为10:1。
2007-10-16 cond-mat.mtrl-sci
Phonon Linewidths and Electron Phonon Coupling in Nanotubes
我们证明了电子-声子耦合(EPC)是石墨和金属纳米管中拉曼G和G-峰展宽的主要来源。这使我们能够直接测量光学声子EPC的G和G-线宽。实验EPCs与那些从密度泛函理论比较非常好。我们发现,EPC解释了金属和半导体纳米管的拉曼光谱的差异和它们对管直径的依赖性。我们驳回的G峰在金属纳米管的声子和等离子体激元之间的法诺共振的共同分配。我们将G+和G-峰分配给TO(切向)和LO(轴向)模式。
2005-09-01 cond-mat.mtrl-sci
Temperature dependent magnetic damping of yttrium iron garnet spheres
研究了钇铁石榴石球的微波吸收谱随温度(5 K ~ 300 K)和频率(3 GHz ~ 43.5 GHz)的变化关系。在100 K以上的温度下,磁共振线宽随温度线性增加,并显示出吉尔伯特式的线性频率依赖性。在较低的温度下,在恒定的外部磁场的谐振线宽的温度依赖性表现出一个特征峰,这与非吉尔伯特式的频率依赖性相一致。完整的温度和频率演化的线宽可以建模的现象缓慢放松稀土杂质和Kasuya-LeCraw机制或散射与光学磁振子。此外,我们提取的饱和磁化强度,磁各向异性和g因子的温度依赖性。
2017-06-02 cond-mat.mtrl-sci
Sub-megahertz homogeneous linewidth for Er in Si via in situ single photon detection
我们研究了共振激发的三价Er系综在Si中的光学性质。介绍了一种避免样品上纳米纤维的新方法,导致70个激发频率的高效检测,其中63个共振在文献中没有观察到。所有共振的中心频率和光学寿命已被提取,表明5%的共振是在我们的电检测共振的1 GHz之内,光学寿命范围从0.5 ms到1.5 ms。我们观察到小于400 MHz的非均匀加宽和1.4 MHz和0.75 MHz的两个单独的共振均匀线宽的上限,这是迄今为止观察到的一个数量级以上的减少。这些窄的光跃迁特性表明,硅中的铒是未来量子信息和通信应用的一个很好的候选者。
2021-08-16 cond-mat.mtrl-sci physics.optics quant-ph
2D correlations in the van der Waals ferromagnet CrBr$_{3}$ using high frequency electron spin resonance spectroscopy
拓宽对范德华层状磁体中磁相关性的认识和理解对于实现其潜在的下一代应用至关重要。在这项研究中,我们采用高频(240 GHz)的电子自旋共振(ESR)谱板状CrBr $_{3}$深入了解的磁相互作用作为温度(200 - 4 K)和旋转角$θ$的函数。我们发现,ESR线宽的温度依赖性很好地描述了Ginzberg-Landau临界模型以及Berezinskiii-Kosterlitz无(BKT)过渡模型,表示存在的二维(2D)相关。这表明,三维铁磁体CrBr $_{3}$,这已被描述为一个伊辛或海森堡铁磁体,可以呈现二维磁关联和BKT样的行为,即使在其散装形式,观察,据我们所知,还没有在文献中报道。此外,我们的研究结果表明,共振场遵循$(3cos^2θ - 1)$类角度依赖性,而线宽遵循$(3cos^2θ - 1)^2$类角度依赖性。这种观察到的共振场和线宽的角度依赖性进一步证实了CrBr $_{3}$中未预料到的2D磁行为。这种行为可能是由于在ESR实验期间施加的外部磁场的相互作用,其允许调解可能由于磁相分离而形成的自旋团簇之间的长程涡旋状相关性。这项研究表明,采用自旋敏感技术,如ESR,以更好地了解在类似的范德华磁体的磁关联的意义。
2020-10-29 cond-mat.mtrl-sci
Enhancement of the Electron Spin Resonance of Single-Walled Carbon Nanotubes by Oxygen Removal
我们已经观察到了近四倍的增加,电子自旋共振(ESR)信号从合奏单壁碳纳米管(SWCNT)由于氧解吸。通过在热退火之前和之后进行随温度变化的ESR谱,我们发现单壁碳纳米管中的ESR可以通过样品中的分子氧含量可逆地改变。从$\sim$ 4 K到300 K,观察到与吸附氧的存在无关的居里定律(自旋磁化率$\propto 1/T$),表明探测的自旋是有限能级的物种。对于退火前和退火后的样品条件,ESR线宽随着温度的增加而降低,我们确定为运动变窄的现象。从线宽的温度依赖性,我们提取的管间跳跃频率的估计,对于这两个样本条件下,我们发现这个跳跃频率是$\sim$ 100 GHz。由于自旋跳跃频率只有轻微的变化时,氧被解吸,我们得出结论,只有自旋磁化率,而不是自旋运输,是由物理吸附的分子氧的存在下,单壁碳纳米管合奏的影响。令人惊讶的是,当SWCNT样品中的氧的量改变时,没有观察到线宽变化,这与其他碳质系统和某些1D导电聚合物相反。我们假设,物理吸附的分子氧作为受体($p$型),补偿供体样($n$型)缺陷,负责在散装单壁碳纳米管的ESR信号。
2011-10-24 cond-mat.mtrl-sci
Detecting band inversions by measuring the environment: fingerprints of electronic band topology in bulk phonon linewidths
物质的拓扑相和耗散浴之间的相互作用构成了一个新兴的研究课题,与凝聚态,光子晶体,冷原子气体和量子信息有关。虽然最近的研究表明,耗散浴可以诱导拓扑相在本质上平凡的量子材料,拓扑不变量的耗散浴的反作用被忽视。通过探索这种反作用耦合到声子的中心对称狄拉克绝缘体,我们表明,体光学声子的线宽可以包含通用的功能,揭示了电子结构的拓扑结构。这个结果是第一个已知的例子,其中开放量子系统的拓扑相位可以通过测量周围环境的体属性来检测。
2015-10-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Measurement of the intrinsic damping constant in individual nanodisks of YIG and YIG{\textbar}Pt
我们报道了两个系列的直径为$ϕ=$ 300,500和700 nm的纳米盘的自旋波弛豫率的实验研究,图案化出两个系统:一个20 nm厚的钇铁石榴石(YIG)薄膜通过脉冲激光沉积生长裸或覆盖13 nm的Pt。使用磁共振力显微镜,我们精确地测量每个单独的YIG和YIG{ \textbar }Pt纳米盘的铁磁共振线宽。我们发现,在纳米结构的线宽是明智的小于在扩展膜中测量的。的光谱线宽的频率依赖性的分析表明,改善主要是由于抑制的不均匀的部分,由于几何限制的扩大,这表明只有均匀的扩大有助于纳米结构的线宽。对于裸YIG纳米盘,加宽与阻尼常数$α= 4 \cdot 10^{-4}$相关联。一个3倍的线宽增加观察与Pt帽层的系列,归因于自旋泵效应。所测量的增强允许提取自旋混合电导,发现对于我们的YIG(20 nm){ \textbar }Pt界面是$G_{\uparrow \downarrow}= 1.55 \cdot 10^{14}~ Ω^{-1}\text{m}^{-2}$,从而为具有优化磁损耗的基于YIG的纳米结构的设计打开了很大的机会。
2014-02-15 cond-mat.mtrl-sci
Spin correlations in rare-earth paramagnetic systems; neutron linewidths and muSR spin-lattice relaxation rates
我们考虑自旋关联函数的稀土化合物在其顺磁状态的目的是了解的准弹性和晶体场线宽和自旋晶格弛豫率测量的μ子自旋弛豫技术的温度依赖性。传导电子和声子弛豫机制进行了处理。首先用P.M.理查兹然后用无规相位近似(RPA)研究了规则晶格稀土离子的情况。简单的晶体场级计划的应用程序,特别强调声子弛豫机制。这使我们能够调查我们的结果的有效性域。为了解释绝缘子上记录的数据,建议进行现象学修改。
2009-12-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Sharp Raman Anomalies and Broken Adiabaticity at a Pressure Induced Transition from Band to Topological Insulator in Sb2Se3
因此,迄今已知拓扑绝缘体的非平凡电子拓扑在表面处显示稳健金属态的特征。在这里,我们建立了振动异常的拉曼光谱的大部分,这意味着电子拓扑结构的变化:E2 g声子软化异常,其线宽表现出不对称的峰值在Sb2Se3晶体中的压力诱导的电子拓扑转变(ETT)。我们的第一性原理计算证实了电子从能带到拓扑绝缘态的跃迁,电子带通过金属态的宇称反转,但没有捕获声子异常,这涉及由于声子和电子的强耦合动力学的绝热近似的击穿。在四带模型的拓扑绝缘体处理这一点,我们阐明如何非绝热重整化的声子构成容易测量的大量签名的ETT,这将有助于努力开发拓扑绝缘体通过修改带绝缘体。
2013-03-06 cond-mat.mtrl-sci
Ferromagnetic resonance study of polycrystalline Cobalt ultrathin films
本文介绍了多晶的室温铁磁共振研究||Pt/10 nm Cu/tCo/10 nm Cu/Pt||薄膜作为Co层厚度的函数(1 < t < 10 nm)。FMR研究了高频宽带共面波导(高达25 GHz),使用倒装芯片的方法。共振场和线宽作为铁磁层厚度的函数进行测量。蒸镀薄膜的磁化强度(Ms = 1131 emu/cm ^3)低于溅射薄膜(Ms= 1333 emu/cm ^3),垂直表面各向异性几乎相等(Ks ~ -0.5 erg/cm ^2)。对于这两个系列的膜,观察到Co层厚度低于3 nm的线宽的强烈增加。对于铁磁层厚度小于4 nm的薄膜,溅射薄膜的阻尼大于蒸镀薄膜的阻尼。线宽的厚度依赖性可以从自旋泵浦效应的角度来理解,并由此推导出界面自旋混合电导g^{ \uparrow \downarrow }S^{-1}。
2005-09-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Ferromagnetic resonance and magnetic damping in C-doped Mn5Ge3
采用铁磁共振(FMR)方法研究了生长在Ge(111)衬底上的掺碳Mn5Ge3(C $_{0.1}$和C $_{0.2}$)薄膜的静态和动态磁性能。磁各向异性的温度依赖性显示出增加的垂直磁晶贡献在80 K与面内易轴由于大的形状贡献。我们发现,我们的样品显示出一个小的FMR线宽(对应于一个内在的磁阻尼参数$α$ =0.005),这是一个衡量的自旋弛豫和直接相关的磁性和材料的结构质量。在平行于平面的几何结构中,所有样品的FMR线宽在200K附近显示出最小值,这似乎与C掺杂无关。磁弛豫参数已被确定,并表明两个磁振子散射的主要外在贡献。我们观察到的变化,在Mn5Ge3C0.2中的散射中心的主要贡献在低温下,这可能是有关的最小线宽。
2016-03-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Observation of conduction electron spin resonance in boron doped diamond
我们在掺硼(6400 ppm)超导金刚石(Tc = 3.8K)中观察到传导电子的电子自旋共振。我们清楚地确定了传导电子自旋共振(CESR)的基准:几乎与温度无关的ESR信号强度及其幅度,这与通过泡利自旋磁化率从态密度预期的结果吻合得很好。CESR谱线宽度随温度的增加而增加,这可以在自旋弛豫的Elliott-Yafet理论的框架下理解。使用经验Elliott-Yafet关系,在g因子、CESR线宽和电阻率之间观察到异常且尚未解释的关系。
2013-05-10 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
$\text{Co}_{25}\text{Fe}_{75}$ Thin Films with Ultralow Total Damping
我们测量了用直流磁控溅射法生长的$\text{Co}_{25}\text{Fe}_{75}$薄膜的动态特性。使用铁磁共振光谱,我们证明了一个超低的总阻尼参数在面外配置< 0.0013,而对于面内配置,我们发现一个最小的总阻尼< 0.0020。在这两种情况下,我们观察到低不均匀的线宽加宽宏观薄膜。我们观察到一个最小的全宽半最大线宽为1 mT在10 GHz的谐振频率为12 nm厚的膜。我们表征这些薄膜的形态和结构作为种子层组合的函数,并发现大的变化的定性行为的面内线宽与谐振频率。最后,我们使用依赖于波矢的布里渊光散射光谱来表征自旋波色散在波矢高达23 $μ\text{m}^{-1}$。
2018-04-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Towards Engineering Intrinsic Linewidths and Line-Broadening in Perovskite Nanoplatelets
Percent纳米片具有极窄的吸收和发射线宽,这是许多光学应用的关键特性。然而,其内在和外在的线增宽机制知之甚少。在这里,我们应用多维相干光谱,以确定均匀的线加宽的胶体钙钛矿纳米片合奏。我们证明控制不仅其固有的线宽,但也通过调整血小板的几何形状的各种增宽机制的控制。值得注意的是,我们发现,通过一个单一的多面体层减少纳米片的厚度的结果在2倍减少的非均匀线宽和3倍减少的内在均匀线宽的亚毫电子伏制度。此外,我们的测量表明,均匀加宽激子共振在3层(但不一定是4层)纳米片在室温下。
2020-11-05 cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph physics.optics
Highly tunable magnetic coupling in ultrathin topological insulator films due to impurity resonances
我们从理论上研究了磁性杂质之间的交换相互作用,考虑到低能量的杂质产生的拓扑绝缘体薄膜。我们发现局域感生杂质共振强烈影响磁矩之间的交换相互作用。特别是,我们发现一个非共线的对齐是更有利的比共线的铁磁对齐时,杂质状态被忽略,只考虑原始的拓扑绝缘体能带结构。此外,我们表明,通过施加一个电场垂直于薄膜,交换相互作用可以大大增强。这为通过电场实现高度可调的磁性开辟了可能性。
2020-03-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Theory of electron spin resonance in bulk topological insulators Bi2Se3, Bi2Te3 and Sb2Te3
本文对Bi_2Se_3、Bi_2Te_3和Sb_2Te_3等体拓扑绝缘体中的电子自旋共振进行了理论研究。使用有效的四带模型,我们发现在一个静态磁场中的电子能谱,并确定电和磁偶极子扰动的响应,由振荡的电场和磁场垂直于静态场。我们确定了相关的选择规则,并计算了吸收光谱。这使我们能够分离有效的轨道和自旋自由度,并确定电子和空穴的有效g因子。
2016-01-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Magnetic-Resonance-Induced Pseudo-electric Field and Giant Current Response in Axion Insulators
磁电效应的量子化版本,称为拓扑磁电效应,可以存在于时间反演不变的拓扑绝缘体中,其所有表面状态都被磁性隔开。这种拓扑相被称为轴子绝缘体相,理论上已经提出,但由于拓扑磁电效应的小信号,仍然缺乏确凿的实验证据。在这项工作中,我们提出,在轴子绝缘体的动态面内磁化可以产生一个“伪电场“,它的作用在拓扑绝缘体薄膜的表面状态,并导致非零的响应电流。引人注目的是,我们发现,在磁共振(铁磁或反铁磁)的电流是大于拓扑磁电效应的几个数量级,从而作为一个可行的吸烟枪,以确认候选材料中的轴子绝缘体相。
2019-08-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci hep-th
Observation of a Topological Insulator Dirac Cone Reshaped by Non-magnetic Impurity Resonance
在拓扑绝缘体表面发现的无质量狄拉克电子被认为受弱的非磁性无序的影响很小。然而,理论上预测强扰动非磁性杂质的共振效应会改变低能准粒子的色散和物理性质,导致缺乏微观平移对称性的独特粒子状状态。在这里,我们报告的直接观察的杂质重塑模型3D拓扑绝缘体Bi2Se 3的表面狄拉克锥。对于第一次,一个明显的扭结状分散功能中观察到的无序富集的样品,并发现密切相关的异常所造成的杂质共振的表面状态的态密度,观察到的二向色角分辨光电子能谱(ARPES)。这些功能,这非常类似于理论预测的实验观察,具有显着的影响,拓扑狄拉克锥在应用场景中,通常在表面或界面的功能点缺陷无序的属性。
2018-04-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
$^{77}$Se nuclear magnetic resonance of topological insulator Bi$_2$Se$_3$
拓扑绝缘体(TI)是一类在体相中具有能隙而在表面具有特殊金属态的新型材料。到目前为止,大多数实验都集中在探测这些材料的表面电子结构。在这里,我们报告的新的和潜在的有趣的功能,从散装电子结构。我们的研究结果是基于一个全面的核磁共振(NMR)研究$^{77}$硒铋$_2$硒$_3$和铜$_{0.15}$铋$_2$硒$_3$单晶。首先,我们发现两个共振线,并表明,他们起源于两个不等价的硒晶格位置。其次,我们观察到不寻常的场独立线宽,并将其归因于一个意想不到的强大的核间耦合介导的散装电子。这些结果要求对早期的NMR研究进行修订,并增加对TI的体电子性质的了解。
2016-02-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Near-room-temperature zero-dimensional polariton lasers with sub-10 GHz linewidths
本文通过将(Al,Ga)As中的极化激元凝聚体限制在微米级腔内陷阱,显著提升其温度稳定性至约200 K,同时保持亚10 GHz线宽,为室温极化激元凝聚及片上光子器件应用提供新途径。
2025-04-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.quant-gas
Impact of Band Structure on Wave Function Dissipation in Field Emission Resonance
我们在Ag(111)和Ag(100)表面上证明了场发射共振(FER)线宽的倒数随电场的变化而变化,它与FER中共振电子的平均寿命成正比。Ag(111)的变化几乎是平滑的,而Ag(100)的变化是零星的,波动很大。这种巨大的差异可以通过它们不同的投影体能带结构和量子力学的系综解释来解释,根据量子力学的系综解释,所有共振电子都由单个波函数控制。Ag(100)具有高于其真空能级的能隙,而Ag(111)没有。因此,与FER线宽相关的波函数的耗散率在Ag(111)上几乎稳定,而在Ag(100)上波动。研究结果表明,通过FER可以研究Ag(100)表面的量子俘获效应和表面偶极层。
2020-12-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Electrically detected magnetic resonance of $^{75}$As magnetic clock transitions in silicon
University of Melbourne(墨尔本大学);University of Manchester(曼彻斯特大学);University College London(伦敦大学学院);RMIT University(皇家墨尔本理工大学);Australian Research Council Centre for Quantum Computation and Communication Technology(澳大利亚研究委员会量子计算与通信技术中心);CSIRO(联邦科学与工业研究组织)
研究通过低场连续波电探测磁共振观察硅中近表面$^{75}$As spins的磁钟跃迁,揭示了低场EDMR在探测近表面供体系统磁钟跃迁中的灵敏性。
2026-04-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Spin-torque resonance due to diffusive dynamics at a surface of topological insulator
我们研究自旋-轨道力矩磁化在绝缘铁磁(FM)层,被带到一个非常接近的拓扑绝缘体(TI)。除了众所周知的类场自旋轨道扭矩,我们确定了各向异性的反阻尼类自旋轨道扭矩,起源于传导电子的扩散运动。这种扩散力矩在零动量的极限(即,e.对于空间上均匀的电场或电流),但是,如果外场既不平行于TI表面也不垂直于TI表面,则在有限频率下对自旋扭矩共振具有强烈的影响。所需的电场配置可以由格栅顶栅产生。
2019-05-23 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electric-Field-Induced Spin Resonance in Antiferromagnetic Insulators: Inverse Process of the Dynamical Chiral Magnetic Effect
我们提出了一种实现电场诱导反铁磁共振的方法。我们考虑具有自旋轨道耦合的三维反铁磁绝缘体,其特征在于存在一个称为$θ$项的拓扑项。通过求解含有$θ$项的Landau-Lifshitz-Gilbert方程,我们发现,与传统的使用交流磁场的方法不同,反铁磁共振态是由交流电场和静态磁场共同作用实现的.这种机制可以被理解为动态手征磁效应的逆过程,即由磁场产生交流电。换句话说,我们提出了一种在凝聚态物质中电诱导动力学轴子场的方法。我们讨论了一个可能的实验来观察我们的建议,它利用自旋泵从反铁磁绝缘体到重金属接触。
2016-06-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el