Intrinsic high-fidelity spin polarization of charged vacancies in hexagonal boron nitride
本研究通过基态与激发态极化动力学测量及半经典模型，揭示hBN中V_B^-空位在室温下接近1的自旋极化，并利用Lindbladian数值模拟预测核自旋超精细极化的磁场依赖特征且获实验验证。
2024-06-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Identifying optimal magnetic field configurations for decoherence mitigation of boron vacancies in hexagonal boron nitride
Indian Institute of Technology Madras（印度理工学院马德拉斯分校）；UCL（伦敦大学学院）；SIAS, Krea University（克里亚大学斯里城市国际应用科学学院）
本文通过优化磁场配置来抑制六方氮化硼中硼空位的退相干，提出了一种基于自旋哈密顿量的数值模拟方法和解析模型，展示了在特定区域可实现显著退相干抑制。
2025-11-19 cond-mat.mes-hall quant-ph
Charge state tuning of spin defects in hexagonal boron nitride
本文展示了超薄六方氮化硼中硼空位电荷态的可调控性，发现其在石墨烯电极间可发生光学活性转变且带负电的硼空位对外部垂直电场保持稳健，为二维量子传感器和范德华异质结构集成提供了重要依据。
2025-01-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Tunable ferroelectricity in hBN intercalated twisted double-layer graphene
该研究通过六方氮化硼插层双栅极双层石墨烯构建出铁电半金属，实现了高室温迁移率、稳健的双极性切换及可调谐磁滞，扩展了铁电vdW化合物家族并为新型相变器件开发提供了新途径。
2021-02-24 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
On the Electronic Structure of a Recently Synthesized Graphene-like BCN Monolayer from bis-BN Cyclohexane: A DFT Study
自石墨烯兴起以来，氮化硼单分子膜由于与石墨烯结构相似而得到了深入的研究。以bis-BN环己烷（B2 N2 C2 H12）为前体分子，合成了六方结构的类石墨烯硼-碳-氮（h-BCN）单层膜。在此，我们研究了这种新型的BCN材料的电子和结构特性，在存在单原子（硼，碳，氮）的空缺，通过采用密度泛函理论计算。这些空位赋予的结构的稳定性进行了验证，从内聚能计算。结果表明，碳原子空位的存在会使晶格发生强烈的畸变，导致晶格平面性的破坏和键的重构。单原子空位诱导了平坦的带隙中间态的出现。一个显着程度的电荷本地化发生在这些缺陷附近。观察到仅在硼空位情况下的自发磁化，其磁偶极矩约为0.87 μ B。我们的计算预测的直接电子带隙值约为1.14 eV，这是在很好的协议与实验。重要的是，该带隙值介于无带隙石墨烯和绝缘h-BN之间。
2020-11-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Large Rashba Spin-Orbit Coupling and High-Temperature Quantum Anomalous Hall Effect in Re-Intercalated Graphene/CrI$_3$ Heterostructure
本文通过理论计算证明Re插层石墨烯/CrI₃异质结可诱导大Rashba自旋轨道耦合并打开能隙，实现高温量子反常霍尔效应，为石墨烯基低功耗电子器件应用奠定基础。
2022-03-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Impact of Monoatomic Vacancies in 2D Materials on the Performance of Magnetic Tunnel Junction Devices: Insights from Configurations and Interface Interactions
本研究基于 DFT 与 NEGF 计算，揭示 hBN 和石墨烯绝缘势垒中的单原子空位通过界面态与局域态相互作用改变 MTJ 的自旋透射通道及器件性能。
2024-04-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Coupling of excitons and defect states in boron-nitride nanostructures
用多体微扰理论研究了六方氮化硼（BN）的缺陷光谱特征。单个BN片用作不同层状BN纳米结构和晶体的模型。在片中，我们嵌入典型的缺陷，如替代杂质，孤立的硼和氮空位，和双空位。深缺陷能级和扩展态之间的过渡产生的特征激发带，应负责发光实验中观察到的约4 eV的发射带。此外，缺陷束缚激子的发生，始终在我们的从头算方法处理的“自由”激子。对于高浓度的缺陷，束缚激子和自由激子的共存在主激子峰上增加了子结构，并解释了阴极和光致发光谱中相应的特征。
2011-03-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Heterointerface effects on lithium-induced phase transitions in intercalated MoS2
近十年来，人们详细研究了MoS2从半导体2H到半金属1T '相的嵌入诱导相变;然而，MoS2与其他二维（2D）晶体之间的异质界面对相变的影响在很大程度上被忽视了。在这里，从头计算表明，在MoS2-六方氮化硼（hBN）界面处插入Li使MoS2的1T相比2H相稳定约100 mJ m-2，这表明用hBN封装MoS2可以降低插入诱导的相变所需的电化学能。然而，原位拉曼光谱的hBN-MoS2-hBN异质结构在电化学嵌入Li+的过程中表明，相变发生在相同的施加电压的异质结构作为裸MoS2。我们假设，预测的热力学稳定的1T '-MoS2-hBN界面抵消的异质界面的空间位阻施加的相变的能量障碍。相变发生在较低的施加电压加热的异质结构，这支持了我们的假设。我们的研究强调了二维异质结构的界面效应可以超越调制电性能，并可以修改电化学和相变行为。
2020-11-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Carbon and vacancy centers in hexagonal boron nitride
制造具有预定光学、化学和其他特性的缺陷是增强材料功能的有力工具。在此，我们利用密度泛函理论来理解基于空位和替代原子的六方氮化硼中缺陷形成的微观机制。通过对不同生长条件下缺陷诱导的能带结构和形成能的深入分析，我们发现了缺陷间电子配对在缺陷复合物稳定中的主导作用。电子重组改变了电子相互作用的交换分量，该分量在直接库仑排斥或结构弛豫效应中占主导地位，使得受体型和供体型缺陷中心的结合在能量上有利。基于大量的缺陷复合物的分析，我们开发了一个简单的图片时，个别缺陷结合在一起，形成更复杂的中心的电子性能的遗传。
2021-12-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Boron nanotube structure explored by evolutionary computations
在这项工作中，我们探索了单壁硼纳米管的结构与大直径（约21纳米）和广泛的表面原子密度。计算是使用进化的方法结合最近邻模型哈密顿。对于最稳定的纳米管，5-配位硼原子的数量约为形成纳米管的原子总数的$63\%$，而约$11\%$为硼空位。对于小于约0.22的空穴密度，硼纳米管表现出随机分布的六边形空穴，并且比平坦条纹结构和准平坦B $_{36}$簇更稳定。对于较大的空穴密度（$> 0.22$），硼纳米管类似于多孔管状结构，其空穴尺寸取决于硼原子的表面密度。
2022-12-03 cond-mat.mes-hall
Point defects and their dynamic behaviors in silver monolayer intercalated between graphene and SiC
Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e. V.（柏林莱布尼茨固体电子学保罗·德鲁德研究所）；Department of Materials Science and Engineering, The Pennsylvania State University（宾夕法尼亚州立大学材料科学与工程系）；Dimensional Crystal Consortium, The Pennsylvania State University（宾夕法尼亚州立大学二维晶体联盟）；Center for 2-Dimensional and Layered Materials, The Pennsylvania State University（宾夕法尼亚州立大学二维与层状材料中心）；Center for Atomically Thin Multifunctional Coatings, The Pennsylvania State University（宾夕法尼亚州立大学原子级薄多功能涂层中心）
研究揭示了石墨烯与SiC之间银单层中点缺陷的动态行为，通过显微镜操控实现原子尺度双态导电开关。
2026-02-04 cond-mat.mes-hall
Half-metallicity induced by charge injection in hexagonal boron nitride clusters embedded in graphene
我们研究了石墨烯超晶胞中h-BN三角形团簇的电子结构和磁性。我们发现，根据团簇的大小和它们之间的石墨烯分离区域，可以通过电荷掺杂诱导自旋极化，或者即使在中性状态下也可以观察到自旋极化。在这些情况下，观察到半金属性的某些带电状态，否则是金属。在这些半金属状态下，自旋密度集中在簇的边缘附近，类似于锯齿形石墨烯纳米带和h-BN/石墨烯插层纳米带中的半金属的更常见的预测。由于石墨烯中h-BN域的实验实现已经被报道，这些异质结构可以是纳米电子学和自旋电子学应用的合适候选者。
2012-12-03 cond-mat.mes-hall
Disordered Carbon nanotube alloys in the Effect Medium Super Cell Approximation
在有效介质超原胞近似下研究了无序单壁碳纳米管。我们考虑的第一种无序是空位的存在。我们的研究结果表明，空位在其邻近的宿主位置上诱导了一些束缚态，导致在单壁碳纳米管的平均态密度中费米能附近产生了一个带。第二种类型的无序被认为是替代型$B_{cb}N_{cn}C_{1-cb-cn}$合金，因为它在异质结中的应用。我们发现，对于一个固定的硼（氮）浓度，通过增加氮（硼）浓度的平均半导体间隙，$E_{g}$，减少，并在临界浓度消失。我们的纳米电子器件的结果的一个结果是，通过改变硼（氮）浓度，可以使半导体单壁碳纳米管具有预定的能隙。
2004-05-17 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Robustness of topologically protected transport in graphene-boron nitride lateral heterostructures
以前，石墨烯纳米带设置在横向异质结构与六方氮化硼被预测支持拓扑保护状态在低能量。我们调查如何强大的这些国家的输运性质对晶格无序。我们发现，不耦合锯齿形石墨烯纳米管的两个谷的无序形式不影响在低偏压下的输运性质，这表明这些横向异质结构是非常有前途的候选芯片级导电互连。确实耦合两个谷的无序形式，例如石墨烯带中的空位，或石墨烯-六方氮化硼界面处扶手椅边缘的大量夹杂物，将对传输产生负面影响。然而，这些形式的紊乱在目前的实验中并不常见。
2016-09-06 cond-mat.mes-hall
Electron Beam-Induced Nanopores in Bernal-Stacked Hexagonal Boron Nitride
控制二维材料中纳米孔的尺寸和形状是DNA测序、筛分和人造原子中的量子发射等应用中的关键挑战。我们在这里从实验和理论上研究了使用高能电子束形成的（非常规）Bernal堆叠AB-h-BN中的三角形空位。由于AB-h-BN的几何构型，不同层中的三角形孔对齐，并且它们的尺寸由电子照射的持续时间控制。与更常见的AA '堆叠BN中发生的情况相反，空位边缘处的层间共价键合是不有利的。各种单层，同心和双层孔双层AB-h-BN中观察到的高分辨率透射电子显微镜和其特征在于使用从头计算模拟。在AB-h-BN中通常形成双层孔，并且在不破坏双层特性的情况下生长。AB-h-BN中的纳米孔表现出广泛的电子性质，从半金属到非磁性和磁性半导体。因此，由于孔径的可控性，电子结构在这些系统中也是高度可控的，并且可以潜在地针对特定应用进行调整。
2020-06-27 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Competition between vacancy creation and filling in defect-engineering of hBN
University of Vienna（维也纳大学）；Univ. Paris-Saclay, CNRS, Laboratoire de Physique des Solides（巴黎萨克雷大学，法国国家科学研究中心，固体物理实验室）；Institute for Microelectronics, TU Wien（TU维也纳微电子研究所）
本研究通过超低能Ar+离子辐照单层hBN，发现空位产生以硼单空位为主，且Si和C杂质填充空位作用显著，影响量子发射体的选择性制备。
2026-09-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Unveiling the Zero-Phonon Line of the Boron Vacancy Center by Cavity Enhanced Emission
六方氮化硼（hBN）中的负电荷硼空位（$V_B^-$）由于强的电子-声子耦合和电子态的Jahn-Teller混合而表现出宽的发射光谱。因此，$V_B^-$的零声子线（ZPL）的直接测量仍然是难以捉摸的。在这里，我们通过将hBN层耦合到高Q纳米束腔来测量室温ZPL波长为$773\pm2$ nm。当腔模的波长被调谐时，我们观察到明显的强度共振，表明与$V_B^-$的耦合。我们的观测结果与$V_B^-$发射的空间再分布一致。空间分辨的测量结果表明，一个明确的Purcell效应的最大值在纳米束的中点，符合腔模式的光场分布。我们的结果与理论计算符合得很好，为将$V_B^-$用作腔自旋光子界面开辟了道路。
2022-06-22 cond-mat.mes-hall
Analysis of Vacancy defects in Hybrid Graphene-Boron Nitride Armchair Nanoribbon based n-MOSFET at Ballistic Limit
本文采用非平衡格林函数（NEGF）方法，研究了石墨烯-氮化硼（GNR-BN）纳米复合材料n-MOSFET在弹道输运极限下的空位效应.超级电池由扶手椅型纳米颗粒的3 p配置制成，其在两侧掺杂有6个BN原子并且也是H钝化的。研究的空位类型是单（B去除），双（B和N原子去除）和孔（去除6个原子）形成的所有在碳和BN原子的界面。利用密度泛函理论（DFT）计算了这种超晶胞的带隙、有效质量和态密度等材料性质。进一步利用带隙和有效质量的自洽泊松薛定谔计算器正式使用NEGF方法。对于所有的空位缺陷，材料性能表现出下降，这是更显着的空穴缺陷。该观察结果在器件特性中也是一致的，其中导通电流（ION）和亚阈值斜率（SS）显示空穴空位的最大增量，并且当缺陷数量增加时，增加变得更显著。
2015-12-04 cond-mat.mes-hall
Creation of single vacancies in hBN with electron irradiation
本文通过像差校正扫描透射电镜在50-90 keV下研究单层hBN的电子辐照损伤，发现可在低能下产生单空位且硼更易被击出，并提出价电子电离降低位移阈能的理论机制，为hBN单空位级缺陷工程提供依据。
2023-05-16 cond-mat.mes-hall
Single photon emitters in hBN: Limitations of atomic resolution imaging and potential sources of error
TU Vienna（维也纳工业大学）；University of Vienna, Faculty of Physics（维也纳大学物理学院）；University Paris-Saclay, CNRS, Laboratoire de Physique des Solides（巴黎萨克雷大学，法国国家科学研究中心，固体物理实验室）
研究揭示了在六方氮化硼中，原子分辨率成像的局限性及误差来源，指出厚度增加导致的对比度混淆问题。
2025-11-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Stability and optoelectronic properties of oligothiophene molecules confined in boron-nitride nanotubes : A many-body theoretical approach
Univ. Grenoble Alpes, CNRS, Institut Néel（格勒诺布尔阿尔卑斯大学，法国国家科学研究中心，尼尔研究所）；Laboratoire de Physique Théorique, Université de Toulouse, CNRS（图卢兹大学理论物理实验室，法国国家科学研究中心）；Univ. Grenoble Alpes, CEA, IRIG-MEM-L_Sim（格勒诺布尔阿尔卑斯大学，法国原子能和替代能源委员会，IRIG-MEM-L_Sim）
本研究采用多体理论方法，探究限域在氮化硼纳米管中的低聚噻吩分子的结构与光电性质，揭示了其结合能、滑动特性、带隙调控及激子相互作用等规律，修正了BN管仅作保护环境的结论。
2026-08-18 cond-mat.mes-hall physics.comp-ph
g-B3N3C: a novel two-dimensional graphite-like material
利用第一性原理计算预测了一种新型的六方氮化硼（BN）和石墨烯混合单层的晶体结构。这种材料可以通过硼或氮原子被碳原子均匀地取代在具有空位的石墨BN中来获得。相应的结构由BN六方环连接一个额外的碳原子构成。晶胞由7个原子组成，其中3个是硼原子，3个是氮原子，一个是碳原子。它表现出与石墨烯类似的空间结构，因此被称为g-B3 N3 C。与碳键形成相关的两种稳定拓扑类型，即，C-N或C-B键。有趣的是，不同的基态的每一种类型，这取决于C-N或C-B键，电子带隙，以及在这种材料的磁性已被系统地研究。我们的工作展示了对二维纳米结构的电子性质的实用和有效的访问，为解决带隙工程器件和自旋电子学中的开放性基本问题提供了一种方法。
2012-11-07 cond-mat.mes-hall physics.comp-ph
First-principles theory of extending the spin qubit coherence time in hexagonal boron nitride
六方氮化硼（h-BN）中的带负电荷的硼空位（VB-）是二维材料中快速发展的量子位平台，用于固态量子应用。然而，它们的自旋相干时间（T2）非常短，由于h-BN主体的固有致密核自旋浴而限于几微秒。由于相干时间是自旋量子比特最基本的性质之一，VB-的短T2时间可能会大大限制其作为有希望的自旋量子比特候选者的潜力。在这项研究中，我们从理论上提出了两种材料工程方法，它们可以将VB-自旋的T2时间延长到其本征T2的四倍以上。我们进行了量子多体计算结合密度泛函理论和集群相关展开，并表明，取代所有的硼原子在h-BN与10 B同位素导致的VB-自旋的相干增强的三倍。此外，通过在VB-周围诱导曲率，可以将VB-的T2时间增强1.3倍。在这里，我们阐明，曲率引起的不均匀应变创建空间变化的四极核相互作用，有效地抑制在浴中的核自旋翻转动力学。重要的是，我们发现同位素富集和菌株工程的组合可以使VB-T2最大化，对于单层和多层h-10 BN分别产生207.2和161.9 μs。此外，我们的研究结果可以应用于h-BN中的任何自旋量子位，增强它们作为实现高精度量子传感器，量子自旋寄存器和原子级薄量子磁体的材料平台的潜力。
2022-03-31 cond-mat.mes-hall physics.comp-ph quant-ph
Electron-nuclear coherent coupling and nuclear spin readout through optically polarized VB- spin states in hBN
缺陷自旋与周围原子核的相干耦合以及读出后者的能力是量子技术应用的基本要求。我们发现，带负电荷的硼空位（VB-）在电子辐照六方氮化硼（hBN）满足这些先决条件。我们证明了具有特征衰减时间Tcoh = 15 us的VB-电子自旋的Hahn回波相干性，接近于hBN中自旋缺陷的理论预测极限18 us。叠加在Hahn回波衰减曲线上的MHz范围内的调制被示出为通过2.11 MHz的核四极相互作用由VB-自旋与三个最近的14 N核的相干耦合引起。支持DFT计算证实，电子-核耦合被限制在缺陷层。我们的研究结果允许深入了解hBN中VB-缺陷的电子-核相互作用，并证明其在量子技术中的强大潜力。
2021-12-20 cond-mat.mes-hall
Indirect doping effects from impurities in MoS$_2$/BN heterostructures
我们进行了密度泛函理论计算的单层异质结构的六方BN和MoS $_2$评估的BN片和间隙Na原子的掺杂对相邻的MoS $_2$层的电子性质的影响。我们的计算预测，$n$ -掺杂的氮化硼子系统的氧，碳和硫杂质引起显着的电荷转移到导带的MoS $_2$片，而$p$ -掺杂的铍和碳离开二硫化钼层基本上不受影响。插入的钠原子导致的异质结构的层间距离的显着增加，并到金属基态的MoS $_2$子系统。这种$n$ -掺杂剂的存在导致价带和导带偏移的明显变化，表明掺杂的BN仍然是$n$ -型MoS $_2$应用的合适衬底和栅极材料.
2014-03-21 cond-mat.mes-hall
Spectroscopic studies of atomic defects and bandgap renormalization in semiconducting monolayer transition metal dichalcogenides
评估原子缺陷态及其对二维范德华半导体过渡金属二硫属化物（SC TMD）的电子性质的影响是促进利用这些低维材料的下一代电学和光学器件应用的多学科努力的主要任务。在这里，我们利用电子隧穿和光学光谱测量，利用密度泛函理论，在光谱上定位了四个代表性的单层SC TMD中的硫属原子空位的中间带隙态（MoS2，WS2，MoSe2，WSe2），仔细分析了四种不同材料中原子缺陷的相似性和不同性，以及缺失硫族元素原子的物理来源和对SC mTMD的影响特性.此外，我们解决了准粒子和光学能隙的SC mTMD薄膜，并发现许多机构的相互作用显着扩大准粒子的能隙和激子的结合能，当半导体单层封装由非相互作用的六方氮化硼层。
2019-10-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Controlled Electrochemical Intercalation of Graphene/h-BN van der Waals Heterostructures
电化学插层是一种调节层状固体电子性质的有效方法。在这项工作中，我们报告了一种电化学策略，以可控地嵌入锂离子到一系列的范德华（vdW）异质结构之间的六方氮化硼（h-BN）通过嵌入石墨烯。我们证明，用h-BN封装石墨烯消除了寄生的表面副反应，同时创建了一个新的异质界面，允许原子级薄层之间的插入。为了监测电化学过程，我们采用霍尔效应来精确监测插层反应。我们还同时探测光谱和电输运性质的插层化合物在不同阶段的嵌入。我们实现了最高的载流子密度$> 5 \times 10^{13} cm^{-2}$与迁移率$> 10^3 cm^2/(Vs)$在最严重的插层样品，其中舒布尼科夫-德哈斯量子振荡在低温下观察。这些结果为进一步的研究奠定了基础，采用插层改性性能的vdW异质结构。
2017-10-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Placement-driven reversal of preferred spin alignment in monolayer hBN vacancy pairs
Rose-Hulman Institute of Technology（罗斯-赫尔曼理工学院）
本研究通过密度泛函理论揭示，在单层六方氮化硼中，空位对的原子尺度位置可反转其自旋排列偏好，为调控耦合自旋中心提供微观基础。
2026-10-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci quant-ph
Enhancement of thermoelectric performance in Graphene/BN heterostructures
采用原子模拟方法研究了石墨烯和六方氮化硼（BN）面内异质结构的热电性能。异质结构由扶手椅型石墨烯纳米带组成，BN薄片周期性地附接到其侧面。这种布置在带的不同部分之间产生强烈的声子模式失配，这导致非常小的声子电导，而电子传输受到微弱的影响。结合由BN诱导的带隙开放或加宽产生的大的塞贝克系数，示出了取决于石墨烯纳米晶宽度，在相对低的费米能下可以在完美结构中达到大的热电优值系数ZT > 0.8。甚至可以通过在沟道中适当地引入空位来实现高值ZT = 1.48，这是声子电导进一步退化的结果。
2015-08-18 cond-mat.mes-hall
Defect migration and phase transformations in 2D iron chloride inside bilayer graphene
本研究通过STEM和第一性原理计算，研究双层石墨烯中嵌入氯化铁的原子级缺陷行为，发现FeCl2与FeCl3相转变中缺陷的作用、三种缺陷类型及未报道的Fe5Cl18晶相，推进二维材料嵌入机制理解。
2025-07-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
Electronic transport in graphene-based heterostructures
虽然氮化硼（BN）衬底已被用于在石墨烯场效应晶体管中实现高电子迁移率，但尚不清楚其他层状二维（2D）晶体如何影响石墨烯的电子性能。在这封信中，我们研究了二维BN，硒化镓（GaSe）和过渡金属二硫属化物（二硫化钨（WS 2）和二硫化钼（MoS 2））晶体的表面形貌及其对石墨烯电子质量的影响。原子力显微镜分析表明，这些晶体具有改善的表面粗糙度（均方根（rms）值只有~ 0.1 nm）相比，传统的二氧化硅基板。虽然我们的结果证实石墨烯器件在BN衬底上表现出非常高的电子迁移率，但WS 2衬底上的石墨烯器件（G/WS 2）同样有希望实现高质量的电子传输（在RT下约38，000 cm 2/Vs），其次是G/MoS 2（约10，000 cm 2/Vs）和G/GaSe（约2，200 cm 2/Vs）。然而，我们观察到一个显着的不对称性，在G/WS 2和G/MoS 2异质结构中的电子和空穴传导，最有可能是由于在衬底晶体中的硫空位的存在。观察到GaSe晶体即使在环境条件下也会随时间降解，导致石墨烯传输的大滞后，使其成为不太合适的衬底。
2014-06-10 cond-mat.mes-hall
Hysteresis-Free High Mobility Graphene Encapsulated in Tungsten Disulfide
ICFO-Institut de Ciencies Fotoniques, The Barcelona Institute of Science and Technology（光子科学研究所，巴塞罗那科学技术研究院）；Department of Molecular Sciences and Nanosystems, Ca’ Foscari University of Venice（威尼斯大学分子科学与纳米系统系）；School for Engineering of Matter, Transport and Energy, Arizona State University（亚利桑那州立大学物质、交通与能源工程学院）
本文首次利用WS₂作为基底，并通过化学处理消除其滞后效应，使封装石墨烯在室温下的迁移率高达6.2×10⁴ cm²/V·s，同时显著降低滞后现象。
2022-07-26 cond-mat.mes-hall
