Unusual magnetic susceptibility anisotropy in untwinned La_{2-x}Sr_xCuO_4 single crystals in the lightly-doped region
本文研究了在轻掺杂区（x=0-0.03）仔细去孪晶的La_{2-x} Sr_{x} CuO_4单晶的磁化率。这种各向异性被发现后，长期反铁磁（AF）秩序被破坏的空穴掺杂，这表明掺杂的孔打破AF秩序到域中的自旋对齐基本上保持完整。事实证明，在低温下发生的自旋冻结也是明显的各向异性，这意味着“自旋玻璃”特征也受到畴结构的控制。
2001-05-21 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anisotropic spin fluctuations and multiple superconducting gaps in hole-doped Ba_0.7K_0.3Fe_2As_2: NMR in a single crystal
本文首次报道了空穴掺杂铁磷属化合物超导体Ba_{0.7} K_{0.3} Fe_2 As_{2}（T_c = 31.5 K）单晶的~（75）As-NMR研究。我们发现Fe反铁磁自旋涨落是各向异性的，并且与欠掺杂的铜氧化物或钴氧化物超导体相比更弱。自旋晶格弛豫速率1/T_1在低于T_c时下降，没有相干峰，在低温下呈现阶梯式变化，这表明存在多个超导能隙，如电子掺杂Pr（La）FeAsO $_{1-x}$ F $_{x}$。此外，没有证据表明长程磁性和超导性的微观共存。
2009-08-18 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Doping evolution of the electronic specific heat coefficient in slightly-doped La2-xSrxCuO4 single crystals
详细的掺杂依赖的电子比热系数γ的La 2-xSrxCuO 4（LSCO）的单晶在轻微掺杂制度进行了研究。我们发现，γ系统地增加与掺杂，而且，即使在反铁磁（AF）制度的样品，γ已经获得有限的值，并与x的增长。这表明有限的电子态密度（DOS）是在AF机制中产生的，其中输运在低温下显示出强烈的局域化，这意味着该系统不是一个具有明显间隙的真正绝缘体，即使它仍然保持长程AF秩序。
2008-08-27 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Growth and hole density control through equilibrium oxygen annealing of optimally doped Y1-xCaxBa2Cu3O7-δ single crystals
采用自熔法生长了钙氧共掺的Y_（1-x）Ca_xBa_2Cu_3 O_（7-δ）单晶。建立了一种通过原位监测电导率变化来微调氧含量达到平衡态的方法。对最佳共掺杂Y1-xCaxBa 2Cu 3 O 7-δ晶体的结构、成分和电子性质的表征表明，它们是高质量的平衡晶体，具有0.2K的陡峭超导转变宽度。
2010-09-08 cond-mat.supr-con
Superconductivity in doped FeTe1-xSx (x= 0.00 to 0.25) single crystals
本文报道了FeTe_（1-x）S_x（x= 0.00 ~ 0.25）系列单晶的自熔法生长和表征。表面X射线衍射（XRD）显示出晶体性质，在（00 l）面生长。代表性晶体的显微结构（电子显微镜）图像显示板状形态和近化学计量组成。单晶的粉末XRD分析（Rietveld）显示出具有P4/nmm空间群的四方晶系结构，并且a和c晶格参数随着x的增加而减小。电阻率测量（R-T）显示出超导电性，T_（conset）分别为9.5K和8.5K（x =0.10和x =0.25）。未掺杂的晶体在70 K左右表现出已知的台阶状异常。根据x =0.25晶体的磁输运计算出的上临界场Hc 2（0）在H//ab和H//c方向上分别约为60 Tesla和45 Tesla。计算的x =0.10和0.25晶体的热激活能[U 0（H）]遵循弱幂律，表明在低场下的单涡旋钉扎。本文比较了FeTe_（1-x）S_x晶体在300 K和5 K下的穆斯堡尔谱与非超导FeTe的穆斯堡尔谱。掺硫晶体的四极分裂和同质异能移均减小。在5 K时，x =0.10超导晶体的超精细场也从10.6Tesla（FeTe）大幅度下降到7.2Tesla。对于x =0.25的晶体，虽然在室温下可以看到少量未反应的Fe，但与x =0.10不同，低温（5 K）有序FeTe超精细场几乎为零。
2018-09-17 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Full superconducting gap in the doped topological crystalline insulator, Sn$_{0.6}$In$_{0.4}$Te
掺杂的拓扑晶体绝缘体Sn $_{0.6}$ In $_{0.4}$ Te超导单晶的热导率为$T_c =$ 4.1 K，测量到低至50 mK。发现在零磁场下，剩余线性项$κ_0/T$可以忽略。在低磁场下，$κ_0/T$显示出慢场依赖性。这些结果表明，超导能隙是无节点的，除非存在与热流方向垂直的点节点。然而，由于Sn $_{0.6}$ In $_{0.4}$ Te的高对称性fcc晶体结构，可以排除这种点节点。因此，我们证明，这种拓扑超导体候选人有一个完整的超导能隙在散装。它可能是非常规的奇宇称$A_{1u}$态，支持表面Andreev束缚态。
2013-07-07 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Superconductivity at 22 K in Co-doped BaFe2As2 Crystals
在这里，我们报告体超导BaFe1.8Co0.2As2单晶低于Tc = 22 K，所示的电阻率，磁化率和比热数据。霍尔数据表明，占主导地位的载流子是电子，从简单的化学推理预期。这是第一个由电子掺杂在这类材料中诱导超导性的例子。在对比的铜酸盐，BaFe2As2系统似乎容忍相当大的障碍中的FeAs飞机。对BaFe_（1.8）Co_（0.2）As_2的第一性原理计算表明Co的带间散射很弱。
2008-07-25 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Structural and Transport Studies of Under Doped FeTe1-xSex(x=0.0, 0.01, 0.03, 0.05) Single Crystals
本文报道了用无熔剂法合成欠掺杂非超导铁硫族化合物FeTe_（1-x）Sex（x=0.0，0.01，0.03，0.05）单晶。这些FeTe_（1-x）Sex（x=0.0，0.01，0.03，0.05）单晶在室温下均为四方晶系，空间群为P4/nmm。详细的扫描电子显微镜（SEM）结果表明，晶体形成的片状形貌结构。粉末X射线衍射（XRD）结果表明，随着Se含量的增加，（0 0 l）峰向高角度移动。磁结构耦合相变温度被看作电阻率的一个阶跃，从x = 0.0的67 K左右降低到x = 0.05的55 K左右。此外，电阻率的阶跃被认为本质上是电性的（ΔT），即，在冷却和加热循环中的不同步骤温度。有趣的是，晶体的介电常数（ΔT）从x =0.0的5.8K附近变窄到x =0.05的0.95K。
2016-01-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Diagonal Antiferromagnetic Easy Axis in Lightly Hole Doped Y_{1-x}Ca_xBa_2Cu_3O_6
用Gd ~（3+）电子自旋共振（ESR）研究了轻掺Ca的Gd：Y_{1-x} Ca_xBa_2Cu_3O_6（x~0.008）单晶的反铁磁结构的空穴诱导变化。空穴不本地化的Ca 2+离子高于2.5 K，因为旁边的Ca 2+的电荷分布和自旋磁化率是独立的温度。空穴掺杂晶体和原始晶体都具有与外部磁场相关的反铁磁畴结构。不像未掺杂晶体，其中易磁化轴在所有温度下都沿着[100]，空穴掺杂晶体中的易磁化方向在低温下沿着[110]对角线，并且在10 K和100 K之间逐渐改变为[100]方向。过渡暂时归因于磁各向异性引入的空穴排序。
2003-09-10 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Vortex-glass phase transition and superconductivity in an under- doped (Ba,K)Fe2As2 single crystal
用9 T磁输运和电流-电压（I-V）特性测量方法研究了欠掺杂（Ba，K）Fe_2As_2单晶（Tc= 26.2K）的涡旋相图。结果表明，随着温度从Tc降低到24.8K，上临界场Hc 2的各向异性比从4减小到2.8。与涡旋玻璃理论一致，在H=9 T下测量的I-V曲线可以很好地与Tg=20.7 K的涡旋玻璃化转变温度和临界指数z=4.1和v=1成比例。在不同磁场中的分析产生了几乎相同的临界指数值，Tg有一定的变化，证实了该欠掺杂（Ba，K）Fe_2As_2单晶在高达9 T的温度下存在涡旋玻璃化转变。根据Tg和Hc 2随磁场的变化规律，给出了涡旋相图。
2009-01-19 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Anisotropic magnetic and superconducting properties of pure and Co-doped CaFe$_2$As$_2$ single crystals
我们报告的各向异性直流磁化率$χ(T)$，电阻率$ρ(T)$，和热容$C(T)$测量的单晶的CaFe $_{2-x}$ Co $_x$作为$_2$的$x$ = 0和0.06。以Sn为溶剂，采用高温溶液法生长了大尺寸单晶。对于$x$ = 0的纯化合物，在170 K处观察到高温转变，这归因于结合的自旋密度波（SDW）有序和结构相变。另一方面，对于$x$ = 0.06的Co掺杂样品，在$\simeq$ 17 K下观察到超导电性的同时，SDW转变被抑制。磁化强度和电阻率研究证实了超导转变。CaFe $_2$ As中的$_2$的$^{57}$ Fe穆斯堡尔谱表明SDW有序是无公度的。在Co掺杂的样品中，观察到在4.2 K处的显著顺磁性线，表明SDW状态的减弱。
2008-12-31 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Extreme anisotropy and anomalous transport properties of heavily electron doped Lix(NH3)yFe2Se2 single crystals
布里渊区中心附近缺失的空穴包为Tc高于40 K的重电子掺杂FeSe基超导体提供了独特的电子结构。它挑战了现有的方案占铁基家庭的超导性的性质。然而，必须克服的一个障碍是在相当有限数量的化合物中的材料复杂性。在这里，我们报告的重电子掺杂的Li-NH3插层FeSe单晶的生长是免费的这种复杂性，并允许访问的内在超导性能。我们的结果表明，在正常和超导态都有极大的电子各向异性。此外，反常的输运性质出现在正常状态下，这被认为是与弛豫时间和/或温度依赖的电子载流子浓度的各向异性。鉴于嵌入物的化学柔性，我们的研究结果为理解FeSe相关超导体的超导电性起源提供了新的平台。
2017-05-09 cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Thermal Conductivity of Pr_{1.3-x}La_{0.7}Ce_xCuO_4 Single Crystals and Signatures of Stripes in an Electron-Doped Cuprate
最近的研究表明，各向异性声子热输运行为是La_{2-x} Sr_xCuO_4（LSCO）中条纹形成的一个很好的探针[X. F. Sun { \it等人}，B { \bf 67}，104503（2003）]。利用该探针，我们研究了电子掺杂的铜酸盐Pr_{1.3-x} La_{0.7} Ce_xCuO_4（PLCCO），发现其具有与LSCO中相同的特征。此外，轻掺杂PLCCO的面内电阻率ρ ab在Néel有序态表现出金属性（dρ ab/dT > 0），迁移率与LSCO相当.讨论了这些与LSCO相同的特殊性质，表明在电子掺杂的铜酸盐中存在条纹。
2003-12-11 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Weak electron irradiation suppresses the anomalous magnetization of N-doped diamond crystals
用10 MeV能量和低注量的电子辐照具有$\lesssim 80~$ ppm的电中性单取代氮原子（所谓的C-或P1-中心）浓度的几种金刚石块状晶体。结果表明，在电子辐照产生的C中心浓度降低$\lesssim 40~$ ppm后，在低于$\sim 30$ ~K的磁场和温度下，磁化强度的不可逆行为被完全抑制。这一结果表明，磁性C-中心是最近发现的氮掺杂金刚石晶体中的大滞后行为的起源。这是值得注意的，因为C中心的密度相对较低，强调了C中心在相对较高的温度下触发金刚石中的这些现象的非凡作用。在真空中高温退火后，样品的滞后行为得到部分恢复。
2021-08-31 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Terahertz Hall Measurements On Optimally Doped Single Crystal Bi-2212
测量了最佳掺杂单晶$\rm Bi_2 Sr_2 Ca Cu_2 O_{8+x}$在3.05 ~ 21.75 meV范围内的红外霍耳角随温度（25 ~ 300 K）的连续变化。在正常状态下，红外霍尔角余切的实部的温度依赖性服从与直流测量相同的幂律。测得的霍尔频率$\rm ω_H$明显大于基于弛豫时间近似分析的ARPES数据的预期值。这种差异以及$\rm Re(\cot{θ_H})$和$ω_H$的温度依赖性可以用费米液体理论很好地描述，其中包括由电子-磁振子散射产生的电流顶点校正。
2010-06-26 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
Magnetic ordering and structural distortion in Ru doped BaFe2As2 single crystals studied by Neutron and X-ray diffraction
本文系统地研究了Ba（Fe{1-x}Ru{x}）2As 2系列化合物（0 <= x <= 0.246）的反铁磁有序和结构畸变.中子和X射线衍射测量表明，与电子掺杂的化合物不同，结构和磁性转变在温度上保持一致。随着Ru浓度的增加，磁性和结构转变逐渐受到抑制，并与超导性共存。对于超导的样品，我们发现超导电性，反铁磁有序和结构畸变之间的竞争很强。
2010-11-30 cond-mat.str-el cond-mat.supr-con
High-Pressure Synthesis and Superconductivity of Ag-doped Topological Crystalline Insulator SnTe (Sn1-xAgxTe with x = 0-0.5)
采用高压合成法合成了Sn_（1-x）Ag_xTe，Ag掺杂的拓扑晶体绝缘体SnTe（x = 0-0.5）的单相多晶样品。室温下Sn_（1-x）Ag_xTe的晶体结构为NaCl型立方结构，不随Ag的取代而改变。在x = 0.15-0.25范围内观察到体相超导电性，转变温度为2.4K，最佳Ag含量为x = 0.2。Sn_（1-x）Ag_xTe超导相的存在将有助于理解载流子掺杂SnTe系统的超导性质和机制。
2016-02-28 cond-mat.supr-con
Vortex glass scaling in Pb-doped Bi2223 single crystal
本文报道了在垂直于CuO面的磁场作用下，用面内电阻率测量方法研究了掺Pb Bi-2223单晶中的涡旋液体。在超导转变的上部，在低于Tc时，我们发现了类似Arrhenius的电阻率行为。随着温度的进一步降低，电阻率开始接近电阻率，电阻率显示幂律依赖于温度信号接近涡旋玻璃化转变。临界指数nu（z-1）=4.6 ± 0.5在实验误差范围内与场无关。给出了确定掺Pb Bi-2223单晶临界电流非零区的磁相图。
2009-09-03 cond-mat.supr-con
Growth and superconducting properties of Cd-doped La(O,F)BiS2 single crystals
采用CsCl/KCl助熔剂生长了Cd掺杂La（O，F）BiS 2单晶。生长的晶体具有板状形状，在发育良好的ab平面中具有约1-2 mm的正方形尺寸。采用单晶X射线衍射和电子探针显微分析技术成功地表征了晶体中的镉掺杂。La（O，F）BiS 2的超导电性随着Cd的掺杂而逐渐被抑制。La（O_（0.54）F_（0.46））（Bi_（0.92）Cd_（0.08））S_2的零电阻超导转变温度为2.3K。Cd的掺杂并没有改变超导各向异性这么多，虽然相当大的抑制Tc。
2017-05-30 cond-mat.supr-con
Preparation of hybrid Josephson junctions on Co-doped Ba-122 single crystals
本文提出了一种在Co掺杂BaFe_2As_2（Ba-122）单晶上制备混合约瑟夫森结的方法，该结具有薄膜Pb对电极和TiOx阻挡层。这包括晶体的平整和抛光，以及用薄膜技术如光刻、溅射和离子束蚀刻（IBE）对其进行结构化。该结表现出滞后电阻和电容分流结（RCSJ）的I-V特性，IcRn积约为800 uV。
2014-06-23 cond-mat.supr-con
Josephson effect between electron-doped and hole-doped iron pnictide single crystals
在SrFe_（1.74）Co_（0.26）As_2和Ba_（0.23）K_（0.77）Fe_（22）As_2单晶结中观察到约瑟夫森效应。I-V曲线显示出连续分流的结特性，在微波辐照下观察到交流约瑟夫森效应。通过施加面内磁场，临界电流被完全调制，并且显示出与中间结极限一致的相对对称的衍射图案。在p-n双晶结构中观察到约瑟夫森效应不仅对设计探测铁磷属元素化物超导体配对对称性的相敏结具有重要意义，而且也代表了发展全铁磷属元素化物器件的重要一步。
2009-07-26 cond-mat.supr-con
Crystal growth and the electronic phase diagram of the 4$d$ doped Na$_{1-δ}$Fe$_{1-x}$Rh$_x$As in comparison with 3$d$ doped Na$_{1-δ}$Fe$_{1-x}$Co$_x$As
用自熔法生长了Na $_{1-δ}$ Fe $_{1-x}$ T $_x$ As（T = Co，Rh）单晶。晶体进行了彻底的粉末X射线衍射，磁化率和电子输运，特别是重点对铑掺杂样品的特点。对于最佳掺杂的组合物示例性地进行比热和ARPES的测量。在最佳掺杂的样品中，在低Rh浓度（$0\,\leq\,x\,\leq\,0.013$）的样品中观察到的自旋密度波跃迁（SDW）被完全抑制。超导转变温度（$T_c$）从Na $_{1-δ}$ FeAs中的$10$ ~K提高到Na $_{1-δ}$ Fe $_{1-x}$ Rh $_x$ As系列的最佳掺杂样品（$x$ = 0.019）中的$21$ ~K，并且对于过掺杂化合物降低，揭示了电子相图的超导部分的典型形状。值得注意的是，相图是几乎相同的Co掺杂的Na $_{1-δ}$ FeAs，这表明两种掺杂剂的通用相图。
2015-02-10 cond-mat.supr-con
Strong coupling of an Er3+ doped YAlO3 crystal to a superconducting resonator
量子存储器是量子计算机和量子通信网络的组成部分。当然，这样的存储器被嵌入到混合量子架构中，这必须满足快速门、长相干时间和长距离通信的要求。掺铒晶体非常适合作为超导电路的微波量子存储器，并可额外接入1.55 μm左右的光通信C波段。在这里，我们报告电路QED实验与Er 3+：YAlO3晶体和超导集总元件谐振器的强耦合。主晶体的低磁各向异性允许在与超导电路兼容的相对低的磁场下获得强耦合状态。此外，在晶体中检测到Ce 3+杂质，其也显示出强耦合。
2014-02-21 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Investigation of superconductivity in Ce-doped (La,Pr)OBiS2 single crystals
本文报道了用多元稀土元素取代（La，Pr）OBiS_2超导体的单晶生长。生长的晶体通常尺寸为1-2 mm，呈板状形状，具有发育良好的c平面。所得（La，Ce，Pr）OBiS_2单晶的c轴晶格常数约为13.6-13.7 A，超导转变温度为1.23-2.18 K。通过X射线吸收光谱分析检测到Ce和Pr的价态波动。与（Ce，Pr）OBiS 2和（La，Ce）OBiS 2相比，（La，Ce，Pr）OBiS 2的超导转变温度随着R位四价态浓度的增加而增加.
2022-04-19 cond-mat.supr-con
Optical studies of charge dynamics in the optimally-doped Bi2212 and the non-superconducting cobaltate single crystals
对散射率随频率变化的分析揭示了高T_c铜氧化物的超导能隙和赝能隙的特征。这些特征可以在温度相关的光谱函数W（ω）中识别，使用实验明确的方法从最佳掺杂的Bi 2212的光学数据反演，该方法示出了光谱函数中的最大值和最小值的行为。
2001-04-11 cond-mat.supr-con
Bulk magnetization and strong intrinsic pinning in Ni-doped BaFe2As2 single crystals
本文报道了掺Ni的BaFe_（2-x）Ni_xAs_2（x=0.1和x=0.14）单晶在磁场下的等温不可逆磁化回线（M（H））的测量结果。对于场H//c-轴和H//ab-平面中的两个样品，从M（H）曲线计算的临界电流密度在低温下超过106 A/cm 2，表明我们的晶体中存在强的本征钉扎。在2- 17 K的温度范围内，在两个磁场方向上，接近最佳掺杂的单晶都出现了第二磁化峰（鱼尾效应）。对于H//c轴，不同温度下测量的归一化钉扎力随约化场的变化曲线符合标度关系，峰值位置BaFe_（1.86）Ni_（0.14）As_2为0.33，BaFe_（1.9）Ni_（0.14）As_2为0.4，表明为单法向钉扎机制。与此形成鲜明对比的是，在H//ab平面取向中，不存在曲线的缩放。
2012-11-08 cond-mat.supr-con
Synthesis and properties of La-doped CaFe2As2 single crystals with Tc = 42.7 K
采用FeAs自熔法成功地合成了La掺杂CaFe 2As 2大单晶。X射线衍射图表明高的结晶质量和c轴取向。通过用三价La ~（3+）离子取代二价Ca ~（2+）离子，完全抑制了母体化合物CaFe_2As_2中的电阻率异常，超导转变温度达到42.7K，高于Saha S. R.例如，arXiv：1105.4798v1。上临界场已被确定与沿ab-平面和c-轴的磁场，产生约3.3的各向异性。
2011-09-07 cond-mat.supr-con
Negative in-plane and out-of-plane magnetoresistivities in optimally doped Bi2Sr2Ca0.8Y0.2Cu2O8+d single crystal
本文测量了最佳掺杂的Bi_2Sr_2Ca_（0.8）Y_（0.2）Cu_2O_（8 +d）单晶在平行和垂直于CuO_2面的磁场作用下的面内和面外磁致伸缩率。在高于临界温度Tc的较宽温度范围内，无论磁场和电流方向如何，都可以得到负的磁阻率。对于面内和面外测量，非主导的轨道贡献的磁阻表明自旋自由度所发挥的重要作用。
2000-03-09 cond-mat.supr-con
Electronic structures of doped BaFe$_2$As$_2$ materials: virtual crystal approximation versus super-cell approach
采用虚晶近似和超原胞方法对BaFe $_2$ As $_2$材料的电子结构进行了第一性原理模拟研究。这两种方法在空穴掺杂（Ba位K掺杂）和As位等电子P掺杂的情况下产生相似的态密度和能带结构。但对于高掺杂浓度的电子掺杂体系，虚晶近似方法计算的电子结构与超原胞方法的计算结果存在偏差。另一方面，在通过虚晶近似实现的等电子Ru掺杂的情况下，观察到与超晶胞方法相比电子结构中的化学势的额外偏移，并且该偏移可以用于预测虚晶近似内的正确电子结构，如我们计算的费米表面所反映的。但对于较高的Ru掺杂浓度，由于虚晶近似计算的电子结构与超原胞理论计算的电子结构完全不同，化学势的简单移动不能起作用。
2015-09-09 cond-mat.supr-con
Room-temperature annealing effects on the basal-plane resistivity of optimally doped YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-δ}$ single crystals
我们揭示了最佳掺杂的$_2$ O $_{7-δ}$单晶的基面正常态电阻的温度依赖性可以在s-d电子-声子散射模型的框架内得到很高的精度近似。这需要考虑波动电导率，其贡献随温度降低呈指数增加，并随缺氧增加而减少。室温退火改善了样品，从而提高了超导转变温度。2D-3D交叉的温度在退火期间降低。
2019-01-18 cond-mat.supr-con
Temperature- and magnetic-field-dependent thermal conductivity of pure and Zn-doped Bi_{2}Sr_{2}CaCu_{2}O_{8+δ} single crystals
测量了Bi-2212在纯晶体和Zn掺杂晶体中的热导率κ随温度和磁场的变化。还在相同的样品上测量面内电阻率。利用这些数据，我们对纯晶体和掺锌晶体的杂质散射率Γ作了粗略的估计。我们的测量表明，在我们的大部分Bi-2212晶体中没有观察到κ（H）曲线中的“平台”，包括迄今为止最干净的晶体之一。对纯样品和掺Zn样品的τ的估计值使我们能够将κ（H）数据与现有的d波超导体在磁场下的准粒子热输运理论进行比较。我们的分析表明，适当地包含准粒子涡旋散射，预计将发挥关键作用的特殊行为的κ（H），是重要的定量理解的QP热输运中存在的旋涡。
2000-04-10 cond-mat.supr-con
Anisotropic magnetotransport of superconducting and normal state in an electron-doped Nd_{1.85}Ce_{0.15}CuO_{4-δ} single crystal
通过在高达12 T的磁场H中测量电阻率，研究了最佳掺杂的Nd_{1.85} Ce_{0.15} CuO_{4-δ}单晶在低于和高于临界温度Tc时的各向异性特性。通过标度超导转变附近的电导率涨落，确定了场平行于c轴或基底ab面时的上临界场H_{c2}（T）。各向异性因子γ={H_c2|| ab}/{H_c2|| c}估计约为8。在正常状态下（50=<T=<180 K），磁阻（MR）基本上遵循H^2依赖性，并且对于H|| c比H大10倍||AB.与空穴掺杂的铜氧化物超导体相比，最佳掺杂的Nd_{1.85} Ce_{0.15} CuO_{4-δ}铜氧化物超导体具有中等的各向异性。
2011-02-28 cond-mat.supr-con
High-pressure effects on single crystals electron-doped r$_{2-x}$Ce$_{x}$CuO$_{4}$
我们提出了高压金刚石对顶砧室同步辐射X射线，电阻率，和交流磁化率测量电子掺杂的铜酸盐Pr $_{2-x}$ Ce $_{x}$ CuO $_{4}$的压力比以前报道的高得多。在2.72 GPa下，在88 ~ 98 GPa范围内，最佳掺杂Pr $_{1.85}$ Ce $_{0.15}$ CuO的超导相T的$^\prime$相\cite{Tprime}转变为绝缘相T.剩余的2-12 $%$ T $^\prime$相的T $_{c}$在约14 GPa下从22 K连续抑制到18.5 K。值得注意的是，过掺杂Pr $_{1.83}$ Ce $_{0.17}$ CuO $_{4}$的T $_{c}$即使在32 GPa下也几乎保持不变。电子掺杂的铜酸盐的这种行为与空穴掺杂的铜酸盐的行为形成对比，对于空穴掺杂的铜酸盐，TPDMATHABMU首先随着施加的压力而显著增强。
2013-01-09 cond-mat.supr-con
Role of Magnetism in Superconductivity of BaFe2As2: Study of 5d Au-doped Crystals
研究了BaFe_2As_2（122）单晶中金掺杂的性质。122晶体结构（Au-122）的GaAs平面中的Au置换仅可能达到~ 3%的少量。我们发现，5d是更有效地降低磁性122比它的计数器3d铜，这涉及到超导性。我们提供的证据表明，短期的磁场波动和局部晶格的不均匀性，可能会阻止Ba（Fe 1-xAux）2As 2的强超导性。
2015-06-29 cond-mat.supr-con
Low Temperature Specific Heat of Optimally Doped BaFe$_{2-x}$$TM_x$As$_{2}$ ($TM$ = Co and Ni) Single Crystals: Constraint on the Pairing Gap
测量了最佳掺杂和高过掺杂非超导BaFe $_{2-x}$ TM $_x$ As $_{2}$（$TM$ = Co和Ni）单晶的低温比热。利用过掺杂样品的数据，我们成功地去除了最佳掺杂样品的声子贡献，并导出了电子比热系数$γ_e$。值得注意的是，我们发现了一个持续的温度依赖性$γ_e(T)$以下的二次关系$γ_e=γ_0+αT^2$在低温极限。连同非常小的剩余项$γ_0$，线性磁场的$γ_e$的依赖性，它的结论是，有要么节线的小片段，或在这些样品中的点状节点。
2010-06-14 cond-mat.supr-con
Pseudogap state in slightly doped by aluminium and praseodymium YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-δ}$ single crystals with a given topology of plane defects
本文研究了具有预定孪晶界拓扑结构的轻掺Al和Pr的YBaCuO单晶的基平面电导率。分析样品的过剩电导率在很宽的温度范围内表现出类似于$Δσ\sim(1-T/T^*)\exp(Δ_{ab}^*/T)$的依赖性$T_f<T<T^*$，其中$T^*$可以表示为超导转变的平均场温度。用BCS-BEC交叉理论模型可以很好地描述赝能隙的温度依赖性。
2008-12-08 cond-mat.other cond-mat.supr-con
Anomalous superconducting properties at magic doping levels in under-doped La2-xSrxCuO4 single crystals
采用移动溶剂浮区法（TSFZ）制备了x = 0.063 ~ 0.125的低掺杂La_（2-x）Sr_xCuO_4超导体。通过直流磁测量发现，在这一系列晶体中，在空穴密度为x = 1/16和x = 1/9附近，超导转变相当尖锐，而在远离这两个“幻数”的地方，超导转变范围要宽得多，Meissner分数在x = 1/9附近出现一个显著的极小值。我们的结论是，这些现象反映了该铜酸盐系统的内在性质。我们的观察结果进行了讨论，最近提出的复合电荷模型连同电荷不均匀性和电子相分离。
2003-09-01 cond-mat.supr-con
Distinct pseudogap and superconducting state quasiparticle relaxation dynamics in near-optimally doped SmFeAsO0.8F0.2 single crystals
本文利用飞秒光谱技术研究了一种T_c= 49.5K的准最佳掺杂磷属元素化物超导体的准粒子弛豫和低能电子结构。结果表明，超导态准粒子（QP）复合动力学过程具有明显的多重弛豫过程，表现出与T相关的超导能隙，并在200 K附近出现明显的“赝能隙”（PG）特征，表明在T_c以上存在一个与温度无关的能隙，其大小为Δ_PG= 61 ± 9 meV。SC和PG分量均显示饱和度是能量密度的函数，饱和度阈值分别约为0.15 \muJ /cm ^2和1.5 \muJ /cm ^2。
2008-10-06 cond-mat.supr-con
Quasi-localized Impurity State in Doped Topological Crystalline Insulator Sn$_{0.9}$In$_{0.1}$Te Probed by $^{125}$Te-NMR
In掺杂的拓扑晶体绝缘体Sn $_{1-x}$ In $_x$ Te是拓扑超导体的有希望的候选者，其中理论上认为In产生负责超导性的杂质状态。我们合成了高纯度的Sn $_{1-x}$ In $_x$ Te样品并进行了$^{125}$ Te-核磁共振（NMR）测量。在$H_0$ = 5 T的磁场下的NMR谱显示出由于定域杂质态而导致的加宽特性。自旋-晶格弛豫速率（$1/T_1$）除以温度，在$H_0$ = 0.1 T时表现出类似Curie-Weiss的温度依赖性，但在$H_0$ = 5 T时表现出温度无关性.这些结果表明，由于In掺杂的准局域杂质态的存在。
2016-12-01 cond-mat.supr-con
Unification of the Pressure and Composition Dependence of Superconductivity in Ru substituted BaFe2As2
本文研究了Ba（Fe_{1-x} Ru_{x}）_{2} As_{2}（x = 0.12，0.26和0.35）单晶的高压电阻率随温度的变化。得到了不同组分的结构/磁性转变温度（T_{S-M}）和超导转变温度（T_（c））随压力的变化。正常状态下的电阻率已被分析的模型，该模型结合了自旋波动和自旋密度波（SDW）阶段的间隙的开口。结果表明，Tc与自旋涨落强度B成比例，T_{S-M}与SDW能隙参数Δ成比例.这为BaFe_2As_2的组成和压力诱导超导性的统一提供了一个处方。
2014-02-14 cond-mat.supr-con
Freestanding single-crystal superconducting electron-doped cuprate membrane
本研究制备出自支撑单晶电子掺杂铜酸盐超导膜，其在剥离后仍保持共格结构和原有超导性能，为超导材料与不相容电子器件集成提供新途径。
2025-06-16 cond-mat.supr-con
DFT+U study of magnetic order in doped La$_2$CuO$_4$ crystals
本文用密度泛函理论（DFT+U）计算了掺杂La $_{2-x}$ Sr $_x$ CuO $_4$的几种磁相。检查了从$x=0$到0.25的掺杂因子。发现$x=1/8$和$x=1/4$的磁基态为键心条纹。未发现$x=1/6$的稳定条带顺序。电子密度的分析表明，顶端氧原子，那些位于上方和下方的铜原子在CuO PDMATHAMT平面，持有一个不可忽略的部分的孔在大掺杂，并提出了一个小的自旋极化。最后，研究了键心和原子心两种磁条纹调制引起的电荷重组。
2011-06-28 cond-mat.supr-con
Mapping out the spin fluctuations in Co-doped LaFeAsO single crystals by NMR
用核磁共振（NMR）方法测定了LaFe $_{1-x}$ Co $_x$ AsO单晶的相图。直到$x=0.03$的标称掺杂，其遵循F掺杂多晶体的相图。在$x=0.03$以上，F掺杂的样品变得超导，而对于Co掺杂，可以观察到高达$x=0.042$的结构和磁性转变，并且超导性仅在更高的掺杂水平和降低的转变温度下发生。对于高达$x=0.056$的掺杂，我们找到了短程磁序的证据。通过弛豫率测量，我们绘制出揭示向列性和磁性相互作用的磁涨落。在有序度以上，LaFe $_{1-x}$ Co $_x$ AsO中的自旋涨落与Ba（Fe $_{1-x}$ Co $_x$）$_2$ As $_2$中的自旋涨落相同，表明LaFeAsO中的向列性也是自旋密度波动的结果.
2020-11-27 cond-mat.supr-con
Strong vortex pinning in Co-doped BaFe2As2 single crystal thin films
本文报道了在不同SrTiO_3模板厚度的SrTiO_3/（La，Sr）（Al，Ta）O_3上生长的Co掺杂BaFe_2As_2薄膜的Jc随场和角度的变化。薄膜的Jc与单晶的Jc相当，在H/Hirr ~ 0.5时，最大钉扎力Fp（0.6Tc）> 5GN/m3，表明在高场下强涡旋钉扎有效。由于强相关的c轴钉扎，沿c轴的场的Jc超过H//ab平面的Jc，反转了Hc 2各向异性的预期。高分辨电子显微镜（HRTEM）显示，强的涡旋钉扎是由于高密度的纳米尺寸的柱状缺陷。
2010-02-27 cond-mat.supr-con
