Simplified topological invariants for interacting insulators
我们提出了一般的拓扑序参量相互作用绝缘体的格林函数在零频率。他们提供了一个统一的描述各种相互作用的拓扑绝缘体，包括量子反常霍尔绝缘体和时间反转不变的绝缘体在四维，三维和二维。由于只使用零频率下的格林函数，这些拓扑序参量可以有效地评估强相互作用系统的大多数数值和分析算法。
2012-08-13 cond-mat.str-el
Pressure and magnetic-field effects on metal-insulator transitions of bulk and domain-wall states in pyrochlore iridates
本文研究了辉绿石型$R_2$ Ir $_2$ O $_7$的临界金属-绝缘体现象，其中电子关联强度和磁组态系统地受稀土离子平均半径（$R$ =Nd $_{1-x}$ Pr $_{x}$和Sm $_{y}$ Nd $_{1-y}$）、外压和磁场的控制。金属-绝缘体转变体是由增加$x$或调谐外部压力，表明有效的电子相关是负责过渡。金属态介于\SNIO（$y$ =0.7-0.9）的顺磁绝缘相和反铁磁有序绝缘相之间，类似于一阶Mott跃迁。此外，金属到绝缘体的交叉观察（周围$y$ =0.7）的绝缘体中的磁畴壁上的电荷传输。磁场的应用还驱动\NPIO的金属-绝缘体转变，其中可能实现各种奇异拓扑量子态。
2015-07-17 cond-mat.str-el
Diagnosing a strong topological insulator by quantum oscillations
我们展示了如何在绝缘体的表面态的量子振荡测量可以允许诊断一个强大的拓扑绝缘体，并区分它从它的弱或拓扑平凡的对手。该判据由表面态量子振荡谱中基频个数的奇偶性定义：频率的偶数意味着弱或拓扑平凡绝缘体，而奇数则指向强拓扑绝缘体。我们还讨论了在实践中应用这一标准的各个方面和问题。
2015-02-20 cond-mat.str-el
Topological invariants for interacting topological insulators with inversion symmetry
对于具有反演对称性的相互作用Z_2拓扑绝缘体，我们提出了一个简单的拓扑不变量，它用相互作用格林函数在时间反演不变动量下的宇称本征值表示.我们从我们前面的公式中推导出这个结果，该公式涉及频率-动量空间上的积分。该公式大大简化了具有强相互作用的反演对称绝缘体中Z_2拓扑不变量的显式计算。
2012-04-18 cond-mat.str-el
Topological Phases in AB-Stacked MoTe$_2$/WSe$_2$: $\mathbb{Z}_2$ Topological Insulators, Chern Insulators, and Topological Charge Density Waves
我们提出了一个理论上的量子相图AB堆叠MoTe $_2$ /WSe $_2$使用自洽的Hartree-Fock计算在平面波的基础上进行，在这个系统中的拓扑状态的观察的动机。在填充因子$ν=2$（每个莫尔晶胞两个孔）下，库仑相互作用可以通过打开电荷间隙来稳定$\mathbb{Z}_2$拓扑绝缘体。在$ν=1$中，相互作用诱导了三类竞争态，自旋密度波态，面内铁磁态和谷极化态，它们经历了由面外位移场调谐的一级相变。在一定的位移场作用下，谷极化态成为陈氏绝缘体。此外，我们预测的拓扑电荷密度波形成一个蜂窝晶格的铁磁性在$ν=2/3$。这个多功能的系统托管一套丰富的量子相位的未来方向进行了讨论。
2022-08-09 cond-mat.str-el
Interacting Topological Insulators with Synthetic Dimensions
近年来实验技术的发展给我们提供了前所未有的机会来研究高维度的拓扑绝缘体，而某些维度是“合成的”，即沿这些合成维度的有效晶格动量是可控的周期性调谐参数。在这项工作中，我们研究相互作用的拓扑绝缘体与合成尺寸的影响。结果表明，虽然用“合成技术”可以精确模拟高维拓扑绝缘体的自由费米子能带结构，但这些有效合成的拓扑绝缘体中的类属相互作用与普通凝聚态系统中的局域相互作用有着质的不同.我们发现，这些特殊但通用的相互作用对拓扑绝缘体有意想不到的影响，即它们会改变（或减少）拓扑绝缘体的分类不同于以前广泛研究的局域相互作用。
2018-04-10 cond-mat.str-el
Buried topological edge state associated with interface between topological band insulator and Mott insulator
用层动力学平均场论研究了拓扑带绝缘体与莫特绝缘体界面的电子结构。为了表示这些系统的体相，我们使用广义Bernevig-Hughes-Zhang模型，该模型除了导致能带反转的自旋-轨道耦合项之外还包含Hubbard样的现场库仑能量U。分别通过适当选择较小和较大的U值来实现拓扑相和莫特绝缘相。正如预期的那样，界面被发现是金属，因为本地化的边缘状态。然而，当莫特绝缘体中的库仑能量接近临界值时，这种边缘状态在莫特绝缘体内部而不是在界面处表现出其最大幅度。这一发现对应于邻近拓扑带绝缘体诱导的新型邻近效应，并表明，由于莫特绝缘体内的自旋轨道耦合，界面附近的几个层从莫特绝缘相转变为拓扑绝缘相。此外，我们认为，普通的邻近效应，即近藤峰诱导在莫特绝缘体由相邻的金属状态，伴随着一个额外的反向邻近效应，近藤峰引起的状态密度在相邻的金属层的增强。
2014-08-29 cond-mat.str-el
Thermodynamic and topological phase diagrams of correlated topological insulators
给出了密度矩阵拓扑相的定义。将非相互作用和相互作用系统的拓扑不变量推广到非零温度。研究了有限温度下电子相互作用对拓扑绝缘体的影响。关联拓扑绝缘体由Kane-Mele模型描述，该模型由Falicov-Kimball型相互作用项扩展。在Hartree-Fock和Hubbard I近似下，确定了热力学和拓扑相图，其中包含了长程序。结果表明，关联效应对非平凡拓扑相的存在有很强的抑制作用。在均匀相，我们发现一个纯粹的相关驱动的相变到拓扑平凡的莫特绝缘体。
2015-07-25 cond-mat.str-el
High Resolution Bulk Sensitive Photoemission Study of the Metal-Insulator Transition in (V,Cr)2O3 : Comparison to LDA+DMFT Theory
这篇论文已经被作者撤回，因为它的结果已经被新的实验数据和S. K. Mo等人，cond-mat/0212110.
2002-12-10 cond-mat.str-el
Correlation effects in two-dimensional topological insulators
拓扑绝缘体已成为凝聚态物理中最活跃的研究领域之一。本文综述了二维电子关联效应的研究进展，重点介绍了具有内禀自旋轨道耦合的系统和数值结果。讨论的主题包括介绍了非相互作用的情况下，概述了理论模型，相关的拓扑带绝缘体，相互作用驱动的相变，拓扑莫特绝缘体和分数拓扑状态，螺旋边缘状态的相关效应，和相互作用系统的拓扑不变量。
2013-03-07 cond-mat.str-el
Fractional Topological Insulators -- a Pedagogical Review
分数拓扑绝缘体是携带分数电荷激发、守恒电荷并且关于时间反转对称的电子系统。本文首先介绍了场的基本概念，然后综述了分数拓扑绝缘体在二维和三维空间中的理论认识。在此之间，我们讨论了“二维半”的情况，即可能在未细分的三维拓扑绝缘体的二维表面上形成的分数拓扑绝缘体。我们专注于电子系统，并强调边缘和表面的属性，最显着的无间隙边缘模式扰动的稳定性。
2015-09-09 cond-mat.str-el
Characterization of a topological Mott insulator in one dimension
通过研究关联电子模型的体拓扑不变量和纠缠谱，研究了一维拓扑莫特绝缘体的性质。阐明了无相互作用拓扑带绝缘体中的无隙边态如何演化为拓扑莫特绝缘体中的自旋边态。此外，我们还提出了一种拓扑Mott相变，这是一种新的拓扑相变，在自由费米子系统中从未观察到过。这种非常规的转变发生在自旋液相中的莫特绝缘体，并伴随着零的单电子格林函数和自旋激发光谱的间隙关闭。
2014-05-09 cond-mat.str-el
Topological insulators and topological non-linear sigma models
本文将拓扑非线性σ模型的物理与Chern-Simons绝缘体的物理联系起来。我们证明了对应于每一个2n维Chern-Simons绝缘体，都存在一个具有Wess-Zumino-Witten项的（n-1）维拓扑非线性σ模型.打破这些非线性σ模型的内部对称性导致非线性σ模型与θ项。[This类似于从2n维Chern-Simons绝缘体到（2n-1）维和（2n-2）维受离散对称性保护的拓扑绝缘体的降维。]当传统的梯度展开方法失效时，本文所描述的对应关系允许人们导出包含费米子和序参量的理论中的拓扑项（我们称之为“费米子-σ模型”）。本文还讨论了拓扑非线性σ模型中孤子的量子数和（2n-1）维拓扑绝缘体的电磁作用。在整个论文中，我们使用一个简单的模型来说明事情是如何工作的。
2011-07-06 cond-mat.str-el
Metallic surface of a bipolaronic insulator
我们调查的可能性，强耦合的电子-声子系统的表面表现出不同的散装时，相关参数是不均匀的，由于界面的存在。我们考虑参数的变化，使表面更金属或更绝缘体比散装。虽然当块体是金属时，似乎不可能稳定真正绝缘的表面，但可以实现相反的情况。金属表面确实可以从体中实现的双极化绝缘体去耦。
2010-09-21 cond-mat.str-el
Symmetry Protected Topological Hopf Insulator and its Generalizations
本文研究了一类$3d$和$4d$拓扑绝缘体，它们的拓扑性质用Hopf映射及其推广来刻画.我们确定的对称性$\mathcal{C}^\prime$，一个广义的粒子-空穴对称性，使霍普夫绝缘体的$\mathbb{Z}_2$分类。对称性为$\mathcal{C}^\prime$的霍普夫绝缘体的$4d$类似物具有相同的$\mathbb{Z}_2$分类。$3d$和$4d$ Hopf绝缘体的极小模型可以分别抽象地看作“Chern-绝缘体$ \rtimes S^1$“和“Chern-绝缘体$\rtimes T^2$“。我们还讨论了Hopf绝缘体与Weyl半金属之间的关系，为实验实现指明了方向。
2016-12-15 cond-mat.str-el
Study of interface phenomena in a topological-insulator/Mott-insulator heterostructure
我们从理论上研究了由拓扑绝缘体（TI）和莫特绝缘体（MI）组成的二维异质结构，阐明了在界面处可以实现何种电子态.利用非均匀动力学平均场论，我们证实了穿透到MI区的拓扑边缘态诱导了一个重费米子类的中间带隙态。我们进一步阐明了带隙中间态的空间调制准粒子重量的性质，并讨论了TI区域的局域关联效应。通过改变界面附近的电子隧穿，计算了电导率和Drude重量。
2013-09-12 cond-mat.str-el
Topological Hierarchy Insulators and Topological Fractal Insulators
拓扑绝缘体是具有金属边缘/表面态的量子物质的新态。本文指出，存在一种新的粒子-空穴有序保护的拓扑绝缘体-拓扑层次绝缘体（topological hierarchy insulator，THI），它是由一个（母体）拓扑绝缘体及其缺陷诱导的拓扑中间带隙态构成的复合拓扑态.拓扑分形绝缘体是一类特殊的拓扑分形绝缘体，它具有自相似的拓扑结构。最后，我们讨论了THIS的可能的实验实现。
2015-06-05 cond-mat.other cond-mat.str-el
Sn-doped Bi1.1Sb0.9Te2S, a bulk topological insulator with ideal properties
拓扑绝缘体研究中的一个长期存在的问题是找到一种材料，该材料为表征拓扑表面态提供了理想的平台，而不受体电子态的干扰，并且可以可靠地制造为体晶体。该材料将是体绝缘体，具有与体价带和导带良好隔离的表面态狄拉克点能量，具有高表面态电子迁移率，并且可生长为大的高质量体单晶。在这里，我们表明，这个主要的材料领域的障碍是克服了轻Sn掺杂Bi1.1Sb0.9Te2S（锡BSTS）的垂直布里奇曼法生长的晶体，我们在这里通过角分辨光电子能谱，扫描隧道显微镜，运输研究的体和表面状态，X射线衍射和拉曼散射。我们将这种新材料作为一种块状拓扑绝缘体，可以在世界各地的许多实验室中可靠地生长和研究。
2015-08-14 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Surface-to-bulk scattering in topological insulator films
提出了拓扑绝缘体（TI）薄膜中表面态和体态之间无序和声子诱导耦合的定量微观理论。我们发现一个简单的结构的表面到体散射矩阵元素，并确认体表面耦合在运输和光电发射实验的重要性，评估其依赖于温度，载流子密度，薄膜厚度和粒子-空穴不对称性。
2014-09-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Independence of topological surface state and bulk conductances in three-dimensional topological insulators
典型的3D拓扑绝缘体Bi 2Se 3、Bi 2 Te 3和Sb 2 Te 3通常表现出高的体电导率，阻碍了表面态电荷输运的表征。然而，最佳掺杂的拓扑绝缘体Bi 2 Te 2 Se和Bi 2-xSbxTe 2 S允许进行这样的表征。在这里，我们报告的拓扑表面状态和体电导的Bi 2 Te 2Se和Bi1.1Sb0.9Te2S的第一个实验比较，根据温度依赖的高压测量。我们发现，在低温下的表面态电导保持不变的数量级增加的体态电导，揭示在一个简单的方式，拓扑表面态和体态在低温下解耦，与理论模型一致，并确认拓扑绝缘体是一个很好的场所，研究电荷输运在二维狄拉克电子系统。
2018-07-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Topological insulators and higher-order topological insulators from gauge-invariant 1D lines
在这篇手稿中，我们研究了对称性和拓扑结构之间的相互作用，重点是二维/三维拓扑绝缘体和高阶拓扑绝缘体的$Z_2$拓扑指数。我们表明，在存在的两重旋转对称或镜像对称，规范不变量可以定义为任意一维线的布里渊区。这些一维物理量为计算拓扑绝缘体的$Z_2$指数提供了新的途径。与通用设置相比，其中$Z_2$索引通常涉及具有全局定义的平滑量规的布里渊区中的2D平面，该1D方法仅涉及布里渊区中的一些1D线，而不需要全局量规。这种简化的方法可以用于任何具有双重晶体对称性的时间反演不变绝缘体，可以在32个点群中的30个中找到。此外，这个一维量可以进一步推广到高阶拓扑绝缘体来计算磁电极化$P_3$。
2020-04-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Identifying topological excitonic insulators via bulk-edge correspondence
Beijing Institute of Technology（北京理工大学）；Beijing University of Chemical Technology（北京化工大学）
本研究提出利用体-边对应关系识别拓扑激子绝缘体，通过第一性原理计算和有效哈密顿量分析揭示LiFeX家族中的激子凝聚不破坏边缘态，并提升临界温度至室温以上。
2025-08-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Bulk invariants and topological response in insulators and superconductors with nonsymmorphic symmetries
在这项工作中，我们考虑是否非对称的对称性，如滑移面可以保护拓扑晶体绝缘体和超导体在三维空间中的存在。在类比时间反演对称绝缘体，我们表明，滑移的存在下产生的量子化磁电极化率，我们明确计算通过的陈-西蒙斯3-形式的散装波函数的滑移对称模型。我们的方法提供了一个可测量的属性，这种绝缘体，自然解释了连接与镜像对称保护绝缘体和最近提出的$Z_2$指数为这个阶段。更一般地说，我们证明了磁电极化率成为量子化的任何取向反转空间群对称性。我们还构建了类似的例子，滑移保护拓扑晶体超导体在D类和C类，并讨论如何批量不变量与量子化的表面热霍尔和自旋霍尔响应。
2015-11-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Classification of interacting electronic topological insulators in three dimensions
凝聚态物理中一个基本的开放问题是如何在强电子相互作用的存在下修改传统和拓扑带绝缘体之间的二分法。我们发现，有6个新的电子拓扑绝缘体，没有非相互作用的对应物。与先前已知的带状绝缘体相结合，这些产生总共8个拓扑上不同的相。两种新的拓扑绝缘体具有简单的物理描述，即莫特绝缘体，其中电子自旋形成熟悉的拓扑带绝缘体的自旋类似物。其余的是作为这两个“拓扑顺磁体”和拓扑带绝缘体的组合。我们证明了这8个相构成了所有可能相互作用的拓扑绝缘体的一个完整列表，并按Z_2^3群结构分类。实验签名也讨论了这些阶段。
2013-11-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Holographic Topological Insulator
本研究报告（最初发表在http：//www.ntu.edu.sg/ias/newsletters/Documents/APPN/APPNv5n2May2016-lowres.pdf）介绍了拓扑绝缘体和全息术的最新进展，并概述了如何从具有小间隙的边界陈氏绝缘体构建全息体拓扑绝缘体。
2016-09-07 cond-mat.other cond-mat.str-el
Actinide Topological Insulator Materials with Strong Interaction
拓扑带绝缘体最近被发现在自旋轨道耦合的二维和三维系统。在这项工作中，我们从理论上预测了一类拓扑莫特绝缘体的相互作用的影响起主导作用。在锕系元素中，由钚和钚形成的简单岩盐化合物位于金属到绝缘体转变的边界上。我们表明，相互作用驱动的量子相变的拓扑莫特绝缘体阶段与一个单一的狄拉克锥的表面上。
2011-11-04 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Topological Kondo Insulators
近藤绝缘体是一种特别简单的重电子材料，其中重准粒子的填充带产生窄带绝缘体。从Anderson晶格哈密顿量出发，我们对近藤绝缘体的涌现能带结构进行了拓扑分类，并表明这些材料可能具有三维拓扑绝缘相。本文提出了一个计算各种晶格结构的Z_2强、弱拓扑绝缘体指数的通用实用公式。拓扑近藤绝缘行为的实验意义进行了讨论。
2009-12-18 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Classification of Topological Insulators and Superconductors
提出了一种拓扑绝缘体和超导体的详尽分类方案。拓扑绝缘体（超导体）的关键性质是在拓扑平凡状态和拓扑非平凡状态之间的界面/边界处出现无间隙自由度。我们的方法包括在减少的问题分类拓扑绝缘体（超导体）在d空间维度的问题，安德森局域化在（d-1）维边界的系统。我们发现，在每个空间维度上，恰好有五种不同的拓扑绝缘体（超导体）。给定的拓扑绝缘体（超导体）内的不同拓扑扇区可以用整数绕组数或Z_2量来标记。五种拓扑绝缘体之一是d=2的“量子自旋霍尔”（或：Z_2拓扑）绝缘体，以及它在d=3维中的推广。对于每个维度d，五个拓扑绝缘体对应于十多年前由Altland和Zirnbauer在无序系统的上下文中引入的哈密顿算子的十个通用对称类中的五个的某个子集（其概括了三个众所周知的“Wigner-Dyson”对称类）。
2009-05-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Spin- and angle-resolved photoemission on the topological Kondo Insulator candidate: SmB6
拓扑近藤绝缘体是一类新型的拓扑绝缘体，其中金属表面态在低温下被拓扑不变量保护在体带隙中。与其他三维拓扑绝缘体不同，拓扑近藤绝缘体中的多体效应保证了真正绝缘的体态，这对于下一代电子器件中的潜在应用至关重要。此外，该系统具有很强的电子相关性，可以作为相互作用拓扑理论的实验平台。这篇专题综述主要介绍了SmB6的最新研究进展，SmB6是拓扑近藤绝缘体的最有希望的候选者，从自旋和角度分辨光电子能谱的角度出发，重点介绍了一些重要的输运结果。
2016-07-11 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Mott Physics on Helical Edges of 2D Topological Insulators
我们研究了自旋轨道相互作用对蜂窝晶格上拓扑绝缘体电子关联的影响。精确的变分Monte Carlo计算表明，增加现场库仑相互作用导致的螺旋边缘金属态的电荷Drude重量的强烈抑制，导致一个假定的莫特过渡从传统的拓扑绝缘体的边缘莫特绝缘体过渡到大块反铁磁绝缘体。中间体拓扑和边缘Mott绝缘体相具有受保护的时间反转对称性的螺旋自旋液体特征。
2010-12-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Bulk Saturable absorption in Topological Insulator thin Films
利用开孔Z -扫描技术研究了石英衬底上脉冲激光沉积拓扑绝缘体（TI）Bi_2Se_3薄膜的非线性光学吸收特性。与文献中先前报道的值相比，已发现沉积态薄膜的饱和强度显著提高了一个数量级。过去的文献结果是不确定的，以确定是否饱和吸收是来自表面状态或散装。专门设计的磁性掺杂TI样品的实验，使我们能够属性TI的体状态的饱和吸收特性。详细的实验程序和可能的解释观察到的结果进行了讨论。
2016-12-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Distinct topological crystalline phases in models for the strongly correlated topological insulator SmB6
最近提出SmB 6既是强拓扑绝缘体又是拓扑晶体绝缘体。对于这个和相关的立方拓扑Kondo绝缘体，我们证明了四个不同的拓扑相位的存在，区别于镜像陈数的符号。我们用简单的可观测量来描述这些阶段，并为每个阶段提供具体的紧束缚模型。根据SmB 6的理论和实验结果，我们认为它实现了C^+_{k_z=0}=+2，C^+_{k_z=pi}=+1，C^+_{k_x=k_y}=-1的相位，并提出了相应的极小模型。
2015-05-13 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Cubic Topological Kondo Insulators
目前的近藤绝缘体理论采用的是传导电子与源自四方晶体环境的局部Kramers双峰的相互作用，但所有的近藤绝缘体都是立方的。在这里，我们发展了一个立方拓扑近藤绝缘体的理论，涉及自旋四重态与导电海的相互作用。自旋四重态极大地增加了强拓扑绝缘体的电势，从图中完全消除了弱拓扑相。我们证明了立方近藤绝缘体中的相关拓扑行为只能存在于布里渊区中较低对称性的X或M点处，从而导致了具有重准粒子的三个狄拉克锥。
2013-05-02 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Bulk contribution to magnetotransport properties of low defect-density Bi$_2$Te$_3$ topological insulator thin films
在拓扑材料领域的一个重要挑战是仔细解开的拓扑表面态的电子输运贡献的散装。对于Bi $_2$ Te $_3$拓扑绝缘体样品，已知在制造工艺期间暴露于空气的体单晶和薄膜是体导电的，其中化学势在体导带中。对于Bi $_2$ Te $_3$薄膜生长的分子束外延，我们结合结构表征（透射电子显微镜），化学表面分析作为时间的函数（X-射线光电子能谱学）和磁输运分析，以了解低缺陷密度和记录高体电子迁移率一旦电荷掺杂到体表面退化。从霍尔效应和量子振荡中提取的载流子密度和电子迁移率是一致的，并揭示了大的体载流子迁移率。由于体费米表面的圆柱形形状，体磁阻振荡的角度依赖性在本质上是二维的。
2018-01-23 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Equivalent topological invariants of topological insulators
时反不变的拓扑绝缘体一般可以由有效拓扑场论定义，其中θ系数只能取0或π。该理论对任意相互作用系统普遍适用，θ不变量的量子化可以直接用实验测量。简化到非相互作用系统的情况下，θ不变量可以表示为整个三维布里渊区上的积分。或者，非相互作用的绝缘体可以通过定义在离散时间反演不变动量上的拓扑不变量来分类。本文证明了拓扑绝缘体的积分不变量与离散不变量之间的完全等价性。
2012-09-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Topological invariants for Standard Model: from semi-metal to topological insulator
我们考虑拓扑不变量描述半金属（无间隙）和绝缘（有间隙）状态的量子真空的标准模型和可能的量子相变这些状态之间。
2010-01-18 cond-mat.str-el hep-ph
Topological Mid-gap States of Topological Insulators with Flux-Superlattice
本文基于Halfton模型，研究了具有π磁通超晶格的拓扑绝缘体。我们发现，存在由磁通超晶格诱导的带隙中间态。特别地，中间带隙态具有非平凡的拓扑性质，包括非零的陈数和无带隙边缘态。我们推导了一个有效的紧束缚模型来描述拓扑中能隙态，并利用该模型对中能隙态进行了研究。所得结果可直接推广到其他二维磁通超晶格拓扑绝缘体。
2013-12-16 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Four-Dimensional Topological Insulators with Nodal-Line Boundary States
传统的拓扑绝缘体和超导体在其边界上具有拓扑保护的节点，而最近对单线半金属的兴趣仅涉及体能带结构。在这里，我们提出了一种新的四维拓扑绝缘体保护的反酉反射对称，其边界带具有一个单一的$PT$对称的节线与双拓扑电荷。受最近四维量子霍尔效应实验实现的启发，我们还提出了一个冷原子系统，实现了新的拓扑绝缘体与可调参数作为额外的维度。
2018-05-18 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Oblique confinement states are superinsulators, not topological insulators
我们证明了Cardy-Rabinovici模型中的斜约束态是超绝缘体，而不是拓扑绝缘体。这是因为它们唯一的体激发是完全阻止电荷-反电荷对分离的弦，导致严格无限大的电阻（低于临界温度和/或电压）。这与由有限的体能隙引起的拓扑绝缘体的典型激活行为非常不同。
2022-06-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Persistent Coherence and Spin-Polarization of Topological Surface States on Topological Insulators
拓扑绝缘体上的无带隙表面态可以避免非磁性杂质的弹性散射，这使得它们成为低功率电子应用的有希望的候选者。然而，对于广泛的应用，这些状态应该保持相干，并在环境温度下显着自旋极化。在这里，我们研究的相干性和自旋结构的拓扑状态的表面上的模型拓扑绝缘体，Bi 2 Se 3，在高温下的自旋和角度分辨光电子能谱。我们发现一个非常弱的加宽和基本上没有衰减的自旋极化的拓扑表面状态到室温。我们的研究结果表明，拓扑绝缘体表面的拓扑态可以作为室温电子器件的基础。
2013-06-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Fractional topological insulators
我们分析了二维拓扑绝缘体的推广，它可以实现相互作用，时间反转不变的电子系统。这些状态，我们称之为分数拓扑绝缘体，除了受保护的边缘模式外，还包含分数电荷和统计的激发。在s^z守恒的玩具模型中，我们证明了一个系统是分数拓扑绝缘体当且仅当σ_{sH}/e^* 是奇数，其中σ_{sH}是单位为e/2π的自旋霍尔电导，e^* 是单位为e的元电荷.
2009-11-05 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Partition Functions and Stability Criteria of Topological Insulators
利用量子自旋霍尔系统和拓扑绝缘体的配分函数描述了它们的非手征边缘激发。在这种情况下，时间反演对称性保护的拓扑相位的稳定性进行了重新讨论，并把与离散异常的存在和缺乏模块的不变性的配分函数。将稳定拓扑绝缘体的$\Z_2$特征推广到具有相互作用和非阿贝尔边激励的系统。
2013-09-09 cond-mat.str-el hep-th
Quantum Oscillations in a Topological Insulator Bi$_2$Te$_2$Se with Large Bulk Resistivity (6 $Ω$cm)
我们报道了在一个拓扑绝缘体Bi $_2$ Te $_2$ Se中观察到的显著的Shubnikov-de Haas振荡，该绝缘体具有大的体电阻率（在4 K时为6 $Ω$ cm）。通过拟合SdH振荡，我们推断出大金属丰度参数$k_F\ell$ = 41，表面迁移率（$μ_s\sim$ 2，800 cm $^2$ /Vs）远大于体迁移率（$μ_b\sim$ 50 cm $^2$ /Vs）。折射率场$B_ν$与填充因子$ν$的关系图显示了$\frac12$ -位移，与无质量狄拉克态一致。分数填充状态的证据被认为是在11-T领域。
2011-01-06 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Topological phase in $1D$ topological Kondo insulator: $Z_{2}$ topological insulator, Haldane-like phase and Kondo breakdown
我们用数值精确投影量子Monte Carlo方法模拟了半满$1D$ $p$波周期性Anderson模型，虽然系统的可解非相互作用极限对应于传统的$Z_{2}$拓扑绝缘体，但系统确实处于与以前在$p$波Kondo晶格模型上所发现的Haldane态.利用开边界系统的场分辨磁化强度和周期边界的奇异相关子来识别上述拓扑态。有趣的是，在我们的周期类Anderson-like模型中，由于本征电荷涨落的存在，类Haldane态的边缘磁化强度并没有饱和到单位磁矩，这超出了现有文献中Kondo晶格模型的描述.这一发现揭示了在这种典型的相互作用拓扑态中存在着关联驱动的拓扑态，并且在使用非相互作用图像时应注意。此外，在零温度下没有观察到表面近藤击穿的痕迹，并且怀疑类似挫折的相互作用可能在诱导这种近藤屏蔽的根本破坏中是至关重要的。这里的发现可能与我们对相互作用的拓扑材料如拓扑近藤绝缘体候选者SmB $_{6}$的理解有关。
2017-07-10 cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el
Possible topological phases of bulk magnetically doped Bi2Se3: turning a topological band insulator into the Weyl semimetal
讨论了在磁掺杂拓扑带绝缘体中实现外尔半金属相的可能性。当磁矩为铁磁极化时，由于拓扑质量和磁质量的竞争，系统中存在三个相：拓扑带绝缘相、Weyl半金属相和平凡相.从拓扑绝缘体在Dirac点附近的一般连续哈密顿量出发，导出了Weyl点的低能理论，例如Bi_{2} Se_{3}在$Γ$点附近的${\bf k} \cdot {\bf p}$理论.在此基础上，我们引入金刚石晶格上的微观紧束缚模型来描述磁掺杂拓扑绝缘体，发现了Weyl半金属相。我们还讨论了外尔半金属相对反常霍尔效应的尺寸交叉。最后，我们讨论了外尔半金属相的实验情况。
2012-06-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
A theory of Topological Kondo Insulators
我们研究了近藤绝缘体的属性如何改变时，考虑到潜在的晶体场多重态的对称性。我们采用安德森晶格模型，并考虑其低能物理。我们发现，在一个大类的晶体场配置，近藤绝缘体可以开发一个拓扑非平凡的基态。这种拓扑近藤绝缘体通过非物理大的自旋轨道耦合与非相互作用绝缘体电连接，因此可以被视为相互作用驱动的拓扑绝缘体。通过计算近藤绝缘体安德森晶格模型的纠缠谱，分析了该模型的纠缠熵。纠缠谱的计算结果与表面态的计算结果是一致的。最后，我们讨论了一般近藤绝缘体的最大局部化Wannier波函数的构造。
2011-11-15 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Supercurrent Reversal in Two-Dimensional Topological Insulators
计算了外加磁场作用下二维拓扑绝缘体上的超导电流。当窄的二维拓扑绝缘体的边缘态杂化时，外部磁场可以关闭杂化能隙，从而驱动拓扑绝缘体从绝缘体到半金属态的量子相变。我们发现超导电流在量子相变处的符号反转揭示了拓扑绝缘体通过约瑟夫森效应的本征性质。
2015-10-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Higher-order topological insulators and semimetals on the breathing Kagome and pyrochlore lattices
$d$维中的二阶拓扑绝缘体是没有$d-1$维拓扑边界态但具有$d-2$维拓扑边界态的绝缘体。它是传统拓扑绝缘体概念的扩展。高阶拓扑绝缘体已经在正方形和立方晶格中进行了研究。在本文中，我们推广到呼吸Kagome和烧绿石晶格。首先，我们在呼吸Kagome晶格上构造了一个二阶拓扑绝缘体。三个拓扑边界状态出现在三角形的角上，在每个角上实现1/3的分数电荷。其次，我们在呼吸烧绿石晶格上构造了一个三阶拓扑绝缘体。四面体的四个角上出现四个拓扑边界态，每个角上有1/4分数电荷。这些高阶拓扑绝缘体的特征是量子化的极化，它构成了体拓扑指数。最后，我们研究了一个二阶拓扑半金属通过堆叠呼吸Kagome晶格。
2018-01-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Topological Order Parameters for Interacting Topological Insulators
我们提出了一个相互作用拓扑绝缘体的拓扑序参量，用相互作用系统的全格林函数表示。我们证明了它对于时反不变的拓扑绝缘体是精确量子化的，并且可以通过拓扑磁电效应进行实验测量。这个拓扑序参量可以应用于相互作用和无序系统，并用于确定它们的相图。
2010-12-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Spin-Momentum Locked Topological Surface States, non-trivial Berry's phase and magnetoelectric quantization in topological insulators
三维拓扑绝缘体表面是一种新型的二维电子气。三维拓扑绝缘体的精确量子化磁光或轴子响应是其表面Berry相位保护自旋动量锁定态的直接结果。(PRL Viewpoint http：//physics.aps.org/node/3810）。
2011-10-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.quant-gas cond-mat.str-el
Bulk-Boundary Correspondence for Topological Insulators with Quantized Magneto-Electric Effect
我们研究了绝热循环驱动的三维绝缘体中由第二陈数稳定的体边界对应和相关的表面现象。磁场和无序效应被纳入我们的分析使用算子代数方法。我们使用之间的连接映射的$K$ -理论的散装和边界代数作为引擎的散装边界对应。我们发现，指数和指数连接映射是相关的上下文考虑在这里，因为它们导致不同的实验观察到的表面现象，如泵浦和量子表面霍尔态或邻近诱导的霍尔效应的转移。利用新工具研究了时间反演对称拓扑绝缘体的表面霍尔物理，该工具可以模拟不合理的磁通量和任意大的表面无序。
2020-03-23 cond-mat.str-el math-ph math.MP
Topological Insulators
本文回顾拓扑绝缘体的发现历史，阐述其Z2拓扑定义，并介绍扩展拓扑态、代表性材料、合成与实验验证方法，以及拓扑超导、马约拉纳零模和量子反常霍尔效应等衍生现象。
2023-07-26 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
3D Network Model for Strong Topological Insulator Transitions
我们构建了一个三维（3D），时间反演对称推广的Chalker-Coddington网络模型的整数量子霍尔跃迁。我们的网络模型的新功能是，除了一个弱拓扑绝缘体阶段已经容纳的网络模型框架在现有的文献中，它主机强拓扑绝缘体阶段以及。我们明确地表明，强拓扑绝缘体阶段出现一个平凡的绝缘体阶段和弱拓扑阶段之间的中间阶段。此外，我们发现了一个非局部的转换，涉及一个平凡的绝缘体阶段和一个弱拓扑阶段在我们的网络模型。值得注意的是，强拓扑相位映射到自己在这个转换。我们表明，在添加足够强的无序强拓扑绝缘体相进行相变成金属相。我们用数值方法确定了绝缘体-金属转变的临界指数。我们的网络模型明确地展示了如何将2D拓扑相变的半经典渗透图推广到3D，并为研究3D拓扑相变开辟了新的场所。
2020-08-07 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Separate surface and bulk topological Anderson localization transitions in disordered axion insulators
本研究通过具有量化Hall电导表面的三维axion insulator，揭示了无序条件下体相与表面迁移率能隙的解耦演化，从而在GUE中实现了二维未量化anomalous Hall metal。
2025-01-27 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
