Spin-orbit-assisted electron-phonon interaction and the magnetophonon resonance in semiconductor quantum wells
本文介绍了半导体量子阱中载流子的自旋轨道辅助的电子-声子耦合机制，并定性地预言了回旋共振（CR）声子与光学（LO和TO）声子之间的反交叉形式和形状。由于这种e-ph相互作用涉及电子自旋，因此预测的TO-CR反交叉依赖于填充因子，因此依赖于量子阱中2D电子气的极化。
2007-07-21 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted transport through double-dot Aharonov-Bohm interferometer in the Kondo regime
采用平均场从玻色子Kotliar-Ruckenstein方法，研究了电子-声子耦合对嵌入Aharonov-Bohm环中的一对强关联量子点输运的影响.结果表明，与声子的耦合打开了双占据区的输运能隙。低偏压电导和热电势提供了电子-声子耦合强度的信息。
2020-10-05 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted decoherence and tunneling in quantum dot molecules
研究了声子环境对掺杂量子点分子中电子动力学的影响。一个非微扰量子动力学理论的基础上相关展开，以描述对角和非对角的电子-声子耦合代表真实和虚拟的过程与相关的声学声子。我们表明，弛豫是占主导地位的声子辅助电子隧穿之间的组成量子点和皮秒的时间尺度上发生。详细研究了量子点占据几率随时间的演化与量子点间能量失配的关系。
2010-11-12 cond-mat.mes-hall
Superposition of photon- and phonon- assisted tunneling in coupled quantum dots
本文研究了Al $_x$ Ga $_{1-x}$ As/GaAs异质结构中两个横向受限的隧道耦合量子点形成的人工分子的电子输运。耦合点中的相干分子态通过光子辅助隧穿（PAT）探测。在10 GHz以上，我们观察到清晰的PAT作为微波光子和分子状态之间的共振的结果。在8 GHz以下，观察到声子和光子辅助隧穿的明显叠加。在声学声子的激发下，分子态的相干叠加仍然存在。
2001-07-11 cond-mat.mes-hall
Simulation of phonon-assisted band-to-band tunneling in carbon nanotube field-effect transistors
采用考虑电子-声子散射的非平衡格林函数方法，模拟了碳纳米管金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中的电子输运。对于MOSFET，双极传导通过声子辅助的带-带（Landau-Zener）隧穿来解释。在弹道的情况下相比，我们表明，声子散射的双极导电的发病转移到更积极的栅极电压（从而增加了关闭电流）。结果表明，尽管存在声子散射的影响，双极电导的亚阈值摆幅仍可达到40mV/decade。
2005-10-05 cond-mat.mes-hall
Transmission phase shift of phonon-assisted tunneling through a quantum dot
利用散射理论研究了电子-声子相互作用对电子通过量子点的传输相移的影响。透射相位与点内能级的关系显示出一系列声子诱导的下降。这些下降对电子-声子相互作用强度$λ$高度敏感，并且它们比电导中出现的声子辅助子峰明显得多。研究了声子诱导的退相，结果表明退相几率$T_d$随电子-声子相互作用强度$λ$单调增加.小$λ$的退相概率为$T_d \proptoλ^2$，而大$λ$的退相概率为$T_d\propto λ$。
2007-11-30 cond-mat.mes-hall
Cotunneling current through quantum dots with phonon-assisted spin-flip processes
我们考虑了在自旋翻转过程中通过量子点的共隧穿，自旋翻转过程是由与周围声子的耦合引起的。利用广义Schriffl-Wolff变换导出了声子辅助共隧穿电流的表达式。考虑了自旋-声子耦合对量子点加热的影响。结果评估的情况下，一个抛物型半导体量子点与Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合和自旋声子弛豫速率的确定方法提出。
2006-01-30 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted tunneling in asymmetric resonant tunneling structures
基于介质连续模型，计算了一般双势垒共振隧穿结构（DBRTS）的声子辅助隧穿电流，包括对称和反对称双势垒共振隧穿结构。结果表明，四种高频界面声子模（特别是在发射极势垒两侧界面处的声子模）主导了PAT过程，使DBRTS的谷电流增大，PVR减小.我们发现，一个不对称的结构可以导致性能的改善。
1998-10-28 cond-mat.mes-hall
Tunneling in suspended carbon nanotubes assisted by longitudinal phonons
悬浮单壁碳纳米管量子点的电流-电压特性表现出一系列等间距的电压阶跃。这种谐波，低能量激发光谱的能量尺度是一致的，在纳米管中的纵向低k声子模式（拉伸模式）。协议被发现与弗兰克-康登为基础的模型，其中的声子辅助隧穿过程被建模为一个耦合的电子水平欠阻尼量子谐振子。与该模型比较，发现有一个相当强的单位阶电子-声子耦合因子。
2005-08-10 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted dark exciton preparation in a quantum dot
在半导体量子点中，与环境（即声子）的耦合对于光学态制备起着至关重要的作用。我们分析了声子的影响，两种方法的直接光学制备的暗激子，这是通过倾斜的磁场：激发与啁啾激光脉冲和激发与失谐脉冲。我们的研究表明，对于这两种方法，声子要么不妨碍所提出的机制，甚至是有用的，通过拓宽参数范围，其中暗态制备是可能的，由于声子辅助暗激子制备。鉴于声子对光学制备的积极影响，在量子点中使用暗激子变得更加有吸引力。
2017-04-12 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted tunneling through a double quantum dot system
研究了电子在双量子点系统中的输运问题。采用Keldysh非平衡格林函数方法计算了系统的电流和传输系数。分析了电子-声子相互作用、点间隧穿和温度对态密度和电流的影响。结果表明，虽然电子-声子相互作用导致电导在低温下出现侧峰，但在高温下这些侧峰消失。
2012-04-10 cond-mat.mes-hall
Electron states, phonon-assisted relaxation and tunneling in self-assembled quantum dot molecules in an electric field
我们对两个自组装垂直堆叠量子点组成的系统中的声子辅助弛豫进行了理论分析。我们建立了真实的模型，它考虑了系统的几何形状和应变分布。我们计算声子辅助弛豫率之间的两个最低的状态（在一个和两个电子的情况下）。的弛豫速率和能级作为外部（轴向）电场和结构的几何形状（点的大小）的函数进行了研究。我们发现，弛豫时间可以低至1~ps，但有效的弛豫只发生在非常精细的调谐点。
2010-07-09 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted relaxation between hole states in quantum dot molecules
我们从理论上研究了双量子点中空穴的声子弛豫和非弹性隧穿。我们推导出空穴态和弛豫率从kp哈密顿量，并表明，有一个有限的点之间的距离，空穴态的寿命很长，这是有关消失隧道耦合。我们还表明，轻空穴混合空穴状态可以显着影响空穴弛豫速率，即使它的幅度很小。
2012-02-06 cond-mat.mes-hall
Enhanced Phonon-Assisted Tunneling in Metal -- Twisted Bilayer Graphene Junctions
本文通过平面隧穿谱测量发现扭转双层石墨烯中声子辅助隧穿较Bernal堆叠双层石墨烯显著增强，并借助声子色散计算阐明其机制，为研究扭转范德华材料中的电子-声子耦合提供了通用工具。
2025-07-17 cond-mat.mes-hall
Photon- and phonon-assisted tunneling in the three-dimensional charge stability diagram of a triple quantum dot array
我们报告光子和声子辅助隧穿跃迁的线性阵列中的三个量子点，这只能通过考虑完整的三维电荷稳定性图来理解。这样的隧穿跃迁潜在地导致在该系统中定义的量子位的泄漏。对这些跃迁的详细理解是重要的，因为随着量子点阵列的规模扩大，它们变得更加丰富和复杂。
2013-03-11 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted tunneling in an isolated double dot system
声子辅助隧穿率的评估定义在有限厚度的GaAs半导体异质结构中的隔离良好的双点系统。一个可分离的模型的限制潜力允许准确的测定的双重电子波函数和能量。结果发现，在小的双重能量的压电率由于弯曲模式给占主导地位的贡献。对于小板坯厚度的预测率是高达两个数量级高于非常厚的板坯。
2005-05-14 cond-mat.mes-hall
Ultrafast Depopulation of a Quantum Dot by LA-phonon-assisted Stimulated Emission
利用红移激光脉冲激发的LA声子辅助辐射，我们演示了量子点从透明点以上到透明点以下的超快非相干消布居。通过激光驱动，量子点从弱电子振动系统转变为强电子振动系统，从而使两个修饰态的激子分量之间发生声子辅助弛豫。在20 ps的激光脉冲宽度有限的时间内实现的人口减少，并表现出几毫电子伏的宽调谐范围。我们的实验结果很好地再现路径积分计算。
2016-04-18 cond-mat.mes-hall
Evidence for Phonon-Assisted Intertube Electronic Transport in an Armchair Carbon Nanotube Film
本研究通过实验和理论计算证明，在扶手椅型碳纳米管薄膜中，声子辅助的相干管间电子输运是高温电导的主导机制，该薄膜有望用于室温相干电子器件。
2022-01-18 cond-mat.mes-hall
Spin-orbit coupling assisted by flexural phonons in graphene
我们分析了石墨烯中自旋和声子之间的耦合。我们提出了一个完整的分析自旋和弯曲，平面外，振动之间可能的耦合。从紧束缚模型，我们得到的分析和数值估计的强度。我们发现，动力学效应，量子和热涨落引起的，显着提高自旋轨道间隙。
2012-12-11 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted thermoelectric effects in a two-level molecule
利用格林函数中的运动方程方法，分析了金属电极上二能级分子的热电性质。结果表明，电导强烈地依赖于电子和声子的温度以及电子-声子耦合强度。此外，还观察到在强的电子-声子相互作用下，电子-空穴对称点处的热导峰消失了。研究还发现，在强的电子-声子相互作用下，优值受到强烈的抑制。也观察到来自库仑相互作用的Wiedemann-Franz定律的违反。
2012-09-11 cond-mat.mes-hall
Multiscale model for phonon-assisted band-to-band tunneling in semiconductors
我们提出了一个TCAD兼容的多尺度模型的声子辅助带间隧穿（BTBT）在半导体中，它结合了非抛物线性质的复杂带内的带隙的材料。该模型示出捕获硅中的测量的电流-电压数据，用于沿着$[100]$、$[110]$和$[111]$方向的电流传输。我们的模型将是有用的预测带到带隧穿现象，以量化在隧道FET和小几何MOSFET和FINFET的开和关电流。
2014-07-23 cond-mat.mes-hall
Decay and persistence of spatial coherence during phonon-assisted relaxation in double quantum dots
我们提出了一个理论研究的空间相干性之间的离域激子态之间的弛豫过程中耦合到声学声子的一对垂直堆叠的半导体量子点的演变。我们发现，即使在非耦合的非全同量子点系统中，如果能级间的能量分裂存在一种特殊的简并，空间相干性也可以转移到基态。相干转移的声子辅助机制导致产生的相干性的量对点间距离和温度的依赖性。我们还分析了耦合系统的载流子声子动力学的影响，其中空间相干存在于离域基态。
2015-08-12 cond-mat.mes-hall
Phonon-Assisted Andreev Reflection at Majorana Zero Mode
拓扑超导体端部的Majorana零模（MZM）的典型特征之一是正常铅-超导体结隧穿谱中的零偏置峰。本文研究了一个单声子模耦合到超导体引线的正常铅-超导体结模型，它可以看作是一个电子-引线/声子耦合-MZM/空穴-引线结构。声子耦合的MZM作为一系列的通道，电子可以通过吸收和发射声子变成空穴。这些通道在局域态密度（LDOS）中呈现为一系列条带，在隧穿光谱中产生相应的峰。在LDOS中，电子-声子相互作用使条纹之间的权重变窄并重新分配。在隧道光谱中，峰高呈现多声子过程的特征。通过这些研究，我们的工作阐明了声子辅助的Andreev反射机制在马约拉纳零模式。
2019-02-18 cond-mat.mes-hall
Microwave Photoconductivity in Two-Dimensional Electron Systems due to Photon-Assisted Interaction of Electrons with Leaky Interface Phonons
计算了在磁场中，光子辅助的电子与漏界面声子相互作用对二维电子系统耗散直流光电导的贡献。计算的光电导作为微波辐射和磁场的频率的函数表现出明显的振荡。所得到的振荡结构不同于光子辅助与杂质相互作用的情况。我们证明，在足够强的微波辐射在一定范围内的频率（或在一定范围内的磁场），这种机制可以导致在绝对负电导率。
2003-05-20 cond-mat.mes-hall
Measuring the phonon-assisted spectral function by using a non-quilibrium three-terminal single-molecular device
对三端单分子晶体管（SMT）的电子输运进行了理论研究。我们发现，第三和弱耦合终端的微分电导与其电压匹配以及与能量的谱函数时，满足一定的条件。特别地，即使对于声子辅助的侧峰的复杂结构，也保持这种优异的匹配。因此，该装置提供了一种实验方法来详细探索声子辅助谱函数的形状。此外，我们还讨论了完美匹配的条件。结果表明，在低温下，匹配生存的偏压和能级的SMT无关。然而，在高温下，匹配被破坏。
2007-11-30 cond-mat.mes-hall
Theory of acoustic-phonon assisted magnetotransport in 2D electron systems at large filling factors
本文提出了弱垂直磁场中声子感生电阻振荡的微观理论。计算是基于二维电子与三维（体）声学声子的相互作用的考虑，并考虑到立方晶体中的声子谱的各向异性。计算了[001]生长GaAs量子阱的磁电阻。计算结果与已有的实验数据一致。除了数值结果外，还得到了磁电阻振荡部分的解析表达式。这些表达式在高阶磁声子共振区域是有效的，并描述了沿某些高对称方向极化的几组声子所确定的振荡磁阻。
2010-02-28 cond-mat.mes-hall
Photon-phonon-assisted thermoelectric effects in the molecular devices
我们考虑一个与声子模相互作用的单能级量子点，量子点与金属引线弱耦合，金属引线受到随时间变化的栅极电压。电导，热电势，和品质因数进行了详细研究，使用Tien-Gordon型速率方程。在微波场的存在下，电导表现出额外的峰，其高度由微波场的大小控制。此外，热电势的振荡增加的存在下的时间依赖的栅极电压或电子-声子相互作用。研究了电子-声子相互作用、微波场、温度和库仑相互作用对品质因数的影响。
2012-10-27 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted current noise in molecular junctions
我们使用扩展到包括计数场的非平衡格林函数形式主义，研究了声子散射对纳米结中电流噪声的影响。在弱的电子-声子耦合和一个单一的广泛的电子水平的情况下，我们推导出在任意温度下的电流噪声的解析表达式，并确定物理上不同的贡献基于它们的电压依赖性。我们将我们的理论应用到实验相关的情况下，氘分子放置在一个断开结，并预测一个显着的非弹性贡献的电流噪声。
2009-09-28 cond-mat.mes-hall
Non-Markovian model of photon-assisted dephasing by electron-phonon interactions in a coupled quantum-dot-cavity system
研究了电子-声子相互作用对量子点-腔QED系统动力学性质的影响。我们发现，非马尔可夫效应的声子水库导致强烈的动态变化，所产生的光子辅助退相过程，不存在于马尔可夫治疗。一个明显的后果是出现的声子引起的光谱不对称性时，失谐腔的量子点共振。这种不对称性只有在考虑量子点-腔系统的极化激元准粒子性质时才能得到解释。此外，温度引起的光-物质耦合强度的降低被认为是相关的解释实验数据，特别是在强耦合制度。
2010-04-28 cond-mat.mes-hall
Dephasing in the adiabatic rapid passage in quantum dots: the role of phonon-assisted biexciton generation
本文研究了受啁啾激光脉冲控制的量子点中激子在载流子-声子耦合作用下的演化。我们着重讨论了线偏振光束诱导的动力学，并分析了声子辅助双激子产生的退相干。我们表明，如果双激子状态被向下移动了几个毫电子伏，是典型的情况下，所产生的退相干是强的，即使在低温下。因此，有效的状态准备被限制在一个小的参数区域对应于低温，正啁啾和温和的脉冲区域。
2012-09-12 cond-mat.mes-hall
Adiabatic rapid passage in quantum dots: phonon-assisted decoherence and biexciton generation
研究了在载流子-声子耦合作用下，线性偏振激光脉冲控制下量子点的演化。激子状态的最终占领是有限的，由于声子诱导的绝热光谱分支之间的跃迁，因为声子辅助跃迁到双激子状态。当双激子位移足够大时，量子点可以被建模为二能级系统，这对应于用圆偏振光激发。对于这种情况下，我们比较不同的模拟方法：（i）时间卷积方法，（ii）相关展开和（iii）路径积分。我们表明，从这些方法得到的结果完全同意在低温下。
2013-11-08 cond-mat.mes-hall
Suppression of Decoherence tied to Electron-Phonon Coupling in Telecom-Compatible Quantum Dots: Low-threshold Reappearance Regime for Quantum State Inversion
在大尺寸半导体量子点（QD）的光控实验中，我们证明了对与1.3~ $μ$ m的低色散电信波段兼容的发射的完全抑制与受限电子与长波声学（LA）声子的形变势耦合有关的退相。通过利用电子-声子谱密度的大小和形状的量子点的敏感性，我们证明了四倍减少的阈值脉冲面积需要进入去耦制度激子反转使用绝热快速通过（ARP）。我们的量子态动力学的计算提供了很好的协议与我们的实验结果，并表明，量子点波函数的对称性提供了一个额外的手段，工程师的电子-声子相互作用。我们的研究结果将支持固态量子发射器在未来的分布式量子网络使用半导体量子点的发展。
2020-12-04 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted resonant tunneling of electrons in graphene-boron nitride transistors
在$\sim$ 10和200 mV之间的宽范围的偏置电压下，我们观察到石墨烯-六方氮化硼-石墨烯隧道晶体管的差分电导中的一系列尖锐的谐振特征。我们将其归因于电子隧穿辅助发射声子的明确定义的能量。它们发生的偏置电压对所施加的栅极电压不敏感，因此与石墨烯电极中的载流子密度无关，因此可以排除等离子体效应。对应于共振的声子能量与石墨烯-氮化硼异质结构的晶格色散曲线进行比较，并且接近于单声子态密度的峰值。
2015-12-09 cond-mat.mes-hall
Disorder-Assisted Electron-Phonon Scattering and Cooling Pathways in Graphene
我们预测，石墨烯是一个独特的系统，其中无序辅助散射（超碰撞）在很宽的温度范围内（直到室温）主导电子晶格冷却。这是因为对于动量守恒的电子-声子散射，由于费米表面尺寸小，每次碰撞的能量转移受到严重限制。特性$T^3$温度依赖性和幂律冷却动力学提供了这种新的冷却机制的明确的实验签名。冷却速率可以通过改变无序的量来改变数量级，这为依赖于热载流子传输的各种新应用提供了手段。
2012-07-23 cond-mat.mes-hall
Phonon assisted dynamical Coulomb blockade in a thin suspended graphite sheet
在低温下，悬浮的几层石墨烯样品中的微分电导被发现表现出一系列准周期性的急剧下降作为偏压的函数。我们表明，它们可以理解在一个简单的动态库仑阻塞模型，其中能量交换之间发生的载流子传输通过样品和耗散的电磁环境与共振声子模式强烈耦合到电子。
2008-07-12 cond-mat.mes-hall
Acoustic Phonon-Assisted Resonant Tunneling via Single Impurities
我们进行的调查，共振隧穿通过杂质嵌入在一个单一的GaAs/AlGaAs异质结的AlAs势垒。在30 mK下测量的$I(V)$特性中，分辨出了单个施主的贡献，并看到了隧穿过程中声子辅助的指纹。后者证实了详细分析的隧穿率和建模的共振隧穿电流的贡献。此外，观察到的DOS（LDOS）和费米边缘奇异的局部结构的波动。
2004-02-26 cond-mat.mes-hall
Theoretical study of phonon-assisted singlet-singlet relaxation in two-electron semiconductor quantum dot molecules
从理论上研究了半导体量子点分子中声子辅助的单重态-单重态弛豫。考虑了双电子掺杂的横向耦合量子点结构。我们考虑到通过变形势和压电耦合与声学声子模式的相互作用。我们发现，所考虑的系统的压电机制是非常重要的，并为某些范围内的量子点分子参数是主要的贡献弛豫。结果表明，声子辅助隧穿率达到更高的值（高达160 ns $^{-1}$，即使在零温度）相比，与其他退相干过程，如自旋轨道耦合（$\sim$ 0.01 ns $^{-1}$）。库仑相互作用的影响进行了讨论，并指出其后果。我们计算了GaAs量子点分子的弛豫速率，并研究了弛豫速率与量子点尺寸、量子点间距和量子点间距的关系。此外，隧道速率的温度依赖性进行了分析。
2008-05-24 cond-mat.mes-hall
Cavity quantum electrodynamics with semiconductor quantum dots: The role of phonon-assisted cavity feeding
对于与微腔强耦合的半导体量子点，我们从理论上研究了激子到腔光子的声子辅助跃迁，其中能量失配由声子发射或吸收补偿.通过Schriffon-Wolff变换，我们导出了描述激子-腔耦合和激子-声子耦合的有效哈密顿量，并利用费米黄金法则方法计算了散射率。将这种方法的结果与最近报道的基于独立玻色子模型的描述方案[U。Hohenester等人，Phys.Rev.B80，201311（R）（2009）]和数值密度矩阵方法。所有的描述方案给出了非常相似的结果。我们目前的自发发射寿命的量子点最初填充与一个单一的激子或双激子，和光谱特性的光驱动点腔系统在强耦合制度。我们的研究结果表明，声子辅助馈电强耦合点腔系统中起着主导作用，当失谐是几个毫电子伏的顺序。
2009-12-28 cond-mat.mes-hall
Theory of Phonon-Assisted Adsorption in Graphene: Many-Body Infrared Dynamics
我们设计了一个理论的吸附低能量原子悬浮在石墨烯膜上保持在10 K的基础上的原子声学声子相互作用的模型。我们的主要技术包括一个非微扰的方法，在独立玻色子模型的范围内，以精确的方式处理多声子的动力学。我们提出了一个研究的声子协助重整化以及入射原子传播子的衰变的影响，并讨论了石墨烯微膜上的原子氢的多体吸附率的结果。此外，我们报告了该模型与量子场论其他分支的相似之处，包括量子电动力学（QED）和微扰引力等长程相互作用。
2020-01-02 cond-mat.mes-hall
Fast and selective phonon-assisted state preparation of a quantum dot by adiabatic undressing
我们从理论上研究了非共振光激发下量子点的时间行为，目标是快速制备声学声子辅助态。我们证明，在由短激光脉冲驱动的制备过程中，可以确定三个过程：在激光脉冲的开关期间的状态的敷料，随后的声子诱导的弛豫和在脉冲结束时的解敷料。通过分析不同脉冲形状的激发方案，我们强调了短脉冲协议中绝热脱衣服对最终状态的决定性影响。此外，我们还发现在激子-双激子系统中，可以利用激光的脉冲失谐量、脉冲长度和双激子结合能等激光特性来选择目标量子点态。
2016-01-28 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted luminescence of magnetoexcitons in semiconductor quantum wells
当无序度足够小时，我们考虑量子阱中磁激子光致发光的线形。在这种情况下，声子辅助的光学跃迁变得重要的线的形成。我们研究了带间激子和带内激子。对于带间激子的单峰发射线的宽度计算作为温度和量子阱宽度的函数。对于带内激子的发射线的双峰预测时，电子填充因子是奇数和大于或等于三。在后一种情况下，最低的磁激子色散曲线在非零动量处具有最小值。然后，较高能量的峰值来自零动量激子的直接光发射。低能量峰的起源是从非零动量激子态的声子辅助跃迁。随着温度的升高，高能量峰变得更加明显，而低能量峰消失。
2001-11-20 cond-mat.mes-hall
Ab Initio Modeling of Phonon-Assisted Relaxation of Electrons and Excitons in Semiconductor Nanocrystals for Multiexciton Generation
在GW-BSE（Bethe-Salpeter方程）方法框架下，对纳米团簇中的电子-声子相互作用和激子-声子相互作用进行了计算。声子效应的模型与两个粒子表示的第一次。计算了电子和激子的无辐射弛豫速率。结果表明，单声子弛豫和多声子弛豫在纳米晶体中都是显著的，并且对应于两种具有完全不同谱线形状的物理过程。此外，多声子弛豫始终发生，其速率与所研究系统（Si 46）中电子和激子的相应单声子弛豫速率相当。基于多体格林函数理论计算了电子和激子的非弹性散射率。对于Si 46中的电子态，非弹性散射衰变被预测为多激子弛豫的主要衰变机制，并且对于Si 46中的大多数激子态，非辐射弛豫率大于非弹性散射率。
2020-06-17 cond-mat.mes-hall
Band-to-band tunneling in a carbon nanotube metal-oxide-semiconductor field-effect transistor is dominated by phonon assisted tunneling
带到带隧穿（BTBT）器件由于其在降低集成电路中的功率耗散方面的潜力而近来获得了很多关注。我们已经进行了广泛的模拟碳纳米管金属氧化物半导体场效应晶体管（CNT-MOSFET）的BTBT操作使用非平衡格林函数形式主义的弹道和耗散量子输运。与最近报道的实验数据（Y. Lu等人，J. Am.美国化学学会，v. 128，p.3518 -3519，2006），我们已经获得了强有力的证据，证明CNT-MOSFET中的BTBT由光学声子辅助的非弹性输运主导，这可能对晶体管特性具有重要影响。结果表明，在大的偏置条件下，两个声子散射也可能变得重要。
2007-03-19 cond-mat.mes-hall
Efficient first-principles calculation of phonon assisted photocurrent in large-scale solar cell devices
我们提出了一个简单的和计算成本低的方法来获得声子辅助的光电流在大规模的设备从第一性原理输运计算。光电流的计算使用非平衡格林函数与光-物质相互作用从一阶玻恩近似，而电子-声子耦合（EPC）包括通过特殊的热位移（STD）。我们将该方法应用于硅太阳能电池器件，并证明了包括EPC的影响，以正确地描述由于间接带间跃迁的电流。第一性原理的结果成功地进行了比较的温度和光强度的依赖性的硅光伏模块的开路电压的实验测量。我们的计算说明了EPC在光电流建模中发挥的关键作用，以避免低估开路电压，短路电流和最大功率。这项工作代表了未来光伏器件的计算表征的配方，包括光-物质相互作用，声子辅助隧穿和设备的潜力在有限的偏压从第一性原理模拟的水平的综合影响。
2018-01-11 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted relaxation and tunneling in self-assembled quantum dot molecules
我们从理论上研究了一个或两个电子被限制在两个垂直堆叠的自组装量子点中的声子辅助弛豫过程。计算基于应变自组装结构中单粒子波函数的k.p近似。从这些，两个粒子的状态计算包括库仑相互作用和最低能量本征态之间的跃迁率推导。我们考虑到声子耦合通过变形势和压电相互作用，并表明它们都可以发挥主导作用，在不同的参数制度。在费米黄金法则近似下，我们计算了最低能量本征态之间的弛豫速率，这些本征态导致在皮秒时间尺度上的窄范围的点尺寸的热化。
2010-09-13 cond-mat.mes-hall
Reconciling perturbative approaches in phonon assisted transport junctions
我们提出了一致的结果，分子导电使用两个中心互补的方法：非平衡格林函数技术和量子主方程方法。我们的模型描述了电子在施主-受主结中的传导，其中电子转移耦合到核运动，由谐波振动模式建模。这种初级模式进一步耦合到次级声子模式，即热浴。假设弱的电子-声子耦合，但任意大的分子-金属杂化，我们计算几个非平衡输运量：平均声子数的主模式，电荷电流统计。我们进一步提出的标度关系的累积量有效的大电压制度。我们的分析表明，非平衡格林函数技术和量子主方程方法可以制定出一致的，考虑到相应的散射过程。
2015-12-06 cond-mat.mes-hall
Collective Quantum Dot Inversion and Amplification of Photon and Phonon Waves
从理论上研究了微腔中强驱动二能级发射体量子点（QD）小样品中稳态粒子数反转的可能性及其对光和声波的放大作用。我们发现，光子和声子的反转和吸收谱主要取决于内禀真空和声子环境之间的相互作用。光子和声子的吸收曲线分别显示出明显的新颖特征，如增益而不是透明性和吸收反转为增益。此外，我们报告集体诱导的反转和显着的增益在光子，声子吸收光谱的波长大小的量子点合奏大幅增强。
2013-09-28 cond-mat.mes-hall quant-ph
Multiple negative differential conductance regions and inelastic phonon assisted tunneling in graphene-hBN-graphene structures
在本文中，我们详细研究了在石墨烯-hBN-石墨烯器件的垂直电流中六方氮化硼（hBN）板和石墨烯层之间的旋转对准的效果。我们展示了如何为小的旋转角度，由hBN晶格的动量转移导致多个峰值的I-V曲线的设备，给原产地多个区域显示负微分电导。我们还研究了在垂直电流声子散射的效果，看看如何开放的非弹性隧穿事件允许的光学声子的自发发射导致尖锐的峰值的二阶导数的电流。
2016-03-14 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted decoherence in the production of polarization-entangled photons in a single semiconductor quantum dot
本文从理论上研究了半导体量子点中双激子级联衰变产生偏振纠缠光子的过程。在中间态中，纠缠被编码在第一发射光子和激子的偏振中，其中激子状态可以通过形成晶格畸变由固态环境有效地“测量”。我们表明，所产生的纠缠损失变得急剧增强，如果声子的晶格畸变是受到弹性散射在设备的边界，这可能构成一个严重的限制量子点为基础的纠缠光子设备。
2007-06-28 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted carrier tunneling in coupled quantum dot systems with hyperfine-induced spin flip
计算了自组装量子点分子中电子和空穴在量子点之间隧穿时声子辅助的超精细自旋翻转速率。我们表明，超精细过程占主导地位的自旋轨道诱导的自旋弛豫在磁场中高达几个特斯拉的电子，而对于空穴这种交叉发生在一个分数特斯拉的场幅度，假设一个大的$d$壳混合物的价带状态，导致在一个强大的横向超精细耦合。两种自旋翻转机制的相互作用导致自旋翻转概率最小，这在原则上是实验上可测量的，并且可以用作价带中存在大量横向超精细耦合的测试。
2021-01-15 cond-mat.mes-hall
Phonon assisted resonant tunnelling and its phonons control
在InAs量子点的隧穿微分电导中，我们观察到一系列尖锐的共振特征。我们发现耗散量子隧穿对纳米器件的工作有很大的影响。由于这种隧道效应，原子力显微镜针尖和InAs/GaAs量子点表面之间产生的隧道接触的电流-电压特性显示出许多有趣的峰。我们发现，这些峰的数量，位置和高度与所涉及的声子模式。为了描述所发现的效果，我们使用准经典近似。在那里，隧穿电流与稀释的瞬子-反瞬子气体的产生有关。我们的实验数据很好地描述了精确可解模型，其中一个带电粒子与两个与外部介质相关的促进声子模弱相互作用。我们的结论是，隧道纳米电子器件的特性，因此可以控制通过适当选择的材料中存在的声子，这是涉及。
2016-10-02 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted Kondo Effect in a Single-Molecule Transistor out of Equilibrium
利用改进的正则变换方案和扩展的运动方程方法，研究了电子-声子相互作用和近藤效应对单分子晶体管非平衡输运的联合影响.在谱函数中充分证实了两种不同非对称形状的Kondo声子卫星，它们分别与电子自旋单态或空穴自旋单态有关。此外，当局域磁场引起中等塞曼分裂时，自旋分辨谱函数中的近藤卫星在主峰一侧消失，而不同自旋分量的情况则相反.所有这些在非线性微分电导中表现出来的奇特特征，都得到了清晰的物理解释。
2006-06-08 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted relaxation between triplet and singlet states in a self-assembled double quantum dot
我们从理论上研究了自组装双量子点中声子诱导的双电子自旋动力学。我们计算了自旋三重态和自旋单重态的跃迁率和占据的时间演化。我们的特点的相对重要性，各种弛豫通道作为一个功能的电场和磁场。模拟是基于一个模型相结合的八带k.p方法和组态相互作用的方法。我们发现，电子g-因子之间的塞曼双重定位在不同的点不匹配打开一个相对较快的三重态单重态弛豫通道。我们还证明，附近的三重态-单重态的反交叉的弛豫减慢到几个数量级，由于一些弛豫通道的消失。
2020-05-12 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted Exciton Dissociation in Transition Metal Dichalcogenides
针对TMDs光电器件中激子解离限制性能的问题，提出基于密度矩阵的微观模型研究弱电场下的声子辅助激子解离机制，揭示了激子动力学路径与解离通道，并明确了器件量子效率与响应时间的本征极限及外部可调性。
2020-09-23 cond-mat.mes-hall
