Thermopower of correlated semiconductors : application to FeAs2 and FeSb2
本文研究了电子关联对半导体和绝缘体热电性的影响。呼吁模型的考虑，我们研究各种多体重整化，进入热电响应。我们发现，与相关金属的情况相反，相关效应本身并不提高塞贝克系数或品质因数，对于前者，我们给出了消失顶点校正的上限。对于目前感兴趣的两种材料，FeAs 2和FeSb 2，我们计算的电子结构和热电势。我们发现FeAs 2在密度泛函理论中得到了很好的描述，由此推导出的Seebeck系数与实验定量吻合。然而，捕获的绝缘基态的FeSb 2，需要包括多体效应，在其中，我们成功地应用GW近似。然而，虽然我们得到定性协议的热电势的FeSb 2在中间温度下，极大的塞贝克系数在低温下被发现违反我们的上限，这表明存在决定性的（例如声子介导）顶点校正。
2010-06-03 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Polaronic transport and thermoelectricity in Fe$_{1-x}$Co$_x$Sb$_2$S$_4$ ($x$ = 0, 0.1, and 0.2)
本文报道了钴掺杂铍钇矿Fe $_{1-x}$ Co $_x$ Sb $_2$ S $_4$（$x$ = 0，0.1和0.2）的研究。Fe $_{1-x}$ Co $_x$ Sb $_2$ S $_4$系列合金结晶为正交晶系结构，空间群为Pnma，与FeSb $_2$相似，表现出半导体行为。电导率，$E_ρ$（146 $\sim$ 270 meV），和热电势，$E_S$（47 $\sim$ 108 meV）的活化能之间的巨大差异，表明极化传输机制。体磁化强度和热容测量的纯FeSb $_2$ S $_4$（$x$ = 0）表现出广泛的反铁磁（AFM）转变（$T_N$ = 46 K），其次是一个额外的弱转变（$T^*$ = 50 K）。转变温度（$T_N$和$T^*$）略有下降，增加钴含量$x$。这也反映在热导率测量中，表明强的自旋-晶格耦合。当与FeSb $_{2}$相比时，Fe $_{1-x}$ Co $_x$ Sb $_2$ S $_4$显示出相对高的热电势值（在300 K下高达$\sim$ 624 $μ$ V K $^{-1}$）和低得多的热导率，这是基于FeSb $_{2}$材料的潜在应用所期望的特征。
2018-04-20 cond-mat.str-el
121,123Sb NQR as a microscopic probe in Te doped correlated semimetal FeSb2 : emergence of electronic Griffith phase, magnetism and metallic behavior %
$^{121,123}Sb$核四极共振（NQR）被应用于低掺杂区的$Fe(Sb_{1-x}Te_x)_2$（\emph{x = 0, 0.01}和\emph{0.05}）作为微观零场探针，以研究\emph{3d}磁性的演变和金属行为的出现。而NQR光谱本身反映了通过个别NQR线的宽度的局部无序的程度，自旋晶格弛豫率（SLRR）$1/T_1(T)$探测在$Sb$ -网站的波动。涨落要么来自传导电子，要么来自磁矩。与半金属$FeSb_2$相比，在$1/T_1(T)T ( \sim exp/ (Δk_BT) ) $中具有明显的电荷和自旋能隙形成的特征，1\% $Te$掺杂的系统表现出几乎金属的导电性和几乎填充的能隙。SLRR系数$1/T_1(T)T \sim T^{-n} \sim T^{-0.2}$的弱发散指向电子相关对低温的存在，而\textit{5\%} $Te$掺杂的样品在SLRR系数中表现出大得多的发散，显示出$1/T_1(T)T \sim T^{-0.72} $。根据比热发散，SLRR符合$n\ =\ 2\ m\ =\ 0.56$的幂律。此外，$Te$掺杂的$FeSb_2$作为一种无序顺磁金属可能是电子格里菲斯相方案的平台。NQR证明了\emph{5\%}样品的$^{121,123}Sb$ NQR谱的显著不对称加宽。这具有与电子格里菲斯相一致的纯电子起源，并且可能源于增强的$…
2017-10-26 cond-mat.str-el
Unusual electronic and vibrational properties in the colossal thermopower material FeSb$_2$
锑化铁FeSb $_2$在低温下具有非常高的热电功率因数，使其成为低温热电冷却装置的主要候选者。然而，这种不寻常行为的起源是有争议的，已经被各种各样地归因于电子相关性以及声子拖曳效应。材料的光学性质提供了关于电子和振动性质的信息。的光学电导率揭示了在室温下的各向异性响应，低频光学电导率随温度迅速下降，信号的金属-绝缘体转变。在低温下沿$b$轴观察到一维半导体行为，与第一性原理计算一致。红外活性晶格振动也是对称的，并且非常窄，表明声子弛豫时间长，并且缺乏电子-声子耦合。令人惊讶的是，有更多的晶格模式沿$a$轴比从群论预测，这些模式中的几个发生显着变化低于约100 K，暗示在弱的结构畸变或相变。虽然极窄的声子线形状有利于声子拖曳效应，但该系统在低温下的一维行为也可能有助于在该材料中观察到非常高的热电势。
2018-08-14 cond-mat.str-el
Tuning thermoelectric power factor by crystal-field and spin-orbit couplings in Kondo lattice materials
我们研究热电输运在低温下的相关近藤绝缘体，最近观察到的高热电优值（ZT）的$FeSb_2$在$T \sim 10 K$的动机。即使在室温下，相关性也有可能导致高ZT，如在$YbAl_3$中，它是最广泛使用的热电金属之一。在低温下，相关效应特别值得研究，因为固定的能带结构不太可能产生非常小的能隙$E_g \sim 5 kT$，这是弱相关材料在低温下有效发挥作用所必需的。我们探讨了通过调节晶体场和自旋轨道耦合来改善相关Kondo绝缘体热电性能的可能性，并提出了一个框架，以设计更有效的低温热电器件。
2013-01-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Colossal Positive Magnetoresistance in a Doped Nearly Magnetic Semiconductor
本文报道了FeSb $_{2}$金属化诱导的正巨磁电阻效应。讨论了轨道磁共振和量子干涉对增强电阻率磁场响应的贡献。
2008-01-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Enhanced thermoelectric response of hole-doped La$_2$NiO$_{4+δ}$ by ab initio calculations
用从头算方法研究了$_2$-NiO-$_{4+δ}$体系的热电性质。大塞贝克系数值预测的母体化合物，并在一定程度上保持在空穴掺杂的金属相，伴随着电导率的增加。该系统，由于其分层结构，将是通过薄膜中的纳米结构化来改善其热电品质因数的合适候选者，这已经被证明可以增加电导率（$σ$）。我们的计算表明，在La $_2$ NiO $_{4.05}$附近的区域，该体系在高温下具有较大的热电势，并且$σ$也显著增加.用这种低掺杂浓度生长的膜将显示热电势和$σ$之间的最佳关系。这一结果是获得各种交换相关方案（相关的，不相关的和无参数），我们用来分析空穴掺杂化合物的电子结构。
2012-09-06 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Strain effects to optimize the thermoelectric properties of hole-doped La$_2$NiO$_{4+δ}$ via ab initio calculations
系统La $_2$ NiO $_{4+δ}$的热电性质最近已经通过从头计算进行了讨论[Phys.Rev.B86，165114（2012）]。通过合理的热电势和热电优值计算，得到了最佳的空穴掺杂值。在这里，通过晶格应变和相应的原子弛豫的热电性能的大幅增加被预测。通过在不同的衬底上生长材料的薄膜，这种增加在实验上是可以实现的。小的拉伸应变将在高温下产生大的热电优值，$zT$ $\sim$ 1在氧过量$δ$ $\sim$ 0.05 - 0.10的范围内，并且面内晶格参数在3.95 - 4.05 Ω的范围内。在该相对宽的参数范围内，获得接近200 $μ$ V/K的热电势值。该化合物的最佳性能预计出现在高温极限。
2013-03-08 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Prominent electron-hole asymmetry in thermoelectric transport of LaCoO$_3$
我们测量了电子掺杂钙钛矿型钴酸盐LaCo $_{1-y}$ Te $_y$ O $_3$的电阻率和热电势。与空穴掺杂系统如金属铁磁体La $_{1-x}M_x$ CoO $_3$（$M$ = Ca，Sr，Ba）相比，电子掺杂样品由于自旋状态阻断机制而显示出即使在重掺杂范围内的绝缘行为，该自旋状态阻断机制是从高自旋Co $^{2+}$到低自旋Co $^{3+}$位点的电子跳跃被能量抑制。我们发现，尽管电子掺杂，热电势显示出相对较大的正值以上$y=0.05$，显着不同的空穴掺杂的情况下，它接近于零掺杂。这种显着的电子-空穴不对称性中看到的热电起源于双极导电，其中包括少量的移动空穴和主要的不动电子，证明了自旋状态封锁热电输运的影响。
2022-02-01 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Sign changes of the thermoelectric transport coefficient across the metal-insulator crossover in the doped Fermi Hubbard model
本研究通过量子蒙特卡罗模拟，发现掺杂费米哈伯德模型中塞贝克系数的额外符号变化由电荷隙控制，而非赝隙，且局域矩形成是异常热电输运的主要驱动因素。
2025-03-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Modification of electronic structure and thermoelectric properties of hole-doped tungsten dichalcogenides
本文研究了具有多谷能带结构的层状二硫属化合物WSe_2的电子结构和空穴掺杂效应。通过能带结构计算和比热测量，从理论和实验上发现Te的引入改变了WSe_2的电子态。而在WSe_2中，价带最大值位于Gamma点，Te的引入相对于Gamma点提高了K点处的能带。此外，热输运测量揭示了在室温下的W_1-xTa_xSe_1.6Te_0.4比报道的W_1-xTa_xSe_2的热导率更小。然而，当接近900 K时，两个系统的热导率收敛，而在W_1-xTa_xSe_1.6Te_0.4中的电阻率大于在W_1-xTa_xSe_2中的电阻率，导致在W_1-xTa_xSe_1.6Te_0.4中的品质因数的可比较但略小的值。
2015-02-19 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Divacancy superstructures in thermoelectric calcium-doped sodium cobaltate
我们生长了Na $_x$ Ca $_y$ CoO $_2$单晶，并利用中子和X射线衍射确定了它们的超结构作为组合物的函数。Ca $^{2+}$的加入使单一超结构在宽范围的温度和浓度下稳定。Na $^+$层中的超结构是基于双空位簇的阵列，其中Ca $^{2+}$离子占据中心位置，并且它具有理想浓度Na $_{4/7}$ Ca $_{1/7}$ CoO $_2$。以前测量的热电性能在这个系统上进行了讨论，在这个超结构的光。Na $_{4/7}$ Ca $_{1/7}$ CoO $_2$对应于该系统的热电性能的最大值。
2015-05-11 cond-mat.str-el
Enhancing high-temperature thermoelectric properties of PtAs2 by Rh doping
通过电阻率ρ、Seebeck系数S和热导率kappa的测量，研究了Rh掺杂对Pt_（1-x）Rh_xAs_2（x = 0，0.005和0.01）热电性能的影响. x = 0.005的样品表现出大的S和低的ρ，导致在440 K时的最大功率因数（S^2/ρ）为65 μ W/cmK^2。预测的PtSb 2的特殊形状的“波纹状平带”可以解释掺杂PtAs 2的增强的热电性能。
2013-09-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Thermoelectric properties of Co, Ir, and Os-Doped FeSi Alloys: Evidence for Strong Electron-Phonon Coupling
本文报道了不同过渡金属掺杂对Fe_（1-x）M_xSi（M= Co，Ir，Os）合金电输运和热输运性质的影响。最大热电优值ZTmax从纯FeSi在60 K时的0.007提高到4%Ir掺杂在100 K时的ZT = 0.08。Os，Ir和Co掺杂的合金之间的热导率数据的比较表明，在这种化合物的强电子-声子耦合。由于这种相互作用，将总热导率分为独立的电子和晶格分量（κ总= κ电子+ κ晶格）的常见近似对于这些合金失效。还报道了晶粒尺寸对Fe_（0.96）Ir_（0.04）Si合金热电性能的影响。热导率可以降低约50%，而对电阻率或塞贝克系数几乎没有影响。这导致在100 K时ZTmax = 0.125，对于固态制冷应用来说仍然低了大约5倍。
2011-05-10 cond-mat.str-el
Giant Tuning of Electronic and Thermoelectric Properties by Epitaxial Strain in p-Type Sr-Doped LaCrO3 Transparent Thin Films
研究了外延应变对p型透明掺锶LaCrO 3薄膜的结构、电学和热电性能的影响。为此，高品质的全应变La 0.75 Sr 0.25 CrO 3（LSCO）外延薄膜生长在三个不同的（伪）立方（001）取向的钙钛矿氧化物衬底：LaAlO 3，（LaAlO 3）0.3（Sr 2AlTaO 6）0.7，和DyScO 3的分子束外延。LSCO薄膜和衬底之间的晶格失配引起了范围从-2.06%（压缩）到+1.75%（拉伸）的面内应变。电导率可以控制在2个数量级以上，范围从0.5 S/cm（拉伸应变）到35 S/cm（压缩应变）。因此，塞贝克系数S可以从127微V/K（压缩应变）到208微V/K（拉伸应变）以几乎2的因子精细地调节。有趣的是，我们表明，热电功率因数可以因此调整了近2个数量级。的压缩应变产生了显着的增强的3倍，2%的压缩应变相对于几乎放松的膜。这些结果表明，外延应变是一个强大的杠杆，以控制LSCO的电性能，并提高其热电性能，这是非常感兴趣的各种设备和关键应用，如热能采集器，冷却器，透明导体，光催化剂，和自旋电子存储器。
2021-08-24 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el physics.app-ph
Large Seebeck coefficient driven by "pudding mold" flat band in hole-doped CuRhO$_2$
本研究通过角分辨光电子能谱发现空穴掺杂CuRhO₂具有“布丁模”平带结构，其近费米能级的平带边是大塞贝克系数的来源，为氧化物基高效热电转换提供了可行思路。
2025-02-28 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Selecting the suitable dopants: electronic structures of transition metal and rare earth doped thermoelectric sodium cobaltate
工程$Na_{0.75}CoO_2$被认为是实现高效热电系统的主要候选材料，可从废热中再生电力。在这项工作中，三个元素的最外层的电子配置，（1）一个开放的d壳层（Ni），（2）一个封闭的d壳层（Zn），（3）一个半填充的f壳层（Eu）与最大的未成对电子，概述了掺杂剂的电子和晶体结构的影响$Na_{0.75}CoO_2$。系统的$ab$ $initio$的密度泛函计算与$DMOL^3$软件包表明，当形成能$-2.35$ eV，$2.08$ eV的费米能级等于价带最大值时，取代Co的Ni和Zn更稳定。而Eu在取代形成能为$-2.64$ eV的Na时更稳定。由于这些结果与现有的实验数据表现出很大的和谐，他们提供了新的见解掺杂剂选择的基本原则，在高性能钴酸钠基多功能材料的开发中操纵的物理性能。
2019-02-26 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el physics.chem-ph
Charge Kondo Effect in Thermoelectric Properties of Lead Telluride doped with Thallium Impurities
我们研究了PbTe掺杂小浓度$x$的Tl杂质作为受主和安德森杂质与负的现场（有效）相互作用描述的热电性能。由此产生的电荷近藤效应自然地解释了该系统中的一些低温异常，包括载流子浓度的不寻常的掺杂依赖性、费米能级钉扎和自补偿效应。低温电阻率在温度$T\leq 10\, {\rm K}$的近藤异常和剩余电阻率的$x$依赖性也与实验符合得很好。我们的模型还捕捉到定性方面的热电势在较高的温度下$T>300\, {\rm K}$的高掺杂（$x>0.6%$），预计在很大程度上由载流子的重空穴带的碲化铅。
2013-04-10 cond-mat.str-el
Doping dependence of thermopower and thermoelectricity in strongly correlated systems
在体材料和纳米复合材料中，电子和声子输运的理论模型极大地帮助了对具有高热电优值的半导体的研究。最近的实验研究了通过掺杂莫特绝缘体而得到的“强相关”材料中的热电输运，莫特绝缘体在没有掺杂的情况下的绝缘行为是由电子-电子排斥引起的，而不是像半导体那样由能带结构引起的。在这里，一个统一的理论，在原子和``海克斯''限制的电和热的传输是适用于了解最近的运输实验钴酸钠和其他掺杂莫特绝缘体在室温及以上。为了获得最佳的电子填充，一大类窄带宽相关材料的功率因数（热电优值的电子部分）在室温和室温以上时与最好的半导体一样高。
2006-09-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Tuning the thermoelectric properties of SrTiO3 by controlled oxygen doping
我们报告的热电性能（塞贝克系数，热导率和电阻率）的轻掺杂单晶（001）取向的SrTiO 3（STO）。霍尔效应的测量结果表明，通过在严格控制的条件下对晶体进行真空退火，可以使每个晶胞中的电子掺杂量达到10^-5左右。陡峭的状态密度附近的费米能STO在这个掺杂水平（确认从头计算）保留了异常大的塞贝克系数，尽管在电子电导率增加了几个数量级。这种效应与由于空位无序散射导致的热导率降低相结合，使得STO（和其他材料）中的本征掺杂成为优化其热电品质因数的替代策略。
2012-11-07 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Thermoelectric signature of quantum critical phase in a doped spin liquid candidate
本文通过热电测量揭示掺杂自旋液体候选材料 κ-(BEDT-TTF)4Hg2.89Br8 中 S/T 的对数发散，证明其金属态处于量子临界相并与类BEC超导及BEC-BCS渡越密切相关。
2022-01-26 cond-mat.str-el
High-Performance Thermoelectric Oxides Based on Spinel Structure
高性能热电氧化物可以为传感和电子行业的集成和嵌入式应用提供很好的能源解决方案。然而，当与其他类别的热电材料相比时，氧化物通常具有低的塞贝克系数。在寻找高性能的热电氧化物，我们提出了一个全面的密度泛函调查，GGA $+U$形式主义的基础上，调查的3D和4D过渡金属含铁氧体的尖晶石结构。因此，我们预测MnFe $_2$ O $_4$和RhFe $_2$ O $_4$在近室温下具有$\sim \pm 600$ $μ$ V K $^{-1}$的Seebeck系数，通过轻空穴和电子掺杂实现。此外，CrFe $_2$ O $_4$和MoFe $_2$ O $_4$在$\sim \pm 700$ $μ$ V K $^{-1}$下具有甚至更高的环境塞贝克系数。在后一种化合物中，塞贝克系数近似为温度至$\sim 700$ K的平坦函数，提供了极大的操作便利。另外，掺杂有$10^{19}$空穴/cm $^3$的MoFe $_2$ O $_4$在$300$ K下具有计算的热电功率因子$689.81$ $μ$ W K $^{-2}$ m $^{-1}$，并且在$600$ K下具有计算的热电功率因子$455.67$ $μ$ W K $^{-2}$ m $^{-1}$。这里预测的热电性能可以使这些热电氧化物在较低温度下的应用，传统上由毒性更大和其他负担更重的材料来实现。
2020-08-22 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Investigation of electron and phonon transport in Bi-doped CaMnO$_3$ for thermoelectric applications
结合实验测量、Raman 光谱与第一性原理计算，揭示 Bi 掺杂使 CaMnO3 恢复 WF 定律并降低热输运性能，从而提升热电表现。
2021-04-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Thermopower enhancement by fractional layer control in 2D oxide superlattices
我们研究了过渡金属氧化物异质结构的二维热电性质。特别是，我们采用了一种前所未有的方法，使用分数δ掺杂的氧化物超晶格直接调节2D载流子密度。通过人为控制LaxSr 1-xTiO 3 δ掺杂层中出现的2D电子气中的载流子密度，我们证明可以达到408 μV K-1的热电势。这种方法还产生了117 μWcm-1 K-2的二维载流子的功率因数，这是过渡金属氧化物基材料的最大报道值之一。这一结果归因于二维体系的各向异性能带结构，表明δ掺杂氧化物超晶格是一种很好的新型热电材料。
2014-08-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Theory of Thermoelectric Power in High-Tc Superconductors
本文提出了高温超导铜氧化物热电势的微观理论。基于TEP的一般表达式，我们计算了正方形格子哈伯德模型的TEP，包括满足守恒律所需的所有顶点修正。在本研究中，特征异常的温度和掺杂依赖性的TEP在高Tc的铜酸盐，这一直是一个长期存在的问题，高Tc的铜酸盐，以及再现空穴和电子掺杂的系统，除了严重欠掺杂的情况下。根据目前的分析，强大的动量和能量的依赖性的自能由于强反铁磁波动再现实验异常的TEP中发挥了至关重要的作用。
2001-07-31 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Can 1D topological states explain the extraordinary thermoelectric properties of Bi 2 Te 3 ? An exact analytical solution in the Tomonaga-Luttinger liquids (TLLs) framework
拓扑绝缘体通常也是最知名的热电材料之一。最近的研究发现，在三维拓扑绝缘体中，每一个斜位错都可以具有一对一维拓扑态，即螺旋TLL。我们推导出了TLL中热电Seebeck系数的精确解析公式，并研究了Bi 2 Te 3的这些一维拓扑态在多大程度上可以归因于其出色的热电性能。为此，我们采取了一个密集的位错网络模型，并找到一个解析公式的1D（TLL）和3D电子状态之间的重叠。我们的研究是适用于弱n掺杂的Bi 2 Te 3，但也更广泛的一类纳米结构材料与人工创建的一维系统。此外，我们的结果可以用于在有限的频率设置，例如，捕获运输激活的光激发。
2020-02-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Large Seebeck coefficients in Iron-oxypnictides : a new route towards n-type thermoelectric materials
最近报道的铁氧磷属化合物在适当掺杂时作为一类新的超导体，表现出约为~ 100 microV/K的大的塞贝克系数，同时保持良好的导电性。它们的功率因数在低温下显示出峰值，这表明这些材料在液氮温度范围内的热电冷却模块中的可能应用。
2008-06-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Thermoelectric Power and Hall Effect in Correlated Metals and Doped Mott-Hubbard Insulators: DMFT approximation
本文用 DMFT 研究 Hubbard 模型中关联金属与空穴掺杂 Mott 绝缘体的热电势和霍尔效应，揭示符号改变、温度反常及电子-空穴不对称机制，并结合 ARPES 与 DFT 估算载流子数目及输运系数。
2023-06-20 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Thermoelectric power and Hall coefficient measurements on Ba(Fe(1-x)TMx)2As2 (TM = Co and Cu)
测量了Ba（Fe_（1-x）TM_x）_2As_2（TM = Co和Cu）的温差电功率（TEP）数据，并用同一批次样品的霍尔系数数据进行了补充。对于Co掺杂，当样品掺杂到足够的$e$（与TM掺杂相关的额外电子的数量）以稳定低温超导性时，我们清楚地看到温度依赖性TEP和霍尔系数数据的变化。值得注意的是，类似的变化被发现在Cu掺杂的样品在可比的e值，即使这些化合物不超导。这些变化可能指向在小电子掺杂时Ba（Fe 1-xTM_x）2As 2的费米面/能带结构的显著改变，在Co掺杂的情况下，这恰好在超导性开始之前，并且可能允许超导性开始。这些数据进一步表明，抑制结构/磁性相变和建立一个适当的e值是每个必要的，但单独，不是超导的充分条件。
2009-08-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Thermoelectric power of Ba(Fe1-xRux)2As2 and Ba(Fe1-xCox)2As2: possible changes of Fermi surface with and without changes in electron count
本文给出了Ba（Fe_（1-x）Rux）_2As_2（0 < x < 0.36）单晶的面内热电功率（TEP）随温度变化的数据。证实了以前所提出的该体系的x-T相图.与Ru掺杂的TEP演变的分析表明，在电子结构，相关性和/或散射发生的约7%和约30%的Ru掺杂水平附近的显着变化。这些结果进行了比较与一组扩展的TEP数据的电子掺杂的Ba（Fe 1-xCox）2As 2系列。
2010-10-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Thermoelectric properties of Mott insulator with correlated hopping at microdoping
讨论了Falicov-Kimball模型中轻掺杂莫特绝缘体相的关联跳跃引起的巡游电子局域化对电荷和热输运的影响.强烈减少跳跃幅度的情况下，当一个额外的频带的本地化的d-电子状态可能会出现在DOS的莫特间隙中的网站与占用的f-电子水平之间，被认为是。由于电子-空穴的不对称性以及关联跳跃引起的DOS和输运函数的异常特征，在低温下观察到Seebeck系数的强烈增强，当在很宽的温度范围内显示平坦的依赖性时。
2020-03-04 cond-mat.str-el
Strongly enhanced thermal transport in a lightly doped Mott insulator at low temperature
我们展示了轻掺杂的莫特绝缘体如何在低温下极大地增强了电子的热输运。当载流子可以被视为非简并费米子时，它显示出独立于相互作用强度的普遍行为，并且在洛伦兹数增长到大值的非普遍“交叉”区域，同时仍然保持大的热电优值。电子动力学由Falicov-Kimball模型描述，该模型在Bethe晶格上用动力学平均场论算法求解任意大的在位关联。我们展示了这些结果是如何通用的轻掺杂莫特绝缘体，只要重整化费米液体尺度被推到非常低的温度和系统是不是磁有序的。
2012-10-22 cond-mat.str-el
Thermoelectric Hall conductivity and figure of merit in Dirac/Weyl materials
我们计算了三维狄拉克或外尔半金属的热电响应系数作为磁场、温度和费米能的函数。我们特别关注的热电霍尔系数$α_{xy}$和塞贝克系数$S_{xx}$，这是定义良好，即使在无耗散的限制。我们将$α_{xy}$和$S_{xx}$的行为与传统的薛定谔粒子系统，如杂质半导体的行为进行了对比。引人注目的是，我们发现，狄拉克材料$α_{xy}$获得一个恒定的，量子化的值在足够大的磁场，这是独立的磁场或费米能量，这导致前所未有的增长的热电势和热电的品质因数。我们进一步表明，即使是相对较小的领域，如$ω_c τ\sim 1$（其中$ω_c$是回旋频率和$τ$是散射时间），足以产生一个以上的$100\%$增加的品质因数。
2019-04-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
