Tensile Strains Give Rise to Strong Size Effects for Thermal Conductivities of Silicene, Germanene and Stanene
基于第一性原理计算和线性Boltzmann-Peierls方程在三声子散射框架下的声子输运方法的自洽解，我们表征了硅烯、锗烯和锡烯在不同各向同性拉伸应变和温度下的晶格热导率k.我们发现硅烯的k与拉伸应变有很强的尺寸依赖性，即，相反，无应变硅烯的本征室温k随着系统尺寸的增加而收敛到19.34 W/m-K × 178 nm。应变硅烯的室温k变得与体硅的一样大84 μ m，表明使用硅烯中的应变来操纵k用于热管理的可能性。面外声学模式对本征k的相对贡献最大，在室温下约为39%。单模弛豫时间近似，这是相当不错的散装硅，未能适当地描述声子的热输运在硅烯，锗烯和锡烯的温度范围内考虑。对于硅烯的大样品，k随着拉伸应变而增加，在约7%应变处达到峰值，然后随着进一步的应变而减小。在锗烯和锡烯增加应变硬化和稳定的长波长面外声学声子，并导致类似的k行为的硅烯。这些发现进一步我们的声子动力学的理解，在第四组屈曲单层，并可能指导这些独立的样品和工程k的大小和应变的热管理和热电应用的转移和制造技术。
2015-11-21 cond-mat.mes-hall
Giant magnetoresistance and perfect spin filter in silicene, germanene, and stanene
硅烯、锗烯和锡烯是具有螺旋边缘态的二维拓扑绝缘体。我们调查的全球和本地操作的边缘暴露给他们（i）的电荷密度波秩序，（ii）超导体，（iii）面外反铁磁，（iv）面内反铁磁场。我们表明，这些扰动影响的螺旋边缘状态以不同的方式。这样就可以实现没有边缘态的量子自旋霍尔效应。此外，这些边缘操作导致非常有前途的应用：巨磁电阻和完美的自旋过滤器。我们还研究了操作对拓扑绝缘体纳米盘的极少数边缘位置的影响。
2014-05-12 cond-mat.mes-hall
van der Waals Heterostructures of Germanene, Stanene and Silicene with Hexagonal Boron Nitride and Their Topological Domain Walls
我们研究了由锗烯、锡烯或硅烯与六方氮化硼（h-BN）构成的范德华（vdW）异质结构。这些弯曲的蜂窝材料的有趣的拓扑性质可以保持和进一步工程化的异质结构，其中衬底效应和外部电场之间的竞争可以用来控制可调的拓扑相变。使用这样的异质结构作为构建块，设计了各种vdW拓扑域壁（DW），沿其存在谷极化量子自旋霍尔边缘状态或谷对比边缘状态，其由谷（自旋）分辨拓扑电荷保护，并且可以通过异质结的图案化和外部场来定制。
2016-04-14 cond-mat.mes-hall
Influence of edge magnetization and electric fields on zigzag silicene, germanene and stanene nanoribbons
利用多轨道紧束缚模型，研究了在库仑相互作用和垂直电场作用下，锯齿形硅烯、锗烯和锡烯纳米带（分别为ZSiNRs、ZGeNRs和SnNRs）的边缘态.由于多轨道效应，所得到的边缘态具有非线性能量色散，并且纳米带在边缘处显示出感生磁化。由于这种非线性色散，ZSiNR、ZGeNR和ZGeNNR可能无法在场效应晶体管中提供优异的性能，如已经从单轨道紧束缚模型计算中提出的那样。我们提出了一个有效的低能量模型，描述了ZSiNRs，ZGeNRs，和ZGeNRs的边缘状态。我们表明，边缘状态的ZGeNR和ZGeNNR显示反交叉的带与相反的自旋，即使只有面外的边缘磁化存在。通过施加电场来调节边缘态的自旋极化的能力指出了未来制造硅烯、锗烯和锡烯纳米带作为自旋电子器件的机会。
2018-10-01 cond-mat.mes-hall
Electric-field-tuned binding energies of trions in silicene, germanene, and stanene monolayers
本文基于非相对论势模型和超球谐方法，预测并证明了在硅烯、锗烯和锡烯单层中，外加电场可有效调控谷内三子的形成与结合能。
2024-08-22 cond-mat.mes-hall
AC/DC Spin and Valley Hall Effects in Silicene and Germanene
从理论上探讨了硅烯、锗烯等类似二维晶体的本征自旋电导率和谷霍尔电导率。特别注意的是给予的影响，内在的自旋轨道耦合，电子掺杂和类型的绝缘相的系统（即，拓扑绝缘体或带状绝缘体），其可以通过垂直电场来调谐。在有限频率下，可以控制特定自旋和谷标记的载流子流向的横向边缘，使得可以获得自旋和谷指数的特定组合的累积。流动的方向被发现是依赖于绝缘相的类型。霍尔电导率响应的幅度从与带间跃迁的开始相关联的某些入射光子频率处的DC值增强。分析结果的DC和有限频率的结果。
2013-06-19 cond-mat.mes-hall
Temperature-dependent collective effects for silicene, germanene and monolayer black phosphorus
我们数值计算了新发现的硅烯，锗烯和黑磷（BP）的电子交换，相关能和动态极化函数，由元素磷原子的褶皱层组成，拓宽了二维（2D）材料在不同温度下的范围。事实上，单层BP，由机械和液体剥离技术，已被预测为具有大的能量分裂1.6 eV的准粒子能带结构的绝缘体。我们比较了这些能量对化学势、场致能隙和温度的依赖性，并得出结论，在许多情况下，它们的性质相似，即，随着掺杂而增加，在升高的温度下显著降低，并且在各种温度下显示出对不对称间隙的不同依赖性。此外，我们使用的动力学极化率，调查新的“分裂”等离子体激元分支的褶皱晶格和预测一个独特的分裂，不同的带隙的石墨烯，为各种能隙。我们的研究结果对于刺激这些新材料的电子，传输和集体研究，以及增强硅基制造和光电子器件和晶体管器件技术至关重要。
2016-05-27 cond-mat.mes-hall
Ultralow lattice thermal conductivity of monolayer penta-silicene and penta-germanene
我们研究了二维五角体系的晶格热导率，如五硅烯和五锗烯。五硅烯是最近才发现的，而稳定的五锗烯是首次通过我们的从头计算发现的。我们发现五硅烯和五锗烯在室温下都具有超低的晶格热导率$κ$，分别为1.29 W/mK和0.30 W/mK。据我们所知，在2D晶体材料中，五锗烯可能具有最低的$κ$。我们将超低$κ$归因于弱的声子谐相互作用和强的非谐散射。小的声子群速度，小的德拜频率，大的Gruneisen参数，以及大量的声子-声子相互作用模式一起导致五硅烯和五锗烯的超低$κ$。这些发现为在二维材料中操纵超低$κ$提供了新的见解，并突出了设计硅和锗基高热电材料的潜在应用。
2019-10-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Half-Metallic Silicene and Germanene Nanoribbons: towards High-Performance Spintronics Device
通过第一性原理计算，我们预测了面内均匀电场可以在氢封端的锯齿形硅烯和锗烯纳米带（ZSiNRs和ZGeNRs）中诱导半金属性.双栅有限ZSiNR器件显示出高达99%的近乎完美的自旋过滤器效率，而四栅有限ZSiNR器件作为有效的自旋场效应晶体管（FET），从从头算量子输运模拟的开/关电流比超过100。这一发现为硅烯和锗烯在自旋电子学中的应用开辟了新的前景。
2013-04-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Edge states of hydrogen terminated monolayer materials: silicene, germanene and stanene ribbons
基于多轨道紧束缚模型，研究了锯齿形硅烯、锗烯和锡烯纳米带在有和没有氢终止时边缘态的能量色散。由于低屈曲结构对于这些材料是至关重要的，因此$π$和$σ$轨道对边缘状态具有强烈的影响，这与石墨烯纳米带的情况不同。螺旋边缘态的色散是非线性的，类似于第一性原理计算。另一方面，从单轨道紧束缚模型导出的色散总是线性的。因此，我们发现非线性来自于多轨道效应，单轨道模型不能得到精确的结果，而多轨道紧束缚模型可以得到精确的结果。我们发现，多轨道模型是必要的正确理解的边缘状态的分散在一个低屈曲几何形状的四元纳米带。
2016-12-30 cond-mat.mes-hall
First-principles study of the stability of free-standing germanene in oxygen
本文采用第一性原理计算研究了氧原子在自由基锗烯上的吸附和解离。与空气中氧分子在自支撑硅烯上的自发解离相比，从动力学角度看锗烯比硅烯更稳定，能克服约0.55eV的能垒。特别地，与O2解离诱导的氧原子在硅烯上的独特化学吸附相反，氧分子在锗烯表面可以表现出相应的稳定吸附。此外，单氧原子在锗烯表面的吸附也不同于硅烯，导致锗烯表面存在两条相反的迁移路径。此外，氧分子在锗烯表面解离成氧原子后，由于锗烯表面存在较强的Ge-O键，在室温下氧原子的迁移和脱附相对困难，有利于锗氧化物的形成。结果表明，自支撑的锗烷烯在氧气中是相对稳定的，这与硅烯有本质的不同。
2014-12-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Effect of disorder in the transition from topological insulator to valley-spin polarized state in silicene and Germanene
我们开始与硅烯或锗烯单粒子在屈曲的二维六角晶格中的狄拉克矩阵的Weyl基表示的哈密顿量。这些系统的哈密顿量由狄拉克动能、质量隙项和自旋轨道耦合组成。第二项破坏了蜂窝晶格结构的子晶格对称性并产生间隙。当外加垂直于其平面的电场时，屈曲结构在A位和B位的硅原子之间产生交错的亚晶格势。电场的调谐允许从拓扑绝缘体到带绝缘体的丰富行为，其中谷自旋极化金属处于其间的临界值。因此，与石墨烯相比，硅烯或锗烯中的移动电子与外部电场不同地耦合。我们的初步研究表明，只要非磁性杂质散射强度适中，即与4 meV的内禀自旋-轨道耦合处于同一量级，谷自旋极化金属相就能得到保护。有效的“双分量狄拉克物理学”在这个阶段仍然有效。电场的增加超过临界值导致谷磁矩反转。然而，在杂质散射强度的增强，导致消失的极化金属相由于加剧内和谷间散射过程。这种消失并不是由于Rashba自旋轨道耦合效应的增加而发生的。
2014-05-18 cond-mat.mes-hall
Adsorption of Group-IV Elements on Graphene, Silicene, Germanene, Stanene: Dumbbell Formation
由周期性哑铃单元构成的硅烯和锗烯衍生物在这些蜂窝结构的多层膜中起着至关重要的作用。采用基于密度泛函理论的第一性原理计算，研究了IV族原子在石墨烯、硅烯、锗烯和锡烯单层蜂窝结构上的哑铃状吸附形成机制和能量学.的结合结构的稳定性进一步证实，通过在高温下进行从头计算分子动力学计算，除了锡烯，这是受吸附原子的吸附后的结构不稳定。根据吸附原子和基底的行数，我们发现了三种类型的结合结构，这些结构导致基底的电子、磁性和光学性质发生显着变化。特别地，Si、Ge和Sn吸附原子吸附在硅烯和锗烯上形成哑铃结构。此外，哑铃结构不仅出现在单层、单原子蜂窝结构上，而且出现在它们的化合物如SiC和SiGe上。我们表明，哑铃结构的迁移的能量势垒是低的，由于原子的协同作用。这使得哑铃在衬底上相当移动，以构建新的单层和多层Si和Ge相。
2014-12-10 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Monolayer Topological Insulators: Silicene, Germanene and Stanene
本文报道了单层拓扑绝缘体的理论研究进展，包括硅烯、锗烯和锡烯，它们分别是硅、锗和锡的单层蜂窝结构。由于自旋轨道相互作用，它们表现出自然界中的量子自旋霍尔效应。通过施加垂直电场可以调节带隙，从而引起拓扑相变。我们还分析了一般蜂窝系统的拓扑性质以及拓扑绝缘体的分类。明确地确定了蜂窝体系中拓扑绝缘体和超导体的相图。我们还研究了拓扑电子学，包括拓扑场效应晶体管，拓扑基尔霍夫定律和拓扑自旋谷电子学。
2015-03-31 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Effects of charging and electric field on the properties of silicene and germanene
利用第一性原理密度泛函理论计算，我们表明，裸露的和钛吸附原子吸附单层硅烯和锗烯，这是充电或施加一个垂直的电场的电子和磁性被修改，以获得新的功能。特别地，当受到垂直电场作用时，屈曲原子平面之间的对称性被破坏，从而在狄拉克点处打开间隙。吸附态Ti原子的3d轨道占据随充电或外加电场的变化而变化，从而引起磁矩的显著变化。我们预测，中性硅烯均匀覆盖的Ti原子成为一个半金属在一个特定的覆盖率值，因此允许在一个自旋方向的电子传输，但阻止相反的方向。这些计算的属性，然而，表现出依赖于真空间隔之间的大小的周期性重复的硅烯和锗烯层，如果它们被处理使用平面波基组内的周期性边界条件。我们澄清了这种虚假的依赖性的原因，并表明，它可以通过使用本地轨道基组消除。
2013-06-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.chem-ph
First principles calculations of electric-field-driven topological phase transitions in silicene, germanene and stanene
Instituto Balseiro, Universidad Nacional de Cuyo（巴尔塞罗研究所，门多萨国立大学）
本文通过第一性原理计算，结合DFT和万尼尔函数，精确预测硅烯和锗烯的临界电场，显著改进拓扑相变边界的定量预测。
2026-09-09 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Effects of random vacancies on the spin-dependent thermoelectric properties of silicene nanoribbon
Universidad Técnica Federico Santa María（费德里科·圣玛丽亚技术大学）；Universidad de Antofagasta（安托法加斯塔大学）
本研究通过引入随机空位，提升了硅烯纳米带的热电效率，突破了经典热电定律限制，为高效热电和自旋热电器件开发提供了新思路。
2026-01-12 cond-mat.mes-hall
Spin effects in thermoelectric properties of Al and P doped zigzag silicene nanoribbons
从理论上研究了掺Al和P杂质原子的硅烯纳米带在边缘磁矩反平行和平行取向下的电学和热电性质。在前一种情况下，适当排列的杂质可以导致净磁矩，从而也导致自旋热电效应。在后一种情况下，反过来，自旋热电效应也发生在不存在杂质的情况下。基于从头计算的数值结果表明，自旋热电势可以显着提高的杂质。
2014-03-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electrically switchable giant Berry curvature dipole in silicene, germanene and stanene
该研究结合紧束缚模型、第一性原理计算与对称性分析，证明横向电场和应变可在硅烯、锗烯、锡烯中诱导并电切换巨型 Berry 曲率偶极矩及非线性 Hall 效应。
2023-08-19 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Topological Dirac states beyond $π$ orbitals for silicene on SiC(0001) surface
石墨烯中与狄拉克态相关的有趣性质的发现激发了人们对探索其二维IV族对应物（如硅烯、锗烯和锡烯）的巨大兴趣。然而，这些材料必须通过在具有强界面相互作用的基底上合成来获得，这通常会破坏其固有的$π$（$p_z$）轨道狄拉克态。本文从理论上研究了在4 H-SiC（0001）表面的硅烯中，由$p_{x,y}$轨道而不是$p_z$轨道产生的狄拉克态的存在性，尽管界面相互作用很强，但这些狄拉克态仍然存在.我们还表明，交换场与自旋-轨道耦合一起产生可检测的带隙为1.3毫电子伏。Berry曲率计算表明，这种Dirac态具有非平凡的拓扑性质，其Chern数为$C = 2$，表明硅烯在SiC（0001）上可能实现量子反常霍尔效应.最后，我们构造了一个最小有效模型来捕捉这个系统的低能物理。这一发现也适用于锗烯和锡烯，并在纳米电子学中具有巨大的应用潜力。
2017-10-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Enhanced thermoelectric efficiency in ferromagnetic silicene nanoribbons asymmetrically terminated with hydrogen atoms
利用从头算方法，我们计算了硅烯纳米带的热电和自旋热电性质的裸，单氢化和双氢化的边缘。非对称结构，其中一个边缘是裸露的或二氢化的，而另一个边缘是单氢化的（0 H-1H和2 H-1H纳米带）具有铁磁基态，并显示出显着的常规和自旋热电性能。热电效率的强烈增强（常规的和自旋的热电效率）是由这种纳米带的非常特定的能带结构引起的，其中一个自旋通道由于能隙而被阻挡，而另一个自旋通道是高度导电的。反过来，0 H-2 H和2 H-2 H纳米带（其中一个边缘是裸露的或二氢化的，另一个边缘是二氢化的）在基态是反铁磁性的。因此，相应的自旋通道是等效的，并且在这些纳米带中仅可以发生常规的热电效应。
2014-03-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Thermoelectric effects in silicene nanoribbons
用{ \it ab-initio}方法研究了锯齿形边缘硅烯纳米带的输运系数和热电系数（包括自旋热电势）。这种纳米带的局部自旋密度揭示了边缘磁性。像在石墨烯中一样，人们发现反铁磁和铁磁有序，其中一边的自旋极化分别与另一边的自旋极化反平行或平行。热电性能，特别是塞贝克系数，显着地依赖于电子能带结构，并增强费米能级时，在能隙。然而，这些热电性能显着降低时，声子贡献的热导包括在内。这种声子贡献已通过两种不同的方法进行了数值计算。从反铁磁态到铁磁态的转变导致大的磁阻和相当大的磁热电势。反平行配置的热电参数，当自旋极化在纳米晶体的左部分是相反的，在右部分，也进行了分析。
2013-07-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Thermoelectric Penta-Silicene with a High Room-Temperature Figure of Merit
硅是纳米技术中最常用的化学元素之一。自2015年以来，二维（2D）硅烯（石墨烯的硅类似物）已经很容易获得用于制造场效应晶体管。近年来，作为硅烯家族的新成员，五硅烯及其纳米粒子被实验性地生长在Ag（110）表面上，具有奇异的电子性质。然而，五硅烯的热电性能尚未研究到目前为止，这将阻碍其潜在的应用，从废热发电和固态珀耳帖冷却器。基于玻尔兹曼输运理论和从头计算，我们发现，penta-silicene显示出显着的室温优值系数ZT为3.4和3.0，在可达的空穴和电子浓度，分别。我们将这种高ZT归因于优越的布丁模电子能带结构和超低的晶格热导率。这一发现为五边形纳米结构的输运性质提供了新的见解，并突出了室温下热电材料的潜在应用。
2020-03-12 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
Structure of germanene/Al(111): a two-layers surface alloy
与硅烯不同，硅烯的存在已经通过许多独立的研究进行了证明，外延锗烯生长的可能性仍然存在很大争议。最近的扫描隧道显微镜研究表明，Ge沉积在Al（111）上形成的（3 × 3）表面重构呈现蜂窝状结构，并将其归属于纯锗烯单分子层。通过表面X射线衍射的定量测量与密度泛函理论的计算相比较，我们证明了这种Ge/Al（111）（3 × 3）重构实际上对应于合金界面层顶部的混合Ge-Al蜂窝层。在Al（111）表面上的锗烯单层模型可以完全排除。
2021-11-08 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Vacancy Effects on Electric and Thermoelectric Properties of Zigzag Silicene Nanoribbons
研究了具有横向对称性的锯齿形硅烯纳米晶体中单空位、双空位和线性空位的晶体重构。利用密度泛函理论结合非平衡格林函数方法研究了它们对材料电性能和热电性能的影响。特别是，我们专注于自旋分辨电导，磁电阻和电流-电压曲线。在MV中形成5-原子环，在DV中形成5-8-5环结构，并且在LV中形成8-4-8-4环结构。当横向对称性被空位打破时，特别是当空位位于带的边缘时，线性电导变得强烈地依赖于自旋。巨磁电阻效应会被非对称空位所掩盖。当存在LV和不对称MV或DV时，可能出现单自旋负微分电阻。一个强大的自旋塞贝克效应，预计在室温下在ZSiNR与LV。
2014-08-29 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Unexpected phonon-transport properties of stanene among 2D group-IV materials from \textit{ab initio}
有人认为，锡烯具有最低的晶格热导率之间的2D第IV族材料，因为最大的原子质量，最弱的原子间键合，和增强的ZA声子散射由于打破了面外对称选择规则。然而，我们发现，虽然石墨烯，硅烯和锗烯的晶格热导率$κ$随着德拜温度的降低而单调降低，但在锡烯中观察到意外的较高的$κ$。通过在二维材料中实施所有的不变性条件，并且包括Ge $3d$和Sn $4d$电子分别作为锗烯和锡烯的价电子，这些材料中的晶格动力学被准确地描述。一个大的声光间隙和聚束的声学声子分支显着减少声子散射锡烯，导致更高的热导率比锗烯。声光带隙的振动起源可以归因于屈曲结构。有趣的是，一个屈曲的系统有两个竞争的影响声子输运：对称性选择规则的破坏导致降低热导率，并在增强的热导率的声光间隙的扩大的结果。研究了热导率的尺寸依赖性。在纳米带中，硅烯、锗烯和锡烯的$κ$对尺寸效应不太敏感，这是由于它们的本征声子平均自由程短。这项工作揭示了声子输运的性质在屈曲的二维材料。
2016-12-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Vacancy tuned thermoelectric properties and high spin filtering performance in graphene/silicene heterostructures
本文的主要贡献是研究了缺陷石墨烯/硅烯纳米晶（GSNR）结中的自旋热电子效应。每个阶梯状的GSNR受到铁磁交换和局部外部电场，并使用非平衡格林函数（NEGF）的方法来确定他们的响应。为了进一步研究GSNRs的热电（TE）特性，还考虑了一个更大的系统的双空位（DV）的三种缺陷排列，并重新评估了它们的响应。结果表明，具有DVs的缺陷GSNR可以提供几乎完美的热自旋过滤效应（SFE）和自旋开关。获得了大于99.99%的负微分热电阻（NDTR）效应和高自旋极化效率（SPE）。具有DV缺陷的系统可以显示出等于1.2mV/K的大的自旋相关的塞贝克系数，这是相对大的和可接受的。适当的热和电子性能的GSNR也可以通过调整在器件区域中的DV取向获得。因此，在实际应用中，可以采用阶梯状GSNR来生产具有各种特征的高效自旋热电子器件。
2021-07-17 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Topological Insulator and Helical Zero Mode in Silicene under Inhomogeneous Electric Field
硅烯是形成二维蜂窝晶格的硅原子单层，其与石墨烯几乎具有所有显着的性质。硅烯的低能结构由具有相对大的自旋轨道相互作用的狄拉克电子描述，这是由于其屈曲结构。关键的观察结果是，通过将电场施加到硅烯片上，能带结构是可控的。特别地，间隙在某一临界电场处闭合。通过对硅烯纳米晶体能带结构的研究，我们发现随着电场的增加，硅烯纳米晶体发生了从拓扑绝缘体到能带绝缘体的拓扑相变。我们还表明，它是可能的，以产生螺旋零模式的任何地方在硅烯片通过调整局部的电场到这个临界值。该区域可以充当由拓扑绝缘体和/或带绝缘体包围的量子线或量子点。基于低能有效狄拉克理论，我们明确地构造了一些简单几何的波函数。这些结果也适用于锗烯，这是一个二维的蜂窝结构的锗。
2012-03-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Optical and Boltzmann conductivities for extrinsic buckled honeycomb lattices at finite temperature
计算了掺杂硅烯和锗烯等弯曲蜂窝晶格结构的光学电导率和玻尔兹曼电导率随温度的变化。利用已有的关于带隙Dirac系统的化学势随温度变化的结果，计算了系统的动力学极化函数，研究了初始掺杂对系统在任意温度、频率和波数下的行为的影响.我们在弛豫时间近似下计算了光学电导率和玻尔兹曼电导率。这两个量都与极化率直接相关，前者与其长波长极限成正比，而后者取决于静态屏蔽和相应的介电函数。我们表明，初始掺杂大大增加了每种类型的导电性在中间温度下，我们已经介绍了一种形式主义计算的反弛豫时间和过渡速率的两个不等价的子带在硅烯。
2017-11-22 cond-mat.mes-hall
Unexpectedly Large Tunability of Lattice Thermal Conductivity of Monolayer Silicene via Mechanical Strain
应变工程是最有前途和最有效的途径之一，不断调整材料的电子和光学性能，而热性能通常被认为是不敏感的机械应变。本文采用从第一性原理计算中提取的力常数，通过求解声子Boltzmann输运方程，计算了均匀双轴拉伸下单层硅烯的应变相关热导率。与通常认为的导热率仅随着体材料的拉伸应变的增加而略微降低的理解不同，发现硅烯的导热率首先随着应变急剧增加，然后当施加的应变进一步增加时略微降低。当拉伸应变为4%时，最高导热系数是未拉伸时的7.5倍。这种不寻常的应变依赖性主要归因于声学声子寿命的显着增强。这种增强可能源于硅烯结构在拉伸时的屈曲的平坦化，这与其他常见的二维材料相比对于硅烯是独特的。我们的研究结果提供了调制的应用，如热电，热电路和纳米电子学的低维结构的热性能的前景。
2015-12-05 cond-mat.mes-hall
Intervalley Magnetotrions Tunable by Electric and Magnetic Fields in Buckled Two-Dimensional Materials
New York City College of Technology, The City University of New York（纽约市立学院，纽约市立大学）；The Graduate School and University Center, The City University of New York（研究生院与大学中心，纽约市立大学）；Borough of Manhattan Community College, The City University of New York（曼哈顿社区学院，纽约市立大学）
本研究针对硅烯等褶皱二维材料构建谷间磁激子理论框架，发现其质心与内部运动可分离，结合能随磁场、电场单调增加，且两自由度可通过外场独立调控。
2026-08-26 cond-mat.mes-hall
The role of spin-orbit coupling in topologically protected interface states in Dirac materials
我们强调的事实是，二维材料的狄拉克类低能量能带结构和自旋轨道耦合将产生线性分散拓扑保护Jackiw-Rebbi模式的界面处的狄拉克质量变化的迹象。这些模式可以支持平行于界面的持续自旋或谷电流，并且这种拓扑保护电流的确切布置关键地取决于材料中的自旋轨道耦合的细节。作为例子，我们讨论了屈曲的二维六方晶格，如硅烯或锗烯，和过渡金属二硫属化物，如MoS $_2$。
2014-05-16 cond-mat.mes-hall
Valley-dependent spin-orbit torques in two dimensional hexagonal crystals
本文研究了石墨烯、硅烯、锗烯和锡烯等二维六方晶体的自旋轨道矩。该力矩具有两个分量，一个是由反自旋电流效应引起的类场项，另一个是由混合自旋- $k$空间中的Berry曲率引起的反阻尼力矩。在交错位和交换场的存在下，谷简并可以解除，我们得到一个谷依赖的Berry曲率，导致一个可调的反阻尼力矩通过控制谷自由度。通过调节偏置电压或磁化角，可以使谷值不平衡度达到100%。这些发现为通过结构设计来发展电流驱动的自旋轨道力矩开辟了新的途径。
2015-09-27 cond-mat.mes-hall
Controlling plasmon modes and damping in buckled two-dimensional material open systems
利用我们最近发展的平均场论，系统地研究了开放系统中的混合等离子体激元模色散及其阻尼的全范围，该开放系统包括导电基底和具有屈曲蜂窝晶格的二维（2D）材料，如硅烯、锗烯和\rom{4}二硫族化物。在该混合系统中，用于独立2D层的单个等离子体振子模式被分成一个类声学模式和一个类光学模式，导致等离子体振子模式的阻尼的显著变化。与带隙石墨烯相比，硅烯和二硫化钼中与等离子体激元模式和阻尼相关的关键特征被发现具有各种自旋轨道和晶格不对称能带隙、掺杂类型和水平以及2D材料与导电衬底之间的耦合强度。所获得的阻尼依赖于自旋和谷自由度，预计将有助于测量开放系统的介电性能和自旋轨道耦合强度的个别二维材料。类声学等离子体激元模式的独特线性色散引入了来自带内粒子-空穴模式的额外阻尼，这对于独立的2D材料层是不存在的，并且使用具有大带隙的二硫化钼同时抑制了来自带间粒子-空穴模式的强阻尼。
2017-01-04 cond-mat.mes-hall
Anomalous Transition Magnetic Moments in two-dimensional Dirac Materials
我们发现，具有狄拉克谱和自旋轨道相互作用的原子薄材料的磁响应可以表现出强烈的依赖于电子-电子相互作用。虽然石墨烯本身具有非常小的自旋-轨道耦合，但各种“超越石墨烯”的二维（2D）化合物是表现出自旋-轨道和库仑相互作用之间强烈相互作用的良好候选者。这类材料包括二硫属化物（如MoS $_2$和WSe $_2$）、硅烯、锗烯以及由Kane-Mele模型描述的2D拓扑绝缘体。我们提出了一个统一的理论，其面内磁场响应导致“异常”，即电子相互作用依赖的过渡时刻。我们的预测有可能用于构建对电子相关性具有高灵敏度的独特磁探针。
2020-07-13 cond-mat.mes-hall
Ferromagnetism and quantum anomalous Hall effect in one-side-saturated buckled honeycomb lattices
最近合成的硅烯以及理论上讨论的锗烯是屈曲蜂窝结构的例子。屈曲结构允许人们操纵蜂窝结构的两个底层子晶格之间的不对称性。在这里，以锗烯为原型的屈曲蜂窝晶格，我们探讨通过饱和的化学键一侧的屈曲蜂窝晶格的亚晶格对称性破坏所引起的磁性。结果表明，当一侧化学键分数饱和时，在半填充处总是存在两个窄带。此外，窄带一般支持在哈伯德$U$相互作用的存在下的平带铁磁性。感应磁化强度与饱和分数直接相关，因此可以通过饱和分数控制其大小。最重要的是，我们发现，依赖于饱和分数，基态的一侧饱和锗烯可能成为一个量子反常霍尔（QAH）绝缘体的特征在于陈数为零，为更大的磁化。较小磁化强度的非零陈氏数意味着相关的量子霍尔效应倾向于在高温下存活。我们的研究结果提供了一个潜在的方法，工程扣蜂窝结构成高温QAH绝缘体。
2014-05-14 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Edge magnetism impact on electrical conductance and thermoelectric properties of graphenelike nanoribbons
窄的准二维纳米结构中的边缘态在很大程度上决定了它们的电学、热电和磁学性质。非磁性边缘状态可能经常导致拓扑绝缘体型行为。然而，当锯齿形边缘是磁性的并且时间反演对称性被破坏时，另一种情况出现。在这项工作中，我们报告的电子能带结构修改，电导和热电性能的窄锯齿形纳米带与自发磁化的边缘。基于Kane-Mele- Hubbard紧束缚模型的理论研究表明，对于硅烯、锗烯和锡烯，当能量接近电中性点时，其Seebeck系数和热电功率因子都得到了显著的增强。环周栅压提高了具有反平行磁化锯齿边的基态能带的自旋简并度，使电导显著自旋极化。同时栅电压也影响热电性能。如果声子热导充分降低，上述纳米带的估计室温品质因数可以超过3的值。
2017-10-28 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Plasmonics with two-dimensional semiconductors "beyond graphene": from basic research to technological applications
本文综述了二维半导体等离子体激元的主要特点和发展前景。每一类范德华半导体中的等离子体模式都有自己的特点，以及潜在的技术能力。过渡金属二硫属化物的等离子体由于其蜂窝结构而具有石墨烯的典型特征，但与石墨烯不同，其阻尼过程由带内跃迁而不是带间跃迁主导。自旋轨道耦合强烈影响屈曲蜂窝晶格（硅烯和锗烯）的等离子体激元谱，而磷烯的各向异性晶格决定了等离子体激元沿扶手椅和锯齿形方向的不同传播。我们还回顾了现有的应用与二维材料的等离子体激元在热等离子体激元，生物传感和等离子体波太赫兹检测领域。最后，我们考虑了创新的低损耗等离子体器件的范德华异质结的能力。
2019-04-01 cond-mat.mes-hall
Group theory for structural analysis and lattice vibrations in phosphorene systems
对与磷烯相关的二维元素体系进行群论分析，包括（i）石墨烯、硅烯、锗烯和锡烯，（ii）对层数的依赖性，（iii）两种堆积排列.从最对称的$D_{6h}^{1}$石墨烯空间群出发，发现结构具有群-子群关系，并且分析其晶格振动的不可约表示使得可以区分不同的同素异形体。该分析可用于研究应变的影响，理解结构相变，表征层数，晶体学取向和非线性现象。
2015-02-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Finite-temperature Coulomb Excitations in Extrinsic Dirac Structures
我们已经推导出了所有类型的掺杂的，或外在的，有间隙的狄拉克锥材料，包括有间隙的石墨烯，硅烯，锗烯和单层过渡金属dichalcogenides的化学势没有任何限制的温度的代数，解析表达式。作为推导过程的重要中间步骤，我们建立了一个可靠的分段线性模型来计算二硫化钼的态密度，与以前得到的数值结果吻合得很好。对于自旋和谷分辨的能带结构，我们得到了一个额外的减少，由于热诱导掺杂的上子带在有限的温度下的化学势。研究表明，由于$MoS_2$中电子态和空穴态的对称性被破坏，在足够高的温度下，化学势可以越过零能级。这些结果使我们能够研究集体性质，极化率，等离子体及其阻尼。重点放在低温时，初始电子掺杂起着至关重要的作用。我们清楚地证明了初始掺杂对所考虑材料的有限温度集体性质的贡献。
2017-07-26 cond-mat.mes-hall
Entropy Signatures of Topological Phase Transitions
我们回顾了各种二维电子系统中每个粒子的熵的行为。每个粒子的熵是任何多体系统的一个重要特征，它告诉我们如果多加一个电子，电子系综的熵会如何变化。最近，人们已经证明了如何从平面电容器几何中的再充电电流动力学中提取二维电子气的每个粒子的熵。这些实验为系统研究各种晶体系统中的熵铺平了道路，包括新型二维晶体，如带隙石墨烯，锗烯和硅烯。理论上，每个粒子的熵与电子气化学势的温度导数通过麦克斯韦关系联系在一起。利用这个关系，我们计算了各种二维电子系统中拓扑跃迁附近的每个粒子的熵。我们表明，熵的经验量子化的步骤在点的Lifshitz过渡的二维电子气体与抛物线的能量谱。相比之下，在双能隙狄拉克材料中，一旦化学势通过能带边缘，每个粒子的熵就会出现特征尖峰。从拓扑的平凡的绝缘体相锗烯的过渡表现为一个强大的零能量共振的消失，每个粒子的熵依赖于化学势。我们的结论是，每个粒子的熵的研究揭示了多个，否则隐藏的特性的电子能带结构的新颖的二维晶体。
2018-07-03 cond-mat.mes-hall
The Rare Two-Dimensional Materials with Dirac Cones
受石墨烯的巨大发展的启发，越来越多的工作被用来寻找具有Dirac锥的新的二维材料。虽然二维狄拉克材料具有许多新颖的性质和物理性质，但与众多的二维材料相比，它们是罕见的。为了解释二维Dirac材料的稀有性并为寻找新的Dirac体系提供线索，本文综述了各种二维Dirac材料的最新理论研究进展，包括石墨烯、硅烯、锗烯、石墨烯、几种硼和碳片、过渡金属氧化物（VO 2）n/（TiO 2）m和（CrO 2）n/（TiO 2）m、有机和有机金属晶体、so-MoS 2、和人造晶格（电子气和超冷原子）。总结了它们的结构和电子性质。我们还研究了狄拉克点如何出现，移动，并在这些系统中合并。冯·诺伊曼-维格纳定理被用来解释二维系统中狄拉克锥的稀缺性，这导致了对对称性，参数，费米能级和能带重叠的严格要求，以实现狄拉克锥。讨论了Dirac锥的存在性与结构特征之间的联系。
2015-04-14 cond-mat.mes-hall
Electronic transport in two-dimensional strained Dirac materials under multi-step Fermi velocity barrier: transfer matrix method for supersymmetric systems
近年来，人们从不同的角度对石墨烯和其他二维Dirac材料如硅烯、锗烯等进行了研究：从数学物理、凝聚态物理到高能物理。本研究利用超对称量子力学（SUSY QM）和传输矩阵方法（TTM）研究了二维Dirac材料在多阶形变和多阶费米速度势垒影响下的电子输运。在研究中还考虑了多阶有效质量和多阶外电场的影响。结果表明，利用应变或电场调制狄拉克电子的克莱因隧穿是可能的。
2021-10-15 cond-mat.mes-hall quant-ph
High-Efficiency spin-Seebeck Diode in an $α'$-Borophene FM/Normal/FM Nanoribbon Junction
Iran University of Science and Technology（伊朗科技大学）；Shiraz University（设拉子大学）
研究利用α'-硼烯纳米带在FM/普通/FM结中，通过施加温度梯度以低能耗产生纯自旋电流，结合TB与NEGF方法研究其自旋热电特性，发现可作自旋塞贝克二极管且有负微分效应，其功率因数高于石墨烯和硅烯。
2026-07-17 cond-mat.mes-hall
Spin-orbit coupling in elemental two-dimensional materials
从第一性原理出发研究了石墨烯和波纹蜂窝晶格材料硅烯、锗烯、锡烯、蓝磷烯、砷烯、锑烯和铋烯中的基本自旋轨道耦合和自旋混合。利用多带$k\cdot p$理论重新研究了石墨烯中的内禀自旋-轨道耦合，发现尽管石墨烯具有镜像对称性，但仍存在非零自旋混合。然而，自旋混合本身并不导致Elliott-Yafet自旋弛豫机制，除非镜像对称性被外部因素破坏。对于其他上述元素的材料，我们提出的自旋轨道分裂在相关的对称点，以及自旋混合物$b^2$作为能量的函数接近带极值或费米能级。我们发现，自旋轨道耦合尺度为原子序数Z的平方，如预期的原子中的价电子。对于孤立的条带，发现$b^2\sim Z^4$ .自旋混合参数也表现出巨大的各向异性，在很大程度上，可以通过调整费米能级来控制。我们对$b^2$的结果可以直接转换为自旋弛豫时间，由于Elliott-Yafet机制，因此提供了一个估计的上限自旋寿命的材料中的空间反转中心。
2019-07-11 cond-mat.mes-hall
A new structure of two-dimensional allotropes of group V elements
石墨烯、硅烯、锗烯、黑磷等二维材料因其独特的物理性质而引起了人们的广泛关注。在结构上，它们具有由六原子环组成的蜂窝或扭曲蜂窝晶格。在这里，我们发现了一个新的结构的二维同素异形体的V族元素组成的八个原子环，我们命名为八边形平铺（OT）结构。第一性原理计算表明，这些同素异形体是动态稳定的，并且在高达600 K的温度下也是热稳定的。这些同素异形体是带隙范围为0.3至2.0 eV的半导体，因此它们在近红外和中红外光电子器件中具有潜在的用途。OT-Bi也是具有0.33 eV的带隙的2D拓扑绝缘体（TI），这是所报道的元素2D TI中最大的，并且该带隙可以通过施加压缩应变来进一步增加。
2015-11-23 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Diverse quantization phenomena in layered materials
在二维凝聚态系统中的各种量子化现象，是由于一个均匀的垂直磁场和几何创建的晶格对称性，是这本书的重点。它们涵盖了多样化的磁电性质、各种磁光选择规则、不寻常的量子霍尔电导率以及单粒子和多粒子磁库仑激发。在具有不同堆叠结构、堆叠调制结构和硅掺杂晶格的少层石墨烯系统、具有底-顶和底-底屈曲结构的双层硅烯/锗烯系统、单层和双层磷烯系统以及量子拓扑绝缘体中，都清晰地揭示了这些丰富而独特的行为。我们发展/修正了广义紧束缚模型、静态和动态Kubo公式以及随机相位近似，以深入探索基本性质并提出简洁的物理图像。详细讨论了不同的高分辨率实验测量，它们与理论预测一致。
2019-05-08 cond-mat.mes-hall physics.comp-ph
Antiferromagnetic spin valve from heterostructure of two-dimensional hexagonal crystals
本文提出了由反铁磁衬底上的单层六方晶体异质结或双层六方晶体异质结夹在两个（反）铁磁绝缘体之间构成的电流面内几何结构的自旋阀。二维六方晶体如石墨烯、硅烯、锗烯和锡烯采用紧密束缚的蜂窝晶格模型。反铁磁衬底的磁化取向控制体的带隙和拓扑性质，这进而控制三种类型的自旋阀几何结构的输运：（i）体的面内输运;（ii）拓扑边缘状态沿着具有体隙的纳米取向的输运;（iii）手性边缘状态沿着畴壁的输运。采用紧束缚模型，考虑了（反）铁磁交换场、Hubbard相互作用和（或）自旋-轨道耦合。对于第一种自旋阀结构，Hubbard相互作用增大了体材料的有效带隙，从而提高了自旋阀对反铁磁交换场的敏感性。对于第二类和第三类自旋阀几何结构，具有自旋-轨道耦合的不同类型异质结构的拓扑相图作为设计自旋阀的指南。Hubbard相互作用和自旋-轨道耦合的同时存在，可以增大体相的拓扑能隙，改善不同拓扑数区域畴壁处手征边缘态的质量.
2019-03-24 cond-mat.mes-hall
Effects of low-dimensional material channels on energy consumption of Nano-devices
通常认为，显著的节能优点属于在低温下操作的逻辑电路，因为在操作之后需要较少的能量来将它们冷却到阈值温度。此外，纳米级热管理，纳米级的有效能源利用，特别是热优化是最具挑战性的问题，而处理新一代晶体管，因为无限地将晶体管的硅沟道封装，导致计算机的能耗和漏电流增加。本文采用声子Monte-Carlo方法研究了石墨烯、蓝磷烯、锗烯、硅烯和MoS $_2$作为硅沟道替代物的二维晶体材料的非傅立叶热态。我们表明，石墨烯和蓝色磷烯具有最低的最高温度，代表的晶体管的可靠性，在所有五个研究的纳米通道在Monte-Cralo模拟。这两种材料的既定热点总是较冷，没有达到温度阈值水平，并且随着产热区的关闭，它们损失热量的速度更快。所获得的结果与石墨烯层的电学缺点一起考虑，表明蓝色磷烯是新设计的场效应晶体管中硅沟道替换的更热合适和最佳选择。也就是说，生产先进的蓝色磷光芯片的能源和经济成本的极限满足了计算企业的产品价值。
2018-04-20 cond-mat.mes-hall
An Existence Criterion for Low-Dimensional Materials
石墨烯和其他二维（2-D）材料的发现激发了对低维（low-D）材料的普遍兴趣。而很久以前，Peierls和Landau的理论工作证明了任何一维和二维材料都不能在任何有限温度环境中存在。然后，两个基本问题成为许多研究人员关注的焦点：稳定的低维材料如何存在？什么样的低维材料是稳定的？在这里，我们建立了一个低维材料的能量稳定性准则，试图为这些问题提供一个明确的答案。对于某种元素，其特定低维结构的稳定性取决于其原子间作用势的几个导数。这种基于原子的方法，然后应用于研究任何直/平面，低D，等键长的元素材料。我们发现，一维单原子链，二维蜂窝晶格，正方形晶格，三角形晶格是唯一的四个允许的结构，这些结构的稳定性只能通过假设多体原子间势来理解。使用这种方法，可以解释石墨烯，硅烯和锗烯的稳定存在。
2017-07-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Spatial structure of correlations around a quantum impurity at the edge of a two-dimensional topological insulator
我们精确计算了耦合到锯齿形硅纳米晶边缘的替代磁性杂质的零温实空间性质。使用Lanczos变换[Phys.Rev.B91，085101（2015）]和密度矩阵重整化群方法，我们获得了锡烯和锗烯的现实描述，包括体和边缘作为边界一维螺旋金属态。我们对替代杂质的研究结果表明，近藤态的发展以及杂质与金属边缘态电子自旋之间的自旋关联结构在很大程度上取决于杂质的位置.更具体地说，我们的真实空间分辨率使我们能够得出结论，杂质位于锯齿形边缘的波峰或波谷位置之间存在明显的区别。我们还观察到，正如预期的那样，由于新兴的Dzyaloshinskiii-Moriya与传导电子的相互作用，自旋相关是各向异性的，并且边缘从杂质和“蛇”或周围的圆散射。我们对近藤温度的估计表明，由于自旋轨道耦合的存在，有一个非常弱的增强。
2017-06-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.str-el
Massless Dirac-Fermions in Stable Two-Dimensional Carbon-Arsenic Monolayer
我们预测从基于DFT的电子结构计算，由碳和砷原子，与化学组成（CAs 3）的单层形成一个能量和动力学稳定的系统。单层的优化几何形状是略有不同的硅烯和锗烯观察到的屈曲几何配置。电子结构的计算结果表明它是一种半金属。有趣的是，这种材料的电子能带结构具有线性色散和在倒易晶格中的高对称K点周围的费米能级处的狄拉克锥。因此，在低能量激发（高达105 meV），该系统中的载流子表现为无质量的狄拉克-费米子。详细的偏态密度分析表明，C原子的2 pz轨道在决定费米能级附近的态的性质方面起着至关重要的作用，它具有线性色散，因此具有狄拉克锥。因此，CAs 3单层的电子性质类似于石墨烯和其他基于IV族的单层的电子性质。此外，我们还研究了机械应变对CAs 3单分子膜性质的影响。当拉伸应变超过18%时，屈曲构型变为平面构型。结果表明，在-12 ~20%的应变范围内，单分子膜的电子能带结构具有线性色散，但狄拉克点的位置可能不完全位于费米能级上.当压缩应变超过-12%时，线性色散消失，这是由于C原子周围几何环境的剧烈变化。最后，我们要指出的是，CAs 3单层属于狄拉克材料的行为，在低能量激发下，其特征在于由狄拉克类哈密顿量，而不是薛定谔哈密顿量。
2019-04-03 cond-mat.mes-hall
Effects of parallel electric and magnetic fields on Rydberg excitons in buckled two-dimensional materials
我们研究直接和间接磁激子里德堡态的单层和双层异质结构的Xenes（硅烯，锗烯，锡烯）在外部平行的电场和磁场，施加垂直于单层和异质结构。通过对薛定谔方程的数值积分，计算了里德堡态1 $s$、2 $s$、3 $s$和4 $s$的磁激子结合能，其中直接磁激子采用Rytova-Keldysh势，间接磁激子采用Rytova-Keldysh势和库仑势.后者允许理解在Xenes中筛选的作用。在外部垂直电场中，Xene单层的屈曲结构导致子晶格之间出现电势差，允许调节电子和空穴质量，从而调节磁激子的结合能和抗磁系数（DMC）。我们报道了电场和磁场对结合能和DMC的能量贡献。直接和间接磁激子的能量贡献的可调谐性的电场和磁场的证明。直接磁激子的直接磁激子效应可以通过电场来调节，间接磁激子的直接磁激子效应可以通过电场来调节，并通过h-BN层数来调控。因此，这些允许可以通过外部电场和磁场以及h-BN层的数量来控制的电子器件设计的可能性。对单分子膜和异质结构中磁激子的结合能和DMC的计算是新颖的，当它们可用时，可以与实验结果进行比较。
2021-07-07 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Electronic structural critique of interesting thermal and optical properties of C$_{17}$Ge germagraphene
在这篇文章中，我们报告了一个理论上的尝试，以了解电子结构的参与，在确定的光学和热性能的C $_{17}$锗，一个屈曲的二维材料。该结构被发现是一个直接带隙半导体与低载流子有效质量。我们的研究揭示了自旋轨道耦合对材料能带结构和自旋霍尔电流的影响。选择性高的蓝光到紫外光吸收和与火石玻璃相当的折射率开辟了这种材料用于光电子器件的可能应用性。从电子结构的角度，我们探讨了其具有与传统热电材料相当的较高塞贝克系数和功率因数的原因。除了其窄的带隙之外，C $_{17}$ Ge（$4.361 ~eV$）比石墨烯（$4.390 ~eV$）和锗烯（$4.682 ~eV$）相对更小的功函数确保更容易地从表面去除电子。这种材料被证明是一个很好的替代未来的半导体应用从光学到热器件制度。
2020-03-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.comp-ph
