Weak localization and electron-electron interactions in Indium-doped ZnO nanowires
采用激光辅助化学气相沉积法合成了铟掺杂的单晶氧化锌纳米线。纳米线的电导率在低温下在垂直和平行于线轴的磁场中测量。我们的数据的定量拟合得到，与理论的准一维金属系统的量子校正由于弱本地化和电子-电子相互作用。磁导率的各向异性与理论相符。这两个量子修正量的大小大致相等，温度依赖性分别为T^-1/3和T^-1/2。准二维表面电导率的替代模型被排除在平行磁场中的磁导率的振荡的情况下。
2009-07-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Coulomb Oscillations of Indium-doped ZnO Nanowire Transistors in a Magnetic Field
我们报告的观察库仑振荡从本地化的量子点叠加在正常的跳跃电流在ZnO纳米线晶体管。库仑振荡可分辨到20 K。由于载流子运动受到洛伦兹力的作用，观察到了正的各向异性磁电阻。随着磁场的增加，磁场诱导的隧穿势垒透明性导致振荡幅度的增加。作为磁场的函数的能量偏移指示量子点中的电子波函数修改。
2010-11-05 cond-mat.mes-hall quant-ph
Possible evidence of non-Fermi liquid behavior from quasi-one-dimensional indium nanowires
报道了在室温下从Si（111）-7 $\times$ 7表面自组装的准一维铟（In）纳米线中观察到的非费米液体（NFL）的可能证据。使用高分辨率的电子能量损失谱，我们已经测量了在纳米线中的低能量intrasubband等离子体激元激发的能量和宽度色散。我们观察到的能量动量色散$ω$（q）在低q极限完全由NFL理论和随机相位近似预测。然而，用指数$α$ =1.40 $\pm$ 0.24测量的不寻常的非分析宽度色散$ζ(q) \sim q^α$，仅由NFL理论理解。这种低能量激发的异常宽度分散可以探测非理想1D相互作用电子系统的NFL特征，尽管显著抑制了自旋-电荷分离（$\leq$ 40 meV）。
2010-05-25 cond-mat.mes-hall cond-mat.other
Near-Infrared plasmon induced hot electron extraction evidence in an indium tin oxide nanoparticle / monolayer molybdenum disulphide heterostructure
在这项工作中，我们观察等离子体激元诱导的热电子提取之间的异质结氧化铟锡纳米晶体和单层二硫化钼。我们研究的样品与超快差分传输激发样品在1750 nm的强烈局域等离子体表面共振的氧化铟锡纳米晶体和单层二硫化钼不吸收光。在1750 nm激发下，我们观察到二硫化钼在可见光范围内的激子特征，接近二硫化钼的激子。这种现象可以归因于等离子体激元激发时氧化铟锡纳米晶体和单层二硫化钼之间的电荷转移。这些结果是实现近红外等离子体材料用于光转换的第一步。
2022-07-17 cond-mat.mes-hall physics.optics
Ultrafast photoinduced enhancement of nonlinear optical response in 15-atom gold clusters on indium tin oxide conducting film
研究表明，15原子金团簇与氧化铟锡（ITO）导电膜接触后，其三阶非线性光学系数显著增强。开孔和闭孔Z-扫描实验以及非简并泵浦-探测差分传输实验使用中心在395 nm和790 nm处的80 fs激光脉冲在包封在环糊精腔中的金簇上进行。结果表明，与未掺杂的玻璃片相比，团簇的双光子吸收系数提高了一个数量级。非线性光学折射系数的增强约为3倍。在泵浦波长为395 nm和探测波长为790 nm的条件下，光致激发态吸收也有一个数量级的增强。这些结果归因于耦合金簇-ITO系统中的激发态能量转移，与迄今为止在电荷给体-受体复合物和纳米颗粒-共轭聚合物复合物中所看到的增强不同。
2013-02-27 cond-mat.mes-hall
Long electron dephasing length and disorder-induced spin-orbit coupling in indium tin oxide nanowires
利用四探针组态法测量了两条氧化铟锡（ITO）纳米线在0.25 ~ 40 K温度范围内的量子干涉磁阻效应。与一维弱（反）局域化理论进行比较，提取电子退相长度$L_ϕ$。我们发现，在一个直径为60 nm的纳米线，具有低电阻率的$ρ$（10 K）= 185 $μΩ$ cm，$L_ϕ$是长的，从150 nm在40 K增加到520 nm在0.25 K。因此，纳米线显示出严格的一维弱局域化效应，可达几十开尔文。在具有$ρ$（10 K）= 1030 $μΩ$ cm的高电阻率的72 nm直径的第二纳米线中，退相长度被抑制到$L_ϕ$（0.26 K）= 200 nm，因此在约12 K处发生从1到3的有效器件维度的交叉。特别是在后一种样品中，无序诱导的自旋轨道耦合是明显的，在低于$\sim$ 4 K的温度下表现出弱的反定域效应.这些观察结果表明，通过控制不同水平的原子缺陷和杂质，可以在ITO纳米线中实现多功能的量子干涉效应。
2010-10-28 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Parity-preserving and magnetic field resilient superconductivity in indium antimonide nanowires with tin shells
我们研究了自下而上生长的半导体锑化铟纳米线，其表面涂有锡壳。贝壳的厚度是均匀的。Sn与InSb的界面是突变的，没有发生互扩散。用于传输的器件通过使用附近的纳米线以及薄片原位遮蔽纳米线来制备，从而产生无蚀刻结。锡被发现诱导硬超导能隙在600-700微电子伏特的范围内。超导性在磁场中可持续到4 T。锡岛显示出令人垂涎的双电子充电效应，这是电荷宇称稳定性的标志。这些发现为基于新的超导体-半导体组合的超导和拓扑量子线路开辟了道路。
2019-12-11 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.supr-con
Role of the annealing parameters on the resistance of indium tin oxide nanocrystalline films
本文系统研究了退火温度和时间对ITO纳米晶薄膜电阻的影响，实现了电阻在三个数量级范围内的可调性。
2023-03-23 cond-mat.mes-hall physics.optics
Quantum-interference transport through surface layers of indium-doped ZnO nanowires
我们制备了铟掺杂氧化锌（IZO）纳米线（NWs），并在低温下进行了四探针电输运测量。纳米线揭示了无序金属的电荷传导行为特征。除了电阻$R$与$T$的关系外，我们还测量了垂直和平行磁场下的磁阻（MR）。我们的$R(T)$和MR数据在不同的$T$间隔是一致的理论预测的一维（1D），二维（2D）或三维（3D）弱局域化（WL）和电子-电子相互作用（EEI）的影响。特别是，在两个效果中观察到一些维度交叉。这些交叉现象与单个IZO NW中的“核-壳样结构”模型一致，其中厚度为$t$（$\simeq$ 15-17 nm）的外壳负责量子干涉传输。在WL效应中，随着电子退相长度$L_ϕ$随着$T$从最低测量温度增加而逐渐减小，在特征温度附近发生1D到2D维度交叉，其中$L_ϕ$近似等于$d$，有效NW直径略小于几何直径。随着$T$进一步增加，在另一个特征温度附近发生2D到3D维度交叉，其中$L_ϕ$近似等于$t$（$< d$）。在EEI效应中，当热扩散长度$L_T$随着$T$的增加而逐渐减小并接近$t$时，发生2D到3D维度交叉。然而，没有看到到1D EEI效应的交叉，因为在我们的IZO NW中，即使在$T$ = 1 K时，$L_T < d$也是如此。此外，我们解释了各种非弹性电子散射过程，管理$L_ϕ$。这项工作表明，表面相关的导电过程是必不可少的掺杂半导体纳米结构。
2017-02-18 cond-mat.mes-hall
Effect of strain and diameter on electronic and charge transport properties of indium arsenide nanowires
采用第一性原理计算研究了单轴压应变、拉伸应变和直径对砷化铟（InAs）纳米线电子能带结构的影响.从松弛和应变纳米线的电子结构中提取有效质量和带隙。材料的性质提取和应用，以确定通过有效质量近似内所描述的纳米线的电荷传输，并通过应用非平衡格林函数方法。输运计算自洽地求解了具有开放边界条件的薛定谔方程和用于静电的泊松方程。该器件结构对应于具有InAs NW沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），该沟道处于栅极全包围几何结构中。沟道截面用于3 × 3 nm 2至1 × 1 nm 2范围内的高度缩放器件。应变对能带结构和电性能的影响进行了评估不同的NW方向和直径通过量化亚阈值摆动和ON/OFF电流比。我们的研究结果显示，对于临界尺寸为几纳米的InAs NW晶体管，晶体取向和量子限制效应主导器件行为，但必须包括应变效应，以提供准确的晶体管性能预测。
2018-08-16 cond-mat.mes-hall physics.app-ph
Electron dephasing in homogeneous and inhomogeneous indium tin oxide thin films
在0.3- 90 K的宽温度范围内研究了二维均匀和非均匀氧化铟锡薄膜中的电子退相过程。我们发现，小能量转移电子-电子（$e$ - $e$）散射过程主导了从几K到几十K的退相。在较高温度下，观察到大能量转移$e$ - $e$散射过程的交叉。低于约1- 2 K时，退相时间$τ_φ$显示出非常弱的温度依赖性，其有趣地近似与电子扩散常数$D$的倒数成比例，即，$τ_φ(T \approx 0.3 \, {\rm K}) \propto 1/D$。我们的研究结果的理论意义进行了讨论。提出了在这种低载流子浓度材料中，电子-声子弛豫速率弱到可以忽略不计的原因。
2012-02-08 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Observation of the 4$π$-periodic Josephson effect in indium arsenide nanowires
通过非阿贝尔马约拉纳零模（MZM）的量子计算提供了一种通过在拓扑超导体制度中的半导体纳米线网络的非局域电荷宇称态中编码量子信息来实现容错的方法。迄今为止，MZM的实验研究主要依赖于单电子隧穿测量，这导致存储在MZM中的量子信息的退相干。作为拓扑量子计算的下一步，需要基于约瑟夫森效应的电荷宇称守恒实验，这也可以帮助排除零偏压电导异常的非拓扑起源。在这里，我们报告的约瑟夫森辐射频率的直接测量InAs纳米线与外延铝壳。对于第一次，我们观察到的$4π$周期约瑟夫森效应以上的磁场$\approx 200\,$ mT，与估计和测量的拓扑相变的类似设备。
2020-03-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Kondo physics in tunable semiconductor nanowire quantum dots
我们在强耦合半导体纳米线量子点中观察到了近藤效应。这些器件由砷化铟纳米线制成，通过分子束外延生长，并与钛导线接触。器件的透明性可以通过改变栅电极上的电势来调节，并且为了增加透明度，主导输运的效应从库仑阻塞变化到具有近藤物理出现在中间区域的普适电导涨落。
2006-08-22 cond-mat.mes-hall
Observation of surface states on heavily indium doped SnTe(111), a superconducting topological crystalline insulator
已知拓扑晶体绝缘体碲化锡在掺杂有铟（Sn $_{1-x}$ In $_{x}$ Te）时具有超导性，并且对于低铟含量（$x=0.04$），已知拓扑表面态被保留。在这里，我们提出了生长，表征和角度分辨光电子能谱分析的样品与更重的掺杂（高达$x\approx0.4$），制度的超导温度增加了近四倍。我们表明，尽管强p型掺杂，Dirac样的表面状态持续存在。
2016-02-18 cond-mat.mes-hall
Thermal transport evolution due to nanostructural transformations in Ga-doped indium-tin-oxide thin films
本文对不同Ga浓度（0-30 at. s）的氧化铟锡（ITO）薄膜的热导率进行了全面的理论和实验研究。%）。X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜显示在15-20原子的范围内的结构转变。%的Ga从纳米晶相转变为非晶相。室温飞秒时域热反射测量结果表明，在2.0-0.5 W/（m K）的范围内，取决于Ga掺杂水平的热导率的非线性下降。将密度泛函理论计算与XRD数据进行比较，发现Ga原子取代了ITO纳米晶体中的In原子，保留了Ia-3空间群对称性。计算的声子色散关系表明，Ga掺杂导致出现杂化金属原子的振动与避免交叉行为。这些杂化振动具有缩短的平均自由程，是纳米晶相热导率下降的主要原因。在15-20 at. %的Ga。喷雾热分解法制备的ITO：Ga薄膜具有良好的热传导性能，这对ITO：Ga薄膜的热电应用具有重要意义。
2021-04-30 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Charge transport in a single superconducting tin nanowire encapsulated in a multiwalled carbon nanotube
用多探针测量方法研究了多壁碳纳米管包裹的单根超导锡纳米线的电荷输运性质。多壁碳纳米管保护锡纳米线免受氧化和形状碎片，因此使我们能够研究直径小至25 nm的稳定线的电子特性。通过氩离子刻蚀多壁纳米管可以调节Ti/Au电极与纳米线接触的透明度。大电流的应用导致接触处的局部加热，这反过来又抑制了超导性。
2011-05-04 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Indium-Tin-Oxide Transistors with One Nanometer Thick Channel and Ferroelectric Gating
在这项工作中，我们展示了高性能的铟锡氧化物（ITO）晶体管的沟道厚度下降到1 nm和铁电Hf0.5Zr0.5O2作为栅极电介质。在沟道厚度为1 nm的亚微米栅长ITO晶体管上实现了0.243 A/mm的导通电流，而当沟道厚度增加到2 nm时，导通电流增加到高达1.06 A/mm。采用厚度为10 nm的凸起源极/漏极结构，有助于0.15 Ωmm的低接触电阻和1.1{ \times } × 10-7 Ω cm 2的低接触电阻率。具有凹陷沟道和铁电选通的ITO晶体管显示出优于2D半导体晶体管和其他薄膜晶体管的几个优点，包括大面积晶片尺寸纳米薄膜形成、低接触电阻和接触电阻率、原子薄沟道不受短沟道效应的影响、通过铁电选通对高载流子密度的大栅极调制、高质量栅极电介质和钝化形成，以及用于低功率后段工艺（BEOL）CMOS应用的大带隙。
2020-08-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
High-field Breakdown and Thermal Characterization of Indium Tin Oxide Transistors
本研究通过扫描热显微镜和多物理场模拟，揭示了超薄非晶ITO晶体管在高场下的热击穿机制，测得不同衬底上的热边界电导，为提升器件可靠性提供了关键热机械见解。
2025-04-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Electronic conduction properties of indium tin oxide: single-particle and many-body transport
铟锡氧化物（Sn掺杂的In $_2$ O $_{3-δ}$或ITO）是令人感兴趣的并且在技术上重要的透明导电氧化物。这类材料已经被广泛研究了几十年，研究工作集中在应用方面。ITO从300 K到低温的电子传导特性的基本问题很少得到解决。在很宽的温度范围内的电输运性质的研究是必不可少的解开潜在的电子动力学和微观电子参数。我们发现，人们可以了解丰富的物理在ITO材料，包括半经典玻尔兹曼输运，量子干涉电子输运，和电子-电子相互作用的影响，在无序和粒度的存在。为了揭示ITO材料为基础研究提供的机会，我们展示了不同形式的ITO结构中的各种电荷传输特性，包括均匀的多晶薄膜，均匀的单晶纳米线和非均匀的纳米薄膜。我们不仅解决了ITO中出现的新物理现象，而且还说明了稳定的ITO材料形式的潜在应用的多功能性。我们强调，在微观上，ITO的丰富的电子导电性能源于继承自由电子的能带结构和低载流子浓度（与典型的金属相比）这类材料的特性。此外，低载流子浓度导致慢的电子-声子弛豫，这导致（$i$）小的剩余电阻比，（$ii$）在1-300 K的宽温度范围内的线性电子扩散热电功率，以及（$iii$）弱的电子退相速率。我们将重点讨论类金属ITO材料。
2017-02-25 cond-mat.dis-nn cond-mat.mes-hall
Raman spectroscopy and electrical properties of InAs nanowires with local oxidation enabled by substrate micro-trenches and laser irradiation
沿着砷化铟纳米线的热梯度是通过在支撑衬底中制造微沟槽和聚焦激光照射的组合来设计的。这允许在衍射极限的尺度上局部控制纳米线的热激活氧化反应。通过显微拉曼成像检测了氧化的局部性，发现结果与温度分布的数值模拟一致。将该技术应用于电子器件中的纳米线，局部氧化的纳米线保持导电，具有较低的电导率，如对于有效更薄的导电芯所预期的。
2016-01-25 cond-mat.mes-hall physics.optics
Ubiquitous non-Majorana Zero-Bias Conductance Peaks in Nanowire Devices
本文针对纳米线/超导体混合器件中普遍出现的零偏压电导峰，利用自洽泊松-薛定谔多带模型证明其来源于平庸亚能隙态的叠加与相互作用，而非马约拉纳束缚态，从而为甄别真正的马约拉纳信号提供了关键依据。
2024-01-23 cond-mat.mes-hall
Crossover of electron-electron interaction effect in Sn-doped indium oxide films
系统地研究了一系列Sn掺杂氧化铟（ITO）薄膜的结构和电输运性质，薄膜厚度为$t$ 5 ~ $\sim$ 53 nm.扫描电镜和X射线衍射结果表明，$t\lesssim 16.8$，nm薄膜为多晶，而$t\gtrsim 26.7$，nm薄膜为沿[100]方向外延生长。对于外延薄膜，低温下的薄层电导$σ_\square$的温度行为受Altshirt和Aronov电子-电子相互作用（EEI）效应的控制，霍尔系数$ΔR_H/R_H$的相对变化与薄层电阻$ΔR_\square/R_\square$的相对变化之比为$\approx$ 2，这与Altshirt和Aronov EEI理论定量一致，在其他体系中很少观察到.对于这些多晶薄膜，在几十K以下，薄膜的薄层电导和霍尔系数都随温度的对数呈线性变化，这可以用颗粒金属的EEI理论很好地描述。通过比较$σ_\square(T)$数据与EEI理论在颗粒金属中的预测，我们提取了每种薄膜的晶间隧穿电导。研究发现，当隧穿电导小于单个氧化铟锡（ITO）颗粒的电导时，ITO薄膜在输运性质上表现出颗粒金属的特征，反之，ITO薄膜表现出均匀无序导体的输运性质。我们的研究结果表明，电输运测量不仅可以揭示潜在的电荷传输特性的薄膜，但也是一个强大的工具，以检测微妙的均匀性的薄膜。
2015-03-05 cond-mat.mes-hall
Conductance through a helical state in an InSb nanowire
电子的运动和它的自旋一般是不耦合的。然而，在具有强自旋-轨道相互作用（SOI）的一维材料中，螺旋状态可以在有限的磁场下出现，其中相反自旋的电子将具有相反的动量。这种螺旋状态的存在有自旋过滤和库珀对分裂器设备的应用，是一个必不可少的成分，实现拓扑保护的量子计算使用马约拉纳零模式。在这里，我们报告的量子点接触（QPC）形成的锑化铟纳米线的磁场的函数的电导测量。在超过3 T的磁场下，$2e^2/h$平台显示出朝向$1e^2/h$的折返电导特征，其在包围$1e^2/h$平台之前宽度随磁场线性增加。旋转外部磁场平行或垂直于自旋轨道场，使我们能够清楚地将这种实验特征归因于SOI。我们将我们的观测结果与包含SOI的QPC模型进行了比较，并提取了~6.5meV的自旋轨道能量，这明显强于通过其他方法获得的SO能量。
2017-01-24 cond-mat.mes-hall
High resolution spectroscopy and narrow resonances from InGaN quantum dots in GaN nanowires
报道了GAN纳米线中InGaN量子点系综的高分辨相干非线性光谱。数据显示，在低温下，由于铟波动效应的不均匀加宽，共振激光场和量子点激子之间存在明显的类原子相互作用，这在线性吸收光谱中难以观察到。我们发现，非线性信号在室温下持续强烈。稳健的类原子室温响应表明，这种材料可以作为拟议的激子应用的平台，而无需低温。
2016-02-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.other
Hydrogenated Aluminum Doped Zinc Oxide as Highly Transparent and Passivating Indium-Free Recombination Junction for TOPCon-Based Bottom Cell
针对ITO复合结的铟稀缺与溅射损伤问题，本文证明s-ALD制备的AZO:H配合AlOx覆盖层可在TOPCon底电池上实现高透过率与优异钝化，是有潜力的无铟复合结材料。
2025-10-20 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci
Long-range crossed Andreev reflection in topological insulator nanowires proximitized by a superconductor
本文首次在超导体近邻效应拓扑绝缘体纳米线中观测到交叉安德烈夫反射（CAR），发现其在1.5μm处仍存在信号，且0.9μm器件库珀对分裂效率达0.5，为远程纠缠研究提供新平台。
2024-11-22 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci cond-mat.str-el
Molecular Beam Epitaxy of Al$\mathrm{_{1-x}}$Sc$\mathrm{_{x}}$N Nanowires: Towards Group-III Nitride Piezoelectric Nanogenerators with Enhanced Response
Universit\'e Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP, Institut N\'eel, 38000 Grenoble, France；Universit\'e Côte d’Azur, CRHEA, CNRS, 06905 Sophia-Antipolis Cedex, France
本研究通过分子束外延制备Al$_{1-x}$Sc$_{x}$N纳米线，将其集成到压电纳米发电机中，实现比体相AlN更高的压电响应，并通过有效介质建模提出高效能量收集器的设计原理。
2026-07-15 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.app-ph
Modulation of domain wall dynamics in TbFeCo single layer nanowire
我们证明了在TbFeCo单层纳米线（300 nm宽，150 $μ$ m长）中写入和调制磁畴壁的可能性。为了实现这一点，一个微小的磁畴成核的奥斯特场所产生的1.6 MHz的脉冲电流（35 mA的幅度，5-40 ns的长度）穿过导线。为了将壁写入到线，根据自旋转移力矩机制，使用DC电流将成核畴（在两侧具有两个壁）驱动到线。需要$J_c = 3.5\times10^{10} Am^{-2}$的临界电流密度来控制线中壁的运动。结果表明，通过外加电场和脉冲电流的大小可以调节纳米线中畴的大小。这对畴壁自旋力矩器件，特别是存储器件的写入过程有重要的指导意义。
2011-11-01 cond-mat.mes-hall cond-mat.mtrl-sci physics.ins-det
Insulating State of a Quasi-1-Dimensional Superconductor
准一维超导体中的量子涨落，也称为量子相位滑移（QPS），引起了人们的极大关注。研究表明，这种现象能够抑制超窄超导纳米线在低温T<<Tc下的零电阻率，并抑制微小纳米环中的持续电流。在量子点态下，超导纳米线与约瑟夫森结是对偶的。在嵌入高阻抗环境中的极窄超导纳米线的特定情况下，这种二元性会导致一个直观上有争议的结果：超导体进入绝缘状态。在这里，我们的实验证明，这种线的I-V特性确实显示库仑阻塞，这消失的应用程序的临界磁场和/或以上的临界温度证明该效果与超导性。该系统可以看作是一个传统的约瑟夫森结链的动态等效。
2013-11-13 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
Dissipation in Quasi One-Dimensional Superconducting Single-Crystal Sn Nanowires
电输运测量单晶锡纳米线，以了解一维超导体的内在耗散机制。而直径大于70 nm的导线的电阻急剧下降到零，在Tc附近的3.7 K，一个剩余的电阻尾部延伸到低温被发现与直径为20和40 nm的导线。作为温度的函数，剩余电阻的对数表现为两个线性部分，一个在低于Tc的零点几度内，另一个向下延伸到至少0.47 K，测量的最低温度。剩余电阻被发现是欧姆在所有温度低于锡的Tc。这些结果表明，在Tc附近的热激活的相位滑移过程和量子涨落诱导的相位滑移过程中的低温制度。当励磁电流超过临界值时，电压-电流（V-I）曲线呈现一系列离散的台阶，逐渐接近正常状态。这些步骤不能完全理解与经典的Skocpol-Beasley-Tinkham相滑移中心模型（PSC），但可以定性占部分由Michotte等人修改的PSC模型。
2005-02-03 cond-mat.mes-hall cond-mat.supr-con
