Tuning a Resonance in the Fock Space: Optimization of Phonon Emission in a Resonant Tunneling Device
双势垒共振隧穿器件中的声子辅助隧穿可以看作是电子-声子Fock空间中的共振，其由所施加的电压调谐。我们表明，几何参数可以诱导在这个空间中的对称性条件，可以强烈增强纵向光学声子的发射。对于具有薄发射极势垒的器件，这通过较宽的集电极势垒来实现。
2001-11-06 cond-mat.mes-hall
Enhanced Phonon-Assisted Tunneling in Metal -- Twisted Bilayer Graphene Junctions
本文通过平面隧穿谱测量发现扭转双层石墨烯中声子辅助隧穿较Bernal堆叠双层石墨烯显著增强，并借助声子色散计算阐明其机制，为研究扭转范德华材料中的电子-声子耦合提供了通用工具。
2025-07-17 cond-mat.mes-hall
Dynamics of spin-flip photon-assisted tunneling
我们提出了时间分辨测量自旋翻转光子辅助隧穿和自旋翻转弛豫在一个双占据双量子点。作为磁场的函数的光子辅助激发速率表明，在当前条件下，自旋轨道耦合是自旋翻转背后的主导机制。我们能够提取由此产生的有效的“自旋翻转隧穿”的能量，这被发现是三个数量级小于常规的自旋守恒隧穿能量。我们还测量了由两个具有不同自旋和电荷配置的双电子态形成的量子比特的弛豫和退相时间。
2014-01-05 cond-mat.mes-hall
Photon Assisted Tunneling in Quantum Dots
我们回顾了微波信号作用下单量子点中单电子输运的实验。在具有良好分辨的离散能态的小点的情况下，所施加的高频信号允许涉及光子与微波场的交换的非弹性隧道事件。这些光子辅助隧穿（PAT）过程除了引起主共振之外还引起边带共振。光子吸收还可以导致经由量子点的激发态的隧穿，而不是经由基态的隧穿。
2002-04-03 cond-mat.mes-hall
Experimental Observation of Resonance-Assisted Tunneling
我们提出了第一个实验观察共振辅助隧穿，波的现象，其中规则到混沌隧穿强烈增强的存在下，一个经典的非线性共振链。为此，我们使用的微波腔制成的无氧铜与desymmetrized余弦台球的形状设计了一个大的非线性谐振链在常规区域。它在一个区域中是开放的，在那里只有混沌动力学发生，这样一个规则的模式到混沌区域的隧穿率增加了模式的线宽。共振辅助隧穿由（i）参数变化和（ii）特征平台和峰值结构向半经典极限证明。
2015-09-08 cond-mat.mes-hall
Density matrix approach to photon-assisted tunneling in the transfer Hamiltonian formalism
传输哈密顿隧穿电流推导出随时间变化的密度矩阵配方，并用于检查光子辅助隧穿。Barnard的隧穿表达式作为一阶微扰理论在密度矩阵的平均场展开中的结果而出现。由于时变极化和带隙中的波函数重叠，在禁能势垒区中发生来自受限电磁场的光子辅助隧穿，这导致非对称器件结构中的非零隧穿电流，即使在无偏状态下。在均匀势垒非对称隧穿示例问题中，光子能量被视为有效的温度相关偏置。密度矩阵展开中的高阶项产生多光子增强隧穿电流，其可以被认为是非线性光学的扩展，其中非线性电导起着与连续性方程中的非线性可磁化率类似的作用。
2018-01-08 cond-mat.mes-hall
Acoustic Phonon-Assisted Resonant Tunneling via Single Impurities
我们进行的调查，共振隧穿通过杂质嵌入在一个单一的GaAs/AlGaAs异质结的AlAs势垒。在30 mK下测量的$I(V)$特性中，分辨出了单个施主的贡献，并看到了隧穿过程中声子辅助的指纹。后者证实了详细分析的隧穿率和建模的共振隧穿电流的贡献。此外，观察到的DOS（LDOS）和费米边缘奇异的局部结构的波动。
2004-02-26 cond-mat.mes-hall
Superposition of photon- and phonon- assisted tunneling in coupled quantum dots
本文研究了Al $_x$ Ga $_{1-x}$ As/GaAs异质结构中两个横向受限的隧道耦合量子点形成的人工分子的电子输运。耦合点中的相干分子态通过光子辅助隧穿（PAT）探测。在10 GHz以上，我们观察到清晰的PAT作为微波光子和分子状态之间的共振的结果。在8 GHz以下，观察到声子和光子辅助隧穿的明显叠加。在声学声子的激发下，分子态的相干叠加仍然存在。
2001-07-11 cond-mat.mes-hall
Photon assisted tunneling in a superconducting SET transistor induced by the Josephson oscillations of a SQUID
利用超导量子干涉仪产生的约瑟夫森振荡测量了超导单电子隧穿晶体管中的光子辅助隧穿。SQUID的制造距离SET晶体管只有几微米。发生器与SET晶体管的紧密接近允许从10 GHz到190 GHz的激励频率的连续扫描。约瑟夫森振荡的振幅通过调节通过SQUID回路的通量来调谐，而频率通过控制SQUID两端的偏置电压来独立地调节。对于小于4*Delta/e的偏置电压，观察到可归因于SET晶体管中的光子辅助隧穿的电流峰值。
1999-04-27 cond-mat.mes-hall
Photon- and phonon-assisted tunneling in the three-dimensional charge stability diagram of a triple quantum dot array
我们报告光子和声子辅助隧穿跃迁的线性阵列中的三个量子点，这只能通过考虑完整的三维电荷稳定性图来理解。这样的隧穿跃迁潜在地导致在该系统中定义的量子位的泄漏。对这些跃迁的详细理解是重要的，因为随着量子点阵列的规模扩大，它们变得更加丰富和复杂。
2013-03-11 cond-mat.mes-hall
Vibration-assisted electron tunneling in C_{140} single-molecule transistors
我们测量了由C_{140}制成的单分子晶体管中的电子隧穿，C_{140}是一种具有质量-弹簧-质量几何形状的分子，被选为研究电子-振动耦合的模型系统。我们观察到振动辅助隧穿对应的能量的拉伸模式的C_{140}。分子模型提供了解释为什么这种模式比分子的其他内部模式更强烈地耦合到电子隧穿。我们观察到的隧穿率和预期的Franck-Condon模型之间的比较。
2003-11-07 cond-mat.mes-hall
Multiscale model for phonon-assisted band-to-band tunneling in semiconductors
我们提出了一个TCAD兼容的多尺度模型的声子辅助带间隧穿（BTBT）在半导体中，它结合了非抛物线性质的复杂带内的带隙的材料。该模型示出捕获硅中的测量的电流-电压数据，用于沿着$[100]$、$[110]$和$[111]$方向的电流传输。我们的模型将是有用的预测带到带隧穿现象，以量化在隧道FET和小几何MOSFET和FINFET的开和关电流。
2014-07-23 cond-mat.mes-hall
Understanding and engineering phonon-mediated tunneling into graphene on metal surfaces
Ir（111）上的金属插层石墨烯在非弹性电子隧穿光谱中表现出声子特征，其强度取决于插层剂。对于Cs嵌入，观察到非常强的石墨烯声子信号。Li intercalation同样诱导明显可辨的声子签名，虽然不如观察到的Cs明显。该信号可以微调的碱金属覆盖，并逐渐消失后，增加从隧道到接触范围的结电导。与Cs和Li相反，对于Ni插层的石墨烯，声子信号在所有传输范围内保持低于检测限。超越常规的双端方法，输运计算提供了对石墨烯电极耦合与石墨烯声子光谱特征的观察之间的微妙相互作用的全面理解。
2018-10-29 cond-mat.mes-hall
Plasmon-assisted resonant tunneling in graphene-based heterostructures
我们发展了石墨烯-绝缘体-石墨烯异质结构中电子隧穿伴随载流子-载流子散射的理论。由于库仑相互作用的动态屏蔽作用，如果传递的能量和动量与表面等离子体的能量和动量相对应，则散射辅助隧穿会共振增强。我们揭示了这种等离子体辅助隧穿的石墨烯隧道结的电流-电压曲线和等离子体发射光谱的可能的实验表现。我们发现，非弹性电流和等离子体激元发射率有尖锐的峰值电压提供相等的能量，动量和群速度的等离子体激元和层间单粒子激发。这种共振的强度，我们称之为等离子体共振，受到层间扭曲和等离子体寿命的限制。等离子体激元辅助隧穿的开始也可以通过在低温下的结$I(V)$曲线中的尖点来标记，并且这种隧穿的阈值电压弱地依赖于载流子密度并且在层间扭曲的存在下持续。
2017-06-16 cond-mat.mes-hall
Real-time dynamics of triplet-resonant tunneling driven by nonequilibrium phonons
The University of Tokyo（东京大学）；Ruhr-Universität Bochum（波鸿鲁尔大学）；University of Tsukuba（筑波大学）；RIKEN（理化学研究所）；Institute of Science Tokyo（科学技术高等研究院）
通过实时电荷传感测量，研究非平衡声子驱动下双量子点中三重态共振隧穿的自旋阻塞效应和单向输运循环。
2026-07-02 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted decoherence and tunneling in quantum dot molecules
研究了声子环境对掺杂量子点分子中电子动力学的影响。一个非微扰量子动力学理论的基础上相关展开，以描述对角和非对角的电子-声子耦合代表真实和虚拟的过程与相关的声学声子。我们表明，弛豫是占主导地位的声子辅助电子隧穿之间的组成量子点和皮秒的时间尺度上发生。详细研究了量子点占据几率随时间的演化与量子点间能量失配的关系。
2010-11-12 cond-mat.mes-hall
Simulation of phonon-assisted band-to-band tunneling in carbon nanotube field-effect transistors
采用考虑电子-声子散射的非平衡格林函数方法，模拟了碳纳米管金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中的电子输运。对于MOSFET，双极传导通过声子辅助的带-带（Landau-Zener）隧穿来解释。在弹道的情况下相比，我们表明，声子散射的双极导电的发病转移到更积极的栅极电压（从而增加了关闭电流）。结果表明，尽管存在声子散射的影响，双极电导的亚阈值摆幅仍可达到40mV/decade。
2005-10-05 cond-mat.mes-hall
Band-to-band tunneling in a carbon nanotube metal-oxide-semiconductor field-effect transistor is dominated by phonon assisted tunneling
带到带隧穿（BTBT）器件由于其在降低集成电路中的功率耗散方面的潜力而近来获得了很多关注。我们已经进行了广泛的模拟碳纳米管金属氧化物半导体场效应晶体管（CNT-MOSFET）的BTBT操作使用非平衡格林函数形式主义的弹道和耗散量子输运。与最近报道的实验数据（Y. Lu等人，J. Am.美国化学学会，v. 128，p.3518 -3519，2006），我们已经获得了强有力的证据，证明CNT-MOSFET中的BTBT由光学声子辅助的非弹性输运主导，这可能对晶体管特性具有重要影响。结果表明，在大的偏置条件下，两个声子散射也可能变得重要。
2007-03-19 cond-mat.mes-hall
Thermally assisted domain walls quantum tunneling at the high temperature range
考虑晶体畴壁与热激发的相互作用，对铁磁体和弱铁磁体中畴壁的量子隧穿进行了理论和数值研究。发展了在宽温度范围内计算热激量子脱钉几率随温度变化的数值方法。
1998-05-30 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted tunneling in an isolated double dot system
声子辅助隧穿率的评估定义在有限厚度的GaAs半导体异质结构中的隔离良好的双点系统。一个可分离的模型的限制潜力允许准确的测定的双重电子波函数和能量。结果发现，在小的双重能量的压电率由于弯曲模式给占主导地位的贡献。对于小板坯厚度的预测率是高达两个数量级高于非常厚的板坯。
2005-05-14 cond-mat.mes-hall
Tunneling in suspended carbon nanotubes assisted by longitudinal phonons
悬浮单壁碳纳米管量子点的电流-电压特性表现出一系列等间距的电压阶跃。这种谐波，低能量激发光谱的能量尺度是一致的，在纳米管中的纵向低k声子模式（拉伸模式）。协议被发现与弗兰克-康登为基础的模型，其中的声子辅助隧穿过程被建模为一个耦合的电子水平欠阻尼量子谐振子。与该模型比较，发现有一个相当强的单位阶电子-声子耦合因子。
2005-08-10 cond-mat.mes-hall
Influence of Phonon Scattering on the Performance of p-i-n Band-to-Band-Tunneling Transistors
功耗已经成为现代集成电路性能扩展的主要障碍，并且已经刺激了对在较低电压摆幅下操作的器件的研究。本文研究了以半导体碳纳米管为沟道材料的p-i-n带间隧穿场效应晶体管（TFET）。这些器件的导通电流主要受到隧穿势垒特性的限制，声子散射仅具有适度的影响。然而，我们发现，截止电流是有限的声子吸收辅助隧穿，因此是强烈的温度依赖性。即使在室温下，也可以很容易地实现低于60 mV/十倍传统限制的亚阈值摆幅。有趣的是，虽然亚阈值摆幅下降，由于声子散射的影响，它仍然在实际偏置条件下低。
2007-10-25 cond-mat.mes-hall
Impurity-assisted tunneling magnetoresistance under weak magnetic field
将自旋注入到半导体中对于将自旋功能集成到传统电子学中是必不可少的。绝缘层通常插入铁磁金属和半导体之间，以获得有效的自旋注入，因此区分隧道势垒中的电自旋注入和杂质驱动效应的特征至关重要。在这里，我们展示了一个杂质辅助隧道磁电阻效应在非磁性绝缘体的隧道势垒和铁磁绝缘体的隧道势垒。在这两种情况下，该效果反映了通过外部磁场的杂质沟道的隧穿电流的开/关切换。报道的效果，这是普遍的任何杂质辅助隧穿过程，最终澄清了广泛使用的技术，采用相同的铁磁电极注入和检测自旋积累的争议。
2014-09-08 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted tunnelling of electrons in a quantum well-quantum dot injection structure
本文从理论上研究了由量子点和量子阱耦合组成的系统中声子辅助的弛豫和隧穿。在kp方法中结合Löwdin消去法，我们计算了电子态。我们计算了量子阱和量子点中态之间的声子辅助弛豫速率，并研究了由此产生的电子动力学。我们表明，过渡效率关键取决于系统的几何形状。我们还表明，在某些条件下，转换效率可以随温度的下降。
2014-05-20 cond-mat.mes-hall
Piezoelectric coupling, phonons, and tunneling into a quantum Hall edge
我们表明，在GaAs中的三维声子的压电耦合重整化的电流-电压指数隧穿电子到一个不可压缩的量子霍尔边缘。领先的修正总是负的，与$ν= 1/3$状态上的实验一致，并且取决于边缘等离子体速度的精确值，可以大到百分之几。我们还讨论了高阶修正，这决定了在极红外极限的压电耦合的效果。
2005-12-14 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted excitation transfer in quantum dot molecules
我们推导了两个耦合量子点（一个量子点分子）之间声子辅助F{<$}rster转移的量子动力学描述。我们发现，激子态通过拉比旋转和指数衰减的组合衰减到QDM的基态。对于中等间距的点，该过程发生在皮秒时间尺度上。
2007-06-06 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted decoherence in coupled quantum dots
我们分析了各种声子辅助的机制，有助于激子量子比特的消相干的量子点系统耦合的Förster型转移过程。我们使用一个单声子辅助的Förster型转移过程模型，证明了量子比特态之间的载流子振荡导致相干性的显著损失和耗散。通过形变势和压电耦合，我们得到了激子量子比特与声学声子相互作用的弛豫时间和退相时间的显式表达式。我们比较了GaAs/AlGaAs材料系统的退相干时间与2 $\otimes$ 2二体混合激子量子比特系统的共现衰变的一半时间。我们扩展计算，以确定声子介导的相互作用对量子点系统的Berry相位的非幺正演化的影响。
2007-02-19 cond-mat.mes-hall
Spin-orbit-assisted electron-phonon interaction and the magnetophonon resonance in semiconductor quantum wells
本文介绍了半导体量子阱中载流子的自旋轨道辅助的电子-声子耦合机制，并定性地预言了回旋共振（CR）声子与光学（LO和TO）声子之间的反交叉形式和形状。由于这种e-ph相互作用涉及电子自旋，因此预测的TO-CR反交叉依赖于填充因子，因此依赖于量子阱中2D电子气的极化。
2007-07-21 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted transport through double-dot Aharonov-Bohm interferometer in the Kondo regime
采用平均场从玻色子Kotliar-Ruckenstein方法，研究了电子-声子耦合对嵌入Aharonov-Bohm环中的一对强关联量子点输运的影响.结果表明，与声子的耦合打开了双占据区的输运能隙。低偏压电导和热电势提供了电子-声子耦合强度的信息。
2020-10-05 cond-mat.mes-hall
Quantum decoherence phenomena in thermal assisted tunneling
我们提出了一种新的方法来解决介观自旋系统从量子行为到经典行为的转变问题。本文试图证明这种跃迁的主要原因是自旋系统与环境之间的热相互作用所引起的量子退相干。
1999-02-26 cond-mat.mes-hall
Thermally assisted macroscopic quantum tunneling of a ferromagnetic particle in a magnetic field at an arbitrary angle
在有限温度下，研究了置于任意角度磁场中具有双轴对称性的铁磁微粒磁化强度的量子隧穿。给出了热激活对量子隧穿影响的交叉温度以下的WKB指数的数值表达式，以及交叉区附近WKB指数的近似形式。讨论了量子涨落对交叉区以外热激活速率的影响。
1998-01-30 cond-mat.mes-hall
Crossover between Thermally Assisted and Pure Quantum Tunneling in Molecular Magnet Mn12-Acetate
采用微霍尔效应磁力测量法研究了高自旋（S=10）单轴分子磁体Mn12单晶中热辅助与纯量子隧穿之间的交叉。磁滞和弛豫实验已被用来调查的能级，确定作为磁场和温度的函数的磁化反转。这些实验表明，交叉发生在一个狭窄的（0.1 K）或广泛的（1 K）的温度间隔取决于横向于各向异性轴的字段的大小。
2001-01-02 cond-mat.mes-hall
Transmission phase shift of phonon-assisted tunneling through a quantum dot
利用散射理论研究了电子-声子相互作用对电子通过量子点的传输相移的影响。透射相位与点内能级的关系显示出一系列声子诱导的下降。这些下降对电子-声子相互作用强度$λ$高度敏感，并且它们比电导中出现的声子辅助子峰明显得多。研究了声子诱导的退相，结果表明退相几率$T_d$随电子-声子相互作用强度$λ$单调增加.小$λ$的退相概率为$T_d \proptoλ^2$，而大$λ$的退相概率为$T_d\propto λ$。
2007-11-30 cond-mat.mes-hall
Compact Model of Nanowire Tunneling FETs Including Phonon-Assisted Tunneling and Quantum Capacitance
通过考虑声子辅助隧穿（PAT）和器件尺寸缩小过程中量子电容极限（QCL）向经典极限（CL）的转变，建立了一个基于物理的硅全环栅（GAA）纳米线隧穿场效应晶体管（NW-tFET）的紧凑模型。PAT的作用导致单电子能级展宽到一个态密度（DOS）分布为洛伦兹形状的能带。结果，隧穿窗口边缘处的隧穿概率不再从零突然变化到具有有限值。通过调整洛伦兹函数中的参数，可以精确拟合亚阈值区域中的测量传递特性。此外，该模型还引入了一个计算沟道势的解析公式，能够自然地反映器件尺寸变化时从QCL到CL的过渡过程。此外，导通电压的定义，以方便建模和拟合过程。与实验数据的比较表明，在所有的设备操作区域的模型精度和模型参数提取的灵活性也被示出。
2014-12-05 cond-mat.mes-hall
Dephasing Effect in Photon-Assisted Resonant Tunneling through Quantum Dots
我们分析了单量子点和双量子点系统中的退相现象。通过Büttiker模型引入退相干，其中电流守恒虚拟电压引线连接到点。利用非平衡格林函数方法，研究了退相效应对隧穿电流的影响。结果表明，有限的失相率导致可观察到的效果。结果可用于测量量子点的失相速率。
2001-03-26 cond-mat.mes-hall
Cotunneling current through quantum dots with phonon-assisted spin-flip processes
我们考虑了在自旋翻转过程中通过量子点的共隧穿，自旋翻转过程是由与周围声子的耦合引起的。利用广义Schriffl-Wolff变换导出了声子辅助共隧穿电流的表达式。考虑了自旋-声子耦合对量子点加热的影响。结果评估的情况下，一个抛物型半导体量子点与Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合和自旋声子弛豫速率的确定方法提出。
2006-01-30 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted dark exciton preparation in a quantum dot
在半导体量子点中，与环境（即声子）的耦合对于光学态制备起着至关重要的作用。我们分析了声子的影响，两种方法的直接光学制备的暗激子，这是通过倾斜的磁场：激发与啁啾激光脉冲和激发与失谐脉冲。我们的研究表明，对于这两种方法，声子要么不妨碍所提出的机制，甚至是有用的，通过拓宽参数范围，其中暗态制备是可能的，由于声子辅助暗激子制备。鉴于声子对光学制备的积极影响，在量子点中使用暗激子变得更加有吸引力。
2017-04-12 cond-mat.mes-hall
Effects of electron-phonon interactions on the electron tunneling spectrum of PbS quantum dots
我们提出了一个隧道光谱研究的单PbS量子点（量子点）作为温度和栅极电压的函数。在这些量子点的电子隧穿谱（ETS）中观察到三个明显的强电子-声子耦合特征。在壳层填充机制中，电子能级的$8\times$简并度被库仑相互作用提升，并允许观察由光学声子发射产生的声子子带。在低偏压下，在ETS中观察到不能用栅极电压闭合的间隙，这是Franck-Condon（FC）阻断的显著特征。从这些数据中，获得了范围为$S\sim 1.7 - 2.5$的Huang-Rhys因子。最后，在壳隧穿区，光学声子出现在非弹性ETS $d^2I/dV^2$中。
2015-09-09 cond-mat.mes-hall
Electron states, phonon-assisted relaxation and tunneling in self-assembled quantum dot molecules in an electric field
我们对两个自组装垂直堆叠量子点组成的系统中的声子辅助弛豫进行了理论分析。我们建立了真实的模型，它考虑了系统的几何形状和应变分布。我们计算声子辅助弛豫率之间的两个最低的状态（在一个和两个电子的情况下）。的弛豫速率和能级作为外部（轴向）电场和结构的几何形状（点的大小）的函数进行了研究。我们发现，弛豫时间可以低至1~ps，但有效的弛豫只发生在非常精细的调谐点。
2010-07-09 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted relaxation between hole states in quantum dot molecules
我们从理论上研究了双量子点中空穴的声子弛豫和非弹性隧穿。我们推导出空穴态和弛豫率从kp哈密顿量，并表明，有一个有限的点之间的距离，空穴态的寿命很长，这是有关消失隧道耦合。我们还表明，轻空穴混合空穴状态可以显着影响空穴弛豫速率，即使它的幅度很小。
2012-02-06 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted population inversion of a single quantum dot
我们提出了一种实现单个InGaAs/GaAs量子点布居数反转的方法，该方法由中性激子声子边带内调谐的激光脉冲驱动。反转是通过声子辅助弛豫的光学修饰态的快速热化来实现的。一个最大的激子人口为0.67 $\pm$ 0.06的测量为0.83毫电子伏的激光调谐到更高的能量和声子边带映射使用双色泵浦探测技术。我们的实验表明，根据理论，声子浴提供了额外的功能，光学驱动的量子点量子比特。
2014-09-07 cond-mat.mes-hall
Removing spin blockade by photon-assisted tunneling in double quantum dots
泡利不相容原理可以导致双量子点输运的抑制，即使两个量子点之间由一个共振驱动场连接。在这项工作中，我们研究如何这种效果，被称为自旋封锁，可以通过驱动场的影响，对接触的铅被删除。
2006-11-16 cond-mat.mes-hall
Spin-valley resolved photon-assisted tunneling in carbon nanotube double quantum dots
研究了半导体碳纳米管中静电诱导双量子点的光子辅助隧穿（PAT）和Landau-Zener-Stueckelberg（LZS）干涉。本文采用原子紧束缚方法和含时组态相互作用方法，对有限电子和空穴系统进行了描述。我们再现了最近观察到的量子双点描述跨空穴局域态的传输的LZS干涉图案。此外，我们指出，对于电荷配置的基态是泡利阻止PAT可以用于分辨率的过渡，涉及自旋翻转或谷间过渡没有自旋谷保存背景信号。
2017-02-28 cond-mat.mes-hall
Evanescent-mode-assisted Klein tunneling in dual-gated bilayer graphene
School of Science, Jiangxi University of Science and Technology（江西理工大学理学院）；Department of Physics, Jiangsu University（江苏大学物理学院）
研究双栅双层石墨烯基n/p结中电子隧道效应，通过调节栅极电压引入带隙，改变赝自旋极化并打破正常入射下的反克莱因隧道效应，当左右区域传播波和倏逝波模式的赝自旋极化矢量正交时，实现克莱因隧道效应的复兴，且克莱因隧道效应的 Berry 阶段不局限于 π，随结参数变化，且伴随正常入射时反射相位的 π 跳跃。
2025-09-27 cond-mat.mes-hall
Inelastic tunneling through mesoscopic structures
我们的目标是研究电子在光学声子非弹性散射下的共振隧穿。使用最近开发的技术，精确映射到一个一体化的问题上的多体问题的基础上，我们计算传输通过一个单一的网站在有限的温度。我们还计算电流通过一个单一的网站在有限的温度和任意强度的潜在下降的隧道区。透射率与入射电子能量在有限温度下显示由于声子吸收过程的额外峰值。在小于声子频率的电压偏置下的电流由弹性过程主导。我们应用该方法的电子隧穿通过耦合到光学声子的Aharonov-Bohm环。电子-声子散射的弹性部分不影响电子的相位，退相只通过非弹性过程发生。
1998-12-09 cond-mat.mes-hall
Signatures of phonon and defect-assisted tunneling in planar metal-hexagonal boron nitride-graphene junctions
电子隧道光谱测量的范德华异质结组成的金属和石墨烯（或石墨）电极分离的原子薄的六方氮化硼隧道势垒。低电压下的隧穿电导dI/dV相对较弱，在|V|~50 mV附近可重复观察到强增强。虽然在低能量下的弱隧穿归因于在动量空间中金属和石墨烯费米表面没有实质性重叠，但在较高能量下的增强表明非弹性过程的开始，其中异质结构中的声子提供连接费米表面所需的动量。在隧道电流的二阶导数中的显著峰值，在其中隧道结中的已知声子模式具有高态密度的电压下观察到。此外，在这些器件中还观察到归因于氮化硼中纳米级缺陷的单电子充电的隧穿电导的特征。石墨烯的小的电子态密度允许这些缺陷态的充电光谱被静电调谐，导致在隧穿电导中的库仑钻石。
2016-10-11 cond-mat.mes-hall
Ultrafast Depopulation of a Quantum Dot by LA-phonon-assisted Stimulated Emission
利用红移激光脉冲激发的LA声子辅助辐射，我们演示了量子点从透明点以上到透明点以下的超快非相干消布居。通过激光驱动，量子点从弱电子振动系统转变为强电子振动系统，从而使两个修饰态的激子分量之间发生声子辅助弛豫。在20 ps的激光脉冲宽度有限的时间内实现的人口减少，并表现出几毫电子伏的宽调谐范围。我们的实验结果很好地再现路径积分计算。
2016-04-18 cond-mat.mes-hall
Resonant tunneling and Fano resonance in quantum dots with electron-phonon interaction
本文从理论上研究了具有电子-声子相互作用的量子点中的共振隧穿和Fano共振。我们研究的偏置电压（$V$）依赖的退相干，使用Keldysh格林函数方法和微扰相对于e-ph相互作用。对于能量为$ω_0$的光学声子，当$eV<ω_0$时，仅发生弹性过程，其中电子实际上发射和吸收声子。该过程抑制谐振幅度。当$eV>ω_0$时，伴随声子实发射的非弹性过程是可能的。它导致失相并加宽谐振宽度。如果忽略e-ph相互作用对隧道耦合的影响，则用正则变换方法不能得到退相干与偏压的关系。与声学声子，非对称形状的法诺共振增长像一个对称的偏置电压的增加，定性与实验结果一致。
2006-01-21 cond-mat.mes-hall
Evidence for Phonon-Assisted Intertube Electronic Transport in an Armchair Carbon Nanotube Film
本研究通过实验和理论计算证明，在扶手椅型碳纳米管薄膜中，声子辅助的相干管间电子输运是高温电导的主导机制，该薄膜有望用于室温相干电子器件。
2022-01-18 cond-mat.mes-hall
Role of optical rectification in photon-assisted tunneling current
研究了金属隧道结中的光整流效应。我们考虑一个平面结的Kretschmann配置和测量的光子辅助隧道红外照明下在$λ= 1.5\, μ\mathrm{m}$。为了解决光学整流起源的微观机制，我们比较了在远大于$V_0=\frac{hc}{eλ}=0.825 \, \mathrm{V}$的电压范围内测量的光子辅助电流和结的电流-电压特性。实验结果不同意Tucker理论的基础上的电子和光子之间的能量量子的交换和描述的直流电流由光子辅助的过程中引起的位移特性$I(V)$和$I(V\pm V_0)$的线性组合。相反，我们表明，照明功率主要进入加热和整流结果主要来自非线性的隧道结在光频。
2022-07-28 cond-mat.mes-hall
Spin-orbit coupling assisted by flexural phonons in graphene
我们分析了石墨烯中自旋和声子之间的耦合。我们提出了一个完整的分析自旋和弯曲，平面外，振动之间可能的耦合。从紧束缚模型，我们得到的分析和数值估计的强度。我们发现，动力学效应，量子和热涨落引起的，显着提高自旋轨道间隙。
2012-12-11 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted thermoelectric effects in a two-level molecule
利用格林函数中的运动方程方法，分析了金属电极上二能级分子的热电性质。结果表明，电导强烈地依赖于电子和声子的温度以及电子-声子耦合强度。此外，还观察到在强的电子-声子相互作用下，电子-空穴对称点处的热导峰消失了。研究还发现，在强的电子-声子相互作用下，优值受到强烈的抑制。也观察到来自库仑相互作用的Wiedemann-Franz定律的违反。
2012-09-11 cond-mat.mes-hall
Decay and persistence of spatial coherence during phonon-assisted relaxation in double quantum dots
我们提出了一个理论研究的空间相干性之间的离域激子态之间的弛豫过程中耦合到声学声子的一对垂直堆叠的半导体量子点的演变。我们发现，即使在非耦合的非全同量子点系统中，如果能级间的能量分裂存在一种特殊的简并，空间相干性也可以转移到基态。相干转移的声子辅助机制导致产生的相干性的量对点间距离和温度的依赖性。我们还分析了耦合系统的载流子声子动力学的影响，其中空间相干存在于离域基态。
2015-08-12 cond-mat.mes-hall
Phonon-Assisted Andreev Reflection at Majorana Zero Mode
拓扑超导体端部的Majorana零模（MZM）的典型特征之一是正常铅-超导体结隧穿谱中的零偏置峰。本文研究了一个单声子模耦合到超导体引线的正常铅-超导体结模型，它可以看作是一个电子-引线/声子耦合-MZM/空穴-引线结构。声子耦合的MZM作为一系列的通道，电子可以通过吸收和发射声子变成空穴。这些通道在局域态密度（LDOS）中呈现为一系列条带，在隧穿光谱中产生相应的峰。在LDOS中，电子-声子相互作用使条纹之间的权重变窄并重新分配。在隧道光谱中，峰高呈现多声子过程的特征。通过这些研究，我们的工作阐明了声子辅助的Andreev反射机制在马约拉纳零模式。
2019-02-18 cond-mat.mes-hall
