Optically-gated resonant emission in single quantum dots
我们报道了相干驱动的单半导体量子点的共振辐射。我们证明了超弱非共振激光作为量子点共振响应的光门。我们表明，门激光器抑制库仑阻塞在共振发射淬灭的起源，和光选通量子点系统地表现为理想的两个层次的系统在这两个制度的相干和非相干共振发射。
2011-09-20 cond-mat.mes-hall
Spin-orbit coupling effects on quantum transport in lateral semiconductor dots
本文分析了自旋轨道耦合和塞曼分裂之间的相互作用对横向半导体量子点中弱局域化和普遍电导涨落的影响：列出了相应随机矩阵理论的所有可能的对称类，并描述了通过扫描磁场和改变量子点参数可实现的它们之间的交叉。我们还建议实验测量自旋-轨道耦合常数。
2001-07-18 cond-mat.mes-hall
Quantum-information processing in semiconductor quantum dots
我们提出了一种在半导体量子点中进行量子信息处理的全光学实现方案，其中电子空穴激发（激子）作为计算自由度（量子比特）。强点限制导致激子态的强重整化，其类似于量子信息处理的基于NMR的实现，可以用于执行有条件和无条件量子位操作。
2001-04-09 cond-mat.mes-hall
Optical absorption in semiconductor quantum dots: Nonlocal effects
考虑光场与半导体极化率之间的非局域耦合，研究了电场中单个球形半导体量子点的光吸收。这些非局域效应导致小尺寸和场相关的位移和激子共振的加宽，这可能是在未来的高精度实验的兴趣。
2001-11-09 cond-mat.mes-hall
Coherent defect-assisted multiphonon intraband carrier relaxation in semiconductor quantum dots
提出了半导体量子点中多声子带内载流子弛豫的一种新的缺陷辅助机制，其中载流子是在初始态、终态和缺陷态的相干叠加中发现的。结果表明，这一机制是能够解释所观察到的趋势的PbSe和CdSe胶体量子点的带内弛豫速率的温度依赖性。
2007-05-18 cond-mat.mes-hall
Electronic spin precession in semiconductor quantum dots with spin-orbit coupling
半导体量子点中的电子自旋旋进受到自旋轨道耦合的强烈影响。我们提出了一个在低磁场下的电子自旋共振理论，该理论预测了对点占据、磁场和自旋轨道耦合强度的强烈依赖性。库仑相互作用的影响也被考虑在一个数值方法。
2002-08-22 cond-mat.mes-hall
The Theory of Light Scattering by Semiconductor Quantum Dots. Semiclassical Method Using Retarded Potentials
提出了半导体量子点的弹性光散射理论。采用半经典方法，应用延迟势避免了电场和磁场的边界条件问题。得到了量子点远距离指向矢量的精确结果，以及单色光和脉冲光散射的微分截面公式。
2007-03-02 cond-mat.mes-hall
Theory of exciton fine structure in semiconductor quantum dots: quantum dot anisotropy and lateral electric field
介绍了半导体量子点中激子精细结构的理论及其与量子点各向异性和外横向电场的关系。在k*p有效质量近似下，导出了包含长程电子-空穴交换作用的有效激子哈密顿量。交换矩阵元素的哈密顿量明确表示在电子和空穴的包络函数。负责的矩阵元素的“明亮”激子分裂的识别和分析。分析了具有准二维各向异性谐振子（2DLAHO）限制势的模型量子点的激子精细结构随形状各向异性、尺寸和外加横向电场的变化.
2009-10-22 cond-mat.mes-hall
Polarons in semiconductor quantum-dots and their role in the quantum kinetics of carrier relaxation
虽然含时微扰理论表明在半导体量子点中载流子-声子散射效率低，但我们证明了载流子-声子相互作用的量子动力学描述预测了快速载流子捕获和弛豫。所考虑的过程在自由载流子能量方面不满足能量守恒，因为局域量子点态的极性耦合强烈地改变了这一图像。
2005-01-20 cond-mat.mes-hall
Exciton spin relaxation in single semiconductor quantum dots
研究了非对称单量子点中激子自旋的弛豫（纵向弛豫时间$T_{1}$），这是由于短程交换作用和声学声子形变的相互作用引起的。计算的弛豫速率强烈依赖于点的大小，磁场和温度。对于典型的量子点和低于100 K的温度，零磁场弛豫时间是长的激子寿命相比，但他们强烈减少高磁场。本文详细讨论了基于（In，Ga）As和（Cd，Zn）Se半导体化合物的量子点。
2003-04-23 cond-mat.mes-hall
Computer-automated tuning of semiconductor double quantum dots into the single-electron regime
我们报道了GaAs异质结构中栅定义半导体双量子点的计算机自动调谐。我们通过在四个量子点的线性阵列内创建三个双量子点来对算法进行基准测试。该算法为所有栅极设置正确的栅极电压，以将双量子点调谐到单电子状态。该算法只需要（1）门设计的先验知识和（2）由所有量子点共享的单个门$T$的夹断值。这项工作大大简化了用户调谐多个量子点设备所需的工作。
2016-03-07 cond-mat.mes-hall
Intrinsic spin dynamics in semiconductor quantum dots
我们在多带包络函数近似下研究了半导体量子点的特征自旋动力学。通过数值求解一个$8\times8$ $k\cdot p$哈密顿量，我们处理基于不同的III-V族半导体材料的系统，它表明，即使在没有施加磁场，这些系统显示出内在的自旋动力学带内和带间跃迁导致的特征自旋频率范围从太赫兹到光学频率。
2005-09-22 cond-mat.mes-hall
Elastic Light Scattering by Semiconductor Quantum Dots
从理论上研究了低维半导体目标的弹性光散射。计算了量子点中激子的共振光散射微分截面。如果光波长大大超过量子点的尺寸，散射光的偏振和角分布不依赖于量子点的形式，尺寸和潜在的配置。在这种情况下，总光散射截面的大小不取决于量子点尺寸。如果激子辐射展宽超过非辐射展宽，则共振总光散射截面约为光波长的平方。计算了辐射增宽。
2006-05-26 cond-mat.mes-hall
Quantum control of polaron states in semiconductor quantum dots
本文在独立玻色子模型和最优控制的框架下研究了光激发半导体量子点中声子辅助的退相。通过对量子点态和声子耦合的真实描述，我们证明了这种退相对相干光学响应有着巨大的影响。我们采用最优控制理论来寻找控制策略，允许打击退相干，并表明，适当的剪裁激光脉冲允许一个完整的控制的光激发，尽管声子退相。
2007-01-15 cond-mat.mes-hall
Charge State Hysteresis in Semiconductor Quantum Dots
半导体量子点提供了真实原子的二维类比，并显示出实现可扩展量子计算机的前景。在这里，我们研究了硅金属氧化物半导体双量子点隧道耦合到一个单一的电子库的电荷配置。通过在少电子区操作系统，稳定性图显示了滞后隧穿事件，其取决于点电荷占据的历史。我们提出了一个模型，该模型解释了所观察到的滞后行为，通过扩展已建立的描述耦合到两个水库的双点运输。我们证明，这种类型的设备像一个单电子存储器锁存器。
2014-07-07 cond-mat.mes-hall
Formation of Strain-Induced Quantum Dots in Gated Semiconductor Nanostructures
弹性应变改变半导体中的导带的能量，这将影响通过半导体纳米结构的输运。我们表明，在半导体纳米结构中，来自金属栅极的典型应变足够大，可以产生应变诱导量子点（QD）。我们模拟了一个常用的量子点器件架构，体硅上的金属栅极，并显示应变诱导量子点的形成。应变诱导量子点可以通过用多晶硅栅极代替金属栅极来消除。因此，应变对于QD装置操作可与静电一样重要。
2014-09-11 cond-mat.mes-hall
Optical near-field mapping of excitons and biexcitons in naturally occurring semiconductor quantum dots
我们计算了半导体量子点中的激子和双激子的近场光谱自然发生在GaAs基量子阱中的界面波动，使用的响应函数的空间调制的电-磁场的非局部描述。最低的，远场禁止激子态的相对强度进行预测，地面双激子状态的空间扩展被发现与最近发表的实验。
2004-03-19 cond-mat.mes-hall
Massive creation of entangled exciton states in semiconductor quantum dots
强激光脉冲在非均匀加宽的量子点介质中传播，大量产生纠缠激子态。脉冲通过后，所有的单激子状态保持未填充（自诱导透明），而双激子相干（激子纠缠）是通过双光子跃迁产生的。我们提出了几个实验技术，观察这种意想不到的行为。
2002-11-05 cond-mat.mes-hall
Fine structure and optical pumping of spins in individual semiconductor quantum dots
本文综述了半导体量子点的自旋性质及其对光谱的影响。光致发光和其他类型的光谱学被用于以高光谱和空间分辨率探测单个量子点中的中性和带电激子。光谱精细结构和极化揭示了量子点自旋如何相互作用以及与环境的相互作用。利用光学选择规则的选择性和自旋弛豫，实现了对基态电子和核自旋的光学自旋泵浦。通过这种机制，光可以用来处理自旋，用作信息的载体。
2008-09-10 cond-mat.mes-hall
Majorana excitons in a Kitaev chain of semiconductor quantum dots in a nanowire
本文提出Majorana激子理论，研究光激发电子-空穴对与纳米线量子点Kitaev链中Majorana费米子的相互作用，并通过解析与精确对角化方法在吸收光谱中证实Majorana零模的存在。
2023-06-30 cond-mat.mes-hall
Analytical approach for type-II semiconductor spherical core-shell quantum dots heterostructures with wide band gaps
采用有效质量近似下的单带模型，研究了II型半导体球形核壳量子点的能量结构和振子强度。采用弹性连续体方法模拟了核壳异质结构的异质外延应变。该模型被应用到ZnTe/ZnSe核壳，一个宽的带隙II型异质结。模拟的吸收光谱与现有的实验结果相当一致。
2013-01-21 cond-mat.mes-hall
Thermal rectification effects of multiple semiconductor quantum dot junctions
基于多能级Anderson模型，从理论上研究了半导体量子点在非线性响应区的热电效应。利用Keldysh格林函数方法计算了连续隧穿过程中的电荷流和热流。结果表明，在多量子点结系统中可以观察到热整流效应，而量子点的隧穿率、尺寸起伏和位置分布对整流效率有显著影响。
2010-04-18 cond-mat.mes-hall
Resonant photovoltaic effect in doped magnetic semiconductors
干净的未掺杂半导体对AC电场的整流非线性响应包括公知的本征贡献--移位电流。我们发现，当Kramers简并被打破，一个明显的二阶整流响应出现，这是由于在一个系统中的振荡费米面的布洛赫态反常速度。我们称之为共振光伏效应（RPE）的这种效应在具有近似粒子-空穴对称性的杂质半导体或半金属中在带间吸收阈值处产生共振电流峰值。我们评估的RPE模型的磁化拓扑绝缘体的表面状态。
2019-10-15 cond-mat.mes-hall
Single Hole Transport in a Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Quantum Dot
我们描述了一个平面硅金属氧化物半导体（MOS）为基础的单孔晶体管，这是与传统的硅CMOS制造兼容。多层栅极设计可独立控制点和储层中的载流子密度。清晰的库仑阻塞振荡被观察到，和源漏偏置测量表明，它是可能的耗尽点下降到几个空穴制度，与激发态清晰可见。该架构是足够通用的，第二个孔点可以被诱导邻近第一个。
2013-04-11 cond-mat.mes-hall
Semiconductor quantum dots in high magnetic fields: The composite-fermion view
本文回顾和推广了强磁场中半导体量子点的复合费米子理论。复合费米子的平均场模型不能满足高角动量下的定性物理。大量的数值计算表明，微观CF理论，其中包括复合费米子之间的相互作用，提供了一个很好的定性和定量的量子点基态的最大角动量的研究，并允许系统的改进，包括复合费米子朗道能级（称为$Λ$水平）之间的混合。
2006-11-13 cond-mat.mes-hall
Plasmon-enhanced second harmonic generation in semiconductor quantum dots close to metal nanoparticles
我们报道了非中心对称半导体CdS量子点与孤立的银纳米颗粒紧密接触时，其光学二次谐波信号的增强。强度增强约为1000。我们还表明，当入射激光频率$ω$朝向银等离子体激元在$2ω$的光谱位置调谐时，增强增加，证明银纳米颗粒修改非线性发射。
2012-02-14 cond-mat.mes-hall
Room temperature observation of electron resonant tunneling through InAs/AlAs quantum dots
采用分子束外延技术制备了自组装InAs/AlAs量子点共振隧穿二极管。共振隧穿电流叠加在热电流上，它们构成了器件中总的电子输运。电流-电压特性中的台阶和电容-电压特性中的峰值被解释为在77 K或300 K下经由量子点的电子共振隧穿，并且这是第一次在室温下在III-V族量子点材料中观察到共振隧穿。曲线中的滞后环归因于量子点的热电子注入/发射过程，这表明伴随的充电/放电效应。
2007-12-06 cond-mat.mes-hall
Long-range radiative interaction between semiconductor quantum dots
为了描述半导体量子点之间的辐射相互作用机制，我们发展了Maxwell-Schroedinger形式。我们求解了电磁场与极化场通过线性非局域极化率耦合的量子点系综的麦克斯韦方程组，计算了系统的极化激元共振。由辐射和表面光子模式介导的辐射耦合导致集体模式的出现，集体模式的寿命与非相互作用点的寿命相比更长或更短。耦合的大小和集体模能量取决于失谐量和相互的量子点距离。这种耦合机制的空间范围是波长的量级。因此，当考虑将量子点作为用于量子信息处理的集成系统的构建块时，应该考虑这种耦合。
2004-11-03 cond-mat.mes-hall
Selective Spin Injection Controlled by Electrical way in Ferromagnet/Quantum Dot/Semiconductor system
在铁磁（FM）/量子点（QD）/半导体（SC）系统中，通过改变近藤温度以上的栅压，预测了注入半导体（SC）的电流的选择性和大极化.此外，在低于近藤温度时，还发现了自旋相关的近藤效应。研究发现，随着FM引线的极化度P的增加，上自旋态的近藤共振被抑制。而下一个是增强的。上旋的近藤峰在P=1时消失。
2008-01-18 cond-mat.mes-hall
Phase measurements using Two-Channel Fano Interference in a Semiconductor Quantum Dot
我们研究了半开放Fano体系中含有大量电子的横向半导体量子点。在输运测量中，我们观察到三个稳定的系列Fano共振具有相似的线型。我们提出了一个简单的模型解释的温度和V_{SD}依赖的共振。Fano机制允许研究电子波函数的相位和相干性，并且令人惊讶的是，我们在我们的系统中没有发现退相干的迹象。
2003-07-23 cond-mat.mes-hall
Resonant current from singlet-triplet state mixing in coupled quantum dots
本文采用 Floquet-Markov 量子输运模型，计算自旋轨道耦合双量子点在不同驱动幅度与交流频率下的共振电流，揭示其丰富干涉图样及对单重态-三重态混合的探测意义。
2025-02-20 cond-mat.mes-hall
Cavity quantum electrodynamics with semiconductor double-dot molecules on a chip
本文描述了一种将半导体双点分子的电子自旋态耦合到微波带状线谐振器的相干控制技术。我们确定了一个新的制度的操作中，分子和谐振腔之间的强相互作用可以实现最小的退相干，达到所谓的强耦合制度的腔QED。我们描述了这种系统的潜在应用，包括低噪声相干电控制，自旋态的快速QND测量，和远程自旋耦合。
2006-05-05 cond-mat.mes-hall
Circuit QED using a semiconductor double quantum dot
在由GaAs双量子点和共面波导谐振腔组成的耦合量子比特谐振腔系统中观察到真空拉比分裂。导出的量子位-谐振腔耦合强度和退相干率的值表明强耦合，这保证了系统中的明显真空拉比振荡。退相干的幅度是合理的解释在GaAs中的压电声学声子的电子耦合。
2012-06-04 cond-mat.mes-hall
Parametric amplification of magnetoplasmons in semiconductor quantum dots
我们发现，磁等离子体激元集体模式在准二维半导体量子点可以参数放大周期性调制的磁场垂直于纳米结构。这两种磁等离子体激元模式同时被激发和放大，导致系统中玻色子激发的数量呈指数增长。我们进一步证明，阻尼机制以及非谐性的限制的量子点导致饱和的参量放大。这项工作构成了第一步参数放大的集体模式在多体费米子系统超越一维。
2011-10-03 cond-mat.mes-hall
Elementary excitations in charge-tunable InGaAs quantum dots studied by resonant Raman and resonant photoluminescence spectroscopy
我们报道了自组装InGaAs量子点的共振光谱，其中电子数可以通过外部栅极电压精确地调谐到N= 0，1，2。偏振，波矢和磁场相关的测量使我们能够清楚地区分共振拉曼和共振光致发光过程。N=1和2电子的拉曼光谱彼此相当不同。特别地，对于N=2的量子点He，光谱表现出单重态和三重态跃迁，反映了基本的多粒子相互作用。量子点的共振光致发光光谱也会随着量子点中电子数目的变化而发生显著的变化。对于N=1，我们观察到强烈的极化效应被抑制N=2。
2010-12-08 cond-mat.mes-hall
Instabilities in the optical response of a semiconductor quantum dot - metal nanoparticle heterodimer: self - oscillations and chaos
我们从理论上研究了由半导体量子点与金属纳米颗粒强耦合构成的异质二聚体的非线性光学响应。该量子点被认为是一个具有基态、单激子态和双激子态的三能级梯形系统。与二能级量子点模型的情况相比，加入第三态（双激子）在混合系统的光学响应中产生了迷人的效果。具体地说，我们证明了该系统可以表现出皮秒和亚皮秒自振荡和准混沌行为下{ \it单}频连续波激励。孤立的半导体量子点不显示这样的特征。这些效应源自半导体量子点中的竞争性单激子和双激子跃迁，其由量子点经由金属纳米颗粒的自作用触发。控制上述现象的关键参数是自作用强度和双激子位移的比值。自振荡机制可以在实践中实现，特别是在由紧密间隔的ZnS/ZnSe核-壳量子点和球形银纳米颗粒组成的异二聚体中。这些结果可能在产生超短光脉冲串的纳米器件中有应用。
2016-12-15 cond-mat.mes-hall
Resonant excitation and anti-Stokes luminescence of GaAs single quantum dots
研究了生长在GaAs（411）A表面上的单个GaAs/AlGaAs量子点的显微光致发光（$μ$ -PL）和激发（$μ$ -PLE）谱。我们在$μ$ -PL和$μ$ -PLE光谱中都观察到了尖锐的共振线，对应于点的离散能级。当样品在其中一条共振线上激发时，不仅在Stokes侧出现共振发光线，而且在反Stokes侧也出现共振发光线。我们讨论了可能的起源的反斯托克斯发光。
2001-09-02 cond-mat.mes-hall
Few-photons model of the optical emission of semiconductor quantum dots
Jaynes-Cummings模型为辐射场中的单电子二能级系统提供了一个完善的理论框架。对于半导体发光体，例如由许多粒子相互作用主导的量子点，类似的精确可解模型是未知的。我们访问这些系统的广义集群扩展，光子概率集群扩展：一个可靠的方法，在许多身体电子系统的光子动力学。作为第一个应用程序，我们讨论真空拉比flopping和表明，它们的振幅决定了电子的数量在量子点。
2009-07-10 cond-mat.mes-hall
Indirect coupling between spins in semiconductor quantum dots
从理论上研究了两个量子点中自旋之间的光诱导间接交换相互作用。我们提出了一个微观制定的本地化自旋和巡回运营商之间的相互作用，包括相关的影响，使用一组正则变换。相关效应被认为是可比的直接交换的幅度。我们给出了现实的量子点几何形状的定量结果，并找到了一维系统的最大耦合。
2004-12-04 cond-mat.mes-hall
Non-adiabatic electron charge pumping in coupled semiconductor quantum dots
讨论了在三个耦合量子点的体系中实现非绝热电子抽运的可能性。我们发现，由于非绝热非平衡过程，中间量子点的能级位置发生周期性变化，导致平均隧穿电流出现非零。相同的原理可以用于制造基于非稳态非平衡电流的一类新的半导体电子器件。作为一个例子，我们提出了一个纳米量子发射器与非稳态反能级占领实现电子泵。
2011-12-26 cond-mat.mes-hall
Spin-flip transitions between Zeeman sublevels in semiconductor quantum dots
我们研究了GaAs电子量子点中塞曼子能级间的自旋翻转跃迁。几种不同的机制，起源于自旋轨道耦合被证明是负责这样的过程。结果表明，局域在量子点中的电子的自旋晶格弛豫比自由电子的自旋晶格弛豫要小得多。由于其他几种机制的自旋翻转率无关的自旋轨道相互作用的估计。
2001-07-02 cond-mat.mes-hall
Resonant excitonic emission of a single quantum dot in the Rabi regime
我们报道了半导体GaAs量子点中激子基阶的相干共振辐射。通过将量子点嵌入波导结构中，实现了皮秒激光激发的共振态。随着脉冲强度的增加，拉比振荡观察到三个周期。拉比制度的实现是由于在波导中增强的光-物质耦合。这是由于当强共振脉冲在介质中传播时发生的\emph{slow light effect}（$c/v_{g}\simeq 3000$）。量子点基本跃迁的共振控制为凝聚态物理中的量子态操纵和量子光学实验开辟了新的可能性。
2007-07-20 cond-mat.mes-hall
Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer
采用分子束外延技术制备了自组装InAs/GaAs量子点肖特基共振隧穿二极管。由于AlAs插入势垒的存在，有效地降低了热电流，在77 K的高温下观察到了电子在正向和反向偏压条件下通过量子点的共振隧穿.量子点的基态位于GaAs基体导带之下~0.19eV处。理论计算与实验数据相符合。
2007-12-06 cond-mat.mes-hall
Kondo physics in tunable semiconductor nanowire quantum dots
我们在强耦合半导体纳米线量子点中观察到了近藤效应。这些器件由砷化铟纳米线制成，通过分子束外延生长，并与钛导线接触。器件的透明性可以通过改变栅电极上的电势来调节，并且为了增加透明度，主导输运的效应从库仑阻塞变化到具有近藤物理出现在中间区域的普适电导涨落。
2006-08-22 cond-mat.mes-hall
Phonon-assisted decoherence in the production of polarization-entangled photons in a single semiconductor quantum dot
本文从理论上研究了半导体量子点中双激子级联衰变产生偏振纠缠光子的过程。在中间态中，纠缠被编码在第一发射光子和激子的偏振中，其中激子状态可以通过形成晶格畸变由固态环境有效地“测量”。我们表明，所产生的纠缠损失变得急剧增强，如果声子的晶格畸变是受到弹性散射在设备的边界，这可能构成一个严重的限制量子点为基础的纠缠光子设备。
2007-06-28 cond-mat.mes-hall
Research progress of electronic properties of self-assembled semiconductor quantum dots
自组装半导体量子点是一种人工设计和生长的新型功能材料，具有量子尺寸效应、量子干涉效应、表面效应、量子隧道-库仑阻塞效应和非线性光学效应。该材料具有晶体缺陷少、制备工艺相对简单等优点，在未来的纳米电子器件研究中具有重要的应用价值。本文按垂直输运、横向输运和电荷存储的顺序，简要介绍了该材料的电子性质的最新进展，并分析了存在的问题和发展前景。
2007-12-06 cond-mat.mes-hall
Phonon impact on the coherent control of quantum states in semiconductor quantum dots
本章介绍了声子作用下量子点中电荷的光量子控制的最新理论结果。我们表明，晶格弛豫过程导致的约束载流子态的退相干。的理论方法导致一个统一的，紧凑的描述声子对载流子动力学的影响，微扰的声子耦合，但适用于任意的无扰演化，详细描述。接下来，一些应用：声子阻尼的拉比振荡的量子点和声子引起的错误的单量子比特门的激子量子点量子比特以及半导体量子点自旋量子比特通过STIRAP转移操作。
2004-04-15 cond-mat.mes-hall
Shot noise spectroscopy on a semiconductor quantum dot in the elastic and inelastic cotunneling regimes
本文报道了半导体量子点在共隧穿机制下的散粒噪声谱。直流电导测量结果表明明确的签名的弹性和非弹性cotunneling运输内的库仑金刚石。我们观察到泊松散粒噪声与Fano因子$F\approx 1$在弹性共隧穿制度，和超泊松Fano因子$1<F<3$在非弹性共隧穿制度。弹性和非弹性过程之间的Fano因子值的差异揭示了参与共隧穿运输的微观机制。
2013-01-09 cond-mat.mes-hall
Spin dynamics of an individual Cr atom in a semiconductor quantum dot under optical excitation
利用光子相关技术研究了Cr原子在II-VI族半导体量子点中的自旋动力学。我们使用最近开发的单一Cr掺杂的CdTe/ZnTe量子点（A. Lafuente-Sampietro { \it等人}，[1])来获取单个磁性原子的自旋。在连续波光激发下由量子点发射的光子的自相关揭示了具有在10 ns范围内的时间尺度的局域自旋的波动。互相关给出Cr自旋态之间的定量转移时间。对Cr掺杂量子点中自旋能级布居随时间变化的计算表明，所观察到的自旋动力学是由激子-Cr相互作用控制的。这些测量还提供了一个下限在20 ns范围内的固有铬自旋弛豫时间。
2016-06-17 cond-mat.mes-hall
Tunneling Current Spectra of a Metal Core/Semiconductor Shell Quantum Dot Molecule
采用Keldysh格林函数方法，研究了金属核/半导体壳层量子点分子（QDM）嵌入金属电极基体中的输运性质.研究了电子等离子体激元相互作用（EPI）对QDM隧穿电流谱的影响。量子点的能级、点内和点间的库仑相互作用、电子点间跳跃强度和量子点的隧穿速率由EPI重整化。微分电导谱显示了由等离子体辅助隧穿过程、点内和点间库仑相互作用以及量子点之间的相干隧穿引起的峰。
2013-04-15 cond-mat.mes-hall
Role of Coulomb correlations in the optical spectra of semiconductor quantum dots
基于直接对角化方法，我们对半导体量子点光谱中的少粒子效应给出了一致的理论描述。我们表明，由于电子和空穴之间的强库仑相互作用，每个配置的限制少粒子系统导致其特征签名的光谱。我们讨论了定量预测和比较与实验的吸收和发光。
2000-05-16 cond-mat.mes-hall
Fermi-edge Singularity in II-VI Semiconductor Resonant Tunneling Structures
我们报道了在II-VI族半导体异质结中观察到费米边增强的共振隧穿输运。通过自组装的CdSe量子点的共振运输生存高达45 K和探针的无序的二维（2D）的发射器，占主导地位的磁场依赖的运输。即使没有施加磁场，也可以清楚地观察到通过许多粒子效应的隧道电流的增强。隧道电流中的额外精细结构表明，虽然传统的费米边缘奇异性理论成功地再现了传输增加的一般特征，但它不足以描述电流增强的所有细节。
2009-01-12 cond-mat.mes-hall
Bell-state preparation for electron spins in a semiconductor double quantum dot
提出了一种半导体双量子点中两个电子自旋的态制备和态俘获的稳健方案。该系统是由两个自旋耦合到两个独立的玻色子水库。由于这种环境的退相干效应是最小化的应用优化的控制领域，使目标状态的孤立的驱动自旋系统的基态。我们表明，相对于纯退相稳定的自旋纠缠是可能的。具体地说，我们证明了在最大纠缠态（贝尔态）的存在下的退相干状态捕获。
2007-09-03 cond-mat.mes-hall
Double quantum dot with tunable coupling in an enhancement-mode silicon metal-oxide semiconductor device with lateral geometry
我们提出了一个可调的硅金属氧化物半导体双量子点器件的横向几何形状的输运测量。实验提取的栅极到点电容表明，该设备在很大程度上是对称的栅极电压下施加。有趣的是，这些栅极电压本身并不对称。与数值模拟的比较表明，所施加的栅极电压用于抵消物理器件中的固有不对称性。我们还展示了从一个大的单点到两个隔离良好的耦合点的过渡，其中该设备的中心栅极用于可控地调谐点间耦合。
2010-10-29 cond-mat.mes-hall
